JP3354900B2

JP3354900B2 - Ｘ線マスクおよびその製造方法

Info

Publication number: JP3354900B2
Application number: JP16636499A
Authority: JP
Inventors: 政利小田; 勝嶋田; 泰土澤; 真吾内山; 恒之芳賀; 秀雄吉原
Original assignee: NTT Advanced Technology Corp; Nippon Telegraph and Telephone Corp
Current assignee: NTT Advanced Technology Corp; Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date: 1999-06-14
Filing date: 1999-06-14
Publication date: 2002-12-09
Anticipated expiration: 2019-06-14
Also published as: JP2000353658A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路等の
製造において多用されているパタン形成技術に関するも
ので、Ｘ線を用いて半導体やガラス材料等からなる基板
上に集積回路パタンを形成する技術、いわゆるＸ線リソ
グラフィ技術において用いられるＸ線マスクの構造およ
びその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体集積回路の作製において、基板上
に微細なパタンを形成する際には、リソグラフィと呼ば
れる写真の原理を応用した技術が用いられてきた。この
技術では以下のようにしてパタンを形成する。図４に示
すように、まず、光４２を透過するマスク基板４４上
に、光を吸収し通さない材料によって所望のパタンを形
成した吸収体パタン４５を有するマスク４３を作製す
る。次に、集積回路を作製するＬＳＩ（大規模集積回
路）基板４７上に、レジスト４６と呼ばれる感光性樹脂
を塗布する。このＬＳＩ基板４７上に、マスク４３を置
き、その上から光４２を照射する。マスク基板４４が吸
収体パタン４５で覆われていない部分では、光４２は、
マスク４３を通過して、ＬＳＩ基板４７上のレジスト４
６を感光させる。一方、マスク基板４４が吸収体パタン
４５で被覆されている部分では、光４２がマスク４３で
遮断されているので、レジストは感光しない。ＬＳＩ基
板４７上のレジスト４６を吸収体パタン４５にしたがっ
て適度に感光させた後、基板を現像液に浸すと、感光し
た部分と感光しない部分では溶解速度が異なるので、基
板上にマスクパタンと同じレジストパタンが形成され
る。この方法で、基板上にパタンを形成する場合、転写
可能な最小寸法は、光４２の波長、光学レンズの性能
と、吸収体パタン４５の精度に依存する。従来、この転
写には水銀ランプから発するｇ線（波長約０.４３６μ
ｍ）が広く用いられ、紫外線リソグラフィ技術と呼ばれ
てきた。集積回路が高度化するにしたがって微細パタン
が要求されるようになり、高精度な転写に有利な波長の
短いｉ線（０.３６５μｍ）が用いられるようになって
きた。近年では、波長０.２４８μｍのＫｒＦエキシマ
レーザが開発され、幅０.２０μｍ程度のパタンまで転
写できるようになってきた。今後の半導体集積回路で
は、さらに微細な幅０.２μｍ以下のパタンが要求さ
れ、さらに波長の短いＡｒＦ、Ｆ₂等のレーザ光を用い
たリソグラフィが検討されているが、光源の安定性やレ
ンズ等に多くの問題があり実用化は困難となっている。
そこで、紫外線以外の新しいリソグラフィ技術の実用化
が急務となってきた。紫外線に代わって、波長５〜１５
Åの軟Ｘ線を用いるＸ線リソグラフィ技術は約２０年以
上も前から提案されていたが、強力なＸ線源がないこと
や、マスク作製が困難であるなどの理由で実用化には至
らなかった。しかし、ＳＯＲ（シンクロトロン放射）リ
ングの開発以来、次第に注目を集めるようになった。Ｘ
線は波長が短いことから、回折現象も小さく、０.１μ
ｍ以下のパタンでも容易に転写することができる。この
技術が実用化されれば半導体集積回路の高密度、大容量
化は飛躍的に進展するものと期待されている。現在、Ｘ
線リソグラフィ技術の最大の問題は高精度マスクの製造
にある。紫外線リソグラフィでは、マスク基板に用いら
れるガラスを十分に厚く（約６ｍｍ）することができる
ので歪みが生じにくいこと、一方、吸収体は０.１μｍ
以下の十分に薄い金属で構成できること、また、通常マ
スクと転写される基板の間にレンズを置いて、マスクパ
タンを１／５程度に縮小して転写することから、マスク
パタンの精度は大きな問題とはならなかった。しかし、
Ｘ線リソグラフィの場合、効果的なレンズがないので、
マスクパタンは等倍でＬＳＩ基板に転写される。転写時
に発生する精度低下を考慮すると、Ｘ線マスクのパタン
は転写パタンに要求される精度より高精度に形成されな
ければならない。ところが、Ｘ線マスクの吸収体は０.
５〜１μｍの厚さでないとＸ線を効果的に遮断すること
はできない。一方、マスク基板（Ｘ線リソグラフィでは
メンブレンと呼ばれる）は、１〜２μｍの薄さでないと
Ｘ線を十分に透過させることができない。

