JPS624364A - シヨツトキ−バリアダイオ−ド - Google Patents

シヨツトキ−バリアダイオ−ド

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Publication number
JPS624364A
JPS624364A JP60145023A JP14502385A JPS624364A JP S624364 A JPS624364 A JP S624364A JP 60145023 A JP60145023 A JP 60145023A JP 14502385 A JP14502385 A JP 14502385A JP S624364 A JPS624364 A JP S624364A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal
recognition patterns
schottky barrier
barrier diode
difference
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60145023A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshio Takagi
敏夫 高木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS624364A publication Critical patent/JPS624364A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54473—Marks applied to semiconductor devices or parts for use after dicing
    • H01L2223/5448—Located on chip prior to dicing and remaining on chip after dicing
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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
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    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203—Rectifying Diode
    • H01L2924/12032—Schottky diode

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  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • Power Engineering (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、組立ボンディング工程の自動化用ノ識別ハタ
ーンを設けたショットキーバリアダイオードに関する。
〔従来の技術〕
従来、ショットキーバリアダイオードの組立工程におけ
るボンディング作業は、ペレット上の酸化膜と電極金属
との光学的反射率の差を用いた認識パターンを設は位置
認識を行なうことによって自動化されていた。
第２図は、認識パターンをバリア部に設けた例で（ａ）
は断面図、（ｂ）は平面図を示す。１はＮ形半導体基板
、２は酸化膜、３は電極金属で、４が認識パターンでバ
リア層の４隅に−設けられた局次的な酸化膜で、反射率
の電極金属３に対する差を利用して、半導体基板１の位
置を定める。
ところで逆方向電圧な加えたとき認識パターン４の部位
に電界集中が生ずる。そこで電界集中をさけるためＰ膨
拡散層５を認識パターン４の直下に設けている。この部
分は順方向電流に対し無効面積となるので、その分だけ
電極面積を大きくするようにチップサイズを大きくして
いる。したがって認識パターンを設けず、手動操作でボ
ンディング位置を合わせる場合に対し、組立コストは低
減するが、ペレット単価は原価高になるという欠点があ
った。
〔発明が解決しようとする問題点〕
本発明の目的は、上記欠点を除去し、チップサイズを増
加することなく、かつ自動化を可能とする認識パターン
を設けたショットキーパリアダイオードを提供すること
にある。
〔問題点を解決するための手段〕
上記の問題点を解決するため、本発明ではショットキー
バリアダイオードの電極部の最上部金属面上に、その金
属と反射率の異なる物質で形成された複数個の認識パタ
ーンを設けている。
最上部金属面とは、バリア金属の場合にはその上面、あ
るいはバリア金属上に他の一椎以上の金属を設けた場合
には一番上になっている金属の上面になる。
〔作用〕
１ｇ＠パターンはショットキーバリアの特性に全く影響
がなく、チップ位置の認識を行なうことができる。
〔実施例〕
以下、第１図忙基づいて、本発明の一実施例について説
明する。同図（ａ）の断面図に示すように１１１は半導
体基板、１２は酸化膜、１３は電極金属である。電極金
属１３の上面にポリイミド膜を附着してから同図（ｂ）
に示す位置に識別パターン１４が生ずるようにエッチオ
フする。ポリイミド膜と金属とは反射率が異なるので、
反射率の差で識別パターン１４を認識し、ボンディング
作業を自動化できる。なお識別パターン１４の材質とし
てポリイミド膜に限定されず本発明の目的に添う反射率
を有するものであればよい。
〔発明の効果〕
本発明によれば、ショットキー接合面積に従来のような
識別パターンを設けるために生ずる無効面積の減小がな
い。したがって識別パターンな設けるためにチップサイ
ズを大きくする必要がなく、ペレットコストは低い。さ
らに認識パターンの機能は、全〈従来どおりに得られる
からボンディング作業は自動化されるので、全体として
安価なショットキーバリアダイオードを得ることができ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例、第２図は従来例のそれぞれ
断面・平面図である。 １．１１・・・半導体基板、２．１２・・・酸化膜、３
．１３・・・電極金属、４．１４・・・認識パターン。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ショットキーバリアダイオードにおいて、電極部の最上
    部金属面上に該金属と反射率の異なる物質で形成された
    複数個の認識パターンを設けたことを特徴とするショッ
    トキーバリアダイオード。
JP60145023A 1985-07-01 1985-07-01 シヨツトキ−バリアダイオ−ド Pending JPS624364A (ja)

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JP60145023A JPS624364A (ja) 1985-07-01 1985-07-01 シヨツトキ−バリアダイオ−ド

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JPS624364A true JPS624364A (ja) 1987-01-10

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Family Applications (1)

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JP60145023A Pending JPS624364A (ja) 1985-07-01 1985-07-01 シヨツトキ−バリアダイオ−ド

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH03287524A (ja) * 1990-04-03 1991-12-18 Kansai Kouso Kk 入浴剤
WO2016103335A1 (ja) * 2014-12-24 2016-06-30 株式会社日立製作所 半導体装置およびそれを用いた電力変換装置
JP2021076294A (ja) * 2019-11-08 2021-05-20 株式会社パロマ ガスコンロシステム

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