JP4400492B2 - 電子装置 - Google Patents

Description

本発明は、電子部品と複数個のリード端子とをボンディングワイヤで接続してなる電子装置に関する。

この種の電子装置として、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）構造を有する電子装置や、ＱＦＮパッケージ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ−Ｌｅａｄｅｄ Ｐａｃｋａｇｅ）構造を有する電子装置（たとえば、特許文献１参照）などのリードフレームを用いた樹脂封止型のパッケージが提案されている。

このような電子装置は、一般的に、一面がボンディングワイヤ接続用の面となっている電子部品と、電子部品の周囲に位置する複数個のリード端子とを備え、電子部品の一面と各々のリード端子とがボンディングワイヤにより電気的に接続され、電子部品、ボンディングワイヤおよびリード端子がモールド樹脂によって封止され、リード端子の一部がモールド樹脂から露出した構成を有している。
特許第３４３０９７６号公報

図１８は、従来のこの種のリードフレームを用いた一般的な電子装置の具体的構成を示す図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）中のＡ−Ａ一点鎖線に沿った概略断面図である。

リードフレームのアイランド１１の上に、ＩＣチップなどの電子部品２０がダイボンド材２１を介して搭載されており、この電子部品２０の周囲には、リードフレームの複数個のリード端子１２が配置されている。

ここでは、複数個のリード端子１２は、電子部品２０の一面２０ａに対して比較的遠くに位置する外周側のものと、電子部品２０の一面２０ａに対して比較的近くに位置する内周側のものとからなる。

そして、これら外周側のリード端子と内周側のリード端子とが２列に配置された形となっており、いわゆる２列構造のＱＦＮパッケージ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ−Ｌｅａｄｅｄ Ｐａｃｋａｇｅ）構造となっている。

また、電子部品２０の一面２０ａと、個々のリード端子１２とが、ボンディングワイヤ３０により結線され電気的に接続されている。ここで、この種の電子装置においては、ワイヤボンディングは、電子部品２０を第１ボンディング側、リード端子１２を第２ボンディング側として行われるのが一般的である。

そして、これら電子部品２０、ボンディングワイヤ３０およびリード端子１２がモールド樹脂４０によって封止されており、リード端子１２の一部がモールド樹脂４０の下面から露出した構成となっている。

ここで、複数個のリード端子１２のうち第１のリード端子１２ａに接続されたボンディングワイヤ３０が、電子部品２０の一面２０ａと直交する方向において重なる位置に存在するものを第２のリード端子１２ｂとする。

図１８に示される電子装置においては、第１のリード端子１２ａは、電子部品２０の一面２０ａに対して比較的遠い位置にあるものであり、第２のリード端子１２ｂは、電子部品２０の一面２０ａに対して比較的近い位置にあるものである。

そして、特に、図１８（ａ）に示されるように、第１のリード端子１２ａに接続されたボンディングワイヤ３０は、電子部品２０の一面２０ａから第２のリード端子１２ｂの直上をまたぐように通って、第１のリード端子１２ａに接続されている。つまり、第１のリード端子１２ａに接続されているボンディングワイヤ３０は、平面的に見て第２のリード端子１２ｂと交差している。

また、図１８（ｂ）に示されるように、各ボンディングワイヤ３０においては、第２ボンディング側であるリード端子１２との接続部３０ａ、３０ｂ寄りの部位は、第１ボンディング側である電子部品２０との接続部寄りの部位に比べて、ループのふくらみが小さく、かなり低い。

そのため、第１のリード端子１２ａに接続されているボンディングワイヤ３０のように、第２のリード端子１２ｂと交差しているワイヤが存在すると、ボンディングワイヤ３０同士の距離、および、ボンディングワイヤ３０と他電位のリード端子１２ｂとの距離が、非常に小さくなってしまう箇所が発生する。

そして、このようなワイヤ３０同士の距離、および、ワイヤ３０と他電位のリード端子１２ｂとの距離が非常に小さい箇所が発生すると、ボンディング時におけるワイヤ形状のばらつきや、モールド樹脂４０による封止時のワイヤ流れなどによって、ボンディングワイヤ３０同士が接触したり、ボンディングワイヤ３０と当該ボンディングワイヤ３０が接続されるリード端子１２以外のリード端子１２とが接触したりする。

本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、電子部品と複数個のリード端子とをボンディングワイヤで接続してなる電子装置において、リード端子側の接続部近傍にて、ボンディングワイヤ同士が接触したり、ボンディングワイヤとリード端子とが接触するのを防止することを目的とする。

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、一面（２０ａ）がボンディングワイヤ（３０）接続用の面となっている電子部品（２０）と、電子部品（２０）の周囲に位置する複数個のリード端子（１２）とを備え、電子部品（２０）の一面（２０ａ）と各々のリード端子（１２）とがボンディングワイヤ（３０）により電気的に接続されている電子装置において、次のような点を特徴としている。

すなわち、本電子装置においては、複数個のリード端子（１２）のうち第１のリード端子（１２ａ）に接続されたボンディングワイヤ（３０）が電子部品（２０）の一面（２０ａ）と直交する方向において重なる位置に存在するものを、第２のリード端子（１２ｂ）としたとき、第２のリード端子（１２ｂ）のうちボンディングワイヤ（３０）が接続される部位を、第１のリード端子（１２ａ）のうちボンディングワイヤ（３０）が接続される部位よりも薄くすることにより、電子部品（２０）の一面（２０ａ）と直交する方向において、第２のリード端子（１２ｂ）のうちボンディングワイヤ（３０）が接続される部位が、第１のリード端子（１２ａ）のうちボンディングワイヤ（３０）が接続される部位よりも低くなっており、電子部品（２０）の一面（２０ａ）と直交する方向において、第２のリード端子（１２ｂ）に接続されたボンディングワイヤ（３０）のうち当該リード端子との接続部（３０ｂ）寄りの部位が、第１のリード端子（１２ａ）に接続されたボンディングワイヤ（３０）のうち当該リード端子との接続部（３０ａ）寄りの部位よりも低くなっていることを特徴としている。

