JP2008186889A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】アイランド部上に搭載された半導体素子とその周囲に複数個配置されたリード部とをワイヤで接続してなる半導体装置において、リード部と当該リード部以外のリード部に接続されたワイヤとが接触するのを極力防止する。
【解決手段】第１のリード部１２１の上面１２ａのうち第２のリード部１２２に接続されたワイヤ３０によって横断されている部位である横断部１３が、当該ワイヤ３０によって横断されていない部位である非横断部１４に比べて当該ワイヤ３０側から引っ込んだ形となるように、第１のリード部１２１を、横断部１３が非横断部１４よりも板厚が薄いものとし、第１のリード部１２１に接続されるべきワイヤ３０を、第１のリード部１２１の非横断部１４に接続した。
【選択図】図１

Description

本発明は、アイランド部上に搭載された半導体素子とその周囲に複数個配置されたリード部とをワイヤで接続してなる半導体装置に関する。

従来より、この種の半導体装置としては、アイランド部およびこのアイランド部の周囲に平面的に複数個配置されたリード部を備えるリードフレームと、アイランド部の上面に搭載された半導体素子と、半導体素子とそれぞれのリード部の上面とを接続するワイヤとを備えたものが提案されている（たとえば、特許文献１参照）。

また、上記特許文献１に記載されているように、この種の半導体装置では、アイランド部の上面側にて、半導体素子、アイランド部、リード部およびボンディングワイヤが、モールド樹脂によって封止されている。そして、アイランド部の上面とは反対側の下面側に位置するモールド樹脂の下面からは、当該モールド樹脂の下面と実質的に同一面上にて、アイランド部の下面およびリード部の下面が露出しており、この露出部にて外部との接合が行われるようになっている。

このような半導体装置は、一般的なＳＯＰおよびＱＦＰなどのガルウイング形状のパッケージのアウターリード部を無くしハーフモールドをした構造、いわゆるＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ−Ｌｅａｄｅｄ Ｐａｃｋａｇｅ）構造のパッケージである。このＱＦＮ構造のパッケージは、近年の電子機器の小型化・高密度化のニーズに伴うＩＣパッケージの小型化に適したものである。

そして、このＱＦＮ構造のパッケージは、次のようにして作製される。プレス、エッチング加工などにより、アイランド部およびリード部がパターニングされたリードフレームを形成した後、アイランド部の上面に半導体素子を搭載・固定する。その後、半導体素子と各リード部の上面とをボンディングワイヤで結線し、続いて、モールド樹脂による封止・ダイシングカットを行う。こうしてＱＦＮパッケージが作製される。
特開２０００−１５０７５６号公報

本発明者は、この種の半導体装置について試作検討を行った。図９は、本発明者が上記した従来技術に基づいて試作した試作品としての半導体装置を示す図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）中のＤ−Ｄ一点鎖線に沿った部分断面図である。なお、図９（ａ）においては、モールド樹脂４０の外形を破線で示してある。

リードフレーム１０は、アイランド部１１とアイランド部１１の周囲に複数個配置されたリード部１２とにより構成され、アイランド部１１の上面１１ａには半導体素子２０が搭載され、この半導体素子２０と各リード部１２の上面１２ａとがボンディングワイヤ３０により接続されている。また、アイランド部１１およびリード部１２の下面１１ｂ、１２ｂはそれぞれモールド樹脂４０から露出している。

この場合、半導体素子２０のパッドのピッチとリードフレーム１０のリード部１２のピッチとが異なるため、ボンディングワイヤ３０は、図９（ａ）に示されるように、半導体素子２０から放射線状に配置される。

ここで、複数個のリード部１２のうちのある１つのリード部を第１のリード部１２１とし、この第１のリード部１２１以外のリード部を第２のリード部１２２としたとき、第２のリード部１２２に接続されたワイヤ３０が、第１のリード部１２１の上面１２ａの上を横断している。すなわち、第２のリード部１２２のワイヤ３０が、第１のリード部１２１の上面１２ａを跨いでいる。

たとえば、図９（ａ）に示されるように、半導体素子２０の角部に近いところでは、第２のリード部１２２のワイヤ３０が、隣接する第１のリード部１２１の上面１２ａの上を横断しやすい。

