JPS63250849A - ワイヤ−ボンデイング特性に優れたリ−ドフレ−ム - Google Patents
ワイヤ−ボンデイング特性に優れたリ−ドフレ−ムInfo
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- JPS63250849A JPS63250849A JP8612287A JP8612287A JPS63250849A JP S63250849 A JPS63250849 A JP S63250849A JP 8612287 A JP8612287 A JP 8612287A JP 8612287 A JP8612287 A JP 8612287A JP S63250849 A JPS63250849 A JP S63250849A
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-
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- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
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- H01L2224/85385—Shape, e.g. interlocking features
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、半導体集積回路用のリードフレームに関し、
特にワイヤーボンディング特性に優れたリードフレーム
に関する。
特にワイヤーボンディング特性に優れたリードフレーム
に関する。
〈従来の技術〉
リードフレームは、中央部に半導体集積回路（以下ＩＣ
という）素子を搭載する搭載台（以下タブという）と、
その周囲に先端部にてＩＣ素子上の電極とワイヤーボン
ディングされる複数のリード部を形成したもので、一般
に金属基体からなる。
という）素子を搭載する搭載台（以下タブという）と、
その周囲に先端部にてＩＣ素子上の電極とワイヤーボン
ディングされる複数のリード部を形成したもので、一般
に金属基体からなる。
従来、このようなリードフレームは、鉄、鉄合金、銅、
銅合金の薄板または条材を素材とし、この素材にプレス
打抜き加工を施して不要部分をくり抜いて成形されてい
る。
銅合金の薄板または条材を素材とし、この素材にプレス
打抜き加工を施して不要部分をくり抜いて成形されてい
る。
その後、ＩＣの実装工程においてはタブに搭載されたＩ
Ｃ素子の電極と、各リード部の先端部、すなわち各イン
ナーリードの先端部とがＡｕ％ＣｕあるいはＡｕなどの
極細線によりワイヤーボンディングされる。 この時、
前記極細線との接合性を向上させるために、前記タブお
よび前記インナーリードの先端部は金、銀等の貴金属め
フきが施されていることが多い。
Ｃ素子の電極と、各リード部の先端部、すなわち各イン
ナーリードの先端部とがＡｕ％ＣｕあるいはＡｕなどの
極細線によりワイヤーボンディングされる。 この時、
前記極細線との接合性を向上させるために、前記タブお
よび前記インナーリードの先端部は金、銀等の貴金属め
フきが施されていることが多い。
そして最終的には、ＩＣはＩＣ素子、タブ、ボンディン
グワイヤおよびインナーリードが樹脂部材またはセラミ
ック部材等により封止され、固定されて用いられている
。
グワイヤおよびインナーリードが樹脂部材またはセラミ
ック部材等により封止され、固定されて用いられている
。
ところが、ＩＣ用リードフレームの長いインナーリード
をプレス加工する際、圧延等の加工により材料に内在す
る歪および打抜き加工により新たに生ずる歪が表面化し
、インナーリードが上下に動くという上下方向のインナ
ーリードシフトが起こることがある。
をプレス加工する際、圧延等の加工により材料に内在す
る歪および打抜き加工により新たに生ずる歪が表面化し
、インナーリードが上下に動くという上下方向のインナ
ーリードシフトが起こることがある。
また、順送金型によるプレス加工では、その後のプレス
加工により、前述加工歪がさらに大きくなって表面化し
、さらに実装工程において熱を受けて前述の加工歪が表