それによれば、電子部品（２０）の一面（２０ａ）と直交する方向において、第１のリード端子（１２ａ）と第２のリード端子（１２ｂ）との間で、ボンディングワイヤ（３０）におけるリード端子との接続部寄りの部位は、第２のリード端子（１２ｂ）側のワイヤ（３０）の方が第１のリード端子（１２ａ）側のワイヤ（３０）よりも、低くなったものにできる。

そのため、このような高低差を付けた分、第２のリード端子（１２ｂ）と重なるように第１のリード端子（１２ａ）に接続されるボンディングワイヤ（３０）は、第２のリード端子（１２ｂ）および第２のリード端子（１２ｂ）に接続されるボンディングワイヤ（３０）とは、十分な距離を確保できる。

したがって、本発明によれば、電子部品（２０）と複数個のリード端子（１２）とをボンディングワイヤ（３０）で接続してなる電子装置において、リード端子（１２）側の接続部近傍にて、ボンディングワイヤ（３０）同士が接触したり、ボンディングワイヤ（３０）とリード端子（１２）とが接触するのを防止することができる。

請求項２に記載の発明においては、複数個のリード端子（１２）のうち第１のリード端子（１２ａ）に接続されたボンディングワイヤ（３０）が電子部品（２０）の一面（２０ａ）と直交する方向において重なる位置に存在するものを、第２のリード端子（１２ｂ）としたとき、第１のリード端子（１２ａ）のうちボンディングワイヤ（３０）が接続される部位には、別体の導電性部材（１４、１５）が取り付けられることにより、電子部品（２０）の一面（２０ａ）と直交する方向において、第２のリード端子（１２ｂ）に接続されたボンディングワイヤ（３０）のうち当該リード端子との接続部（３０ｂ）が、第１のリード端子（１２ａ）に接続されたボンディングワイヤ（３０）のうち当該リード端子との接続部（３０ａ）よりも低くなっており、電子部品（２０）の一面（２０ａ）と直交する方向において、第２のリード端子（１２ｂ）に接続されたボンディングワイヤ（３０）のうち当該リード端子との接続部（３０ｂ）寄りの部位が、第１のリード端子（１２ａ）に接続されたボンディングワイヤ（３０）のうち当該リード端子との接続部（３０ａ）寄りの部位よりも低くなっていることを特徴としている。

それによれば、第１のリード端子（１２ａ）に接続されるボンディングワイヤ（３０）において、リード端子（１２ａ）との接続部（３０ａ）は、この導電性部材（１４、１５）の厚さの分、電子部品（２０）の一面（２０ａ）と直交する方向において、第２のリード端子（１２ｂ）に接続されたボンディングワイヤ（３０）のうち当該リード端子との接続部３０ｂよりも高くなる。

そのため、本発明によっても、上記した第１のリード端子（１２ａ）と第２のリード端子（１２ｂ）との間におけるボンディングワイヤ（３０）の高低差を適切に実現することができる。ここで、請求項３に記載の発明では、請求項１に記載の電子装置において、電子部品（２０）の一面（２０ａ）と直交する方向において、第２のリード端子（１２ｂ）に接続されたボンディングワイヤ（３０）のうち当該リード端子との接続部（３０ｂ）が、第１のリード端子（１２ａ）に接続されたボンディングワイヤ（３０）のうち当該リード端子との接続部（３０ａ）よりも低くなっていることを特徴としている。それによって、ボンディングワイヤ（３０）におけるリード端子との接続部寄りの部位については、第２のリード端子（１２ｂ）側のワイヤ（３０）の方が第１のリード端子（１２ａ）側のワイヤ（３０）よりも、低くなっているという構成を、適切に実現することができる。

また、請求項４に記載の発明では、請求項１〜請求項３に記載の電子装置において、複数個のリード端子（１２）は、電子部品（２０）の一面（２０ａ）との距離が異なるものからなり、第１のリード端子（１２ａ）は、電子部品（２０）の一面（２０ａ）に対して比較的遠いものであり、第２のリード端子（１２ｂ）は、電子部品（２０）の一面（２０ａ）に対して比較的近いものであることを特徴としている。

また、請求項５に記載の発明では、請求項１〜請求項４に記載の電子装置において、電子部品（２０）、ボンディングワイヤ（３０）およびリード端子（１２）がモールド樹脂（４０）によって封止されており、リード端子（１２）の一部がモールド樹脂（４０）から露出していることを特徴としている。

なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各図相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。

（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る電子装置としてのリードフレームを用いたＱＦＮパッケージ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ−Ｌｅａｄｅｄ Ｐａｃｋａｇｅ）構造を有する電子装置１００の構成を示す図であり、（ａ）は同電子装置１００の概略平面図、（ｂ）は、（ａ）中のＢ−Ｂ一点鎖線に沿った概略断面図である。

［構成等］
図１に示されるように、本電子装置１００におけるリードフレーム１０は、アイランド１１とアイランド１１の周囲に位置するリード端子１２とを備えている。このリードフレーム１０は、Ｃｕや４２アロイなどの通常のリードフレーム材料からなるものであり、プレス加工やエッチング加工などにより形成することができる。

アイランド１１上には、電子部品２０が搭載されている。本例では、電子部品として半導体素子２０が搭載されている。この半導体素子２０は、シリコン半導体などからなる半導体基板に対して半導体プロセスにより、トランジスタ素子などの素子を形成してなるＩＣチップなどとして構成されたものである。

ここでは、半導体素子２０は、ダイボンド材２１を介してアイランド１１に接着固定されている。ここで、ダイボンド材２１としては、はんだや導電性接着剤、Ａｇペーストなど通常の電子装置分野で適用されるものを採用できる。

また、本例では、アイランド１１は矩形板状のものであり、アイランド１１の四隅部には、吊りリード１３が設けられている。なお、吊りリード１３は、よく知られているように、リードフレームのカット工程の前までに、アイランド１１をリードフレームのフレーム部に連結して一体化させておくためのものである。

そして、リード端子１２は、アイランド１１の４辺の外周において複数本のものが配列されている。ここでは、比較的長いリード端子１２と比較的短いリード端子１２とが、交互に設けられている。

