JP3077910B2 - 半導体ウェハの加工方法 - Google Patents
半導体ウェハの加工方法Info
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- JP3077910B2 JP3077910B2 JP03029044A JP2904491A JP3077910B2 JP 3077910 B2 JP3077910 B2 JP 3077910B2 JP 03029044 A JP03029044 A JP 03029044A JP 2904491 A JP2904491 A JP 2904491A JP 3077910 B2 JP3077910 B2 JP 3077910B2
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- semiconductor wafer
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- punch
- semiconductor
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/04—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウェハの加工方法
に係わり、特には、半導体ウェハを加工するのに結晶構
造を利用する加工方法の改良に関する。
に係わり、特には、半導体ウェハを加工するのに結晶構
造を利用する加工方法の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、図８、図９に示すように例えば研
削方法によって加工している。同図において、テーブル
２０にワーク（シリコンウェハ）２１を図示しない固定
具で固定し、ガイドフランジ２２で保持されたブレード
（砥石）２３がスピンドル２４で回転された状態でブレ
ード２３によりワーク２１に切り込みを与え、テーブル
２０によりある送り速度を与えて、ワーク２１を図１０
の被加工物のように約０．３ｍｍ角の大きさに研削加工
している。また、例えば特開昭６０−５４８１２号公報
には、１枚の半導体ウェハから数個の半導体チップを得
るマルチチップウェハの少なくとも片面に前記半導体チ
ップとなる部分に支持板をロウ付けした後、前記マルチ
チップウェハを機械的に打ち抜く方法において、前記マ
ルチチップウェハの少なくとも片面に前記支持板の外径
上に沿ってあらかじめ溝を設けておき、この溝に沿って
各半導体チップに打ち抜くようにした半導体装置の製造
方法が開示されている。
削方法によって加工している。同図において、テーブル
２０にワーク（シリコンウェハ）２１を図示しない固定
具で固定し、ガイドフランジ２２で保持されたブレード
（砥石）２３がスピンドル２４で回転された状態でブレ
ード２３によりワーク２１に切り込みを与え、テーブル
２０によりある送り速度を与えて、ワーク２１を図１０
の被加工物のように約０．３ｍｍ角の大きさに研削加工
している。また、例えば特開昭６０−５４８１２号公報
には、１枚の半導体ウェハから数個の半導体チップを得
るマルチチップウェハの少なくとも片面に前記半導体チ
ップとなる部分に支持板をロウ付けした後、前記マルチ
チップウェハを機械的に打ち抜く方法において、前記マ
ルチチップウェハの少なくとも片面に前記支持板の外径
上に沿ってあらかじめ溝を設けておき、この溝に沿って
各半導体チップに打ち抜くようにした半導体装置の製造
方法が開示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の半導体ウェハの加工方法では、図５の２点鎖線に示
すように被加工物の結晶構造の劈開面角度と違った面、
すなわち六方最密構造あるいは、面心立方構造等の面心
立方（１１１）面を四角に切断（研削）するために、研
削面に図１０のように必ずチッピングが生ずる。また、
研削砥石と被加工物との加工が研削加工のために砥石が
被加工物を打撃の状態で切断するのでチッピングを生ず
る要因ともなっている。
来の半導体ウェハの加工方法では、図５の２点鎖線に示
すように被加工物の結晶構造の劈開面角度と違った面、
すなわち六方最密構造あるいは、面心立方構造等の面心
立方（１１１）面を四角に切断（研削）するために、研
削面に図１０のように必ずチッピングが生ずる。また、
