JPH07240491A - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents
半導体装置用リードフレームInfo
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- JPH07240491A JPH07240491A JP6031396A JP3139694A JPH07240491A JP H07240491 A JPH07240491 A JP H07240491A JP 6031396 A JP6031396 A JP 6031396A JP 3139694 A JP3139694 A JP 3139694A JP H07240491 A JPH07240491 A JP H07240491A
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】銅素材をエッチングして成形し、表面にＳｎ／
Ｎｉめっきを施したリードフレームであっても、潰し加
工時にダウンセット部でヒゲバリが発生しないようにす
る。 【構成】リードフレームは、銅素材からエッチングによ
り成形され、表面にＳｎ／Ｎｉめっき層２５が施された
ものである。リードフレームは、アイランド２２を有し
吊りリード２３に結合されている。アイランド２２と吊
りリード２３との結合部に曲げ加工により傾斜させたダ
ウンセット部２１が形成されている。このダウンセット
部２１の中央にリード２３の厚みの半分程度の深さのハ
ーフエッチング部２４を設けてある。ダウンセット部２
１は、厚さ方向に潰し加工が施されるが、その加工の際
ハーフエッチング部２４は、ヒゲバリが生じやすい幅広
がりの最も多い部分の母材材料の逃げ場となる。
Ｎｉめっきを施したリードフレームであっても、潰し加
工時にダウンセット部でヒゲバリが発生しないようにす
る。 【構成】リードフレームは、銅素材からエッチングによ
り成形され、表面にＳｎ／Ｎｉめっき層２５が施された
ものである。リードフレームは、アイランド２２を有し
吊りリード２３に結合されている。アイランド２２と吊
りリード２３との結合部に曲げ加工により傾斜させたダ
ウンセット部２１が形成されている。このダウンセット
部２１の中央にリード２３の厚みの半分程度の深さのハ
ーフエッチング部２４を設けてある。ダウンセット部２
１は、厚さ方向に潰し加工が施されるが、その加工の際
ハーフエッチング部２４は、ヒゲバリが生じやすい幅広
がりの最も多い部分の母材材料の逃げ場となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ダウンセット部を有す
る半導体装置用リードフレームに係り、特にヒゲバリが
発生しないようにダウンセット部の形状を改善したもの
に関する。
る半導体装置用リードフレームに係り、特にヒゲバリが
発生しないようにダウンセット部の形状を改善したもの
に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、ＩＣパッケージは図３に示す断
面構造をしている。Ｓｉなどの半導体チップ１はアイラ
ンド３に接着固定され、リード２と半導体チップ１のボ
ンディングパッドの間をボンディングワイヤ６で配線
し、半導体装置として構成される。
面構造をしている。Ｓｉなどの半導体チップ１はアイラ
ンド３に接着固定され、リード２と半導体チップ１のボ
ンディングパッドの間をボンディングワイヤ６で配線
し、半導体装置として構成される。
【０００３】しかし、ＩＣパッケージは軽薄短小が必須
条件であるため、幅、長さはもとより特に厚さ方向の寸
法制限が重視されている。薄型化を実現するためには封
止樹脂９の上下厚さのバランスをとり、パッケージ内で
半導体チップ１の位置を厚さ方向中央にすることが好ま
しいとされている。このため薄型化技術として高度なダ
ウンセット加工が要求されている。
条件であるため、幅、長さはもとより特に厚さ方向の寸
法制限が重視されている。薄型化を実現するためには封
止樹脂９の上下厚さのバランスをとり、パッケージ内で
半導体チップ１の位置を厚さ方向中央にすることが好ま
しいとされている。このため薄型化技術として高度なダ
ウンセット加工が要求されている。
【０００４】図４は、外枠７から内側に延びた吊りリー
ド８に結合されたアイランド３を有するリードフレーム
形状の一例を示した平面図であり、ダウンセット部４は
