JPH0730050A - リ−ドフレ−ム - Google Patents
リ−ドフレ−ムInfo
- Publication number
- JPH0730050A JPH0730050A JP19704193A JP19704193A JPH0730050A JP H0730050 A JPH0730050 A JP H0730050A JP 19704193 A JP19704193 A JP 19704193A JP 19704193 A JP19704193 A JP 19704193A JP H0730050 A JPH0730050 A JP H0730050A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pad
- lead frame
- lead
- resin
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】 傾き、反り、クロスバ−等の形状不良が生じ
ることなく、パッドをリード面より下げ、ボンディング
ワイヤ−の短縮、パッケージの薄手化が図れ、また封止
樹脂との密着性が優れるリードフレームを得る。 【構成】 チップを搭載するパッド5を下方に変位させ
たリードフレームに1おいて、パッド5を支持するサポ
−トバ−6の樹脂封止予定領域内に半抜き7切り下げを
複数箇所設けて、パッド5をリード面から下げたリード
フレーム1である。
ることなく、パッドをリード面より下げ、ボンディング
ワイヤ−の短縮、パッケージの薄手化が図れ、また封止
樹脂との密着性が優れるリードフレームを得る。 【構成】 チップを搭載するパッド5を下方に変位させ
たリードフレームに1おいて、パッド5を支持するサポ
−トバ−6の樹脂封止予定領域内に半抜き7切り下げを
複数箇所設けて、パッド5をリード面から下げたリード
フレーム1である。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体チップを搭載する
パッドを下方に変位したリードフレームに関する。
パッドを下方に変位したリードフレームに関する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置はリードフレームのパッドに
半導体チップ(以下 チップという)を接着剤を介し固
着搭載し、チップ端子とリードフレームのインナーリー
ドをボンディングワイヤ−で溶接接続し、その後、樹脂
封止して製造される。
半導体チップ(以下 チップという)を接着剤を介し固
着搭載し、チップ端子とリードフレームのインナーリー
ドをボンディングワイヤ−で溶接接続し、その後、樹脂
封止して製造される。
【0003】電子機器に不可欠な半導体装置は小型化、
薄手化および高速化の要請が強く、この対応にチップの
高集積度化、リードの多ピン化、またパッケ−ジ樹脂封
止厚みの薄手化等が図られている。こうした中でもパッ
ドをリ−ド面より下げて、該パッドに搭載するチップと
リ−ドの高さの差を小さくして薄手化し、またボンディ
ングワイヤを短くし信号の高速化を図るものが例えば特
開昭62−193162号公報、特開平2−13995
4号公報に提案されている。
薄手化および高速化の要請が強く、この対応にチップの
高集積度化、リードの多ピン化、またパッケ−ジ樹脂封
止厚みの薄手化等が図られている。こうした中でもパッ
ドをリ−ド面より下げて、該パッドに搭載するチップと
リ−ドの高さの差を小さくして薄手化し、またボンディ
ングワイヤを短くし信号の高速化を図るものが例えば特
開昭62−193162号公報、特開平2−13995
4号公報に提案されている。
【0004】
【この発明が解決しようとする課題】パッドをリ−ド面
より下げることで前記のような作用効果があるが、反
面、この位置変位はパッドを支持しているサポ−トバ−
を折曲げて一部を傾斜曲げあるいは傾斜部の板厚を薄く
することでなされるから、サポ−トバ−に残留応力が生
じ、またその歪みによる長さの変化に微妙な差が存在す
ることがあってリードパターンが影響を受け、リードフ
レームが傾いたり、クロスバ−等を生じたり、あるいは
パッドに反りや傾きが生じることがある。
より下げることで前記のような作用効果があるが、反
面、この位置変位はパッドを支持しているサポ−トバ−
を折曲げて一部を傾斜曲げあるいは傾斜部の板厚を薄く
することでなされるから、サポ−トバ−に残留応力が生
じ、またその歪みによる長さの変化に微妙な差が存在す
ることがあってリードパターンが影響を受け、リードフ
レームが傾いたり、クロスバ−等を生じたり、あるいは
パッドに反りや傾きが生じることがある。
【0005】サポ−トバ−はパッドを4本で支持するも
のや、2本で支持するものがあるが、これら何れの場合
にもパッドを下方に変位するには、支持しているすべて
のサポ−トバ−を同じ長さ押し下げねばならぬために、
その成形加工は高度の熟練および技能を要する。また加
工成形装置の製作、メンテナンスも難しく時間を要す
る。
のや、2本で支持するものがあるが、これら何れの場合
にもパッドを下方に変位するには、支持しているすべて
のサポ−トバ−を同じ長さ押し下げねばならぬために、
その成形加工は高度の熟練および技能を要する。また加
工成形装置の製作、メンテナンスも難しく時間を要す
る。
【0006】この発明はリードフレームに傾きやクロス
バ−を生じることなく、またパッドを反りや傾きを生じ
ることなくリード面より下げて、ボンディングワイヤ−
の短縮と樹脂封止厚の薄手化が図れ、また封止樹脂との
密着性が優れるリードフレームを目的とする。さらに、
パッドの下方への変位加工が高度の熟練を要さずにでき
るリードフレームを他の目的とする。
バ−を生じることなく、またパッドを反りや傾きを生じ
ることなくリード面より下げて、ボンディングワイヤ−
