JP2004221258A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】断線が起こりにくい形状のワイヤを形成し、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、予め複数の屈曲部32が形成されてなるワイヤ30を利用してワイヤボンディングを行うこと、及び、ワイヤボンディングを行った後に、少なくともワイヤ30及び半導体チップ20を樹脂封止することを含む。複数の屈曲部32のそれぞれは、ワイヤ30の他の部分よりも屈曲率が大きくなるように形成されてなる。
【選択図】 図1
【解決手段】半導体装置の製造方法は、予め複数の屈曲部32が形成されてなるワイヤ30を利用してワイヤボンディングを行うこと、及び、ワイヤボンディングを行った後に、少なくともワイヤ30及び半導体チップ20を樹脂封止することを含む。複数の屈曲部32のそれぞれは、ワイヤ30の他の部分よりも屈曲率が大きくなるように形成されてなる。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関する。
【0002】
【発明の背景】
ボンディングされたワイヤを樹脂封止することを含む半導体装置の製造方法においては、樹脂封止後に封止樹脂の応力を受けた場合にも切断されにくい形状のワイヤを形成することができれば、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
【0003】
本発明の目的は、断線が起こりにくい形状のワイヤを形成し、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】
(1)本発明に係る半導体装置の製造方法は、予め複数の屈曲部が形成されてなるワイヤを利用してワイヤボンディングを行うこと、及び、
前記ワイヤボンディングを行った後に、少なくとも前記ワイヤ及び半導体チップを樹脂封止することを含み、
前記複数の屈曲部のそれぞれは、前記ワイヤの他の部分よりも屈曲率が大きくなるように形成されてなる。本発明によれば、予め屈曲部が形成されたワイヤによってワイヤボンディングが行われるため、ボンディング後のワイヤの長さに余裕を持たせることができる。そのため、樹脂封止後に封止樹脂が膨張した場合でも、その影響でワイヤが断線することを防止することができ、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
(2)この半導体装置の製造方法において、前記複数の屈曲部のうち隣り合う2つの前記屈曲部は、相互に交差する方向に屈曲してもよい。
(3)本発明に係る半導体装置は、上記半導体装置の製造方法によって製造されてなる。
【0005】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。ただし、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではない。
【0006】
図1(A)〜図3は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。はじめに、リードフレーム10を用意する。リードフレーム10は、既に公知となっているいずれのリードフレームを利用してもよい。リードフレーム10はダイパッド12を有していてもよい。ダイパッド12はダウンセットされていてもよい。また、リードフレーム10は複数のリード14を有していてもよい。リード14は、インナーリード15とアウターリード16とを含んでいてもよい。インナーリード15は、後の工程で樹脂によって封止される部分である。また、アウターリード16は、封止部から引き出される部分であって、外部との電気的な接続に使用される部分である。
【0007】
次に、リードフレーム10のダイパッド12に、半導体チップ20を搭載する。半導体チップ20には複数の電極22が形成されていてもよい。電極22は、アルミニウム等で薄く平らに形成されたパッドであってもよい。電極22が形成された側とは反対側の面をダイパッド12に固着してもよい。半導体チップ20は、例えば接着剤によってダイパッド12に固着してもよい。半導体チップ20の平面形状は、矩形(正方形又は長方形)であることが一般的であるが、これに限られるものではない。なお、半導体チップ20には集積回路が形成されていてもよく、電極22は、集積回路と電気的に接続されていてもよい。また、1つの半導体チップ20のみを利用して半導体装置を製造してもよいが、複数の半導体チップを積層して半導体装置を製造してもよい。
【0008】
次に、予め複数の屈曲部32が形成されたワイヤ30を利用してワイヤボンディングを行う。はじめに、複数の屈曲部32を有するワイヤ30をツール40に挿通する。複数の屈曲部32のそれぞれは、ワイヤ30の他の部分よりも屈曲率が大きくなるように形成されてもよい。また、複数の屈曲部32のうち、隣り合う2つの屈曲部32は、相互に交差する方向に屈曲していてもよい。言い換えると、ワイヤ30はジグザグ形状に屈曲していてもよい。ワイヤ30は、金などの導電材料で形成してもよい。例えば、屈曲具によって直進するワイヤの一部を屈曲させて、複数の屈曲部32を有するワイヤ30を形成してもよい。なお、屈曲部32は、ツール40に挿通する直前に形成してもよい。また、ツール40として、既に公知となっているいずれのワイヤボンディングツールを利用してもよい。