そして、このように、第１のリード部１２１上を横断する第２のリード部１２２のワイヤ３０は、第１のリード部１２１に近い部分では垂れが生じるため、図９（ｂ）に示されるように、第１のリード部１２１に接触してしまい、ショートなどの不具合を引き起こす恐れがある。

また、モールド樹脂で封止された半導体装置の場合、モールド樹脂の充填時において樹脂によるワイヤ流れが生じやすく、このワイヤ流れによって、ワイヤがリード部に接触しやすくなる恐れがある。

本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、アイランド部上に搭載された半導体素子とその周囲に複数個配置されたリード部とをワイヤで接続してなる半導体装置において、リード部と当該リード部以外のリード部に接続されたワイヤとが接触するのを極力防止することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明は、第１のリード部（１２１）の上面（１２ａ）のうち第２のリード部（１２２）に接続されたワイヤ（３０）によって横断されている部位である横断部（１３）が、当該ワイヤ（３０）によって横断されていない部位である非横断部（１４）に比べて当該ワイヤ（３０）側から引っ込んだ形となるように、第１のリード部（１２１）を、横断部（１３）が非横断部（１４）よりも板厚が薄いものとし、第１のリード部（１２１）に接続されるべきワイヤ（３０）を、第１のリード部（１２１）の非横断部（１４）に接続したことを特徴とする。

それによれば、第１のリード部（１２１）の上面（１２ａ）のうち横断部（１３）が、非横断部（１４）よりも当該ワイヤ（３０）側からみて低くなるため、第２のリード部（１２２）に接続されているワイヤ（３０）と第１のリード部（１２１）との距離を拡大することができ、第２のリード部（１２２）のワイヤ（３０）の第１のリード部（１２１）への接触を抑制できる。つまり、リード部と当該リード部以外のリード部に接続されたワイヤとが接触するのを極力防止することができる。

ここで、第１のリード部（１２１）の上面（１２ａ）における横断部（１３）と非横断部（１４）との境界線を、横断部（１３）を横断するワイヤ（３０）の長手方向に平行に延びるものとすれば、リード部（１２）において薄肉部である横断部（１３）の面積を極力少ないものにできる（後述の図３参照）。

また、アイランド部（１１）の上面（１１ａ）のうちアイランド部（１１）の周辺部に位置する部位が、当該周辺部の内周側の部位に比べてワイヤ（３０）側から引っ込んだ形となるように、アイランド部（１１）を、その周辺部が当該周辺部の内周側の部位よりも板厚が薄くなっているものにすれば、アイランド部（１１）とこれを横断するワイヤ（３０）との接触を、極力防止できる（後述の図８参照）。

ここで、複数個のリード部（１２）のうち第１のリード部（１２１）は複数個あってもよいし、１個のみでもよい。複数個の場合、次のようにしてもよい。

すなわち、複数個のリード部（１２）のそれぞれを、一端部が平面四角形をなす半導体素子（２０）の辺に対向し他端部が半導体素子（２０）の外方に延びた状態にて当該辺に沿って配列し、これらリード部（１２）のうちの複数個が前記第１のリード部（１２１）として構成されている場合には、複数個の第１のリード部（１２１）において、横断部（１３）と非横断部（１４）との境界線を、当該辺の中央部から端部へ行くにつれて当該辺との距離が短くなるように円弧状に配置してもよい（後述の図１参照）。

また、アイランド部（１１）の上面（１１ａ）側にて、半導体素子（２０）、アイランド部（１１）、リード部（１２）およびワイヤ（３０）が、モールド樹脂（４０）によって封止されており、モールド樹脂（４０）の下面（４１）から当該下面（４１）と同一面上にてアイランド部（１１）の下面（１１ｂ）およびリード部（１２）の下面（１２ｂ）が露出しているものであってもよい。

このような場合でも、リード部（１２）の上面（１２ａ）のみを一部引っ込ませるように加工すればよく、リード部（１２）の下面（１２ｂ）の形状やサイズを変える必要はない。そのため、検査性やはんだ付け性にはほとんど影響しない。

また、アイランド部（１１）の上面（１１ａ）と第１のリード部（１２１）の非横断部（１４）とが同一の平面上に位置しているものであってもよい。この場合、１枚のリードフレーム（１０）によって、上記した横断部（１３）および非横断部（１４）を有する構成を形成することが可能となる。

なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。

（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置１００の概略構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中のＡ−Ａ一点鎖線に沿った概略断面図、（ｃ）は（ａ）中のＢ−Ｂ一点鎖線に沿った概略断面図である。なお、図１（ａ）においては、モールド樹脂４０の外形を破線で示すとともにモールド樹脂４０を透過してその内部構成を示している。

また、図２は、図１に示される半導体装置１００におけるリードフレーム１０の単体構成を示す図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）中のＣ−Ｃ一点鎖線に沿った概略断面図である。

なお、これら図１および図２における各平面図および後述する各平面図においては、リードフレーム１０の上面のうちハーフエッチされて低くなっている部位の表面には、識別の容易化のため便宜上、点ハッチングを施してある。

まず、本実施形態の半導体装置１００におけるリードフレーム１０は、アイランド部１１とアイランド部１１の周囲に位置する複数個のリード部１２とを備えている。このリードフレーム１０は、Ｃｕや４２アロイなどの通常のリードフレーム材料からなるものであり、プレス加工やエッチング加工などにより形成することができる。

ここで、本例では、アイランド部１１は、矩形板状のものであり、個々のリード部１２は平面短冊状をなす。そして、リード部１２は、アイランド部１１の４辺の外周において複数個のものが平面的に配列されている。

また、アイランド部１１のうち半導体素子２０が搭載される面である上面１１ａには、当該半導体素子２０が搭載されている。この半導体素子２０は、半導体プロセスにより形成されたＩＣチップなどである。この半導体素子２０は、図示しないダイマウント材を介してアイランド部１１の上面１１ａに接着固定されている。

ここでは、図１（ａ）に示されるように、半導体素子２０は平面四角形をなしており、複数個のリード部１２のそれぞれは、一端部が半導体素子２０の辺に対向し他端部が半導体素子２０の外方に延びた状態で当該辺に沿って配列されている。

そして、モールド樹脂４０の内部にて、半導体素子２０と各リード部１２のうちのワイヤボンディング面である上面１２ａとは、ボンディングワイヤ３０により結線され電気的に接続されている。

このボンディングワイヤ３０は、Ａｕやアルミニウムなどからなるもので、通常のワイヤボンディング法により形成可能である。ここで、各リード部１２の上面１２ｂとは、アイランド部１１の上面１１ａと同じ方向を向いている面である。

そして、モールド樹脂４０は、これらアイランド部１１、リード部１２、半導体素子２０およびボンディングワイヤ３０を包み込むように封止している。このモールド樹脂４０は、エポキシ系樹脂などの通常のモールド材料を用いてトランスファーモールド法などにより形成できるものである。

ここで、図１（ｂ）、（ｃ）に示されるように、モールド樹脂４０の下面４１は、アイランド部１１の上面１１ａとは反対側の面である下面１１ｂ側およびリード部１２の上面１２ａとは反対側の面である下面１２ｂ側に位置しており、当該モールド樹脂４０の下面４１は、アイランド部１１の下面１１ｂおよびリード部１２の下面１２ｂと同じ方向を向いている。

そして、このモールド樹脂４０の下面４１からは、当該モールド樹脂４０の下面４１と同一面上にて、アイランド部１１の下面１１ｂおよびリード部１２の下面１２ｂが露出している。これらアイランド部１１およびリード部１２の各露出面１１ｂ、１２ｂは、図示しない外部の基板などに対して本半導体装置１００を搭載するときに、はんだや導電性接着剤、銀ペーストなどにより接合される部位である。

そして、本半導体装置１００においては、ボンディングワイヤ３０のうち、当該ボンディングワイヤ３０に接続されるべきリード部１２以外のリード部１２の上を横断するものが存在する。逆に言えば、ある１つのリード部１２をみたとき、当該１つのリード部１２に接続されるべきでないワイヤ３０によって、当該１つのリード部１２の上面１２ａが横断されている部分が存在する。

つまり、図１（ａ）中のＡ−ＡおよびＢ−Ｂの各一点鎖線近傍部に示されるように、複数個のリード部１２のうちのある１つのリード部１２を第１のリード部１２１とし、この第１のリード部１２１以外のリード部を第２のリード部１２２としたとき、第２のリード部１２２に接続されたワイヤ３０が、第１のリード部１２１の上面１２ａの上を横断している。言い換えれば、第２のリード部１２２に接続されたワイヤ３０が、第１のリード部１２１の上面１２ａを跨いでいる。