【０００３】図５に、従来のＸ線マスクの構造を模式的
に示す。５１は吸収体パタン、５２はメンブレンであ
る。５３は薄いメンブレンを支えるためのシリコン（Ｓ
ｉ）ウエハであり、５４は、Ｓｉウエハ５３を補強し、
取り扱いを容易にするためのフレームである。このＸ線
マスクは、図６に示す工程で作製される。まず、Ｓｉウ
エハ６４に、メンブレンとなる薄膜６２と、吸収体とな
る薄膜６１、吸収体のエッチングマスクとなる薄膜６３
を堆積する〔図６（ａ）〕。次に、Ｓｉウエハ６４を裏
面からエッチングしてメンブレン６２ａを形成する〔図
６（ｂ）〕。その後、吸収体のエッチングマスクとなる
薄膜６３上に、電子ビーム露光技術を用いて、レジスト
パタン６５を形成する〔図６（ｃ）〕。次に、レジスト
パタン６５をマスクとして、吸収体のエッチングマスク
となる薄膜６３をエッチングし、吸収体のエッチングマ
スク６３ａを形成する〔図６（ｄ）〕。続いて、吸収体
となる薄膜６１をエッチングし、吸収体パタン６１ａを
形成する〔図６（ｅ）〕。最後に、フレーム６６を接着
する〔図６（ｆ）〕。メンブレン６２ａには、Ｘ線を透
過しやすいＳｉＮ（窒化ケイ素）、ＳｉＣ（炭化ケイ
素）等が用いられている。また、吸収体パタン６１ａに
は、Ｔａ（タンタル）、Ｗ（タングステン）もしくはこ
れらの合金が用いられているが、ＷまたはＷ合金は、強
酸に弱いため洗浄方法に問題がある。ＴａまたはＴａ合
金は耐酸性に優れており、有望視されている。数年前ま
ではＴａが一般的であったが、近年、多結晶であるＴａ
よりも、アモルファスであるＴａ、Ｇｅ（ゲルマニウ
ム）等の合金も用いられるようになってきた。また、吸
収体のエッチングマスク６３ａにはＳｉＯ₂（二酸化ケ
イ素）、Ｃｒ（クロム）等が用いられている。Ｘ線マス
クの問題は、メンブレンが薄い膜で構成されているため
に機械的強度が極めて小さく、マスクの構成材がわずか
な応力を持っていたり、外部から力が加わると変形して
パタンの位置精度が低下することである。通常、このよ
うな薄いメンブレンを数ｃｍの領域にわたって平坦性良
く保ち、外部からの振動の影響を小さくするには、メン
ブレンそのものが一定の引っ張り応力を保持していなけ
ればならない。このメンブレンの引っ張り応力によって
周囲のＳｉ支持枠は、内側に縮むと共に、外周が持ち上
がるように変形する。また、吸収体が応力を持っている
と、その力によってメンブレンが変形する。このため、
均一で一定の応力を持つメンブレン膜の形成技術、応力
をできる限り小さくする吸収体膜の形成技術、剛性の大
きい厚いＳｉウエハの使用などの研究が積み重ねられて
きた。吸収体膜の形成技術については、電子サイクロト
ロン共鳴を利用したプラズマ流を用いたスパッタ法で極
めて安定したα−Ｔａを形成する手法が開発された。こ
のα−Ｔａは、吸収体として極めて優れた特性を持って
おり、Ｘ線マスクの実用化が大きく進展した。これらの
技術を用いた結果、メンブレンの応力は５％以内に、ま
た吸収体の応力も１０ＭＰａ以下に制御することが可能
となり、簡単なパタンのマスクなら位置精度が２０ｎｍ
の精度で作製できるようになった。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、メン
ブレン、吸収体の応力制御技術が進み、Ｘ線マスクを安
定して作製できるようになり、実際の集積回路のような
微細で複雑なパタンを持ったＸ線マスクの作製が検討さ
れるようになった。ところが、微細なパタンが密集する
Ｘ線マスクを作製すると、その領域で吸収体パタンが大
きく歪み、パタン位置精度が低下する現象が観察され
た。図７は、問題となる歪みの例を示している。図７
（Ａ）に示すように、縦方向に伸びる長さ１０ｍｍ、幅
０.１μｍラインが０.２μｍ周期で１０ｍｍの範囲に敷
き詰められている。パタン周囲には、位置を測定するた
めの測定マークが形成されている。吸収体膜を堆積した
時点では応力は１０ＭＰａ程度であり、各加工工程で、
この応力が変化しないことは確認されている。ところ
が、吸収体をエッチングしたとき、図７（Ｂ）のよう
に、パタンの縦（長手）方向に伸びるように０.３μｍ
以上の位置歪が発生する。この位置歪は、ラインの本数
が少ない時には観察されない。１ｍｍ以上の領域にわた
って密集すると、観察できる大きさとなる。また、この
位置歪はパタンの幅が小さいほど、またパタンの周期が
小さいほど大きい。パタン幅が０.３μｍ程度の場合
は、大きな位置歪は観察されないが、０.１５μｍより
小さくなると顕著になる。このとき横方向には大きな位
置歪はない。短いラインが密集するようなパタンでは、
ラインの長さが短くなるにしたがって位置歪量が小さく
なり、縦横の長さが同じホールが密集したような領域で
は大きな位置歪は生じない。図７の結果は、電子サイク
ロトロン共鳴を利用したスパッタで形成したα−Ｔａの
結果であるが、ＲＦスパッタで形成したＴａ膜、ＴａＧ
ｅ膜でもほぼ同様な結果が得られており、Ｔａもしくは
Ｔａ合金の共通の問題と考えられる。この現象の原因は
明らかになっていない。１０ＭＰａ以下に吸収体応力が
制御されていれば、０.１μｍ以上の位置歪が発生する
ことはない。吸収体をエッチングすることによって、パ
タンの長手方向に圧縮応力が生じたものと考えられる
が、この応力が、なぜ生じたかは明らかでない。吸収体
パタンの形成において、このような位置歪が生じ、パタ
ン位置精度が低下することは、Ｘ線マスクにとって致命
的であり、この問題が解決できなければ、Ｘ線リソグラ
フィを用いて、将来の微細で高密度な集積回路パタンを
高精度に形成することは不可能となる。この問題の解
明、解決に向けて精力的に研究が進められているが、こ
れまでに有力な手掛かりは得られていない。