アイランド３と吊りリード８との境界部位置に設けられ
る。
ド８に結合されたアイランド３を有するリードフレーム
形状の一例を示した平面図であり、ダウンセット部４は
アイランド３と吊りリード８との境界部位置に設けられ
る。
【０００５】ダウンセット部４は単にリードを曲げ加工
するだけではアイランド３の形状が安定しないばかりで
なく、図５（ａ）に示すようにリードフレーム１０を積
み上げて保管したり、荷作りしたりするが、その場合、
ダウンセット部４同士が嵌合して隙間がなくなり、分離
困難な状態となる（図５（ｂ））。
するだけではアイランド３の形状が安定しないばかりで
なく、図５（ａ）に示すようにリードフレーム１０を積
み上げて保管したり、荷作りしたりするが、その場合、
ダウンセット部４同士が嵌合して隙間がなくなり、分離
困難な状態となる（図５（ｂ））。
【０００６】そこで、このような分離困難な状態となる
のを回避するために、図５（ｃ）に示すように、ダウン
セット部４を厚さ方向に２０〜４０％程度の潰し加工を
行い、積み重なり性を配慮したものが提案されている
（例えば実公昭６３−８１４３号公報）。これによれ
ば、ダウンセット４、４同士が嵌合しても隙間が確保さ
れて分離が容易となる。
のを回避するために、図５（ｃ）に示すように、ダウン
セット部４を厚さ方向に２０〜４０％程度の潰し加工を
行い、積み重なり性を配慮したものが提案されている
（例えば実公昭６３−８１４３号公報）。これによれ
ば、ダウンセット４、４同士が嵌合しても隙間が確保さ
れて分離が容易となる。
【０００７】ところで、高速ＳＲＡＭ等に用いるリード
フレームは、信号伝送の高速性、放熱性などの点からリ
ードフレーム材料として銅を用いる場合が多く、後工程
のテーピング、ダイボンド、ワイヤボンド工程で高温加
熱加工を行うために、Ｓｎ／Ｎｉめっきを施し、銅素地
の変色を防止している。
フレームは、信号伝送の高速性、放熱性などの点からリ
ードフレーム材料として銅を用いる場合が多く、後工程
のテーピング、ダイボンド、ワイヤボンド工程で高温加
熱加工を行うために、Ｓｎ／Ｎｉめっきを施し、銅素地
の変色を防止している。
【０００８】Ｓｎ／Ｎｉめっき層は母材の銅と較べ、延
性が少なく硬度が非常に高い。このため、Ｓｎ／Ｎｉめ
っき層を施したリードに曲げによるダウンセット加工を
行うと、図６（ａ）、（ｂ）に示したメカニズムでリー
ド１１の断面は形状変化してダウンセット部１６が形成
されるが、リード１１のエッジの部分１１ａは材料表面
の伸びが大きいため母材の銅１２の伸びにＳｎ／Ｎｉめ
っき層１３の伸びが追従できないため、エッジ部分１１
ａにリード１１の長手方向に微細なクラック１４を生じ
る。このためさらに図６（ｃ）に示すような潰し加工を
行うと当該部分にひげ状のバリ１５が発生する。なお、
図６において上半分はリードの斜視図、下半分は断面図
である。
性が少なく硬度が非常に高い。このため、Ｓｎ／Ｎｉめ
っき層を施したリードに曲げによるダウンセット加工を
行うと、図６（ａ）、（ｂ）に示したメカニズムでリー
ド１１の断面は形状変化してダウンセット部１６が形成
されるが、リード１１のエッジの部分１１ａは材料表面
の伸びが大きいため母材の銅１２の伸びにＳｎ／Ｎｉめ
っき層１３の伸びが追従できないため、エッジ部分１１
ａにリード１１の長手方向に微細なクラック１４を生じ
る。このためさらに図６（ｃ）に示すような潰し加工を
行うと当該部分にひげ状のバリ１５が発生する。なお、
図６において上半分はリードの斜視図、下半分は断面図
である。
【０００９】このヒゲバリ１５は、４２アロイまたは銅
の素材のプレス加工による打ち抜きで成形したリードフ
レーム、及び４２アロイの素材をエッチングして成形し
たリードフレームでは発生しない。
の素材のプレス加工による打ち抜きで成形したリードフ
レーム、及び４２アロイの素材をエッチングして成形し
たリードフレームでは発生しない。
【００１０】しかし、銅素材をエッチングして成形した
リードフレームでは、ダウンセット部の深さが深いほど
顕著であり、図７に示すように、長いものでは０．２mm
以上のヒゲバリ１５が発生することがある。ヒゲバリが
発生すると、隣接リードと接触して短絡等の機能障害を
起こす場合があるので、ヒゲバリの発生は絶対に回避し
なければならない。
リードフレームでは、ダウンセット部の深さが深いほど
顕著であり、図７に示すように、長いものでは０．２mm