それにより、半導体素子２０の周囲に位置する複数個のリード端子１２は、半導体素子２０の一面２０ａに対して比較的遠くに位置する外周側のものと、半導体素子２０の一面２０ａに対して比較的近くに位置する内周側のものとからなる。

そして、本実施形態では、図１に示されるように、これら外周側のリード端子と内周側のリード端子とが２列に配置された形となっており、いわゆる２列構造のＱＦＮパッケージ構造となっている。

そして、図１に示されるように、半導体素子２０の一面２０ａと各リード端子１２とは、ボンディングワイヤ３０により結線され電気的に接続されている。このボンディングワイヤ３０は、Ａｕやアルミニウムなどの電子装置の分野で通常用いられるワイヤ材料からなるものである。

そして、本実施形態の電子装置１００においては、このボンディングワイヤ３０は、半導体素子２０を第１ボンディング側、リード端子１２を第２ボンディング側として、ボールボンディングやウェッジボンディングなどの通常のワイヤボンディング法により形成されている。

また、アイランド１１、リード端子１２、半導体素子２０およびボンディングワイヤ３０は、モールド樹脂４０により包み込まれるように封止されている。このモールド樹脂４０は、エポキシ系樹脂などの通常のモールド材料を用いてトランスファーモールド法などにより形成できるものである。

さらに、本電子装置１００では、図１（ｂ）に示されるように、アイランド１１の下面、および、各リード端子１２の下面がモールド樹脂４０の下面から露出した構成となっている。

ここでは、リード端子１２の露出面の平面形状は円形状となっており、その露出部は、アイランド１１の４辺の外周において２列に配置された形態となっている。なお、リード端子１２の露出部の平面形状は、円形に限られるものではないことはもちろんであり、四角形などでもよい。

図示しないが、たとえば、この電子装置１００は、外部基板上へ搭載され、これらアイランド１１およびリード端子１２のモールド樹脂４０からの露出部が、当該基板の電極に対してはんだなどを介して接続される。それによって、この電子装置１００は、外部基板上に実装される。

このような本実施形態の電子装置１００において、複数個のリード端子１２のうち第１のリード端子１２ａに接続されたボンディングワイヤ３０が、半導体素子２０の一面２０ａと直交する方向（図１（ａ）では紙面垂直方向、図１（ｂ）では紙面上下方向）において重なる位置に存在するものを第２のリード端子１２ｂとする。

図１に示される電子装置１００においては、第１のリード端子１２ａは、半導体素子２０の一面２０ａに対して比較的遠い位置にある外周側のものからなり、第２のリード端子１２ｂは、半導体素子２０の一面２０ａに対して比較的近い位置にある内周側のものからなる。

さらにいうならば、図１（ａ）に示されるように、第１のリード端子１２ａに接続されたボンディングワイヤ３０は、半導体素子２０の一面２０ａから第２のリード端子１２ｂの直上をまたぐように通って、第１のリード端子１２ａに接続されている。つまり、第１のリード端子１２ａに接続されているボンディングワイヤ３０は、平面的に見て第２のリード端子１２ｂと交差している。

このような第１のリード端子１２ａと第２のリード端子１２ｂとの関係において、本実施形態では、電子部品である半導体素子２０の一面２０ａと直交する方向において、第２のリード端子１２ｂに接続されたボンディングワイヤ３０のうち当該リード端子１２ｂとの接続部３０ｂが、第１のリード端子１２ａに接続されたボンディングワイヤ３０のうち当該リード端子１２ａとの接続部３０ａよりも低くなっている。

本例では、図１（ｂ）に示されるように、第２のリード端子１２ｂのうちボンディングワイヤ３０が接続される部位が、第１のリード端子１２ａのうちボンディングワイヤ３０が接続される部位よりも薄くなっている。

それにより、半導体素子２０の一面２０ａと直交する方向において、第２のリード端子１２ｂのうちボンディングワイヤ３０が接続される部位が、第１のリード端子１２ａのうちボンディングワイヤ３０が接続される部位よりも低くなっており、その結果、上記したようなボンディングワイヤ３０における２つの接続部３０ａと３０ｂとの間の高低差が実現されている。

そして、このワイヤ３０における接続部３０ａ、３０ｂ間の高低差によって、図１（ｂ）に示されるように、半導体素子２０の一面２０ａと直交する方向において、第２のリード端子１２ｂに接続されたボンディングワイヤ３０のうち当該リード端子１２ｂとの接続部３０ｂ寄りの部位が、第１のリード端子１２ａに接続されたボンディングワイヤ３０のうち当該リード端子１２ａとの接続部３０ａ寄りの部位よりも低くなっている。

［製造方法等］
次に、このリードフレームを用いたＱＦＮパッケージ構造を有する電子装置１００の製造方法について、図２、図３も参照して述べる。図２、図３は、本電子装置１００の製造方法を示す工程図である。

本製造方法においては、エッチングを行うことによって、第２のリード端子１２ｂのうちボンディングワイヤ３０が接続される部位を、第１のリード端子１２ａのうちボンディングワイヤ３０が接続される部位よりも薄い薄肉部とする。

まず、図２（ａ）、（ｂ）に示されるように、平板状のリードフレーム素材１０ａを用意し、このリードフレーム素材１０ａに対して感光性樹脂などからなるマスクＭ１をフォト工程などにより、上記薄肉部となる部位がマスクＭ１の開口部となるようにパターニングする。

その後、図２（ｃ）に示されるように、このマスクＭ１を形成したリードフレーム素材１０ａを、その両面より化学的にエッチングする。それにより、リードフレーム素材１０ａにおいてエッチングされた部分が、部分的に薄肉部となる。

さらに、図２（ｄ）、（ｅ）に示されるように、この素材１０ａに対して、アイランド１１やリード端子１２を形成するための感光性樹脂などからなるマスクＭ２を、フォト工程などにより形成し、もう一度エッチング加工を行う。それにより、アイランド１１およびリード端子１２が形成されたリードフレーム１０を作成する。

次に、図３（ａ）、（ｂ）に示されるように、このリードフレーム１０において、アイランド１１上に半導体素子２０をダイボンド材２１を介して搭載固定し、半導体素子２０とリード端子１２との間でワイヤボンディングを行い、これらの間をボンディングワイヤ３０で結線する。

