TWI657481B - 附多層反射膜之基板、ｅｕｖ微影用反射型光罩基底、ｅｕｖ微影用反射型光罩及其製造方法、以及半導體裝置之製造方法 - Google Patents

附多層反射膜之基板、ｅｕｖ微影用反射型光罩基底、ｅｕｖ微影用反射型光罩及其製造方法、以及半導體裝置之製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明之目的在於提供一種給予獲得高反射率、且耐洗淨性優異之反射型光罩的附多層反射膜之基板。
本發明之附多層反射膜之基板，其具有：基板；多層反射膜，其形成於該基板上，且週期性地積層複數層包含作為高折射率材料之Si之層與包含低折射率材料之層而成；及Ru系保護膜，其形成於該多層反射膜上，保護上述多層反射膜；且上述多層反射膜之與基板為相反側之表面層係上述包含Si之層，進而，於上述多層反射膜與上述Ru系保護膜之間具有阻礙Si朝向Ru系保護膜移行之阻擋層，且上述Si之至少一部分擴散至上述阻擋層。

Description

附多層反射膜之基板、EUV微影用反射型光罩基底、EUV微影用反射型光罩及其製造方法、以及半導體裝置之製造方法
本發明係關於一種用於製造半導體裝置之製造等中所使用之曝光用光罩之母板即附多層反射膜之基板、EUV(Extreme Ultra Violet，極紫外線)微影用反射型光罩基底、EUV微影用反射型光罩及其製造方法、以及半導體裝置之製造方法。
伴隨近年來之超LSI(Large Scale Integration，大型積體電路)器件之高密度化、高精度化之進一步要求，作為使用極紫外(Extreme Ultra Violet，以下稱為EUV)光之曝光技術的EUV微影前景值得期待。再者，此處，所謂EUV光係指軟X線區域或真空紫外線區域之波段之光，具體而言係波長為0.2~100nm左右之光。
此種反射型光罩係於玻璃或矽等基板上形成反射曝光光之多層反射膜，且於該多層反射膜上圖案狀地形成吸收曝光光之吸收體膜而成者。於進行圖案轉印之曝光機中，入射至裝載於該曝光機之反射型光罩的光係具有吸收體膜圖案之部分被吸收，而無吸收體膜圖案之部分被多層反射膜反射。而且，被反射之光像通過反射光學系統轉印至矽晶圓等半導體基板上。
為了使用此種反射型光罩達成半導體器件之高密度化、高精度化，反射型光罩中之反射區域(多層反射膜之表面)必須對於作為曝光光之EUV光具備高反射率。
上述多層反射膜係週期性地積層折射率不同之元素而成之多層膜，且通常使用重元素或其化合物之薄膜、與輕元素或其化合物之薄膜交替地積層40~60週期左右而成之多層膜。例如，作為針對波長13~14nm之EUV光之多層反射膜，較佳地使用將Mo膜與Si膜交替地積層40週期左右而成之Mo/Si週期積層膜。再者，Mo容易因大氣而氧化，導致多層反射膜之反射率降低，故而將多層反射膜之最上層設為Si膜。
作為該EUV微影中使用之反射型光罩，例如存在下述專利文獻1中記載之曝光用反射型光罩。即，於專利文獻1中提出有一種反射型光罩，其特徵在於具有：基板；反射層，其形成於上述基板上，且包含交替地積層2種不同膜而成之多層膜；緩衝層，其形成於上述反射層上，且包含釕膜；及吸收體圖案，其以特定之圖案形狀形成於上述緩衝層上，且包含可吸收軟X線之材料。
上述緩衝層亦被稱為保護膜。於形成上述吸收體圖案時，介隔光阻劑對吸收體膜之一部分進行蝕刻加工，但為期待吸收體圖案完全形成，而實施若干之過蝕刻，故而吸收體膜下面之膜亦受到蝕刻。此時為了防止吸收體膜下面之多層反射膜受到損傷而設置保護膜。
關於該保護膜，進而就抑制多層反射膜表層之Si層與保護膜之間之擴散層形成(導致多層反射膜之反射率減少)之觀點而言，提出有包含Ru中添加Zr或B而成之Ru合金的保護膜(專利文獻2)。
進而，於製造光罩基底或鏡時所實施之步驟或由該光罩基底製造光罩時所實施之步驟(例如，洗淨、缺陷檢查、加熱步驟、乾式蝕刻、缺陷修正之各步驟)中，或者於EUV曝光時，因保護膜、進而多層反射膜之最上層(於Mo/Si多層反射膜之情形時為Si層)被氧化導致EUV光線反射率降低，為了解決該問題而提出於Mo/Si多層反射膜、與Ru保護膜之間形成含有特定量Si及O之中間層(專利文獻3)。
再者，於專利文獻4中揭示有一種反射型光罩基底，其特徵在於：其係具有基板、形成於該基板上且反射曝光光之多層反射膜、形成於該多層反射膜上且保護該多層反射膜之保護膜、及形成於該保護膜上且吸收曝光光之吸收體膜者，且上述保護膜包含釕(Ru)、或含有釕(Ru)與選自鉬(Mo)、鈮(Nb)、鋯(Zr)、釔(Y)、硼(B)、鈦(Ti)、鑭(La)中之至少1種之釕化合物，於上述多層反射膜與上述保護膜之間設置有包含折射率(n)大於0.90且消光係數(k)小於-0.020之材料的熱擴散抑制膜。