【０００５】本発明の目的は、上記従来技術における問
題点を解消し、微細なＸ線吸収体パタンが密集する領域
を形成してもパタンの位置歪を生じないＸ線マスクの構
造およびその製造方法を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記本発明の目的を達成
するために、特許請求の範囲に記載のような構成とする
ものである。すなわち、本発明は請求項１に記載のよう
に、Ｘ線を透過するマスク基板上に、Ｘ線を吸収する材
料からなる吸収体パタンを載置した構造のＸ線マスクに
おいて、上記吸収体パタンは、少なくともＴａ（タンタ
ル）で構成されており、その下地材料層としてＲｕ（ル
テニウム）層を形成した構造のＸ線マスクとするもので
ある。ここでいう載置とは、マスク基板上に吸収体パタ
ンが配置され、それが固定された状態をいう。また、請
求項２に記載のように、請求項１に記載のＸ線マスクに
おいて、吸収体パタンのＴａは、α構造のＴａを主たる
成分とするＴａ合金を用いるＸ線マスクとするものであ
る。また、請求項３に記載のように、請求項１または請
求項２に記載のＸ線マスクを作製する方法において、少
なくとも吸収体パタンのＴａを電子サイクロトロン共鳴
によるプラズマを用いたスパッタ法により形成する工程
を含むＸ線マスクの製造方法とするものである。上記請
求項１または請求項２において、本発明のＸ線マスクに
用いる下地材料層として、Ｒｕを単層で用いることを述
べているが、下地材料層を２層以上、複数層用いてもよ
く、その膜厚を適切に設定することにより、本発明の効
果を奏することができる。

