JP2003124417A - 半導体パッケージの製造装置及び製造方法 - Google Patents
半導体パッケージの製造装置及び製造方法Info
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- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
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- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体パッケージを切断した際に樹脂封止部
にクラックが発生することがなく、切断品質を向上させ
た半導体パッケージの製造装置を提供する。 【解決手段】 樹脂封止部５の周縁部で切断される切断
ライン直下のリード２、吊りリード８及び周縁樹脂部５
ａを支持する切断支持部１１を有するダイ９と、切断支
持部１１に交差して移動する際に、該切断支持部１１に
支持されたリード２、吊りリード８及び周縁樹脂部５ａ
を切断して半導体パッケージを個片にするパンチ１０と
を備えた。
にクラックが発生することがなく、切断品質を向上させ
た半導体パッケージの製造装置を提供する。 【解決手段】 樹脂封止部５の周縁部で切断される切断
ライン直下のリード２、吊りリード８及び周縁樹脂部５
ａを支持する切断支持部１１を有するダイ９と、切断支
持部１１に交差して移動する際に、該切断支持部１１に
支持されたリード２、吊りリード８及び周縁樹脂部５ａ
を切断して半導体パッケージを個片にするパンチ１０と
を備えた。
Description
【０００１】
【発明の属する利用分野】本発明は、リードフレームの
片面に樹脂封止部が形成された半導体パッケージの当該
樹脂封止部の周縁部に露出したリードを周縁樹脂部と共
に切断する半導体パッケージの製造装置及び方法に関す
る。
片面に樹脂封止部が形成された半導体パッケージの当該
樹脂封止部の周縁部に露出したリードを周縁樹脂部と共
に切断する半導体パッケージの製造装置及び方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体パッケージには様々な種類のもの
が開発され実用化されているが、表面実装型の半導体パ
ッケージの中で、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ・Ｆｌａｔ・Ｎｏｎ
−ｌｅａｄｅｄ）若しくはＳＯＮ（Ｓｍａｌｌ・Ｏｕｔ
ｌｉｎｅ・Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ）と呼ばれる半導体パ
ッケージが用いられている。このＱＦＮ若しくはＳＯＮ
タイプの半導体パッケージは、樹脂封止部より延出する
リードが無く、実装占有面積が小さくしかも実装高さも
抑えられることから、携帯電話などの小型の電子機器に
用いられている。
が開発され実用化されているが、表面実装型の半導体パ
ッケージの中で、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ・Ｆｌａｔ・Ｎｏｎ
−ｌｅａｄｅｄ）若しくはＳＯＮ（Ｓｍａｌｌ・Ｏｕｔ
ｌｉｎｅ・Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ）と呼ばれる半導体パ
ッケージが用いられている。このＱＦＮ若しくはＳＯＮ
タイプの半導体パッケージは、樹脂封止部より延出する
リードが無く、実装占有面積が小さくしかも実装高さも
抑えられることから、携帯電話などの小型の電子機器に
用いられている。
【０００３】このＱＦＮ若しくはＳＯＮタイプの半導体
パッケージを製造工程について説明する。半導体チップ
をマトリクス状に搭載したリードフレームを、例えばト
ランスファ成形法を用いて、実装面側のリードを露出し
て樹脂封止する。樹脂封止はモールド金型の一方のパー
ティング面をリリースフィルムで覆って、露出させるリ
ード部分を押接することによりリード露出面側に樹脂を
回さずに樹脂封止する。樹脂封止後、不要樹脂をゲート
ブレイクして除去した後、リードフレームを切断金型へ
搬入してパンチとダイを相対的に移動させてリードカッ
トを行い、更に樹脂封止部（パッケージ部）をリードフ
レームに支持する吊りリードを切断することにより個片
に分離していた。また、吊りリードを切断する場合に
は、リードフレームの両面を樹脂封止した半導体パッケ
ージの加工方法を踏襲して、樹脂封止部をダイで受けた
状態でパンチにより切断を行っている。
パッケージを製造工程について説明する。半導体チップ
をマトリクス状に搭載したリードフレームを、例えばト
ランスファ成形法を用いて、実装面側のリードを露出し
て樹脂封止する。樹脂封止はモールド金型の一方のパー
ティング面をリリースフィルムで覆って、露出させるリ
ード部分を押接することによりリード露出面側に樹脂を
回さずに樹脂封止する。樹脂封止後、不要樹脂をゲート
ブレイクして除去した後、リードフレームを切断金型へ
搬入してパンチとダイを相対的に移動させてリードカッ
トを行い、更に樹脂封止部（パッケージ部）をリードフ
レームに支持する吊りリードを切断することにより個片
に分離していた。また、吊りリードを切断する場合に
は、リードフレームの両面を樹脂封止した半導体パッケ
ージの加工方法を踏襲して、樹脂封止部をダイで受けた
状態でパンチにより切断を行っている。
【０００４】半導体パッケージのリード切断方法とし
て、例えば特開２００１−２３０３５９号に示す方法が
提案されている。このリード加工方法は、リードフレー
ムのリードをパンチで切断する際に切断屑が実装面側に
付着するのを防止するため、樹脂封止部のリード露出面
側からリードを切断するようになっている。
て、例えば特開２００１−２３０３５９号に示す方法が
提案されている。このリード加工方法は、リードフレー
ムのリードをパンチで切断する際に切断屑が実装面側に
付着するのを防止するため、樹脂封止部のリード露出面
側からリードを切断するようになっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】特開２００１−２３０
３５９号に示すリード切断用金型装置においては、リー
ドフレームを、樹脂付封止部（パッケージ部）上面をダ
イで受けると共に、該樹脂付封止部より延設されたリー
ドをダイ切断部により支持した状態にセットする。そし
て、パンチを下動させて、ストリッパーにより樹脂封止
部（パッケージ部）下面（実装面）を抑えながらパンチ
によりリードを切断するようになっている。また、両面
パッケージ部のリード切断する装置を用いて吊りリード
を切断する場合にも、パッケージ部をダイで受けた状態
でパンチにより切断（ピンチカット）を行っている。
３５９号に示すリード切断用金型装置においては、リー
ドフレームを、樹脂付封止部（パッケージ部）上面をダ
イで受けると共に、該樹脂付封止部より延設されたリー
ドをダイ切断部により支持した状態にセットする。そし