次に、ここまでの工程に共されたワークを、樹脂成型用の金型に設置し、トランスファーモールド成形などによりモールド樹脂４０による封止を行う。それにより、アイランド１１、リード端子１２、半導体素子２０、ボンディングワイヤ３０がモールド樹脂４０により封止される。

その後、モールド樹脂４０の側面から突出するリードフレーム１０の部分のカットなどを行う。こうして、上記図１に示される本実施形態のＱＦＮパッケージ構造を有する電子装置１００ができあがる。

［効果等］
ところで、本実施形態によれば、一面２０ａがボンディングワイヤ３０接続用の面となっている電子部品としての半導体素子２０と、半導体素子２０の周囲に位置する複数個のリード端子１２とを備え、半導体素子２０の一面２０ａと各々のリード端子１２とがボンディングワイヤ３０により電気的に接続されている電子装置において、次のような点を特徴とする電子装置１００が提供される。

すなわち、本電子装置１００においては、複数個のリード端子１２のうち第１のリード端子１２ａに接続されたボンディングワイヤ３０が半導体素子２０の一面２０ａと直交する方向において重なる位置に存在するものを、第２のリード端子１２ｂとしたとき、半導体素子２０の一面２０ａと直交する方向において、第２のリード端子１２ｂに接続されたボンディングワイヤ３０のうち当該リード端子との接続部３０ｂ寄りの部位が、第１のリード端子１２ａに接続されたボンディングワイヤ３０のうち当該リード端子との接続部３０ａ寄りの部位よりも低くなっていることを特徴としている。

それによれば、半導体素子２０の一面２０ａと直交する方向において、第１のリード端子１２ａと第２のリード端子１２ｂとの間で、ボンディングワイヤ３０におけるリード端子との接続部寄りの部位が、第２のリード端子１２ｂ側のワイヤ３０の方が第１のリード端子１２ａ側のワイヤ３０よりも低くなっている。

そのため、このような高低差を付けた分、第２のリード端子１２ｂと重なるように第１のリード端子１２ａに接続されるボンディングワイヤ３０は、第２のリード端子１２ｂおよび第２のリード端子１２ｂに接続されるボンディングワイヤ３０に対して十分な距離を確保することができる。

そのため、ワイヤボンディング時におけるワイヤ形状のばらつきや、モールド樹脂４０による封止時におけるワイヤ流れなどが生じても、第１のリード端子１２ａに接続されたボンディングワイヤ３０と、これに重なる第２のリード端子１２ｂおよび当該第２のリード端子１２ｂに接続されたボンディングワイヤ３０とが、接触することを、極力防止することができる。

したがって、本実施形態によれば、電子部品２０と複数個のリード端子１２とをボンディングワイヤ３０で接続してなる電子装置１００において、リード端子１２側の接続部近傍にて、ボンディングワイヤ３０同士が接触したり、ボンディングワイヤ３０とリード端子１２とが接触するのを防止することができる。

また、本実施形態の電子装置１００においては、半導体素子２０の一面２０ａと直交する方向において、第２のリード端子１２ｂに接続されたボンディングワイヤ３０のうち当該リード端子との接続部３０ｂが、第１のリード端子１２ａに接続されたボンディングワイヤ３０のうち当該リード端子との接続部３０ａよりも低くなっていることも特徴のひとつである。

それによって、ボンディングワイヤ３０におけるリード端子との接続部寄りの部位が、第２のリード端子１２ｂ側のワイヤ３０の方が第１のリード端子１２ａ側のワイヤ３０よりも低くなっているという構成を、適切に実現することができる。

また、図１に示したように、本実施形態の電子装置１００においては、第２のリード端子１２ｂのうちボンディングワイヤ３０が接続される部位を、第１のリード端子１２ａのうちボンディングワイヤ３０が接続される部位よりも薄くすることにより、半導体素子２０の一面２０ａと直交する方向において、第２のリード端子１２ｂのうちボンディングワイヤ３０が接続される部位を、第１のリード端子１２ａのうちボンディングワイヤ３０が接続される部位よりも低くしていることも特徴のひとつである。

それによって、上記した第１のリード端子１２ａと第２のリード端子１２ｂとの間におけるボンディングワイヤ３０の高低差を適切に実現している。

［変形例］
上記図２および上記図３に示される製造方法においては、エッチングを行うことによって、第２のリード端子１２ｂのうちボンディングワイヤ３０が接続される部位を、第１のリード端子１２ａのうちボンディングワイヤ３０が接続される部位よりも薄い薄肉部としていた。

図４、図５は、このような薄肉部を有するリードフレーム１０を形成する形成方法の他の例を示す工程図である。

図４に示される第１の変形例では、プレス加工を行うことによって、第２のリード端子１２ｂのうちボンディングワイヤ３０が接続される部位を、第１のリード端子１２ａのうちボンディングワイヤ３０が接続される部位よりも薄い薄肉部とする。

図４（ａ）、（ｂ）に示されるように、平板状のリードフレーム素材１０ａを用意し、このリードフレーム素材１０ａに対してアイランド１１やリード端子１２を形成するための感光性樹脂などからなるマスクＭ２を、フォト工程などにより形成する。

次に、図４（ｃ）に示されるように、マスクＭ２が形成されたリードフレーム素材１０ａに対してエッチング加工を行うことにより、アイランド１１およびリード端子１２のパターンが形成されたリードフレーム１０を作成する。

次に、図４（ｄ）に示されるように、第２のリード端子１２ｂのうちボンディングワイヤ３０が接続される部位を、プレスすることによって押しつぶし、薄肉化する。

その後は、この薄肉部が形成されたリードフレーム１０を用いて、上記製造方法と同様に、半導体素子２０のマウント、ワイヤボンディング、樹脂モールドなどを行うことにより、電子装置１００を製造することができる。

また、図５に示される第２の変形例では、リードフレーム素材１０ｂとして、部分的に厚さの異なる異形材を用いることによって、第２のリード端子１２ｂのうちボンディングワイヤ３０が接続される部位を、第１のリード端子１２ａのうちボンディングワイヤ３０が接続される部位よりも薄い薄肉部とする。

