JP2007294568A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】リードフレームのアイランド部上に半導体素子を設けたものをモールド樹脂で封止するとともに、アイランド部の下面をモールド樹脂から露出させてなる半導体装置において、アイランド部の上面に発生する樹脂剥離の進展を極力防止する。
【解決手段】アイランド部１１および端子部１２を有するリードフレーム１０と、アイランド部１１の上面１１ａに搭載され端子部１２とボンディングワイヤ３０にて電気的に接続された半導体素子２０と、これら各部を封止するモールド樹脂４０とを備え、アイランド部１１の下面１１ｂがモールド樹脂４０から露出している半導体装置１００において、アイランド部１１の上面１１ａのうち半導体素子２０の周囲に位置する部位に、当該上面１１ａから突出する環状の壁部１４を、半導体素子２０を取り囲むように設けている。
【選択図】図１

Description

本発明は、リードフレームのアイランド部上に半導体素子を設けたものをモールド樹脂で封止するとともに、アイランド部の下面をモールド樹脂から露出させてなる半導体装置に関する。

従来より、この種の半導体装置としては、アイランド部およびアイランド部の周囲に位置する端子部を有するリードフレームと、アイランド部の上面に搭載され端子部と電気的に接続された半導体素子と、これら半導体素子、アイランド部および端子部を封止するモールド樹脂とを備え、さらにアイランド部の下面をモールド樹脂から露出させたものが提案されている（特許文献１参照）。

このような半導体装置においては、高・低温の熱衝撃が繰り返し印加されると、アイランド部とモールド樹脂との熱膨張係数差により、アイランド部の上面とモールド樹脂との界面において、せん断方向に応力が発生して、モールド樹脂の剥離すなわち樹脂剥離が発生する。

そして、この樹脂剥離は、さらに当該界面に沿って進展し、アイランド部の上面から端部を通って、ついにはアイランド部の下面すなわちモールド樹脂の外部に到達する。その結果、この樹脂剥離による隙間を通して外部から水分等の不純物が侵入して半導体装置の故障の原因となる。

これに対し、上記特許文献１に記載の半導体装置では、この樹脂剥離の進展を防止するために、アイランド部の上面に溝部を形成し、それによるアンカー効果を利用して樹脂剥離を抑制するようにしている。
特許３０６２６９１号公報

本発明者は、上記特許文献１に記載されている従来技術に基づいて、アイランド部に対して樹脂剥離抑制用の溝を設けた半導体装置を試作し、この半導体装置について検討を行った。

図７は、この本発明者が試作した試作品としての半導体装置の構成を示す図であり、（ａ）はモールド樹脂４０の下面から見た概略平面図、（ｂ）は（ａ）中のＡ−Ａ概略断面図である。

この試作品においては、アイランド部１１およびアイランド部１１の周囲に位置する端子部１２を有するリードフレーム１０が備えられ、アイランド部１１の上面１１ａには半導体素子２０が搭載され、半導体素子２０と端子部１２とがボンディングワイヤ３０により電気的に接続され、これら各部がモールド樹脂４０により封止されている。

さらに、アイランド部１１の上面１１ａとは反対側の下面１１ｂがモールド樹脂４０の下面から露出している。また、端子部１２の下面もモールド樹脂４０の下面から露出している。

このような半導体装置は、いわゆるＱＦＮパッケージ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ−Ｌｅａｄｅｄ Ｐａｃｋａｇｅ）と呼ばれ、端子部１２をハーフモールドすることにより、ＳＯＰ（スモールアウトラインパッケージ）やＱＦＰ（クワッドフラットパッケージ）などガルウイング形状のアウターリード部を無くし、パッケージの小型化に有利な構造となっている。

また、この試作品においては、アイランド部１１の上面１１ａに対して、従来と同じく樹脂剥離の進展を防止するための環状の溝部１６を、半導体素子２０を取り囲むように設けている。

