JPH02271652A - 樹脂封止型半導体装置用リードフレームとその製造方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置用リードフレームとその製造方法及び半導体装置の製造方法Info
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- JPH02271652A JPH02271652A JP9406689A JP9406689A JPH02271652A JP H02271652 A JPH02271652 A JP H02271652A JP 9406689 A JP9406689 A JP 9406689A JP 9406689 A JP9406689 A JP 9406689A JP H02271652 A JPH02271652 A JP H02271652A
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- Japan
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- cutting
- lead frame
- leads
- semiconductor device
- dam bar
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- Pending
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Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、リードフレームに関し、特に樹脂封止型半導
体装置用リードフレームに適用するものである。
体装置用リードフレームに適用するものである。
（従来の技術）
近年、半導体装置は、実装密度を高くするために、小型
化が進んできている。
化が進んできている。
従来、樹脂封止型半導体装置には第４図（ａ）に示すよ
うなリードフレームが使用されている。
うなリードフレームが使用されている。
リードフレーム１は、複数のり−ド３をダムバー４で接
続して配置した一体構造に金属板がら打抜加工によって
形成したもので、リードフレーム１を用いる樹脂封止型
半導体装置の製造には第５図に示すように、リードフレ
ーム１に半導体チップ１３をダイパッド２にダイボンデ
ィングし、さらに、リード３と半導体チップ１３を金や
アルミニウムから成るボンディングワイヤー１４で接続
し。
続して配置した一体構造に金属板がら打抜加工によって
形成したもので、リードフレーム１を用いる樹脂封止型
半導体装置の製造には第５図に示すように、リードフレ
ーム１に半導体チップ１３をダイパッド２にダイボンデ
ィングし、さらに、リード３と半導体チップ１３を金や
アルミニウムから成るボンディングワイヤー１４で接続
し。
合成樹脂１５によりトランスファー成形をし樹脂封止す
る。このときダムバー４は、樹脂の流出防止の働きをし
ている。樹脂封止が完了するとダムバー４は不要となり
、切断用金型でリード３から切り離され、その後、リー
ド３を所定方向に曲げ形成して樹脂封止型半導体装置に
製作される。
る。このときダムバー４は、樹脂の流出防止の働きをし
ている。樹脂封止が完了するとダムバー４は不要となり
、切断用金型でリード３から切り離され、その後、リー
ド３を所定方向に曲げ形成して樹脂封止型半導体装置に
製作される。
（発明が解決しようとする課題）
しかし、このようなリードフレームを用いて半導体装置
を製造する場合、リードフレームにはトランスファー成
形時に加わる熱によって歪が生じ。
を製造する場合、リードフレームにはトランスファー成
形時に加わる熱によって歪が生じ。
この歪の為、ダムバーの切り離し工程で高精度の位置決
めが不可能であり、各リード間に寸法のバラツキが発生
したり、リードの寸法精度も悪くなる。
めが不可能であり、各リード間に寸法のバラツキが発生
したり、リードの寸法精度も悪くなる。
また、切り離し工程で使用される切断用金型においては
、微小なパンチが必要な為、摩耗が著しく、さらに、パ
ンチに加わる単位面積当りの荷重も大きく、切断用金型
の破損する恐れがあった。
、微小なパンチが必要な為、摩耗が著しく、さらに、パ
ンチに加わる単位面積当りの荷重も大きく、切断用金型
の破損する恐れがあった。
そこで本発明は、該切断工程で切断用金型の破損やリー
ド間のバラツキの軽減、リード寸法精度向上を目的とし
ている。
ド間のバラツキの軽減、リード寸法精度向上を目的とし
ている。
（課題を解決するための手段）
上記課題を解決するために本発明は、リード間に直行し
、樹脂流出を防止するダムバーの上下面に剪断線を設け
た。
、樹脂流出を防止するダムバーの上下面に剪断線を設け
た。
該リードフレームの製造方法は、ダムバーにパンチで剪
断を生じるまで押し下げる工程と、パンチとダイでダム
バーを元の位置まで押し戻す工程を有している。
断を生じるまで押し下げる工程と、パンチとダイでダム
バーを元の位置まで押し戻す工程を有している。
半導体装置の製造方法は、ダムバーの上下面に剪断線を
有するリードフレームを用い、トランスファー成形工程
の後、ダムバーを該剪断線から切断する工程のときに、
該剪断線から切断するためのクリアランスを有している
。
有するリードフレームを用い、トランスファー成形工程
の後、ダムバーを該剪断線から切断する工程のときに、
該剪断線から切断するためのクリアランスを有している
。
（作用）
このように構成されたリードフレーム１は、切り離し工
程において、パンチがダムバー４に当たると、切断は、
