JP2010087129A - 回路装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】アイランドと封止樹脂との密着強度が向上された回路装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】回路装置１０は、アイランド１６と、アイランド１６の周囲に配置されて下面が外部に露出するリード１２と、アイランド１６に実装されて金属細線を経由してリード１２と電気的に接続された半導体素子２０とを備えている。そして、アイランド１６の上面には、溝状に形成された凹状部２８が設けられており、この凹状部２６に封止樹脂１４が密着することで、アイランド１６と封止樹脂１４との密着強度が向上されている。
【選択図】図２

Description

本発明は、内蔵される半導体素子と電気的に接続されたリードが封止樹脂の主面から外部に露出する小型の回路装置およびその製造方法に関する。

半導体装置は年々大容量化されており、これに伴って各種信号線となるリード端子数も増加の傾向にある。そして、この傾向に伴ってリード端子が４方向より導出されるＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）型の半導体装置およびＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ Ｐａｃｋａｇｅ）型の半導体装置が使用されるようになってきている。

図８の断面図を参照して、ＱＦＮ型の半導体装置１００を説明する（特許文献１）。

半導体装置１００では、Ｃｕフレーム等から成るアイランド１１４上には半導体素子１１６が銀ペースト等の導電ペースト１１７を介して固着されている。そして、半導体素子１１６の電極パッド（図示せず）とリード１１５とは金属細線１１８を介して電気的に接続している。そして、Ｃｕフレームから成るアイランド１１４およびリード１１５上には、半導体素子１１６等を一体に被覆する樹脂封止体１１９が形成されている。そして、アイランド１１４およびリード１１５の裏面側には酸化防止および半田の濡れ性が考慮されメッキが施されている。
特開２００４−１７２５４２号公報

しかしながら、上記した構成の半導体装置１００では、アイランド１１４と封止樹脂１１９との密着強度が十分でない問題が有った。

具体的には、アイランド１１４の防錆性やボンダビリティを向上させるために、銅から成るアイランド１１４の表面はメッキ膜により被覆される。例えば、ニッケルメッキ膜、パラジュームメッキ膜、金メッキ膜を順次アイランド１１４の表面に成膜している。しかしながら、再表層のメッキ膜である金メッキ膜と封止樹脂との密着強度が低いので、使用状況下の温度変化により、両者の間に熱ストレスが作用して両者の界面にて剥離が発生する恐れがある。また、この剥離の問題は、アイランド１１４がメッキ膜により被覆されない場合に於いても発生する。

特に、アイランド１１４に比べて半導体素子１１６の面積が小さい場合、アイランド１１４の上面の大部分が封止樹脂１１９により被覆されることとなり、アイランド１１４と封止樹脂１１９とが接触する面積が大きくなるので、上記した剥離の問題が顕在化する。

上記のようにアイランド１１４と封止樹脂１１９との間に剥離が発生すると、この剥離が発生した箇所に沿って外部から水分が装置内部に進入するので、装置全体の耐湿性や耐圧性が劣化する。

本発明は、上述した問題を鑑みてなされ、本発明の主な目的は、アイランドと封止樹脂との密着強度が向上された回路装置およびその製造方法を提供することにある。

本発明の回路装置は、アイランドと、前記アイランドに一端が接近して下面が外部に露出するリードと、前記アイランドの上面に固着されて前記リードと電気的に接続された半導体素子と、前記アイランド、前記リードおよび前記半導体素子を一体的に被覆する封止樹脂とを備え、前記アイランドの上面に溝状の凹状部を設け、前記凹状部に前記封止樹脂を密着させることを特徴とする。

本発明の回路装置の製造方法は、アイランドおよび前記アイランドに近接されたリードからなり、前記アイランドの上面に溝状の凹状部が設けられたリードフレームを用意する工程と、前記アイランドの上面に半導体素子を固着すると共に、前記半導体素子と前記リードとを金属細線を経由して電気的に接続させる工程と、前記アイランド、前記リードおよび前記半導体素子を被覆すると共に、前記アイランドの前記凹状部にも充填されるように封止樹脂で封止する工程と、を備えたことを特徴とする。