なお、本実施形態において、半導体素子２０の辺に沿って配列された複数個のリード部１２のうちの複数個が第１のリード部１２１として構成されている。つまり、第１のリード部１２１および第２のリード部１２２の関係は相対的なものであり、第１のリード部１２１は、他のリード部１２との関係では第２のリード部１２２にもなりうる。

このことについて、図１（ａ）の下方に位置する４個のリード部１２に便宜上、符号１２１ａ〜１２１ｄを付けて、具体的に説明する。これら４個のリード部１２１ａ〜１２１ｄのうち図１（ａ）中の左から１番目、２番目、３番目、４番目のリード部をそれぞれ、１番目リード部１２１ａ、２番目リード部１２１ｂ、３番目リード部１２１ｃ、４番目リード部１２１ｄということにする。

この場合、１番目リード部１２１ａは第１のリード部であり、この第１のリード部１２１ａのすぐ右隣の２番目リード部１２１ｂが第２のリード部である。そして、２番目リード部１２１ｂのワイヤ３０が左隣の１番目リード部１２１ａの上を横断している。

しかし、この２番目リード部１２１ｂは、その右隣すなわち３番目リード部１２１ｃとの関係においては、第１のリード部として構成されており、３番目リード部１２１ｃのワイヤ３０が２番目リード部１２１ｂの上を横断している。さらに、３番目リード部１２１ｃは４番目リード部１２１ｄとの関係では第１のリード部となる。

このように、本実施形態では、第１および第２のリード部１２１、１２２はそれぞれ複数個存在し、ワイヤ３０の横断に関する第１および第２のリード部の関係も、相対的に複数個存在している。

ここにおいて、第１のリード部１２１の上面１２ａのうち第２のリード部１２２に接続されたボンディングワイヤ３０によって横断されている部位を、以下、横断部１３ということとする。さらに、第１のリード部１２１の上面１２ａのうち第２のリード部１２２に接続されたボンディングワイヤ３０によって横断されていない部位を、以下、非横断部１４ということにする。

そして、本実施形態においては、第２のリード部１２２のボンディングワイヤ３０の第１のリード部１２１への接触を抑制する目的で、図１、図２に示されるように、第１のリード部１２１の上面１２ａのうち横断部１３が、非横断部１４に比べてボンディングワイヤ３０側から引っ込んだ形としている。

この構成は、図１（ｂ）、図２（ｂ）に示されるように、横断部１３が非横断部１４よりも板厚が薄いものとなるように、第１のリード部１２１の上面１２ａを部分的にハーフエッチングすることにより形成される。このハーフエッチングは、通常のリードフレームにおけるエッチング加工技術を用いて容易に実現できる。

さらに言うならば、本実施形態においては、第１のリード部１２１の上面１２ａが、板厚の相違による段差を境界線として、薄肉の横断部１３と厚肉の非横断部１４との２つの領域に区別されている。そして、第２のリード部１２の上面１２ａに正対した方向からみたとき、横断部１３は、第２のリード部１２２のワイヤ３０が重なる領域であり、非横断部１４は、第２のリード部１２２のワイヤ３０と重ならない領域である。

また、上述したように、横断部１３および非横断部１４を有する第１のリード部１２１が、平面四角形の半導体素子２０の辺に沿って複数個配列されているが、図１（ａ）に示されるように、これら複数個の第１のリード部１２１における横断部１３と非横断部１４との境界線は、半導体素子２０の外側に凸となった円弧状に配置されている。

すなわち、当該円弧状に配置された複数個の境界線においては、半導体素子２０の１辺の中央部側に位置する境界線よりも、当該１辺の端部側に位置する境界線の方が当該１辺との距離が短くなっている。

また、図１（ｂ）、図２（ｂ）に示されるように、アイランド部１１の上面１１ａと第１のリード部１２１の非横断部１４とが、実質的に同一の平面上に位置している。つまり、モールド樹脂４０の下面４１を基準として、アイランド部１１の上面１１ａと第１のリード部１２１の非横断部１４とが実質的に同じ高さに位置している。

そして、図１に示されるように、この第１のリード部１２１の非横断部１４をワイヤボンディング面として、第１のリード部１２１に接続されるべきボンディングワイヤ３０は、当該非横断部１４に接続されている。

