JPH04192106A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

薄膜磁気ヘッドの製造方法

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JPH04192106A
JPH04192106A JP32690290A JP32690290A JPH04192106A JP H04192106 A JPH04192106 A JP H04192106A JP 32690290 A JP32690290 A JP 32690290A JP 32690290 A JP32690290 A JP 32690290A JP H04192106 A JPH04192106 A JP H04192106A
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JP
Japan
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hole
substrate
magnetic head
conductor
magnetic
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Application number
JP32690290A
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English (en)
Inventor
Yuichi Sakai
裕一 坂井
Koji Yabushita
藪下 宏二
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は平面型の薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する
ものである。
[従来の技術] 薄膜磁気ヘッドは、半導体集積回路と同様な、蒸着、ス
パッタ等の成膜技術、写真製版、エツチング等のりソグ
ラフィ技術を用いて製造されるもので、高精度なヘッド
が一括大量に生産できる利点がある。
薄膜磁気ヘッドとしては、従来から磁気ギャップを基板
面に垂直方向(膜厚方向)に形成する垂直型と、磁気ギ
ャップを基板面内に形成する平面型とが知られている。
現在は、ギャップ形成の容易さや媒体摺動に対する耐性
の点から垂直型が実用化されている。−方、平面型はヘ
ッドの媒体対向面が基板面になるため、基板内で一括し
て浮上面加工等が行え、さらに磁気ギャップ深さが膜厚
で決められ、その制御が容易な点に利点がある。垂直型
ヘッドでは、これらの加工を通常基板から分離後、個々
に行わねばならず、コスト上昇の一因となっている。
第4図は一般的な平面型薄膜ヘッドの構造を示す断面図
であり、図において(1)はスルーホール基板、(2)
は基板(1)内に形成された貫通孔、スルーホールに導
電性材料を浬め込んで形成したスルーホール導体、(3
)はコイル接続導体、(4)は下部磁気コア、(5)は
絶縁材料、(6)はコイル、(7)は上部磁気コア、(
8)は絶縁保護膜、(9)は磁気ギャップである。
次にその製造方法と動作について説明する。
予めスルーホール導体(2)用の孔、スルーホールが開
けられたスルーホール基板(1)のスルーホールに導電
性材料を埋め込む。導電性材料としてはドータイトのよ
うな導電性樹脂を用い、スルーホールに埋め込んだ後、
熱処理して硬化させスルーホール導体(2)音形成する
。その後、写真製版、スパッタ、メツキ等の方法を用い
て、コイル接続導体(3)、下部磁気コア(4)、絶縁
層(5)、コイル(6)を形成する。さらに上部磁気コ
ア(7)を形成し、側壁形成法あるいは電子ビーム露光
による直接形成法によってサブミクロン幅の磁気ギャッ
プ(9)が形成される。磁気ギャップ(9)は無機絶縁
膜あるいは電子ビーム露光によるレジストがそのまま用
いられている。この磁気ギャップ(9)幅を小さくする
ことは、磁気記録の線密度を高くするために重要であり
、サブミクロンのパターン幅が要求される。次に絶縁保
護膜(8)を形成し、基板全面を覆った後、精密機械研
磨あるいはエツチングで磁気ギャップ面が露出するまで
平坦化を行っている。さらにこの面に写真製版を施し、
イオンビーム等で一括表面加工(ハードディスク用ヘッ
ドでは浮動面加工)を施している。
この方法によれば、ヘッド面加工が基板毎に一括して(
数百個のヘッド素子を分離することなく一度に)行える
利点があり、垂直型磁気ヘッドと比べて電磁変換特性を
向上できるとともに、機械加工(切断、研磨等)の工数
も大幅に削減できコストも下げられる利点がある。
なお、従来の平面型薄膜磁気ヘッドの製造方法に間して
は、特開昭63−53708号公報、あるいは、A N
E讐THIN FILM HEAD GENERATI
ON Ic HEAD(J、P。
LAZZARI AND P、DEROUX−DAUP
旧N、 IEEE TRANSACTIONS  ON
  MAGNETIC5,VOL、25.NO,5,P