【0009】
そして、熱エネルギーなどを加えてワイヤ30の先端を溶融させて、ボール状の先端部34を形成する(図1(A)参照)。そして、先端部34を電極22にボンディングし、ツール40からワイヤ30を引き出しながらツール40をインナーリード15まで移動させて、ワイヤ30をインナーリード15にボンディングする。最後にワイヤ30を切断して、ワイヤボンディングを行ってもよい(図1(B)参照)。なお、電極22とインナーリード15との間に少なくとも1つの屈曲部32が配置されるように、ワイヤボンディングを行ってもよい。なお、複数の半導体チップを利用して半導体装置を製造する場合、ワイヤボンディングによって、半導体チップの電極同士を接続してもよい。
【0010】
次に、樹脂封止工程を行う。樹脂封止工程によって、少なくともワイヤ30と半導体チップ20とを樹脂封止する。同時に、インナーリード15とダイパッド12とを封止してもよい。はじめに、ワイヤ30がボンディングされたリードフレーム10を金型50にセットする。そして、金型50に封止材54を注入する(図2参照)。最後に、封止材54を硬化させて封止部56を形成して樹脂封止工程を行ってもよい。なお、封止材54として熱硬化性の樹脂を利用することが一般的であるが、これに限られるものではない。
【0011】
最後に、回路基板などに実装しやすい形状とするためにリード14(詳しくは、アウターリード16)を屈曲させるフォーミング工程や、マーキング工程、検査工程等を経て、半導体装置1を製造することができる(図3参照)。なお、半導体装置1は、少なくとも1つの屈曲部32を有するワイヤ30を含んでいる。
【0012】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、予め複数の屈曲部32が形成されてなるワイヤ30を利用してワイヤボンディングを行う。また、複数の屈曲部32のそれぞれは、ワイヤ30の他の部分よりも屈曲率が大きくなるように形成されてなる。そのため、ワイヤボンディング後であっても屈曲部32の屈曲形状を維持することができ、ボンディング後のワイヤ30の長さに余裕を持たせることができる。これにより、封止樹脂が膨張した場合であっても、ワイヤ30にかかる応力を軽減することができる。詳しくは、封止樹脂が膨張した場合でも、ワイヤ30の長さに余裕があるため、ワイヤ30にかかる引っ張り応力を軽減することができ、ワイヤ30を断線しにくくすることができる。そのため、ボンディングワイヤが断線しにくい信頼性の高い半導体装置1を製造することができる。
なお、複数の屈曲部32のうち隣り合う2つの屈曲部32を相互に交差する方向に屈曲させることで、ワイヤ30をより断線しにくくすることができるため、さらに信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
【0013】
なお、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成(例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1(A)及び図1(B)は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図2】図2は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図3】図3は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【符号の説明】
12 ダイパッド、 14 リード、 15 インナーリード、 20 半導体チップ、 30 ワイヤ、 32 屈曲部
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関する。
【0002】
【発明の背景】
ボンディングされたワイヤを樹脂封止することを含む半導体装置の製造方法においては、樹脂封止後に封止樹脂の応力を受けた場合にも切断されにくい形状のワイヤを形成することができれば、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
【0003】
本発明の目的は、断線が起こりにくい形状のワイヤを形成し、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】
(1)本発明に係る半導体装置の製造方法は、予め複数の屈曲部が形成されてなるワイヤを利用してワイヤボンディングを行うこと、及び、
前記ワイヤボンディングを行った後に、少なくとも前記ワイヤ及び半導体チップを樹脂封止することを含み、
前記複数の屈曲部のそれぞれは、前記ワイヤの他の部分よりも屈曲率が大きくなるように形成されてなる。本発明によれば、予め屈曲部が形成されたワイヤによってワイヤボンディングが行われるため、ボンディング後のワイヤの長さに余裕を持たせることができる。そのため、樹脂封止後に封止樹脂が膨張した場合でも、その影響でワイヤが断線することを防止することができ、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
(2)この半導体装置の製造方法において、前記複数の屈曲部のうち隣り合う2つの前記屈曲部は、相互に交差する方向に屈曲してもよい。