次に、このＱＦＮパッケージ構造を有する半導体装置１００の製造方法について述べる。まず、上記図２に示されるようなリードフレーム１０を用意する。このリードフレーム１０は、プレス加工やエッチング加工などによって、アイランド部１１およびリード部１２を形成する。

ここで、このリードフレーム１０において、通常のリードフレームに対して行われる酸やアルカリを用いたウェットエッチングなどにより、リードフレーム１０の上面側の横断部１３となる部位をハーフエッチングする。それにより、リード部１２の上面１２ａは、上記したような段差である境界線を挟んで横断部１３と非横断部１４とに区画された構成となる。

次に、このリードフレーム１０において、アイランド部１１上に半導体素子２０をダイマウント材などを介して搭載固定し、半導体素子２０とリード部１２のとの間でワイヤボンディングを行い、これらの間を上記ボンディングワイヤ３０で結線する。

次に、ここまでの工程に供されたワークを、図示しない樹脂成型用の金型に設置し、トランスファーモールド成形などによってモールド樹脂４０による封止を行う。それにより、アイランド部１１、リード部１２、半導体素子２０、ボンディングワイヤ３０がモールド樹脂４０により封止される。

なお、このモールド樹脂４０による樹脂封止にあたっては、たとえば、リードフレーム１０の下面にテープなどを貼り付けておき、樹脂封止後に当該テープを剥がすことにより、アイランド部１１およびリード部１２の下面１１ｂ、１２ｂが、モールド樹脂４０から露出した構成が実現される。

その後、モールド樹脂４０、および、モールド樹脂４０から突出するリードフレーム１０の部分を、ダイシングカットし、個々のパッケージの単位に個片化する。こうして、図１に示されるような本実施形態の半導体装置１００ができあがる。

ところで、本実施形態によれば、第１のリード部１２１の上面１２ａのうち横断部１３が、第２のリード部１２２のボンディングワイヤ３０が横断していない非横断部１４よりも当該ワイヤ３０側からみて低くなった構成としている。そのため、第２のリード部１２２のワイヤ３０が第１のリード部１２１を横断する部分において、当該ワイヤ３０と第１のリード部１２１との距離を拡大することができる。

それにより、第２のリード部１２２のボンディングワイヤ３０が、第１のリード部１２１の横断部１３へ接触しにくくなる。つまり、本実施形態によれば、リード部１２を、当該リード部１２以外のリード部１２に接続されたボンディングワイヤ３０が跨いでいる部分において、当該リード部１２と当該ワイヤ３０とが接触するのを極力防止し、短絡などの不具合を抑制した半導体装置１００を提供できる。

また、上記した本半導体装置１００の製造方法において、モールド樹脂による封止を行うときに、上記金型内を流れてくる樹脂によってワイヤ流れが生じたとしても、、このワイヤ流れによって、第２のリード部１２２のワイヤ３０が第１のリード部１２１に接触することを極力防止できる。

また、本実施形態によれば、アイランド部１１の上面１１ａと第１のリード部１２１の非横断部１４とが、実質的に同一の平面上に位置しているが（図１（ｂ）、図２（ｂ）参照）、このような構成は、１枚のリードフレーム１０の上面において、横断部１３となる部位のみをハーフエッチングすれば実現できる。

つまり、本実施形態は、たとえば非横断部に別体の板材を載せてリード部１２全体の板厚を、横断部と非横断部とで異ならせるものとは相違する。そのため、非横断部１４すなわちリード部１２におけるワイヤボンディング面の高さを変えることなく、ワイヤボンドの安定性を確保しつつ、ワイヤ接触防止の効果を発揮することが可能となる。

また、本実施形態では、モールド樹脂４０の下面４１から当該モールド樹脂４０の下面４１と同一面上にて、アイランド部１１の下面１１ｂおよびリード部１２の下面１２ｂが露出しているが、上述のように、リードフレーム１０の上面のみをハーフエッチングすればよく、リードフレーム１０の下面側は加工する必要がない。そのため、これら露出面１１ｂ、１２ｂの面積や形状を変えることがなく、半導体装置１００の検査性やはんだ付け性などは確保される。

（第２実施形態）
図３は、本発明の第２実施形態に係る半導体装置１０１の概略平面構成を示す図であり、モールド樹脂４０を透過してその内部構成を示している。なお、ここでは、ボンディングワイヤ３０は、全数ではなく一部のみ示してある。

