JP5453642B2 - リードフレームの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、リードフレーム及びリードフレームの製造方法に関し、特に、金属板の不要部分が除去され、残留金属部分で所定形状のパターンが形成されたリードフレーム及びリードフレームの製造方法に関する。

従来から、リードフレームは、エッチング加工又はプレス加工のいずれかの方法を用いて、板状の金属材料の不要部分を除去することによって所定の形状に加工し、所定部分にめっきを形成し、必要に応じてインナーリードをテープで貼着して固定する加工等を経て完成されるのが一般的である。

このようなリードフレームを用いる半導体装置は、高密度化・高集積化及び小型化・薄型化の方向に進み、インナーリードは本数が増加している。これにより、当然ながら、インナーリードの幅及び隣接するインナーリードとの間隔は、金属の厚さ（板厚）よりも狭くなり、それぞれの寸法を確保するために、リードフレームの加工精度も極めて高いものが要求されるようになってきた。そして、このような微細な形状のリードフレームは、エッチング加工によって形成されることが主流となっている。ところが、エッチング加工においても、インナーリードのボンディングエリア部分は、ボンディングに必要な平坦幅を確保すると、隣接するリードフレームとの間隔を確保することが困難になる。そのため、使用する金属材料の厚さを０．２５〔ｍｍ〕から、０．２〔ｍｍ〕、０．１５〔ｍｍ〕、０．１２５〔ｍｍ〕と薄くすることで、平坦幅と間隔の寸法を確保してきた。

しかし、リードフレームを用いて半導体素子を搭載し、ワイヤーボンディング等を行う組立工程では、薄い金属材料では、搬送時にリードフレームの強度が低下する問題があった。

そこで、このような問題を解決すべく、インナーリードのボンディングエリア部分を含む所定のエリアをハーフエッチングすることで、部分的に金属材料の厚さを薄くし、それ以外の部分は、当初の金属材料の厚さを維持することで、リードフレーム全体の強度を確保するとともに、インナーリードのボンディングに必要な平坦幅の確保と、隣接するインナーリードとの間隔を確保する技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

また、同様の技術として、インナーリードの先端部分をハーフエッチングにより薄肉に形成した後、ワイヤーボンディング領域をコイニングし、平坦幅を確保するようにした技術が知られている。

特開平５−１１４６８０号公報 特開平８−３１６３９２号公報

しかしながら、上述の特許文献１に記載の構成では、インナーリードの先端部がエッチングにより加工されるため、ボンディングエリア部分表面に金属材料に起因する凹凸が生じて、ワイヤーボンディング不良となる問題があった。

また、上述の特許文献２に記載の構成では、先端を薄肉化した後、コイニングを行うので、特許文献１の構成よりは凹凸が改善されるが、やはりエッチングにより薄肉化した部分をコイニングするため、凹凸は残ってしまい、ワイヤーボンディング不良が発生するという問題があった。

更に、特許文献１及び特許文献２の双方のリードフレームとも、先端だけ厚さが薄くなる形状であるため、リードフレームに半導体素子を搭載し、半導体装置を製造するその後の加工が行い難く、更にやはり先端部は強度の面で問題が残り、搬送時のリードフレーム強度の低下は、完全には解消されないという問題があった。

そこで、本発明は、インナーリードの間隔が狭く微細な形状であるリードフレームを、金属材料の厚さを変化させずに構成し、微細化に対応しつつ十分な強度を有するリードフレーム及びリードフレームの製造方法を提供することを目的とする。

第４の発明は、第３の発明に係るリードフレームにおいて、
前記ワイヤーボンディングがなされる前記インナーリードのボンディングエリア部分の側面が、前記両加工併用側面を有することを特徴とする。

第１の発明に係るリードフレームの製造方法は、金属板の不要部分を除去し、残留金属部分で形成された所定形状のパターンが、半導体素子が搭載されるパッドと、該パッドの周囲を放射状に囲んで配置された複数のインナーリードとを含み、該インナーリードの表面側にボンディングエリア部分を含むリードフレームの製造方法であって、
前記金属板の裏面側から、隣接する前記インナーリード同士の間隔部分にハーフエッチング加工を施して窪みを形成するエッチング工程と、
前記窪みと前記金属板の表面との間を、前記裏面側の前記窪みからプレス加工により貫通して前記隣接する前記インナーリード同士の間隔部分を除去し、前記インナーリードのパターンを形成するプレス工程と、を含み、
該プレス工程は、前記隣接する前記インナーリード同士の間隔部分を１個おきに除去するプレス加工を２段階で行って、個々の前記隣接する前記インナーリード同士の間隔部分を除去することを特徴とする。

これにより、裏面からのエッチング加工と高精度の貫通が可能なプレス加工を併用させ、プレス加工のみでは加工が困難なパターンに対して、最終的な仕上げ部分だけプレス加工を行わせることができ、加工の容易さと精度の確保を両立させることができるとともに、安定した状態でプレスによる打ち抜きを行うことができ、確実かつ高精度な貫通加工を行うことができる。

第２の発明は、第１の発明に係るリードフレームの製造方法において、
２段階目の前記プレス加工では、１段階目のプレス加工で除去されていない前記隣接する前記インナーリード同士の間隔部分を除去することを特徴とする。
第３の発明は、第２の発明に係るリードフレームの製造方法において、
前記ハーフエッチング加工及び前記プレス加工は、前記インナーリードの前記ボンディングエリア部分の側面に施されることを特徴とする。

第４の発明は、第２又は３の発明に係るリードフレームの製造方法において、
前記金属板の前記不要部分であって、前記ハーフエッチング加工及び前記プレス加工が施されない領域に、前記表面側及び前記裏面側から同時にエッチング加工を行う表裏エッチング加工を施すことにより、前記金属板を貫通して前記パターンを形成することを特徴とする。

これにより、微細化が要求されないパターンに対しては、加工容易なエッチング工程を適用することができ、製造工程の負担の低減を図ることができる。

第５の発明は、第４の発明に係るリードフレームの製造方法において、
前記表裏エッチング加工は、前記ハーフエッチング加工と同時に前記エッチング工程において行われることを特徴とする。

これにより、プレス工程以外のエッチング工程は１回で済ませることができ、迅速な製造工程とし、スループットを向上させることができる。

本発明によれば、残留金属部分の間隔が狭く、微細な形状を有するリードフレームを、金属材料の厚さを変えずに構成することができ、ワイヤーボンディング不良を低減することができる。

