JPH05136201A - 半導体装置用電極と実装体 - Google Patents
半導体装置用電極と実装体Info
- Publication number
- JPH05136201A JPH05136201A JP3300121A JP30012191A JPH05136201A JP H05136201 A JPH05136201 A JP H05136201A JP 3300121 A JP3300121 A JP 3300121A JP 30012191 A JP30012191 A JP 30012191A JP H05136201 A JPH05136201 A JP H05136201A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- electrode
- circuit board
- bump
- mounting body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は半導体装置と回路基板とを容易に、
かつ、信頼性良く接続することのできる半導体装置用電
極と実装体を提供することを目的とする。 【構成】 半導体装置のＩＣ基板１のアルミ電極パッド
２部上に台座部と頂上部の２段突起状のバンプ電極３を
備え、バンプ電極３の頂上部にのみＩｎフィラーを含む
導電性接着剤４を形成した電極を有し、かつ、導電性接
着剤４を介して半導体装置を回路基板６上のＣｕからな
る端子電極７に直接接合する実装体を有するもの。 【効果】 ２段突起形状のバンプ電極３により、導電性
接着剤の広がりの規制が可能となり、微細ピッチでの接
合が実現できる。
かつ、信頼性良く接続することのできる半導体装置用電
極と実装体を提供することを目的とする。 【構成】 半導体装置のＩＣ基板１のアルミ電極パッド
２部上に台座部と頂上部の２段突起状のバンプ電極３を
備え、バンプ電極３の頂上部にのみＩｎフィラーを含む
導電性接着剤４を形成した電極を有し、かつ、導電性接
着剤４を介して半導体装置を回路基板６上のＣｕからな
る端子電極７に直接接合する実装体を有するもの。 【効果】 ２段突起形状のバンプ電極３により、導電性
接着剤の広がりの規制が可能となり、微細ピッチでの接
合が実現できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置を回路基板
に実装する際の電極構造に関するものであり、特にフェ
ースダウンで実装してなる半導体装置用電極と実装体に
関する。
に実装する際の電極構造に関するものであり、特にフェ
ースダウンで実装してなる半導体装置用電極と実装体に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置の回路基板上への実装
には半田付けがよく利用されていたが、近年、半導体装
置のパッケージの小型化と接続端子数の増加により、接
続端子間隔が狭くなり、従来の半田付け技術で対処する
ことが次第に困難になってきた。
には半田付けがよく利用されていたが、近年、半導体装
置のパッケージの小型化と接続端子数の増加により、接
続端子間隔が狭くなり、従来の半田付け技術で対処する
ことが次第に困難になってきた。
【０００３】そこで、最近では裸の半導体装置を回路基
板上に直付けして実装面積の小型化と効率的使用を図ろ
うとする方法が考案されてきた。
板上に直付けして実装面積の小型化と効率的使用を図ろ
うとする方法が考案されてきた。
【０００４】なかでも、半導体装置を回路基板に接続す
るに際し、あらかじめ半導体装置のアルミ電極パッド上
に密着金属や拡散防止金属の蒸着膜とこの上にメッキに
より形成した半田層とからなる電極構造を有する半導体
装置を下向き（フェースダウン）にして、高温に加熱し
て半田を回路基板の端子電極に融着する実装構造が、接
続後の機械的強度が強く、接続が一括にできることなど
から有効な方法であるとされている。（例えば、工業調
査会、１９８０年１月１５日発行、日本マイクロエレク
トロニクス協会編、『ＩＣ化実装技術』）以下図面を参
照しながら、上述した従来の半導体装置用電極と実装体
の一例について説明する。
るに際し、あらかじめ半導体装置のアルミ電極パッド上
に密着金属や拡散防止金属の蒸着膜とこの上にメッキに
より形成した半田層とからなる電極構造を有する半導体
装置を下向き（フェースダウン）にして、高温に加熱し
て半田を回路基板の端子電極に融着する実装構造が、接
続後の機械的強度が強く、接続が一括にできることなど
から有効な方法であるとされている。（例えば、工業調
査会、１９８０年１月１５日発行、日本マイクロエレク