上記第１実施形態との相違点を述べると、本実施形態では、図３に示されるように、個々の第１のリード部１２１の上面１２ａにおいて、横断部１３と非横断部１４との境界線が、当該横断部１３を横断するボンディングワイヤ３０の長手方向に平行に延びる線となっている。

ここで、図４（ａ）は、図３に示される本実施形態のリード部１２の上面１２ａの拡大平面図であり、図４（ｂ）は、上記第１実施形態のリード部１２の上面１２ａの拡大平面図である。

図４（ａ）と図４（ｂ）とを比較するとわかるが、本実施形態によれば、上記境界線をワイヤ３０に平行とすることにより、上記第１実施形態に比べて、薄肉部である横断部１３の面積が少なくなるため、ハーフエッチングによる加工量の低減が可能となる。

また、本実施形態において、リード部と当該リード部以外のリード部に接続されたワイヤとが接触するのを極力防止できることは、もちろんである。

（第３実施形態）
図５は、本発明の第３実施形態に係る半導体装置１０２の概略平面構成を示す図であり、モールド樹脂４０を透過してその内部構成を示している。なお、ここでは、ボンディングワイヤ３０は、全数ではなく一部のみ示してある。

上記各実施形態では、半導体素子２０の辺に沿って複数個配列されている第１のリード部１２１における横断部１３と非横断部１４との境界線が、半導体素子２０の外側に凸となった円弧状に配置されていた。

しかし、第２のリード部１２２とは、第１のリード部１２１に隣り合うリード部とは限らない。たとえば、第１のリード部１２１以外の第２のリード部１２２としては、第１のリード部１２１に隣り合うリード部のさらに隣、もしくは複数個おいた隣のリード部であってもよい。また、１つの第１のリード部１２１に対し、第２のリード部１２２のワイヤ３０が複数本、横断していてもよい。

つまり、横断部１３のレイアウトは、上記したような境界線を円弧状としたパターンに限るものではなく、図５に示されるように、ボンディングワイヤ３０のレイアウトに応じて、横断部１３のレイアウトも自由に配置すればよい。この場合も、上記同様に、リード部と当該リード部以外のリード部に接続されたワイヤとが接触するのを極力防止することができる。

図５に示される半導体装置１０２では、符号を付してある第１のリード部１２１に対して、その隣に位置する第２のリード部１２２の複数本のボンディングワイヤ３０が横断している。そのため、当該第１のリード部１２１では、これら複数本のワイヤ３０が横断する横断部１３をハーフエッチングによって薄肉化している。

（第４実施形態）
図６は、本発明の第４実施形態に係る半導体装置１０３の概略平面構成を示す図である。ここでも、モールド樹脂４０を透過してその内部構成を示すとともに、ボンディングワイヤ３０は、全数ではなく一部のみ示してある。

上記した各実施形態では、リード部１２の上面１２ａをハーフエッチングする構成において、リード部１２の上面１２ａのうち半導体素子２０側の端部から横断部１３までの全域をハーフエッチングしていた。つまり、第１のリード部１２１の上面１２ａのうち半導体素子２０側を薄肉の横断部１３、それとは反対側を厚肉の非横断部１４というように２つの領域に分けていた。

それに対して、本実施形態の半導体装置１０３では、図６に示されるように、ボンディングワイヤ３０のレイアウトに応じて、薄肉の横断部１３を島状に設けた構成としている。この場合、ハーフエッチングの加工領域を低減できるとともに、図７に示されるように、第１のリード部１２１のうち横断部１３よりも半導体素子２０側の部位にて、ワイヤ３０を接続することも可能である。

（第５実施形態）
図７（ａ）は、本発明の第５実施形態に係る半導体装置１０４の概略平面構成を示す図であり、図７（ｂ）は同半導体装置１０４の部分概略断面図である。なお、図７（ａ）においても、モールド樹脂４０を透過してその内部構成を示すとともに、ボンディングワイヤ３０は、全数ではなく一部のみ示してある。

本実施形態の半導体装置１０４では、図７に示されるように、横断部１３を非横断部１４よりも低くすることで、リード部１２とワイヤ３０との接触を極力防止する点は、上記第１実施形態と同様であるが、さらに、本実施形態では、アイランド部１１の上面１１ａのうちアイランド部１１の周辺部であって半導体素子２０の外側に位置する部位を、当該周辺部の内周側の部位に比べてワイヤ３０側から引っ込ませている。