(3)本発明に係る半導体装置は、上記半導体装置の製造方法によって製造されてなる。
【0005】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。ただし、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではない。
【0006】
図1(A)〜図3は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。はじめに、リードフレーム10を用意する。リードフレーム10は、既に公知となっているいずれのリードフレームを利用してもよい。リードフレーム10はダイパッド12を有していてもよい。ダイパッド12はダウンセットされていてもよい。また、リードフレーム10は複数のリード14を有していてもよい。リード14は、インナーリード15とアウターリード16とを含んでいてもよい。インナーリード15は、後の工程で樹脂によって封止される部分である。また、アウターリード16は、封止部から引き出される部分であって、外部との電気的な接続に使用される部分である。
【0007】
次に、リードフレーム10のダイパッド12に、半導体チップ20を搭載する。半導体チップ20には複数の電極22が形成されていてもよい。電極22は、アルミニウム等で薄く平らに形成されたパッドであってもよい。電極22が形成された側とは反対側の面をダイパッド12に固着してもよい。半導体チップ20は、例えば接着剤によってダイパッド12に固着してもよい。半導体チップ20の平面形状は、矩形(正方形又は長方形)であることが一般的であるが、これに限られるものではない。なお、半導体チップ20には集積回路が形成されていてもよく、電極22は、集積回路と電気的に接続されていてもよい。また、1つの半導体チップ20のみを利用して半導体装置を製造してもよいが、複数の半導体チップを積層して半導体装置を製造してもよい。
【0008】
次に、予め複数の屈曲部32が形成されたワイヤ30を利用してワイヤボンディングを行う。はじめに、複数の屈曲部32を有するワイヤ30をツール40に挿通する。複数の屈曲部32のそれぞれは、ワイヤ30の他の部分よりも屈曲率が大きくなるように形成されてもよい。また、複数の屈曲部32のうち、隣り合う2つの屈曲部32は、相互に交差する方向に屈曲していてもよい。言い換えると、ワイヤ30はジグザグ形状に屈曲していてもよい。ワイヤ30は、金などの導電材料で形成してもよい。例えば、屈曲具によって直進するワイヤの一部を屈曲させて、複数の屈曲部32を有するワイヤ30を形成してもよい。なお、屈曲部32は、ツール40に挿通する直前に形成してもよい。また、ツール40として、既に公知となっているいずれのワイヤボンディングツールを利用してもよい。
【0009】
そして、熱エネルギーなどを加えてワイヤ30の先端を溶融させて、ボール状の先端部34を形成する(図1(A)参照)。そして、先端部34を電極22にボンディングし、ツール40からワイヤ30を引き出しながらツール40をインナーリード15まで移動させて、ワイヤ30をインナーリード15にボンディングする。最後にワイヤ30を切断して、ワイヤボンディングを行ってもよい(図1(B)参照)。なお、電極22とインナーリード15との間に少なくとも1つの屈曲部32が配置されるように、ワイヤボンディングを行ってもよい。なお、複数の半導体チップを利用して半導体装置を製造する場合、ワイヤボンディングによって、半導体チップの電極同士を接続してもよい。
【0010】
次に、樹脂封止工程を行う。樹脂封止工程によって、少なくともワイヤ30と半導体チップ20とを樹脂封止する。同時に、インナーリード15とダイパッド12とを封止してもよい。はじめに、ワイヤ30がボンディングされたリードフレーム10を金型50にセットする。そして、金型50に封止材54を注入する(図2参照)。最後に、封止材54を硬化させて封止部56を形成して樹脂封止工程を行ってもよい。なお、封止材54として熱硬化性の樹脂を利用することが一般的であるが、これに限られるものではない。
【0011】
最後に、回路基板などに実装しやすい形状とするためにリード14(詳しくは、アウターリード16)を屈曲させるフォーミング工程や、マーキング工程、検査工程等を経て、半導体装置1を製造することができる(図3参照)。なお、半導体装置1は、少なくとも1つの屈曲部32を有するワイヤ30を含んでいる。
【0012】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、予め複数の屈曲部32が形成されてなるワイヤ30を利用してワイヤボンディングを行う。また、複数の屈曲部32のそれぞれは、ワイヤ30の他の部分よりも屈曲率が大きくなるように形成されてなる。そのため、ワイヤボンディング後であっても屈曲部32の屈曲形状を維持することができ、ボンディング後のワイヤ30の長さに余裕を持たせることができる。これにより、封止樹脂が膨張した場合であっても、ワイヤ30にかかる応力を軽減することができる。詳しくは、封止樹脂が膨張した場合でも、ワイヤ30の長さに余裕があるため、ワイヤ30にかかる引っ張り応力を軽減することができ、ワイヤ30を断線しにくくすることができる。そのため、ボンディングワイヤが断線しにくい信頼性の高い半導体装置1を製造することができる。