面化してインナーリードが上下にかなり動いて、かなり
のインナーリードシフトが生じることがある。
加工により、前述加工歪がさらに大きくなって表面化し
、さらに実装工程において熱を受けて前述の加工歪が表
面化してインナーリードが上下にかなり動いて、かなり
のインナーリードシフトが生じることがある。
特にリードフレームのパターン形状の種類によっては、
一つのリードパターンの中の長いインナーリードと短い
インナーリードの差が大き 。
一つのリードパターンの中の長いインナーリードと短い
インナーリードの差が大き 。
くなるにつれ、各インナーリードの高低差のバラツキが
大きくなる。
大きくなる。
各インナーリードが上下に動いて長いインナーリードと
短いインナーリードとの高低差のバラツキが大きくなる
と、各インナーリードとダムとの間の高低差のバラツキ
が大きくなり、ＩＣ実装工程のワイヤーボンディング段
階で各インナーリードに対するワイヤ押付圧力にバラツ
キが生じ、接着されたワイヤの中には接着不良が生じる
ことがある。 この現象は、インナーリードが長いほど
上下シフト幅が大きくなるので、インナーリードが長く
なれば長くなるほど生じやすくなり、ＩＣの信頼性を著
しく失う結果となっていた。
短いインナーリードとの高低差のバラツキが大きくなる
と、各インナーリードとダムとの間の高低差のバラツキ
が大きくなり、ＩＣ実装工程のワイヤーボンディング段
階で各インナーリードに対するワイヤ押付圧力にバラツ
キが生じ、接着されたワイヤの中には接着不良が生じる
ことがある。 この現象は、インナーリードが長いほど
上下シフト幅が大きくなるので、インナーリードが長く
なれば長くなるほど生じやすくなり、ＩＣの信頼性を著
しく失う結果となっていた。
このため、各インナーリード間の高低差を各リードを連
結する部分であるダムを基準としたインナーリードロケ
ーション、あるいはタブを基準としてインナーリード高
低差を測定し、前記ダム部に凹部を設はリードフレーム
の幅反りを与えることにより調整していた。
結する部分であるダムを基準としたインナーリードロケ
ーション、あるいはタブを基準としてインナーリード高
低差を測定し、前記ダム部に凹部を設はリードフレーム
の幅反りを与えることにより調整していた。
しかし、この幅反り修正によるインナーリードの高低差
の調整は完全ではなく、実装工程のワイヤーボンディン
グ時にはタブやインナーリードを治具で押えていた。
治具Ｃ押えている間は問題がないが、治具が開放された
時、ワイヤーボンディングのＡｕあるいはＡＪＺ線が長
いインナーリードのスプリングバックにより、Ａｕある
いはＡＬ線が断線する等の問題があった。
の調整は完全ではなく、実装工程のワイヤーボンディン
グ時にはタブやインナーリードを治具で押えていた。
治具Ｃ押えている間は問題がないが、治具が開放された
時、ワイヤーボンディングのＡｕあるいはＡＪＺ線が長
いインナーリードのスプリングバックにより、Ａｕある
いはＡＬ線が断線する等の問題があった。
〈発明が解決しようとする問題点〉
本発明の目的は、前記した従来技術の欠点を解消し、イ
ンナーリードのスプリングバックによりＡｕ、Ｃｕまた
はＡ２線などのボンディング用ワイヤーが断線しないよ
うに、前記インナーリードに凹部を形成し、曲げに対す
る剛性を弱くすることにより、前記スプリングバックを
抑制したワイヤーボンディング特性に優れたリードフレ
ームを提供することにある。
ンナーリードのスプリングバックによりＡｕ、Ｃｕまた
はＡ２線などのボンディング用ワイヤーが断線しないよ
うに、前記インナーリードに凹部を形成し、曲げに対す
る剛性を弱くすることにより、前記スプリングバックを
抑制したワイヤーボンディング特性に優れたリードフレ
ームを提供することにある。
く問題点を解決するための手段〉
本発明によれば、中央部に半導体集積回路素子を搭載す
る搭載台と、その周囲に向って延出する複数のリードを
有するリードフレームにおいて、前記各リードのインナ
ーリードの先端と各リードを連結するダムとの間に少な
くとも１個の凹部を形成してなることを特徴とするワイ
ヤーボンディング特性に優れたリードフレームが）是イ
共される。
る搭載台と、その周囲に向って延出する複数のリードを
有するリードフレームにおいて、前記各リードのインナ