於該文獻中進而記載有如下情形：亦可為了降低上述多層反射膜之膜應力等而於50℃以上且150℃以下實施加熱處理；以及於實施例中實施如此之加熱處理後，藉由穿透式電子顯微鏡來觀察多層反射膜之最上層之Si膜、熱擴散抑制膜及RuNb保護膜之各界面，最終於任一界面均未確認到擴散層。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2002-122981號公報
[專利文獻2]日本專利特開2008-016821號公報
[專利文獻3]WO2011/068223號手冊
[專利文獻4]日本專利特開2006-332153號公報
且說，於利用EUV微影之半導體裝置製造中，該微影係於高真空下進行，且於EUV光照射時或EUV光照射後，存在碳等雜質析出至上述反射型光罩上之情形。因此，必須於微影結束後將反射型光罩洗淨。而且，通常反射型光罩係反覆使用，故亦反覆進行光罩洗淨。
因此，對反射型光罩要求具備充分之耐洗淨性。於反射型光罩 中，在未形成吸收體膜圖案之部分形成有保護膜，故而要求吸收體膜圖案及保護膜兩者具備耐洗淨性。
然而，根據本發明者之研究，已判明於上述專利文獻1~4中所揭示之先前構成之反射型光罩中，若複數次地利用通常之RCA洗淨進行光罩洗淨，則產生露出之反射區域之多層反射膜上之Ru系保護膜之膜剝離。此情況係取決於以下之原因。即，若為專利文獻1或2般之構成，則Si隨著時間經過而自多層反射膜之Si層朝向Ru系保護膜地於Ru系保護膜之晶界之間移動擴散(而且形成矽化釕(RuSi))，到達Ru系保護膜之表層，且因洗淨液或氣體而受到氧化反應，產生SiO2，或者於保護膜不緻密之情形時，洗淨液或氣體浸透至保護膜內，於保護膜內產生SiO2。繼而，因Ru與SiO2之密接性較低，故而該等剝離。
關於專利文獻3及4之構成，亦可認為由於中間層(熱擴散抑制膜)與Ru保護膜之間之密接性較低乃至不充分，故而因反覆洗淨導致產生Ru保護膜之剝離。
若產生此種膜剝離，則成為新發塵之原因，或者招致反射率之不均勻性，因此，於對半導體基板上進行圖案轉印時，存在無法準確地轉印圖案之虞，此情況成為重大之問題。
因此，本發明之目的在於：第1，提供一種給予獲得高反射率且耐洗淨性優異之反射型光罩的附多層反射膜之基板，第2，提供一種使用該附多層反射膜之基板所製造之EUV微影用反射型光罩基底、例如由該光罩基底而獲得之EUV微影用反射型光罩及其製造方法、以及利用該反射型光罩之半導體裝置之製造方法。
本發明者為了解決上述課題而進行研究，由於難以抑制Si與氣體或洗淨液接觸後被氧化而形成SiO2之情況，故而認為抑制Si向Ru系保護膜擴散尤為重要。
而且，實際研究之結果發現：於多層反射膜與Ru系保護膜之間設置抑制此種Si向Ru系保護膜擴散之阻擋層，且使作為多層反射膜之與基板為相反側之表面層的Si之至少一部分擴散至該阻擋層，藉此，獲得抑制Ru系保護膜之剝離且亦對反覆洗淨具有充分耐受性的EUV微影用反射型光罩，最終完成本發明。
即，為解決上述課題，本發明具有以下構成。
(構成1)
一種附多層反射膜之基板，其具有：基板；多層反射膜，其形成於該基板上，且將包含作為高折射率材料之Si之層與包含低折射率材料之層週期性地積層複數層而成；及Ru系保護膜，其形成於該多層反射膜上，保護上述多層反射膜；且上述多層反射膜之與基板為相反側之表面層係上述包含Si之層，進而，於上述多層反射膜與上述Ru系保護膜之間具有阻礙Si朝向Ru系保護膜移行之阻擋層，且上述Si之至少一部分擴散至上述阻擋層。
如上述構成1所述，於具有使用作為高折射率材料之Si之多層反射膜的附多層反射膜之基板中，藉由如下構成而防止Si朝向Ru系保護膜移行，從而抑制氧化矽(SiO2等)之形成，該構成係將多層反射膜之最表面設為包含Si之層，且於其上形成Ru系保護膜，進而於多層反射膜與上述Ru系保護膜之間形成阻礙Si朝向Ru系保護膜移行之阻擋層，且使Si擴散至阻擋層。藉此，獲得用以製造耐洗淨性優異之EUV微影用反射型光罩之母板即附多層反射膜之基板。
(構成2)
如構成1之附多層反射膜之基板，其中上述阻擋層包含選自由選自Ti、Al、Ni、Pt、Pd、W、Mo、Co、Cu中之至少一種金屬及兩種以上金屬之合金、該等之氮化物、該等之矽化物以及該等之矽氮化物所組成之群中的至少一種。
如上述構成2所述，具體而言，上述阻擋層較佳為包含選自由選自Ti、Al、Ni、Pt、Pd、W、Mo、Co、Cu中之至少一種金屬及兩種以上金屬之合金、該等之氮化物、該等之矽化物以及該等之矽氮化物所組成之群中的至少一種。
(構成3)
如構成2之附多層反射膜之基板，其中於作為上述多層反射膜之與基板為相反側之表面層且包含Si之層與上述阻擋層之間，存在構成上述阻擋層之金屬成分之含量朝向上述基板連續性減少之傾斜區域。
如上述構成3所述，因於構成多層反射膜之最表面層且包含Si之層與上述阻擋層之間，存在構成上述阻擋層之金屬成分之含量朝向上述基板連續性減少之傾斜區域，故由附多層反射膜之基板所獲得之反射型光罩之耐洗淨性進而提昇，故而較佳。
(構成4)
如構成1至3中任一項之附多層反射膜之基板，其中上述低折射率材料係Mo。