実施例１のリードフレーム１００の概略全体構成の一例を示した平面図である。 実施例１のリードフレーム１００を含む半導体装置１５０の全体構成図である。 実施例１のリードフレーム１００の残留金属部分の断面構成図の一例である。 両加工併用側面７３以外の加工側面の断面構成図の一例である。 実施例１のリードフレーム１００の構成の一例について示した斜視図である。 表裏面レジスト塗布工程を示した側面図である。 レジストパターン形成工程を示した図である。 ハーフエッチング加工を施すエッチング工程を示した図である。 プレス工程の開始時の状態を示した図である。 完成した残留金属部分７０を示した図である。 プレス工程の１回目の打ち抜きを行った状態を示した図である。 プレス工程の２回目の打ち抜きを行った状態を示した図である。 実施例２のリードフレーム１００の製造方法のプレス工程を示した図である。 プレス工程の実行により完成した残留金属部分７０の一例を示した図である。 表裏エッチング加工によるリードフレーム１００の製造工程を示した図である。図１５（ａ）は、エッチング工程の初期段階を示した図である。図１５（ｂ）は、エッチング工程の完成段階を示した図である。図１５（ｃ）は、パターン完成状態を示した図である。図１５（ｄ）は、エッチング工程の初期段階の斜視図である。図１５（ｅ）は、パターン完成状態の斜視図である。 ハーフエッチング加工及びプレス加工の併用によるリードフレーム１００の製造工程を示した図である。図１６（ａ）は、ハーフエッチング加工を施すエッチング工程の初期段階を示した図である。図１６（ｂ）は、ハーフエッチング加工の完成段階を示した図である。図１６（ｃ）は、残留金属部分７０の完成状態を示した図である。図１６（ｄ）は、エッチング工程の完成段階の斜視図である。図１６（ｅ）は、リード完成状態の斜視図である。 ハーフエッチング加工前の金属板８０の表面８１を示した平面図である。 ハーフエッチング加工後の金属板８０の裏面８２を示した平面図である。 プレス工程が行われる前の金属板８０の表面８１を示した平面図である。 プレス工程が終了した後の金属板８０の表面８１を示した平面図である。 パッド１０とインナーリード３０との接続の切断前の表面８１の平面図である。 金属板８０の不要部分８５をプレス加工で除去した状態を示した平面図である。

以下、図面を参照して、本発明を実施するための最良の形態の説明を行う。

図１は、本発明を適用した実施例１に係るリードフレーム１００の概略全体構成の一例を示した平面図である。図１において、実施例１に係るリードフレーム１００は、金属材料で形成された金属板８０から、貫通した開口９０が形成されることにより、残留金属部分７０としてパターンが形成される。

残留金属部分７０で形成されるパターンは、パッド１０と、吊りリード２０と、インナーリード３０と、ダムバー４０と、アウターリード５０とを含む。また、これらの残留金属部分７０を支持する枠状のフレーム６０を備える。本実施例に係るリードフレーム１００は、パターンを構成する残留金属部分７０の側面に特徴を有するが、この点については、後述する。

パッド１０は、半導体素子（図示せず）を搭載するための領域である。半導体素子は、例えば、集積回路化された半導体チップが適用されてよい。半導体素子は、パッド１０上に、端子を上方にし、端子の無い側の面がパッド１０に接着されて搭載されてよい。

吊りリード２０は、パッド１０を支持するためのリードである。吊りリード２０は、例えば、図１に示すように、パッド１０の四隅及びフレーム６０と連続した形状パターンで形成され、パッド１０を支持してよい。

インナーリード３０は、パッド１０に搭載された半導体素子の端子が、ワイヤーにより接続されるいわゆるワイヤーボンディングが行われ、小さく密集した半導体素子の端子を電気的に外側に引き出す役割を果たす。つまり、半導体素子の端子を、外側のアウターリード５０と電気的に接続し、アウターリード５０から半導体素子に電圧及び電流の入出力を行えるようにする。よって、インナーリード３０は、パッド１０の周囲を放射状に囲むように配置され、パッド１０とアウターリード５０との間の接続が容易に行えるパターンを有している。また、ワイヤーボンディングが行われるボンディングエリア部分３１は、インナーリード３０のパッド１０寄りの中央付近の部分であり、例えば、図１に示すように、インナーリード３０の先端の１／３程度（破線で囲まれた領域）が選択されてもよい。ボンディングエリア部分３１は、リードフレーム１００の用途や種類に応じて、適宜適切な領域が設定されてよい。

ダムバー４０は、パッド１０に半導体素子が搭載され、ワイヤーボンディングが行われた後、樹脂を用いてモールドする際のモールド領域の境界となる部分である。

アウターリード５０は、モールドされた半導体素子の端子との接続を、外部から行うためのリードである。モールドされて半導体装置として完成した後は、アウターリード５０を用いて、半導体素子への電圧及び電流の入出力を行うことになる。

図２は、実施例１に係るリードフレーム１００を含む半導体装置１５０の概略全体構成の一例を示した側面図である。半導体装置１５０は、図１において説明したリードフレーム１００を含み、更に半導体素子１１０と、ワイヤー１２０と、モールド樹脂１３０とを含む。なお、半導体装置１５０は、基板１４０上に載置されて用いられてよい。

半導体素子１１０は、図２に示すように、例えば、パッケージ化されたＩＣ（Integrated Circuit、集積回路）が適用されてよく、入出力端子が上に来るように、端子の無い面がパッド１０上に載置されて搭載されてよい。

吊りリード２０は、例えば、図２に示すように、若干水平よりも下向きに延在した形状に形成され、半導体素子１１０の端子と、インナーリード３０の高さが略水平となるように構成されてよい。よって、吊りリード２０は、半導体素子１１０の高さを考慮してその下向き角度が設定されてよい。

インナーリード３０のパッド１０側の先端には、ボンディングエリア部分３１が設けられる。半導体素子１１０の端子に接続されたワイヤー１２０を、ボンディングエリア部分３１に接続してボンディングすることにより、半導体素子１１０の端子と、インナーリード３０との電気的接続が行われている。なお、ワイヤー１２０は、通常の金属の配線材料が用いられてよい。また、水平に外側に延びたインナーリード３０は、外側のアウターリード５０と接続されている。

ワイヤーボンディングにより接続されたと半導体素子１１０とインナーリード３０は、モールド樹脂１３０によりモールドされて覆われる。これにより、半導体素子１１０及びワイヤーボンディング部分は、外部から保護される。インナーリード３０とアウターリード５０の境界には、ダムバー４０が設けられ、モールド樹脂１３０の外枠が定められている。