以上のヒゲバリ１５が発生することがある。ヒゲバリが
発生すると、隣接リードと接触して短絡等の機能障害を
起こす場合があるので、ヒゲバリの発生は絶対に回避し
なければならない。
【００１１】発明者らの実験では、板厚０．２mmのリー
ド材に深さ０．５２５mmのダウンセット加工部を形成
し、これに潰し加工を行った場合、ヒゲ状のバリの発生
率は８／６００〜１２／６００であり、実用に適用でき
ないレベルであった。
ド材に深さ０．５２５mmのダウンセット加工部を形成
し、これに潰し加工を行った場合、ヒゲ状のバリの発生
率は８／６００〜１２／６００であり、実用に適用でき
ないレベルであった。
【００１２】尚、既述したように、銅素材をプレス成形
して得たリードフレームではヒゲバリが発生しないか
ら、エッチングではなくプレス成形する加工法を採用す
れば上記障害を回避できる。しかし、プレス加工を行う
ためには高価な金型が必要となり、金型の製作期間、製
品数量、製品単価を考慮した場合、プレス加工は少量生
産品のリードフレームには経済的に向かない。このため
現状では、リードフレームの全てをプレス加工に頼るわ
けにはいかず、少量生産品はエッチング加工に頼らざる
を得ない。
して得たリードフレームではヒゲバリが発生しないか
ら、エッチングではなくプレス成形する加工法を採用す
れば上記障害を回避できる。しかし、プレス加工を行う
ためには高価な金型が必要となり、金型の製作期間、製
品数量、製品単価を考慮した場合、プレス加工は少量生
産品のリードフレームには経済的に向かない。このため
現状では、リードフレームの全てをプレス加工に頼るわ
けにはいかず、少量生産品はエッチング加工に頼らざる
を得ない。
【００１３】また、ダウンセット部に、母材の銅の伸び
にＳｎ／Ｎｉめっきの伸びが追従出来るように特殊な形
状を設けて、ヒゲバリの発生を防止することも考えられ
る。しかし、ダウンセット部にリード平面形状と異なる
特殊な形状を設けると、リードの平面形状が変わるので
フレームパターンの設計変更が難しくなるといった問題
がある。
にＳｎ／Ｎｉめっきの伸びが追従出来るように特殊な形
状を設けて、ヒゲバリの発生を防止することも考えられ
る。しかし、ダウンセット部にリード平面形状と異なる
特殊な形状を設けると、リードの平面形状が変わるので
フレームパターンの設計変更が難しくなるといった問題
がある。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、Ｓｎ
／Ｎｉめっきを表面に施したリードフレームに、ダウン
セット加工を施し、後に潰し加工を行うようにした従来
のリードフレームにあっては、次のような問題がある。
／Ｎｉめっきを表面に施したリードフレームに、ダウン
セット加工を施し、後に潰し加工を行うようにした従来
のリードフレームにあっては、次のような問題がある。
【００１５】(1) 銅素材をエッチングして成形したリー
ドフレームにＳｎ／Ｎｉめっきを施した材料では、ダウ
ンセット加工を行うことによって、リードの長手方向に
微細なクラックを生じ、それが原因で潰し加工時にヒゲ
状のバリが発生する場合があり、このヒゲ状のバリは隣
接リードと接触し機能障害を起こす。
ドフレームにＳｎ／Ｎｉめっきを施した材料では、ダウ
ンセット加工を行うことによって、リードの長手方向に
微細なクラックを生じ、それが原因で潰し加工時にヒゲ
状のバリが発生する場合があり、このヒゲ状のバリは隣
接リードと接触し機能障害を起こす。
【００１６】(2) 特殊形状を設けた場合には、リードフ
レームの平面形状が変わってしまうので、フレームパタ
ーンの設計変更が難しくなる。
レームの平面形状が変わってしまうので、フレームパタ
ーンの設計変更が難しくなる。
【００１７】(3) ヒゲ状のバリの発生したリードフレー
ムをひとたび出荷し、それがユーザに流出してしまった
場合には、ＩＣのロット不良という重大な事態をもたら
す。このため、その発生率をＰＰＭオーダー以下に止め
る必要がある。
ムをひとたび出荷し、それがユーザに流出してしまった
場合には、ＩＣのロット不良という重大な事態をもたら
す。このため、その発生率をＰＰＭオーダー以下に止め
る必要がある。
【００１８】本発明の目的は、前述した従来技術の欠点
を解消して、ダウンセット部の潰し加工によるヒゲバリ
の発生が予防できる半導体装置用リードフレーム、及び
ヒゲバリが発生しない半導体装置用リードフレームを提
供することにある。