如上述構成4所述，為達成對於EUV光之良好反射率，作為構成多層反射膜且包含低折射率材料之層中之該材料而言，較佳為Mo。
(構成5)
如構成1至4中任一項之附多層反射膜之基板，其中上述阻擋層之厚度為0.2~2.0nm。
如上述構成5所述，上述阻擋層存在使多層反射膜之反射率若干地降低之情形，故其厚度較佳為0.2~2.0nm。
(構成6)
如構成1至5中任一項之附多層反射膜之基板，其中上述阻擋層包含選自由鈦(Ti)、鈦之氮化物(TiNx(x>0))、鈦之矽化物(TiSix(x>0))及鈦之矽氮化物(TixSiyNz(x>0、y>0、z>0))所組成之群中之至少一 種。
如上述構成6所述，根據給予具有優異耐洗淨性之EUV微影用反射型光罩之觀點，上述阻擋層較佳為包含選自由鈦(Ti)、鈦之氮化物(TiNx(x>0))、鈦之矽化物(TiSix(x>0))及鈦之矽氮化物(TixSiyNz(x>0、y>0、z>0))所組成之群中之至少一種。
(構成7)
一種EUV微影用反射型光罩基底，其具有如構成1至6中任一項之附多層反射膜之基板、及形成於該附多層反射膜之基板中之Ru系保護膜上且吸收EUV光之吸收體膜。
如上述構成7所述，本發明之EUV微影用反射型光罩基底係於本發明之附多層反射膜之基板之Ru系保護膜上具有吸收EUV光之吸收體膜的構成。根據上述構成7，獲得作為用以製造可獲得高反射率、且耐洗淨性優異之EUV微影用反射型光罩之母板的EUV微影用反射型光罩基底。
(構成8)
如構成7之EUV微影用反射型光罩基底，其中於上述吸收體膜上更具有光阻劑膜。
如上述構成8所述，於本發明之EUV微影用反射型光罩基底中亦包含於上述吸收體膜上更具有光阻劑膜之態樣。
(構成9)
一種附多層反射膜之基板之製造方法，其係如下附多層反射膜之基板之製造方法，該附多層反射膜之基板具有：基板；多層反射膜，其形成於該基板上，且將包含作為高折射率材料之Si之層與包含低折射率材料之層週期性地積層複數層而成；及Ru系保護膜，其形成於該多層反射膜上，保護上述多層反射膜；且上述多層反射膜之與基板為相反側之表面層係上述包含Si之層，進而，於上述多層反射膜 與上述Ru系保護膜之間具有阻礙Si朝向Ru系保護膜移行之阻擋層，且上述Si之至少一部分擴散至上述阻擋層，且，該附多層反射膜之基板之製造方法包括如下步驟：於上述基板上形成上述多層反射膜；於作為上述多層反射膜之與基板為相反側之表面層且包含Si之層上，形成阻礙Si朝向Ru系保護膜移行之阻擋層；及於上述阻擋層上形成上述Ru系保護膜；更包括於形成上述阻擋層後，以使上述多層反射膜之Si之至少一部分擴散至該阻擋層之溫度條件進行加熱處理的步驟。
根據上述構成9之附多層反射膜之基板之製造方法，與上述構成3同樣地，獲得用於製造獲得高反射率且耐洗淨性優異之EUV微影用反射型光罩之母板即附多層反射膜之基板。
(構成10)
一種EUV微影用反射型光罩基底之製造方法，其包括如下步驟：於藉由如構成9之附多層反射膜之基板之製造方法而獲得的附多層反射膜之基板之Ru系保護膜上，形成吸收體膜。
如上述構成10所述，本發明之EUV微影用反射型光罩基底可藉由於本發明之附多層反射膜之基板之Ru系保護膜上形成吸收EUV光之吸收體膜而製造。該反射型光罩基底可製成用以製造獲得高反射率且耐洗淨性亦優異之EUV微影用反射型光罩之母板。
(構成11)
一種EUV微影用反射型光罩之製造方法，其包括如下步驟：將如構成8之EUV微影用反射型光罩基底中之吸收體膜介隔上述光阻劑膜進行圖案化，於上述Ru系保護膜上形成吸收體膜圖案。
如上述構成11所述，藉由將本發明之EUV微影用反射型光罩基底中之吸收體膜介隔上述光阻劑膜進行圖案化而於上述Ru系保護膜上 形成吸收體膜圖案，且藉由實施此種步驟而獲得耐洗淨性優異之本發明之EUV微影用反射型光罩。
(構成12)
一種EUV微影用反射型光罩，其具有如構成1至6中任一項之附多層反射膜之基板、及形成於該附多層反射膜之基板中之Ru系保護膜上且吸收EUV光之吸收體膜圖案。
如上述構成12所述，本發明之EUV微影用反射型光罩之構成係具有本發明之附多層反射膜之基板、及形成於該附多層反射膜之基板中之Ru系保護膜上且吸收EUV光之吸收體膜圖案者。
(構成13)
一種半導體裝置之製造方法，其包括如下步驟：使用藉由如構成11之EUV微影用反射型光罩之製造方法而獲得的EUV微影用反射型光罩、或如構成12之EUV微影用反射型光罩，於半導體基板上形成轉印圖案。
如上述構成13所述，藉由使用藉由本發明之EUV微影用反射型光罩之製造方法而獲得的EUV微影用反射型光罩、或本發明之EUV微影用反射型光罩，於半導體基板上形成轉印圖案，且經由其他各種步驟，便可製造各種半導體裝置。
根據本發明，提供一種給予獲得高反射率且耐洗淨性優異之反射型光罩的附多層反射膜之基板，進而，提供一種使用該附多層反射膜之基板所製造之EUV微影用反射型光罩基底、例如由該光罩基底所獲得之EUV微影用反射型光罩及其製造方法、以及利用該反射型光罩之半導體裝置之製造方法。