アウターリード５０は、例えば下向き形状に形成され、基板１４０に形成された配線と接続される。

このように、本実施例に係るリードフレーム１００は、半導体素子１１０を半導体装置１５０として構成し、基板１４０への接続等が容易となるように構成される。

次に、図３乃至図５を用いて、実施例１に係るリードフレーム１００のパターンを構成する残留金属部分７０の立体構成の一例について説明する。

図３は、実施例１に係るリードフレーム１００のパターンの延在方向と垂直な面で切った残留金属部分７０の断面構成の一例を示した図である。図３に係る断面構成は、本実施例に係るリードフレーム１００の総ての残留金属部分７０に適用できるが、図３においては、インナーフレーム３０又はアウターフレーム５０のような、櫛状に形成されたパターン部分の残留金属部分７０に適用する例について説明する。

図３において、残留金属部分７０は、表面７１と、裏面７２と、側面７３とを有する。表面７１側は、半導体素子１１０が搭載され、ワイヤーボンディングが行われる側の面であり、裏面７２側は、半導体素子１１０が搭載されず、ワイヤーボンディングが行われない側の面である。残留金属部分７０の表面７１が、リードフレーム１００のパターンを構成する。また、残留金属部分７０の側面７３は、金属板８０に貫通開口９０が形成されて不要部分が除去されたときの開口断面に相当する。

表面７１及び裏面７２は、リードフレーム１００加工前の状態の金属板８０の状態を維持し、金属板８０の厚さをそのまま保っている。従来、インナーリード３０のボンディングエリア部分３１については、加工精度を高めるために、ハーフエッチング等を施し、金属板８０の肉厚を薄く構成していたため、強度が弱くなる問題があったが、本実施例に係るリードフレーム１００においては、ボンディンング領域３１についても、金属板８０の厚さをそのまま用いることができる。よって、十分な強度を有する構成とすることができる。また、ハーフエッチング等を行うと、厚さが一定せず、更にエッチング面が平坦にならないという問題があったが、本実施例に係るリードフレーム１００においては、金属板８０の表面７１及び裏面７２をそのまま用いることができるため、一定の厚さかつ平坦な面を確保できる。

なお、金属板８０の厚さは、例えば、０．２５〔ｍｍ〕、０．２〔ｍｍ〕、０．１５〔ｍｍ〕、０．１２５〔ｍｍ〕というレベルの厚さで形成されてよい。金属板８０の厚さ、つまりリードフレーム１００のパターンを構成する残留金属部分７０の厚さは、用途に応じて適切に選択又は設定されてよい。

側面７３は、プレス加工面７４と、エッチング加工面７５とを有する。プレス加工面７４は、プレス加工による打ち抜きにより形成された側面であり、エッチング加工面７５は、化学薬品の腐食作用を利用したエッチング加工により形成された側面である。プレス加工は、プレス型の形成加工や、加工対象の厚さが厚くなるとその加工が困難になるが、プレス型の通りに形状加工ができるため、高精度の形状形成加工を行うことができる。一方、エッチング加工は、食刻による加工であるため、垂直な加工は困難であり、鉛直方向とともに水平方向にも食刻が進行してしまうが、加工対象の厚さの如何に関わらず加工が可能であるという利点を有する。本実施例に係るリードフレーム１００においては、プレス加工とエッチング加工の特性を効果的に利用し、金属板８０の厚さを維持した状態で残留金属部分７０を形成する。

図３において、側面７３の表面７１側（上方）にプレス加工面７４が形成され、裏面７２側にエッチング加工面７５が形成されている。これは、表面７１側がワイヤーボンディング等の配線接続が行われる面であるため、配線側の面の面積が広くなるように加工が行われているからである。つまり、プレス加工では、ほぼ型通りに垂直に加工ができ、表面７１の面積及び隣接する残留金属部分７０との間隔を保ったまま、不要部分の除去を行うことができる。

一方、側面７３の裏面７２側（下方）は、エッチング加工面７５で構成されている。裏面７２の面積は、表面７１と比較して小さい。これは、エッチング加工は化学薬品による腐食作用を利用した加工であるため、全体方向に腐食が広がる傾向があり、そのような加工とならざるを得ないからである。残留金属部分７０の裏面７２は、ワイヤーボンディング等の微細な配線接続は行われないため、広い面積を要する必要性が表面７１側よりも低い。よって、裏面７２側は、エッチング加工面７５により構成されている。

このように、本実施例に係るリードフレーム１００においては、残留金属部分７０の側面を、プレス加工面７４とエッチング加工面７５の両方の加工面を有する側面７３として構成することにより、リードフレーム１００で行われるワイヤーボンディングに適した形状としている。なお、図３に係るプレス加工面７４とエッチング加工面７５の双方の加工面を残留金属部分７０の側面に有する構成は、総てのパターン１０〜５０に適用することも可能であるが、一部の領域にのみ適用するようにしてもよい。例えば、インナーリード３０の部分のみ、更にはインナーリード３０のボンディングエリア部分３１の部分のみを、このようなプレス加工面７４とエッチング加工面７５の２つの加工面から構成された加工側面を有するように構成してもよい。表面７１の広い平坦幅及び隣接するリードとの正確な間隔を最も要求される領域は、インナーリード３０のワイヤーボンディングが行われる領域であるため、ボンディングエリア部分３１のみをこのような加工とするだけでも、十分な効果を得ることができるからである。なお、以後、図３に示したプレス加工面７４とエッチング加工面７５の両方を備えた側面７３を、両加工併用側面７３とも呼ぶこととする。

なお、エッチング加工面７５は、裏面７２側からエッチング加工が行われ、プレス加工面７４は、エッチング加工後に裏面７２側から加工が行われる場合と、表面７２側から加工が行われる場合の両方があり得るが、この点については、後述する。

図４は、実施例１に係るリードフレーム１００の、両加工併用側面７３以外の加工側面を有する残留金属部分７０ａの断面構成の一例を示した図である。図３において説明した両加工併用側面７３は、総てのパターン１０〜５０の残留金属部分７０に対して適用することができるが、ワイヤーボンディングが行われるインナーリード３０、又はインナーリード３０の中でも特にボンディングが行われるボンディングエリア部分３１にのみ形成するように構成してもよい。パターン１０〜５０の総てではなく、部分的に両加工併用側面７３を形成する場合、両加工併用側面７３が形成されない領域は、例えば、図４のような加工断面を有する形状に残留金属部分７０ａが形成されてもよい。

図４において、残留金属部分７０ａは、表面７１ａと、裏面７２ａと、側面７３ａとを有する。表面７１ａと、裏面７２ａは、加工前の金属板８０の表面及び裏面がそのまま維持され、金属板８０の本来の厚さと、表面７１ａ及び裏面７２ａの平坦度が保たれている点は、図３に係る残留金属部分７０と同様である。