予め設けた剪断線の先端から起こり、リードフレームの
歪に関与することなく切断を行う事を可能にした。した
がって、リード間の寸法のバラツキの軽減とリード寸法
精度向上を達成できる。
程において、パンチがダムバー４に当たると、切断は、
予め設けた剪断線の先端から起こり、リードフレームの
歪に関与することなく切断を行う事を可能にした。した
がって、リード間の寸法のバラツキの軽減とリード寸法
精度向上を達成できる。
また、剪断線６．７が同位置にはいっているので、極部
的に材厚は薄くなっており、しかも、初期剪断がおきて
いるので、切断用金型に加わる剪断時の負荷も大幅に減
少し、切断用金型の寿命が伸び、さらに、破損の回避も
できる。
的に材厚は薄くなっており、しかも、初期剪断がおきて
いるので、切断用金型に加わる剪断時の負荷も大幅に減
少し、切断用金型の寿命が伸び、さらに、破損の回避も
できる。
（実施例）
次に本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は、この発明によるリードフレームを示す平面図
であって、リードフレーム１は２条の互いに平行なレー
ル１６ａ、１６ｂを有する。リードフレーム１の中央部
には、半導体チップを装着するためのダイバット２が設
けられており、ダイパッド２より放射状にリード３が設
けられ、リード３はそれぞれ所定の間隔を有するととも
にレール１６ａ、１６ｂに対して平行状にリードフレー
ムｌに配列されている。リード３の間には、それぞれリ
ード３を保持するダムバー４が配設されている。ダムバ
ーの所定の切断位置５には、剪断線６．７を上下面に有
する。
であって、リードフレーム１は２条の互いに平行なレー
ル１６ａ、１６ｂを有する。リードフレーム１の中央部
には、半導体チップを装着するためのダイバット２が設
けられており、ダイパッド２より放射状にリード３が設
けられ、リード３はそれぞれ所定の間隔を有するととも
にレール１６ａ、１６ｂに対して平行状にリードフレー
ムｌに配列されている。リード３の間には、それぞれリ
ード３を保持するダムバー４が配設されている。ダムバ
ーの所定の切断位置５には、剪断線６．７を上下面に有
する。
第２図は、第１図のＡ−Ａ断面図である。上面からの剪
断線６と下面からの剪断線７が所定の切断位置５に有り
、極部的に薄くなっている。さらに、剪断線のあるリー
ドの部分は、パリがなく上下面共にダしている。
断線６と下面からの剪断線７が所定の切断位置５に有り
、極部的に薄くなっている。さらに、剪断線のあるリー
ドの部分は、パリがなく上下面共にダしている。
このようなリードフレーム１の製造方法は、第３図（ａ
）のように、複数のリード３間に存在するダムバー４を
パンチＡ８で下方へ剪断が生じる程度（約１／３ ｔ、
ただしＬ＝材厚）まで押し下げる。
）のように、複数のリード３間に存在するダムバー４を
パンチＡ８で下方へ剪断が生じる程度（約１／３ ｔ、
ただしＬ＝材厚）まで押し下げる。
次に第３図（ｂ）に示すように押し下げられたダムバー
４を、パンチＢ９とダイＢｌｌではさみ込み２元の位置
まで押し戻し、さらに剪断を進める。
４を、パンチＢ９とダイＢｌｌではさみ込み２元の位置
まで押し戻し、さらに剪断を進める。
上記のように製造されたリードフレーム１は。
半導体チップをダイボンディングされ、リード３と半導
体チップの接続処理が施される。この処理が完了したリ
ードフレームは、樹脂成形金型に供給されて、樹脂の注
入がなされ、トランスファー成形される。このときダム
バー４は、樹脂の流出防止の働きをしている。トランス
ファー成形終了後、樹脂封止されたリードフレームは、
剪断線を利用して、ダムバーを切断する為、パンチとダ
イのクリアランスを通常の打抜時より約２〜５倍にとっ
た切断用金型によって切り離される。
体チップの接続処理が施される。この処理が完了したリ
ードフレームは、樹脂成形金型に供給されて、樹脂の注
入がなされ、トランスファー成形される。このときダム
バー４は、樹脂の流出防止の働きをしている。トランス
ファー成形終了後、樹脂封止されたリードフレームは、
剪断線を利用して、ダムバーを切断する為、パンチとダ
イのクリアランスを通常の打抜時より約２〜５倍にとっ
た切断用金型によって切り離される。
このように製造される樹脂封止型半導体装置用リードフ
レームは、トランスファー成形以前に設けられた上下面
からの剪断線に沿って、ダムバーの切り離しが行なえる
為、リード間の形状のバラツキを減少すること、さらに
、リード寸法精度を向上することができる。しかも、所
定の切断位置は、極部的に材厚が薄くなっているのに加
え、初期剪断が起きているので、切断用金型、特に、パ
ンチに加わる負荷が小さくなり、金型破損も回避でき、
金型寿命も伸びる。
レームは、トランスファー成形以前に設けられた上下面
からの剪断線に沿って、ダムバーの切り離しが行なえる
為、リード間の形状のバラツキを減少すること、さらに
、リード寸法精度を向上することができる。しかも、所
定の切断位置は、極部的に材厚が薄くなっているのに加
え、初期剪断が起きているので、切断用金型、特に、パ
ンチに加わる負荷が小さくなり、金型破損も回避でき、
金型寿命も伸びる。
（発明の効果）
本発明は以上説明したように、樹脂封止型半導体装置用
リードフレームの所定の切断位置に上下面より剪断線を
入れることにより、切り離し工程で切断用金型に加わる
負荷を減らし、かつ、該剪−断線に沿ってダムバーの切
断が出来るようなパンチとダイのクリアランスにしたの
で、切断用金型の破損を回避し、リード間の軽減、リー
ド寸法精度の向上を可能にした。
リードフレームの所定の切断位置に上下面より剪断線を
入れることにより、切り離し工程で切断用金型に加わる