トロニクス協会編、『ＩＣ化実装技術』）以下図面を参
照しながら、上述した従来の半導体装置用電極と実装体
の一例について説明する。
【０００５】図３は従来の半田バンプ電極を有する半導
体装置用電極の概略説明図であり、図４は上記半導体装
置の実装体の概略説明図である。
体装置用電極の概略説明図であり、図４は上記半導体装
置の実装体の概略説明図である。
【０００６】図３において、８は半導体装置のＩＣ基板
であり、９はアルミ電極パッドである。１０は密着金属
膜であり、１１は拡散防止金属膜である。１２は半田突
起であり、１３はパッシベーション膜である。図４にお
いて、１４は回路基板であり、１５は端子電極である。
であり、９はアルミ電極パッドである。１０は密着金属
膜であり、１１は拡散防止金属膜である。１２は半田突
起であり、１３はパッシベーション膜である。図４にお
いて、１４は回路基板であり、１５は端子電極である。
【０００７】以上のように構成された従来の半田バンプ
電極を有する半導体装置用電極と実装体について、以下
その概略を説明する。
電極を有する半導体装置用電極と実装体について、以下
その概略を説明する。
【０００８】まず、半導体装置のＩＣ基板８のアルミ電
極パッド９上にＣｕなどの密着金属膜１０およびＣｒな
どの拡散防止金属膜１１を蒸着により形成する。その
後、電極部以外をフォトレジストで覆い、メッキ法によ
り半田を拡散防止金属膜１１上に析出させて半田リフロ
ーを行うことにより、半田突起１２を形成して図３の半
田バンプ電極を得る。
極パッド９上にＣｕなどの密着金属膜１０およびＣｒな
どの拡散防止金属膜１１を蒸着により形成する。その
後、電極部以外をフォトレジストで覆い、メッキ法によ
り半田を拡散防止金属膜１１上に析出させて半田リフロ
ーを行うことにより、半田突起１２を形成して図３の半
田バンプ電極を得る。
【０００９】さらに、以上のようにして得た半田バンプ
電極を有する半導体装置を、回路基板１４の所定の位置
に位置合わせを行ってフェースダウンで積載した後、２
００〜３００℃の高温に加熱して半田突起１２を溶融
し、端子電極１５に融着することによって半導体装置の
実装を行うものである。
電極を有する半導体装置を、回路基板１４の所定の位置
に位置合わせを行ってフェースダウンで積載した後、２
００〜３００℃の高温に加熱して半田突起１２を溶融
し、端子電極１５に融着することによって半導体装置の
実装を行うものである。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな半田バンプ電極を有する半導体装置用電極や実装体
においては、 １．半導体装置のアルミ電極パッド上に密着金属膜や拡
散防止金属膜が必要で、電極構造が複雑となり、汎用性
に欠ける。
うな半田バンプ電極を有する半導体装置用電極や実装体
においては、 １．半導体装置のアルミ電極パッド上に密着金属膜や拡
散防止金属膜が必要で、電極構造が複雑となり、汎用性
に欠ける。
【００１１】２．半田を溶融する最に高温に加熱する必
要があり、熱応力の影響を受ける。 ３．高温に加熱して半田を溶融して端子電極と接続する
際に、ＩＣ基板と回路基板とのギャップを維持すること
が出来ないため、半田が広がって隣接とショートする危
険がある。
要があり、熱応力の影響を受ける。 ３．高温に加熱して半田を溶融して端子電極と接続する
際に、ＩＣ基板と回路基板とのギャップを維持すること
が出来ないため、半田が広がって隣接とショートする危
険がある。
【００１２】４．熱膨張の異なるＩＣ基板と回路基板と
を半田で接続しているため、熱応力に対して脆い。など
といった課題を有していた。
を半田で接続しているため、熱応力に対して脆い。など
といった課題を有していた。
【００１３】本発明は上記の課題に鑑みてなされたもの
であり、その目的とするところは、半導体装置と回路基
板とを容易に信頼性良く接続することのできる半導体装
置用電極と実装体を提供することにある。
であり、その目的とするところは、半導体装置と回路基
板とを容易に信頼性良く接続することのできる半導体装
置用電極と実装体を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の課題を解
決するため、フェースダウンで回路基板に実装する半導
体装置において、半導体装置のアルミ電極パッド部上に
台座部と頂上部の２段突起状のバンプ電極を備え、上記
２段突起状のバンプ電極の頂上部にのみ少なくともＩｎ
を含む接合層を形成した電極を有し、かつ、半導体装置
のアルミ電極パッド部上の２段突起状のバンプ電極を少
なくともＩｎを含む接合層を介して回路基板上の端子電