て、パンチを下動させて、ストリッパーにより樹脂封止
部（パッケージ部）下面（実装面）を抑えながらパンチ
によりリードを切断するようになっている。また、両面
パッケージ部のリード切断する装置を用いて吊りリード
を切断する場合にも、パッケージ部をダイで受けた状態
でパンチにより切断（ピンチカット）を行っている。
【０００６】これらの切断方法によれば、端子数（リー
ドの数）が２０ピン程度の場合には不具合は生じない
が、３２ピンや５０ピンなどのように端子数が増加すれ
ば、図１２（ａ）（ｂ）に示すようにリード間を封止す
る樹脂部分にクラックが生ずるおそれがあった。これ
は、樹脂封止部（パッケージ部）が片面モールドである
ため、リード切断時の応力を負担する部分が少なく、強
度的に弱いことに起因する。特に、樹脂封止部（パッケ
ージ部）のコーナー部より延設された吊りリード周辺の
切断を行う際には、両側に併設されたリード部とのピッ
チが狭くなるため、クラックが発生し易い（図１２
（ａ）参照）。また、樹脂封止部（パッケージ部）より
延設されたリードには厚さ１０μｍ〜１５μｍ程度のは
んだめっき、或いは厚さ２μｍ程度のパラジウムめっき
などの外装めっきが施されている。このめっき面は外方
に膨出して形成されているため、周縁樹脂部をダイ切断
部に密着させて支持することができない（周縁樹脂部の
み浮き上がった状態で支持される）。この状態で切断す
ると、リード間の周縁樹脂部より樹脂封止部内方にまで
切断荷重が曲応力に転じて作用し、リード間の樹脂封止
部にクラックが生じ易い（図１２（ｂ）参照）。これら
により、半導体パッケージの樹脂封止部の切断品質を低
下させていた。
ドの数）が２０ピン程度の場合には不具合は生じない
が、３２ピンや５０ピンなどのように端子数が増加すれ
ば、図１２（ａ）（ｂ）に示すようにリード間を封止す
る樹脂部分にクラックが生ずるおそれがあった。これ
は、樹脂封止部（パッケージ部）が片面モールドである
ため、リード切断時の応力を負担する部分が少なく、強
度的に弱いことに起因する。特に、樹脂封止部（パッケ
ージ部）のコーナー部より延設された吊りリード周辺の
切断を行う際には、両側に併設されたリード部とのピッ
チが狭くなるため、クラックが発生し易い（図１２
（ａ）参照）。また、樹脂封止部（パッケージ部）より
延設されたリードには厚さ１０μｍ〜１５μｍ程度のは
んだめっき、或いは厚さ２μｍ程度のパラジウムめっき
などの外装めっきが施されている。このめっき面は外方
に膨出して形成されているため、周縁樹脂部をダイ切断
部に密着させて支持することができない（周縁樹脂部の
み浮き上がった状態で支持される）。この状態で切断す
ると、リード間の周縁樹脂部より樹脂封止部内方にまで
切断荷重が曲応力に転じて作用し、リード間の樹脂封止
部にクラックが生じ易い（図１２（ｂ）参照）。これら
により、半導体パッケージの樹脂封止部の切断品質を低
下させていた。
【０００７】本発明の目的は、上記従来技術の課題を解
決し、半導体パッケージを切断した際に樹脂封止部にク
ラックが発生することがなく、切断品質を向上させた半
導体パッケージの製造装置及び製造方法を提供すること
にある。
決し、半導体パッケージを切断した際に樹脂封止部にク
ラックが発生することがなく、切断品質を向上させた半
導体パッケージの製造装置及び製造方法を提供すること
にある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は次の構成を備える。即ち、リードフレーム
の片面に樹脂封止部が形成された半導体パッケージの当
該樹脂封止部の周縁部に露出したリードを周縁樹脂部と
共に切断する半導体パッケージの製造装置において、樹
脂封止部の周縁部で切断される切断ライン直下のリード
及び周縁樹脂部を支持する切断支持部を有するダイと、
切断支持部に交差して移動する際に、該切断支持部に支
持されたリード及び周縁樹脂部を切断して半導体パッケ
ージを個片にするパンチとを備えたことを特徴とする。
また、パンチ先端部には切断ライン直上部から水平方向
へ離間するにしたがって逃げ角が５度以上となる逃げが
形成されていることを特徴とする。また、パンチとダイ
との切断クリアランスは１０μｍ以下に設定されている
ことを特徴とする。また、パンチの移動をガイドするパ
ンチガイドが、樹脂封止部に対応する実装面側のフレー
ム面に接触せずにリードフレームをダイに押接させるこ
とを特徴とする。
め、本発明は次の構成を備える。即ち、リードフレーム
の片面に樹脂封止部が形成された半導体パッケージの当
該樹脂封止部の周縁部に露出したリードを周縁樹脂部と
共に切断する半導体パッケージの製造装置において、樹
脂封止部の周縁部で切断される切断ライン直下のリード
及び周縁樹脂部を支持する切断支持部を有するダイと、
切断支持部に交差して移動する際に、該切断支持部に支
持されたリード及び周縁樹脂部を切断して半導体パッケ
ージを個片にするパンチとを備えたことを特徴とする。
また、パンチ先端部には切断ライン直上部から水平方向
へ離間するにしたがって逃げ角が５度以上となる逃げが
形成されていることを特徴とする。また、パンチとダイ
との切断クリアランスは１０μｍ以下に設定されている
ことを特徴とする。また、パンチの移動をガイドするパ
ンチガイドが、樹脂封止部に対応する実装面側のフレー
ム面に接触せずにリードフレームをダイに押接させるこ
とを特徴とする。
【０００９】また、リードフレームの片面に樹脂封止部
が形成された半導体パッケージの当該樹脂封止部の周縁
部でリード及び周縁樹脂部を切断する半導体パッケージ
の製造方法においては、樹脂封止部の周縁部より延設さ
れたリード及び周縁樹脂部のみが切断ライン直下に設け
られた切断支持部に支持されるようにリードフレームを
ダイにセットする工程と、切断支持部に交差して移動す
る際に樹脂封止部の周縁部でリード及び周縁樹脂部を切
断して半導体パッケージを個片にする工程とを含むこと
を特徴とする。また、切断工程は、樹脂封止部の周囲に
延設されたリードをパンチにより押し込んで切断支持部
上で周縁樹脂部と面一に押し潰してから切断することを
特徴とする。また、切断工程は、樹脂封止部の周囲に延
設されたリードの実装面側から切断することを特徴とす
る。また、切断工程は、樹脂封止部の対角線上をフレー
ムまで延設された吊りリードのうち１対を切断する工程
と、樹脂封止部の対向する各辺毎にリード及び周縁樹脂
部を切断する工程と、残りの１対の吊りリードを切断す
る工程とに分けて行っても良いし、或いは樹脂封止部の
周縁部より延設されたリード及び周縁樹脂部を切断ライ
ンに沿って一回の切断動作で切断するようにしても良
い。
が形成された半導体パッケージの当該樹脂封止部の周縁
部でリード及び周縁樹脂部を切断する半導体パッケージ
の製造方法においては、樹脂封止部の周縁部より延設さ
れたリード及び周縁樹脂部のみが切断ライン直下に設け
られた切断支持部に支持されるようにリードフレームを
ダイにセットする工程と、切断支持部に交差して移動す
る際に樹脂封止部の周縁部でリード及び周縁樹脂部を切