図５（ａ）に示されるように、異形材としてのリードフレーム素材１０ｂを用意する。このリードフレーム素材１０ｂは、第２のリード端子１２ｂのうちボンディングワイヤ３０が接続される部位となる部分が薄肉部となっている
次に、図５（ｂ）、（ｃ）に示されるように、このリードフレーム素材１０ｂに対してアイランド１１やリード端子１２を形成するための感光性樹脂などからなるマスクＭ２を、フォト工程などにより形成し、エッチング加工を行う。それによって、アイランド１１およびリード端子１２、さらには、上記薄肉部が形成されたリードフレーム１０が形成される。

その後は、このリードフレーム１０を用いて、上記製造方法と同様に、半導体素子２０のマウント、ワイヤボンディング、樹脂モールドなどを行うことにより、電子装置１００を製造することができる。

そして、これら図４、図５に示される製造方法により形成されたリードフレーム１０を用いて製造された電子装置１００においても、上述したのと同様に、第２のリード端子１２ｂのうちボンディングワイヤ３０が接続される部位を、第１のリード端子１２ａのうちボンディングワイヤ３０が接続される部位よりも薄くすることにより、上記した第１のリード端子１２ａと第２のリード端子１２ｂとの間におけるボンディングワイヤ３０の高低差を適切に実現し、リード端子１２側の接続部近傍にて、ボンディングワイヤ３０同士が接触したり、ボンディングワイヤ３０とリード端子１２とが接触するのを防止することができる。

また、上記図１に示される例においては、第２のリード端子１２ｂのうちボンディングワイヤ３０が接続される部位を、第１のリード端子１２ａのうちボンディングワイヤ３０が接続される部位よりも薄くすることにより、半導体素子２０の一面２０ａと直交する方向において、第２のリード端子１２ｂのうちボンディングワイヤ３０が接続される部位を、第１のリード端子１２ａのうちボンディングワイヤ３０が接続される部位よりも低くしていた。

それに対して、第１のリード端子１２ａおよび第２のリード端子１２ｂのうち一方を曲げ加工することにより、半導体素子２０の一面２０ａと直交する方向において、第２のリード端子１２ｂのうちボンディングワイヤ３０が接続される部位を、第１のリード端子１２ａのうちボンディングワイヤ３０が接続される部位よりも低くしてもよい。このことについて、図６を参照して具体的に述べる。

図６に示される第３の変形例では、まず、平板状のリードフレーム素材１０ａを用意し（図６（ａ）参照）、このリードフレーム素材１０ａに対してアイランド１１やリード端子１２を形成するための感光性樹脂などからなるマスクＭ２を、フォト工程などにより形成し、エッチング加工を行う（図６（ｂ）、（ｃ）参照）。

その後、図６（ｄ）に示されるように、第１のリード端子１２ａを曲げ加工することにより、半導体素子２０の一面２０ａと直交する方向において、第２のリード端子１２ｂのうちボンディングワイヤ３０が接続される部位を、第１のリード端子１２ａのうちボンディングワイヤ３０が接続される部位よりも低くする。

その後は、図６（ｅ）に示されるように、このリードフレーム１０を用いて上記製造方法と同様に、半導体素子２０のマウント、ワイヤボンディング、樹脂モールドなどを行うことにより、電子装置１００を製造することができる。

そして、この図６に示される製造方法により形成されたリードフレーム１０を用いて製造された電子装置１００においても、上述したのと同様に、上記した第１のリード端子１２ａと第２のリード端子１２ｂとの間におけるボンディングワイヤ３０の高低差を適切に実現することができ、リード端子１２側の接続部近傍にて、ボンディングワイヤ３０同士が接触したり、ボンディングワイヤ３０とリード端子１２とが接触するのを防止することができる。

なお、図６では、第１のリード端子１２ａを曲げ加工したが、第２のリード端子１２ｂを曲げ加工することにより、第２のリード端子１２ｂのうちボンディングワイヤ３０が接続される部位を、第１のリード端子１２ａのうちボンディングワイヤ３０が接続される部位よりも低くしてもよい。

（第２実施形態）
図７は、本発明の第２実施形態に係る電子装置としてのＱＦＮパッケージ構造を有する電子装置２００の概略断面図である。

図７に示されるように、本実施形態の電子装置２００も、上記第１実施形態と同様に、一面２０ａがボンディングワイヤ３０接続用の面となっている電子部品としての半導体素子２０と、半導体素子２０の周囲に位置する複数個のリード端子１２とを備え、半導体素子２０の一面２０ａと各々のリード端子１２とがボンディングワイヤ３０により電気的に接続されている。

そして、このような電子装置２００においても、半導体素子２０の一面２０ａと直交する方向において、第２のリード端子１２ｂに接続されたボンディングワイヤ３０のうち当該リード端子との接続部３０ｂ寄りの部位が、第１のリード端子１２ａに接続されたボンディングワイヤ３０のうち当該リード端子との接続部３０ａ寄りの部位よりも低くなっていることは、上記第１実施形態と同様である。

したがって、本実施形態によっても、電子部品２０と複数個のリード端子１２とをボンディングワイヤ３０で接続してなる電子装置２００において、リード端子１２側の接続部近傍にて、ボンディングワイヤ３０同士が接触したり、ボンディングワイヤ３０とリード端子１２とが接触するのを防止することができる。

ここにおいて、上記第１実施形態では、半導体素子２０の一面２０ａと直交する方向において、第２のリード端子１２ｂのうちボンディングワイヤ３０が接続される部位を、第１のリード端子１２ａのうちボンディングワイヤ３０が接続される部位よりも低くすることにより、上記特徴点を実現していたが、本実施形態では、別体の導電性部材１４を用いることで、同様の特徴を実現している。

すなわち、図７に示されるように、本実施形態の電子装置２００においては、第１のリード端子１２ａのうちボンディングワイヤ３０が接続される部位に、別体の導電性部材１４が取り付けられている。ここでは、別体の導電性部材１４は、Ｃｕなどの金属からなるメッキ膜やプレート（箔）などである。

