JPH1117060A - Ｂｇａ型半導体装置 - Google Patents
Ｂｇａ型半導体装置Info
- Publication number
- JPH1117060A JPH1117060A JP18060597A JP18060597A JPH1117060A JP H1117060 A JPH1117060 A JP H1117060A JP 18060597 A JP18060597 A JP 18060597A JP 18060597 A JP18060597 A JP 18060597A JP H1117060 A JPH1117060 A JP H1117060A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- elastomer
- semiconductor chip
- wiring
- wiring pattern
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、ミスボンディングが無く、また、
絶縁性フィルムと半導体チップとの接着力が向上した品
質の優れた生産性の高いＢＧＡ型半導体装置を提供す
る。 【解決手段】 複数のボンディングパッドを有する半導
体チップ９と、配線パターン４を具備し、外部との電気
的接続を行う複数の半田ボール６を具備してなる絶縁性
フィルム１との間に介在するエラストマ８が、それぞれ
の中心点で交差する複数の線状に形成されていることを
特徴とするＢＧＡ型半導体装置である。
絶縁性フィルムと半導体チップとの接着力が向上した品
質の優れた生産性の高いＢＧＡ型半導体装置を提供す
る。 【解決手段】 複数のボンディングパッドを有する半導
体チップ９と、配線パターン４を具備し、外部との電気
的接続を行う複数の半田ボール６を具備してなる絶縁性
フィルム１との間に介在するエラストマ８が、それぞれ
の中心点で交差する複数の線状に形成されていることを
特徴とするＢＧＡ型半導体装置である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＢＧＡ型半導体装置の
構造に係り、特に、絶縁フィルムと半導体チップとの間
に介在するエラストマの形状に関する。
構造に係り、特に、絶縁フィルムと半導体チップとの間
に介在するエラストマの形状に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体装置は実装基板
上の回路パターンに半田等を用いて接続されているが、
近年、エレクトロニクス機器の高性能化、多機能化に伴
う半導体素子の微細化と半導体装置の小型化に対応する
ため、半田ボールを用いて高密度表面実装を行うボール
グリッドアレイ（ＢＧＡ）と指称される半導体装置が提
案されている。
上の回路パターンに半田等を用いて接続されているが、
近年、エレクトロニクス機器の高性能化、多機能化に伴
う半導体素子の微細化と半導体装置の小型化に対応する
ため、半田ボールを用いて高密度表面実装を行うボール
グリッドアレイ（ＢＧＡ）と指称される半導体装置が提
案されている。
【０００３】この一例として、半導体チップ表面（機能
面側）に絶縁性のエラストマを介して、配線パターンを
形成した絶縁性フィルムを配置し、半導体チップのボン
ディングパッドと配線パターンの接続部分を、外部との
不要な電気的接触を防止するため、絶縁性コーティング
材で被覆し、絶縁性フィルムの裏面側に複数の半田ボー
ルを格子状に配置したＢＧＡがある。
面側）に絶縁性のエラストマを介して、配線パターンを
形成した絶縁性フィルムを配置し、半導体チップのボン
ディングパッドと配線パターンの接続部分を、外部との
不要な電気的接触を防止するため、絶縁性コーティング
材で被覆し、絶縁性フィルムの裏面側に複数の半田ボー
ルを格子状に配置したＢＧＡがある。
【０００４】このようなＢＧＡにおいて、エラストマは
絶縁性フィルムと半導体チップとを固着させる接着材の
役割を兼ねる一方、絶縁性フィルムと半導体チップとの
熱膨張係数差により発生する熱応力の吸収、緩和機能を
有している。エラストマの形成方法は、配線パターン表
面側に予定された印刷領域に対し、ジェル状のエラスト
マを印刷領域の全面にスクリーン印刷法にて印刷した
後、熱硬化工程を経て形成されている。そして、このエ
ラストマ上に半導体チップを固着するために、硬化した
エラストマ上面にもう一度微量のジェル状エラストマを
接着材として印刷している。この時のエラストマの形状
を図３に示す。
絶縁性フィルムと半導体チップとを固着させる接着材の
役割を兼ねる一方、絶縁性フィルムと半導体チップとの
熱膨張係数差により発生する熱応力の吸収、緩和機能を
有している。エラストマの形成方法は、配線パターン表