10‧‧‧附多層反射膜之基板
12‧‧‧基板
14‧‧‧多層反射膜
16‧‧‧阻擋層
18‧‧‧Ru系保護膜
20‧‧‧吸收體膜
20a‧‧‧吸收體膜圖案
22‧‧‧光阻劑膜
22a‧‧‧光阻劑圖案
30‧‧‧EUV微影用反射型光罩基底
40‧‧‧EUV微影用反射型光罩
50‧‧‧圖案轉印裝置
52‧‧‧雷射電漿X線源
54‧‧‧縮小光學系統
56‧‧‧附光阻劑之半導體基板
61‧‧‧靶材
62‧‧‧透鏡
63‧‧‧雷射光源
64‧‧‧鏡
圖1係表示本發明之附多層反射膜之基板之剖面的模式圖。
圖2係表示本發明之EUV微影用反射型光罩基底之剖面的模式圖。
圖3(a)~(e)係表示本發明之EUV微影用反射型光罩之製造方法的模式圖。
圖4係表示藉由圖案轉印裝置而將圖案轉印至附光阻劑之半導體基板之步驟的模式圖。
以下，對本發明詳細地進行說明。再者，於本說明書中，膜上等處所提及之「上」係於不僅限於與該膜等之上表面接觸地形成之情形，而且亦包含隔開地形成於上方之情形，亦以包含在膜與膜之間存在介置層之情形在內之意思使用。
[附多層反射膜之基板]
圖1係表示本發明之附多層反射膜之基板之剖面的模式圖。該附多層反射膜之基板10係採用如下構成：於基板12之上具備反射作為曝光光之EUV光的多層反射膜14、及設置於該多層反射膜14上之用以保護該多層反射膜14之Ru系保護膜18，進而於上述多層反射膜14與Ru系保護膜18之間具有阻礙Si朝向Ru系保護膜18擴散之阻擋層16。
<基板12>
作為本發明之附多層反射膜之基板10中使用之基板12，於EUV曝光之情形時，為防止因曝光時之熱所致之吸收體膜圖案之變形，而較佳地使用具有0±5ppb/℃之範圍內之低熱膨脹係數者。作為具有該範圍之低熱膨脹係數之素材，例如可使用SiO2-TiO2系玻璃、及多成分系玻璃陶瓷等。
基板12之形成轉印圖案(下述吸收體膜構成該轉印圖案)之側之主表面係根據至少獲得圖案轉印精度、位置精度之觀點，而以達到高平坦度的方式進行表面加工。例如，於EUV曝光之情形時，於基板12之 形成轉印圖案之側之主表面之132mm×132mm之區域內，平坦度較佳為0.1μm以下，更佳為0.05μm以下，尤佳為0.03μm以下。又，與形成轉印圖案之側為相反側之主表面係於設置於曝光裝置時受到靜電吸附之面，且於該主表面之142mm×142mm之區域內，平坦度為1μm以下，更佳為0.5μm以下，尤佳為0.03μm以下。再者，於本說明書中，平坦度係以TIR(Total Indicated Reading，總指針讀數)表示之表面之翹曲(變形量)之值，且係將以基板表面為基準利用最小平方法規定之平面設為焦平面而相較該焦平面位於上方之基板表面之最高位置、與相較焦平面位於下方之基板表面之最低之位置的高低差之絕對值。
又，於EUV曝光之情形時，作為基板12所要求之表面平滑度係基板12之形成轉印圖案之側之主表面之表面粗糙度以均方根粗糙度(RMS)計較佳為0.1nm以下。再者，表面平滑度可以原子力顯微鏡進行測定。
進而，作為基板12，為防止因形成於該基板12上之膜(多層反射膜14等)之膜應力所致之變形，較佳為具有較高之剛性者。尤佳為具有65GPa以上之較高楊氏模數之基板。
<多層反射膜14>
於本發明之附多層反射膜之基板10中，在以上說明之基板12之上形成有多層反射膜14。該多層反射膜14係對EUV微影用反射型光罩賦予反射EUV光之功能者，且採用將折射率不同之元素週期性地積層而成之多層膜之構成。
通常，作為高折射率材料之輕元素或其化合物之薄膜(高折射率層)、與作為低折射率材料之重元素或其化合物之薄膜(低折射率層)交替地積層40~60週期左右而成的多層膜被用作上述多層反射膜14。多層膜既可為將自基板12側依序積層高折射率層與低折射率層而成之高 折射率層/低折射率層之積層結構設為1週期而積層複數週期者，亦可為將自基板12側依序積層低折射率層與高折射率層而成之低折射率層/高折射率層之積層結構設為1週期而積層複數週期者。
再者，多層反射膜14之最表面之層、即多層反射膜14之與基板12為相反側之表面層係高折射率層。於上述多層膜中，於將自基板12側依序積層高折射率層與低折射率層而成之高折射率層/低折射率層之積層結構設為1週期而積層複數週期之情形時，最上層成為低折射率層。若低折射率層構成多層反射膜14之最表面，則其容易被氧化導致反射型光罩之反射率減少，故而於最上層之低折射率層上形成高折射率層而製成多層反射膜14。又，於上述多層膜中，於將自基板12側依序積層低折射率層與高折射率層而成之低折射率層/高折射率層之積層結構設為1週期而積層複數週期之情形時，最上層成為高折射率層，因此，於該情形時，最上層之高折射率層成為多層反射膜14之最表面。