ーリードの先端と各リードを連結するダムとの間に少な
くとも１個の凹部を形成してなることを特徴とするワイ
ヤーボンディング特性に優れたリードフレームが）是イ
共される。
また、前記インナーリードは、前記ダム側部分から前記
先端に向うに従って先細となるよう構成してなるのが好
ましい。
先端に向うに従って先細となるよう構成してなるのが好
ましい。
また、前記凹部は、隣接する凹部間の間隔を前記ダム側
部分から前記先端に向うに従って漸増するよう形成され
てなるのが好ましい。
部分から前記先端に向うに従って漸増するよう形成され
てなるのが好ましい。
また、前記凹部は、前記インナーリードの幅に応じて前
記リードフレームの全リードのインナーリードの曲げ剛
性を等しくするよう前記凹部の幅、深さおよび間隔を調
整して形成されてなるのが好ましい。
記リードフレームの全リードのインナーリードの曲げ剛
性を等しくするよう前記凹部の幅、深さおよび間隔を調
整して形成されてなるのが好ましい。
以下に、本発明に係るワイヤーボンディング特性に優れ
たリードフレームを添付の図面に示す好適実施例につき
詳細に説明する。
たリードフレームを添付の図面に示す好適実施例につき
詳細に説明する。
第１図は、本発明のワイヤーボンディング特性に優れた
リードフレームの好適実施例を示す平面図である。
リードフレームの好適実施例を示す平面図である。
第１図に参照番号１０で示すリードフレームは、その中
央部に半導体集積回路（ＩＣ）素子を搭載するための搭
載台（タブ）１２を有する。 この搭載台１２は、目的
とするＩＣ素子の大きさに対応した大きさを有している
。
央部に半導体集積回路（ＩＣ）素子を搭載するための搭
載台（タブ）１２を有する。 この搭載台１２は、目的
とするＩＣ素子の大きさに対応した大きさを有している
。
搭載台１２の周囲には、その搭載台１２に向って延出す
る複数のピン状のリード１４が形成されている。 各リ
ード１４は、搭載台１４の近傍部分のインナーリード１
６とインナーリード１６の後端部分のアウターリード１
８に分けられる。 複数のビン状のリード１４は、その
全てがアウターリード１８の部分でダム２０により連結
されている。
る複数のピン状のリード１４が形成されている。 各リ
ード１４は、搭載台１４の近傍部分のインナーリード１
６とインナーリード１６の後端部分のアウターリード１
８に分けられる。 複数のビン状のリード１４は、その
全てがアウターリード１８の部分でダム２０により連結
されている。
本発明の特徴は、インナーリード１６にある。 第２図
は、第１図のＡ部拡大図であって、本発明のリードフレ
ームＩＯの１木のり−ド１４のインナーリード１６の拡
大図であり、第３図は、第２図のＩＩＩ −ＩＩＩ線切
断面図を示す。
は、第１図のＡ部拡大図であって、本発明のリードフレ
ームＩＯの１木のり−ド１４のインナーリード１６の拡
大図であり、第３図は、第２図のＩＩＩ −ＩＩＩ線切
断面図を示す。
第２図および第３図に示すように、リード１４のインナ
ーリード１６は、後述するモールドライン２２の内側に
おいて、ダム２０側（アウターリード１８側）部分から
先端部１６ａに向うに従って細くなるよう構成するのが
好ましい。 また、インナーリード１６は、モールド部
位２２の内側において、凹部２４ａ。
ーリード１６は、後述するモールドライン２２の内側に
おいて、ダム２０側（アウターリード１８側）部分から
先端部１６ａに向うに従って細くなるよう構成するのが
好ましい。 また、インナーリード１６は、モールド部
位２２の内側において、凹部２４ａ。
２４ｂ、２４ｃ、２４ｄおよび２４ｅを有している。
凹部２４ａ、２４ｂ、２４ｃ、２４ｄおよび２４ｅの隣
接する凹部間の間隔りはインナーリード１６のダム２０
側（アウターリード１８側）部分から先端ｔｅａに向う
に従って、漸増させるのが好ましい。 より好ましくは
、凹部２４ａ、２４ｂ、２４ｃ、２４ｄおよび２４ｅの
幅Ｗ１深さｄおよび間隔りはインナーリード１６の先端
部１６ａがリードフレーム１０の全リードにおいて同じ
高さ、あるいはタブ１２の高さとなるように、インナー
リード１６の曲げ剛性を小さくし、インナーリード１６
のスプリングバックを抑えるように調整するのがよい。
凹部２４ａ、２４ｂ、２４ｃ、２４ｄおよび２４ｅの隣