断して半導体パッケージを個片にする工程とを含むこと
を特徴とする。また、切断工程は、樹脂封止部の周囲に
延設されたリードをパンチにより押し込んで切断支持部
上で周縁樹脂部と面一に押し潰してから切断することを
特徴とする。また、切断工程は、樹脂封止部の周囲に延
設されたリードの実装面側から切断することを特徴とす
る。また、切断工程は、樹脂封止部の対角線上をフレー
ムまで延設された吊りリードのうち１対を切断する工程
と、樹脂封止部の対向する各辺毎にリード及び周縁樹脂
部を切断する工程と、残りの１対の吊りリードを切断す
る工程とに分けて行っても良いし、或いは樹脂封止部の
周縁部より延設されたリード及び周縁樹脂部を切断ライ
ンに沿って一回の切断動作で切断するようにしても良
い。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る半導体パッケ
ージの製造装置及び製造方法の好適な実施の形態につい
て添付図面と共に詳述する。図１は半導体パッケージの
切断部分を示す断面説明図、図２は図１の半導体パッケ
ージの右側面図、図３は図２の半導体パッケージの下面
図、図４はリード切断工程の拡大説明図、図５は切断後
の半導体パッケージの説明図、図６（ａ）〜（ｄ）は半
導体パッケージの切断ラインの一例を示す説明図、図７
（ａ）は吊りリード切断後の半導体パッケージの拡大説
明図、図７（ｂ）はＸ−Ｙ方向のリード切断後の半導体
パッケージの拡大説明図、図８（ａ）（ｂ）は半導体パ
ッケージの切断クリアランスとだれ領域の関係を示す説
明図、図９〜図１１は各種半導体パッケージの説明図で
ある。
ージの製造装置及び製造方法の好適な実施の形態につい
て添付図面と共に詳述する。図１は半導体パッケージの
切断部分を示す断面説明図、図２は図１の半導体パッケ
ージの右側面図、図３は図２の半導体パッケージの下面
図、図４はリード切断工程の拡大説明図、図５は切断後
の半導体パッケージの説明図、図６（ａ）〜（ｄ）は半
導体パッケージの切断ラインの一例を示す説明図、図７
（ａ）は吊りリード切断後の半導体パッケージの拡大説
明図、図７（ｂ）はＸ−Ｙ方向のリード切断後の半導体
パッケージの拡大説明図、図８（ａ）（ｂ）は半導体パ
ッケージの切断クリアランスとだれ領域の関係を示す説
明図、図９〜図１１は各種半導体パッケージの説明図で
ある。
【００１１】先ず、半導体パッケージの概略構成につい
て図９〜図１１を参照して説明する。本実施例の半導体
パッケージの製造装置及び方法は、リードフレームのダ
イパットに半導体チップが搭載（ダイボンディング）さ
れ、チップの電極端子とリードとがワイヤボンディング
接続されて、片面モールドされた様々なタイプの半導体
パッケージに適用される。以下に半導体パッケージの一
例を説明する。図９の半導体パッケージ１４は、ダイパ
ッド１がリード２に対して高さ方向に板厚が薄く形成さ
れ、ダイパッド１に半導体チップ３がダイボンディング
されている。ダイパッド１は例えばエッチングされてリ
ード２より高くなるように形成されている。また、半導
体チップ３のチップ電極部とリード２とはボンディング
ワイヤ４によりワイヤボンディング接続されている。半
導体チップ３はダイパッド１と共に樹脂封止部５で封止
されており、該樹脂封止部５の周縁樹脂部５ａよりリー
ド２の実装面側を含む一部が露出形成されている。
て図９〜図１１を参照して説明する。本実施例の半導体
パッケージの製造装置及び方法は、リードフレームのダ
イパットに半導体チップが搭載（ダイボンディング）さ
れ、チップの電極端子とリードとがワイヤボンディング
接続されて、片面モールドされた様々なタイプの半導体
パッケージに適用される。以下に半導体パッケージの一
例を説明する。図９の半導体パッケージ１４は、ダイパ
ッド１がリード２に対して高さ方向に板厚が薄く形成さ
れ、ダイパッド１に半導体チップ３がダイボンディング
されている。ダイパッド１は例えばエッチングされてリ
ード２より高くなるように形成されている。また、半導
体チップ３のチップ電極部とリード２とはボンディング
ワイヤ４によりワイヤボンディング接続されている。半
導体チップ３はダイパッド１と共に樹脂封止部５で封止
されており、該樹脂封止部５の周縁樹脂部５ａよりリー
ド２の実装面側を含む一部が露出形成されている。
【００１２】図１０の半導体パッケージ１５は、半導体
チップ３がダイボンディングされたダイパッド１をリー
ド２と共に樹脂封止部（パッケージ部）５より実装面側
に露出させてヒートシンクとして用いたものである。図
１１の半導体パッケージ１６は、半導体チップ３をヒー
トシンク６に搭載して、チップ電極部と曲げ加工された
リード２とをボンディングワイヤ４によりワイヤボンデ
ィング接続されている。そして、片面モールドによりリ
ード２の一部を樹脂封止部５の実装面側に露出させ、ヒ
ートシンク６を樹脂封止部５の実装面とは反対面側に露
出させたものである。
チップ３がダイボンディングされたダイパッド１をリー
ド２と共に樹脂封止部（パッケージ部）５より実装面側
に露出させてヒートシンクとして用いたものである。図
１１の半導体パッケージ１６は、半導体チップ３をヒー
トシンク６に搭載して、チップ電極部と曲げ加工された
リード２とをボンディングワイヤ４によりワイヤボンデ
ィング接続されている。そして、片面モールドによりリ
ード２の一部を樹脂封止部５の実装面側に露出させ、ヒ
ートシンク６を樹脂封止部５の実装面とは反対面側に露
出させたものである。
【００１３】次に、半導体パッケージの製造装置の概略
構成について図４を参照して説明する。半導体パッケー
ジの製造装置の一例として、樹脂封止後のリードフレー
ム７が搬入される切断装置が設けられている。この切断
装置は、固定型であるダイ９と可動型であるパンチ１０
を備えている。ダイ９には、樹脂封止部５の周縁部で切
断される切断ラインＬ直下のリード２、樹脂封止部５を
リードフレーム７に支持している吊りリード８及び周縁
樹脂部５ａを支持する切断支持部１１が設けられてい
る。
構成について図４を参照して説明する。半導体パッケー
ジの製造装置の一例として、樹脂封止後のリードフレー
ム７が搬入される切断装置が設けられている。この切断
装置は、固定型であるダイ９と可動型であるパンチ１０
を備えている。ダイ９には、樹脂封止部５の周縁部で切
断される切断ラインＬ直下のリード２、樹脂封止部５を
リードフレーム７に支持している吊りリード８及び周縁
樹脂部５ａを支持する切断支持部１１が設けられてい
る。
【００１４】パンチ１０は、切断支持部１１の外周側で
該切断支持部１１に交差（直交）して移動する。このと
き、パンチ１０は、切断支持部１１に支持されたリード
２、吊りリード８及びリード間の周縁樹脂部５ａを切断
し、半導体パッケージを個片にする。パンチ先端部には
切断ラインＬ直上部から水平方向へ離間するにしたがっ
て逃げ１０ａが形成されている。この逃げ１０ａの水平
方向に対する逃げ角αは５度以上に設計されている。こ
のパンチ１０の逃げ１０ａ及び逃げ角αは、パンチ１０