なお、複数の屈曲部32のうち隣り合う2つの屈曲部32を相互に交差する方向に屈曲させることで、ワイヤ30をより断線しにくくすることができるため、さらに信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
【0013】
なお、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成(例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1(A)及び図1(B)は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図2】図2は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図3】図3は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【符号の説明】
12 ダイパッド、 14 リード、 15 インナーリード、 20 半導体チップ、 30 ワイヤ、 32 屈曲部
Claims (3)
- 予め複数の屈曲部が形成されてなるワイヤを利用してワイヤボンディングを行うこと、及び、
前記ワイヤボンディングを行った後に、少なくとも前記ワイヤ及び半導体チップを樹脂封止することを含み、
前記複数の屈曲部のそれぞれは、前記ワイヤの他の部分よりも屈曲率が大きくなるように形成されてなる半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記複数の屈曲部のうち隣り合う2つの前記屈曲部は、相互に交差する方向に屈曲してなる半導体装置の製造方法。 - 請求項1又は請求項2記載の半導体装置の製造方法によって製造されてなる半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003005967A JP2004221258A (ja) | 2003-01-14 | 2003-01-14 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003005967A JP2004221258A (ja) | 2003-01-14 | 2003-01-14 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004221258A true JP2004221258A (ja) | 2004-08-05 |
Family
ID=32896493
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003005967A Withdrawn JP2004221258A (ja) | 2003-01-14 | 2003-01-14 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004221258A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009124093A (ja) * | 2007-03-07 | 2009-06-04 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
CN113161468A (zh) * | 2021-03-17 | 2021-07-23 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 一种发光器件及连接线加工方法 |
CN114005924A (zh) * | 2020-07-27 | 2022-02-01 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 发光器件、背光灯条、背光模组及发光器件的制作方法 |
-
2003
- 2003-01-14 JP JP2003005967A patent/JP2004221258A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009124093A (ja) * | 2007-03-07 | 2009-06-04 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
CN114005924A (zh) * | 2020-07-27 | 2022-02-01 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 发光器件、背光灯条、背光模组及发光器件的制作方法 |
CN113161468A (zh) * | 2021-03-17 | 2021-07-23 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 一种发光器件及连接线加工方法 |
CN113161468B (zh) * | 2021-03-17 | 2023-01-10 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 一种发光器件及连接线加工方法 |
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