図４においては、側面７３ａが、表面７１ａ側もエッチング加工面７５ａ、裏面７２ａ側もエッチング加工面７５ｂで形成されている点で、図３に係る残留金属部分７０の両加工併用側面７３と異なっている。このように、図４に係る残留金属部分７０ａにおいては、加工側面７３ａの総てがエッチング加工面７５ａ、７５ｂで構成される。なお、裏面７２ａ側のエッチング加工面７５ｂは、裏面７２ａ側からエッチング加工を行って形成された加工側面であり、表面７１ａ側のエッチング加工面７５ａは、表面７１ａ側からエッチング加工を行って形成された加工側面である。よって、図４に示す表面７１ａ側と裏面７２ａ側の双方からエッチング加工を行って貫通開口９０を形成することにより、残留金属部分７０ａの加工が行われた側面７３ａを、以後、表裏エッチング加工側面７３ａとも呼ぶこととする。

図４において、より深くエッチング加工が行われて、その深さ（厚さ）が大きくなっているエッチング加工側面７５ｂを有する裏面７２ａの方が、浅い（薄い）エッチング加工側面７５ａを有する表面７１ａよりも、平坦部の表面積が小さくなっている。

また、エッチング加工の場合、その加工面は穴を掘るような曲線形状となるため、表面７１ａ側からのエッチング加工と、裏面７２ａ側からのエッチング加工の繋がった部分が、突起７６を形成し、横にはみ出す形状となってしまう。このような突起７６は、隣接するパターンの残留金属部分７０ａ間の間隔を狭めてしまう。つまり、表面７１ａ同士又は裏面７２ａ同士で十分に隣接するパターン間の間隔が確保できても、隣接する残留金属部分７０ａの突起７６同士で間隔の狭い部分を作ってしまい、結局、隣接するパターン同士の実質的な間隔を狭めてしまう。従来、このような表裏エッチング加工側面７３ａでインナーリード３０のボンディングエリア部分３１も構成していたので、半導体素子１１０が微細化し、半導体素子１１０の端子間距離が狭くなると、これに対応した間隔の狭い残留金属部分７０ａを形成するのが困難であった。また、微細化に対応してボンディングエリア部分３１にハーフエッチングを施すと、上述の不均一化と強度の低下の問題を招いてしまっていた。

一方、表裏エッチング加工側面７３ａは、安価で加工容易なエッチング加工のみを用いてパターン形成を行い、かつエッチング加工は深掘りも可能であるため、高精度な平坦幅やパターン間隔が要求されない領域では、製造工程上有利である。

そこで、本実施例に係るリードフレーム１００においては、図４に示す表裏エッチング加工側面７３ａは、ワイヤーボンィングが行なわれない領域、つまり少なくともインナーリード３０のボンディングエリア部分３１を含まないそれ以外の領域で適用する。つまり、品質的に問題とならない領域、例えば、アウターリード５０等に、図４に係る表裏エッチング加工側面７３ａを適用する。これにより、残留金属部分７０ａについては、表裏エッチング加工側面７３ａで構成し、より高精度な加工精度が要求される領域の残留金属部分７０については、図３に係る両加工併用側面７３で構成するようにすれば、製造負担を軽減しつつ、微細化に対応した高精度なパターンを有するリードフレーム１００とすることができる。

なお、図３に係る残留金属部分７０の両加工併用側面７３においては、図４における突起７６が発生せず、これが垂直面で削り落とされた状態で加工面が形成されるため、隣接する残留金属部分７０間の間隔を広くとることができる。

また、パターン１０〜５０のどの領域を両加工併用領域側面７３で構成し、どの領域を表裏エッチング加工側面７３ａで構成するかは、リードフレーム１００の形状に応じて、適宜定めるようにしてよい。

図５は、実施例１に係るリードフレーム１００の構成の一例について示した斜視図である。図５において、複数の隣接した形状パターンを有する残留金属部分７０で構成されたインナーリード３０が示されている。インナーリード３０の所定の先端部分には、ボンディングエリア部分３１が形成され、それよりも外側は、非ボンデシィング領域３２が形成されている。

ボンディングエリア部分３１は、ワイヤーボンディングがなされる領域であり、ワイヤー１２０が接続される領域であるので、その形状は、表面７１の平坦幅が大きく、隣接するインナーリード３０のボンディングエリア部分３１との間隔が広いことが要求される。このような形状を実現することにより、半導体装置１１０の微細化及び多端子化に対応することができる。よって、図５において、ボンディングエリア部分３１は、表面７１及び裏面７２は平坦であり、かつ側面７３の厚さが金属板８０の厚さが維持されている。そして、側面７３は、プレス加工面７４とエッチング加工面７５の双方を有する両加工併用側面７３として構成されている。これにより、裏面７２の表面積は小さくなっているが、表面７１の表面積は大きく形成されている。また、隣接するボンディングエリア部分３１同士の間隔は、垂直な壁面状のプレス加工面７４により、広く保たれている。

このように、インナーリード３０のボンディングエリア部分３１には、両加工併用側面７３を形成することにより、平坦幅が大きく、間隔が広い形状のボンディングエリア部分３１を構成することができ、微細化に適切に対応したリードフレーム１００とすることができる。

一方、図５において、インナーリード３０のボンディングエリア部分３１より外側に配置された非ボンディングエリア３２は、その側面７３ａが、エッチング加工面７５ａ、７５ｂのみで構成された表裏エッチング加工側面７３ａから構成されている。表裏エッチング加工側面７３ａが適用されたときには、非ボンディングエリア３２の表面７１ａは、ボンディングエリア部分３１の表面７１よりも平坦幅が狭い形状となっている。しかし、非ボンンディング領域３２は、ワイヤーボンディングによる配線接続がなされる訳ではないので、平坦幅が狭くても悪影響は受けない。そして、非ボンディングエリア３２の表裏エッチング加工側面７３ａは、エッチング加工のみで形成することができる。

また、図５に示されるように、インナーリード３０は、ボンディングエリア部分３１も非ボンディングエリア３２も同じ厚さで、金属板８０の厚さが活かされて形成されている。これにより、インナーリード３０の段差を無くし、均一性に優れた確実なワイヤーボンディングを実現できる。また、十分な厚さを有するインナーリード３０を使用することができ、半導体装置１５０形成時又は形成後の加工にも十分な強度耐性を有するリードフレーム１００とすることができる。

このように、図５に係るリードフレーム１００によれば、インナーリード３０のボンディングエリア部分３１を両加工併用側面７３で構成し、非ボンデシィング領域３２を表裏エッチング加工側面７３ａで構成することにより、微細化への対応を行いつつ、十分な強度耐性を実現することができる。