を解消して、ダウンセット部の潰し加工によるヒゲバリ
の発生が予防できる半導体装置用リードフレーム、及び
ヒゲバリが発生しない半導体装置用リードフレームを提
供することにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置用リ
ードフレームは、表面めっきの施されたリードの一部に
傾斜したダウンセット部を有する半導体装置用リードフ
レームにおいて、ダウンセット部の途中にリードの厚み
の半分程度の深さのハーフエッチング部を設けたもので
ある。
ードフレームは、表面めっきの施されたリードの一部に
傾斜したダウンセット部を有する半導体装置用リードフ
レームにおいて、ダウンセット部の途中にリードの厚み
の半分程度の深さのハーフエッチング部を設けたもので
ある。
【００２０】特に、ヒゲバリ発生予防の点から、リード
素材が銅で、その表面にＳｎ／Ｎｉめっき層が施され、
リードフレームの成形はエッチングによるものであり、
さらにリードフレームのタイプは、そのダウンセット部
が潰し加工されるタイプのものに適用するとよい。
素材が銅で、その表面にＳｎ／Ｎｉめっき層が施され、
リードフレームの成形はエッチングによるものであり、
さらにリードフレームのタイプは、そのダウンセット部
が潰し加工されるタイプのものに適用するとよい。
【００２１】ハーフエッチング部の長さは、ダウンセッ
ト部の長さの１／４以上で１／２以下であることが好ま
しい。１／４以下の場合には、ダウンセット部に潰し加
工を施すとヒゲバリの発生率がＰＰＭオーダーを越えて
しまい、１／２以上の場合にはリード剛性が低くなって
ダウンセット加工時の形状が安定しないからである。ハ
ーフエッチング部の位置は、潰し加工時の幅広がりの最
も多い部分に材料逃げ部として設ける点から、ダウンセ
ット部の中央にあることが好ましい。また、積み上げた
リードフレームのダウンセット同士の分離を容易にする
点からダウンセット部が厚さ方向に潰されて薄くなって
いることが好ましい。
ト部の長さの１／４以上で１／２以下であることが好ま
しい。１／４以下の場合には、ダウンセット部に潰し加
工を施すとヒゲバリの発生率がＰＰＭオーダーを越えて
しまい、１／２以上の場合にはリード剛性が低くなって
ダウンセット加工時の形状が安定しないからである。ハ
ーフエッチング部の位置は、潰し加工時の幅広がりの最
も多い部分に材料逃げ部として設ける点から、ダウンセ
ット部の中央にあることが好ましい。また、積み上げた
リードフレームのダウンセット同士の分離を容易にする
点からダウンセット部が厚さ方向に潰されて薄くなって
いることが好ましい。
【００２２】さらに、上記したリードフレームを用いて
半導体装置を作ることが、製品歩留りの点から好まし
い。
半導体装置を作ることが、製品歩留りの点から好まし
い。
【００２３】
【作用】リードのダウンセット部の途中にリードの厚み
の半分程度の深さのハーフエッチング部を設けると、ダ
ウンセット部に厚さ方向の潰し加工を行う際、幅広がり
の最も多い部分に材料の逃げ場が作られるので、材料の
幅方向広がりが低減し、表面めっきによるヒゲバリが発
生しなくなる。
の半分程度の深さのハーフエッチング部を設けると、ダ
ウンセット部に厚さ方向の潰し加工を行う際、幅広がり
の最も多い部分に材料の逃げ場が作られるので、材料の
幅方向広がりが低減し、表面めっきによるヒゲバリが発
生しなくなる。
【００２４】
【実施例】以下、本発明の半導体装置用リードフレーム
の実施例を図面を用いて説明する。図１は本実施例のリ
ードフレームのダウンセット部２１を示したものであ
る。素材は銅であり、エッチングによりリードフレーム
を成形したものである。このリードフレームは、アイラ
ンド２２を有し、そのアイランド２２は外枠から内側に
延びた吊りリード２３に結合されている。
の実施例を図面を用いて説明する。図１は本実施例のリ
ードフレームのダウンセット部２１を示したものであ
る。素材は銅であり、エッチングによりリードフレーム
を成形したものである。このリードフレームは、アイラ
ンド２２を有し、そのアイランド２２は外枠から内側に
延びた吊りリード２３に結合されている。
【００２５】このアイランド２２と吊りリード２３との
結合部にダウンセット部２１が形成されている。このダ
ウンセット部２１は、アイランド２２を周囲のインナリ
ード部分より一段低く凹ませて、チップの表面の高さを