極に電気的に接続する実装体を得ることを特徴として、
信頼性の高い半導体装置の回路基板への実装を実現しよ
うとするものである。
決するため、フェースダウンで回路基板に実装する半導
体装置において、半導体装置のアルミ電極パッド部上に
台座部と頂上部の２段突起状のバンプ電極を備え、上記
２段突起状のバンプ電極の頂上部にのみ少なくともＩｎ
を含む接合層を形成した電極を有し、かつ、半導体装置
のアルミ電極パッド部上の２段突起状のバンプ電極を少
なくともＩｎを含む接合層を介して回路基板上の端子電
極に電気的に接続する実装体を得ることを特徴として、
信頼性の高い半導体装置の回路基板への実装を実現しよ
うとするものである。
【００１５】
【作用】本発明は、半導体装置のアルミ電極パッド部上
に直接形成した２段突起形状のバンプ電極の頂上部にの
みＩｎを含む接合層を形成した電極を有することによ
り、半導体装置を回路基板の端子電極に接合する際に接
合層が隣接とショートすることなく微細ピッチでの接合
が可能となり、かつ、回路基板のＣｕ端子電極に直接接
合可能で信頼性の高い半導体装置の実装体が実現でき
る。
に直接形成した２段突起形状のバンプ電極の頂上部にの
みＩｎを含む接合層を形成した電極を有することによ
り、半導体装置を回路基板の端子電極に接合する際に接
合層が隣接とショートすることなく微細ピッチでの接合
が可能となり、かつ、回路基板のＣｕ端子電極に直接接
合可能で信頼性の高い半導体装置の実装体が実現でき
る。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の一実施例の半導体装置用電極
と実装体について、図面を参照しながら説明する。
と実装体について、図面を参照しながら説明する。
【００１７】図１は、本発明の一実施例における半導体
装置用電極の概略説明図であり、図２は、上記実施例の
電極を有する半導体装置の実装体の概略説明図である。
装置用電極の概略説明図であり、図２は、上記実施例の
電極を有する半導体装置の実装体の概略説明図である。
【００１８】図１において、１は半導体装置のＩＣ基板
であり、２はアルミ電極パッドである。３は台座部と頂
上部からなる２段突起状のバンプ電極であり、４は２段
突起形状のバンプ電極の頂上部にのみ形成したＩｎフィ
ラーを含む導電性接着剤である。５はパッシベーション
膜である。図２において、６は回路基板であり、７はＣ
ｕからなる端子電極である。
であり、２はアルミ電極パッドである。３は台座部と頂
上部からなる２段突起状のバンプ電極であり、４は２段
突起形状のバンプ電極の頂上部にのみ形成したＩｎフィ
ラーを含む導電性接着剤である。５はパッシベーション
膜である。図２において、６は回路基板であり、７はＣ
ｕからなる端子電極である。
【００１９】以上のように構成された半導体装置用電極
と実装体について、以下図面を用いて説明する。
と実装体について、以下図面を用いて説明する。
【００２０】まず、半導体装置のＩＣ基板１のアルミ電
極パッド２上に通常のワイヤボンディング技術と同様に
Ａｕワイヤの先端のＡｕボールを固着した後、Ａｕワイ
ヤを切断することにより台座部と頂上部を有する２段突
起状のバンプ電極３を形成する。
極パッド２上に通常のワイヤボンディング技術と同様に
Ａｕワイヤの先端のＡｕボールを固着した後、Ａｕワイ
ヤを切断することにより台座部と頂上部を有する２段突
起状のバンプ電極３を形成する。
【００２１】その後、２段突起状のバンプ電極３の頂上
部にのみ、Ｉｎフィラーを含む導電性接着剤４を転写法
や印刷法によって形成する。
部にのみ、Ｉｎフィラーを含む導電性接着剤４を転写法
や印刷法によって形成する。
【００２２】上記により、汎用の半導体装置のアルミ電
極パッド２上に２段突起状のバンプ電極３とＩｎフィラ
ーを含む導電性接着剤４からなる半導体装置用電極が容
易に得られる。
極パッド２上に２段突起状のバンプ電極３とＩｎフィラ
ーを含む導電性接着剤４からなる半導体装置用電極が容
易に得られる。
【００２３】本発明の半導体装置用電極は、上記した方
法により、通常のワイヤボンディング装置で２段突起形
状のバンプ電極を得ることが出来るため、通常のアルミ
電極パッドを有する汎用の半導体装置を用いることが可
能となり、極めて汎用性が高い。
法により、通常のワイヤボンディング装置で２段突起形
状のバンプ電極を得ることが出来るため、通常のアルミ
電極パッドを有する汎用の半導体装置を用いることが可
能となり、極めて汎用性が高い。
【００２４】さらに、以上のようにして得た電極を有す
る半導体装置を、回路基板６の所定の位置に位置合わせ
を行ってフェースダウンで積載した後、１６０℃以上に