於本發明中，作為上述高折射率層，採用包含Si之層。作為包含Si之材料，除Si單質以外，亦可列舉Si中包含B、C、N、O之Si化合物。藉由將包含Si之層用作高折射率層，而獲得EUV光之反射率優異之EUV微影用反射型光罩。又，於本發明中，較佳地使用玻璃基板作為基板12，故而Si與該基板12之密接性亦優異。
又，作為上述低折射率材料，使用選自Mo、Ru、Rh、及Pt中之元素或該等之合金。例如作為針對波長13~14nm之EUV光之多層反射膜14，較佳為使用將Mo膜與Si膜交替地積層40~60週期左右而成之Mo/Si週期積層膜。
如此之多層反射膜14之單獨之反射率通常為65%以上，且上限通常為73%。再者，多層反射膜14之各構成層之厚度、週期根據曝光波長適當選擇即可，而且以滿足布勒格定律之方式進行選擇。
又，於多層反射膜14中分別存在複數層高折射率層及低折射率層，但高折射率層彼此、及低折射率層彼此之厚度亦可不同。又，多層反射膜14之最表面之Si層之膜厚可於不使反射率降低之範圍內調整。最表面之Si層之膜厚可設為3~10nm。
多層反射膜14之形成方法係於該技術領域中為公知，但可藉由利用例如離子束濺鍍法將各層成膜而形成。於上述Mo/Si週期多層膜之情形時，利用例如離子束濺鍍法，首先使用Si靶材於基板12上成膜厚度4nm左右之Si膜，其後使用Mo靶材成膜厚度3nm左右之Mo膜，且以此為一週期積層40~60週期，形成多層反射膜14(最表面之層設為Si膜)。
<阻擋層16>
先前之反射型光罩係於多層反射膜上設置保護膜，且根據抑制Si層與保護膜之間之擴散層形成之觀點，而提出包含Ru中添加Zr或B之Ru合金之保護膜。然而，即便如此，Si之擴散抑制亦不充分，Si將擴散至Ru系保護膜，受到氧化而形成氧化矽(SiO2等)，且經受反射型光罩之製造步驟或作為製品完成後之使用中的反覆洗淨，藉此，產生膜剝離。或者，提出於Mo/Si多層反射膜與Ru系保護膜之間形成含有特定量Si及O之中間層或熱擴散抑制膜，但因中間層或熱擴散防止膜之材料，而導致此種層與Ru系保護膜之密接性不充分，故而於該等之接合部產生膜剝離。
由於極難避免如上所述Si受到氧化或氧化矽(SiO2等)與Ru系保護膜之密接性不充分，因此，於本發明中採用阻礙Si移行至Ru系保護膜之阻擋層。而且，就該阻擋層而言，設為使上述多層反射膜之Si之至少一部分擴散至阻擋層之狀態。
可藉由設為如此之構成，而阻止Si之移行。藉此，可防止Si朝向Ru系保護膜擴散而與氣體或洗淨液接觸產生氧化矽(SiO2等)從而產生 膜剝離之情形，藉此獲得具有高反射率及優異之耐洗淨性之反射型光罩。而且，藉由設為上述構成，而獲得無論經過其後所進行之任何熱歷程亦維持高反射率且具有優異之耐洗淨性的反射型光罩。
阻擋層16係設置於多層反射膜14與下述Ru系保護膜18之間。阻擋層16只要可阻礙Si朝向Ru系保護膜18移行則其構成物質並無特別限定，例如，作為上述構成物質，可列舉：選自Ti、Al、Ni、Pt、Pd、W、Mo、Co、Cu中之至少一種金屬及兩種以上金屬之合金、該等之氮化物、該等之矽化物以及該等之矽氮化物。阻擋層16既可包含該等構成物質中之1種，亦可包含複數種物質。所謂上述氮化物係TiN等金屬之氮化物、或TiAlN等合金之氮化物。關於矽化物及矽氮化物亦情況相同。
而且於本發明中，於形成包含該等物質之阻擋層16後，以使多層反射膜14之Si之至少一部分擴散至上述層16之溫度條件進行加熱處理。
藉由該加熱而使Si朝向阻擋層16擴散，但由於構成該層16之各種金屬單質、合金、或各種金屬、合金之化合物與上述Si形成牢固之矽化物，故而Si於自多層反射膜14朝向Ru系保護膜18移行之前擴散至阻擋層16，於阻擋層16中形成牢固之矽化物而被捕獲。
若以此種方式暫時於阻擋層16中形成矽化物，則Si已無法穿過阻擋層16朝向Ru系保護膜18移行，從而Ru系保護膜18之膜剝離得到抑制。進而，上述矽化物係與含有特定量上述Si及O之中間層或熱擴散抑制膜相比，與Ru系保護膜18之密接性亦優異，故而亦抑制因密接性不足所致之膜剝離。
根據此種矽化物形成以及與Ru系保護膜18之良好之密接性之觀點，阻擋層16較佳為包含選自由鈦(Ti)、鈦之氮化物(TiNx(x>0))、鈦之矽化物(TiSix(x>0))及鈦之矽氮化物(TixSiyNz(x>0、y>0、z>0)) 所組成之群中之至少一種。
又，阻擋層16之厚度只要藉由上述特定之溫度條件下之加熱而形成可充分防止自多層反射膜14移行而來之Si朝向Ru系保護膜18移行之程度之矽化物，則並無特別限定。再者，阻擋層16係與Ru系保護膜18等相比EUV光之透過率相對較低，故而若厚度過大，則存在導致反射型光罩之反射率降低之可能性。因此，阻擋層16之厚度較佳為設為0.2~2.0nm，更佳為0.5~1.5nm。
此種阻擋層16可藉由可形成構成其之物質之薄膜的公知之各種方法而形成，作為該方法，例如可列舉：離子束濺鍍法、濺鍍法、反應性濺鍍法、氣相沈積法(CVD)、真空蒸鍍法。