、3190〜3192゜SEPTEMBER1989)
などに記載されている。
[発明が解決しようとする課題] しかし、以上の製造方法では、導電性樹脂を埋め込みス
ルーホール導体を形成したスルーホール基板上に写真製
版をしようとしたり、熱処理をしようとしたときに、導
電性樹脂中にわずかに残っていた隙間や樹脂からの脱ガ
スが原因でフォトレジスト中に気泡が発生したり、ヘッ
ド素子にシワが入ったり、素子自体が浮き上がってしま
うといった問題点が生じることがあった。
導電性樹脂の埋め込みを工程の後の方にもってくる方法
も考えられるが、基板のスルーホールのため真空吸着が
できず写真製版等が不可能となる。
導電性樹脂以外のもの、例えば無電解メツキ(端子取り
出しの点から基板は導電性であってはならない)から金
属を埋め込むことも考えられるが、この場合でもわずか
な空隙が存在したり、密着性が悪いため工程途中(特に
真空吸着時)で抜は落ちてしまうという問題点がある。
二の発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、工程途中で導電性樹脂が原因となるようなフ
ォトレジストの発泡、素子のシワ、浮きが生じないよう
な薄膜磁気ヘッドの製造方法を得ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、基板にコイル
接続用端子と接続するスルーボール導体を形成するため
の貫通孔を開ける前に、上記基板表面に薄膜磁気ヘッド
素子を形成し、その後上記基板に貫通孔をあけスルーホ
ール導体を形成するようにしたものである。
[作用] この方法では、導電性材料を埋め込んでスルーホール導
体を形成したスルーホール基板を用いるのではなく、ま
だ貫通孔(スルーホールと記す)の貫通していない基板
上にヘッド素子を形成し、素子形成後スルーホールをあ
けるようにしたので、スルーホールに充填した導電性材
料が原因となって起こるフォトレジストの発泡やヘッド
素子の浮き、シワが生じることなくヘッドが製造でき、
その歩留まりを向上させることができる。
[実施例] 以下、この発明の実施例を図について説明する。
実施例1 第1図(A)〜(C)はこの発明の一実施例の薄膜磁気
ヘッドの製造方法を工程順に示す断面図である。
(1)は基板で、この場合は感光性ガラス基板を用いて
いる。感光性ガラスとはガラスに紫外線を照射すること
によフて紫外線が照射された部分の分子結合状態が変化
し、フッ化水素酸に対する溶解度が紫外線を照射されて
いない部分に比べて大きくなるという性質を持ったガラ
スであり、この実施例では、後にスルーホールがあけら
れ導電性材料が充填されスルーホール導体(2)が形成
される部分(11〉に予め紫外線を照、射しである感光
性ガラス基板を用いている。
厚さ約0.8m+nの感光性ガラス基板(1)上に下部
磁気コア(4)、絶縁層(5)、コイル接続導体(3)
、コイル(6)を写真製版、スパッタ、メツキ法などで
形成し、その上に磁気ギャップ(9)を形成する。
ここで、感光性ガラス基板(1)の点線で示した部分(
11)は紫外線を照射し、フッ化水素酸に対する溶解度
を上げた部分である。さらに その上に絶縁保護膜(8
)としてアルミナをスパッタにより形成する(第1図A
)。その後全体を5%のフッ化水素酸液に浸漬し、スル
ーホール(12)をあける(第1図B)、導電性樹脂を
スルーホール(12)に充填してスルーホール導体(2
)を形成し、絶縁性保護膜(8)を精密機械研磨によっ
て研磨することにより磁気ギャップ(9)を露出させる
(第1図C)。
この実施例では、磁気ヘッド素子形成後にスルーホール
導体(2)を形成するようにしているので、スルーホー
ルに詰まった導電性材料が原因となって起こるフォトレ
ジストの発泡やヘッド素子のシ −ワや浮き上がりがな
くなり、歩留まりを大きく向上できる。
実施例2 第2図(A)〜(C)はこの発明の他の実施例の薄膜磁
気ヘッドの製造方法を工程順に示す断面図である。この
場合は、スルーホールとなる部分を完全には貫通させず
、一部除去し穴をあけた感光性基板(1)上に磁気ヘッ
ド素子を形成するようにしている。
紫外線を照射し、フッ化水素酸液に浸漬することによっ
てスルーホール導体(2)が形成されるスルーホール部
を一部溶解させ穴(深さ約0.6mm)を形成した厚さ
約0 、8+n+nの感光性ガラス基板(1)上に下部
磁気コア(4)、絶縁層(5)、コイル接続導体(3)
、コイル(6)を写真製版、スパッタ、メツキ法などで
形成し、その上に上部磁気コア(7〉、側壁形成法によ
って磁気ギャップ(9)を形成する。さらに、その上に
絶縁保護膜(8)としてアルミナをスパッタにより形成
する(第2図A)。その後、全体を5%のフッ化水素酸
液に浸漬し、スルーホール(12)を貫通させる(第2
図B)、導電性樹脂をスルーホール(12)に充填して
スルーホール導体(2)を形成し、絶縁性保護膜(8)
を精密機械研磨によって研磨することにより磁気ギャッ
プ(9)を露出させる(第2図C)。
この実施例では上記実施例と同様歩留まりを向上させる