接する凹部間の間隔りはインナーリード１６のダム２０
側（アウターリード１８側）部分から先端ｔｅａに向う
に従って、漸増させるのが好ましい。 より好ましくは
、凹部２４ａ、２４ｂ、２４ｃ、２４ｄおよび２４ｅの
幅Ｗ１深さｄおよび間隔りはインナーリード１６の先端
部１６ａがリードフレーム１０の全リードにおいて同じ
高さ、あるいはタブ１２の高さとなるように、インナー
リード１６の曲げ剛性を小さくし、インナーリード１６
のスプリングバックを抑えるように調整するのがよい。
本発明でいうスプリングバックとは、ワイヤーボンディ
ング後のインナーリード１６の跳ね返りをいう。
ング後のインナーリード１６の跳ね返りをいう。
すなわち、第４図に示すように、実装工程においては、
タブ１２上にＩＣ素子３０が搭載され、ＩＣ素子３０の
電極の１つ１つとインナーリード１６の先端部１６ａと
がボンディングワイヤ３２によって接続される。 この
後、リードフレーム１０の第１図に２点鎖線で示すモー
ルドライン２２の内側のモールド部位３４にあるＩＣ素
子３０．タブ１２、ボンディングワイヤ３２およびイン
ナーリード１６は、樹脂あるいはセラミックなどにより
封止される。
タブ１２上にＩＣ素子３０が搭載され、ＩＣ素子３０の
電極の１つ１つとインナーリード１６の先端部１６ａと
がボンディングワイヤ３２によって接続される。 この
後、リードフレーム１０の第１図に２点鎖線で示すモー
ルドライン２２の内側のモールド部位３４にあるＩＣ素
子３０．タブ１２、ボンディングワイヤ３２およびイン
ナーリード１６は、樹脂あるいはセラミックなどにより
封止される。
ここでボンディングワイヤ３２は、Ａｕ。
ＣｕあるいはＡＪＺなどの極細線であるので、ワイヤー
ボンディングに際しては、各リード１４のインナーリー
ド１６と、ＩＣ素子あるいはＩＣ素子を搭載したタブ１
２とを固定して、各インナーリード１６の先端１６ａの
高さを揃え、あるいはＩＣ素子３０との位置を合わせて
いる。 インナーリード１６の先端１６ａの位置ずれ（
高低差）が大きいと、大きな押圧力で押えられているた
め、インナーリード１６には大きな曲げ応力が生じてお
り、ボンディングワイヤ３２を接着後、前述の固定を外
す時に、前述の曲げ応力が解き放たれ、インナーリード
１６が跳ね返ることをスプリングバックという。
ボンディングに際しては、各リード１４のインナーリー
ド１６と、ＩＣ素子あるいはＩＣ素子を搭載したタブ１
２とを固定して、各インナーリード１６の先端１６ａの
高さを揃え、あるいはＩＣ素子３０との位置を合わせて
いる。 インナーリード１６の先端１６ａの位置ずれ（
高低差）が大きいと、大きな押圧力で押えられているた
め、インナーリード１６には大きな曲げ応力が生じてお
り、ボンディングワイヤ３２を接着後、前述の固定を外
す時に、前述の曲げ応力が解き放たれ、インナーリード
１６が跳ね返ることをスプリングバックという。
第２図および第３図に示す例では、インナーリード１６
はモールドライン２２の内側において、先４１６ ａに
向うに従って、その幅を先細にし、その間に形成された
凹部間の間隔を漸増するよう構成したけれども、凹部の
幅ｗ１深さｄ、間隔りを調整することにより、前記スプ
リングバックを好適に抑えることができれば、先端１６
ａに向うに従って必ずしも前述のインナーリード１６の
幅を先細にする必要はなく、また前述の凹部間の間隔を
漸増する必要はない。
はモールドライン２２の内側において、先４１６ ａに
向うに従って、その幅を先細にし、その間に形成された
凹部間の間隔を漸増するよう構成したけれども、凹部の
幅ｗ１深さｄ、間隔りを調整することにより、前記スプ
リングバックを好適に抑えることができれば、先端１６
ａに向うに従って必ずしも前述のインナーリード１６の
幅を先細にする必要はなく、また前述の凹部間の間隔を
漸増する必要はない。
第２図および第３図に示す例では、インナーリード１６
の片側に４個の凹部２４ａ。
の片側に４個の凹部２４ａ。
２４ｂ、２４ｃおよび２４ｄを他の側に１個の凹部２４
ｅを形成しているけれども、前述のスプリングバックを
好適に抑えることができれば、形成する凹部の数および
位置には限定されず、インナーリード１６の長さおよび
要求強度に応じて定めてよい。