なお、図５においては、インナーリード３０のボンディングエリア部分３１のみを両加工併用側面７３として構成する例を挙げて説明したが、加工に問題が無く、また、更に微細化に対応するためには、インナーリード３０の全体を両加工併用側面７３として構成し、アウターリード５０に表裏エッチング加工側面７３ａを形成するように構成してもよい。両加工併用側面７３のパターン１０〜５０における適用範囲は、用途に応じて適宜変更することができる。

実施例２においては、図６乃至図１２を用いて、実施例１に係るリードフレーム１００の両加工併用側面７３の部分の製造方法の一例について説明する。

図６は、表裏面レジスト塗布工程を示した側面図である。図６において、金属板８０の上面がワイヤーボンディング面となる表面８１、下面が、ワイヤーボンディングが行われない裏面８２となる。表裏面レジスト塗布工程においては、金属板８０の表面８１及び裏面８２全体にレジスト１６０を塗布し、表面レジスト膜１６１及び裏面レジスト膜１６２を形成する。

図７は、レジストパターン形成工程を示した図である。レジストパターン形成工程では、裏面８２側において、金属板８０の不要部分８４のレジスト１６０が除去され、裏面レジストパターン１６２が形成される。

図８は、ハーフエッチング加工を施すエッチング工程を示した図である。図７のレジストパターン形成工程において、除去されたレジスト１６０の部分にエッチング加工が施され、溝９２が形成される。溝９２は、エッチング加工の侵食作用により食刻されるため、金属板８０の全方向に食刻がなされ、円に近い曲線状の断面形状を有する溝形状となる。ハーフエッチング加工においては、裏面８２側から金属板８０の貫通を意図して行うのではなく、金属板８０の厚さの略半分程度、又は半分よりもやや大きい程度までエッチング加工を行ったら、エッチングを停止する。これにより、ハーフエッチング加工では、金属板８０の厚さの途中まで掘られた溝９２が形成される。

なお、ハーフエッチング加工におけるエッチング加工は、金属板８０の不要部分８３の箇所の残留金属の厚さが、プレス加工で打ち抜き可能な薄さに達した所定の段階において停止するようにしてよい。

図９は、プレス工程の開始時の状態を示した図である。図８において、ハーフエッチング加工を行うエッチング工程が終了したら、表面レジスト膜１６１及び裏面レジストパターン１６２を除去し、金属板８０をプレス加工機のパンチ１７０の下の加工位置に載置する。

図９においては、金属板８０の表面８１側を下側とし、溝９２が形成された裏面８２側を上側とし、図８の状態から上下面を反転させ、金属板８０の面が完全に残っている表面８１側を支持台（図示せず）と接触させ、支持台との接触面積が大きい安定した状態でプレス加工を行っている。この場合、溝９２が上方に来るので、図９に示すように、溝９２にパンチ１７０の位置を一致させ、パンチ１７０を下方に移動させて打ち抜き、溝９２から表面８１に向かって貫通口を形成すればよい。

図１０は、完成した残留金属部分７０を示した図である。図１０に係る残留金属部分７０は、図３で示した残留金属部分７０と上下が反転しているが、表面７１側にプレス加工面７４を有し、裏面７２側にエッチング加工面７５を有する両加工併用側面７３が図３と同様に形成されている。

このように、実施例２に係るリードフレーム１００の製造方法によれば、金属板８０の裏面８２側からエッチング加工を行い、プレス加工を行う金属板８０の厚さを減少させてからプレス加工を行うことができるので、安定してプレス加工を行うことができる。また、その際、溝９２の形成されていない金属板８０の表面８１側を下側とし、溝９２を上側とし、溝９２からパンチ１７０を打ち抜くようにプレス加工を行うので、安定した金属板８０の載置状態でプレス加工を行うことができる。

次に、図１１及び図１２を用いて、プレス工程について、更に詳細に説明を行う。図９で説明したプレス加工は、例えば、２段階で加工を行うようにしてもよい。図１１及び図１２は、プレス加工を２段階で行う場合のプレス工程の例を説明するための図である。

図１１は、プレス工程の１回目の打ち抜きを行った状態を示した図である。図１１において、エッチング工程が終了し、裏面８２に溝９２が形成された金属板８０が、表面８１を下面として、ダイ１９０上に載置されている。金属板８０の裏面８２は、上からストリッパー１８０で押さえられて固定されている。つまり、金属板８０は、下方からはダイ１９０、上方からはストリッパー１８０に挟み込まれるように固定されている。

ダイ１９０及びストリッパー１８０は、間隔を有して配置され、その間隔にはパンチ１７０が打ち抜き加工を行うようになっている。図１１では、パンチ１７０をダイ１９０と同じ高さまで下方に降ろし、金属板８０の不要部分８３が打ち抜かれた状態が示されている。ここで、図９においては、総ての溝９２にパンチ１７０が配置されていたが、図１１においては、１個おきに溝９２にパンチ１７０が配置されている点で、図９のプレス工程と異なっている。よって、図１１においては、ダイ１９０及びストリッパー１８０も、金属板８０の裏面８２のストリッパー１８０と接している平坦部分が、２個を１組として固定するように構成されている。

このように、プレス工程は、エッチング工程で形成された総ての溝９２について１度に打ち抜きを行うのではなく、１個おきに行うようにしてもよい。例えば、微細化したパターンを形成する必要があり、プレス加工の金型の強度の観点から、図９のように、総ての溝９２を１度に打ち抜くことが困難である場合には、図１１に示すように、１個おきで打ち抜きを行うようにすれば、十分な金型の強度でプレス加工を行うことができる。

図１２は、プレス工程の２回目の打ち抜きを行った状態を示した図である。２回目の打ち抜きにおいては、金属板８０に対して、ダイ１９０及びストリッパー１８０を１個のパターンの幅分相対的に移動させ、打ち抜きの終了していない溝９２の上にパンチ１７０が配置されるようにする。そして、図１２に示すように、パンチ１７０を溝９２の上方から下方に向かって打ち抜き、個々のパターンを完成させる。

このように、例えば、１回目のプレス加工で奇数番目の溝９２を打ち抜き、２回目のプレス加工で偶数番目の溝９２を打ち抜く、というように、１個おきで２回に分けてプレス加工を行うようにすれば、微細なパターンを金属板８０に形成する場合であっても、十分な強度でプレス加工を行うことができる。

実施例３においては、実施例２とは異なる態様のリードフレーム１００の製造方法について説明する。なお、実施例２に係るリードフレーム１００の製造方法においても、製造されるリードフレーム１００自体は、実施例２に係るリードフレーム１００の製造方法と同様のものを製造することができる。