本発明によれば、アイランドの上面を溝状に窪ませて凹状部を設け、全体を被覆する封止樹脂をこの凹状部に充填している。このことにより、凹状部に封止樹脂が充填されることでアンカー効果が発生し、アイランドと封止樹脂との剥離が抑制される。更に、凹状部を設けてアイランドの上面を異形形状とすることにより、アイランドの上面の面積が増大されるので、アイランドと封止樹脂が密着する面積も大きくなり、両者が密着する強度が更に大きくなる。

図１および図２を参照して、本発明の回路装置１０の構成を説明する。図１（Ａ）は実装面（固着材が塗布される面）を下面とした回路装置１０の斜視図であり、図１（Ｂ）は実装面を上面とした回路装置１０の斜視図であり、図１（Ｃ）は回路装置１０の部分的な断面図である。

図１（Ａ）を参照して、本形態の回路装置１０は、外形形状が薄型の６面体であるＱＦＮである。回路装置１０の具体的な大きさの一例としては、縦×横×厚み＝５ｍｍ×５ｍｍ×０．４ｍｍ程度である。回路装置１０の外面の大部分は封止樹脂１４から構成される。そして、封止樹脂１４の側面にはリード１２の端部が露出しており、封止樹脂１４の側面とリード１２の露出面とは同一平面上に位置する。更に、回路装置１０の下面にはアイランド１６とリード１２とが露出しており、リード１２に半田等の導電性固着材を溶着させることにより、回路装置１０は実装基板等の実装面に固着される。また、必要に応じて、アイランド１６の下面にも固着材が溶着されても良い。

アイランド１６およびリード１２は、例えば厚みが０．２ｍｍ程度の銅などから成る導電板に対して、エッチング加工またはパンチング加工を行うことにより形成されている。また、防錆性やボンダビリティを向上させるために、アイランド１６およびリード１２の表面はメッキ膜により被覆される。このメッキ膜としては、例えば、ニッケルメッキ膜、パラジュームメッキ膜および金メッキ膜を順次積層されたものが採用される。金メッキ膜は、エポキシ樹脂等から成る封止樹脂との付着性が強固ではないが、本実施形態では、後述するようにアイランド１６やリード１２を異形形状とすることにより、これらの導電部材と封止樹脂１４との密着性を向上させている。

封止樹脂１４は、アルミナ等のフィラーが充填された熱硬化性樹脂から成る。回路装置１０の上面および下面はトランスファーモールドにより射出成形された面とであり、封止樹脂１４の側面はダイシングにより切断された面となる。

図１（Ｂ）を参照すると、回路装置１０の上面（実装される面）の中央部には、アイランド１６が露出しており、このアイランド１６を対向して囲む位置に複数のリード１２が露出している。アイランド１６には半導体素子が実装され、リード１２は金属細線を介して半導体素子の電極と電気的に接続される。ここで、アイランド１６の四方を囲む位置に複数個のリード１２が配置されても良い。

本実施の形態では、リード１２は、回路装置１０の周囲に複数個が配置され、封止樹脂１４から成る回路装置１０の下面に露出している。更に、封止樹脂１４から成る回路装置１０の側面にもリード１２の側面が露出している。図１（Ｂ）を参照して、封止樹脂１４の上面に露出するリード１２の露出面と、側面に露出するリード１２の露出面とは連続していない。従って、上面に露出するリード１２に半田等の導電性固着材を溶着させても、この固着材がリード１２に沿って濡れて側面に回り込むことはない。

図１（Ｃ）を参照して、リード１２の下面を部分的に窪ませることで、窪み部２２が設けられている。この窪み部２２の深さはリード１２の半分程度であり、具体的にはリード１２の厚みが０．２ｍｍ程度の場合は、窪み部２２の深さは０．１ｍｍ程度である。この様に、リード１２の下部に窪み部２２を設けることにより、窪み部２２に封止樹脂１４が回り込んで充填されてアンカー効果が発生し、封止樹脂１４からのリード１２の離脱が防止される。更には、同様の理由により、外部からの水分の進入が抑制されて耐湿性が向上される。

更に、アイランド１６の周辺部を下方から部分的に窪ませて窪み部２４が設けられている。窪み部２４の深さは、リード１２に設けられる窪み部２２と同様であり、例えば０．１ｍｍ程度である。アイランド１６の周囲に窪み部２４を設けることにより、この窪み部２４に封止樹脂１４が回り込むので、封止樹脂１４とアイランド１６との密着強度が向上される。