面側に予定された印刷領域に対し、ジェル状のエラスト
マを印刷領域の全面にスクリーン印刷法にて印刷した
後、熱硬化工程を経て形成されている。そして、このエ
ラストマ上に半導体チップを固着するために、硬化した
エラストマ上面にもう一度微量のジェル状エラストマを
接着材として印刷している。この時のエラストマの形状
を図３に示す。
【０００５】
【この発明が解決しようとする課題】ところが、この接
着材として印刷されたジェル状のエラストマ５１上に半
導体チップ５２を固着させると、固着した際にジェル状
のエラストマ５１がエラストマ印刷領域５４より外側に
流れ出てしまい、エラストマ印刷領域５４の左右に形成
されている配線リード５５に付着することがある。配線
リードに付着したエラストマは、絶縁性フィルムより切
断された時の配線リードのフレキシブルな動きを奪い、
半導体チップのボンディングパッドへの正確なボンディ
ングを妨げ、ミスボンディングを発生させる原因となっ
ている。この問題は、半導体装置の生産性および信頼性
を著しく低下させている。
着材として印刷されたジェル状のエラストマ５１上に半
導体チップ５２を固着させると、固着した際にジェル状
のエラストマ５１がエラストマ印刷領域５４より外側に
流れ出てしまい、エラストマ印刷領域５４の左右に形成
されている配線リード５５に付着することがある。配線
リードに付着したエラストマは、絶縁性フィルムより切
断された時の配線リードのフレキシブルな動きを奪い、
半導体チップのボンディングパッドへの正確なボンディ
ングを妨げ、ミスボンディングを発生させる原因となっ
ている。この問題は、半導体装置の生産性および信頼性
を著しく低下させている。
【０００６】本発明は、前記実情に鑑みてなされたもの
で、品質の優れた生産性の高いＢＧＡ型半導体装置を提
供することを目的とする。
で、品質の優れた生産性の高いＢＧＡ型半導体装置を提
供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の要旨は、周縁端部に複数のボンディングパッドを有
する半導体チップと、配線パターンを具備するととも
に、前記配線パターンに接続され、突出して外部との電
気的接続を行う複数の半田ボールを具備してな絶縁性フ
ィルムとで構成され、前記配線パターン表面側に形成さ
れたエラストマを介して半導体チップの機能面側を貼着
するとともに、前記半導体チップの周縁部に形成された
複数のボンディングパッドに前記配線パターンより延在
する配線リードを接続し、前記半導体チップと前記配線
リードとの接続部を樹脂封止したＢＧＡ型半導体装置に
おいて、前記エラストマは、それぞれの中心点で交差す
る複数の線状に形成されていることを特徴とする。
明の要旨は、周縁端部に複数のボンディングパッドを有
する半導体チップと、配線パターンを具備するととも
に、前記配線パターンに接続され、突出して外部との電
気的接続を行う複数の半田ボールを具備してな絶縁性フ
ィルムとで構成され、前記配線パターン表面側に形成さ
れたエラストマを介して半導体チップの機能面側を貼着
するとともに、前記半導体チップの周縁部に形成された
複数のボンディングパッドに前記配線パターンより延在
する配線リードを接続し、前記半導体チップと前記配線
リードとの接続部を樹脂封止したＢＧＡ型半導体装置に
おいて、前記エラストマは、それぞれの中心点で交差す
る複数の線状に形成されていることを特徴とする。
【０００８】また望ましくは、前記エラストマが、長手
方向または幅方向に向かって離間する複数の線状に形成
されていることを特徴とする。
方向または幅方向に向かって離間する複数の線状に形成
されていることを特徴とする。
【０００９】
【作用】本発明によれば、エラストマが配線パターン表
面側の印刷領域内にあって、それぞれの中心で交差する
複数の線状に形成されているため、半導体チップの固着
の際もジェル状のエラストマが印刷領域の外側に流れ出
て配線リードに付着することがない。従って、エラスト
マが配線リードの動きに干渉しないことから、配線リー
ドと半導体チップのボンディングパッドとが位置正確に
接続される。
面側の印刷領域内にあって、それぞれの中心で交差する
複数の線状に形成されているため、半導体チップの固着
の際もジェル状のエラストマが印刷領域の外側に流れ出
て配線リードに付着することがない。従って、エラスト
マが配線リードの動きに干渉しないことから、配線リー
ドと半導体チップのボンディングパッドとが位置正確に
接続される。
【００１０】また、エラストマ印刷領域内であって、本
発明エラストマ形状によりエラストマが形成されていな
い配線パターンと半導体チップとの隙間には封止用コー
ティング材が回り込んで充填されるため、絶縁性フィル
ムと半導体チップとの固着力がより強固となり、半導体