【０００７】本発明は、微細な吸収体パタンが密集する
領域を形成しても、パタンの位置歪が生じないマスクの
構造を提供するものである。発明者らは、吸収体パタン
の形成と位置歪の関係を詳細に調査し、この位置歪が吸
収体直下の材料（下地材料層）に依存することを突き止
めた。すなわち、吸収体がＳｉＮ（窒化ケイ素）やＳｉ
Ｃ（炭化ケイ素）上に直接形成されると、図７のような
位置歪が発生するが、吸収体とメンブレンの間にＣｒ、
Ｒｕ、ＴｉＮあるいはＴａＮがあるときは位置歪が生じ
ないことを見い出した。Ｃｒの場合、厚さが２００Åで
は効果がなく、１０００Å以上が必要となる。一方、
Ｒｕ、ＴｉＮとＴａＮは２００Åでも効果がある。以上
のことは、位置歪の発生する要因が吸収体とメンブレン
の界面、もしくは界面付近の状態にあることを示してい
る。例えば、吸収体とメンブレンの付着力、あるいはメ
ンブレンと吸収体の界面での反応等が関係していると考
えられる。本発明において、最近、吸収体として検討が
進められているＴａＧｅ（タンタルゲルマニウム）吸収
体については効果がない。これは、ＴａＧｅと下地材料
の間にＧｅ層ができるため、下地材料は何であってもＧ
ｅ層で吸収体との界面の特性が決まるためと考えられ
る。ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）スパッタ法は、
広く用いられているＤＣスパッタ、ＲＦスパッタ、マグ
ネトロンスパッタ等に比べ低い圧力で膜形成を行うため
に不純物が混入し難いという特長がある。また、α−Ｔ
ａは結晶粒が大きく、下地材料の界面に不安定な層が形
成されない。これらのことからＥＣＲスパッタ法で形成
したα−Ｔａでは、本発明の効果を十分に発揮すること
ができる。本発明のＸ線マスク構造は、例えば図１に示
すように、薄いメンブレン１２をシリコンウエハ１３に
より支え、メンブレン１２の上に、Ｒｕ、Ｃｒ、Ｔｉ
Ｎ、ＴａＮのうちの少なくとも１種よりなる適切な厚さ
の下地材料層１５を介して、Ｔａまたはα−Ｔａを主た
る成分とするＴａ合金よりなる吸収体パタンを形成した
構造を有するものである。このような構造のＸ線マスク
とすることにより、吸収体パタン形成時の位置歪を極め
て小さく制御することができ、パタンの幅、パタンの密
度に関係なく、Ｔａ膜を吸収体とする高精度のＸ線マス
クを作製することができ、高精度で大容量の集積回路パ
タンを有する無欠陥のＸ線マスクの製造が可能となり、
大規模集積回路用マスクの高精度化を実現できる効果が
ある。