さらに、このようなＱＦＮパッケージにおいては、図７に示されるように、モールド樹脂４０から露出するアイランド部１１の下面１１ｂに、半導体装置の向きを認識するための凹部としての認識マーク１５を設けることが一般的である。この認識マーク１５は、一般に１ピンマークと言われており、例えば、ＱＦＮパッケージにおける複数個の端子部１２の順番を認識するためのものである。

このような試作品について、本発明者が検討を行ったところ、アイランド部１１の上面１１ａに溝部１６を設けたとしても、この溝部１６を越えて樹脂剥離が進展する場合があることがわかった。

図８は、この溝部１６を越えて樹脂剥離Ｋが進展する様子を示す概略断面図である。図８（ａ）に示されるように、溝部１６の内周側で発生した樹脂剥離Ｋ（図中、太線で示す）は、例えば溝部１６の幅が狭い場合などには、図８（ｂ）に示されるように、樹脂クラックを発生し、溝部１６を乗り越えて溝部１６の外周側まで進展する。すると、上述したように、この樹脂剥離Ｋはモールド樹脂４０の外部に到達する。

一方、通常のＱＦＮパッケージにおいて設けられる認識マーク１５は、図７に示されるように、アイランド部１１の端部においてアイランド部１１の下面１１ｂからその厚さ方向の途中部までを切り欠いた凹部として構成される。また、この認識マーク１５は、通常、半導体装置において１番目となる端子部１２の近傍に設けられる。

このような認識マーク１５を設けた場合、この認識マーク１５と溝部１６とが重なる位置関係、すなわち互いに干渉した位置関係となり、図７（ｂ）に示されるように、これら両者１５、１６が干渉する部位においてアイランド部１１の上面１１ａから下面１１ｂへ貫通する貫通穴Ｈが形成されやすい。

モールド樹脂４０とアイランド部１１とが剥離していない場合においても、両者１１、４０の界面を通して外部から侵入した水分の膨張や気化などによりポップコーンクラックが発生することが、一般的に知られている。

そして、図７に示されるように、アイランド部１１に、このような貫通穴Ｈが形成された場合、水分の外部からの侵入経路が短くなることから、上記したポップコーンクラックが発生しやすく、アイランド部１１における樹脂剥離が発生しやすくなる、という新たな問題が発生する。

ここにおいて、単純には、認識マーク１５と干渉しないよう溝部１６の径を小さくして、溝部１６をアイランド部１１の内周側に移動させることが考えられるが、この場合、半導体素子２０の大きさによっては、溝部１６と半導体素子２０とが干渉してしまうため、アイランド部１１に搭載できる半導体素子２０の大きさが制限される、という別の問題を招くことになる。

本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、リードフレームのアイランド部上に半導体素子を設けたものをモールド樹脂で封止するとともに、アイランド部の下面をモールド樹脂から露出させてなる半導体装置において、アイランド部の上面に発生する樹脂剥離の進展を極力防止することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明は、リードフレーム（１０）のアイランド部（１１）上に半導体素子（２０）を設けたものをモールド樹脂（４０）で封止するとともに、アイランド部（１１）の下面（１１ｂ）をモールド樹脂（４０）から露出させてなる半導体装置において、アイランド部（１１）の上面（１１ａ）のうち半導体素子（２０）の周囲に位置する部位に、当該上面（１１ａ）から突出する環状の壁部（１４）を、半導体素子（２０）を取り囲むように設けたことを、第１の特徴とする。

それによれば、アイランド部（１１）の上面（１１ａ）にて当該上面（１１ａ）から突出する環状の壁部（１４）を半導体素子（２０）の全周囲に設けることにより、壁部（１４）の内周に発生した樹脂剥離は壁部（１４）を越えないと進展していかないため、従来の溝部に比べて、アイランド部（１１）の上面（１１ａ）に発生する樹脂剥離の進展を極力防止することができる。

また、本発明は、リードフレーム（１０）のアイランド部（１１）上に半導体素子（２０）を設けたものをモールド樹脂（４０）で封止するとともに、アイランド部（１１）の下面（１１ｂ）をモールド樹脂（４０）から露出させてなる半導体装置において、アイランド部（１１）の下面（１１ｂ）に、当該半導体装置の向きを認識するための凹部としての認識マーク（１５）を設け、アイランド部（１１）の上面（１１ａ）に、環状の溝部（１６）を、半導体素子（２０）を取り囲むように設け、認識マーク（１５）を溝部（１６）よりも半導体素子（２０）側に配置したことを、第２の特徴とする。