加熱してＩｎフィラーを含む導電性接着剤４を硬化して
２段突起状のバンプ電極３をＣｕからなる端子電極７に
接着すると同時に、Ｉｎフィラーを含む導電性接着剤４
とＣｕからなる端子電極７の接着界面において導電性接
着剤中のＩｎと端子電極のＣｕを合金化することによっ
て半導体装置の実装体を得る。
る半導体装置を、回路基板６の所定の位置に位置合わせ
を行ってフェースダウンで積載した後、１６０℃以上に
加熱してＩｎフィラーを含む導電性接着剤４を硬化して
２段突起状のバンプ電極３をＣｕからなる端子電極７に
接着すると同時に、Ｉｎフィラーを含む導電性接着剤４
とＣｕからなる端子電極７の接着界面において導電性接
着剤中のＩｎと端子電極のＣｕを合金化することによっ
て半導体装置の実装体を得る。
【００２５】この半導体装置用電極を回路基板６の端子
電極７と接続する際に、ＩＣ基板１と回路基板６とのギ
ャップを２段突起状のバンプ電極３により維持すること
ができ、かつ、頂上部にのみＩｎフィラーを含む導電性
接着剤４を形成しているため、導電性接着剤の広がりを
規制することが可能となって隣接とショートする危険が
なく、微細ピッチでの接続が可能な半導体装置の実装体
が得られる。
電極７と接続する際に、ＩＣ基板１と回路基板６とのギ
ャップを２段突起状のバンプ電極３により維持すること
ができ、かつ、頂上部にのみＩｎフィラーを含む導電性
接着剤４を形成しているため、導電性接着剤の広がりを
規制することが可能となって隣接とショートする危険が
なく、微細ピッチでの接続が可能な半導体装置の実装体
が得られる。
【００２６】本発明の半導体装置の実装体は、上記した
方法により、従来の半田バンプ電極による実装体では不
可能であった半田の広がりの規制が２段突起状のバンプ
電極を用いることで可能となり、極めて安定で信頼性良
く、かつ、高密度に半導体装置を実装できる。
方法により、従来の半田バンプ電極による実装体では不
可能であった半田の広がりの規制が２段突起状のバンプ
電極を用いることで可能となり、極めて安定で信頼性良
く、かつ、高密度に半導体装置を実装できる。
【００２７】なお、本実施例では２段突起状のバンプ電
極をワイヤボンディング装置を用いて形成するとした
が、その形状が２段突起状であればメッキなど他の方法
で形成しても良い。
極をワイヤボンディング装置を用いて形成するとした
が、その形状が２段突起状であればメッキなど他の方法
で形成しても良い。
【００２８】また、バンプ電極をＡｕからなるものとし
たが、その材質はＡｕに限られる物でなく、例えば、Ｃ
ｕなど他の金属から形成しても良い。
たが、その材質はＡｕに限られる物でなく、例えば、Ｃ
ｕなど他の金属から形成しても良い。
【００２９】さらに、Ｉｎフィラーを含む導電性接着剤
は少なくともＩｎフィラーを含んでいればよく、例えば
Ａｇフィラーとの混合系でも良い。
は少なくともＩｎフィラーを含んでいればよく、例えば
Ａｇフィラーとの混合系でも良い。
【００３０】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明の半導体
装置用電極と実装体によれば、通常のワイヤボンディン
グ装置で半導体装置のアルミ電極パッド部上に直接形成
することができるため、汎用の半導体装置を用いること
が可能となり、極めて汎用性が高い。
装置用電極と実装体によれば、通常のワイヤボンディン
グ装置で半導体装置のアルミ電極パッド部上に直接形成
することができるため、汎用の半導体装置を用いること
が可能となり、極めて汎用性が高い。
【００３１】さらに、２段突起形状のバンプ電極の頂上
部にのみ導電性接着剤を形成した電極を有することによ
り、半導体装置を回路基板の端子電極に接合する際に導
電性接着剤の広がりの規制が可能となり、導電性接着剤
が隣接とショートすることなく微細ピッチでの接合が可
能な実装体となり、極めて安定で信頼性良く、かつ、高
密度に半導体装置を実装できる。
部にのみ導電性接着剤を形成した電極を有することによ
り、半導体装置を回路基板の端子電極に接合する際に導
電性接着剤の広がりの規制が可能となり、導電性接着剤
が隣接とショートすることなく微細ピッチでの接合が可
能な実装体となり、極めて安定で信頼性良く、かつ、高
密度に半導体装置を実装できる。
【００３２】また、Ｉｎフィラーを含む導電性接着剤を
用いるため、導電性接着剤と端子電極の接着界面におい
て導電性接着剤中のＩｎと端子電極のＣｕを合金化する
ことができ、半導体装置を回路基板のＣｕ端子電極に直
接接合可能な実装体が実現できる。
用いるため、導電性接着剤と端子電極の接着界面におい
て導電性接着剤中のＩｎと端子電極のＣｕを合金化する