【０００８】

【発明の実施の形態】図２（ａ）〜（ｆ）に、本発明の
Ｘ線マスクの製造工程を示す。まず、直径４インチ、厚
さ２ｍｍのＳｉウエハの表裏に、厚さ２μｍのＳｉＣ膜
を減圧気相成長法により、メンブレンとなる薄膜２２を
堆積した。その上に、下地材料層２７として、ＲＦスパ
ッタ法により、Ｃｒを０.０２、０.０５、０.１μｍ厚
に形成したもの、同じくＲＦスパッタ法で、Ｒｕを０.
０１、０.０２、０.０４μｍ厚に形成したもの、また、
電子サイクロトロン共鳴を利用したスパッタ法でＴａＮ
を、０.０１、０.０２、０.０４μｍ厚に形成したも
の、同じく電子サイクロトロン共鳴を利用したスパッタ
法で、ＴｉＮを０.０１、０.０２、０.０４μｍ厚に形
成したものを準備した。なお、比較のために、下地材
料層２７を形成しない試料も準備した。これらの試料上
に、電子サイクロトロン共鳴を利用したスパッタ法によ
り、Ｘｅガスを用いて４００℃でＴａ膜を厚さ０.４μ
ｍに堆積し、吸収体となる薄膜２１を形成した。この時
のＴａ膜は、結晶粒の大きさが約１μｍで、±１０ＭＰ
ａ以下の応力を持つα−Ｔａ膜であった。さらに、その
上にＳｉＯ₂（二酸化ケイ素）膜を電子サイクロトロン
共鳴を利用した気相成長法により、厚さ０.１μｍに堆
積し、吸収体のエッチングマスクとなる薄膜２３を形成
した〔図２（ａ）〕。その後、Ｃ₂Ｆ₆を用いたドライエ
ッチングで、裏面の２８×２８ｍｍのＳｉＣ膜を除去
し、３０％ＫＯＨ（水酸化カリウム）溶液を用いて裏面
からＳｉを除去して、２５×２５ｍｍのメンブレン２２
ａ領域を作製した〔図２（ｂ）〕。続いて、表面のＳｉ
Ｏ₂膜である吸収体のエッチングマスクとなる薄膜２３
上に、電子ビームレジスト（商品名ＺＥＰ）を０.２μ
ｍ厚に回転塗布し、電子ビーム露光法を用いて、図７
（Ａ）と同じレジストパタンを形成した〔図２
（ｃ）〕。その後、干渉式のパタン座標位置測定装置に
よって、レジストパタンの位置を測定した。次に、反応
性イオンエッチング装置に入れて、ＳｉＯ₂膜をエッチ
ングし、吸収体のエッチングマスク２３ａを形成した
〔図２（ｄ）〕。さらに、電子サイクロトロン共鳴を利
用したイオン流エッチングで吸収体となる薄膜２１であ
るＴａ膜をエッチングし、吸収体パタン２１ａを形成し
た〔図２（ｅ）〕。なお、上記の図２（ｄ）〜（ｅ）の
工程におけるエッチング中においては裏面から冷却した
Ｈｅを吹き付けて温度上昇を防いだ。その後、希ＨＦ
（フッ化水素）酸を用いて表面のＳｉＯ₂膜を除去した
後、１点接着法によりフレームを接着した〔図２
（ｅ）〕。再び、パタン座標位置測定装置によって、吸
収体パタン２１ａの位置を測定し、エッチングによって
生じたパタン位置歪を計算した。この時、フレームを接
着によって歪が発生しないことを確認した。比較のため
に、下地材料層２７を形成しなかった試料では、エッチ
ングによって０.３２μｍという大きなパタン最大位置
歪が発生した。下地材料層を形成した本発明の試料のエ
ッチングにおけるパタン最大位置歪（μｍ）と下地材料
層の厚さ（μｍ）については、図３にその結果を示す。
図から明らかなように、０.０２μｍ厚のＣｒ層の試料
は、下地材料層を形成しない試料と同程度のエッチング
によるパタン位置歪が発生しているが、Ｃｒ層の厚さが
増大すると共に、パタン位置歪は減少し、０.１μｍ厚
になると、パタン最大位置歪は０.０３μｍ程度に小さ
くなった。一方、Ｒｕ、ＴｉＮ、ＴａＮについては、厚
さが０.０１μｍのとき比較的大きなパタン最大位置歪
が発生しているが、厚さが０.０２μｍ以上になると、
歪は０.０３μｍ以下となる。Ｒｕについては最も効果
が大きく厚さが０.０１μｍのときでも、下地材料を用
いなかった場合の１／４以下のパタン最大位置歪となっ
ている。なお、パタン最大位置歪が約０.０３μｍ以下
となる下地材料層の厚さは、Ｃｒ層では約０.１０μｍ
以下、Ｒｕ層では約０.０１５μｍ以下、ＴｉＮ層では
約０.０１８μｍ以下、ＴａＮ層では約０.０２２μｍ以
下であった。以上の結果から、吸収体材料の下地材料層
として、Ｃｒ、Ｒｕ、ＴｉＮ、ＴａＮの層を形成するこ
とによって、パタン形成時の位置歪を著しく抑制できる
ことは明らかである。また、下地材料層として、Ｃｒ、
Ｒｕ、ＴｉＮ、ＴａＮの層を２種以上、複数層用いる場
合においても適切な合計膜厚に設定すれば、上記のパタ
ン最大位置歪を小さくすることができる。なお、吸収体
エッチング後、ドライエッチングを用いて露出した部分
の下地材料層を除去したが、パタン位置精度には大きな
変化はなかった。吸収体パタン直下の下地材料層が重要
であると考えられる。

