JP3077505B2 - リードフレームの製造方法 - Google Patents
リードフレームの製造方法Info
- Publication number
- JP3077505B2 JP3077505B2 JP06083340A JP8334094A JP3077505B2 JP 3077505 B2 JP3077505 B2 JP 3077505B2 JP 06083340 A JP06083340 A JP 06083340A JP 8334094 A JP8334094 A JP 8334094A JP 3077505 B2 JP3077505 B2 JP 3077505B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- downset
- lead frame
- processed
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Bending Of Plates, Rods, And Pipes (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ダウンセット部を有す
る半導体装置用のリードフレームの製造方法に係り、特
にダウンセット加工時にリード表面のめっきにクラック
が生じたり、めっきによるヒゲバリが発生しないように
したリードフレームの製造方法に関する。
る半導体装置用のリードフレームの製造方法に係り、特
にダウンセット加工時にリード表面のめっきにクラック
が生じたり、めっきによるヒゲバリが発生しないように
したリードフレームの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、ICパッケージは図2に示す断
面構造をしている。Siなどの半導体チップ1はアイラ
ンド3に接着固定され、リード2と半導体チップ1のボ
ンディングパッドの間をボンディングワイヤ6で配線
し、半導体装置として構成される。
面構造をしている。Siなどの半導体チップ1はアイラ
ンド3に接着固定され、リード2と半導体チップ1のボ
ンディングパッドの間をボンディングワイヤ6で配線
し、半導体装置として構成される。
【0003】しかし、ICパッケージは軽薄短小が必須
条件であるため、幅、長さはもとより特に厚さ方向の寸
法制限が重視されている。薄型化を実現するためには封
止樹脂9の上下厚さのバランスをとり、パッケージ内で
半導体チップ1の位置を厚さ方向中央にすることが好ま
しいとされている。このため薄型化技術として高度なダ
ウンセット加工が要求されている。符号4がダウンセッ
ト加工部である。
条件であるため、幅、長さはもとより特に厚さ方向の寸
法制限が重視されている。薄型化を実現するためには封
止樹脂9の上下厚さのバランスをとり、パッケージ内で
半導体チップ1の位置を厚さ方向中央にすることが好ま
しいとされている。このため薄型化技術として高度なダ
ウンセット加工が要求されている。符号4がダウンセッ
ト加工部である。
【0004】図3は、外枠7から内側に延びた吊りリー
ド8に結合されたアイランド3を有するリードフレーム
形状の一例を示した平面図であり、ダウンセット部4は
吊りリード8のアイランド3側に設けられる。
ド8に結合されたアイランド3を有するリードフレーム
形状の一例を示した平面図であり、ダウンセット部4は
吊りリード8のアイランド3側に設けられる。
【0005】ダウンセット部4は金型により単にリード
を曲げ加工するだけではアイランド3の形状が安定しな
いばかりでなく、図4(a)に示すようにリードフレー
ム10を積み上げて保管したり、荷作りしたりするが、
その場合、ダウンセット部4同士が嵌合して隙間がなく
なり、分離困難な状態となる(図4(b))。
を曲げ加工するだけではアイランド3の形状が安定しな
いばかりでなく、図4(a)に示すようにリードフレー
ム10を積み上げて保管したり、荷作りしたりするが、
その場合、ダウンセット部4同士が嵌合して隙間がなく
なり、分離困難な状態となる(図4(b))。
【0006】そこで、このような分離困難な状態となる
のを回避するために、図4(c)に示すように、ダウン
セット部4に厚さ方向に20〜40%程度の潰し加工を
行い、積み重なり性を配慮したものが提案されている
(例えば実公昭63−8143号公報)。これによれ
ば、ダウンセット部4、4同士が嵌合しても隙間が確保
されて分離が容易となる。
のを回避するために、図4(c)に示すように、ダウン