ｅを形成しているけれども、前述のスプリングバックを
好適に抑えることができれば、形成する凹部の数および
位置には限定されず、インナーリード１６の長さおよび
要求強度に応じて定めてよい。
インナーリードに形成される凹部は、その深さ、幅およ
び間隔が好適に形成できればいかなる方法を用いて形成
してもよいが、リードフレームのプレス加工による打抜
前にコイニング、溝加工により予め形成するのが好まし
い。
び間隔が好適に形成できればいかなる方法を用いて形成
してもよいが、リードフレームのプレス加工による打抜
前にコイニング、溝加工により予め形成するのが好まし
い。
あるいは、凹部は前記プレス加工時に、同時に形成する
ようにしてもよい。 この理由は、リードフレームをプ
レス加工による打抜後にコイニングあるいは溝加工によ
り形成したのでは、インナーリードが伸びたり、変位し
たりして、ボンディング座標からはずれてしまうからで
ある。
ようにしてもよい。 この理由は、リードフレームをプ
レス加工による打抜後にコイニングあるいは溝加工によ
り形成したのでは、インナーリードが伸びたり、変位し
たりして、ボンディング座標からはずれてしまうからで
ある。
以上、本発明に係るワイヤーボンディング特性に優れた
リードフレームを第１図に示すパターン形状のリードフ
レーム１０中の第２図および第３図に拡大して示す１本
のインナーリード１６を好適実施例に挙げて説明したけ
れども、これに限定されるわけではなく、第１図に示す
リードフレーム１０の他のインナーリード、さらには他
のいかなるパターン形状のリードフレームにも本発明は
適用できる。
リードフレームを第１図に示すパターン形状のリードフ
レーム１０中の第２図および第３図に拡大して示す１本
のインナーリード１６を好適実施例に挙げて説明したけ
れども、これに限定されるわけではなく、第１図に示す
リードフレーム１０の他のインナーリード、さらには他
のいかなるパターン形状のリードフレームにも本発明は
適用できる。
く作用〉
本発明にかかるワイヤーボンディング特性に優れたリー
ドフレームは、基本的には以上のように構成されるもの
であり、以下に作用について説明する。
ドフレームは、基本的には以上のように構成されるもの
であり、以下に作用について説明する。
リードフレーム１０は、モールドライン２２内のモール
ド部位３４内のインナーリード１６となる部分に、予め
定められた数の凹部２４が予め定められた深さ、幅およ
び間隔となるようにコイニングおよび溝加工により設け
られて、プレス加工により第１図に示すパターン形状に
打抜かれる。 この時、第２図および第３図に示すよう
にインナーリード１６の形状は先端１６ａに向つて先細
となり、凹部の間隔も先端１６ａに向うに従って漸増し
ているので、インナーリード１６の曲げ剛性は小さい。
ド部位３４内のインナーリード１６となる部分に、予め
定められた数の凹部２４が予め定められた深さ、幅およ
び間隔となるようにコイニングおよび溝加工により設け
られて、プレス加工により第１図に示すパターン形状に
打抜かれる。 この時、第２図および第３図に示すよう
にインナーリード１６の形状は先端１６ａに向つて先細
となり、凹部の間隔も先端１６ａに向うに従って漸増し
ているので、インナーリード１６の曲げ剛性は小さい。
このためリードフレーム１０内の多数のインナーリー
ド１６間の高低差は少なく、第４図に示すようにワイヤ
ーボンディングに際して、各インナーリード１６とＩＣ
素子３０あるいはタブ１２を固定する力が小さくかつバ
ラツキが少ない。
ド１６間の高低差は少なく、第４図に示すようにワイヤ
ーボンディングに際して、各インナーリード１６とＩＣ
素子３０あるいはタブ１２を固定する力が小さくかつバ
ラツキが少ない。
従って、ボンディングワイヤ３２を先端１６ ａおよび
ＩＣ素子３０の電極に接着した後に、前述の固定を解き
放フても、スプリングバックを抑えることができるので
、ボンディングワイヤ３２が断線することが極めて少な
い。 こ の後、モールドライン２２内のモールド部位
３４にあるＩＣ素子３０、タブ１２、ボンディングワイ
ヤ３２およびインナーリード１６は、すべて樹脂あるい
はセラミックにて好適に封止される。
ＩＣ素子３０の電極に接着した後に、前述の固定を解き
放フても、スプリングバックを抑えることができるので