研削砥石と被加工物との加工が研削加工のために砥石が
被加工物を打撃の状態で切断するのでチッピングを生ず
る要因ともなっている。
【０００４】このチッピングにより被加工物が加工後に
不良品となるばかりでなく、半導体の製品になった後に
も使用中に振動などによりチッピング部から欠けて漏電
する等の課題がある。
不良品となるばかりでなく、半導体の製品になった後に
も使用中に振動などによりチッピング部から欠けて漏電
する等の課題がある。
【０００５】また、上記特開昭６０−５４８１２号公報
に開示された半導体装置の製造方法によると、半導体ウ
ェハの少なくとも片面に支持板をロウ付けした後に打ち
抜く必要があり、このため、支持板をロウ付けしたり、
打ち抜き後に各半導体チップと支持板とを剥離するとい
う作業行程が必要となる。したがって、加工時間が非常
にかかり、生産性が良くないという課題もある。
に開示された半導体装置の製造方法によると、半導体ウ
ェハの少なくとも片面に支持板をロウ付けした後に打ち
抜く必要があり、このため、支持板をロウ付けしたり、
打ち抜き後に各半導体チップと支持板とを剥離するとい
う作業行程が必要となる。したがって、加工時間が非常
にかかり、生産性が良くないという課題もある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明に係わる半導体ウェハの加工方法の発明は、
面心立方構造を有する半導体ウェハの加工方法におい
て、半導体ウェハの面心立方構造の一辺と平行な一端を
ダイの位置決め治具に合わせてダイの中に挿入して固定
し、パンチにより結晶構造の劈開面角度に沿って半導体
ウェハを打ち抜く方法である。
に、本発明に係わる半導体ウェハの加工方法の発明は、
面心立方構造を有する半導体ウェハの加工方法におい
て、半導体ウェハの面心立方構造の一辺と平行な一端を
ダイの位置決め治具に合わせてダイの中に挿入して固定
し、パンチにより結晶構造の劈開面角度に沿って半導体
ウェハを打ち抜く方法である。
【０００７】
【作用】上記構成によれば、パンチ、ダイを用いて半導
体ウェハの結晶構造の劈開面の角度に沿って打ち抜き加
工を行うために、チッピング量が低減されるとともに、
加工精度が向上する。このとき、半導体ウェハは面心立
方構造の一辺と平行な一端をダイの位置決め治具に合わ
せてダイの中に挿入されて固定され、この位置決め治具
の角度に合わせて打ち抜き形状及び位置が設定されたパ
ンチにより、結晶 構造の劈開面角度に沿って半導体ウェ
ハが打ち抜かれる。したがって、従来のように打ち抜か
れる大きさに合わせて半導体ウェハの片面に支持板をロ
ウ付けしたりする必要がなく、よって打ち抜き後にロウ
の剥離工程も不要となるので、加工工程に要する作業時
間及び手間が省ける。
体ウェハの結晶構造の劈開面の角度に沿って打ち抜き加
工を行うために、チッピング量が低減されるとともに、
加工精度が向上する。このとき、半導体ウェハは面心立
方構造の一辺と平行な一端をダイの位置決め治具に合わ
せてダイの中に挿入されて固定され、この位置決め治具
の角度に合わせて打ち抜き形状及び位置が設定されたパ
ンチにより、結晶 構造の劈開面角度に沿って半導体ウェ
ハが打ち抜かれる。したがって、従来のように打ち抜か
れる大きさに合わせて半導体ウェハの片面に支持板をロ
ウ付けしたりする必要がなく、よって打ち抜き後にロウ
の剥離工程も不要となるので、加工工程に要する作業時
間及び手間が省ける。
【０００８】
【実施例】以下に、本発明に係わる半導体ウェハの加工
方法の実施例につき、図面を参照して詳細に説明する。
図１は本発明の打ち抜き治具の一実施例の全体構成図で
ある。図１において、ワーク（半導体ウェハ）１は、ワ
ーク１の面心立方構造の一辺と平行な一端をダイ２に配
設された位置決め治具に合わせてダイ２の上に固定され
る。ダイ２の上方には、打ち抜き形状に構成されたカッ
タ刃３を有するパンチ４が配設され、図示しないアクチ
ュエータ等の駆動装置により、ベース５に固設された主
柱６に沿って上下方向に駆動される。ダイ２の下方には
ダイ２を保持するダイ支え７がベース５に固設されてい
る。ダイ２およびダイ支え７には、打ち抜いたワーク１
を下方に落とすための中空の穴が設けられている。
方法の実施例につき、図面を参照して詳細に説明する。
図１は本発明の打ち抜き治具の一実施例の全体構成図で