而且，於形成阻擋層16後，如上所述以使多層反射膜14之Si擴散至阻擋層16之溫度條件進行加熱處理。為了形成阻止Si自多層反射膜14朝向Ru系保護膜18移行所充分之矽化物，而於該加熱處理中，以高於EUV微影用反射型光罩基底之製造步驟中之光阻劑膜之預烤溫度(110℃左右)的溫度進行加熱。較佳為以高於專利文獻4中揭示之用以降低多層反射膜之膜應力等之加熱(50~150℃左右)的溫度進行加熱。具體而言，加熱處理之溫度條件通常為160℃以上且300℃以下，較佳為設為180℃以上且250℃以下。
使多層反射膜14之Si擴散至阻擋層16之加熱處理步驟既可於在多層反射膜14上形成阻擋層16之後且形成Ru系保護膜18之前進行，亦可於在多層反射膜14上形成阻擋層16與Ru系保護膜18之後且形成吸收體膜20之前進行。
於前者之情形時，可獲得如下附多層反射膜之基板10：於作為多層反射膜14之與基板12為相反側之表面層且包含Si之層與阻擋層16之間，存在構成阻擋層16之金屬成分之含量朝向基板12連續性減少之組成傾斜區域。
又，於後者之情形時，可獲得如下附多層反射膜之基板10：不僅存在前者之組成傾斜區域，而且構成阻擋層16之金屬之至少一部分擴散至Ru系保護膜18，進而於阻擋層16與Ru系保護膜18之間，存在構成阻擋層16之金屬成分之含量朝向Ru系保護膜18連續性減少之組成傾斜區域。
如此，可認為於進行加熱處理之前，阻擋層16與多層反射膜14之邊界(上述後者之情形時進而為阻擋層16與Ru系保護膜18之邊界)較為清晰，但可認為藉由加熱處理而引起上述Si之擴散，形成組成傾斜區域，從而上述邊界變得不清晰。再者，於形成Ru系保護膜18之前或後進行加熱處理之兩者之情形時，均藉由於阻擋層16中形成牢固之矽化物而獲得使由本發明之附多層反射膜之基板10所得之反射型光罩之耐洗淨性提昇的效果。
<Ru系保護膜18>
於上述中所形成之阻擋層16上，為保護多層反射膜14不受下述之EUV微影用反射型光罩之製造步驟中之乾式蝕刻或洗淨影響而形成Ru系保護膜18，藉此，完成附多層反射膜之基板10。
Ru系保護膜18係包含含有Ru之物質，且作為具體之Ru系保護膜18之構成材料，可列舉：Ru及其合金材料、或該等中包含N、C、O之元素之Ru化合物。作為Ru之合金，較佳為具有Ru、與選自由Nb、Zr、Rh、Ti、Co及Re所組成之群中之至少1種金屬元素的Ru化合物。作為此種合金，具體而言可列舉：RuNb合金、RuZr合金、RuRh合金、RuTi合金、RuCo合金及RuRe合金。又，亦可設為如下者：將Ru系保護膜18設為3層以上之積層結構，將最下層與最上層設為包含含有上述Ru之物質之層，且使Ru以外之金屬或合金介置於上述最下層與上述最上層之間。
如此之包含Ru或其合金等之Ru系保護膜18之厚度只要可發揮其 作為保護膜之功能則並無特別限制，根據EUV光之透過率(入射之EUV光穿透Ru系保護膜18且被多層反射膜14反射，繼而，使反射光穿透Ru系保護膜18而出射)之觀點，上述厚度較佳為1.2~8.5nm，更佳為1.5~8nm，更佳為1.5~6nm。
進而，根據提昇由附多層反射膜之基板10所獲得之反射型光罩之耐洗淨性之觀點，較佳為於利用X線繞射法之In-Plane測定法測定上述Ru系保護膜18時，繞射線峰值主要為(100)及(110)，即Ru系保護膜18主要於(001)面具有配向面。
再者，於本發明中，所謂「繞射線峰值主要為(100)及(110)」係指於以X線繞射法之In-Plane測定法進行測定時，繞射線峰值為(100)及(110)，且不具有其他繞射線峰值、例如(102)、(103)、(112)等，或者上述其他繞射線峰值充分低之狀態。再者，將繞射線峰值除(100)及(110)以外具有(102)、(103)、(112)等之狀態定義為無規配向。又，所謂「繞射線峰值主要為(100)及(110)」係指亦包含具有(100)、(110)之2次繞射((200)、(220))、或3次繞射((300)、(330))等高階繞射線峰值之情形者。
於對Ru系保護膜18進行In-Plane測定之情形時，當繞射線峰值主要為(100)及(110)時，Ru系保護膜18之粒子之(001)面於基板12之水平方向上整齊地沈積於阻擋層16上，故而，來自多層反射膜14之Si層之Si擴散、及洗淨液或氣體對Ru系保護膜18內之浸透得到抑制，從而反射型光罩之耐洗淨性進一步提昇。另一方面，於無規配向之情形時，Ru系保護膜18之結晶粒子之配向以無規之狀態沈積於阻擋層16上，故而，存在難以獲得因Ru系保護膜18之配向所得之耐洗淨性提昇效果的傾向。
於本發明中，作為Ru系保護膜18之形成方法，可無特別限制地採用與先前公知之保護膜之形成方法同樣者。作為此種形成方法之 例，可列舉濺鍍法及離子束濺鍍法。
如上所述於對Ru系保護膜18進行In-Plane測定之情形時，為了使繞射線峰值主要為(100)及(110)、即主要於(001)面具有配向面，而以形成Ru系保護膜18之濺鍍粒子相對於基板12之主表面之法線的入射角度成為0度以上且45度以下、較佳為0度以上且35度以下、更佳為20度以上且30度以下之方式進行濺鍍成膜。Ru系保護膜18較佳為藉由離子束濺鍍法進行成膜。