の切断ラインＬより外側が先に加工を開始することに起
因して吊りリード８とリード２間やリード２とリード２
間の周縁樹脂部５ａに作用する曲応力が増大して樹脂封
止部５が破損するのを防止するためである。このように
パンチ１０に逃げ１０ａを形成することにより、切断荷
重入力を切断ラインＬ直上のみに限定し、発生する曲応
力を最小限に抑えることで樹脂封止部５にクラックを生
ずることなく切断することができる。
該切断支持部１１に交差（直交）して移動する。このと
き、パンチ１０は、切断支持部１１に支持されたリード
２、吊りリード８及びリード間の周縁樹脂部５ａを切断
し、半導体パッケージを個片にする。パンチ先端部には
切断ラインＬ直上部から水平方向へ離間するにしたがっ
て逃げ１０ａが形成されている。この逃げ１０ａの水平
方向に対する逃げ角αは５度以上に設計されている。こ
のパンチ１０の逃げ１０ａ及び逃げ角αは、パンチ１０
の切断ラインＬより外側が先に加工を開始することに起
因して吊りリード８とリード２間やリード２とリード２
間の周縁樹脂部５ａに作用する曲応力が増大して樹脂封
止部５が破損するのを防止するためである。このように
パンチ１０に逃げ１０ａを形成することにより、切断荷
重入力を切断ラインＬ直上のみに限定し、発生する曲応
力を最小限に抑えることで樹脂封止部５にクラックを生
ずることなく切断することができる。
【００１５】また、パンチ１０とダイ９との切断クリア
ランスＰは１０μｍ以下に設定されている。この切断ク
リアランスＰはモーメントアームに他ならず、該切断ク
リアランスＰを可能な限り小さく設定することで、切断
ラインＬ周辺に発生する曲げモーメント影響下のだれ領
域を狭めて切断品質を向上させることができる。
ランスＰは１０μｍ以下に設定されている。この切断ク
リアランスＰはモーメントアームに他ならず、該切断ク
リアランスＰを可能な限り小さく設定することで、切断
ラインＬ周辺に発生する曲げモーメント影響下のだれ領
域を狭めて切断品質を向上させることができる。
【００１６】また、パンチ１０の移動をガイドするパン
チガイド１３は、パンチ１０によりリード及びリード間
の周縁樹脂部５ａを切断するのに先立って、リードフレ
ーム７をダイ９に押接する。このパンチガイド１３は、
樹脂封止部５に対応する実装面側のフレーム面に接触せ
ずにリードフレーム７をダイ９に押接させるようになっ
ている。これは、切断時にパンチ１０とダイ９間に発生
する曲げモーメントを可能な限り低減させることで、パ
ンチガイド１３により樹脂封止部５に対応する実装面側
のフレーム面を押接せずに済むためである。このため、
パンチガイド１３により、切断ラインＬ周辺のリードフ
レーム７の実装面側を押さえることで、パンチガイド１
３の研磨目がリード２の実装面に転写されたり、パンチ
ガイド１３に付着した切断かすやめっきかすがリード２
の実装面に転写されたりしてパッケージ実装面の品質が
低下することを防止することができる。
チガイド１３は、パンチ１０によりリード及びリード間
の周縁樹脂部５ａを切断するのに先立って、リードフレ
ーム７をダイ９に押接する。このパンチガイド１３は、
樹脂封止部５に対応する実装面側のフレーム面に接触せ
ずにリードフレーム７をダイ９に押接させるようになっ
ている。これは、切断時にパンチ１０とダイ９間に発生
する曲げモーメントを可能な限り低減させることで、パ
ンチガイド１３により樹脂封止部５に対応する実装面側
のフレーム面を押接せずに済むためである。このため、
パンチガイド１３により、切断ラインＬ周辺のリードフ
レーム７の実装面側を押さえることで、パンチガイド１
３の研磨目がリード２の実装面に転写されたり、パンチ
ガイド１３に付着した切断かすやめっきかすがリード２
の実装面に転写されたりしてパッケージ実装面の品質が
低下することを防止することができる。
【００１７】次に、半導体パッケージの製造工程の一例
について図６（ａ）〜（ｄ）を参照しながら概略説明す
る。尚、図６（ａ）〜（ｄ）において、切断金型のうち
ダイ９は省略し、樹脂封止部５を支持するリードフレー
ム７も省略して図示してある。半導体チップ３がマトリ
クス状に搭載されたリードフレーム７を、例えばトラン
スファ成形法を用いて、実装面側のリード２を露出して
樹脂封止する。樹脂封止はモールド金型の一方のパーテ
ィング面をリリースフィルムで覆って、露出させるリー
ド部分を押接することによりリード露出面側に樹脂を回
さずに樹脂封止する。リードフレーム７は、短冊状のも
のでも、長尺状に巻回された状態から連続搬送されるも
のでも何れでも良い。
について図６（ａ）〜（ｄ）を参照しながら概略説明す
る。尚、図６（ａ）〜（ｄ）において、切断金型のうち
ダイ９は省略し、樹脂封止部５を支持するリードフレー
ム７も省略して図示してある。半導体チップ３がマトリ
クス状に搭載されたリードフレーム７を、例えばトラン
スファ成形法を用いて、実装面側のリード２を露出して
樹脂封止する。樹脂封止はモールド金型の一方のパーテ
ィング面をリリースフィルムで覆って、露出させるリー
ド部分を押接することによりリード露出面側に樹脂を回
さずに樹脂封止する。リードフレーム７は、短冊状のも
のでも、長尺状に巻回された状態から連続搬送されるも
のでも何れでも良い。
【００１８】樹脂封止後、不要樹脂をゲートブレイクし
て除去した後、リードフレーム７を切断金型（順送金
型）へ搬入してパンチ１０とダイ９の相対的な移動によ
りリードカットを行う。本実施例では、図６（ａ）にお
いて、先ず樹脂封止部５をリードフレーム７に支持する
１対の吊りリード８を切断する。具体的には、樹脂封止
部５の対角線上をフレームまで延設された吊りリード８
のうち１対を切断する。
て除去した後、リードフレーム７を切断金型（順送金
型）へ搬入してパンチ１０とダイ９の相対的な移動によ
りリードカットを行う。本実施例では、図６（ａ）にお
いて、先ず樹脂封止部５をリードフレーム７に支持する
１対の吊りリード８を切断する。具体的には、樹脂封止
部５の対角線上をフレームまで延設された吊りリード８
のうち１対を切断する。
【００１９】次に、図６（ｂ）において、リードフレー
ム７をピッチ送りして、対向したＸ方向側の辺を切断
し、次いで更にピッチ送りを行って図６（ｃ）に示すよ
うに対向したＹ方向側の辺を切断する。最後にリードフ
レーム７をピッチ送りして図６（ｄ）に示すように、残
りの１対の吊りリード８を切断することにより個片に分
離する。
ム７をピッチ送りして、対向したＸ方向側の辺を切断
し、次いで更にピッチ送りを行って図６（ｃ）に示すよ
うに対向したＹ方向側の辺を切断する。最後にリードフ
レーム７をピッチ送りして図６（ｄ）に示すように、残
りの１対の吊りリード８を切断することにより個片に分
離する。
【００２０】このように、先ず樹脂封止部５のＸ−Ｙ方
向のリード２及び周縁樹脂部５ａを抜き落とさずに、１
対の吊りリード８を切断するのは、切断ラインＬ真下の
ダイ（切断支持部１１）にリード２及び周縁樹脂部５ａ
を打ち抜いた際に抜きかすのかす詰まりを防止する２番