それによれば、認識マーク（１５）を溝部（１６）の内周側に配置させた形となるため、凹部である認識マーク（１５）と溝部（１６）とを干渉させることなく、溝部（１６）による半導体素子（２０）の搭載可能領域の縮小を防止しながら、当該溝部（１６）の効果によって、アイランド部（１１）の上面（１１ａ）に発生する樹脂剥離の進展を極力防止することができる。

なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。

（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係るＱＦＮパッケージとしての半導体装置１００の構成を示す図であり、（ａ）はモールド樹脂４０の下面から見た概略平面図、（ｂ）は（ａ）中のＢ−Ｂ概略断面図である。

本半導体装置１００におけるリードフレーム１０は、アイランド部１１とアイランド１１の周囲に位置する端子部１２とを備えている。このリードフレーム１０は、Ｃｕや４２アロイなどの通常のリードフレーム材料からなるものであり、プレス加工やエッチング加工などにより形成することができる。

ここで、本例では、アイランド部１１は、矩形板状のものであり、端子部１２は、アイランド部１１の４辺の外周において複数個のものが配列されている。また、アイランド部１１の上面１１ａには、半導体素子２０が搭載されている。

この半導体素子２０は、特に限定されるものではないが、本例では半導体プロセスにより形成されたＩＣチップである。ここでは、半導体素子２０は、図示しないダイボンド材を介してアイランド部１１に接着固定されている。

また、端子部１２は、モールド樹脂４０内にてアイランド部１１とは分離されているが、本実施形態のリードフレーム１０では、さらに、図１（ａ）に示されるように、モールド樹脂４０内にてアイランド部１１と一体に連結されている吊りリード１３が設けられている。

この吊りリード１３は、通常のリードフレームに備えられるものであり、ここでは、吊りリード１３は、矩形板状のアイランド部１１の４隅部から、矩形板状のモールド樹脂４０の４隅部に向かって延びている。

このような吊りリード１３は、リードフレーム１０の単体の状態において、アイランド部１１をフレーム部（図示せず）に連結しておくためのものであり、モールド樹脂４０による封止後には、モールド樹脂４０の外側において上記フレーム部から切り離されるものである。

そして、図１（ｂ）に示されるように、モールド樹脂４０内にて、半導体素子２０の上面と各端子部１２の上面とは、ボンディングワイヤ３０により結線され電気的に接続されている。このボンディングワイヤ３０は、Ａｕやアルミニウムなどからなるもので、通常のワイヤボンディング法により形成可能である。

そして、モールド樹脂４０は、これらアイランド部１１、端子部１２、吊りリード１３、半導体素子２０およびボンディングワイヤ３０を包み込むように封止している。このモールド樹脂４０は、エポキシ系樹脂などの通常のモールド材料を用いてトランスファーモールド法などにより形成できるものである。

ここで、図１に示されるように、半導体装置１００においては、アイランド部１１の下面１１ｂおよび端子部１２の下面が、モールド樹脂４０の下面から露出している。これらモールド樹脂４０の下面から露出するアイランド部１１の下面１１ｂおよび端子部１２の下面は、例えばプリント基板やセラミック基板などの図示しない基板などとはんだ付けされる部位である。

図１に示される例では、モールド樹脂４０の下面から露出する端子部１２の下面は、アイランド部１１の４辺の各辺に沿って設けられた平面短冊状をなすものである。また、アイランド部１１の下面１１ｂは、アイランド部１１の平面形状そのままの矩形状をなしている。

ここで、本実施形態の半導体装置１００においては、図１に示されるように、アイランド部１１の上面１１ａのうち半導体素子２０の周囲に位置する部位には、アイランド部１１の上面１１ａから上方に突出する環状の壁部１４が、半導体素子２０を取り囲むように設けられている。