装置の信頼性を高めることができる。
発明エラストマ形状によりエラストマが形成されていな
い配線パターンと半導体チップとの隙間には封止用コー
ティング材が回り込んで充填されるため、絶縁性フィル
ムと半導体チップとの固着力がより強固となり、半導体
装置の信頼性を高めることができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図面を参照
しつつ詳細に説明する。
しつつ詳細に説明する。
【００１２】図１は本発明によるＢＧＡ型半導体装置の
断面図、図２のは本発明によるエラストマ形状を示す平
面図である。
断面図、図２のは本発明によるエラストマ形状を示す平
面図である。
【００１３】まず、図１に示すように、本発明によるＢ
ＧＡ型半導体装置の構成は、厚さ５０μｍ、幅３５ｍｍ
のポリイミドフィルムからなる絶縁性フィルム１の表面
に貼着した厚さ１８μｍのＣｕ箔２をパターニングし、
Ｃｕパターン表面に厚さ１μｍのＡｕメッキ３を施して
配線パターン４が形成されている。絶縁性フィルム１に
はビアホール５が形成され、このビアホ−ル５を通じて
露出する前記配線パターン４にＰｄ１０％、Ｓｎ９０％
の半田からなる直径０．３ｍｍの半田ボール６を接続し
て外部電極を形成している。半田ボール６は、絶縁性フ
ィルム１の裏面側において格子状をなすように全面に形
成されている。また、配線パターン４先端となる配線リ
ード７はＣｕ箔２を除去したＡｕのみによって形成され
ている。絶縁性フィルム１の配線パターン４表面側に
は、複数の線状を有して構成された厚さ１００μｍの絶
縁性のエラストマ８が形成され、このエラストマ８上に
半導体チップ９が固着搭載されている。半導体チップ９
の裏面はベア状態となっている。そして半導体チップ９
のボンディングパッドと前記配線リード７とが接続され
て配線パターン４と半導体チップ９との電気的接続を行
っている。配線リード７と半導体チップ９の接続部はシ
リコーン系樹脂からなる絶縁性の封止用コーティング材
１０にて封止されている。
ＧＡ型半導体装置の構成は、厚さ５０μｍ、幅３５ｍｍ
のポリイミドフィルムからなる絶縁性フィルム１の表面
に貼着した厚さ１８μｍのＣｕ箔２をパターニングし、
Ｃｕパターン表面に厚さ１μｍのＡｕメッキ３を施して
配線パターン４が形成されている。絶縁性フィルム１に
はビアホール５が形成され、このビアホ−ル５を通じて
露出する前記配線パターン４にＰｄ１０％、Ｓｎ９０％
の半田からなる直径０．３ｍｍの半田ボール６を接続し
て外部電極を形成している。半田ボール６は、絶縁性フ
ィルム１の裏面側において格子状をなすように全面に形
成されている。また、配線パターン４先端となる配線リ
ード７はＣｕ箔２を除去したＡｕのみによって形成され
ている。絶縁性フィルム１の配線パターン４表面側に
は、複数の線状を有して構成された厚さ１００μｍの絶
縁性のエラストマ８が形成され、このエラストマ８上に
半導体チップ９が固着搭載されている。半導体チップ９
の裏面はベア状態となっている。そして半導体チップ９
のボンディングパッドと前記配線リード７とが接続され
て配線パターン４と半導体チップ９との電気的接続を行
っている。配線リード７と半導体チップ９の接続部はシ
リコーン系樹脂からなる絶縁性の封止用コーティング材
１０にて封止されている。
【００１４】前記エラストマ８は、図２（ａ）に示すよ
うに、配線パターン４表面側のエラストマ印刷領域１１
内において、この印刷領域１１の端部より一定の距離を
おいた位置に、二本の線状エラストマがそれぞれの中心
点で交差するように形成されているため、半導体チップ
９の固着の際にエラストマ８が僅かに流れても配線リー
ド７には付着することがない。
うに、配線パターン４表面側のエラストマ印刷領域１１
内において、この印刷領域１１の端部より一定の距離を
おいた位置に、二本の線状エラストマがそれぞれの中心
点で交差するように形成されているため、半導体チップ
９の固着の際にエラストマ８が僅かに流れても配線リー
ド７には付着することがない。
【００１５】また、配線パターン４表面側のエラストマ
印刷領域１１内にあって、エラストマ８が印刷されてい
ない配線パターン４と半導体地チップ９との隙間には封
止用コーティング材１０が回り込んできて充填されるこ
とから、絶縁性フィルム１と半導体チップ９との接着力
がより向上し、半導体装置の信頼性が高められる。
印刷領域１１内にあって、エラストマ８が印刷されてい
ない配線パターン４と半導体地チップ９との隙間には封
止用コーティング材１０が回り込んできて充填されるこ
とから、絶縁性フィルム１と半導体チップ９との接着力
がより向上し、半導体装置の信頼性が高められる。
【００１６】また、前記エラストマ８を、図２（ｂ）に
示すように、長手方向または幅方向（図示しない）に等