逃げを形成する余裕が無いため（図４参照）、先ず抜き
かすの小さな１対の吊りリード８を抜き落とすことで続
く大きな抜きかすを落とす空間を形成するためである。
尚、切断後の半導体パッケージは、図示しない吸着ピッ
クアップに吸着保持されて切断金型より搬出される。
向のリード２及び周縁樹脂部５ａを抜き落とさずに、１
対の吊りリード８を切断するのは、切断ラインＬ真下の
ダイ（切断支持部１１）にリード２及び周縁樹脂部５ａ
を打ち抜いた際に抜きかすのかす詰まりを防止する２番
逃げを形成する余裕が無いため（図４参照）、先ず抜き
かすの小さな１対の吊りリード８を抜き落とすことで続
く大きな抜きかすを落とす空間を形成するためである。
尚、切断後の半導体パッケージは、図示しない吸着ピッ
クアップに吸着保持されて切断金型より搬出される。
【００２１】ここで、本願発明の特徴である切断方法に
ついて、図１〜図５を参照して詳述する。図１におい
て、リードフレーム７は樹脂封止部５を下側にしてダイ
９にセットされる。このとき、樹脂封止部５の周縁部よ
り延設されたリード２、吊りリード８及び周縁樹脂部５
ａが切断ライン直下で切断支持部１１に支持され、樹脂
封止部５がダイ９に接触せずにリードフレーム７はダイ
９にセットされている。この切断支持部１１の支持面の
幅は様々に設定可能であるが、あまり狭くすると切断支
持部１１側より圧縮破壊が起こるので、例えばリード２
の板厚０．２０ｍｍの製品で、０．０３８ｍｍ以上に設
定されている。このように、リードフレーム７は、樹脂
封止部５の周縁部より延設されたリード２、吊りリード
８及び周縁樹脂部５ａが切断ラインＬ直下で切断支持部
１１にのみ支持されているので、切断時のモーメント・
アームが切断クリアランスを超えて拡大することによる
曲応力の増大を防ぎ、クラック発生リスクを切断ライン
Ｌ上最小限の限られた範囲（だれ領域）に止めている。
これにより、だれ領域を越えて吊りリード８とリード２
間の周縁樹脂部５ａやリード２とリード２間の周縁樹脂
部５ａに不規則かつ甚大なクラックが発生することを防
止できる（図７（ａ）（ｂ）参照）。
ついて、図１〜図５を参照して詳述する。図１におい
て、リードフレーム７は樹脂封止部５を下側にしてダイ
９にセットされる。このとき、樹脂封止部５の周縁部よ
り延設されたリード２、吊りリード８及び周縁樹脂部５
ａが切断ライン直下で切断支持部１１に支持され、樹脂
封止部５がダイ９に接触せずにリードフレーム７はダイ
９にセットされている。この切断支持部１１の支持面の
幅は様々に設定可能であるが、あまり狭くすると切断支
持部１１側より圧縮破壊が起こるので、例えばリード２
の板厚０．２０ｍｍの製品で、０．０３８ｍｍ以上に設
定されている。このように、リードフレーム７は、樹脂
封止部５の周縁部より延設されたリード２、吊りリード
８及び周縁樹脂部５ａが切断ラインＬ直下で切断支持部
１１にのみ支持されているので、切断時のモーメント・
アームが切断クリアランスを超えて拡大することによる
曲応力の増大を防ぎ、クラック発生リスクを切断ライン
Ｌ上最小限の限られた範囲（だれ領域）に止めている。
これにより、だれ領域を越えて吊りリード８とリード２
間の周縁樹脂部５ａやリード２とリード２間の周縁樹脂
部５ａに不規則かつ甚大なクラックが発生することを防
止できる（図７（ａ）（ｂ）参照）。
【００２２】また、切断工程は、樹脂封止部５の対向す
る辺毎にＸＹ方向に切断する工程と、樹脂封止部５の四
隅部からリードフレーム７まで延設された吊りリード８
を切断する工程とに分けて行っても良いが、生産効率を
高めるため樹脂封止部５の周縁部より延設されたリード
２、吊りリード８及び周縁樹脂部５ａを切断ラインに沿
って一回の切断動作で切断するようにしても良い。
る辺毎にＸＹ方向に切断する工程と、樹脂封止部５の四
隅部からリードフレーム７まで延設された吊りリード８
を切断する工程とに分けて行っても良いが、生産効率を
高めるため樹脂封止部５の周縁部より延設されたリード
２、吊りリード８及び周縁樹脂部５ａを切断ラインに沿
って一回の切断動作で切断するようにしても良い。
【００２３】また、図２において、露出したリード２及
び吊りリード８にははんだめっきや鉛フリーのはんだめ
っき（Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｂｉ等）、或い
はパラジウムめっきなどの外装めっき１２が施されてい
る。本発明の切断工程は、樹脂封止部５の周囲に延設さ
れたリード２、吊りリード８及び周縁樹脂部５ａをパン
チ１０の押込み力によりダイ９側に押し潰し、リード２
及び吊りリード８（外装めっき１２部）を周縁樹脂部５
ａと面一に切断支持部１１に密着させてから切断する。
図３は、パンチ１０の押込み力によりリード２（外装め
っき１２部）が部分的に潰されて広がった（例えば０．
００５ｍｍ程度に圧延された）状態を示す。
び吊りリード８にははんだめっきや鉛フリーのはんだめ
っき（Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｂｉ等）、或い
はパラジウムめっきなどの外装めっき１２が施されてい
る。本発明の切断工程は、樹脂封止部５の周囲に延設さ
れたリード２、吊りリード８及び周縁樹脂部５ａをパン
チ１０の押込み力によりダイ９側に押し潰し、リード２
及び吊りリード８（外装めっき１２部）を周縁樹脂部５
ａと面一に切断支持部１１に密着させてから切断する。
図３は、パンチ１０の押込み力によりリード２（外装め
っき１２部）が部分的に潰されて広がった（例えば０．
００５ｍｍ程度に圧延された）状態を示す。
【００２４】リード２に加わる剪断応力と外装めっき１
２の圧縮応力の比は、リード２の板厚をｔ、切断支持部
１１の受け幅をｌとするとｌ／ｔで表される。ｌ／ｔが
５０％程度で、リード２間の周縁樹脂部５ａにだれ領域
を越えた異常クラックが生じ、１０％程度でダイ９の切
断支持部１１側より圧縮破壊が生ずることが判明してい
る。実験によれば、外装めっき１２が通常のはんだめっ
きである場合、リード２の板厚ｔ＝０．２２ｍｍ（めっ
き厚０．０１ｍｍを含む）に対して、受け幅ｌを０．０
３８ｍｍ〜０．０７２ｍｍ（ｌ／ｔ＝１５％〜４０％）
の範囲で設定すると、切断後の樹脂封止部（パッケージ
部）５が良品であることが確認されている。このよう
に、リード２、吊りリード８及び周縁樹脂部５ａを切断
支持部１１に密着させてから切断することにより、切断
荷重が曲応力に転ずる領域を切断ラインＬ直下の最小限
に抑え、リード２間の周縁樹脂部５ａにクラックが生ず
ることを防止することができる。
２の圧縮応力の比は、リード２の板厚をｔ、切断支持部
１１の受け幅をｌとするとｌ／ｔで表される。ｌ／ｔが
５０％程度で、リード２間の周縁樹脂部５ａにだれ領域
を越えた異常クラックが生じ、１０％程度でダイ９の切
断支持部１１側より圧縮破壊が生ずることが判明してい
る。実験によれば、外装めっき１２が通常のはんだめっ
きである場合、リード２の板厚ｔ＝０．２２ｍｍ（めっ
き厚０．０１ｍｍを含む）に対して、受け幅ｌを０．０