セット部4に厚さ方向に20〜40%程度の潰し加工を
行い、積み重なり性を配慮したものが提案されている
(例えば実公昭63−8143号公報)。これによれ
ば、ダウンセット部4、4同士が嵌合しても隙間が確保
されて分離が容易となる。
【0007】ところで、高速SRAM等に用いるリード
フレームは、信号伝送の高速性、放熱性などの点からリ
ードフレーム材料として銅を用いる場合が多く、後工程
のテーピング、ダイボンド、ワイヤボンド工程で高温加
熱加工を行うために、Sn/Niめっきを施し、銅素地
の変色を防止している。
フレームは、信号伝送の高速性、放熱性などの点からリ
ードフレーム材料として銅を用いる場合が多く、後工程
のテーピング、ダイボンド、ワイヤボンド工程で高温加
熱加工を行うために、Sn/Niめっきを施し、銅素地
の変色を防止している。
【0008】Sn/Niめっき層は母材の銅と較べ、延
性が少なく硬度が非常に高い。このため、Sn/Niめ
っき層を施したリードに曲げによるダウンセット加工を
行うと、図5(a)、(b)に示したメカニズムでリー
ド11の断面は形状変化してダウンセット部16が形成
されるが、リード11のエッジの部分11aは材料表面
の伸びが大きいため母材の銅12の伸びにSn/Niめ
っき層13の伸びが追従できないため、エッジ部分11
aのめっき層にリード11の長手方向に微細なクラック
14やヒゲ状のバリを生じる。このためさらに図5
(c)に示すような潰し加工を行うと当該部分に明瞭に
ひげバリ15が発生する。なお、図5において上半分は
リードの斜視図、下半分は断面図である。
性が少なく硬度が非常に高い。このため、Sn/Niめ
っき層を施したリードに曲げによるダウンセット加工を
行うと、図5(a)、(b)に示したメカニズムでリー
ド11の断面は形状変化してダウンセット部16が形成
されるが、リード11のエッジの部分11aは材料表面
の伸びが大きいため母材の銅12の伸びにSn/Niめ
っき層13の伸びが追従できないため、エッジ部分11
aのめっき層にリード11の長手方向に微細なクラック
14やヒゲ状のバリを生じる。このためさらに図5
(c)に示すような潰し加工を行うと当該部分に明瞭に
ひげバリ15が発生する。なお、図5において上半分は
リードの斜視図、下半分は断面図である。
【0009】このヒゲバリ15は、42アロイまたは銅
の素材のプレス加工による打ち抜きで成形したリードフ
レーム、及び42アロイの素材をエッチングして成形し
たリードフレームでは発生しない。
の素材のプレス加工による打ち抜きで成形したリードフ
レーム、及び42アロイの素材をエッチングして成形し
たリードフレームでは発生しない。
【0010】しかし、銅素材をエッチングして成形した
リードフレームでは、ダウンセット部の深さが深いほど
顕著であり、図6に示すように、長いものでは0.2mm
以上のヒゲバリ15が発生することがある。ヒゲバリが
発生すると、隣接リードと接触して短絡等の機能障害を
起こす場合があるので、ヒゲバリの発生は絶対に回避し
なければならない。
リードフレームでは、ダウンセット部の深さが深いほど
顕著であり、図6に示すように、長いものでは0.2mm
以上のヒゲバリ15が発生することがある。ヒゲバリが
発生すると、隣接リードと接触して短絡等の機能障害を
起こす場合があるので、ヒゲバリの発生は絶対に回避し
なければならない。
【0011】なお、既述したように、銅素材をプレス加
工して得たリードフレームではヒゲバリが発生しないか
ら、エッチングではなくプレス加工法を採用すれば上記
障害を回避できる。しかし、プレス加工を行うためには
高価な金型が必要となり、金型の製作期間、製品数量、
製品単価を考慮した場合、プレス加工は少量生産品のリ
ードフレームには向かない。このため現状では、リード
フレームの全てをプレス加工に頼るわけにはいかず、少
量生産品はエッチング加工に頼らざるを得ない。
工して得たリードフレームではヒゲバリが発生しないか
ら、エッチングではなくプレス加工法を採用すれば上記
障害を回避できる。しかし、プレス加工を行うためには
高価な金型が必要となり、金型の製作期間、製品数量、
製品単価を考慮した場合、プレス加工は少量生産品のリ
ードフレームには向かない。このため現状では、リード
フレームの全てをプレス加工に頼るわけにはいかず、少
量生産品はエッチング加工に頼らざるを得ない。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、リー
ドフレームにダウンセット加工を施し、後に潰し加工を