、ボンディングワイヤ３２が断線することが極めて少な
い。 こ の後、モールドライン２２内のモールド部位
３４にあるＩＣ素子３０、タブ１２、ボンディングワイ
ヤ３２およびインナーリード１６は、すべて樹脂あるい
はセラミックにて好適に封止される。
〈発明の効果〉
以上詳述したように、本発明によればリードフレーム内
のインナーリードに凹部を設け、インナーリードの幅を
先細にし、凹部の間隔を先端部に向つて漸増し、凹部の
数、深さ、幅および間隔を調整して、インナーリードの
曲げ剛性を小さくして、ワイヤーボンディング時のイン
ナーリードの押付力を小さくできるので、ワイヤーボン
ディング後のインナーリードにスプリングバックを抑え
ることができ、ボンディングワイヤの断線を極めて少な
くできる。
のインナーリードに凹部を設け、インナーリードの幅を
先細にし、凹部の間隔を先端部に向つて漸増し、凹部の
数、深さ、幅および間隔を調整して、インナーリードの
曲げ剛性を小さくして、ワイヤーボンディング時のイン
ナーリードの押付力を小さくできるので、ワイヤーボン
ディング後のインナーリードにスプリングバックを抑え
ることができ、ボンディングワイヤの断線を極めて少な
くできる。
また、本発明によればリードフレーム内の多数のインナ
ーリードの曲げ剛性を小さくしたので、多数のインナー
リードの高低差の調整が容易となる。 従って、ＩＣの
実装工程においてワイヤーボンディングおよび樹脂また
はセラミックによる封止が容易となるため、ＩＣの信顆
性を大幅に向上させることができる。
ーリードの曲げ剛性を小さくしたので、多数のインナー
リードの高低差の調整が容易となる。 従って、ＩＣの
実装工程においてワイヤーボンディングおよび樹脂また
はセラミックによる封止が容易となるため、ＩＣの信顆
性を大幅に向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明に係るワイヤーボンディング特性に優
れたリードフレームの一実施パターン形状を示す平面図
である。 第２図は、第１図のＡ部拡大図である。 第３図は、第２図のＨｌ −ＩＩＩ線切断面図である。 第４図は、本発明に係るワイヤーボンディング特性に優
れたリードフレームの適用例の部分断面図である。 符号の説明、 １０・・・リードフレーム、 １２・・・搭載台（タブ）、 １４・・・リード、 １６・・・インナーリード、 １６ａ・・・インナーリードの先端部、１８・・・アウ
ターリード、 ２０・・・ダム、 ２２・・・モールドライン、 ２４．２４ａ、２４ｂ、２４ｃ、２４ｄ。 ２４ｅ・・・凹部、 ３０・・・ＩＣ素子、 ３２・・・ボンディングワイヤ、 ３４・・・モールド部位
れたリードフレームの一実施パターン形状を示す平面図
である。 第２図は、第１図のＡ部拡大図である。 第３図は、第２図のＨｌ −ＩＩＩ線切断面図である。 第４図は、本発明に係るワイヤーボンディング特性に優
れたリードフレームの適用例の部分断面図である。 符号の説明、 １０・・・リードフレーム、 １２・・・搭載台（タブ）、 １４・・・リード、 １６・・・インナーリード、 １６ａ・・・インナーリードの先端部、１８・・・アウ
ターリード、 ２０・・・ダム、 ２２・・・モールドライン、 ２４．２４ａ、２４ｂ、２４ｃ、２４ｄ。 ２４ｅ・・・凹部、 ３０・・・ＩＣ素子、 ３２・・・ボンディングワイヤ、 ３４・・・モールド部位
Claims (4)
- （１）中央部に半導体集積回路素子を搭載する搭載台と
、その周囲に向って延出する複数のリードを有するリー
ドフレームにおいて、前記各リードのインナーリードの
先端と各リードを連結するダムとの間に少なくとも１個
の凹部を形成してなることを特徴とするワイヤーボンデ
ィング特性に優れたリードフレーム。 - （２）前記インナーリードは、前記ダム側部分から前記
先端に向うに従って先細となるよう構成してなる特許請
求の範囲第１項に記載のワイヤーボンディング特性に優
れたリードフレーム。 - （３）前記凹部は、隣接する凹部間の間隔を前記ダム側
部分から前記先端に向うに従って漸増するよう形成され
てなる特許請求の範囲第１項または第２項に記載のワイ
ヤーボンディング特性に優れたリードフレーム。 - （４）前記凹部は、前記インナーリードの幅に応じて前