の短縮と樹脂封止厚の薄手化が図れ、また封止樹脂との
密着性が優れるリードフレームを目的とする。さらに、
パッドの下方への変位加工が高度の熟練を要さずにでき
るリードフレームを他の目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨はチップを
搭載するパッドを下方に変位させたリードフレームにお
いて、パッドを支持するサポ−トバ−の樹脂封止予定領
域内に半抜き切り下げを複数箇所設け、パッドをリード
面から下げたことを特徴とするリードフレームにある。
搭載するパッドを下方に変位させたリードフレームにお
いて、パッドを支持するサポ−トバ−の樹脂封止予定領
域内に半抜き切り下げを複数箇所設け、パッドをリード
面から下げたことを特徴とするリードフレームにある。
【0008】
【作用】本発明のリードフレームは前記のようにサポ−
トバ−の複数箇所に半抜きを施して切り下げパッドを下
方に変位しているので、サポ−トバ−には板面内の残留
応力が殆どなく傾きおよび反りを生ぜず平坦度がすぐれ
る。また半抜きした箇所は樹脂封止予定領域内であるか
ら、樹脂封止した際、当該樹脂が半抜き段差部で密着面
積が拡がるとともに強く密着し、樹脂の耐剥離性、耐ク
ラック性が向上し樹脂封止厚みを薄くできる。
トバ−の複数箇所に半抜きを施して切り下げパッドを下
方に変位しているので、サポ−トバ−には板面内の残留
応力が殆どなく傾きおよび反りを生ぜず平坦度がすぐれ
る。また半抜きした箇所は樹脂封止予定領域内であるか
ら、樹脂封止した際、当該樹脂が半抜き段差部で密着面
積が拡がるとともに強く密着し、樹脂の耐剥離性、耐ク
ラック性が向上し樹脂封止厚みを薄くできる。
【0009】パッドの下方への変位は、サポ−トバ−の
傾斜押し曲げでなく半抜きであるから、加工成形装置の
製作その操作およびメンテナンスが容易となる。
傾斜押し曲げでなく半抜きであるから、加工成形装置の
製作その操作およびメンテナンスが容易となる。
【0010】
【実施例】次に、本発明について1実施例に基づき図面
を参照し詳細に説明する。図面において、1はリードフ
レームで、2はインナーリード、3はアウターリード、
4はタイバ−である。
を参照し詳細に説明する。図面において、1はリードフ
レームで、2はインナーリード、3はアウターリード、
4はタイバ−である。
【0011】5はチップを搭載するパッドで、サポ−ト
バ−6にて支持されている。サポ−トバ−6の他端はタ
イバ−4に接続されている。この実施例ではインナーリ
ード2がパッド5の四側面に臨んで配設され、サポ−ト
バ−6は四箇所に設けられているが、これに限らずイン
ナーリードがパッドの二側面に臨み、サポ−トバ−を二
箇所に設けたリードフレームであってもよい。
バ−6にて支持されている。サポ−トバ−6の他端はタ
イバ−4に接続されている。この実施例ではインナーリ
ード2がパッド5の四側面に臨んで配設され、サポ−ト
バ−6は四箇所に設けられているが、これに限らずイン
ナーリードがパッドの二側面に臨み、サポ−トバ−を二
箇所に設けたリードフレームであってもよい。
【0012】サポ−トバ−6のパッド5に近い側の樹脂
封止予定域内には、半抜き7加工が複数箇所に施され、
パッド5をインナーリード1の面より下げている。半抜
き7は例えばリードフレーム素材金属の板厚の10〜5
0%とされるが、その程度は任意にできる。また半抜き
7は間隔をおいて複数個形成され例えばこの実施例では
一つサポ−トバ−6に三段設けている。この個数と半抜
き切り下げ深さはパッド5の大きさ、チップのサイズ等
により決められる。
封止予定域内には、半抜き7加工が複数箇所に施され、
パッド5をインナーリード1の面より下げている。半抜
き7は例えばリードフレーム素材金属の板厚の10〜5
0%とされるが、その程度は任意にできる。また半抜き
7は間隔をおいて複数個形成され例えばこの実施例では
一つサポ−トバ−6に三段設けている。この個数と半抜
き切り下げ深さはパッド5の大きさ、チップのサイズ等
により決められる。
【0013】半抜き7の加工はパンチとダイにより行わ
れ、サポ−トバ−6を板厚方向に中途切り下げする。該
加工は斜方向への押し曲げでないので残留応力が少な
く、またパッド5を支持する各サポ−トバ−6は一括し
て鉛直方向下げられ、パッド5は平坦姿勢を維持して下
方に変位する。
れ、サポ−トバ−6を板厚方向に中途切り下げする。該
加工は斜方向への押し曲げでないので残留応力が少な
く、またパッド5を支持する各サポ−トバ−6は一括し
て鉛直方向下げられ、パッド5は平坦姿勢を維持して下
方に変位する。
【0014】なお、リードフレーム1のサイドレ−ル8
で、9はガイドホ−ルである。
で、9はガイドホ−ルである。
【0015】該リードフレーム1のパッド5に、チップ
10を接着剤あるいは両面接着テ−プ等を介して固着し
搭載する。パッド5は前述のように下げられているの
で、パッド5に搭載したチップ10と、インナーリード
2先端面の高さの差は小さく、この両者を接続するボン
ディングワイヤ−11は長さを短くでき、信号の伝送時
間が短縮し信号処理の高速化に寄与する。
10を接着剤あるいは両面接着テ−プ等を介して固着し
搭載する。パッド5は前述のように下げられているの
で、パッド5に搭載したチップ10と、インナーリード
2先端面の高さの差は小さく、この両者を接続するボン
ディングワイヤ−11は長さを短くでき、信号の伝送時
間が短縮し信号処理の高速化に寄与する。
【0016】また、パッド5は傾きや反りがなく下げら
れ、左右および前後方向とも同一水平面であるから、前
記ボンディングワイヤ−11は長さは同様にできボンデ
ィング作業がし易くなる。
れ、左右および前後方向とも同一水平面であるから、前
記ボンディングワイヤ−11は長さは同様にできボンデ
ィング作業がし易くなる。