行うようにした従来のリードフレームにあっては、次の
ような問題がある。
ドフレームにダウンセット加工を施し、後に潰し加工を
行うようにした従来のリードフレームにあっては、次の
ような問題がある。
【0013】(1) 銅素材をエッチングして成形したリー
ドフレームにSn/Niめっきを施したものでは、ダウ
ンセット加工を行うことによって、リードの長手方向の
めっき層に微細なクラックが生じ、それが原因で潰し加
工時にめっきによるヒゲ状のバリが発生する場合があ
り、このヒゲ状のバリは隣接リードと接触し機能障害を
起こす。
ドフレームにSn/Niめっきを施したものでは、ダウ
ンセット加工を行うことによって、リードの長手方向の
めっき層に微細なクラックが生じ、それが原因で潰し加
工時にめっきによるヒゲ状のバリが発生する場合があ
り、このヒゲ状のバリは隣接リードと接触し機能障害を
起こす。
【0014】(2) ヒゲ状のバリの発生したリードフレー
ムをひとたび出荷し、それがユーザに流出してしまった
場合には、ICのロット不良という重大な事態をもたら
す。このため、その発生率をPPMオーダー以下に止め
る必要がある。
ムをひとたび出荷し、それがユーザに流出してしまった
場合には、ICのロット不良という重大な事態をもたら
す。このため、その発生率をPPMオーダー以下に止め
る必要がある。
【0015】本発明の目的は、上述した従来技術の欠点
を改善し、ダウンセット加工によるめっきのクラックや
ヒゲバリの発生を防止し、安定したダウンセット加工が
可能なリードフレームの製造方法を提供することにあ
る。
を改善し、ダウンセット加工によるめっきのクラックや
ヒゲバリの発生を防止し、安定したダウンセット加工が
可能なリードフレームの製造方法を提供することにあ
る。
【0016】
【課題を解決するための手段】本発明のリードフレーム
製造方法は、銅素材をエッチングして成形されたリード
フレームを対象とし、表面めっきの施されたリードの被
加工部をダウンセット加工してリードの被加工部を傾斜
させる工程を備え、上記リードの被加工部をダウンセッ
ト加工するに際して、リードの被加工部の幅方向の両側
面にプレス加工痕を付けてから、ダウンセット加工する
ようにしたものである。
製造方法は、銅素材をエッチングして成形されたリード
フレームを対象とし、表面めっきの施されたリードの被
加工部をダウンセット加工してリードの被加工部を傾斜
させる工程を備え、上記リードの被加工部をダウンセッ
ト加工するに際して、リードの被加工部の幅方向の両側
面にプレス加工痕を付けてから、ダウンセット加工する
ようにしたものである。
【0017】
【作用】既述したように、クラックやヒゲバリは、42
アロイまたは銅の素材のプレス加工による打ち抜きで成
形したリードフレーム、及び42アロイの素材をエッチ
ングして成形したリードフレームでは発生しない。これ
に対して、銅素材をエッチングして成形したリードフレ
ームでは、これらが発生する。そのメカニズムは次のよ
うに考えられる。
アロイまたは銅の素材のプレス加工による打ち抜きで成
形したリードフレーム、及び42アロイの素材をエッチ
ングして成形したリードフレームでは発生しない。これ
に対して、銅素材をエッチングして成形したリードフレ
ームでは、これらが発生する。そのメカニズムは次のよ
うに考えられる。
【0018】エッチング品では、塩化第二鉄をベースに
した薬品で金属を腐食して図7(a)に示すリード形状
を作る。銅の場合、銅は電子材料用であるため不純物を
含まない高純度のものが使用される。銅は金属学的に均
質な材料であるため、高純度であると腐食進行が均一に
行なわれるので、腐食面は光沢を伴う非常に平滑な面に
仕上がり、エッジ31が滑らかである(図7(b))。
42合金の場合、42合金は鉄系の合金であり、強度機
能を高めるため多数の添加物を含んでおり、各添加物の
腐食速度が異なるため非常に凹凸の激しい梨地面32に
仕上がり、エッジ33もギザギザとなる(図7
(c))。
した薬品で金属を腐食して図7(a)に示すリード形状
を作る。銅の場合、銅は電子材料用であるため不純物を
含まない高純度のものが使用される。銅は金属学的に均
質な材料であるため、高純度であると腐食進行が均一に
行なわれるので、腐食面は光沢を伴う非常に平滑な面に
仕上がり、エッジ31が滑らかである(図7(b))。
42合金の場合、42合金は鉄系の合金であり、強度機
能を高めるため多数の添加物を含んでおり、各添加物の
腐食速度が異なるため非常に凹凸の激しい梨地面32に