図２に回路装置１０の平面図を示す。回路装置１０では、先ず中心部付近に四角形形状のアイランド１６が配置されており、このアイランド１６を対向して囲むように複数のリード１２が近接されている。この図では、窪み部２２および窪み部２４が形成された領域を斜線のハッチングにて示している。更にこの図では、半導体素子２０とリード１２とを接続させる金属細線の図示を省略している。

窪み部２４は、アイランド１６の周辺端部から０．１ｍｍ程度の領域を下方から窪ませて形成され、アイランド１６の全周に渡り設けられている。また、紙面上に於けるアイランド１６の上辺および下辺からは吊りリード３０が封止樹脂１４の側辺まで延在している。吊りリード３０は、回路装置１０を製造する工程に於いてアイランド１６をリードフレームに連結するために設けられている。吊りリード３０の厚みは、アイランド１６の周辺部に設けられた窪み部２４と同様であるので、吊りリード３０の下面は封止樹脂１４の下面には露出せず、吊りリード３０の側面は封止樹脂１４の側面の中間部に露出する。

窪み部２２はリード１２の周辺部を下面から窪ませて形成されている。また、アイランド１６の窪み部２２が設けられた領域を部分的に貫通させて、貫通孔２６が設けられている。窪み部２２が設けられた部分のリード１２に貫通孔２６を設けることで、この貫通孔２６に封止樹脂１４を充填させることができる。更に、窪み部２２の上下方向の両端に貫通孔２６を設けることにより、貫通孔２６に充填された封止樹脂１４によるアンカー効果が更に大きくなる。また、リード１２の内部にてハッチングが施されていない領域は、図１（Ｂ）に示したように、封止樹脂１４の主面から外部に露出する。

凹状部２８は、アイランド１６の上面を溝状に窪ませた領域であり、幅は０．２ｍｍ程度であり、深さは０．０５μｍ以上０．１５μｍ以下であり、長さは１．５ｍｍ程度である。この図では、凹状部２８が設けられる領域をクロスのハッチングにて示している。ここでは、凹状部２８は、紙面上にて縦方向に細長く形成された凹状部２８Ａと、紙面上にて横方向に細長く形成された凹状部２８Ｂが有る。縦方向に細長い凹状部２８Ａに封止樹脂１４が嵌合することにより、アイランド１６の上面と封止樹脂１４の界面に対して、紙面上にて横方向にストレスが作用しても、この界面に於ける両者の剥離が抑制される。また、横方向に細長い凹状部２８Ｂに封止樹脂１４が勘合することにより、紙面上にて縦方向に作用するストレスによるアイランド１６の上面と封止樹脂１４との剥離が抑制される。更にまた、アイランド１６の上面において最も内部に位置する凹状部２８の内側の側辺は湾曲に形成されており、この様にすることで凹状部２８と封止樹脂１４との密着強度が更に向上される。

更に、凹状部２８は、アイランド１６の周辺部に形成される窪み部２４よりも内側に設けられている。換言すると、凹状部２８は、窪み部２４が形成されないアイランド１６の領域に設けられる。この様にすることで、密着性向上のために窪み部２４を比較的に深く形成しても、窪み部２４が裏面まで貫通してしまうことが防止される。具体的には、回路装置１０全体の薄型化の為に、アイランド１６の厚みは例えば０．２ｍｍ程度であり非常に薄い。従って、アイランド１６の同じ領域を上面および下面からエッチングすることにより窪み部２４および凹状部２８を設けると、窪み部２４と凹状部２８とが貫通してしまう恐れがある。この問題を回避するために、凹状部２８は、窪み部２４が設けられていないアイランド１６の内側の領域に形成されている。

上記した構成のアイランド１６およびリード１２は、銅を主材料とする導電箔をエッチング加工することにより形成される。また、リード１２に設けられる窪み部２２および貫通孔２６、アイランド１６に設けられる窪み部２４および凹状部２８も、このエッチング加工により同時に成形することが可能である。

上面に多数個の電極が設けられたＬＳＩである半導体素子２０は、半田等の導電性接着材または絶縁性接着材を介して、アイランド１６の上面の中央部付近に固着されている。ここで、例えば半導体素子２０の面積はアイランド１６の半分以下である。具体的には、アイランド１６の平面視での大きさが縦×横＝４ｍｍ×３ｍｍ程度であるのに対し、半導体素子２０の平面視での大きさは縦×横＝１ｍｍ×１．５ｍｍ程度である。