【０００９】

【発明の効果】本発明のＸ線マスクを用いることによ
り、パタン幅、密度とは無関係に、Ｔａ膜を吸収体パタ
ンとする高精度のＸ線マスクを作製することができる。
その結果、高密度で大容量の集積回路パタンを有する無
欠陥のＸ線マスクの製造が可能となり、大規模集積回路
用マスクの高精度化を実現できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態で例示したＸ線マスクの構
造一例を示す模式図。

【図２】本発明の実施の形態で例示したＸ線マスクの作
製過程を示す工程図。

【図３】本発明の実施の形態で例示したＸ線吸収体パタ
ンの下地材料層の厚さと最大位置歪の関係を示すグラ
フ。

【図４】従来のリソグラフィ技術を示す説明図。

【図５】従来のＸ線マスクの構造を示す模式図。

【図６】従来のＸ線マスクの作製過程を示す工程図。

【図７】従来技術において微細パタンが密集した時に生
じる位置歪（最大変位）を示す説明図。

【符号の説明】

１１…吸収体パタン１２…メンブレン１３…シリコンウエハ１４…フレーム１５…下地材料層２１…吸収体となる薄膜２１ａ…吸収体パタン２２…メンブレンとなる薄膜２２ａ…メンブレン２３…吸収体のエッチングマスクとなる薄膜２３ａ…吸収体のエッチングマスク２４…シリコンウエハ２５…レジストパタン２６…フレーム２７…下地材料層４２…光４３…マスク４４…マスク基板４５…吸収体パタン４６…レジスト４７…ＬＳＩ基板５１…吸収体パタン５２…メンブレン（薄膜）５３…シリコンウエハ５４…フレーム６１…吸収体となる薄膜６１ａ…吸収体パタン６２…メンブレンとなる薄膜６２ａ…メンブレン６３…吸収体のエッチングマスクとなる薄膜６３ａ…吸収体のエッチングマスク６４…シリコンウエハ６５…レジストパタン６６…フレーム

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者土澤泰東京都新宿区西新宿三丁目19番２号日本電信電話株式会社内 (72)発明者内山真吾東京都新宿区西新宿三丁目19番２号日本電信電話株式会社内 (72)発明者芳賀恒之東京都新宿区西新宿三丁目19番２号日本電信電話株式会社内 (72)発明者吉原秀雄東京都武蔵野市御殿山一丁目１番３号エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社内 (56)参考文献特開平10−161300（ＪＰ，Ａ) 特開平９−5985（ＪＰ，Ａ) 特開平７−122480（ＪＰ，Ａ) 特開平11−354407（ＪＰ，Ａ) 特開昭61−58233（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 1/00 - 1/16

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】Ｘ線を透過するマスク基板上に、Ｘ線を吸
収する材料からなる吸収体パタンを載置した構造のＸ線
マスクにおいて、上記吸収体パタンは、少なくともＴａ
で構成されており、その下地材料層としてＲｕ層を設け
たことを特徴とするＸ線マスク。
【請求項２】請求項１に記載のＸ線マスクにおいて、吸
収体パタンのＴａは、α構造のＴａを主たる成分とする
Ｔａ合金であることを特徴とするＸ線マスク。
【請求項３】請求項１または請求項２に記載のＸ線マス
クを作製する方法において、少なくとも吸収体パタンの
Ｔａを電子サイクロトロン共鳴によるプラズマを用いた
スパッタ法により形成する工程を含むことを特徴とする
Ｘ線マスクの製造方法。