仕上がり、エッジ33もギザギザとなる(図7
(c))。
【0019】一方、プレス品では、ストリッパ34でリ
ード35をダイ37上に押えて、パンチ36でせん断す
るが、一般に切口面は、だれ、せん断面、破断面、かえ
り(バリ)の部分からなり、破断面は凹凸面38であ
り、バリの部分はエッジ39がギザギザとなる。
ード35をダイ37上に押えて、パンチ36でせん断す
るが、一般に切口面は、だれ、せん断面、破断面、かえ
り(バリ)の部分からなり、破断面は凹凸面38であ
り、バリの部分はエッジ39がギザギザとなる。
【0020】したがって、クラックやヒゲバリが発生し
ない材料及び加工法では、エッジ部がギザギザになって
いる点で共通する。これより、エッチング加工品であっ
ても、エッジ部がギザギザになっていれば、クラックや
ヒゲバリの発生を予防できる。
ない材料及び加工法では、エッジ部がギザギザになって
いる点で共通する。これより、エッチング加工品であっ
ても、エッジ部がギザギザになっていれば、クラックや
ヒゲバリの発生を予防できる。
【0021】本発明はこの原理を利用したものである。
リードの被加工部の幅方向の両側面にプレス加工痕をつ
けると、だれと反対側のかえり(バリ)のエッジ部が、
微視的にみるとギザギザになる。したがって、被加工部
をダウンセット加工してもエッジ部の応力が分散するた
め表面めっきにクラックやヒゲバリは生じない。
リードの被加工部の幅方向の両側面にプレス加工痕をつ
けると、だれと反対側のかえり(バリ)のエッジ部が、
微視的にみるとギザギザになる。したがって、被加工部
をダウンセット加工してもエッジ部の応力が分散するた
め表面めっきにクラックやヒゲバリは生じない。
【0022】リードの被加工部の両側面にプレス加工痕
をつけるには、両側面にせん断応力を生じさせて切断し
リードの一部を分離する方法が好ましい。
をつけるには、両側面にせん断応力を生じさせて切断し
リードの一部を分離する方法が好ましい。
【0023】特に、ヒゲバリ発生の予防の点から、リー
ド素材が銅で、その表面にSn/Niめっき層が施さ
れ、リードフレームの成形はエッチングによるものであ
り、さらにリードフレームのタイプは、そのダウンセッ
ト部が潰し加工されるタイプのものに適用するとよい。
ド素材が銅で、その表面にSn/Niめっき層が施さ
れ、リードフレームの成形はエッチングによるものであ
り、さらにリードフレームのタイプは、そのダウンセッ
ト部が潰し加工されるタイプのものに適用するとよい。
【0024】このリードフレームを用いて半導体装置を
作ることが、製品歩留りの点から好ましい。
作ることが、製品歩留りの点から好ましい。
【0025】
【実施例】以下、本発明のリードフレームの製造方法の
実施例を図面を用いて説明する。図1はリードフレーム
のダウンセット加工の手順を示したものである。リード
フレームの素材は銅であり、エッチングによりリードフ
レームを成形したものである。このリードフレームは、
アイランド21を有し、そのアイランド21は吊りリー
ド22によって保持されている。通常、アイランド21
とともに、吊りリード22の被加工部24周辺にSn/
Niめっきが施される。
実施例を図面を用いて説明する。図1はリードフレーム
のダウンセット加工の手順を示したものである。リード
フレームの素材は銅であり、エッチングによりリードフ
レームを成形したものである。このリードフレームは、
アイランド21を有し、そのアイランド21は吊りリー
ド22によって保持されている。通常、アイランド21
とともに、吊りリード22の被加工部24周辺にSn/
Niめっきが施される。
【0026】この吊りリード22の被加工部24にダウ
ンセット加工が施されるが、このダウンセット部23
は、アイランド21を周囲のインナリード(図示せず)
より一段低く凹ませて、チップの表面の高さをインナリ
ードの高さに近づけワイヤボンディングを容易にするた
めに、アイランド21側の吊りリード22に曲げを加え
てリード22の被加工部24を傾斜させアイランド21
を押し下げる。
ンセット加工が施されるが、このダウンセット部23
は、アイランド21を周囲のインナリード(図示せず)
より一段低く凹ませて、チップの表面の高さをインナリ
ードの高さに近づけワイヤボンディングを容易にするた
めに、アイランド21側の吊りリード22に曲げを加え
てリード22の被加工部24を傾斜させアイランド21
を押し下げる。
【0027】さて、図1において、このようなダウンセ
ット加工を施されるリードフレームはエッチングにより