ある。図１において、ワーク（半導体ウェハ）１は、ワ
ーク１の面心立方構造の一辺と平行な一端をダイ２に配
設された位置決め治具に合わせてダイ２の上に固定され
る。ダイ２の上方には、打ち抜き形状に構成されたカッ
タ刃３を有するパンチ４が配設され、図示しないアクチ
ュエータ等の駆動装置により、ベース５に固設された主
柱６に沿って上下方向に駆動される。ダイ２の下方には
ダイ２を保持するダイ支え７がベース５に固設されてい
る。ダイ２およびダイ支え７には、打ち抜いたワーク１
を下方に落とすための中空の穴が設けられている。
【０００９】図２はダイ２の一例を示し、打ち抜き形
状、寸法にあわせたカッタ穴８が多数形成されている。
また、ダイ２のカッタ穴８の一辺、例えば図２では六角
形の一辺Ａはダイ２に配設された位置決め治具２ａと平
行に配設されている。
状、寸法にあわせたカッタ穴８が多数形成されている。
また、ダイ２のカッタ穴８の一辺、例えば図２では六角
形の一辺Ａはダイ２に配設された位置決め治具２ａと平
行に配設されている。
【００１０】図３はパンチ４の一例を示し、打ち抜き形
状、寸法にあわせたカッタ９が多数配設されている。カ
ッタ９の一辺９ａはダイ２に配設された位置決め治具２
ａと平行になるように図示しない位置決め治具により、
パンチ押さえ４ａに固設される。また、ワーク１には図
４、図５に示すようにその結晶構造（１１１面心立方構
造）の劈開面に沿って平行に一端１ａが切断されてい
る。
状、寸法にあわせたカッタ９が多数配設されている。カ
ッタ９の一辺９ａはダイ２に配設された位置決め治具２
ａと平行になるように図示しない位置決め治具により、
パンチ押さえ４ａに固設される。また、ワーク１には図
４、図５に示すようにその結晶構造（１１１面心立方構
造）の劈開面に沿って平行に一端１ａが切断されてい
る。
【００１１】図２、図３に示すカッタ穴８、カッタ９の
形状は、図５に示すようにワーク１が例えばシリコンの
場合にはその結晶構造（１１１面心立方構造）から劈開
面の角度（Θ）に合わせた正六角形となるように、ワー
ク１の結晶構造に合わせて形成されている。
形状は、図５に示すようにワーク１が例えばシリコンの
場合にはその結晶構造（１１１面心立方構造）から劈開
面の角度（Θ）に合わせた正六角形となるように、ワー
ク１の結晶構造に合わせて形成されている。
【００１２】図６は図１の一部拡大図であり、ダイ２に
はカッタ穴８が設けられ、また、ダイ２の位置決め治具
２ａに合わせてワーク１がダイ２の中に挿入されてい
る。パンチ４にはワーク１の厚さより高いカッタ３が設
けられており、図示しないアクチュエータ等の駆動装置
により下降してワーク１を打ち抜いて中空穴に落として
いる。
はカッタ穴８が設けられ、また、ダイ２の位置決め治具
２ａに合わせてワーク１がダイ２の中に挿入されてい
る。パンチ４にはワーク１の厚さより高いカッタ３が設
けられており、図示しないアクチュエータ等の駆動装置
により下降してワーク１を打ち抜いて中空穴に落として
いる。
【００１３】図７はワーク１の結晶構造とカッタ３およ
びダイ２の関係を示し、黒部Ｍはカッタ９（オス）とダ
イ２のカッタ穴８（メス）を示し、白部Ｎはダイ２のカ
ッタ穴８部の残部の一例を示す。
びダイ２の関係を示し、黒部Ｍはカッタ９（オス）とダ
イ２のカッタ穴８（メス）を示し、白部Ｎはダイ２のカ
ッタ穴８部の残部の一例を示す。
【００１４】上記構成において、次に作動を説明する。
図４に示すワーク１（例えば、シリコンウェハの場合に
は、現在では６インチ径、厚さ３００から９００ミクロ
ンミリメートルの製品に合わせたシリコンウェハ）の面
心立方構造の一辺と平行な一端１ａをダイ２の位置決め
治具２ａに合わせてダイ２の中に挿入し固定させる。次
に、ダイ２の位置決め治具２ａと平行になるように固定
されたパンチ４を駆動装置により下方に押し下げてワー
ク１を打ち抜く。打ち抜かれたワーク１はカッタ穴８よ
り中空穴に落ちる。これにより、ワーク１は劈開面に沿
った形状の多数の被加工物１ａが得られる。
図４に示すワーク１（例えば、シリコンウェハの場合に
は、現在では６インチ径、厚さ３００から９００ミクロ
ンミリメートルの製品に合わせたシリコンウェハ）の面
心立方構造の一辺と平行な一端１ａをダイ２の位置決め
治具２ａに合わせてダイ２の中に挿入し固定させる。次
に、ダイ２の位置決め治具２ａと平行になるように固定
されたパンチ４を駆動装置により下方に押し下げてワー