図１３は、実施例２に係るリードフレーム１００の製造方法のプレス工程の一例を示した図である。プレス工程に至るまでの表裏面レジスト塗布工程、レジストパターン形成工程及びエッチング工程までは、図６乃至図８において説明した実施例２に係るリードフレーム１００の製造方法と同様であるので、その説明を省略する。

図１３において、溝９２が形成された金属板８０が、表面８１を上側に、溝９２が形成された裏面８２を下側にして載置されている。これは、実施例２の図９で示したプレス工程と、金属板８０の載置状態が、上下反転した状態である。このように、金属板８０の表面８１を上面側とし、裏面８２を下面側として配置し、プレス工程を行うようにしてもよい。

この場合、図１３に示すように、パンチ１７０は、溝９２の上方に来るように配置され、パンチ１７０を下方に移動させて打ち抜くことにより、溝９２にパンチ１７０が到達し、溝９２と表面８１とを貫通させる開口を形成できる配置とする。

図１４は、図１３に示したプレス工程を実行することにより、完成したパターンの残留金属部分７０の一例を示した図である。プレス工程が終了した後は、図１４に示すように、表面７１が上面、裏面７２が下面にきており、表面側にプレス加工面７４、裏面側にエッチング加工面７５を有する両加工併用側面７３を備えた残留金属部分７０が完成する。

このように、プレス工程を、金属板８０の表面８１側から行うようにしてもよい。実施例２及び実施例３において説明したように、プレス加工面７４は、金属板８０の裏面８２側からの打ち抜きでも、表面８１側からの打ち抜きでも行うことができ、製造設備や用途等を考慮し、適宜適切な製造方法を選択することができる。

なお、実施例３においても、実施例２の図１１及び図１２で説明したように、１個おきにプレス加工を行うようにしてもよく、金属板８０上下を反転させて、図１１及び図１２で説明したプレス工程をそのまま適用することができる。

実施例２及び実施例３においては、エッチング工程とプレス工程を併用する両加工併用側面７３についてのリードフレーム１００の製造方法について説明したが、実施例４においては、プレス加工を施さない領域の加工も含めたリードフレーム１００の製造方法について説明する。

図１５は、表裏エッチング加工によるリードフレーム１００の製造工程を示した図である。実施例４に係るリードフレーム１００の製造方法においては、ハーフエッチング加工及びプレス加工を行わない残留金属部分７０ａについては、金属板８０の表面８１側及び裏面８２側からエッチングを行う表裏エッチング加工を行う。

図１５（ａ）は、エッチング工程の初期段階の一例を示した図である。金属板８０の表面８１側には、表面レジストパターン１６１ａが形成され、裏面８２側には、裏面レジストパターン１６２ａが形成されている。表面レジストパターン１６１ａ及び裏面レジストパターン１６２ａは、ともに金属板８０の不要部分に開口を有して形成され、表面８１側及び裏面８２側の双方からエッチング加工を行う。なお、図１５（ａ）においては、金属板８０の隣接する不要部分の間隔（ピッチ）が、０．１３０〔ｍｍ〕に設定された例が示されている。

エッチング加工により、断面形状が略円形の溝９１ａ、９２ａが、表面８１側及び裏面８２側に各々形成される。表面８１側及び裏面８２側の双方とも同じエッチング加工による食刻加工であるため、片側の面のみからではなく、両面から同時に加工を行うことができる。よって、容易かつ迅速に加工を行うことができる。溝９１ａ、９２ａは、中心線が同位置に形成されるため、表面８１及び裏面８２からの侵食作用により、溝９１ａ、９２ａが形成された箇所は、金属板８０の厚さが薄くなる。また、表面８１側の表面積が裏面８２側よりも大きくなるように、表面８１側の溝９１ａが、裏面９２ａ側の溝９２ａよりも小さくなるようにエッチング加工を行う。このようなエッチング加工による形成される溝９１ａ、９２ａの大小は、例えば、エッチング加工を行う位置のレジストパターン１６１ａ、１６２ａの開口の大きさにより調整されてよい。例えば、表面８１側に小さい溝９１ａを形成する場合には、表面レジストパターン１６１ａの開口を、裏面レジストパターン１６２ａの開口よりも小さくすればよい。

図１５（ｄ）は、図１５（ａ）に示したエッチング工程の初期段階を、斜視的に示した図である。図１５（ｄ）において、金属板８０の表面８１側及び裏面８２側から、溝９１ａ及び溝９２ａが、各々レール状に形成されている状態が示されている。これにより、溝９１ａ、９２ａが形成された箇所は、金属板８０の厚さが薄くなっている。

図１５（ｂ）は、エッチング工程の完成段階の一例を示した図である。エッチング工程の完成段階においては、図１５（ａ）、（ｄ）で示したエッチング工程の初期段階から更にエッチング加工を表面８１及び裏面８２とも進行させ、溝９１ａと溝９２ａを貫通させて開口９０ａを形成する。金属板８０の平坦な残留部分は、表面８１側の方が、裏面８２側よりも大きく形成されている。

図１５（ｃ）は、パターン完成状態を示した図である。図１５（ｃ）においては、図１５（ｂ）のエッチング工程の完成段階から、表面レジストパターン１６１ａ及び裏面レジストパターン１６２ａを除去し、パターンを完成させる。ここで、残留金属部分７０ａの表面７１ａ側の平坦幅は０．０７０〔ｍｍ〕であり、裏面７２ａ側の平坦幅は０．０４０〔ｍｍ〕である例が示されている。また、このとき、隣接する残留金属部分７０ａの間隔は、０．０３０〔ｍｍ〕となる例が示されている。この０．０３０〔ｍｍ〕という数字は、実際のリードフレーム１００の残留金属部分７０ａ同士の間隔としては、非常に狭い数字であり、このままでは、その後の半導体装置１５０を製造する際の工程が非常に困難であり、隣接残留金属部分７０ａ同士で短絡等を生じやすい間隔である。従って、実際には、表裏エッチング加工は、ピッチ間隔が０．１３０〔ｍｍ〕というような狭い間隔には用いず、もっと広いピッチ間隔を有するパターンに適用する。そうすることにより、突起７６が発生し、微細化への対応が困難な表裏エッチング加工を、例えばアウターリード５０等の、適切な箇所に利用することができる。

図１５（ｅ）は、パターン完成状態を斜視的に示した図である。図１５（ｅ）において、複数の延在する残留金属部分７０ａが、所定間隔を空けて隣接して配置されている。隣接する残留金属部分７０ａのピッチ間隔は、突起７６で制約を受ける。しかしながら、表面７１ａ及び裏面７２ａを同時にエッチング加工で形成してゆくため、簡素な製造工程で容易に残留金属部分７０ａを形成できる。また、プレス工程のような金型の精度や正確な位置合わせも要せず、リードフレーム１００の広い範囲の残留金属部分７０ａについて、エッチング加工で一括して加工を行うことができる。