形成されるが、そのリードフレームは、予め吊りリード
22の被加工部24に所定のリード幅wよりも広い幅広
部25を付けた形状にして、エッチングにより形成する
(図1(a))。幅広部25は後に打抜きにより切り落
とされる部分を含むから、打抜きにより所定のリード幅
wが確保できる広さがあればよく、切り落とされる部分
の形状は問わない。すなわち、ダウンセット加工される
被加工部24の両側面がせん断加工されることに意味が
ある。リードフレーム形成後、必要部分にSn/Niが
施される。
ット加工を施されるリードフレームはエッチングにより
形成されるが、そのリードフレームは、予め吊りリード
22の被加工部24に所定のリード幅wよりも広い幅広
部25を付けた形状にして、エッチングにより形成する
(図1(a))。幅広部25は後に打抜きにより切り落
とされる部分を含むから、打抜きにより所定のリード幅
wが確保できる広さがあればよく、切り落とされる部分
の形状は問わない。すなわち、ダウンセット加工される
被加工部24の両側面がせん断加工されることに意味が
ある。リードフレーム形成後、必要部分にSn/Niが
施される。
【0028】そして、ダウンセット加工する前に、設計
形状となるように、この幅広部25の両側をプレス打ち
抜きによって切り落とし、被加工部24を所定のリード
幅に加工する(図1(b))。符号26はこの切り落と
し部を示している。このプレス打抜き加工により被加工
部24の両側面のバリ面側のエッジがギザギザになる点
を除いて、リード形状は従来のダウンセット前のリード
形状と同じである。
形状となるように、この幅広部25の両側をプレス打ち
抜きによって切り落とし、被加工部24を所定のリード
幅に加工する(図1(b))。符号26はこの切り落と
し部を示している。このプレス打抜き加工により被加工
部24の両側面のバリ面側のエッジがギザギザになる点
を除いて、リード形状は従来のダウンセット前のリード
形状と同じである。
【0029】打抜き加工後、従来と同様に金型を使っ
て、吊りリード22の被加工部24を曲げによるダウン
セット加工を施して傾斜したダウンセット部23を形成
する。このときだれ面ではなく、バリ面を上にしてダウ
ンセット加工する。
て、吊りリード22の被加工部24を曲げによるダウン
セット加工を施して傾斜したダウンセット部23を形成
する。このときだれ面ではなく、バリ面を上にしてダウ
ンセット加工する。
【0030】発明者らの実験および微視的観察による
と、図1(b)において被加工部の幅広部の両側面をプ
レス打ち抜きすることによって、リードフレームがエッ
チング加工品であってもプレス加工品と同様、吊りリー
ド22の被加工部24のエッジは、バリ面がギザギザに
なっていた。したがって、図1(c)のダウンセット加
工を行ってもエッジ部の応力が分散するため、クラック
やヒゲバリが発生しない。
と、図1(b)において被加工部の幅広部の両側面をプ
レス打ち抜きすることによって、リードフレームがエッ
チング加工品であってもプレス加工品と同様、吊りリー
ド22の被加工部24のエッジは、バリ面がギザギザに
なっていた。したがって、図1(c)のダウンセット加
工を行ってもエッジ部の応力が分散するため、クラック
やヒゲバリが発生しない。
【0031】ダウンセット加工後、必要に応じてダウン
セット部23には厚さ方向に潰し加工を行なうが、プレ
ス打抜きという追加工を行なってめっきにクラックやヒ
ゲバリが生じないようにしたので、潰し加工時クラック
等に起因するヒゲバリの発生が有効に防止できる。
セット部23には厚さ方向に潰し加工を行なうが、プレ
ス打抜きという追加工を行なってめっきにクラックやヒ
ゲバリが生じないようにしたので、潰し加工時クラック
等に起因するヒゲバリの発生が有効に防止できる。
【0032】本実施例によれば、エッチング加工後僅か
な追加工を行うだけでヒゲバリの発生を有効に防止する
ことができるため、安定したダウンセット加工が安価に
できる。また、本実施例による加工を追加してもリード
フレームの完成形状は変らないのでリードフレームパタ
ーンの設計変更は不要である。また、ヒゲバリが防止で
きるために、リードフレームの品質、ひいてはこれを用
いて製造した半導体装置の品質が向上する。
な追加工を行うだけでヒゲバリの発生を有効に防止する
ことができるため、安定したダウンセット加工が安価に
できる。また、本実施例による加工を追加してもリード
フレームの完成形状は変らないのでリードフレームパタ
ーンの設計変更は不要である。また、ヒゲバリが防止で