本例では、壁部１４は、平面矩形状のアイランド部１１の形状と対応して、矩形枠状の環形状をなすものである。ここで、環状の壁部１４とは、半導体素子２０の外側の全周を途切れることなく連続的に取り囲むものである。

さらに言うならば、この壁部１４は、図１（ｂ）に示されるように、アイランド部１１の上面１１ａから上方に向かう方向（好ましくは垂直方向）に沿った平面として一対の側面１４ａ、１４ｂを有するものである。この一対の側面１４ａ、１４ｂとは、半導体素子２０側の側面１４ａすなわち内周側面１４ａと、これとは反対側の側面１４ｂすなわち外周側面１４ｂである。

図１に示される例では、壁部１４における一対の側面１４ａ、１４ｂは、アイランド部１１の上面１１ａに垂直な方向に延びる平面であるが、この側面１４ａ、１４ｂは、アイランド部１１の上面１１ａに垂直な方向から傾斜していてもよく、さらには曲面であってもよい。具体的には、壁部１４としては、図１に示される例の他に、テーパ状もしくは逆テーパ状の断面形状、または断面半円状に突出したものなどでもよい。

このような壁部１４は、例えばエッチングによって端子部１２やアイランド部１１をパターンニングしたリードフレーム１０を形成する際に、同時にアイランド部１１の表面をエッチングすることにより、工程を増加させることなく形成することができる。例えば、リードフレーム１０の素材の板厚を０．２ｍｍとして、これをエッチングすることで高さ０．１ｍｍの壁部１４を形成することができる。

次に、このリードフレーム１０を用いたＱＦＮパッケージ構造を有する半導体装置１００の製造方法について、述べる。

まず、リードフレーム１０を用意する。このリードフレーム１０は、プレス加工やエッチング加工などによって、アイランド部１１、端子部１２および吊りリード１３を形成する。ここでは、リードフレーム１０において、アイランド部１１は、その外周に位置する図示しない上記フレーム部に対して吊りリード１３を介して連結され、端子部１２と一体化されている。

次に、このリードフレーム１０において、アイランド部１１の上面１１ａに半導体素子２０を、ダイマウント材などを介して搭載固定し、半導体素子２０と端子部１２との間でワイヤボンディングを行い、これらの間を上記ボンディングワイヤ３０で結線し、電気的に接続する。

次に、ここまでの工程に供されたワークを、樹脂成型用の金型（図示せず）に設置し、トランスファーモールド成形などによりモールド樹脂４０による封止を行う。それにより、アイランド部１１、端子部１２、吊りリード１３、半導体素子２０、ボンディングワイヤ３０がモールド樹脂４０により封止される。

なお、このモールド樹脂４０による樹脂封止にあたっては、たとえば、アイランド部１１および端子部１２の各下面を上記金型の内面に押しつけた状態で樹脂の充填を行うようにすれば、アイランド部１１および端子部１２の下面が、モールド樹脂４０から露出した構成を実現することができる。

その後、モールド樹脂４０から突出するリードフレーム１０の部分、すなわち上記フレーム部の部分などをカットするなどの工程を経て、本実施形態の半導体装置１００ができあがる。

こうして、できあがった本半導体装置１００は、アイランド部１１およびアイランド部１１の周囲に位置する端子部１２を有するリードフレーム１０と、アイランド部１１の上面１１ａに搭載され端子部１２と電気的に接続された半導体素子２０と、半導体素子２０、アイランド部１１および端子部１２を封止するモールド樹脂４０とを備え、アイランド部１１の下面１１ｂおよび端子部１２の下面がモールド樹脂４０から露出している構成となる。

そして、本実施形態によれば、このような半導体装置１００において、アイランド部１１の上面１１ａにて当該上面１１ａから突出する環状の壁部１４を半導体素子２０の全周囲に連続的に設けることにより、アイランド部の上面にて壁部１４の内周に発生した樹脂剥離の進展を極力防止するようにしている。