このように、表裏エッチング加工によれば、製造される残留金属部分７０ａのピッチ間隔は広く取る必要があるが、簡素な工程で容易に残留金属部分７０ａの加工を行うことができる。

なお、図１５においては、残留金属部分７０ａの表面７１ａが裏面７２ａよりも広い面積を有する形状としてが、例えば、表面７１ａと裏面７２ａが同じ面積となるような形状に形成してもよい。この場合、例えば、図１５（ａ）において説明した表面レジストパターン１６１ａと裏面レジストパターン１６２ａの開口を同じ大きさの開口に形成し、今までの説明と同様の表裏エッチング加工を行えば、同一の溝９１ａ、９２ａが形成され、表面７１ａと裏面７２ａが同一面積を有する形状のリードを形成することができる。表裏エッチング加工による残留金属部分７０ａの形状は、用途に応じて、適宜変更してもよい。

図１６は、ハーフエッチング加工及びプレス加工の併用によるリードフレーム１００の製造工程を示した図である。図１６においては、ハーフエッチング加工及びプレス加工を、図１５において説明した表裏エッチング加工との関係において説明する。なお、図１６においても、ピッチ間隔は、０．１３０〔ｍｍ〕に設定された例を挙げて説明する。

図１６（ａ）は、ハーフエッチング加工を施すエッチング工程の初期段階を示した図である。ハーフエッチング加工においては、金属板８０の表面８１には表面レジスト膜１６１、裏面８２には裏面レジストパターン１６２が形成されている。表面エッチング膜１６１は、金属板８０の必要部分の全面を覆い、裏面エッチングパターン１６２は、開口を有するパターンを有している。よって、ハーフエッチング加工においては、金属板８０の裏面８２のみがエッチング加工され、溝９２が形成されている。

通常、図１６（ａ）に示すハーフエッチング加工は、図１５（ａ）に示した表裏エッチング加工と同時に実行される。この場合には、表裏エッチング加工側面７３ａを形成する領域の金属板８０には、図１５（ａ）で示したレジストパターン１６１ａ、１６２ａを形成し、両加工併用側面７３を形成する領域の金属板８０には、図１６（ａ）で示したレジストパターン１６１、１６２を形成してエッチング加工を行う。

このように、図１５（ａ）及び図１６（ａ）は、同じエッチング工程で実行できるので、工程数を減らす観点から、同一のエッチング工程で同時に加工が行われることが好ましい。しかしながら、例えば、エッチング加工の内容に差を持たせたる等の理由のため、ハーフエッチング加工と表裏エッチング加工を分けて行いたい場合には、別工程で実行してもよい。

図１６（ｂ）は、ハーフエッチング加工の完成段階を示した図である。ハーフエッチング加工の完成段階においては、金属板８０の裏面８２に形成された溝９２が、金属板８０の厚さの略半分、又は半分を超えた深さにまで達する。図１６（ｂ）においても、ハーフエッチング加工の完成段階は、図１５（ｂ）の表裏エッチング加工の完成段階と同時進行で、同一のエッチング工程で行われる。

図１６（ｄ）は、図１５（ｂ）及び図１６（ｂ）に対応するエッチング工程の完成段階を、斜視的に示した図である。図１６（ｄ）において、ハーフエッチング加工が施された金属板８０の先端部分には、溝９２が形成されている。一方、金属板８０の奥側は、図１５（ｂ）の表裏エッチング加工が施されている領域であり、金属板８０の表面８１側にも、溝９１ａが形成されている。図１６（ｄ）からは見えないが、表面８１側の溝９１ａに対応して、裏面８２側にも、溝９２ａが形成されている。つまり、先端側の溝９２と、奥側の溝９２ａは、連続した溝９２、９２ａとして形成されていることになる。また、表面８１の溝９１ａと裏面８２の溝９２ａは、この段階で貫通し、開口９０ａが形成される。つまり、表裏エッチング加工による残留金属部分７０ａの形状は、この段階で完成する。この段階で、エッチング工程は、表裏エッチング加工及びハーフエッチング加工の双方で終了するので、レジスト１６１、１６１ａ、１６２、１６２ａは、この後総て除去される。

図１６（ｃ）は、プレス工程終了後の残留金属部分７０の完成状態を示した図である。プレス工程は、図１５（ａ）〜（ｅ）で示した表裏エッチング加工及び図１６（ａ）、（ｂ）、（ｄ）で示したハーフエッチング加工がエッチング工程で終了した後に行われる。プレス工程は、実施例２及び実施例３で説明したように、裏面８２側又は表面８１側から、用途に応じて実行されてよい。その際、実施例２の図１１及び図１２で説明したように、２回に分けてプレス加工を実行してもよい。図１６（ｃ）に示すように、プレス加工により、開口９１が形成され、金属板８０の裏面８２に形成された溝９２と、表面８１に形成された開口９１が貫通する。また、金属板８０の不要部分の貫通除去により、プレス加工面７４及びエッチング加工面７５を有する両加工併用側面７３が形成され、残留金属部分７０が形成される。

リードを構成する残留金属部分７０の表面７１は、０．０７０〔ｍｍ〕の平坦幅を有し、裏面７２は、０．０４０〔ｍｍ〕の平坦幅を有する点は、図１５（ｃ）で示した残留金属部分７０ａと同様である。しかしながら、残留金属部分７０は、ピッチ間隔については、０．０６０〔ｍｍ〕であり、０．０３０〔ｍｍ〕であった残留金属部分７０ａよりも広く、２倍のピッチ間隔を確保できている。このレベルのピッチ間隔であれば、後に行われる半導体装置１５０の製造工程において若干の変形等があっても、短絡を起こさず、十分に加工に耐えることができる。

図１６（ｅ）は、図１５（ｃ）及び図１６（ｃ）に対応するプレス工程終了後のリード完成状態の斜視図である。図１６（ｅ）においては、インナーリード３０の先端部のボンディングエリア部分３１に、図１６（ａ）〜（ｃ）に示されたハーフエッチング加工及びプレス加工が施され、インナーリード３０の非ボンディングエリア３２には、図１５で示された表裏エッチング加工が施された例が示されている。ワイヤーボンィングが行われるボンディングエリア部分３１は、広い平坦幅を有し、隣接するインナーリード３０とは、プレス加工面７４の垂直な壁面でピッチ間隔が空けられ、広い平坦幅と、確実なピッチ間隔を実現しており、微細化に対応できる構成となっている。一方、ワイヤーボンディングが行われない非ボンディングエリア３２については、表裏エッチング加工により、エッチング工程のみで残留金属部分７０ａを形成し、製造負担を低減している。