具体的には、図７（ｂ）に示されるように、アイランド部１１の上面１１ａのうちアイランド部１１の周辺部に位置する部位を、上記リード部１２と同様にハーフエッチング加工することにより、アイランド部１１の周辺部の板厚を、当該周辺部の内周側の部位の板厚よりも薄くしている。

なお、図７（ａ）では、このアイランド部１１の薄肉の部位の表面に、便宜上、点ハッチングを施してある。この場合、アイランド部１１の上面１１ａのうち半導体素子２０が直接搭載されている部位は、リード部１２の非横断部１４と同一平面である。そして、本実施形態によれば、アイランド部１１においても、当該アイランド部１１とこれを横断するボンディングワイヤ３０との接触を、極力防止することができる。

（第６実施形態）
図８は、本発明の第６実施形態に係る半導体装置１０５の概略平面構成を示す図である。ここでも、モールド樹脂４０を透過してその内部構成を示すとともに、ボンディングワイヤ３０は、全数ではなく一部のみ示してある。

この種の半導体装置においては、複数本のボンディングワイヤ３０が放射状に配置されることが多く（上記図１参照）、特に半導体素子２０の角部に近いところでは、リード部１２とこれを横断するワイヤ３０とのなす角度が大きくなるため、垂れなどによる接触が起こりやすい。

そこで、本実施形態のように、半導体素子２０の角部近傍に位置する第１のリード部１２１のみ選択的に、横断部１３の薄肉化を行ってもよい。この場合も、当該半導体素子２０の角部近傍において、リード部と当該リード部以外のリード部に接続されたワイヤとが接触するのを極力防止することができる。

（他の実施形態）
なお、上記各実施形態の半導体装置においては、複数個のリード部１２のうちのある１つの第１のリード部１２１の上面１２ａを、第１のリード部１２１以外の第２のリード部１２２に接続されたワイヤ３０が、跨いで横断している。

このことは、半導体装置において、そのような第１のリード部と第２のリード部との関係が１箇所でも存在すればよいことを意味するものであり、上記各実施形態のように、第１、第２のリード部がそれぞれ複数個存在する場合に限らず、第１のリード部、第２のリード部がそれぞれ１個のみであってもよい。

また、半導体装置における複数個のリード部１２の配置形態は、上記した各図のように、アイランド部１１の全周を取り囲むような配置に限るものではない。たとえば、上記各図中のアイランド部１１における１つの辺の外側にのみ、あるいは、対向する２辺の外側にのみ、複数個のリード部が配置されていてもよい。

また、上記第４実施形態では、リード部１２に対して横断部１３を島状に設けた構成が提供されているが、これに関連して、１つの第１のリード部に対して第２のリード部のワイヤが複数本、横断している場合には、これに対応して、１つの第１のリード部に対して複数個の横断部を島状に設けてもよい。

また、リードフレームにおけるアイランド部および個々のリード部の形状についても、上記した各図に示される形状に限定されるものではない。また、半導体装置としては、上記したワイヤの横断に関する第１のリード部および第２のリード部を有するものであればよく、たとえば、半導体素子、アイランド部、リード部およびワイヤがモールド樹脂によって封止されていないものであってもよい。

また、上記各実施形態では、モールド樹脂４０の下面４１から当該モールド樹脂４０の下面４１と同一面上にてリード部１２の下面１２ｂが露出しているＱＦＮパッケージの例を述べたが、半導体装置としては、アイランド部上に搭載された半導体素子とリード部とをワイヤで接続してなるものであれば、ＱＦＮのようなアウターリードを持たないリードレスタイプのもの以外でもよい。

本発明の第１実施形態に係る半導体装置の概略構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中のＡ−Ａ概略断面図、（ｃ）は（ａ）中のＢ−Ｂ概略断面図である。 図１中のリードフレームの単体構成を示す図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）中のＣ−Ｃ概略断面図である。 本発明の第２実施形態に係る半導体装置の概略平面図である。 （ａ）は、図３中のリード部の上面の拡大平面図であり、（ｂ）は、上記第１実施形態のリード部の上面の拡大平面図である。 本発明の第３実施形態に係る半導体装置の概略平面図である。 本発明の第４実施形態に係る半導体装置の概略平面図である。 （ａ）は、本発明の第５実施形態に係る半導体装置の概略平面図であり、（ｂ）は同半導体装置の部分概略断面図である。 本発明の第６実施形態に係る半導体装置の概略平面図である。 本発明者の試作品としての半導体装置を示す図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）中のＤ−Ｄ部分断面図である。