きるために、リードフレームの品質、ひいてはこれを用
いて製造した半導体装置の品質が向上する。
【0033】このようにしてエッチング成形品であって
も、ヒゲバリの発生を有効に防止できるので、エッチン
グ加工に頼らざるを得ない少量生産品でも、ヒゲバリの
発生のない高品質なリードフレームが得られる。
も、ヒゲバリの発生を有効に防止できるので、エッチン
グ加工に頼らざるを得ない少量生産品でも、ヒゲバリの
発生のない高品質なリードフレームが得られる。
【0034】また、このような高品質のリードフレーム
を用いてユーザが図2に示すようにICを製造しても、
ヒゲバリの発生がないので、隣接リードと接触して短絡
する等の機能障害を起こすこともなく、したがってリー
ドフレームに起因したロット不良もなくなり、高い歩留
りが得られる。
を用いてユーザが図2に示すようにICを製造しても、
ヒゲバリの発生がないので、隣接リードと接触して短絡
する等の機能障害を起こすこともなく、したがってリー
ドフレームに起因したロット不良もなくなり、高い歩留
りが得られる。
【0035】なお、本実施例は吊りリードで支持された
アイランドを有するタイプのリードフレームのダウンセ
ット部について説明したが、本発明はそのタイプに限定
されない。ボンディングワイヤ性を向上するためにアイ
ランドを下げるという目的以外に施されたダウンセット
部に対しても、本発明は同様に適用できる。また、銅素
材とSn/Niめっきの組み合わせ以外でも、母材とめ
っき材の伸び(曲げ、潰し、あるいはせん断による)が
大きく異なり、それによりヒゲバリが発生しやすいよう
な場合や、あるいはエッチング成形ではなく、プレスで
リードフレームが成形されているが、上記のような母材
・めっき関係があり、ヒゲバリが発生しやすいような場
合等にあっても、本発明は適用できる。例えば、フィル
ムによりチップを接着搭載するCOL(Chip On Lead)
やLOC(Lead On Chip)のダウンセット部にも適用で
きる。
アイランドを有するタイプのリードフレームのダウンセ
ット部について説明したが、本発明はそのタイプに限定
されない。ボンディングワイヤ性を向上するためにアイ
ランドを下げるという目的以外に施されたダウンセット
部に対しても、本発明は同様に適用できる。また、銅素
材とSn/Niめっきの組み合わせ以外でも、母材とめ
っき材の伸び(曲げ、潰し、あるいはせん断による)が
大きく異なり、それによりヒゲバリが発生しやすいよう
な場合や、あるいはエッチング成形ではなく、プレスで
リードフレームが成形されているが、上記のような母材
・めっき関係があり、ヒゲバリが発生しやすいような場
合等にあっても、本発明は適用できる。例えば、フィル
ムによりチップを接着搭載するCOL(Chip On Lead)
やLOC(Lead On Chip)のダウンセット部にも適用で
きる。
【0036】
【発明の効果】本発明によれば、銅素材をエッチングし
て成形されたリードフレームの被加工部の両側面にプレ
ス加工痕を付けるという僅かな追加工を行うだけで、ク
ラックやヒゲバリの発生を有効に防止することができ
る。
て成形されたリードフレームの被加工部の両側面にプレ
ス加工痕を付けるという僅かな追加工を行うだけで、ク
ラックやヒゲバリの発生を有効に防止することができ
る。
【図1】本発明のリードフレームの製造方法の実施例に
よる吊りリードのダウンセット加工のプロセス説明図。
よる吊りリードのダウンセット加工のプロセス説明図。
【図2】従来例及び本実施例に共通したICパッケージ
の断面構造図。
の断面構造図。
【図3】図2に使用するリードフレームの一例を示した
平面図。
平面図。
【図4】ダウンセット部を有するリードフレームの積み
重ね状態を示す説明図であって、(a)はダウンセット
加工済みリードフレームの積み重ね状態図、(b)は潰
しがない場合のダウンセット部近傍の拡大図、(c)は
潰しがある場合のダウンセット部近傍の拡大図。
重ね状態を示す説明図であって、(a)はダウンセット
加工済みリードフレームの積み重ね状態図、(b)は潰
しがない場合のダウンセット部近傍の拡大図、(c)は
潰しがある場合のダウンセット部近傍の拡大図。
【図5】ダウンセット加工後の潰し加工時にヒゲバリが
発生するメカニズムを示す説明図であって、(a)はリ
ード素材図、(b)はダウンセットのための曲げ加工
図、(c)はダウンセット加工後に施される潰し、せん
断加工図。
発生するメカニズムを示す説明図であって、(a)はリ
ード素材図、(b)はダウンセットのための曲げ加工