３８ｍｍ〜０．０７２ｍｍ（ｌ／ｔ＝１５％〜４０％）
の範囲で設定すると、切断後の樹脂封止部（パッケージ
部）５が良品であることが確認されている。このよう
に、リード２、吊りリード８及び周縁樹脂部５ａを切断
支持部１１に密着させてから切断することにより、切断
荷重が曲応力に転ずる領域を切断ラインＬ直下の最小限
に抑え、リード２間の周縁樹脂部５ａにクラックが生ず
ることを防止することができる。
【００２５】また、図４及び図５において、樹脂封止部
５の周縁部の切断は、パンチ１０とダイ９を相対的に移
動させて行われる。即ち、本実施例のように可動型であ
るパンチ１０が固定型であるダイ９の上方に配置されて
いても或いは下方に配置されていても良い。また、本実
施例のように、樹脂封止部５の周縁部に延設されたリー
ド２及び吊りリード８は実装面側からパンチ１０を押込
むように設定すれば切断後のリードの実装面側はだれ面
となり、切断後のバリの向きは実装面と反対方向を向く
ことになる。これにより、リードフレーム７の加工や搬
送途中で抜きかすや異物が実装面に付着してリード２が
傷付くのを防止でき、また、リード２の実装面側がだれ
面となることにより、半導体パッケージを基板実装する
際のはんだぬれ性を高めて接続信頼性を向上させること
が可能となる。
５の周縁部の切断は、パンチ１０とダイ９を相対的に移
動させて行われる。即ち、本実施例のように可動型であ
るパンチ１０が固定型であるダイ９の上方に配置されて
いても或いは下方に配置されていても良い。また、本実
施例のように、樹脂封止部５の周縁部に延設されたリー
ド２及び吊りリード８は実装面側からパンチ１０を押込
むように設定すれば切断後のリードの実装面側はだれ面
となり、切断後のバリの向きは実装面と反対方向を向く
ことになる。これにより、リードフレーム７の加工や搬
送途中で抜きかすや異物が実装面に付着してリード２が
傷付くのを防止でき、また、リード２の実装面側がだれ
面となることにより、半導体パッケージを基板実装する
際のはんだぬれ性を高めて接続信頼性を向上させること
が可能となる。
【００２６】また、パンチ１０とダイ９の切断クリアラ
ンスＰの変化に伴い半導体パッケージの切断品質が変わ
ることを図８（ａ）（ｂ）を参照して説明する。図８
（ａ）（ｂ）は、切断後の半導体パッケージの切断ライ
ン近傍を拡大したものである。切断によって発生した曲
げモーメントにより、リード２の切断ラインＬ近傍に折
り曲げが生じている（だれ領域が生じている）ことが分
かる。塑性変形を起こさないリード２間の周縁樹脂部５
ａにおけるだれ領域でも切断に伴う折り曲げが生じてい
ることが推察される。これは、図８（ａ）において、リ
ード２間の周縁樹脂部５ａのだれ領域に切断ラインに沿
ったクラックが発生していることからも裏付けられる。
このクラックは、不安定領域であるだれ領域内で不規則
に発生するものと思料される。図８（ｂ）は、図８
（ａ）に比べて切断クリアランスＰを小さく設定して切
断した切断ラインを示す。切断に伴う曲げモーメントの
発生が抑制された結果、だれ領域が大幅に狭められ、リ
ード２間の周縁樹脂部５ａに生ずるクラックの発生も可
及的に抑えることができるものと判明した。実験では切
断クリアランスＰを１μｍ狭めることによって、だれ領
域が５μｍ狭められることが判明している。
ンスＰの変化に伴い半導体パッケージの切断品質が変わ
ることを図８（ａ）（ｂ）を参照して説明する。図８
（ａ）（ｂ）は、切断後の半導体パッケージの切断ライ
ン近傍を拡大したものである。切断によって発生した曲
げモーメントにより、リード２の切断ラインＬ近傍に折
り曲げが生じている（だれ領域が生じている）ことが分
かる。塑性変形を起こさないリード２間の周縁樹脂部５
ａにおけるだれ領域でも切断に伴う折り曲げが生じてい
ることが推察される。これは、図８（ａ）において、リ
ード２間の周縁樹脂部５ａのだれ領域に切断ラインに沿
ったクラックが発生していることからも裏付けられる。
このクラックは、不安定領域であるだれ領域内で不規則
に発生するものと思料される。図８（ｂ）は、図８
（ａ）に比べて切断クリアランスＰを小さく設定して切
断した切断ラインを示す。切断に伴う曲げモーメントの
発生が抑制された結果、だれ領域が大幅に狭められ、リ
ード２間の周縁樹脂部５ａに生ずるクラックの発生も可
及的に抑えることができるものと判明した。実験では切
断クリアランスＰを１μｍ狭めることによって、だれ領
域が５μｍ狭められることが判明している。
【００２７】上述した半導体パッケージの製造装置及び
製造方法によれば、樹脂封止部５の周縁部で切断される
切断ライン直下のリード２、吊りリード８及び周縁樹脂
部５ａが切断支持部１１に支持されているので、切断荷
重が樹脂封止部５に作用してクラックの原因となる曲応
力に転ずることを防ぎ、吊りリード８とリード２間やリ
ード２間の周縁樹脂部５ａにクラックが発生するのを防
止できる。また、樹脂封止部５の周縁部に延設されたリ
ード２及び吊りリード８（外装めっき１２部）をパンチ
１０により押込んで切断支持部１１上で周縁樹脂部５ａ
と面一に押し潰してから切断することにより、切断荷重
が曲応力に転ずる領域を切断ライン直下の最小限に抑
え、樹脂封止部５のＸ−Ｙ方向のリード２とリード２間
及び吊りリード８とリード２間の周縁樹脂部５ａにクラ
ックが生ずるのを防止できる。また、パンチ１０とダイ
９を相対的に移動させてパンチ１０を実装面側から押込
んでリード及び周縁樹脂部が切断されるので、リードフ
レーム７の加工や搬送途中で抜きかすや異物が実装面に
付着してリード２が傷付くのを防止できる。また、リー
ド２の実装面側がだれ面となることにより、半導体パッ
ケージを基板実装する際のはんだぬれ性を高めて接続信
頼性を向上させることができる。また、パンチ１０の先
端部には切断ラインＬ直上部から水平方向へ離間するに
したがって逃げ角が５度以上となる逃げが形成されてい
るので、切断荷重入力を切断ラインＬ真上のみに限定
し、発生する曲応力を最小限に抑えることで樹脂封止部
５にクラックを生ずることなく切断することができる。
また、パンチ１０とダイ９との切断クリアランスＰは１
０μｍ以下の範囲で可能な限り小さく設定することで、
切断ラインＬ周辺に発生する曲げモーメント影響下のだ
れ領域を狭めて切断品質を向上させることができる。ま
た、パンチ１０の移動をガイドするパンチガイド１３
が、樹脂封止部５に対応する実装面側のフレーム面に接
触せずにリードフレーム７をダイ９に押接させるので、
パンチガイド１３の研磨目がリード２の実装面に転写さ
れたり、パンチガイド１３に付着した切断かすやめっき
かすがリード２の実装面に転写されたりしてパッケージ
実装面の品質が低下することを防止することができる。
製造方法によれば、樹脂封止部５の周縁部で切断される
切断ライン直下のリード２、吊りリード８及び周縁樹脂
部５ａが切断支持部１１に支持されているので、切断荷
重が樹脂封止部５に作用してクラックの原因となる曲応
力に転ずることを防ぎ、吊りリード８とリード２間やリ