符号の説明

１０…リードフレーム、１１…アイランド部、１１ａ…アイランド部の上面、
１１ｂ…アイランド部の下面、１２…リード部、１２ａ…リード部の上面、
１２ｂ…リード部の下面、１３…横断部、１４…非横断部、２０…半導体素子、
３０…ボンディングワイヤ、４０…モールド樹脂、４１…モールド樹脂の下面、
１２１…第１のリード部、１２２…第２のリード部。

Claims (6)

1. アイランド部（１１）および前記アイランド部（１１）の周囲に複数個配置されたリード部（１２）を備えるリードフレーム（１０）と、
   前記アイランド部（１１）の上面（１１ａ）に搭載された半導体素子（２０）と、
   前記半導体素子（２０）とそれぞれの前記リード部（１２）の上面（１２ａ）とを接続するワイヤ（３０）とを備え、
   前記複数個のリード部（１２）のうちのある１つのリード部を第１のリード部（１２１）とし、この第１のリード部（１２１）以外のリード部を第２のリード部（１２２）としたとき、
   前記第２のリード部（１２２）に接続された前記ワイヤ（３０）が、前記第１のリード部（１２１）の前記上面（１２ａ）の上を横断している半導体装置において、
   前記第１のリード部（１２１）の上面（１２ａ）のうち前記第２のリード部（１２２）に接続された前記ワイヤ（３０）によって横断されている部位である横断部（１３）が、当該ワイヤ（３０）によって横断されていない部位である非横断部（１４）に比べて当該ワイヤ（３０）側から引っ込んだ形となるように、
   前記第１のリード部（１２１）は、前記横断部（１３）が前記非横断部（１４）よりも板厚が薄いものとなっており、
   前記第１のリード部（１２１）に接続されるべき前記ワイヤ（３０）は、前記第１のリード部（１２１）の前記非横断部（１４）に接続されていることを特徴とする半導体装置。
2. 前記第１のリード部（１２１）の前記上面（１２ａ）における前記横断部（１３）と前記非横断部（１４）との境界線は、前記横断部（１３）を横断する前記ワイヤ（３０）の長手方向に平行に延びるものであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記アイランド部（１１）の前記上面（１１ａ）のうち前記アイランド部（１１）の周辺部に位置する部位が、当該周辺部の内周側の部位に比べて前記ワイヤ（３０）側から引っ込んだ形となるように、
   前記アイランド部（１１）は、その周辺部が当該周辺部の内周側の部位よりも板厚が薄くなっているものであることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
4. 前記半導体素子（２０）は平面四角形をなしており、
   前記複数個のリード部（１２）のそれぞれは、一端部が前記半導体素子（２０）の辺に対向し他端部が前記半導体素子（２０）の外方に延びた状態にて当該辺に沿って配列されており、
   これら半導体素子（２０）の辺に沿って配列された前記リード部（１２）のうちの複数個が前記第１のリード部（１２１）として構成されており、
   これら複数個の第１のリード部（１２１）においては、前記横断部（１３）と前記非横断部（１４）との境界線は、当該辺の中央部から端部へ行くにつれて当該辺との距離が短くなるように円弧状に配置されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の半導体装置。
5. 前記アイランド部（１１）の前記上面（１１ａ）側にて、前記半導体素子（２０）、前記アイランド部（１１）、前記リード部（１２）および前記ワイヤ（３０）が、モールド樹脂（４０）によって封止されており、
   前記モールド樹脂（４０）の下面（４１）からは当該モールド樹脂（４０）の下面（４１）と同一面上にて前記アイランド部（１１）の下面（１１ｂ）および前記リード部（１２）の下面（１２ｂ）が露出していることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の半導体装置。
6. 前記アイランド部（１１）の上面（１１ａ）と前記第１のリード部（１２１）の非横断部（１４）とが同一の平面上に位置していることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１つに記載の半導体装置。

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