インナリードの高さに近づけワイヤボンディングを容易
にするために、アイランド２２と吊りリード２３との境
界部に曲げを加えてリード２３の一部を傾斜させて形成
されている。
結合部にダウンセット部２１が形成されている。このダ
ウンセット部２１は、アイランド２２を周囲のインナリ
ード部分より一段低く凹ませて、チップの表面の高さを
インナリードの高さに近づけワイヤボンディングを容易
にするために、アイランド２２と吊りリード２３との境
界部に曲げを加えてリード２３の一部を傾斜させて形成
されている。
【００２６】このダウンセット部２１の一部、図ではダ
ウンセット部２１の中央にリード２３の厚みの半分程度
の深さのハーフエッチング部２４を設けてある。
ウンセット部２１の中央にリード２３の厚みの半分程度
の深さのハーフエッチング部２４を設けてある。
【００２７】Ｓｎ／Ｎｉめっき層２５は、ハーフエッチ
ング部２４の表面も含めたリード表面及びアイランド２
２に施される。また、ハーフエッチング部２４を形成し
たダウンセット部２１は、後の工程で、嵌合させるダウ
ンセット部２１同士が離れやすくなるように、プレスに
より厚さ方向に潰して薄くされている。
ング部２４の表面も含めたリード表面及びアイランド２
２に施される。また、ハーフエッチング部２４を形成し
たダウンセット部２１は、後の工程で、嵌合させるダウ
ンセット部２１同士が離れやすくなるように、プレスに
より厚さ方向に潰して薄くされている。
【００２８】ハーフエッチング部２４の幅は、図示例の
ように、リード２３の全幅としてリード２１のエッジ部
分まで達するようにすることが好ましいが、全副とせず
エッジ部分に達しない溝形状としてもよい。ハーフエッ
チング部２４の長さは、ハーフエッチング部をダウンセ
ットの途中に形成することにより、ダウンセット部２１
長さ（リード長方向の長さ）の全長よりも短く形成す
る。
ように、リード２３の全幅としてリード２１のエッジ部
分まで達するようにすることが好ましいが、全副とせず
エッジ部分に達しない溝形状としてもよい。ハーフエッ
チング部２４の長さは、ハーフエッチング部をダウンセ
ットの途中に形成することにより、ダウンセット部２１
長さ（リード長方向の長さ）の全長よりも短く形成す
る。
【００２９】上記ハーフエッチング部２４の形成方法
は、その名の通りエッチングによる。リードフレームの
エッチング成形後に、ハーフエッチング部２４以外の部
分にマスキング処理を施して当該部分のみをエッチング
する。
は、その名の通りエッチングによる。リードフレームの
エッチング成形後に、ハーフエッチング部２４以外の部
分にマスキング処理を施して当該部分のみをエッチング
する。
【００３０】ハーフエッチング部２４をエッチングによ
り形成した後、リード表面にＳｎ／Ｎｉめっきを施す。
めっき後、アイランド３と吊りリード８との境界部位置
に曲げによるダウンセット加工を施して傾斜したダウン
セット部２１を形成する。このダウンセット加工時、ダ
ウンセット部２１となるべき部分に上述したハーフエッ
チング部２４が設けられているので、境界部位置のリー
ド２３のエッジ部分２３ａは材料表面の伸びが規制さ
れ、母材の銅の伸びにＳｎ／Ｎｉめっき層２５の伸びが
追従できるようになる。したがって、エッジ部分２３ａ
にリード２３の長手方向に、ヒゲバリの原因となる微細
なクラックを生じることがない。
り形成した後、リード表面にＳｎ／Ｎｉめっきを施す。
めっき後、アイランド３と吊りリード８との境界部位置
に曲げによるダウンセット加工を施して傾斜したダウン
セット部２１を形成する。このダウンセット加工時、ダ
ウンセット部２１となるべき部分に上述したハーフエッ
チング部２４が設けられているので、境界部位置のリー
ド２３のエッジ部分２３ａは材料表面の伸びが規制さ
れ、母材の銅の伸びにＳｎ／Ｎｉめっき層２５の伸びが
追従できるようになる。したがって、エッジ部分２３ａ
にリード２３の長手方向に、ヒゲバリの原因となる微細
なクラックを生じることがない。
【００３１】ダウンセット加工後、前述したようにダウ
ンセット部２１には厚さ方向に潰し加工を行うが、この
ハーフエッチング部２４を設けてあると、潰し加工時、
このハーフエッチング部２４が、幅広がりの最も多い部
分の銅材料の逃げ場となるので、材料の幅方向広がりが
低減し、しかも微細なクラックも生じていないため、ヒ
ゲバリの発生が防止される。
ンセット部２１には厚さ方向に潰し加工を行うが、この