如以上說明所述，本發明之附多層反射膜之基板10具有基板12、多層反射膜14、阻擋層16及Ru系保護膜18。於該附多層反射膜之基板10中藉由阻擋層16而抑制Ru系保護膜18之膜剝離，從而一面達成高反射率、具體而言對於波長13.5nm之EUV光達成63%以上之反射率，一面亦具有優異之耐洗淨性。
進而，上述附多層反射膜之基板10亦可於基板12之與形成有多層反射膜14之側為相反側之主表面上具有背面導電膜。背面導電膜係以如下目的而形成：使製造光罩基底時用作附多層反射膜之基板10之支持機構之靜電吸盤、或下述本發明之EUV微影用反射型光罩基底之圖案製程時或曝光時用作光罩處理之支持機構之靜電吸盤吸附附多層反射膜之基板10或光罩基底。又，背面導電膜亦以多層反射膜14之應力修正之目的而形成。
又，於本發明之附多層反射膜之基板10中，亦可在基板12與多層反射膜14之間形成基底膜。基底膜係以基板12之表面之平滑性提昇之目的、缺陷降低之目的、多層反射膜14之反射增強效果之目的、電子束繪圖時之防充電之目的、以及多層反射膜14之應力修正之目的而形成。
又，於本發明之附多層反射膜之基板10亦包含如下態樣：於在多層反射膜14或Ru系保護膜18上，利用光微影形成成為基板12或附 多層反射膜之基板10之缺陷存在位置之基準的基準標記之情形時，於多層反射膜14或Ru系保護膜18上形成光阻劑膜。
[EUV微影用反射型光罩基底]
圖2係表示本發明之EUV微影用反射型光罩基底30之剖面之模式圖。藉由於上述本發明之附多層反射膜之基板10之Ru系保護膜18上形成吸收EUV光之吸收體膜20，而獲得本發明之光罩基底30。
吸收體膜20係具有吸收作為曝光光之EUV光之功能者，且於使用EUV微影用反射型光罩基底30所製作之EUV微影用反射型光罩(詳細情況下述)，在上述多層反射膜14、阻擋層16、Ru系保護膜18形成之反射光、與吸收體膜圖案形成之反射光之間具有所需之反射率差即可。
例如，吸收體膜20對於EUV光之反射率係於0.1%以上且40%以下之間選定。又，除上述反射率差以外，亦可於上述多層反射膜14、阻擋層16、Ru系保護膜18形成之反射光、與吸收體膜圖案形成之反射光之間存在所需之相位差。再者，於此種反射光間存在所需之相位差之情形時，存在將EUV微影用反射型光罩基底30中之吸收體膜20稱為相位偏移膜之情形。於在上述反射光間設置所需之相位差，提昇所得之反射型光罩之反射光之對比度的情形時，相位差較佳為設定為180度±10度之範圍，且吸收體膜之反射率較佳為設定為3%以上且40%以下。
上述吸收體膜20可為單層亦可為積層結構。於積層結構之情形時，可為同一材料之積層膜、異種材料之積層膜之任一者。積層膜可設為材料或組成於膜厚方向上階段性及/或連續性變化者。
藉由對此種吸收體膜2介隔光阻劑實施乾式蝕刻而獲得特定之吸收體膜圖案，從而獲得具有反射光(於本發明中為EUV光)之部分(露出Ru系保護膜18以及其下之阻擋層16及多層反射膜14之部分)及吸收光 之部分(吸收體膜圖案)的EUV微影用反射型光罩。
只要具有吸收EUV光之功能，且可藉由蝕刻等而去除(較佳為可藉由氯(Cl)或氟(F)系氣體之乾式蝕刻進行蝕刻)，則吸收體膜20之材料並無特別限定。作為具有此種功能者，可較佳地使用鉭(Ta)單質或包含Ta作為主成分之鉭化合物。
包含此種鉭或鉭化合物之吸收體膜20可利用DC(Direct Current，直流)濺鍍法或RF(Radio Frequency，射頻)濺鍍法等濺鍍法等公知之方法形成。例如，可使用包含鉭與硼之靶材，藉由使用添加氧或氮而成之氬氣的濺鍍法，而於Ru系保護膜18上成膜吸收體膜20。
上述鉭化合物通常為Ta之合金。此種吸收體膜20之結晶狀態根據平滑性及平坦性之觀點，較佳為非晶狀或微晶之結構。若吸收體膜20表面並非平滑、平坦，則存在吸收體膜圖案之邊緣粗糙度變大，圖案之尺寸精度變差之情形。吸收體膜20之較佳之表面粗糙度為0.5nmRms以下，更佳為0.4nmRms以下，更佳為0.3nmRms以下。
作為上述鉭化合物，可使用包含Ta與B之化合物、包含Ta與N之化合物、包含Ta、O及N之化合物、包含Ta與B且更包含O與N之至少任一者之化合物、包含Ta與Si之化合物、包含Ta、Si及N之化合物、包含Ta與Ge之化合物、以及包含Ta、Ge及N之化合物等。
Ta係EUV光之吸收係數較大且可容易利用氯系氣體或氟系氣體進行乾式蝕刻之材料，故而係加工性優異之吸收體膜材料。進而可藉由對Ta中添加B或Si、Ge等，而容易獲得非晶狀之材料，從而提昇吸收體膜20之平滑性。又，若對Ta中添加N或O，則吸收體膜20對於氧化之耐受性提昇，故而獲得可提昇經時穩定性之效果。
另一方面，可藉由調整吸收體膜20之成膜時之基板加熱溫度、或成膜時之濺鍍氣體壓力而使吸收體膜材料微晶化。