ことができ、半導体装置を回路基板のＣｕ端子電極に直
接接合可能な実装体が実現できる。
【図１】本発明の一実施例における半導体装置用電極の
概略説明図
概略説明図
【図２】本発明の一実施例の電極を有する半導体装置の
実装体の概略説明図
実装体の概略説明図
【図３】従来の半田バンプ電極を有する半導体装置用電
極の概略説明図
極の概略説明図
【図４】従来の半田バンプ電極を有する半導体装置の実
装体の概略説明図
装体の概略説明図
１ 半導体装置のＩＣ基板 ２ アルミ電極パッド ３ ２段突起状のバンプ電極 ４ Ｉｎフィラーを含む導電性接着剤 ５ パッシベーション膜 ６ 回路基板 ７ Ｃｕからなる端子電極 ８ 半導体装置のＩＣ基板 ９ アルミ電極パッド １０ 密着金属膜 １１ 拡散防止金属膜 １２ 半田突起 １３ パッシベーション膜 １４ 回路基板 １５ 端子電極
Claims (9)
- 【請求項１】 フェースダウンで回路基板に実装する半
導体装置の電極において、半導体装置のアルミ電極パッ
ド部上に台座部と頂上部の２段突起状のバンプ電極を備
え、上記２段突起状のバンプ電極の頂上部にのみ少なく
ともＩｎを含む接合層を形成したことを特徴とする半導
体装置用電極。 - 【請求項２】 ２段突起状のバンプ電極がＡｕからなる
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置用電極。 - 【請求項３】 ２段突起状のバンプ電極がワイヤボンデ
ィング装置でＡｕワイヤにより形成されることを特徴と
する請求項１項記載の半導体装置用電極。 - 【請求項４】 少なくともＩｎを含む接合層がＩｎフィ
ラーを含む導電性接着剤からなることを特徴とする請求
項１記載の半導体装置用電極。 - 【請求項５】 フェースダウンで回路基板に実装する半
導体装置の実装体において、半導体装置のアルミ電極パ
ッド部上の２段突起状のバンプ電極を少なくともＩｎを
含む接合層を介して回路基板上の端子電極に電気的に接
続することを特徴とする半導体装置の実装体。 - 【請求項６】 ２段突起状のバンプ電極がＡｕからなる
ことを特徴とする請求項５記載の半導体装置の実装体。 - 【請求項７】 ２段突起状のバンプ電極がワイヤボンデ
ィング装置でＡｕワイヤにより形成されることを特徴と
する請求項５項記載の半導体装置の実装体。 - 【請求項８】 少なくともＩｎを含む接合層がＩｎフィ
ラーを含む導電性接着剤からなることを特徴とする請求
項５記載の半導体装置の実装体。 - 【請求項９】 回路基板上の端子電極がＣｕからなるこ
とを特徴とする請求項５記載の半導体装置の実装体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3300121A JPH05136201A (ja) | 1991-11-15 | 1991-11-15 | 半導体装置用電極と実装体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3300121A JPH05136201A (ja) | 1991-11-15 | 1991-11-15 | 半導体装置用電極と実装体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05136201A true JPH05136201A (ja) | 1993-06-01 |
Family
ID=17880980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3300121A Pending JPH05136201A (ja) | 1991-11-15 | 1991-11-15 | 半導体装置用電極と実装体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05136201A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6482676B2 (en) | 1997-01-09 | 2002-11-19 | Fujitsu Limited | Method of mounting semiconductor chip part on substrate |
| CN100423248C (zh) * | 2005-01-20 | 2008-10-01 | 太阳诱电株式会社 | 半导体装置及其安装体 |
| WO2013190925A1 (ja) * | 2012-06-22 | 2013-12-27 | 株式会社村田製作所 | 電子部品モジュール |