ハーフエッチング部２４を設けてあると、潰し加工時、
このハーフエッチング部２４が、幅広がりの最も多い部
分の銅材料の逃げ場となるので、材料の幅方向広がりが
低減し、しかも微細なクラックも生じていないため、ヒ
ゲバリの発生が防止される。
【００３２】ヒゲバリの発生を有効に防止することがで
きるハーフエッチング部の長さを実験により検討した。
実験では、図２中に示したように、なるべく多くのデー
タを得るため、リード３１間を結合しているダムバー３
２近傍のリード３１の一部を、アイランドと吊りリード
との境界に見立てた。
きるハーフエッチング部の長さを実験により検討した。
実験では、図２中に示したように、なるべく多くのデー
タを得るため、リード３１間を結合しているダムバー３
２近傍のリード３１の一部を、アイランドと吊りリード
との境界に見立てた。
【００３３】試料として、板厚０．２mmの銅素材をエッ
チングしてリード幅０．２mmのリードフレームを成形
し、ダウンセット部となるべきリードの中央に長さを種
々変えたハーフエッチング部を厚みの半分程度に形成
し、その上で０．４μｍ厚のＳｎ／Ｎｉめっきを表面に
施し、深さＤを０．５２５mmとするダウンセット加工を
施し、さらに潰し加工を施したものを使った。
チングしてリード幅０．２mmのリードフレームを成形
し、ダウンセット部となるべきリードの中央に長さを種
々変えたハーフエッチング部を厚みの半分程度に形成
し、その上で０．４μｍ厚のＳｎ／Ｎｉめっきを表面に
施し、深さＤを０．５２５mmとするダウンセット加工を
施し、さらに潰し加工を施したものを使った。
【００３４】その結果、ハーフエッチング部の長さＢ
は、リードの曲げ位置間距離Ｌの１／４以上で１／２以
下の範囲で有効であり、そのときのヒゲバリの発生率は
０／６００（箇所／ピース）であった。ここでピースと
は、数個以上のリードフレームが連結されている１枚の
リボンのことである。
は、リードの曲げ位置間距離Ｌの１／４以上で１／２以
下の範囲で有効であり、そのときのヒゲバリの発生率は
０／６００（箇所／ピース）であった。ここでピースと
は、数個以上のリードフレームが連結されている１枚の
リボンのことである。
【００３５】Ｂ＝Ｌ／４の場合について詳細に再確認を
行った結果、発生率は０／３０００（箇所／ピース）で
あり、この発生率は量産時においてもその効果は大きい
と判断される。またハーフエッチング部の位置は、幅広
がりの最も多い部分であるダウンセット部中央が良い。
行った結果、発生率は０／３０００（箇所／ピース）で
あり、この発生率は量産時においてもその効果は大きい
と判断される。またハーフエッチング部の位置は、幅広
がりの最も多い部分であるダウンセット部中央が良い。
【００３６】Ｌが１／２以上の場合、ダウンセットのた
めの曲げ加工時の曲げ受け部面積３３が過小となり、曲
げ部のリード剛性も低くなるため形状安定性に欠ける。
ハーフエッチング部の深さは材料厚さの４０〜６０％の
範囲で有効である。
めの曲げ加工時の曲げ受け部面積３３が過小となり、曲
げ部のリード剛性も低くなるため形状安定性に欠ける。
ハーフエッチング部の深さは材料厚さの４０〜６０％の
範囲で有効である。
【００３７】このように本実施例によれば、ダウンセッ
ト部にハーフエッチング部を設けるという簡単な構成に
より、エッチング成形品であってもヒゲバリの発生を防
止できるので、エッチング加工に頼らざるを得ない少量
生産品でも、ヒゲバリの発生のない高品質なリードフレ
ームが得られる。
ト部にハーフエッチング部を設けるという簡単な構成に
より、エッチング成形品であってもヒゲバリの発生を防
止できるので、エッチング加工に頼らざるを得ない少量
生産品でも、ヒゲバリの発生のない高品質なリードフレ
ームが得られる。
【００３８】また、このような高品質なリードフレーム
を用いてユーザが図３に示すようなＩＣを製造しても、
ヒゲバリの発生がないので、隣接リードと接触して短絡
等の機能障害を起こすこともなく、したがってリードフ
レームに起因したロット不良もなくなり、高い歩留りが
得られる。
を用いてユーザが図３に示すようなＩＣを製造しても、
ヒゲバリの発生がないので、隣接リードと接触して短絡
等の機能障害を起こすこともなく、したがってリードフ
レームに起因したロット不良もなくなり、高い歩留りが
得られる。
【００３９】なお、本実施例は吊りリードで支持された
アイランドを有するタイプのリードフレームのダウンセ