ク１を打ち抜く。打ち抜かれたワーク１はカッタ穴８よ
り中空穴に落ちる。これにより、ワーク１は劈開面に沿
った形状の多数の被加工物１ａが得られる。
【００１５】上記実施例では六角形で説明したが、形状
は六角形に囚われることなく他の形状でも良い。また、
大きさ、厚さも上記寸法に囚われることはなく、これ以
上、又は以下でも良い。さらに、上記実施例では、ダイ
２に位置決め治具を配設したが、ワーク１の挿入および
固定がワーク１の粒子が一定に配設される場合には省略
しても良い。
は六角形に囚われることなく他の形状でも良い。また、
大きさ、厚さも上記寸法に囚われることはなく、これ以
上、又は以下でも良い。さらに、上記実施例では、ダイ
２に位置決め治具を配設したが、ワーク１の挿入および
固定がワーク１の粒子が一定に配設される場合には省略
しても良い。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
パンチ、ダイを用いて結晶構造の劈開面の角度に合わせ
て打ち抜き加工を行うために、チッピング量が低減され
るとともに加工精度が向上する。加工精度は従来ではダ
イジング（研削）加工のためにチッピング量が１５ミク
ロンミリメータ以上発生しているのに対して、本案の劈
開面の切断精度は原子レベル（１０オングストローム）
となり、約千倍から一万倍の精度の向上が図られる。ま
た、半導体ウェハは面心立方構造の一辺と平行な一端を
ダイの位置決め治具に合わせてダイの中に挿入されて固
定され、この位置決め治具の角度に合わせて打ち抜き形
状及び位置が設定されたパンチにより、結晶構造の劈開
面角度に沿って半導体ウェハが打ち抜かれる。したがっ
て、従来のように打ち抜かれる大きさに合わせて半導体
ウェハの片面に支持板をロウ付けしたりワックスを塗布
したりする必要がなく、よって打ち抜き後にロウやワッ
クスの剥離工程も不要となるので、加工工程に要する作
業時間及び手間が省け、これにより生産性を向上でき、
安価に加工できる。また、パンチとダイのカッタ形状及
び大きさを劈開面に合わせて自由に製作することが容易
であり、例えば１１１面心立方構造の結晶に対しては正
六角形状のものも容易に製作できる。このように、種々
の形状に打ち抜けるので、加工装置を汎用的に使用する
ことにより、加工工程の生産性の向上及びコストの低減
を図ることができる。そして、例えば正六角形状のよう
に４角形よりも角が多い多角形状に加工すると、加工さ
れたウェハ（いわゆる半導体チップ）を配置する方向の
選択度が多くなるので、半導体の製品を製作する際に、
半導体チップのレイアウト設計上の自由度が多くなり、
製作が容易となる。さらにまた、半導体の製品になった
後にも使用中に振動などによりチッピング部から欠けて
漏電することがなくなるという優れた効果が得られる。
パンチ、ダイを用いて結晶構造の劈開面の角度に合わせ
て打ち抜き加工を行うために、チッピング量が低減され
るとともに加工精度が向上する。加工精度は従来ではダ
イジング（研削）加工のためにチッピング量が１５ミク
ロンミリメータ以上発生しているのに対して、本案の劈
開面の切断精度は原子レベル（１０オングストローム）
となり、約千倍から一万倍の精度の向上が図られる。ま
た、半導体ウェハは面心立方構造の一辺と平行な一端を
ダイの位置決め治具に合わせてダイの中に挿入されて固
定され、この位置決め治具の角度に合わせて打ち抜き形
状及び位置が設定されたパンチにより、結晶構造の劈開
面角度に沿って半導体ウェハが打ち抜かれる。したがっ
て、従来のように打ち抜かれる大きさに合わせて半導体
ウェハの片面に支持板をロウ付けしたりワックスを塗布
したりする必要がなく、よって打ち抜き後にロウやワッ
クスの剥離工程も不要となるので、加工工程に要する作
業時間及び手間が省け、これにより生産性を向上でき、
安価に加工できる。また、パンチとダイのカッタ形状及
び大きさを劈開面に合わせて自由に製作することが容易
であり、例えば１１１面心立方構造の結晶に対しては正
六角形状のものも容易に製作できる。このように、種々
の形状に打ち抜けるので、加工装置を汎用的に使用する
ことにより、加工工程の生産性の向上及びコストの低減
を図ることができる。そして、例えば正六角形状のよう
に４角形よりも角が多い多角形状に加工すると、加工さ
れたウェハ（いわゆる半導体チップ）を配置する方向の