この様にアイランド１６と比較して半導体素子２０の面積が小さいと、アイランド１６の上面の大部分が半導体素子２０の実装領域として用いられずに、封止樹脂１４により被覆される。更に、アイランド１６の表面は密着性に劣る金メッキにより被覆されている。このことから、使用状況下の温度変化が回路装置に作用すると、アイランド１６の上面と封止樹脂１４との境界は剥離が発生しやすい状況にある。この剥離が発生するときは、アイランド１６の角部から中心部に向かって徐々に剥離が発生する。このことを防止するために、半導体素子２０を囲む領域のアイランド１６の上面に凹状部２８を形成している。この様にすることで、凹状部２８に封止樹脂１４が嵌合することで発生するアンカー効果により、剥離の発生が抑制される。

図３から図７を参照して、次に、上記した構成の回路装置の製造方法を説明する。

図３および図４を参照して、先ず、リードフレーム４０を用意する。ここで、図３（Ａ）はリードフレーム４０を全体的に示す平面図であり、図３（Ｂ）はリードフレーム４０に配置されるブロック４２を拡大した平面図である。また、図４はブロック４２に含まれるユニット４４の構成を示す平面図である。

図３（Ａ）を参照して、リードフレーム４０は、例えば厚みが０．２ｍｍ程度の銅等を主体とする金属から成る導電箔に対して、エッチング加工またはパンチング加工を施して所定の形状に成形されている。リードフレーム４０の外形は短冊型の形状を呈し、平面的なサイズは例えば縦×横＝６０ｍｍ×１４０ｍｍ程度である。更に、リードフレーム４０の表面は、例えばニッケル、パラジューム、金をこの順番で順次積層させたメッキ膜により被覆されている。

リードフレーム４０には、多数個のユニット４４から成るブロック４２が複数個離間して配置されている。ここでは、リードフレーム４０の長手方向に沿って一列に５個のブロック４２が配置されているが、配置されるブロック４２の個数は１つでも良いし、６個以上の多数個でも良い。

ブロック４２の周辺部には、ブロック４２が形成されない残余の領域である外枠４６が設けられており、この外枠４６により複数のブロック４２が一枚のリードフレーム４０として連結されている。

図３（Ｂ）を参照して、各ブロック４２にはマトリックス状に配置されたユニット４４からなり、各ユニット４４は後の工程にて点線にて示す箇所にて個別に分割されて回路装置となる。

図４を参照して、上記したブロック４２に含まれるユニット４４の構成を説明する。ユニット４４は、上述したように１つの回路装置を構成する単位要素であり、ここでは、１つのアイランド１６と、このアイランド１６の四方を囲むように配置された複数個のリード１２から構成されている。ユニット４４の構造は、図２を参照して説明したものと同一である。

各ユニット４４同士の間には、格子状にタイバー４８が形成されている。換言すると、各ユニット４４は、四角形状を呈する枠状のタイバー４８により囲まれている。そして、各ユニット４４のリード１２は、タイバー４８から連続してユニット４４の内側に延出している。更に、アイランド１６は、吊りリード３０を経由してタイバー４８に連結されている。

また、各タイバー４８の位置は、図３（Ｂ）に点線で示した分割線に正確に対応している。従って、製造工程に於いて、分割線に沿ってダイシングを行うと、タイバー４８は除去される。また、タイバー４８の厚みは、窪み部２４が設けられたアイランド１６と同じ厚み（０．１ｍｍ程度）である。

上記した構成のリードフレーム４０は、厚みが０．２ｍｍ程度の導電箔を用意し、この導電箔の上面および裏面を所定形状のエッチングレジストにて被覆した後に、エッチャントを用いたウェットエッチングを行うことにより形成される。具体的には、凹状部２８が形成される領域、貫通孔２６が形成される領域では、導電箔の上面を被覆するエッチングレジストは除去される。そして、リード１２の窪み部２２、アイランドの窪み部２４、吊りリード３０、タイバー４８、貫通孔２６が設けられる領域では、導電箔の裏面を被覆するエッチングレジストが除去されている。更にまた、アイランド１６およびリード１２の外形を形成するために、導電箔が除去される領域では、両エッチングレジストが除去されている。

図５を参照して、先ず、リードフレーム４０の所定の箇所に半導体素子２０を固着する。図５（Ａ）は１つのユニット４４を示す平面図であり、図５（Ｂ）は図５（Ａ）の断面図である。