図、(c)はダウンセット加工後に施される潰し、せん
断加工図。
【図6】従来のダウンセット部のヒゲバリの発生状態を
示す説明図。
示す説明図。
【図7】めっきクラック、めっきのヒゲバリ発生の原因
となるリード側面の面粗度を説明する図であって、
(a)はリードの一部斜視図、(b)は銅素材リードを
エッチングしたときのA部拡大図、(c)は42合金素
材リードをエッチングしたときのA部拡大図、(d)は
プレス加工の説明図、(c)はプレス加工した切口面の
拡大図。
となるリード側面の面粗度を説明する図であって、
(a)はリードの一部斜視図、(b)は銅素材リードを
エッチングしたときのA部拡大図、(c)は42合金素
材リードをエッチングしたときのA部拡大図、(d)は
プレス加工の説明図、(c)はプレス加工した切口面の
拡大図。
21 アイランド 22 吊りリード 23 ダウンセット部 24 被加工部 25 幅広部 26 切り落とし部
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 23/50
Claims (4)
- 【請求項1】銅素材をエッチングして成形されたリード
フレームを対象とし、表面めっきの施されたリードの被
加工部をダウンセット加工してリードの被加工部を傾斜
させる工程を備え、上記リードの被加工部をダウンセッ
ト加工するに際して、リードの被加工部の幅方向の両側
面にプレス加工痕を付けてから、ダウンセット加工する
ことを特徴とするリードフレームの製造方法。 - 【請求項2】銅素材をエッチングして成形されたリード
フレームを対象とし、表面めっきの施されたリードの被
加工部をダウンセット加工してリードの被加工部を傾斜
させる工程を備え、上記リードの被加工部をダウンセッ
ト加工するに際して、リードのエッチング形成時、予め
リードの被加工部に所定のリード幅よりも広い幅広部を
形成し、上記幅広部をプレスによって所定のリード幅に
加工し、加工後、上記被加工部をダウンセット加工する
ようにしたことを特徴とするリードフレームの製造方
法。 - 【請求項3】プレスによるバリ面を上にしてダウンセッ
ト加工した、ダウンセット部をリードの厚さ方向に潰す
ことを特徴とする請求項1または2に記載のリードフレ
ームの製造方法。 - 【請求項4】上記ダウンセット加工後、さらにダウンセ
ット加工したダウンセット部のリードの厚さ方向に潰す
ことを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の
リードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP06083340A JP3077505B2 (ja) | 1994-04-21 | 1994-04-21 | リードフレームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP06083340A JP3077505B2 (ja) | 1994-04-21 | 1994-04-21 | リードフレームの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07297336A JPH07297336A (ja) | 1995-11-10 |
JP3077505B2 true JP3077505B2 (ja) | 2000-08-14 |
Family
ID=13799716
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP06083340A Expired - Fee Related JP3077505B2 (ja) | 1994-04-21 | 1994-04-21 | リードフレームの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3077505B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4624170B2 (ja) * | 2005-04-25 | 2011-02-02 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US8405200B2 (en) | 2007-05-29 | 2013-03-26 | Kyocera Corporation | Electronic-component-housing package and electronic device |