選択度が多くなるので、半導体の製品を製作する際に、
半導体チップのレイアウト設計上の自由度が多くなり、
製作が容易となる。さらにまた、半導体の製品になった
後にも使用中に振動などによりチッピング部から欠けて
漏電することがなくなるという優れた効果が得られる。
【図１】本発明の打ち抜き治具の１実施例の全体構成
図。
図。
【図２】ダイの一例を示す図。
【図３】パンチの一例を示す図。
【図４】ワークの一例を示す図。
【図５】図４に示すワークの一部の拡大図。
【図６】図１の一部拡大図。
【図７】ワークおよびダイとパンチの関係を説明する
図。
図。
【図８】従来の研削加工を示す側面図。
【図９】従来の研削加工を示す平面図。
【図１０】従来の被加工物を示す図。
１ ワーク（半導体ウェハ） ２ ダイ ３ カツタ刃 ４ パンチ ５ ベース ６ 主柱 ７ ダイ支え ９ カッタ
Claims (1)
- 【請求項１】 面心立方構造を有する半導体ウェハの加
工方法において、半導体ウェハの面心立方構造の一辺と
平行な一端をダイの位置決め治具に合わせてダイの中に
挿入して固定し、パンチにより結晶構造の劈開面角度に
沿って半導体ウェハを打ち抜くことを特徴とする半導体
ウェハの加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03029044A JP3077910B2 (ja) | 1991-01-31 | 1991-01-31 | 半導体ウェハの加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03029044A JP3077910B2 (ja) | 1991-01-31 | 1991-01-31 | 半導体ウェハの加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04348909A JPH04348909A (ja) | 1992-12-03 |
| JP3077910B2 true JP3077910B2 (ja) | 2000-08-21 |
Family
ID=12265395
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03029044A Expired - Lifetime JP3077910B2 (ja) | 1991-01-31 | 1991-01-31 | 半導体ウェハの加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3077910B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6053906B1 (ja) * | 2015-12-14 | 2016-12-27 | 株式会社Ｌｏｕｖｒｅｄｏ | ヘアドライヤー |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5598832A (en) * | 1992-08-31 | 1997-02-04 | New Man International Co., Ltd. | Method and apparatus for cutting stone based material |
| IT1274540B (it) * | 1995-05-22 | 1997-07-17 | Alcatel Italia | Metodo e dispositivo per eseguire la sfaldatura in ultra-vuoto di porzioni di wafer di semiconduttore processato |
-
1991
- 1991-01-31 JP JP03029044A patent/JP3077910B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6053906B1 (ja) * | 2015-12-14 | 2016-12-27 | 株式会社Ｌｏｕｖｒｅｄｏ | ヘアドライヤー |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04348909A (ja) | 1992-12-03 |
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