図５（Ａ）を参照して、先ず、半田等の導電性接着材またはエポキシ樹脂等の絶縁性の接着材を介して、アイランド１６の上面に半導体素子２０を実装する。そして、半導体素子２０の上面に設けられた電極とリード１２とを、金属細線１８を経由して接続する。

図５（Ｂ）を参照して、本工程では、リードフレーム４０の下面は、ほぼ全面的に接着シート５０の上面に貼着させている。接着シート５０は、上面に薄く接着樹脂が塗布された樹脂製のシートであり、その材料としては例えばポリイミドまたはＰＥＴ（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）が採用される。リードフレーム４０の裏面を接着シート５０に接着させる理由は、次工程の樹脂封止の工程に於いて、リードフレーム４０の下面（アイランド１６やリード１２の下面）に封止樹脂が回り込むことを防止するためである。

図６および図７を参照して、次に、図５に示したアイランド１６、リード１２、金属細線１８および半導体素子２０が被覆されるように封止樹脂１４を形成する。

図６（Ａ）を参照して、本工程では、上金型５２および下金型５４から構成されるモールド金型５６を使用して樹脂封止を行う。本工程では、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を用いるトランスファーモールドまたはポリエチレン等の熱可塑性樹脂を使用するインジェクションモールドが採用される。

本工程では、接着シート５０が下面に貼着されたリードフレーム４０を下金型５４の平坦な上面に載置し、上金型５２と下金型５４とを当接させることで、各ブロック４２を１つのキャビティ６２に収納させて樹脂封止を行っている。

金型５６は、上金型５２と下金型５４とからなり、ブロック４２の周辺部に対応する領域にゲート６０が設けられており、ゲート６０に対向するブロック４２の周辺部にエアベント５８が形成されている。ゲート６０を経由して、液状または半固形状の封止樹脂がキャビティ６２に注入される。そして、ゲート６０から注入された封止樹脂に対応した量のキャビティ６２内の空気が、エアベント５８を経由して外部に放出される。キャビティ６２に注入された封止樹脂１４は、必要に応じて加熱硬化される。

図６（Ｂ）に上記工程が終了したリードフレーム４０の断面図を示す。ここでは、各ブロック４２が個別に封止樹脂１４により封止されている。

図６（Ｃ）を参照して、注入された封止樹脂１４により各ユニット４４に含まれる半導体素子２０、金属細線１８、アイランド１６およびリード１２が被覆される。更に、アイランド１６の周辺部に設けられた窪み部２４およびリード１２に設けられた窪み部２２の下方の領域にも、封止樹脂１４が回り込んで充填される。更にまた、各アイランド１６の上面に形成された凹状部２８にも、封止樹脂１４が充填される。

尚、接着シート５０の上面に当接するリード１２の下面およびアイランド１６の下面は封止樹脂１４により被覆されずに外部に露出している。

図７を参照して、次に、上記した各ブロック４２のユニットを個別に分離する。図７（Ａ）はダイシングの工程を示す図であり、図７（Ｂ）は本工程を示す断面図である。

図７（Ａ）を参照して、先ず本工程では、樹脂封止が終了したリードフレーム４０をダイシングシート６６に貼着する。ダイシングシート６６は、上面に接着層が形成された樹脂シートであり、ステンレス等の金属を円環状に形成した金属枠６４により周囲が支持されている。

上記した構成のダイシングシート６６の上面にリードフレーム４０が貼着される。ここで、先工程では、リードフレーム４０の下面には接着シート５０が貼着されていたが（図
６（Ｂ）参照）、この接着シート５０は予め除去されても良いし、そのままリードフレーム４０と共にダイシングシート６６に貼着されても良い。ここで、リードフレーム４０は、封止樹脂１４が形成された面が貼着されても良いし、封止樹脂１４が形成された面に対向する面が貼着されても良い。

ダイシングシート６６にリードフレーム４０を貼着させた後は、高速で回転するダイシングブレード６８を使用して、リードフレーム４０に形成された各ブロック４２を一括してダイシングする。本工程では、各ブロック４２の封止樹脂１４をダイシングすると共に、金属から成るリードフレーム４０の外枠（支持部）もダイシングにより分割している。しかしながら、本工程に先行して、各ブロック４２の封止樹脂１４を、リードフレーム４０の外枠４６から分離して、分離されたブロック４２の封止樹脂１４を個別にダイシングシート６６に貼着しても良い。