記リードフレームの全リードのインナーリードの曲げ剛
性を等しくするよう前記凹部の幅、深さおよび間隔を調
整して形成されてなる特許請求の範囲第１項ないし第３
項のいずれかに記載のワイヤーボンディング特性に優れ
たリードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8612287A JPS63250849A (ja) | 1987-04-08 | 1987-04-08 | ワイヤ−ボンデイング特性に優れたリ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8612287A JPS63250849A (ja) | 1987-04-08 | 1987-04-08 | ワイヤ−ボンデイング特性に優れたリ−ドフレ−ム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63250849A true JPS63250849A (ja) | 1988-10-18 |
Family
ID=13877897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8612287A Pending JPS63250849A (ja) | 1987-04-08 | 1987-04-08 | ワイヤ−ボンデイング特性に優れたリ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63250849A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0448942A1 (en) * | 1990-03-15 | 1991-10-02 | International Business Machines Corporation | Semiconductor package |
| US5153705A (en) * | 1990-11-28 | 1992-10-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Tab package and a liquid-crystal panel unit using the same |
| US5398128A (en) * | 1991-05-21 | 1995-03-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Wiring board for use in a liquid crystal panel and method of making including forming resin over slit before bending |
-
1987
- 1987-04-08 JP JP8612287A patent/JPS63250849A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0448942A1 (en) * | 1990-03-15 | 1991-10-02 | International Business Machines Corporation | Semiconductor package |
| US5153705A (en) * | 1990-11-28 | 1992-10-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Tab package and a liquid-crystal panel unit using the same |
| US5398128A (en) * | 1991-05-21 | 1995-03-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Wiring board for use in a liquid crystal panel and method of making including forming resin over slit before bending |
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