なお、図１５及び図１６で説明したピッチ間隔等の数値は、例として挙げた数値であり、種々のピッチ間隔や平坦幅を有するワイヤーフレーム１００に適用されてよいことは、言うまでもない。

また、図１５及び図１６においては、表裏エッチング加工と、ハーフエッチング加工を同一のエッチング工程で同時に行う例を挙げて説明したが、上述のように、表裏エッチング加工とハーフエッチング加工を別のエッチング内容としたい場合には、表裏エッチング加工を行うエッチング工程と、ハーフエッチング加工を行うエッチング工程を別工程としてもよい。

次に、図１７乃至図２２を用いて、インナーリード３０のボンディングエリア部分３１にハーフエッチング加工のエッチング工程及びプレス工程を実行する際の、前後の工程も含めた製造工程について説明する。

図１７は、ハーフエッチング加工のエッチング工程を行う前の金属板８０の表面８１を示した平面図である。図１７において、金属板８０には、既にエッチング加工で貫通した開口９０、９３、９４が形成されている。金属板８０には、中央にパッド１０となる部分、その周辺にインナーリード３０、ダムバー４０及びアウターリード５０となる部分が形成されている。パッド１０となる部分の周辺には、小さな四角の開口９４が形成されている。また、インナーリード３０の部分には、開口９３が形成されている。

図１８は、ハーフエッチング加工後の金属板８０を裏面８２から見た平面図である。金属板８０の裏面８２の不要部分８４には、ハーフエッチング加工により、溝９２が形成される。

図１９は、プレス工程が行われる前の金属板８０の表面８１を示した平面図である。図１９において、金属板８０の不要部分８３が、プレス加工による打ち抜きが行われる位置として特定される。

図２０は、プレス工程が終了した後の金属板８０の表面８１を示した平面図である。図２０において、プレス工程により開口９３と開口９４が、開口９１により接続される。これにより、パッド１０付近の先端部にある、インナーリード３０のボンディングエリア部分３１が形成される。

図２１は、パッド１０とインナーリード３０の先端部との接続を切断する前の表面８１を示した平面図である。図２１に示すように、パッド１０とインナーリード３０の間の金属板８０の不要部分８５を、プレス加工による打ち抜き部分として特定する。

図２２は、金属板８０の不要部分８５をプレス加工により打ち抜いて除去した状態を示した表面８１の平面図である。図２２において、金属板８０のパッド１０とインナーリード３０との間の不要部分８５が除去され、貫通した開口９５が形成されている。これにより、インナーリード３０とパッド１０の電気的接続が遮断され、ワイヤーボンディングによりパッド１０上の半導体素子１１０とインナーリード３０のボンディングエリア部分３１が初めて接続される形状となる。

このように、例えば、本実施例に係るプレス加工併用工程は、既にパッド１０付近に形成された貫通開口９４と、インナーリード３０の領域に形成された開口９３とを貫通開口９１で接続し、更に貫通開口９４を含めてパッド１０の周辺全体をプレス加工して開口９５を形成することにより、リードフレーム１００を形成してもよい。

以上、本発明の好ましい実施例について詳説したが、本発明は、上述した実施例に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施例に種々の変形及び置換を加えることができる。

本発明は、半導体素子を搭載し、半導体装置を製造するためのリードフレームに利用することができる。

１０ パッド
２０ 吊りリード
３０ インナーリード
３１ ボンディングエリア部分
３２ 非ボンディングエリア
４０ ダムバー
５０ アウターリード
６０ フレーム
７０、７０ａ 残留金属部分
７１、７１ａ、８１ 表面
７２、７２ａ、８２ 裏面
７３ 両加工併用側面
７３ａ 表裏エッチング加工側面
７４ プレス加工面
７５、７５ａ、７５ｂ エッチング加工面
７６ 突起
８０ 金属板
８３、８４ 不要部分
９０、９０ａ、９１、９３、９４、９５ 開口
９１ａ、９２、９２ａ 溝
１００ リードフレーム
１１０ 半導体素子
１２０ ワイヤー
１３０ モールド樹脂
１４０ 基板
１５０ 半導体装置

Claims (8)

1. 金属板の不要部分を除去し、残留金属部分で形成された所定形状のパターンが、半導体素子が搭載されるパッドと、該パッドの周囲を放射状に囲んで配置された複数のインナーリードとを含み、該インナーリードの表面側にボンディングエリア部分を含むリードフレームの製造方法であって、
   前記金属板の裏面側から、隣接する前記インナーリード同士の間隔部分にハーフエッチング加工を施して窪みを形成するエッチング工程と、
   前記窪みと前記金属板の表面との間を、前記裏面側の前記窪みからプレス加工により貫通して前記隣接する前記インナーリード同士の間隔部分を除去し、前記インナーリードのパターンを形成するプレス工程と、を含み、
   該プレス工程は、前記隣接する前記インナーリード同士の間隔部分を１個おきに除去するプレス加工を２段階で行って、個々の前記隣接する前記インナーリード同士の間隔部分を除去することを特徴とするリードフレームの製造方法。
2. ２段階目の前記プレス加工では、１段階目のプレス加工で除去されていない前記隣接する前記インナーリード同士の間隔部分を除去することを特徴とする請求項１に記載のリードフレームの製造方法。
3. 前記ハーフエッチング加工及び前記プレス加工は、前記インナーリードの前記ボンディングエリア部分の側面に施されることを特徴とする請求項２に記載のリードフレームの製造方法。
4. 前記金属板の前記不要部分であって、前記ハーフエッチング加工及び前記プレス加工が施されない領域に、前記表面側及び前記裏面側から同時にエッチング加工を行う表裏エッチング加工を施すことにより、前記金属板を貫通して前記パターンを形成することを特徴とする請求項２又は３に記載のリードフレームの製造方法。
5. 前記表裏エッチング加工は、前記ハーフエッチング加工と同時に前記エッチング工程において行われることを特徴とする請求項４に記載のリードフレームの製造方法。
6. 前記表裏エッチング加工は、前記インナーリードよりも外側に形成されたアウターリードについても行われる請求項５に記載のリードフレームの製造方法。
7. 前記表裏エッチング加工は、前記金属板の前記表面側及び前記裏面側に開口を有するレジストパターンを形成して行われる請求項６に記載のリードフレームの製造方法。
8. 前記レジストパターンは、前記表面側と前記裏面側とで前記開口の大きさが異なっており、前記表面側と前記裏面側とで前記表裏エッチング加工により形成される溝の大きさが異なっている請求項７に記載のリードフレームの製造方法。

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