本工程のダイシングは、各ブロック４２の封止樹脂１４およびリードフレーム４０が完全に分離される深さで行われる。ダイシングが終了した後は、各ユニット４４の回路装置は、ダイシングブレード６８から剥離される。

図７（Ｂ）を参照して、本工程では、ユニット４４同士の境界にて、封止樹脂１４およびリードフレーム４０が切断されて、図１に構成を示すような回路装置１０が製造される。

本発明の回路装置を示す図であり、（Ａ）および（Ｂ）は斜視図であり、（Ｃ）は断面図である。 本発明の回路装置を示す平面図である。 本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は拡大された平面図である。 本発明の回路装置の製造方法を示す平面図である。 本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は断面図である。 本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は断面図であり、（Ｂ）は平面図であり、（Ｃ）は断面図である。 本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は断面図である。 背景技術を示す断面図である。

符号の説明

１０ 回路装置
１２ リード
１４ 封止樹脂
１６ アイランド
１８ 金属細線
２０ 半導体素子
２２ 窪み部
２４ 窪み部
２６ 貫通孔
２８，２８Ａ，２８Ｂ 凹状部
３０ 吊りリード
４０ リードフレーム
４２ ブロック
４４ ユニット
４６ 外枠
４８ タイバー
５０ 接着シート
５２ 上金型
５４ 下金型
５６ 金型
５８ エアベント
６０ ゲート
６２ キャビティ
６４ 金属枠
６６ ダイシングシート
６８ ダイシングブレード

Claims (11)

1. アイランドと、前記アイランドに一端が接近して下面が外部に露出するリードと、前記アイランドの上面に固着されて前記リードと電気的に接続された半導体素子と、前記アイランド、前記リードおよび前記半導体素子を一体的に被覆する封止樹脂とを備え、
   前記アイランドの上面に溝状の凹状部を設け、前記凹状部に前記封止樹脂を密着させることを特徴とする回路装置。
2. 前記リードを厚み方向に貫通する貫通孔を設け、前記貫通孔に前記封止樹脂を充填させることを特徴とする請求項１記載の回路装置。
3. 前記半導体素子は、前記アイランドの上面中央部に固着され、
   前記凹状部は、前記半導体素子が固着されない領域に設けられることを特徴とする請求項２記載の回路装置。
4. 前記アイランドの周辺部を下面から窪ませた窪み部を設け、この窪み部に前記封止樹脂を充填させると共に、前記窪み部よりも内側の前記アイランドの下面を前記封止樹脂から外部に露出させることを特徴とする請求項３記載の回路装置。
5. 前記リードの周辺部を下面から窪ませた窪み部を設け、この窪み部に前記封止樹脂を充填させることを特徴とする請求項４記載の回路装置。
6. 前記リードの窪み部が設けられた部分に、前記貫通孔が設けられることを特徴とする請求項５記載の回路装置。
7. 前記アイランドおよび前記リードは、最上層が金メッキから成るメッキ層により被覆され、
   前記金メッキに前記封止樹脂が密着することを特徴とする請求項６記載の回路装置。
8. アイランドおよび前記アイランドに近接されたリードからなり、前記アイランドの上面に溝状の凹状部が設けられたリードフレームを用意する工程と、
   前記アイランドの上面に半導体素子を固着すると共に、前記半導体素子と前記リードとを金属細線を経由して電気的に接続させる工程と、
   前記アイランド、前記リードおよび前記半導体素子を被覆すると共に、前記アイランドの前記凹状部にも充填されるように封止樹脂で封止する工程と、
   を備えたことを特徴とする回路装置の製造方法。
9. 前記アイランドおよび前記リードの周辺部を下面側から窪ませた窪み部を設け、
   前記封止する工程では、前記窪み部に前記封止樹脂を充填させることを特徴とする請求項８記載の回路装置の製造方法。
10. 前記アイランドの上面に設けられる前記凹状部は、
    前記アイランドの周辺部に設けられる前記窪み部よりも内側の領域に設けられることを特徴とする請求項９記載の回路装置の製造方法。
11. 前記封止する工程では、前記リードを貫通する貫通孔に前記封止樹脂を充填させることを特徴とする請求項１０記載の回路装置の製造方法。

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