間隔で離間するように三本の線状に形成しても前記同様
の効果を得ることができる。
示すように、長手方向または幅方向（図示しない）に等
間隔で離間するように三本の線状に形成しても前記同様
の効果を得ることができる。
【００１７】なお、本実施例ではエラストマを二本また
は三本からなる線状に形成しているが、形成する本数は
これに限定するものではない。
は三本からなる線状に形成しているが、形成する本数は
これに限定するものではない。
【００１８】
【発明の効果】本発明は前述のことからも明らかなとお
り、絶縁性フィルムと半導体チップの固着の際のエラス
トマの配線リードへの付着がなくなることから、リード
ボンディング時のミスボンディングの発生を防止するこ
とができ、半導体装置の生産性を向上させることができ
る。
り、絶縁性フィルムと半導体チップの固着の際のエラス
トマの配線リードへの付着がなくなることから、リード
ボンディング時のミスボンディングの発生を防止するこ
とができ、半導体装置の生産性を向上させることができ
る。
【００１９】また、絶縁性フィルムと半導体チップとの
固着力もより強固となり、半導体装置の信頼性が高めら
れる。
固着力もより強固となり、半導体装置の信頼性が高めら
れる。
【図１】本発明によるＢＧＡ型半導体装置の断面図
【図２】本発明によるエラストマの形状を示す平面図
【図３】従来技術によるエラストマの形状を示す平面図
１、絶縁性フィルム ２、Ｃｕ箔 ３、Ａｕメッキ ４、配線パターン ５、ビアホールルム ６、半田ボール ７、配線リード ８、エラストマ ９、半導体チップ １０、封止用コーティング材 １１、エラストマ印刷領域 ５１、エラストマ ５２、半導体チップ ５３、絶縁性フィルム ５４、エラストマ印刷領域
Claims (2)
- 【請求項１】 周縁端部に複数のボンディングパッドを
有する半導体チップと、 配線パターンを具備するとともに、前記配線パターンに
接続され、突出して外部との電気的接続を行う複数の半
田ボールを具備してなる絶縁性フィルムとで構成され、
前記配線パターン表面側に形成されたエラストマを介し
て半導体チップの機能面側を貼着するとともに、前記半
導体チップの周縁部に形成された複数のボンディングパ
ッドに前記配線パターンより延在する配線リードを接続
し、前記半導体チップと前記配線リードとの接続部を樹
脂封止したＢＧＡ型半導体装置において、 前記エラストマは、それぞれの中心点で交差する複数の
線状に形成されていることを特徴とするＢＧＡ型半導体
装置。 - 【請求項２】前記エラストマは、長手方向または幅方向
に向かって離間する複数の線状に形成されていることを
特徴とする請求項１記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18060597A JPH1117060A (ja) | 1997-06-19 | 1997-06-19 | Ｂｇａ型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18060597A JPH1117060A (ja) | 1997-06-19 | 1997-06-19 | Ｂｇａ型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1117060A true JPH1117060A (ja) | 1999-01-22 |
Family
ID=16086181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18060597A Pending JPH1117060A (ja) | 1997-06-19 | 1997-06-19 | Ｂｇａ型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1117060A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101361778B1 (ko) * | 2008-05-26 | 2014-02-11 | 삼성테크윈 주식회사 | 반도체 패키지용 회로 기판과, 이를 이용한 반도체 패키지 |
-
1997
- 1997-06-19 JP JP18060597A patent/JPH1117060A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101361778B1 (ko) * | 2008-05-26 | 2014-02-11 | 삼성테크윈 주식회사 | 반도체 패키지용 회로 기판과, 이를 이용한 반도체 패키지 |
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