図２は、本実施形態の壁部１４による樹脂剥離Ｋの進展の防止作用を示す図であり、壁部１４の近傍を示す概略断面図である。なお、図２において（ａ）と（ｂ）とは、応力Ｆ１の方向が反対のものであり、図２中では樹脂剥離Ｋは太線で、応力Ｆ１は白抜き矢印で示す。

本半導体装置１００に高・低温の熱衝撃が印加されると、モールド樹脂４０とアイランド部１１との熱膨張係数の差により、アイランド部１１の上面１１ａに平行な方向の応力Ｆ１が発生する。それにより、モールド樹脂４０とアイランド部１１との間で樹脂剥離Ｋが発生し、さらに両者の界面に沿って進展してゆく。

ここで、モールド樹脂４０とアイランド部１１の熱膨張係数差の大小および熱衝撃の昇温・降温により、図２（ａ）と図２（ｂ）に示されるように、上記応力Ｆ１の方向が異なるが、本実施形態では壁部１４が、一対の側面１４ａ、１４ｂを有することにより、どちらの応力Ｆ１の方向に対しても、モールド樹脂４０が壁部１４に押しつけられる部分が存在する。

例えば、図２（ａ）の場合には、上記応力Ｆ１の発生により、壁部１４における内周側面１４ａに対してモールド樹脂４０が押しつけられ、図２（ｂ）の場合には、上記応力Ｆ１の発生により、壁部１４における外周側面１４ｂに対してモールド樹脂４０が押しつけられる。

本実施形態では、そもそも従来の溝部に比べて形状的に樹脂剥離Ｋが越えにくい壁部１４を、樹脂剥離Ｋの進行における障壁としたことに加えて、このように、壁部１４にモールド樹脂４０が押しつけられる部位を存在させていることにより、壁部１４の内周に発生した樹脂剥離Ｋの進展を、適切に抑制することができる。

したがって、本実施形態によれば、従来の溝部に比べてアイランド部１１の上面１１ａに発生する樹脂剥離の進展を極力防止することができる。

なお、本実施形態において採用可能な壁部１４としては、上記図１に示される例に限定されるものではない。本実施形態に採用可能なその他の壁部１４およびその近傍部の変形例を以下に図示する。

図３は、本実施形態の第１の変形例としての半導体装置１１０の構成を示す図であり、（ａ）はモールド樹脂４０の下面から見た概略平面図、（ｂ）は（ａ）中のＣ−Ｃ概略断面図である。

この図３に示される例では、アイランド部１１の端部１１ｃを、アイランド部１１の下面１１ｂから上面１１ａに向かって広がる形状としている。このような端部１１ｃの形状はエッチングなどにて形成可能である。

本例によれば、もし、壁部１４の内周に発生した樹脂剥離が、壁部１４を乗り越えたとしても、上記の端部１１ｃの形状とすることで、当該樹脂剥離が、アイランド部１１の端部１１ｃからモールド樹脂４０の外部へ到達しにくくなる。なお、本例のような端部形状としては、アイランド部１１の下面１１ｂから上面１１ａに広がるテーパ形状であってもよい。

図４は、本実施形態の第２の変形例としての半導体装置１２０の構成を示す図であり、モールド樹脂４０の下面から見た概略平面図である。

上記図１では、環状の壁部１４は矩形枠状であったが、環状の壁部１４とは、半導体素子２０を取り囲んでいる環状の部分があればよく、この図４に示されるように、井桁状の平面パターンを有する溝部１４であってもよい。

さらには、壁部１４の環状パターンとしては、円形環、三角形環、その他の多角形環、あるいは、それ以外の任意の幾何学的な環状をなすものであってもかまわない。また、壁部１４としては、本実施形態のように１つの環ではなく、複数個の環よりなるものでもよい。例えば、壁部１４としては、内側の環とその外側の環との２つの環よりなる多重環状のものであってもよい。

図５は、本実施形態の第３の変形例としての半導体装置１３０の概略断面構成を示す図である。

上記図示例では、壁部１４の幅は当該壁部１４の高さと同等かそれ以下であったが、この図５に示されるように、壁部１４の幅は、当該壁部１４の高さよりも大きいものであってもよい。そして、これら図３〜図５に示される変形例においても、上記した本実施形態の作用効果が得られる。