ード２間の周縁樹脂部５ａにクラックが発生するのを防
止できる。また、樹脂封止部５の周縁部に延設されたリ
ード２及び吊りリード８（外装めっき１２部）をパンチ
１０により押込んで切断支持部１１上で周縁樹脂部５ａ
と面一に押し潰してから切断することにより、切断荷重
が曲応力に転ずる領域を切断ライン直下の最小限に抑
え、樹脂封止部５のＸ−Ｙ方向のリード２とリード２間
及び吊りリード８とリード２間の周縁樹脂部５ａにクラ
ックが生ずるのを防止できる。また、パンチ１０とダイ
９を相対的に移動させてパンチ１０を実装面側から押込
んでリード及び周縁樹脂部が切断されるので、リードフ
レーム７の加工や搬送途中で抜きかすや異物が実装面に
付着してリード２が傷付くのを防止できる。また、リー
ド２の実装面側がだれ面となることにより、半導体パッ
ケージを基板実装する際のはんだぬれ性を高めて接続信
頼性を向上させることができる。また、パンチ１０の先
端部には切断ラインＬ直上部から水平方向へ離間するに
したがって逃げ角が５度以上となる逃げが形成されてい
るので、切断荷重入力を切断ラインＬ真上のみに限定
し、発生する曲応力を最小限に抑えることで樹脂封止部
５にクラックを生ずることなく切断することができる。
また、パンチ１０とダイ９との切断クリアランスＰは１
０μｍ以下の範囲で可能な限り小さく設定することで、
切断ラインＬ周辺に発生する曲げモーメント影響下のだ
れ領域を狭めて切断品質を向上させることができる。ま
た、パンチ１０の移動をガイドするパンチガイド１３
が、樹脂封止部５に対応する実装面側のフレーム面に接
触せずにリードフレーム７をダイ９に押接させるので、
パンチガイド１３の研磨目がリード２の実装面に転写さ
れたり、パンチガイド１３に付着した切断かすやめっき
かすがリード２の実装面に転写されたりしてパッケージ
実装面の品質が低下することを防止することができる。
【００２８】以上本発明の好適な実施例について種々述
べてきたが、半導体パッケージの製造方法は上述した実
施例に限定されるのではなく、例えばリード２及び吊り
リード８の板厚ｔや切断支持部１１の幅ｌの値は許容範
囲で任意に設定できる。また、外装めっき１２も通常の
はんだめっきに限らず、鉛フリーはんだめっき、パラジ
ウムめっきなど様々なめっき材料に対しても有効であ
る。また、リードフレーム７は、樹脂封止部５を下側に
して切断金型にセットしたが、パンチ１０とダイ９の配
置を入れ替えれば、樹脂封止部５を上側にしてセットし
てもよいなど、発明の精神を逸脱しない範囲で多くの改
変を施し得るのはもちろんである。
べてきたが、半導体パッケージの製造方法は上述した実
施例に限定されるのではなく、例えばリード２及び吊り
リード８の板厚ｔや切断支持部１１の幅ｌの値は許容範
囲で任意に設定できる。また、外装めっき１２も通常の
はんだめっきに限らず、鉛フリーはんだめっき、パラジ
ウムめっきなど様々なめっき材料に対しても有効であ
る。また、リードフレーム７は、樹脂封止部５を下側に
して切断金型にセットしたが、パンチ１０とダイ９の配
置を入れ替えれば、樹脂封止部５を上側にしてセットし
てもよいなど、発明の精神を逸脱しない範囲で多くの改
変を施し得るのはもちろんである。
【００２９】
【発明の効果】本発明に係る半導体パッケージの製造装
置及び製造方法によれば、樹脂封止部の周縁部で切断さ
れる切断ライン直下のリード及び周縁樹脂部が切断支持
部に支持されて切断されるので、切断荷重が樹脂封止部
に作用してクラックの原因となる曲応力に転ずることを
防ぎ、吊りリードとリード間やリードとリード間の周縁
樹脂部にクラックが発生するのを防止できる。また、樹
脂封止部の周縁部より延設されたリードをパンチにより
押込んで切断支持部上で周縁樹脂部と面一に押し潰して
から切断することにより、切断荷重が曲応力に転ずる領
域を切断ライン直下の最小限に抑え、樹脂封止部のＸ−
Ｙ方向及びコーナー部のリード間の周縁樹脂部にクラッ
クが生ずるのを防止できる。また、パンチとダイを相対
的に移動させてパンチを実装面側から押込んでリード及
び周縁樹脂部が切断されるので、リードフレームの加工
や搬送途中で抜きかすや異物が実装面に付着してリード
が傷付くのを防止でき、また、リードの実装面側がだれ
面となることにより、半導体パッケージを基板実装する
際のはんだぬれ性を高めて接続信頼性を向上させること
ができる。また、パンチ先端部には切断ライン直上部か
ら水平方向へ離間するにしたがって逃げ角が５度以上と
なる逃げが形成されているので、切断荷重入力を切断ラ
インＬ真上のみに限定し、発生する曲応力を最小限に抑
えることで樹脂封止部にクラックを生ずることなく切断
することができる。また、パンチとダイとの切断クリア
ランスは１０μｍ以下の範囲で可能な限り小さく設定す
ることで、切断ライン周辺に発生する曲げモーメント影
響下のだれ領域を狭めて切断品質を向上させることがで
きる。また、パンチの移動をガイドするパンチガイド
が、樹脂封止部に対応する実装面側のフレーム面に接触
せずにリードフレームをダイに押接させるので、パンチ
ガイドの研磨目がリードの実装面に転写されたり、パン
チガイドに付着した切断かすやめっきかすがリードの実
装面に転写されたりしてパッケージ実装面の品質が低下
することを防止することができる。
置及び製造方法によれば、樹脂封止部の周縁部で切断さ
れる切断ライン直下のリード及び周縁樹脂部が切断支持
部に支持されて切断されるので、切断荷重が樹脂封止部
に作用してクラックの原因となる曲応力に転ずることを
防ぎ、吊りリードとリード間やリードとリード間の周縁
樹脂部にクラックが発生するのを防止できる。また、樹
脂封止部の周縁部より延設されたリードをパンチにより
押込んで切断支持部上で周縁樹脂部と面一に押し潰して
から切断することにより、切断荷重が曲応力に転ずる領
域を切断ライン直下の最小限に抑え、樹脂封止部のＸ−
Ｙ方向及びコーナー部のリード間の周縁樹脂部にクラッ
クが生ずるのを防止できる。また、パンチとダイを相対
的に移動させてパンチを実装面側から押込んでリード及
び周縁樹脂部が切断されるので、リードフレームの加工
や搬送途中で抜きかすや異物が実装面に付着してリード
が傷付くのを防止でき、また、リードの実装面側がだれ
面となることにより、半導体パッケージを基板実装する
際のはんだぬれ性を高めて接続信頼性を向上させること
ができる。また、パンチ先端部には切断ライン直上部か
ら水平方向へ離間するにしたがって逃げ角が５度以上と
なる逃げが形成されているので、切断荷重入力を切断ラ
インＬ真上のみに限定し、発生する曲応力を最小限に抑
えることで樹脂封止部にクラックを生ずることなく切断
することができる。また、パンチとダイとの切断クリア
ランスは１０μｍ以下の範囲で可能な限り小さく設定す
ることで、切断ライン周辺に発生する曲げモーメント影
響下のだれ領域を狭めて切断品質を向上させることがで
きる。また、パンチの移動をガイドするパンチガイド
が、樹脂封止部に対応する実装面側のフレーム面に接触
せずにリードフレームをダイに押接させるので、パンチ