【0017】ワイヤ−ボンディングした後、樹脂封止し
パッケージとなるが、前記サポ−トバ−6に形成した半
抜き7は樹脂封止領域内にあるから、樹脂12の密着性
が強まり樹脂厚みを薄くできる。
パッケージとなるが、前記サポ−トバ−6に形成した半
抜き7は樹脂封止領域内にあるから、樹脂12の密着性
が強まり樹脂厚みを薄くできる。
【0018】
【発明の効果】本発明はサポ−トバ−の樹脂封止予定領
域に半抜き加工を複数箇所施し、パッドをインナーリー
ドより下げているので、リードフレームには残留応力が
殆どなく、また垂直方向に下がりパッドは傾きや反りを
生じることなく平坦姿勢が高精度に保たれる。
域に半抜き加工を複数箇所施し、パッドをインナーリー
ドより下げているので、リードフレームには残留応力が
殆どなく、また垂直方向に下がりパッドは傾きや反りを
生じることなく平坦姿勢が高精度に保たれる。
【図1】本発明の1実施例におけるリードフレームを示
す図。
す図。
【図2】本発明の1実施例におけるパッドの下方への変
位を示す図。
位を示す図。
【図3】本発明の1実施例におけるリードフレームにチ
ップを搭載し樹脂封止した図。
ップを搭載し樹脂封止した図。
1 リードフレーム 2 インナーリード 3 アウターリード 4 タイバ− 5 パッド 6 サポ−トバ− 7 半抜き 8 サイドレ−ル 9 ガイドホ−ル 10 チップ 11 ボンディングワイヤ− 12 樹脂
Claims (1)
- 【請求項1】 チップを搭載するパッドを下方に位置さ
せたリードフレームにおいて、パッドを支持するサポ−
トバ−の樹脂封止予定領域内に半抜き切り下げを複数箇
所設け、パッドをリード面から下げたことを特徴とする
リードフレーム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19704193A JPH0730050A (ja) | 1993-07-13 | 1993-07-13 | リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19704193A JPH0730050A (ja) | 1993-07-13 | 1993-07-13 | リ−ドフレ−ム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0730050A true JPH0730050A (ja) | 1995-01-31 |
Family
ID=16367744
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19704193A Pending JPH0730050A (ja) | 1993-07-13 | 1993-07-13 | リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0730050A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002110887A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-04-12 | Rohm Co Ltd | アイランド露出型半導体装置 |
JP2006080141A (ja) * | 2004-09-07 | 2006-03-23 | Stanley Electric Co Ltd | 発光装置、その発光装置に使用するリードフレーム、及びリードフレームの製造方法 |
JP2013143519A (ja) * | 2012-01-12 | 2013-07-22 | Fuji Electric Co Ltd | 接続子および樹脂封止型半導体装置 |
JP2014082384A (ja) * | 2012-10-17 | 2014-05-08 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1993
- 1993-07-13 JP JP19704193A patent/JPH0730050A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002110887A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-04-12 | Rohm Co Ltd | アイランド露出型半導体装置 |
JP2006080141A (ja) * | 2004-09-07 | 2006-03-23 | Stanley Electric Co Ltd | 発光装置、その発光装置に使用するリードフレーム、及びリードフレームの製造方法 |
JP4486451B2 (ja) * | 2004-09-07 | 2010-06-23 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置、その発光装置に使用するリードフレーム、及びリードフレームの製造方法 |
JP2013143519A (ja) * | 2012-01-12 | 2013-07-22 | Fuji Electric Co Ltd | 接続子および樹脂封止型半導体装置 |
US9252086B2 (en) | 2012-01-12 | 2016-02-02 | Fuji Electric Co., Ltd. | Connector and resin-sealed semiconductor device |
JP2014082384A (ja) * | 2012-10-17 | 2014-05-08 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
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