ット部について説明したが、実験例からわかるように本
発明はそのタイプに限定されない。ボンディングワイヤ
性を向上するためにアイランドを下げるという目的以外
に施されたダウンセット部に対しても、本発明は同様に
適用できる。また、銅素材とＳｎ／Ｎｉめっきの組み合
わせ以外でも、母材とめっき材の伸び（曲げ、潰し、あ
るいはせん断による）が大きく異なり、それによりヒゲ
バリが発生しやすいような場合や、あるいはエッチング
成形ではなくプレスでリードフレームが成形され、上記
のような母材・めっき関係があり、ヒゲバリが発生しや
すいような場合等にあっても、本発明は適用できる。例
えば、フィルムによりチップを接着搭載するＣＯＬ（Ch
ip On Lead）やＬＯＣ（Lead OnChip）のダウンセット
部にも適用できる。
アイランドを有するタイプのリードフレームのダウンセ
ット部について説明したが、実験例からわかるように本
発明はそのタイプに限定されない。ボンディングワイヤ
性を向上するためにアイランドを下げるという目的以外
に施されたダウンセット部に対しても、本発明は同様に
適用できる。また、銅素材とＳｎ／Ｎｉめっきの組み合
わせ以外でも、母材とめっき材の伸び（曲げ、潰し、あ
るいはせん断による）が大きく異なり、それによりヒゲ
バリが発生しやすいような場合や、あるいはエッチング
成形ではなくプレスでリードフレームが成形され、上記
のような母材・めっき関係があり、ヒゲバリが発生しや
すいような場合等にあっても、本発明は適用できる。例
えば、フィルムによりチップを接着搭載するＣＯＬ（Ch
ip On Lead）やＬＯＣ（Lead OnChip）のダウンセット
部にも適用できる。
【００４０】
(1) 請求項１に記載の発明によれば、ダウンセット部に
ハーフエッチング部を設けたので、ダウンセット加工に
よるクラックの発生を防止でき、ダウンセット加工後の
潰し加工時に発生するヒゲバリの発生を予防することが
できる。また、ハーフエッチング部の形成はエッチング
によるので、その形成が容易かつ安価に行える。また、
ハーフエッチング部を設けてもリードフレームの平面形
状は変わらないのでフレームパターンの設計変更が容易
である。
ハーフエッチング部を設けたので、ダウンセット加工に
よるクラックの発生を防止でき、ダウンセット加工後の
潰し加工時に発生するヒゲバリの発生を予防することが
できる。また、ハーフエッチング部の形成はエッチング
によるので、その形成が容易かつ安価に行える。また、
ハーフエッチング部を設けてもリードフレームの平面形
状は変わらないのでフレームパターンの設計変更が容易
である。
【００４１】(2) 請求項２に記載の発明によれば、ハー
フエッチング部の長さをダウンセット部の長さの１／４
以上、１／２以下としたので、ヒゲバリの発生率を大幅
に低減することができるとともに、ダウンセット加工時
に曲げ受け部面積が確保でき安定したダウンセット加工
形状が安定する。
フエッチング部の長さをダウンセット部の長さの１／４
以上、１／２以下としたので、ヒゲバリの発生率を大幅
に低減することができるとともに、ダウンセット加工時
に曲げ受け部面積が確保でき安定したダウンセット加工
形状が安定する。
【００４２】(3) 請求項３に記載の発明によれば、ダウ
ンセット部が厚さ方向に潰されても、ヒゲバリが発生せ
ずリードフレームの品質が向上する。
ンセット部が厚さ方向に潰されても、ヒゲバリが発生せ
ずリードフレームの品質が向上する。
【図１】本発明の半導体装置用リードフレームの実施例
を説明するためのダウンセット部近傍のリード形状を示
す斜視図。
を説明するためのダウンセット部近傍のリード形状を示
す斜視図。
【図２】本実施例によるハーフエッチング部形状に関す
る実験結果であって、横軸はダウンセット長さＬに対す
る比で示したハーフエッチング部長さＢ、縦軸はヒゲバ
リ発生率（箇所／ピース）である。
る実験結果であって、横軸はダウンセット長さＬに対す
る比で示したハーフエッチング部長さＢ、縦軸はヒゲバ
リ発生率（箇所／ピース）である。
【図３】従来例及び本実施例に共通したＩＣパッケージ
の断面構造図。
の断面構造図。
【図４】図３に使用するリードフレームの一例を示した
平面図。
平面図。
【図５】ダウンセット部を有するリードフレームの積み
重ね状態を示す説明図であって、（ａ）はダウンセット
加工済みリードフレームの積み重ね状態図、（ｂ）は潰