CN103736812B (zh) * | 2014-01-09 | 2015-09-16 | 青岛钜祥精密模具有限公司 | 塑模外壳及其高精度制造方法 |
-
1994
- 1994-04-21 JP JP06083340A patent/JP3077505B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH07297336A (ja) | 1995-11-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7247931B2 (en) | Semiconductor package and leadframe therefor having angled corners | |
US8174096B2 (en) | Stamped leadframe and method of manufacture thereof | |
JP2002064114A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
KR100803339B1 (ko) | 리드 커터, 및 반도체 장치를 제조하는 방법 | |
EP0989608A3 (en) | Plastic integrated circuit device package and method of making the same | |
TW533566B (en) | Short-prevented lead frame and method for fabricating semiconductor package with the same | |
JP3077505B2 (ja) | リードフレームの製造方法 | |
JPS618960A (ja) | リ−ドフレ−ム | |
US4592131A (en) | Method for manufacturing resin-sealed semiconductor device | |
TW200822334A (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
CN213401186U (zh) | 一种具有应力释放结构的引线框架及封装料片 | |
JP2580740B2 (ja) | リードフレーム | |
JP4455208B2 (ja) | リードフレーム及び半導体装置の製造方法 | |
JPS60261163A (ja) | リードフレームの製造方法 | |
JP3638548B2 (ja) | 半導体パッケージの製造方法 | |
JP4153956B2 (ja) | 樹脂封止成形品のゲートブレイク方法およびそれに用いるゲートブレイク装置 | |
JPH05144988A (ja) | 半導体装置の製造方法並びに半導体製造装置及びリードフレーム | |
JP2700902B2 (ja) | リードフレームの製造方法 | |
JPH07240491A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
JPS63308358A (ja) | リ−ドフレ−ム | |
KR100856038B1 (ko) | 리드프레임 제조를 위한 다운셋 펀칭용 다이를 이용한 리드프레임의 제조 방법 | |
TW569414B (en) | Method for manufacturing a leadframe with fine pitch inner leads and leadframe formed from the same | |
JPH10154784A (ja) | リードフレームの製造方法 | |
JPH02271652A (ja) | 樹脂封止型半導体装置用リードフレームとその製造方法及び半導体装置の製造方法 | |
JPH0722552A (ja) | Ic用リードフレームの成形方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080616 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090616 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100616 Year of fee payment: 10 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |