JPH08102014A - 薄膜磁気ヘッドの磁気コア形成方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの磁気コア形成方法Info
- Publication number
- JPH08102014A JPH08102014A JP23645394A JP23645394A JPH08102014A JP H08102014 A JPH08102014 A JP H08102014A JP 23645394 A JP23645394 A JP 23645394A JP 23645394 A JP23645394 A JP 23645394A JP H08102014 A JPH08102014 A JP H08102014A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、薄膜磁気ヘッドの製造方法におい
て、磁気コアの幅、厚さを高精度に形成し、磁気特性の
良好なヘッドを提供する事を目的とする。 【構成】下部磁性膜，ギャップ層，上部コア段差形成層
から成る下部コアを覆うようにして、保護膜を積層し、
この保護膜の上に、ラップ保護膜を形成してから、表面
をラップ加工による平坦化を行う。この後、ラップ保護
膜，上部コア段差形成層を反応性ガス等を用いて除去
し、この凹部に上部コアを形成し、高精度、高性能の薄
膜磁気ヘッドを形成する。 【効果】本発明により、薄膜磁気ヘッドのコアを、高精
度な幅、厚さに形成する事ができ、高記録面密度，高性
能な磁気特性を有する薄膜磁気ヘッドを製造できるとい
う効果がある。
て、磁気コアの幅、厚さを高精度に形成し、磁気特性の
良好なヘッドを提供する事を目的とする。 【構成】下部磁性膜，ギャップ層，上部コア段差形成層
から成る下部コアを覆うようにして、保護膜を積層し、
この保護膜の上に、ラップ保護膜を形成してから、表面
をラップ加工による平坦化を行う。この後、ラップ保護
膜，上部コア段差形成層を反応性ガス等を用いて除去
し、この凹部に上部コアを形成し、高精度、高性能の薄
膜磁気ヘッドを形成する。 【効果】本発明により、薄膜磁気ヘッドのコアを、高精
度な幅、厚さに形成する事ができ、高記録面密度，高性
能な磁気特性を有する薄膜磁気ヘッドを製造できるとい
う効果がある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜磁気ヘッドの磁性
膜コアの形成方法に係わる。
膜コアの形成方法に係わる。
【０００２】
【従来の技術】薄膜磁気ヘッドのコア形成法に関して
は、従来、特開平２−６８７０４号公報に示すように、
下部コアを形成後、これを覆うように保護膜を形成した
後、下部コアが露出するまで保護膜を研磨加工し、下部
コアおよび、保護膜表面を平坦に仕上げ、イオンビーム
等を照射してコアに凹部を形成する方法がある。
は、従来、特開平２−６８７０４号公報に示すように、
下部コアを形成後、これを覆うように保護膜を形成した
後、下部コアが露出するまで保護膜を研磨加工し、下部
コアおよび、保護膜表面を平坦に仕上げ、イオンビーム
等を照射してコアに凹部を形成する方法がある。
【０００３】この方法では、下部コア形成後、研磨加
工、イオンミーリングを行ってコア厚さを出す事とす
る。しかし、研磨加工、およびイオンミーリングによっ
て、加工量を通常要求されるコア厚さ精度０．１μｍで
管理するのは難しい。従って、コア膜厚を高精度に形成
するのは困難であり、よって、高精度な磁気特性を得る
という点で難が有る。
工、イオンミーリングを行ってコア厚さを出す事とす
る。しかし、研磨加工、およびイオンミーリングによっ
て、加工量を通常要求されるコア厚さ精度０．１μｍで
管理するのは難しい。従って、コア膜厚を高精度に形成
するのは困難であり、よって、高精度な磁気特性を得る
という点で難が有る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前項で述べ
た問題点に対して、下部コアを高精度に形成すると同時
に上部コアも高精度に形成する事により、良好な磁気特
性すなわち、出力、磁界分布、を持つ薄膜磁気ヘッドを
製造する事を目的とする。
た問題点に対して、下部コアを高精度に形成すると同時
に上部コアも高精度に形成する事により、良好な磁気特
性すなわち、出力、磁界分布、を持つ薄膜磁気ヘッドを
製造する事を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、前項に示す目
的を達成するため、以下に示す方法を用いる。
的を達成するため、以下に示す方法を用いる。
【０００６】 下部コア膜，ギャップ層膜，コア段差
形成層膜，マスク層を積層し、最上部のマスクを用いて
イオンミーリングして、所定の幅に下部コア，ギャッ
プ，コア段差形成層を形成する。
形成層膜，マスク層を積層し、最上部のマスクを用いて
イオンミーリングして、所定の幅に下部コア，ギャッ
プ，コア段差形成層を形成する。
【０００７】 下部コア，ギャップ，コア段差形成層
を覆い、かつ、次工程での上部コア段差位置高さまで、
保護膜を形成する。
を覆い、かつ、次工程での上部コア段差位置高さまで、
保護膜を形成する。
【０００８】 コア上部以外の保護膜表面に、ラップ
保護膜を形成する。
保護膜を形成する。
【０００９】 コア上部保護膜を研磨あるいはラップ
加工し、コア段差形成層まで露出させる。この時、コア
上部以外の保護膜は、ラップ保護層により、表面を露
出、研磨されない。
加工し、コア段差形成層まで露出させる。この時、コア
上部以外の保護膜は、ラップ保護層により、表面を露
出、研磨されない。
【００１０】 コア段差形成層をＯ2ガス等を用いて
アッシングして除去し、上部コア段差凹部を形成する。
アッシングして除去し、上部コア段差凹部を形成する。
【００１１】コア段差凹部に磁性膜を積層、コア幅形
成して、上部コアを形成する。
成して、上部コアを形成する。
【００１２】すなわち、の保護膜の研磨の時、コア上
部以外の保護膜は、その上に積層されているラップ保護
膜により保護され加工されない。このため、保護膜表面
とギャップ膜表面との高さの差、すなわち、における
上部コア段差は、ラップ加工に影響されず、高精度に形
成できる。
部以外の保護膜は、その上に積層されているラップ保護
膜により保護され加工されない。このため、保護膜表面
とギャップ膜表面との高さの差、すなわち、における
上部コア段差は、ラップ加工に影響されず、高精度に形
成できる。
【００１３】
【作用】前項のヘッド製造方法において、コア上部を研
磨加工してコア部を露出させる際、研磨加工量が多過ぎ
ると、磁気記録情報の書込み、読み取りの特性の劣化を
きたす。ここで、コア部以外の部分に、加工されにくい
物質でラップ保護層を形成して、基板表面を研磨加工し
て、コア部を露出させる。この時、ラップ保護層は、そ
の被加工性の低さのため、研磨加工時に残る。さらに、
コア部に比べ、ラップ保護層は、その面積が大きいた
め、ラップ保護層の高さで、研磨加工面の高さが律速さ
れ、コア部の研磨面高さも、ほぼ同一の高さとなる。こ
の作用により、コア部の研磨面高さ、すなわち、後工程
で形成される上部コア厚さが安定し、磁気特性のバラツ
キの低減、安定化が図れる。
磨加工してコア部を露出させる際、研磨加工量が多過ぎ
ると、磁気記録情報の書込み、読み取りの特性の劣化を
きたす。ここで、コア部以外の部分に、加工されにくい
物質でラップ保護層を形成して、基板表面を研磨加工し
て、コア部を露出させる。この時、ラップ保護層は、そ
の被加工性の低さのため、研磨加工時に残る。さらに、
コア部に比べ、ラップ保護層は、その面積が大きいた
め、ラップ保護層の高さで、研磨加工面の高さが律速さ
れ、コア部の研磨面高さも、ほぼ同一の高さとなる。こ
の作用により、コア部の研磨面高さ、すなわち、後工程
で形成される上部コア厚さが安定し、磁気特性のバラツ
キの低減、安定化が図れる。
【００１４】
【実施例】本発明の第１の実施例を図１から図６に基づ
いて説明する。図２において薄膜磁気ヘッド基板１の表
面のアルミナベース膜２の上に、パーマロイ等の下部磁
性膜３，アルミナから成るギャップ層４，シリコンの上
部コア段差形成層５，カーボンのレジスト密着層６，レ
ジスト層７を所定の厚さに積層形成し、レジスト７を所
定の形状、サイズに露光、現象し、レジストパターン８
を形成する。次に、レジストパターン８をマスクとし
て、レジスト密着層６（カーボン），上部コア段差形成
層５（シリコン），ギャップ層４（アルミナ），下部磁
性膜３（パーマロイ）を、イオンミーリングにより除去
し、素子下部コア部１２を形成する。次に、レジスト７
を除去した後、図３に示すようにアルミナを素子下部コ
ア部１２を覆うように積層し、保護膜９を形成する。こ
の時、保護膜９の表面の高さ位置は、ギャップ層４の高
さに後述の上部コア段差の高さ位置と同一となる様にす
る。次に図４に示すように素子下部コア部以外の部分の
保護膜９の上面に、ラップ保護膜層１０としてカーボン
膜を０．１〜０．５μｍ程度形成する。コア部分の保護
膜９の上面については、ラップ保護膜１０は形成しない
方が望ましいが、有っても可能である。この時、ラップ
保護膜１０のカーボンを全面積層した後、マスクして、
コア部のカーボンをＯ2アッシング等によって除去する
方法や、始めにコア部にマスク材を形成した後、カーボ
ンを積層し、マスク材を除去する方法等が有るが、いず
れでも良い。
いて説明する。図２において薄膜磁気ヘッド基板１の表
面のアルミナベース膜２の上に、パーマロイ等の下部磁
性膜３，アルミナから成るギャップ層４，シリコンの上
部コア段差形成層５，カーボンのレジスト密着層６，レ
ジスト層７を所定の厚さに積層形成し、レジスト７を所
定の形状、サイズに露光、現象し、レジストパターン８
を形成する。次に、レジストパターン８をマスクとし
て、レジスト密着層６（カーボン），上部コア段差形成
層５（シリコン），ギャップ層４（アルミナ），下部磁
性膜３（パーマロイ）を、イオンミーリングにより除去
し、素子下部コア部１２を形成する。次に、レジスト７
を除去した後、図３に示すようにアルミナを素子下部コ
ア部１２を覆うように積層し、保護膜９を形成する。こ
の時、保護膜９の表面の高さ位置は、ギャップ層４の高
さに後述の上部コア段差の高さ位置と同一となる様にす
る。次に図４に示すように素子下部コア部以外の部分の
保護膜９の上面に、ラップ保護膜層１０としてカーボン
膜を０．１〜０．５μｍ程度形成する。コア部分の保護
膜９の上面については、ラップ保護膜１０は形成しない
方が望ましいが、有っても可能である。この時、ラップ
保護膜１０のカーボンを全面積層した後、マスクして、
コア部のカーボンをＯ2アッシング等によって除去する
方法や、始めにコア部にマスク材を形成した後、カーボ
ンを積層し、マスク材を除去する方法等が有るが、いず
れでも良い。
【００１５】次に、図１に示すように素子下部コア部の
突起状部分１１をラップ加工し、平坦化する。ここで、
図１２に示すようにラップ定盤１３に、ポリシングクロ
ス１４を貼ったものを研磨皿としその上に、薄膜磁気ヘ
ッドウェハーをのせ、平均粒径３μｍのダイヤモンド砥
粒ラップ液２５を供給して、薄膜磁気ヘッドウェハ表面
のラップ加工を行う。この時、アルミナ層９、カーボン
層１０、シリコン層５は、スパッタリング等により形成
するが、カーボン膜の硬さはＨk８００〜９００で、ア
ルミナ膜の値Ｈk５００〜６００よりも大きい為、ラッ
プ加工能率は、カーボン膜は、アルミナ膜より小さい。
また、図１において、素子下部コア部３およびその上の
保護膜１５で形成される部分は、それ以外の部分に対し
て、突起状態となっている為、ラップ加工において、そ
の部分に相対するポリシングクロスの変形量が大きく、
加工面圧が大きくなる。これらの事より、素子下部コア
部の突起部の加工が先に進み、素子下部コア部以外の部
分に形成されているカーボン膜１０の加工速度は小さ
く、加工量は極小となる。この状態で突起部１１が平坦
化されるまでラップ加工を行うと、図１に示すように、
突起部内の保護膜アルミナ１５，密着層カーボン６，コ
ア段差形成層シリコン５がラップ加工され、一方、コア
周囲の保護膜９は、ラップ保護膜１０が前述のような効
果のためストッパの作用をする為、加工されず、スパッ
タ成膜時の膜高さを維持する。この後、カーボン膜をＯ
2アッシング等で除去し、コア部のシリコンをフッ素系
ガス、例えば、ＳＦ6などにより除去すると、図５に示
す上部コア段差凹部１６が形成される。ここに図６に示
すように上部磁性膜１７をスパッタ成膜技術量により積
層する事で、上部コア段差厚さの安定な上部コア１８が
形成されると共に、下部コアも、厚さの安定で、コア表
面へのラップ加工等によるダメージ層の無い良好な膜質
が得られる。
突起状部分１１をラップ加工し、平坦化する。ここで、
図１２に示すようにラップ定盤１３に、ポリシングクロ
ス１４を貼ったものを研磨皿としその上に、薄膜磁気ヘ
ッドウェハーをのせ、平均粒径３μｍのダイヤモンド砥
粒ラップ液２５を供給して、薄膜磁気ヘッドウェハ表面
のラップ加工を行う。この時、アルミナ層９、カーボン
層１０、シリコン層５は、スパッタリング等により形成
するが、カーボン膜の硬さはＨk８００〜９００で、ア
ルミナ膜の値Ｈk５００〜６００よりも大きい為、ラッ
プ加工能率は、カーボン膜は、アルミナ膜より小さい。
また、図１において、素子下部コア部３およびその上の
保護膜１５で形成される部分は、それ以外の部分に対し
て、突起状態となっている為、ラップ加工において、そ
の部分に相対するポリシングクロスの変形量が大きく、
加工面圧が大きくなる。これらの事より、素子下部コア
部の突起部の加工が先に進み、素子下部コア部以外の部
分に形成されているカーボン膜１０の加工速度は小さ
く、加工量は極小となる。この状態で突起部１１が平坦
化されるまでラップ加工を行うと、図１に示すように、
突起部内の保護膜アルミナ１５，密着層カーボン６，コ
ア段差形成層シリコン５がラップ加工され、一方、コア
周囲の保護膜９は、ラップ保護膜１０が前述のような効
果のためストッパの作用をする為、加工されず、スパッ
タ成膜時の膜高さを維持する。この後、カーボン膜をＯ
2アッシング等で除去し、コア部のシリコンをフッ素系
ガス、例えば、ＳＦ6などにより除去すると、図５に示
す上部コア段差凹部１６が形成される。ここに図６に示
すように上部磁性膜１７をスパッタ成膜技術量により積
層する事で、上部コア段差厚さの安定な上部コア１８が
形成されると共に、下部コアも、厚さの安定で、コア表
面へのラップ加工等によるダメージ層の無い良好な膜質
が得られる。
【００１６】本実施例では素子下部コア部の保護膜１５
上のラップ保護膜１０を除去した後、ラップ加工による
平坦化を行ったが、この部分のラップ保護膜１０を除去
しないで、ラップ加工の平坦化を行っても、突起部とそ
の周囲におけるラップ加工速度の差は小さくなるが、同
様の効果が有る。
上のラップ保護膜１０を除去した後、ラップ加工による
平坦化を行ったが、この部分のラップ保護膜１０を除去
しないで、ラップ加工の平坦化を行っても、突起部とそ
の周囲におけるラップ加工速度の差は小さくなるが、同
様の効果が有る。
【００１７】また、ラップ方法においても、基板の反り
量、突起の高さ、スパッタアルミナ膜の被加工性等によ
り、適する方法はいろいろ存在する。例えば、加工液と
して、アルミナ微粉砥粒や、ＳｉＯ2微粉砥粒などダイ
ヤモンド砥粒以外でも、十分有効である。また、ポリシ
ングクロスについても、発泡ポリウレタン系の物、不織
布タイプの物など、同様に、有効である。
量、突起の高さ、スパッタアルミナ膜の被加工性等によ
り、適する方法はいろいろ存在する。例えば、加工液と
して、アルミナ微粉砥粒や、ＳｉＯ2微粉砥粒などダイ
ヤモンド砥粒以外でも、十分有効である。また、ポリシ
ングクロスについても、発泡ポリウレタン系の物、不織
布タイプの物など、同様に、有効である。
【００１８】また、上部コア段差形成膜として、シリコ
ンを示したが、タングステン，ニオブ，チタン等もフッ
素系ガス、例えばＳＦ6で除去でき、有効である。
ンを示したが、タングステン，ニオブ，チタン等もフッ
素系ガス、例えばＳＦ6で除去でき、有効である。
【００１９】また、ラップ保護膜としてカーボンを示し
たが、その他に、スパッタアルミナよりも機械的加工速
度が小さく、かつ、化学的に、ガスと反応したり、溶媒
で除去できる性質の物で有れば、同様の作用を呈し、同
様の効果を有する。
たが、その他に、スパッタアルミナよりも機械的加工速
度が小さく、かつ、化学的に、ガスと反応したり、溶媒
で除去できる性質の物で有れば、同様の作用を呈し、同
様の効果を有する。
【００２０】次に、本発明の別の実施例を図７〜図１１
に基づいて説明する。本実施例では、前述の実施例と同
様に、素子下部コア部をイオンミーリングで形成、図７
に示すように、保護膜９の形成（上部コア段差高さ位置
まで積層）を行った後、図８に示すように素子突起部１
９の側面（斜面）２０の部の保護膜２１のアルミナを除
去する。その後、ラップ保護膜１０として、シリコン膜
２２を積層する。次に、この表面を前実施例と同様に、
ラップ加工を行い、図９に示すように平坦化する。この
時、ラップの上限位置は、素子下部コア部突起内の保護
膜１５が全部除去され、その下のレジスト材、または、
レジスト密着層２４が露出するまで行い、下限位置は、
素子下部コア突起部周囲のラップ保護層１０が無くな
り、その下の保護層９が露出するまでとする。ラップ加
工終了後、レジストをレジスト剥離液で、あるいはレジ
スト密着層のカーボンをＯ2アッシング等で、ラップ保
護膜１０および、上部コア段差形成層５のシリコンを、
ＳＦ6で各々除去して、図１０に示すように上部コア段
差凹部１６を形成する。その後、前実施例と同様に、図
１１に示すように上部磁性膜１７を積層、コア幅形成し
て、上部コア１８を形成する。
に基づいて説明する。本実施例では、前述の実施例と同
様に、素子下部コア部をイオンミーリングで形成、図７
に示すように、保護膜９の形成（上部コア段差高さ位置
まで積層）を行った後、図８に示すように素子突起部１
９の側面（斜面）２０の部の保護膜２１のアルミナを除
去する。その後、ラップ保護膜１０として、シリコン膜
２２を積層する。次に、この表面を前実施例と同様に、
ラップ加工を行い、図９に示すように平坦化する。この
時、ラップの上限位置は、素子下部コア部突起内の保護
膜１５が全部除去され、その下のレジスト材、または、
レジスト密着層２４が露出するまで行い、下限位置は、
素子下部コア突起部周囲のラップ保護層１０が無くな
り、その下の保護層９が露出するまでとする。ラップ加
工終了後、レジストをレジスト剥離液で、あるいはレジ
スト密着層のカーボンをＯ2アッシング等で、ラップ保
護膜１０および、上部コア段差形成層５のシリコンを、
ＳＦ6で各々除去して、図１０に示すように上部コア段
差凹部１６を形成する。その後、前実施例と同様に、図
１１に示すように上部磁性膜１７を積層、コア幅形成し
て、上部コア１８を形成する。
【００２１】本実施例では、ラップ保護層１０にシリコ
ン膜を用いたが、前記実施例と同様、タングステン，ニ
オブ，チタンでも同様に有効である。
ン膜を用いたが、前記実施例と同様、タングステン，ニ
オブ，チタンでも同様に有効である。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、薄膜磁気ヘッドのコア
形成において、下部コアの厚さと幅を高精度に、コア表
面性状の良好に、さらに、上部コアの厚さと幅を高精度
に形成できる。この事により、磁気記録のトラック幅を
高精度にかつ狭小化でき、磁気出力の向上ができるの
で、記録密度の高く磁気特性（オーバーライト特性、高
出力）の良好な磁気ヘッドが得られるという効果が有
る。
形成において、下部コアの厚さと幅を高精度に、コア表
面性状の良好に、さらに、上部コアの厚さと幅を高精度
に形成できる。この事により、磁気記録のトラック幅を
高精度にかつ狭小化でき、磁気出力の向上ができるの
で、記録密度の高く磁気特性（オーバーライト特性、高
出力）の良好な磁気ヘッドが得られるという効果が有
る。
【図１】本発明のプロセスを示す磁気ヘッドコア部の断
面図である。
面図である。
【図２】磁気ヘッドコア部の断面図である。
【図３】磁気ヘッドコア部断面図である。
【図４】磁気ヘッドコア部断面図である。
【図５】磁気ヘッドコア部断面図である。
【図６】磁気ヘッドコア部断面図である。
【図７】磁気ヘッドコア部断面図である。
【図８】磁気ヘッドコア部断面図である。
【図９】磁気ヘッドコア部断面図である。
【図１０】磁気ヘッドコア部断面図である。
【図１１】磁気ヘッドコア部断面図である。
【図１２】研磨方法を示す正面図である。
１…基板、 ２…アルミナベース膜、 ３…
下部磁性膜、４…ギャップ層、 ５…上部コ
ア段差形成膜、６…レジスト密着層、 ７…レジ
スト層、８…レジストパターン、 ９…保護膜、
１０…ラップ保護層、１１…下部コア突起部分、
１２…素子下部コア部１３…ラップ定盤、 １
４…ポリシングクロス、１５…素子下部コア上保護膜、
１６…上部コア段差凹部、１７…上部磁性膜、
１８…上部コア、 １９…素子突起部分、２０…素子
突起斜面、 ２１…素子突起斜面部保護膜、２２…シリ
コン膜、 ２３…素子突起部上ラップ保護膜、２４…
レジスト密着層、 ２５…ラップ液、２６…ラップ
修正リング、 ２７…ラップおもり。
下部磁性膜、４…ギャップ層、 ５…上部コ
ア段差形成膜、６…レジスト密着層、 ７…レジ
スト層、８…レジストパターン、 ９…保護膜、
１０…ラップ保護層、１１…下部コア突起部分、
１２…素子下部コア部１３…ラップ定盤、 １
４…ポリシングクロス、１５…素子下部コア上保護膜、
１６…上部コア段差凹部、１７…上部磁性膜、
１８…上部コア、 １９…素子突起部分、２０…素子
突起斜面、 ２１…素子突起斜面部保護膜、２２…シリ
コン膜、 ２３…素子突起部上ラップ保護膜、２４…
レジスト密着層、 ２５…ラップ液、２６…ラップ
修正リング、 ２７…ラップおもり。
Claims (2)
- 【請求項１】薄膜磁気ヘッドの形成方法の、下部コア形
成後、ギャップ層、上部コア段差形成層、保護層を形成
した後に平坦化加工する方法において、ラップ保護膜
を、素子部周囲に形成した後に、平坦化加工することを
特徴とする方法。 - 【請求項２】請求項１によって平坦化加工した後、ラッ
プ保護膜および、コア段差形成層を化学的に処理して除
去し、上部コア段差凹部を形成した後に上部コアを形成
することを特徴とする方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23645394A JPH08102014A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 薄膜磁気ヘッドの磁気コア形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23645394A JPH08102014A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 薄膜磁気ヘッドの磁気コア形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08102014A true JPH08102014A (ja) | 1996-04-16 |
Family
ID=17000980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23645394A Pending JPH08102014A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 薄膜磁気ヘッドの磁気コア形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08102014A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0874355A2 (en) * | 1997-04-25 | 1998-10-28 | Fujitsu Limited | Magnetic head and method for production thereof |
| WO2000077777A1 (fr) * | 1999-06-14 | 2000-12-21 | Fujitsu Limited | Tete d'enregistrement magnetique utilisant un film mince et son procede de fabrication |
| WO2001003129A1 (fr) * | 1999-06-30 | 2001-01-11 | Fujitsu Limited | Procede de fabrication d'une tete magnetique a couches minces |
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