| CN113644041A (zh) * | 2021-10-14 | 2021-11-12 | 甬矽电子(宁波)股份有限公司 | 阶梯凸块封装结构及其制备方法 |
-
1991
- 1991-11-15 JP JP3300121A patent/JPH05136201A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6482676B2 (en) | 1997-01-09 | 2002-11-19 | Fujitsu Limited | Method of mounting semiconductor chip part on substrate |
| CN100423248C (zh) * | 2005-01-20 | 2008-10-01 | 太阳诱电株式会社 | 半导体装置及其安装体 |
| WO2013190925A1 (ja) * | 2012-06-22 | 2013-12-27 | 株式会社村田製作所 | 電子部品モジュール |
| JP5854137B2 (ja) * | 2012-06-22 | 2016-02-09 | 株式会社村田製作所 | 電子部品モジュール |
| JPWO2013190925A1 (ja) * | 2012-06-22 | 2016-05-26 | 株式会社村田製作所 | 電子部品モジュール |
| US9414513B2 (en) | 2012-06-22 | 2016-08-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component module |
| CN113644041A (zh) * | 2021-10-14 | 2021-11-12 | 甬矽电子(宁波)股份有限公司 | 阶梯凸块封装结构及其制备方法 |
| CN113644041B (zh) * | 2021-10-14 | 2022-02-08 | 甬矽电子(宁波)股份有限公司 | 阶梯凸块封装结构及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH06103703B2 (ja) | 半田付け方法 | |
| JP2907168B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置と基板の接合構造 | |
| JPH05175275A (ja) | 半導体チップの実装方法および実装構造 | |
| JPH05136201A (ja) | 半導体装置用電極と実装体 | |
| JPH09246319A (ja) | フリップチップ実装方法 | |
| JP3006957B2 (ja) | 半導体装置の実装体 | |
| JP2699726B2 (ja) | 半導体装置の実装方法 | |
| JPH02163950A (ja) | 半導体装置の実装体およびその実装方法 | |
| JP2633745B2 (ja) | 半導体装置の実装体 | |
| JP3119739B2 (ja) | 半導体装置用電極の形成方法ならびに実装体 | |
| JPH09213702A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の実装方法 | |
| JPH0529363A (ja) | 配線基板 | |
| JPH0831871A (ja) | 電子部品を表面実装する際に使用する界面封止用フィルム、及び電子部品の表面実装構造 | |
| US6291893B1 (en) | Power semiconductor device for “flip-chip” connections | |
| JPH05144821A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3410199B2 (ja) | 接続部材の橋絡防止装置並びにこれを有する半導体集積回路及び実装基板 | |
| JPH04356935A (ja) | 半導体装置のバンプ電極形成方法 | |
| JPS63168028A (ja) | 微細接続構造 | |
| JPH06103701B2 (ja) | 半導体装置の実装体 | |
| JPS62287647A (ja) | 半導体チツプの接続バンプ | |
| JPH1187906A (ja) | 半導体装置およびその実装方法 | |
| JP2953111B2 (ja) | 半導体装置の電極形成方法と実装方法 | |
| JPH05136216A (ja) | 半導体取付装置 | |
| JPH05136151A (ja) | 半導体装置の電極形成方法と実装体 | |
| JP2633745C (ja) |