それによれば、第１のリード端子１２ａに接続されるボンディングワイヤ３０において、リード端子１２ａとの接続部３０ａは、この導電性部材１４の厚さの分、半導体素子２０の一面２０ａと直交する方向において、第２のリード端子１２ｂに接続されたボンディングワイヤ３０のうち当該リード端子との接続部３０ｂよりも高くなる。

つまり、本実施形態によれば、第１のリード端子１２ａと第２のリード端子１２ｂとで、ボンディングワイヤ３０が接続される部位の厚さが同一であっても、上記実施形態と同様に、第１のリード端子１２ａと第２のリード端子１２ｂとの間におけるボンディングワイヤ３０の高低差が適切に実現できるのである。

このような導電性部材１４としてメッキ膜１４を用いた場合の本実施形態の電子装置２００の製造方法について、図８、図９を参照して述べる。図８、図９は、同製造方法を示す工程図である。

まず、図８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示されるように、平板状のリードフレーム素材１０ａを用意し、このリードフレーム素材１０ａに対してメッキ膜１４を形成するための感光性樹脂などからなるマスクＭ３を、フォト工程などにより形成し、メッキ処理を行い、メッキ膜１４を形成する。

続いて、図８（ｄ）に示されるように、マスクＭ３を剥離して除去し、リードフレーム素材１０ａに対してアイランド１１やリード端子１２を形成するための感光性樹脂などからなるマスクＭ４を、フォト工程などにより形成する。

次に、図９（ａ）に示されるように、マスクＭ４が形成されたリードフレーム素材１０ａに対してエッチング加工を行い、アイランド１１およびリード端子１２が形成されたリードフレーム１０を形成する。

その後は、図９（ｂ）、（ｃ）に示されるように、このリードフレーム１０を用いて上記製造方法と同様に、半導体素子２０のマウント、ワイヤボンディング、樹脂モールドを行うことにより、本電子装置２００を製造することができる。

［変形例］
図１０は、本第２実施形態の変形例としてのＱＦＮパッケージ構造を有する電子装置を示す概略断面図である。

この図１０に示される変形例では、上記別体の導電性部材としてバンプ１５を用いたものである。このバンプ１５は、ボールボンディングなどにより形成された金などからなるスタッドバンプである。

このような導電性部材としてバンプ１５を用いた場合の本例の電子装置の製造方法について、図１１および図１２を参照して述べる。図１１、図１２は、同製造方法を示す工程図である。

まず、図１１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示されるように、平板状のリードフレーム素材１０ａを用意し、このリードフレーム素材１０ａに対してアイランド１１やリード端子１２を形成するための感光性樹脂などからなるマスクＭ２を、フォト工程などにより形成し、さらに、エッチング加工を行い、アイランド１１およびリード端子１２が形成されたリードフレーム１０を形成する。

次に、図１１（ｄ）に示されるように、アイランド１１に半導体素子２０をマウントする。そして、図１２（ａ）に示されるように、まず、半導体素子２０と第２のリード端子１２ｂとの間でワイヤボンディングを行い、これら両者の間をボンディングワイヤ３０で接続する。

続いて、図１２（ｂ）に示されるように、第１のリード端子１２ａにおけるボンディングワイヤ３０と接続される部位に、ボールボンディングなどにより上記別体の導電性部材としてのバンプ１５を形成する。

その後、図１２（ｃ）に示されるように、半導体素子２０と第１のリード端子１２ａとの間でワイヤボンディングを行い、これら両者の間をボンディングワイヤ３０およびバンプ１５を介して接続する。その後は、モールドを行うことで、図１０に示される電子装置ができあがる。

そして、この図１０に示される電子装置によっても、第１のリード端子１２ａと第２のリード端子１２ｂとで、ボンディングワイヤ３０が接続される部位の厚さが同一であっても、上記実施形態と同様に、第１のリード端子１２ａと第２のリード端子１２ｂとの間におけるボンディングワイヤ３０の高低差が適切に実現でき、リード端子１２側の接続部近傍にて、ボンディングワイヤ３０同士が接触したり、ボンディングワイヤ３０とリード端子１２とが接触するのを防止することができる。

（参考形態）
図１３は、本発明の参考形態に係る電子装置としてのＱＦＮパッケージ構造を有する電子装置３００の概略断面図である。

図１３に示されるように、本参考形態の電子装置３００も、上記第１実施形態と同様に、一面２０ａがボンディングワイヤ３０接続用の面となっている電子部品としての半導体素子２０と、半導体素子２０の周囲に位置する複数個のリード端子１２とを備え、半導体素子２０の一面２０ａと各々のリード端子１２とがボンディングワイヤ３０により電気的に接続された基本構成を有する。

ここにおいて、図１３に示されるように、本参考形態の電子装置３００では、半導体素子２０の一面２０ａと直交する方向において、第２のリード端子１２ｂに接続されたボンディングワイヤ３０のうち当該リード端子との接続部３０ｂが、第１のリード端子１２ａに接続されたボンディングワイヤ３０のうち当該リード端子との接続部３０ａと同じ高さとなっている。

しかしながら、本参考形態では、第１のリード端子１２ａと半導体素子２０との間においては、第１のリード端子１２ａを第１ボンディング側とし、半導体素子２０の一面２０ａを第２ボンディング側としてボンディングワイヤ３０による接続が行われており、一方、第２のリード端子１２ｂと半導体素子２０との間においては、それとは反対に、半導体素子２０の一面２０ａを第１ボンディング側とし、第２のリード端子１２ｂを第２ボンディング側としてボンディングワイヤ３０による接続が行われている。

それによれば、第１のリード端子１２ａ側のボンディングワイヤ３０と第２のリード端子１２ｂ側のボンディングワイヤ３０とで、ループ形状が異なるものにできる。つまり、第１のリード端子１２ａ側のボンディングワイヤ３０の方が、リード端子１２側の部位にて、第２のリード端子１２ｂ側のボンディングワイヤ３０よりもふくらみが大きく、高いループ形状を実現できている。

そのため、本参考形態の電子装置３００では、半導体素子２０の一面２０ａと直交する方向において、第１のリード端子１２ａと第２のリード端子１２ｂとで、ボンディングワイヤ３０が接続される部位の高さが同一であっても、第２のリード端子１２ｂに接続されたボンディングワイヤ３０のうち当該リード端子との接続部３０ｂ寄りの部位が、第１のリード端子１２ａに接続されたボンディングワイヤ３０のうち当該リード端子との接続部３０ａ寄りの部位よりも低くなっている。

したがって、本参考形態によっても、電子部品２０と複数個のリード端子１２とをボンディングワイヤ３０で接続してなる電子装置３００において、リード端子１２側の接続部近傍にて、ボンディングワイヤ３０同士が接触したり、ボンディングワイヤ３０とリード端子１２とが接触するのを防止することができる。

このような第１のリード端子１２ａと第２のリード端子１２ｂとでワイヤボンディングの順序を変えた本参考形態の電子装置３００の製造方法について、図１４、図１５を参照して述べる。図１４、図１５は、同製造方法を示す工程図である。

まず、図１４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示されるように、平板状のリードフレーム素材１０ａを用意し、このリードフレーム素材１０ａに対してアイランド１１やリード端子１２を形成するための感光性樹脂などからなるマスクＭ２を、フォト工程などにより形成し、さらに、エッチング加工を行い、アイランド１１およびリード端子１２が形成されたリードフレーム１０を形成する。

次に、図１４（ｄ）に示されるように、アイランド１１に半導体素子２０をマウントする。そして、図１５（ａ）に示されるように、まず、半導体素子２０と第２のリード端子１２ｂとの間で、半導体素子２０を第１ボンディング側としてワイヤボンディングを行い、これら両者の間をボンディングワイヤ３０で接続する。

その後、図１５（ｂ）に示されるように、半導体素子２０と第１のリード端子１２ａとの間で、第１のリード端子１２ａを第１ボンディング側としてワイヤボンディングを行い、これら両者の間をボンディングワイヤ３０およびバンプ１５を介して接続する。その後は、樹脂モールドなどを行うことによって、上記図１３に示される電子装置３００ができあがる。

（他の実施形態）
図１６は、本発明の他の実施形態に係る電子装置としてのＱＦＮパッケージ構造を有する電子装置の概略断面図である。

この図１６に示される電子装置のように、第２のリード端子１２ｂに接続されているボンディングワイヤ３０を下方に垂らすことにより、半導体素子２０の一面２０ａと直交する方向において、第２のリード端子１２ｂに接続されたボンディングワイヤ３０のうち当該リード端子との接続部３０ｂ寄りの部位が、第１のリード端子１２ａに接続されたボンディングワイヤ３０のうち当該リード端子との接続部３０ａ寄りの部位よりも低くなるようにしてもよい。

このようにボンディングワイヤ３０を垂らすことは、たとえば、ワイヤボンディングのときに、第１ボンディング後のワイヤの引き出し量を多くすることなどにより、容易に実現することができる。

この図１６に示される電子装置によれば、半導体素子２０の一面２０ａと直交する方向において、第１のリード端子１２ａと第２のリード端子１２ｂとで、ボンディングワイヤ３０が接続される部位の高さが同一であっても、上記実施形態と同様に、第１のリード端子１２ａと第２のリード端子１２ｂとの間におけるボンディングワイヤ３０の高低差が適切に実現できる。

そのため、この図１６の場合にも、リード端子１２側の接続部近傍にて、ボンディングワイヤ３０同士が接触したり、ボンディングワイヤ３０とリード端子１２とが接触するのを防止することができる。

また、上記した各実施形態では、リード端子１２が２列構造のＱＦＮパッケージ構造の電子装置についての適用例を述べたが、上記各実施形態は、図１７に示されるような１列構造のＱＦＮパッケージとしての電子装置についても適用可能である。

図１７は、他の実施形態としての１列構造のＱＦＮパッケージ構造を有する電子装置の概略平面図である。この電子装置においては、複数個のリード端子１２は１列の配置となっている。

しかしながら、この電子装置においても、複数個のリード端子１２のうち第１のリード端子１２ａに接続されたボンディングワイヤ３０が電子部品２０の一面２０ａと直交する方向（図１７中の紙面垂直方向）において重なる位置に存在する第２のリード端子１２ｂが、上記図示例と同様に、備えられている。

そして、図１７においても、これら第１のリード端子１２ａと第２のリード端子１２ｂとの間において、上記各実施形態に示されるボンディングワイヤ３０間の高低差を付与した構成を採用することができる。

それによって、図１７に示される電子装置によれば、上記実施形態と同様の効果を発揮することができ、リード端子１２側の接続部近傍にて、ボンディングワイヤ３０同士が接触したり、ボンディングワイヤ３０とリード端子１２とが接触するのを防止することができる。

なお、上記各実施形態では、電子部品として半導体素子２０を採用していたが、その一面２０ａがボンディングワイヤ接続用の面すなわち一面２０ａに図示しないボンディングランドを備えたものであれば、この半導体素子２０以外にも、種々の電子部品を採用することができる。

また、上記各実施形態は、電子部品と複数個のリード端子とをボンディングワイヤで接続してなる電子装置であれば、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）構造を有する電子装置などに対しても適用してよい。さらに言うならば、そのような電子装置であれば、モールド樹脂による封止がなされておらず、モールド樹脂を持たないものであってもよい。

また、上記各実施形態は、可能な範囲で適宜組み合わせて用いることができる。たとえば、上記図１に示されるように第１のリード端子１２ａと第２のリード端子１２ｂとで厚さを異ならせたリードフレーム１０を用いつつ、さらに、上記図１３に示されるように第１のリード端子１２ａと第２のリード端子１２ｂとでボンディングワイヤ３０の順序を変えた構成を採用することができる。

また、上記図１に示されるように第１のリード端子１２ａと第２のリード端子１２ｂとで厚さを異ならせるとともに上記別体の導電性部材１４（上記図７参照）も付与されたリードフレーム１０を用いてもよい。