しがない場合のダウンセット部近傍の拡大図、（ｃ）は
潰しがある場合のダウンセット部近傍の拡大図。
重ね状態を示す説明図であって、（ａ）はダウンセット
加工済みリードフレームの積み重ね状態図、（ｂ）は潰
しがない場合のダウンセット部近傍の拡大図、（ｃ）は
潰しがある場合のダウンセット部近傍の拡大図。
【図６】ダウンセット加工後の潰し加工時にヒゲバリが
発生するメカニズムを示す説明図であって、（ａ）はリ
ード素材図、（ｂ）はダウンセットのための曲げ加工
図、（ｃ）はダウンセット加工後に施される潰し加工
図。
発生するメカニズムを示す説明図であって、（ａ）はリ
ード素材図、（ｂ）はダウンセットのための曲げ加工
図、（ｃ）はダウンセット加工後に施される潰し加工
図。
【図７】従来のダウンセット部のヒゲバリの発生状態を
示す説明図。
示す説明図。
２１ ダウンセット部 ２２ アイランド ２３ 吊りリード ２４ ハーフエッチング部 ２５ Ｓｎ／Ｎｉめっき層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 今井 昇 茨城県日立市助川町３丁目１番１号 日立 電線株式会社電線工場内 (72)発明者 木内 誠 茨城県日立市助川町３丁目１番１号 日立 電線株式会社電線工場内 (72)発明者 佐藤 学 茨城県日立市助川町３丁目１番１号 日立 電線株式会社電線工場内
Claims (3)
- 【請求項１】表面めっきの施されたリードの一部に傾斜
したダウンセット部を有する半導体装置用リードフレー
ムにおいて、上記ダウンセット部の途中にリードの厚み
の半分程度の深さのハーフエッチング部を設けたことを
特徴とする半導体装置用リードフレーム。 - 【請求項２】上記ハーフエッチング部のリード方向の長
さは、上記ダウンセット部の長さの１／４以上で１／２
以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装
置用リードフレーム。 - 【請求項３】上記ダウンセット部がリードの厚さ方向に
潰されていることを特徴とする請求項１または２に記載
の半導体装置用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6031396A JPH07240491A (ja) | 1994-03-01 | 1994-03-01 | 半導体装置用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6031396A JPH07240491A (ja) | 1994-03-01 | 1994-03-01 | 半導体装置用リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07240491A true JPH07240491A (ja) | 1995-09-12 |
Family
ID=12330108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6031396A Pending JPH07240491A (ja) | 1994-03-01 | 1994-03-01 | 半導体装置用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07240491A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002353403A (ja) * | 2001-03-05 | 2002-12-06 | Samsung Electronics Co Ltd | 超薄型半導体パッケージ及びその製造方法 |
-
1994
- 1994-03-01 JP JP6031396A patent/JPH07240491A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002353403A (ja) * | 2001-03-05 | 2002-12-06 | Samsung Electronics Co Ltd | 超薄型半導体パッケージ及びその製造方法 |
| JP4549608B2 (ja) * | 2001-03-05 | 2010-09-22 | 三星電子株式会社 | 超薄型半導体パッケージ及びその製造方法 |
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