ガイドの研磨目がリードの実装面に転写されたり、パン
チガイドに付着した切断かすやめっきかすがリードの実
装面に転写されたりしてパッケージ実装面の品質が低下
することを防止することができる。
【図１】半導体パッケージの切断部分を示す断面説明図
である。
である。
【図２】図１の半導体パッケージの右側面図である。
【図３】図２の半導体パッケージの下面図である。
【図４】リード切断工程の拡大説明図である。
【図５】切断後の半導体パッケージの説明図である。
【図６】半導体パッケージの切断ラインの一例を示す説
明図である。
明図である。
【図７】吊りリード切断後及びＸ−Ｙ方向のリード切断
後の半導体パッケージの拡大説明図である。
後の半導体パッケージの拡大説明図である。
【図８】半導体パッケージの切断クリアランスとだれ領
域の関係を示す説明図である。
域の関係を示す説明図である。
【図９】各種半導体パッケージの説明図である。
【図１０】各種半導体パッケージの説明図である。
【図１１】各種半導体パッケージの説明図である。
【図１２】従来の製造方法の課題を示す説明図である。
１ ダイパッド
２ リード
３ 半導体チップ
４ ボンディングワイヤ
５ 樹脂封止部
５ａ 周縁樹脂部
６ ヒートシンク
７ リードフレーム
８ 吊りリード
９ ダイ
９ａ ダイ孔
１０ パンチ
１１ 切断支持部
１２ 外装めっき
１３ パンチガイド
１４、１５、１６ 半導体パッケージ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 窪田 久三
長野県埴科郡戸倉町大字上徳間90番地 ア
ピックヤマダ株式会社内
(72)発明者 大塚 長弐
長野県埴科郡戸倉町大字上徳間90番地 ア
ピックヤマダ株式会社内
(72)発明者 井口 賢一
長野県埴科郡戸倉町大字上徳間90番地 ア
ピックヤマダ株式会社内
(72)発明者 宮下 敏規
長野県埴科郡戸倉町大字上徳間90番地 ア
ピックヤマダ株式会社内
Ｆターム(参考） 4F206 AD02 AH37 JA07 JB17 JL02
JM06 JN41 JP30 JW23
5F061 AA01 BA01 CA21 EA13
5F067 AA07 DB06
Claims (9)
- 【請求項１】 リードフレームの片面に樹脂封止部が形
成された半導体パッケージの当該樹脂封止部の周縁部に
露出したリードを周縁樹脂部と共に切断する半導体パッ
ケージの製造装置において、 前記樹脂封止部の周縁部で切断される切断ライン直下の
リード及び周縁樹脂部を支持する切断支持部を有するダ
イと、 前記切断支持部に交差して移動する際に、該切断支持部
に支持されたリード及び周縁樹脂部を切断して半導体パ
ッケージを個片にするパンチとを備えたことを特徴とす
る半導体パッケージの製造装置。 - 【請求項２】 前記パンチ先端部には切断ライン直上部
から水平方向へ離間するにしたがって逃げ角が５度以上
となる逃げが形成されていることを特徴とする請求項１
記載の半導体パッケージの製造装置。 - 【請求項３】 前記パンチとダイとの切断クリアランス
は１０μｍ以下に設定されていることを特徴とする請求
項１又は２記載の半導体パッケージの製造装置。 - 【請求項４】 前記パンチの移動をガイドするパンチガ
イドが、樹脂封止部に対応する実装面側のフレーム面に
接触せずにリードフレームをダイに押接させることを特
徴とする請求項１、２又は３記載の半導体パッケージの
製造装置。 - 【請求項５】 リードフレームの片面に樹脂封止部が形
成された半導体パッケージの当該樹脂封止部の周縁部で
リード及び周縁樹脂部を切断する半導体パッケージの製
造方法において、 前記樹脂封止部の周縁部より延設されたリード及び周縁
樹脂部のみが切断ライン直下に設けられた切断支持部に
支持されるように前記リードフレームをダイにセットす
る工程と、 前記切断支持部に交差して移動する際に前記樹脂封止部
の周縁部でリード及び周縁樹脂部を切断して半導体パッ
ケージを個片にする工程とを含むことを特徴とする半導
体パッケージの製造方法。 - 【請求項６】 前記切断工程は、樹脂封止部の周囲に延
設されたリードをパンチにより押込んで切断支持部上で
周縁樹脂部と面一に押し潰してから切断することを特徴
とする請求項５記載の半導体パッケージの製造方法。 - 【請求項７】 前記切断工程は、樹脂封止部の周囲に延
設されたリードの実装面側から切断することを特徴とす
る請求項５又は６記載の半導体パッケージの製造方法。 - 【請求項８】 前記切断工程は、樹脂封止部の対角線上
をフレームまで延設された吊りリードのうち１対を切断
する工程と、前記樹脂封止部の対向する各辺毎にリード
及び周縁樹脂部を切断する工程と、残りの１対の吊りリ
ードを切断する工程とに分けて行うことを特徴とする請
求項５、６又は７記載の半導体パッケージの製造方法。 - 【請求項９】 前記切断工程は、樹脂封止部の周縁部よ
り延設されたリード及び周縁樹脂部を切断ラインに沿っ
て一回の切断動作で切断することを特徴とする請求項
５、６又は７記載の半導体パッケージの製造方法。
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| JP2001318323A JP3638548B2 (ja) | 2001-10-16 | 2001-10-16 | 半導体パッケージの製造方法 |
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007273729A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Nec Electronics Corp | リードカット装置および半導体装置の製造方法 |
| JP2009238958A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 端子切断一体型電気検査装置 |
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| JPH0750380A (ja) * | 1993-08-09 | 1995-02-21 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JP2001077278A (ja) * | 1999-10-15 | 2001-03-23 | Amkor Technology Korea Inc | 半導体パッケージと、このためのリードフレーム及び、半導体パッケージの製造方法とそのモールド |
| JP2001230359A (ja) * | 2000-02-18 | 2001-08-24 | Towa Corp | 電子部品のリード加工方法 |
-
2001
- 2001-10-16 JP JP2001318323A patent/JP3638548B2/ja not_active Expired - Fee Related
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