負荷を減らし、かつ、該剪−断線に沿ってダムバーの切
断が出来るようなパンチとダイのクリアランスにしたの
で、切断用金型の破損を回避し、リード間の軽減、リー
ド寸法精度の向上を可能にした。
本発明は、特に、小型の樹脂封止型半導体装置に対して
有効である。
有効である。
第１図は本発明の一実施例の平面図、第２図は本発明の
一実施例の断面図、第３図（ａ）及び（ｂ）は本発明の
一実施例の製造工程を示す断面図。 第４図及び第５図は従来例を示す平面図である。 第 図 １ ・ ・ ３ ・ ・ ４ ・ ・ ６．７ ８ ・ ・ ９ ・ ・ １０ ・ ｌ １ ・ １３ ・ １４ ・ ｌ ５ ・ ・リードフレーム ・リード ・ダムバー ・・・剪断線 ・パンチＡ ・パンチＢ ・ ・ダイＡ ・ ・ダイＢ ・・半導体チップ ・・ボンディングワイヤ ・・合成樹脂
一実施例の断面図、第３図（ａ）及び（ｂ）は本発明の
一実施例の製造工程を示す断面図。 第４図及び第５図は従来例を示す平面図である。 第 図 １ ・ ・ ３ ・ ・ ４ ・ ・ ６．７ ８ ・ ・ ９ ・ ・ １０ ・ ｌ １ ・ １３ ・ １４ ・ ｌ ５ ・ ・リードフレーム ・リード ・ダムバー ・・・剪断線 ・パンチＡ ・パンチＢ ・ ・ダイＡ ・ ・ダイＢ ・・半導体チップ ・・ボンディングワイヤ ・・合成樹脂
Claims (3)
- （１）複数のリードと、該リード間に該リードに直行し
、樹脂流出を防止するダムバーを有する樹脂封止型半導
体装置用リードフレームに於いて、該ダムバーの上下面
に剪断線を有することを特徴とする樹脂封止型半導体装
置用リードフレーム。 - （２）金属板から打抜加工によって形成されるリードフ
レームの製造方法において、ダムバーにパンチで剪断を
生じるまで押し下げる工程と、パンチとダイでダムバー
を元の位置まで押し戻す工程を有することを特徴とする
樹脂封止型半導体装置用リードフレームの製造方法。 - （３）ダムバーの上下面に剪断線を有するリードフレー
ムを用い、トランスフファー成形工程の後、ダムバーを
該剪断線から切断する工程を有し、該切断には該剪断線
から切断するためのクリアランスを有することを特徴と
する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9406689A JPH02271652A (ja) | 1989-04-13 | 1989-04-13 | 樹脂封止型半導体装置用リードフレームとその製造方法及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9406689A JPH02271652A (ja) | 1989-04-13 | 1989-04-13 | 樹脂封止型半導体装置用リードフレームとその製造方法及び半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02271652A true JPH02271652A (ja) | 1990-11-06 |
Family
ID=14100144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9406689A Pending JPH02271652A (ja) | 1989-04-13 | 1989-04-13 | 樹脂封止型半導体装置用リードフレームとその製造方法及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02271652A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6667541B1 (en) | 1998-10-21 | 2003-12-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Terminal land frame and method for manufacturing the same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5936955A (ja) * | 1982-08-25 | 1984-02-29 | Shinko Electric Ind Co Ltd | リ−ドフレ−ム |
-
1989
- 1989-04-13 JP JP9406689A patent/JPH02271652A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5936955A (ja) * | 1982-08-25 | 1984-02-29 | Shinko Electric Ind Co Ltd | リ−ドフレ−ム |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6667541B1 (en) | 1998-10-21 | 2003-12-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Terminal land frame and method for manufacturing the same |
| US7026192B2 (en) | 1998-10-21 | 2006-04-11 | Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. | Terminal land frame and method for manufacturing the same |
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