（第２実施形態）
図６は、本発明の第２実施形態に係るＱＦＮパッケージとしての半導体装置２００の構成を示す図であり、（ａ）はモールド樹脂４０の下面から見た概略平面図、（ｂ）は（ａ）中のＤ−Ｄ概略断面図である。

図６に示されるように、本実施形態の半導体装置２００も、アイランド部１１および端子部１２を有するリードフレーム１０と、アイランド部１１の上面１１ａに搭載され端子部１２とボンディングワイヤ３０を介して電気的に接続された半導体素子２０と、これらを封止するモールド樹脂４０とを備え、アイランド部１１の下面１１ｂおよび端子部１２の下面がモールド樹脂４０から露出している。

ここで、本実施形態では、アイランド部１１の下面１１ｂには、当該半導体装置２００の向きを認識するための凹部としての認識マーク１５が設けられている。このような認識マーク１５を設けることにより、モールド樹脂４０の外部に露出したアイランド部１１の下面１１ｂの形状が非対称になる。

そのため、この認識マーク１５によって、半導体装置２００の回転方向の位置を認識することが可能になる。特にＱＦＮパッケージにおいては、その成型方法から、モールド樹脂４０の外形すなわちパッケージの外形が対称な四角形となることが一般的なため、認識マーク１５はよく用いられる。

そして、本実施形態では、図６に示されるように、アイランド部１１の上面１１ａに、環状の溝部１６を、半導体素子２０を取り囲むように設けている。この溝部１６は上記特許文献１に示したような樹脂剥離防止のためにものであり、本例では、半導体素子２０の全周を囲むように連続的な矩形枠状をなしている。

そして、本実施形態では、凹部としての認識マーク１５を溝部１６よりも半導体素子２０側、すなわち、溝部１６の内周に配置している。なお、これら認識マーク１５および溝部１５は、エッチングやプレスなどにより形成できる。

上述の通り（上記図７参照）、剥離進展防止用にアイランド部１１の上面１１ａに溝部１６を設けた場合、従来と同様に凹部としての認識マークをアイランド部１１の下面１１ｂに形成すると、アイランド部１１に貫通穴ができて、結果的に、ポップコーンクラックや剥離が発生しやすくなる。

その点、本実施形態では、図６に示されるように、認識マーク１５を、溝部１６の内側に配置することにより、溝部１６と認識マーク１５との位置的な干渉を避けて、上記貫通穴の形成を防止できる。また、溝部１６の径を小さくして溝部１６の位置を従来よりも半導体素子２０側にすることが不要であるため、搭載可能な半導体素子２０のサイズを小さくしなくてもよい。

このように、本実施形態によれば、認識マーク１５と溝部１６との干渉防止と、溝部１６による半導体素子２０の搭載可能領域の縮小防止とを両立させながら、溝部１６の効果によって、アイランド部１１の上面１１ａに発生する樹脂剥離の進展を極力防止することができる。

なお、溝部１６の内周に配置する認識マーク１５は、モールド樹脂４０の外部に露出したアイランド部１１の下面１１ｂの形状が非対称になればよく、その数や形状は上記図示例に限定されるものではない。たとえば、溝部１６の内周に複数個の認識マーク１５を設けてもよいし、認識マーク１５を構成する凹部の形状も円でなく四角形や三角形の凹部でもよい。

また、溝部１６の幅は、上記図８に示したような樹脂剥離の溝部の乗り越えを防止するためには、ある程度の広さが必要である。そのために必要な溝部１６の幅は、応力の大きさや樹脂の物性値によって異なるが、例えば、溝部１６の深さの２倍以上の幅にすることが望ましい。

（他の実施形態）
なお、上記実施形態では、アイランド部１１の上面１１ａに搭載された半導体素子２０と端子部１２とはボンディングワイヤ３０を介して電気的に接続されていたが、これら両者１２、２０はボンディングワイヤでなくても、例えばバンプなどで電気的に接続されていてもよい。

また、半導体素子としては、上記したＩＣチップ以外にも、アイランド部１１の上面１１ａに搭載できるものであるならば、フリップチップや半導体センサなど各種の電子部品を採用することができる。