ことができ、さらにスルーホール(12)を貫通させる
時閉を短縮できる。
実施例3 第3図(A)〜(C)はこの発明のさらに他の実施例の
薄膜磁気ヘッドの製造方法を工程順に示す断面図である
厚さ約0.8mo+の感光性ガラス基板(1)上に下部
磁気コア(4)、絶縁層(5)、コイル接続導体(3)
、コイル(6)を写真製版、スパッタ、メツキ法などで
形成し、その上に上部磁気コア(7)、側壁形成法によ
って磁気ギャップ(9)を形成する。さらに、その上に
絶縁保護膜(8)としてアルミナをスパッタにより形成
するく第3図A)。この後、スルーホール導体(2)を
形成する位置にレーザーを照射し、ガラス基板(1)に
スルーホール(12)を貫通させる(第3図B)。導電
性樹脂をスルーホール(12)に充填してスルーホール
導体(2)を形成し、絶縁性保護膜(8〉を精密機械研
磨によって研磨することにより磁気ギャップ(9)を露
出させる(第2図C)。
この実施例では基板としてガラス基板を用いたが、レー
ザーによってスルーホール(12)があけられるもので
あればどのような材質のものでも構わない。
また、スルーホール(12)を閏ける方法としては、レ
ーザーの他に超音波による方法やドリル等の機械加工に
よる方法などがある。
[発明の効果] 以上のように、この発明によれば、スルーホール導体を
形成するために基板に間ける貫通孔を上記基板に磁気ヘ
ッド素子を形成した後間けるようにしたので、上記貫通
孔に充填した導電性材料の間隙や脱ガスが原因となって
起こるフォトレジストの発泡、ヘッド素子の浮きやシワ
が起こらなくなり高精度かつ安定したヘッドの製造が可
能となり、また歩留まりも向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図(A)〜(C)は この発明の一実施例の薄膜磁
気ヘッドの製造方法を工程順に示す断面図、第2図(A
)〜(C)はこの発明の他の実施例の薄膜磁気ヘッドの
製造方法を工程順に示す断面図、第3図(A)〜(C)
はこの発明のさらに他の実施例の薄膜磁気ヘッドの製造
方法を工程順に示す断面図、第4図は一般的な薄膜磁気
ヘッドを示す断面図である。 図において、(1)は基板、(2)はスルーホール導体
、(3)はコイル接続導体、(4)は下部磁気コア、(
5)は絶縁層、(6)はコイル、(7)は上部磁気コア
、(9)は磁気ギャップ、(12)はスルーホールであ
る。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 基板に貫通孔をあけて、この孔に導電性材料を充填して
    コイル接続用端子と接続するスルーホール導体を形成す
    る工程、並びに上記基板に上記コイル接続用端子、下部
    磁気コア、この下部磁気コア上に絶縁層で被って形成さ
    れるコイル、絶縁層で被ったコイル上に上記下部磁気コ
    アと接続して形成される上部磁気コア、及びこの上部磁
    気コアを分離する磁気ギャップからなる磁気ヘッド素子
    を形成する工程を施す薄膜磁気ヘッドの製造方法におい
    て、上記基板に磁気ヘッド素子を形成した後、上記基板
    に貫通孔をあけスルーホール導体を形成するようにした
    ことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
JP32690290A 1990-11-27 1990-11-27 薄膜磁気ヘッドの製造方法 Pending JPH04192106A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970076507A (ko) * 1996-05-25 1997-12-12 김광호 자기헤드 및 그의 제조방법
KR980004377A (ko) * 1996-06-21 1998-03-30 김광호 면방향 박막 헤드의 헤드코일 연결장치
DE19812111C2 (de) * 1997-04-21 2001-01-25 Samsung Electronics Co Ltd Planarer Siliziumkopf mit einer gegenüber Überstrom/Überspannung geschützten Struktur und Verfahren zur Herstellung desselben

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DE19812111C2 (de) * 1997-04-21 2001-01-25 Samsung Electronics Co Ltd Planarer Siliziumkopf mit einer gegenüber Überstrom/Überspannung geschützten Struktur und Verfahren zur Herstellung desselben

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