本発明の第１実施形態に係るＱＦＮパッケージ構造を有する電子装置の構成を示す図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は、（ａ）中のＢ−Ｂ概略断面図である。 図１に示される電子装置の製造方法を示す工程図である。 図２に続く製造方法を示す工程図である。 上記第１実施形態の第１の変形例としてのリードフレームの形成方法を示す工程図である。 上記第１実施形態の第２の変形例としてのリードフレームの形成方法を示す工程図である。 上記第１実施形態の第３の変形例としての電子装置の製造方法を示す工程図である。 本発明の第２実施形態に係るＱＦＮパッケージ構造を有する電子装置の概略断面図である。 図７に示される電子装置の製造方法を示す工程図である。 図８に続く製造方法を示す工程図である。 上記第２実施形態における変形例としての電子装置の概略断面図である。 図１０に示される電子装置の製造方法を示す工程図である。 図１１に続く製造方法を示す工程図である。 本発明の参考形態に係るＱＦＮパッケージ構造を有する電子装置の概略断面図である。 図１３に示される電子装置の製造方法を示す工程図である。 図１４に続く製造方法を示す工程図である。 本発明の他の実施形態に係るＱＦＮパッケージ構造を有する電子装置の概略断面図である。 本発明の他の実施形態に係る１列構造のＱＦＮパッケージ構造を有する電子装置の概略断面図である。 従来の一般的な電子装置の具体的構成を示す図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）中のＡ−Ａ概略断面図である。

符号の説明

１２…リード端子、１２ａ…第１のリード端子、１２ｂ…第２のリード端子、
１４…導電性部材としてのメッキ膜、１５…導電性部材としてのバンプ、
２０…電子部品としての半導体素子、２０ａ…半導体素子の一面、
３０…ボンディングワイヤ、
３０ａ…第１のリード端子に接続されたボンディングワイヤのうちリード端子との接続部、
３０ｂ…第２のリード端子に接続されたボンディングワイヤのうちリード端子との接続部、
４０…モールド樹脂。

Claims (5)

1. 一面（２０ａ）がボンディングワイヤ（３０）接続用の面となっている電子部品（２０）と、
   前記電子部品（２０）の周囲に位置する複数個のリード端子（１２）とを備え、
   前記電子部品（２０）の一面（２０ａ）と各々の前記リード端子（１２）とが前記ボンディングワイヤ（３０）により電気的に接続されている電子装置において、
   前記複数個のリード端子（１２）のうち第１のリード端子（１２ａ）に接続された前記ボンディングワイヤ（３０）が前記電子部品（２０）の一面（２０ａ）と直交する方向において重なる位置に存在するものを、第２のリード端子（１２ｂ）としたとき、
   前記第２のリード端子（１２ｂ）のうち前記ボンディングワイヤ（３０）が接続される部位を、前記第１のリード端子（１２ａ）のうち前記ボンディングワイヤ（３０）が接続される部位よりも薄くすることにより、
   前記電子部品（２０）の一面（２０ａ）と直交する方向において、前記第２のリード端子（１２ｂ）のうち前記ボンディングワイヤ（３０）が接続される部位が、前記第１のリード端子（１２ａ）のうち前記ボンディングワイヤ（３０）が接続される部位よりも低くなっており、
   前記電子部品（２０）の一面（２０ａ）と直交する方向において、前記第２のリード端子（１２ｂ）に接続された前記ボンディングワイヤ（３０）のうち当該リード端子との接続部（３０ｂ）寄りの部位が、前記第１のリード端子（１２ａ）に接続された前記ボンディングワイヤ（３０）のうち当該リード端子との接続部（３０ａ）寄りの部位よりも低くなっていることを特徴とする電子装置。
2. 一面（２０ａ）がボンディングワイヤ（３０）接続用の面となっている電子部品（２０）と、
   前記電子部品（２０）の周囲に位置する複数個のリード端子（１２）とを備え、
   前記電子部品（２０）の一面（２０ａ）と各々の前記リード端子（１２）とが前記ボンディングワイヤ（３０）により電気的に接続されている電子装置において、
   前記複数個のリード端子（１２）のうち第１のリード端子（１２ａ）に接続された前記ボンディングワイヤ（３０）が前記電子部品（２０）の一面（２０ａ）と直交する方向において重なる位置に存在するものを、第２のリード端子（１２ｂ）としたとき、
   前記第１のリード端子（１２ａ）のうち前記ボンディングワイヤ（３０）が接続される部位には、別体の導電性部材（１４、１５）が取り付けられることにより、
   前記電子部品（２０）の一面（２０ａ）と直交する方向において、前記第２のリード端子（１２ｂ）に接続された前記ボンディングワイヤ（３０）のうち当該リード端子との接続部（３０ｂ）が、前記第１のリード端子（１２ａ）に接続された前記ボンディングワイヤ（３０）のうち当該リード端子との接続部（３０ａ）よりも低くなっており、
   前記電子部品（２０）の一面（２０ａ）と直交する方向において、前記第２のリード端子（１２ｂ）に接続された前記ボンディングワイヤ（３０）のうち当該リード端子との接続部（３０ｂ）寄りの部位が、前記第１のリード端子（１２ａ）に接続された前記ボンディングワイヤ（３０）のうち当該リード端子との接続部（３０ａ）寄りの部位よりも低くなっていることを特徴とする電子装置。
3. 前記電子部品（２０）の一面（２０ａ）と直交する方向において、前記第２のリード端子（１２ｂ）に接続された前記ボンディングワイヤ（３０）のうち当該リード端子との接続部（３０ｂ）が、前記第１のリード端子（１２ａ）に接続された前記ボンディングワイヤ（３０）のうち当該リード端子との接続部（３０ａ）よりも低くなっていることを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
4. 前記複数個のリード端子（１２）は、前記電子部品（２０）の一面（２０ａ）との距離が異なるものからなり、
   前記第１のリード端子（１２ａ）は、前記電子部品（２０）の一面（２０ａ）に対して比較的遠いものであり、前記第２のリード端子（１２ｂ）は、前記電子部品（２０）の一面（２０ａ）に対して比較的近いものであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の電子装置。
5. 前記電子部品（２０）、前記ボンディングワイヤ（３０）および前記リード端子（１２）がモールド樹脂（４０）によって封止されており、
   前記リード端子（１２）の一部が前記モールド樹脂（４０）から露出していることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の電子装置。

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