また、上記実施形態に示した半導体装置において、モールド樹脂４０の下面にて露出するアイランド部１１の下面１１ｂおよび端子部１２の下面の形状、配置パターンは、上記図示例に限定されるものではない。

さらに、半導体装置としては、アイランド部１１の下面１１ｂおよび端子部１２の下面の両方が、モールド樹脂４０の下面から露出するものでなくてもよく、少なくともモールド樹脂４０の下面からアイランド部１１の下面１１ｂが露出していればよい。

つまり、本半導体装置はアイランド部をハーフモールドするものであればよく、モールド樹脂４０の下面からアイランド部１１の下面１１ｂのみが露出したものでもよい。この場合、端子部としては、例えば一般的なＳＯＰなどのように、モールド樹脂の側面からアウターリードとして突出するものであってもよい。

また、上記第１実施形態と上記第２実施形態とを組み合わせてもよい。たとえば、上記図６に示される半導体装置において、アイランド部１１の上面１１ａに溝部１６と干渉しない位置に、上記環状の壁部を設けてもよい。

本発明の第１実施形態に係るＱＦＮパッケージとしての半導体装置の構成を示す図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）中のＢ−Ｂ概略断面図である。 壁部による樹脂剥離の進展の防止作用を示す図である。 上記実施形態の第１の変形例としての半導体装置の構成を示す図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）中のＣ−Ｃ概略断面図である。 上記実施形態の第２の変形例としての半導体装置の構成を示す概略平面図である。 上記実施形態の第３の変形例としての半導体装置の概略断面図である 本発明の第２実施形態に係るＱＦＮパッケージとしての半導体装置の構成を示す図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）中のＤ−Ｄ概略断面図である。 本発明者の試作品としての半導体装置の構成を示す図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）中のＡ−Ａ概略断面図である。 溝部を越えて樹脂剥離が進展する様子を示す概略断面図である。

符号の説明

１０…リードフレーム、１１…アイランド部、
１１ａ…アイランド部の上面、１１ｂ…アイランド部の下面、
１２…端子部、１４…壁部、
１５…認識マーク、１６…溝部、
２０…半導体素子、４０…モールド樹脂。

Claims (2)

1. アイランド部（１１）および前記アイランド部（１１）の周囲に位置する端子部（１２）を有するリードフレーム（１０）と、
   前記アイランド部（１１）の上面（１１ａ）に搭載され前記端子部（１２）と電気的に接続された半導体素子（２０）と、
   前記半導体素子（２０）、前記アイランド部（１１）および前記端子部（１２）を封止するモールド樹脂（４０）とを備え、
   前記アイランド部（１１）の下面（１１ｂ）が前記モールド樹脂（４０）から露出している半導体装置において、
   前記アイランド部（１１）の上面（１１ａ）のうち前記半導体素子（２０）の周囲に位置する部位には、当該上面（１１ａ）から突出する環状の壁部（１４）が、前記半導体素子（２０）を取り囲むように設けられていることを特徴とする半導体装置。
2. アイランド部（１１）および前記アイランド部（１１）の周囲に位置する端子部（１２）を有するリードフレーム（１０）と、
   前記アイランド部（１１）の上面（１１ａ）に搭載され前記端子部（１２）と電気的に接続された半導体素子（２０）と、
   前記半導体素子（２０）、前記アイランド部（１１）および前記端子部（１２）を封止するモールド樹脂（４０）とを備え、
   前記アイランド部（１１）の下面（１１ｂ）が前記モールド樹脂（４０）から露出している半導体装置において、
   前記アイランド部（１１）の下面（１１ｂ）には、当該半導体装置の向きを認識するための凹部としての認識マーク（１５）が設けられており、
   前記アイランド部（１１）の上面（１１ａ）には、環状の溝部（１６）が前記半導体素子（２０）を取り囲むように設けられており、
   前記認識マーク（１５）は前記溝部（１６）よりも前記半導体素子（２０）側に配置されていることを特徴とする半導体装置。

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