又，作為構成吸收體膜20之材料，除了可列舉鉭或鉭化合物以 外，還可列舉WN、TiN、Ti等材料。
以上說明之吸收體膜20若對於曝光光之波長而言，吸收係數為0.025以上、進而為0.030以上，則於可減小吸收體膜20之膜厚之方面較佳。
再者，吸收體膜20之膜厚為可充分地吸收作為曝光光之EUV光之厚度即可，但通常為30~100nm左右。
又，於本發明之EUV微影用反射型光罩基底30中亦包含於上述吸收體膜20上形成用以利用乾式蝕刻形成圖案之光阻劑膜22之態樣。
又，於本發明之EUV微影用反射型光罩基底30中亦包含於上述吸收體膜20與光阻劑膜22之間形成硬質遮罩膜之態樣。硬質遮罩膜係於將吸收體膜20圖案化時具有遮罩功能者，且包含蝕刻選擇性不同於吸收體膜20之材料。於吸收體膜20包含鉭或鉭化合物之情形時，硬質遮罩膜可選擇鉻或鉻化合物等材料。作為鉻化合物，可列舉：包含Cr與選自N、O、C、H中之至少一種元素之材料。
再者，於附多層反射膜之基板10中，於基板12之與對向於多層反射膜14之面為相反側之面，如上所述出於靜電吸附之目的而可形成背面導電膜。對背面導電膜所要求之電氣特性通常為100Ω/□以下。背面導電膜之形成方法係公知者，例如可藉由磁控濺鍍法或離子束濺鍍法而使用鉻(Cr)、鉭(Ta)等金屬或合金之靶材而形成。背面導電膜之厚度只要達成上述目的則並無特別限定，但通常為10~200nm。
如以下說明所述，對本發明之EUV微影用反射型光罩基底30進一步進行加工而獲得EUV微影用反射型光罩，但通常對該反射型光罩進行圖案之檢查、修正。亦於將EUV光適用於曝光光之反射型光罩之情形時，作為進行圖案檢查時之檢查光，大多使用波長193nm、257nm等與EUV光相比為長波長之光。必須使吸收體膜20之表面反射減少， 以對應於長波長之檢查光。在該情形時，將吸收體膜20設為如下構成即可：自基板12側積層主要具有吸收EUV光之功能之吸收體層、與主要具有減少對檢查光之表面反射之功能之低反射層。作為低反射層，於吸收體層為以Ta為主成分之材料之情形時，較佳為Ta或TaB中添加O而成之材料。
[EUV微影用反射型光罩]
可使用以上說明之本發明之EUV微影用反射型光罩基底30，製造本發明之EUV微影用反射型光罩。於製造本發明之EUV微影用反射型光罩時，最佳為可進行高精細之圖案化之光微影法。
以下，對利用光微影法介隔光阻劑膜將EUV微影用反射型光罩基底30中之吸收體膜20圖案化而製造本發明之EUV微影用反射型光罩的方法進行說明。又，將該方法之模式圖示於圖3。於圖3中，對於同一之構成，對一個構成表示符號，而對其他同一之構成省略標註符號。
首先，於依序形成有基板12、多層反射膜14、阻擋層16、Ru系保護膜18及吸收體膜20之光罩基底30(圖3(a))之吸收體膜20上形成光阻劑膜22(圖3(b))。形成有光阻劑膜22者亦為本發明之EUV微影用反射型光罩基底30，故而亦可自此處開始。對該光阻劑膜22描繪(曝光)所需之圖案，進而進行顯影、沖洗，藉此形成特定之光阻劑圖案22a(圖3(c))。
將該光阻劑圖案22a用作光罩，實施蝕刻氣體之乾式蝕刻，藉此，將未由吸收體膜20之光阻劑圖案22a被覆之部分進行蝕刻，於Ru系保護膜18上形成吸收體膜圖案20a(圖3(d))。
再者，作為上述蝕刻氣體，可列舉：Cl2、SiCl4、CHCl3、CCl4等氯系氣體；以特定之比率包含該等氯系氣體及O2之混合氣體；以特定之比率包含氯系氣體及He之混合氣體；以特定之比率包含氯系氣體及Ar之混合氣體；CF4、CHF3、C2F6、C3F6、C4F6、C4F8、CH2F2、 CH3F、C3F8、SF6、F等氟系氣體；以特定之比率包含該等氟系氣體及O2之混合氣體；以特定之比率包含氟系氣體及He之混合氣體；及以特定之比率包含氟系氣體及Ar之混合氣體。
繼而，例如於藉由光阻劑剝離液而將光阻劑圖案22a去除後，進行使用酸性或鹼性之水溶液之濕式洗淨，獲得達成了較高反射率之EUV微影用反射型光罩40(圖3(e))。
[半導體裝置之製造方法]
根據以上說明之使用本發明之EUV微影用反射型光罩40之微影技術，於半導體基板上形成基於上述光罩之吸收體膜圖案20a之轉印圖案，且經由其他各種步驟，藉此便可製造於半導體基板上形成有各種圖案等之半導體裝置。
作為更具體之例，對藉由圖4所示之圖案轉印裝置50，而使用EUV微影用反射型光罩40，且利用EUV光將圖案轉印至附光阻劑之半導體基板56的方法進行說明。
裝載有EUV微影用反射型光罩40之圖案轉印裝置50係概略地包含雷射電漿X線源52、反射型光罩40、縮小光學系統54等。作為縮小光學系統54，使用有X線反射鏡。
藉由縮小光學系統54，而將被反射型光罩40反射之圖案通常縮小至1/4左右。例如，預先設定為使用13~14nm之波段作為曝光波長，且光程成為真空中。於此種狀態下，使自雷射電漿X線源52所得之EUV光入射至反射型光罩40，且使此處被反射之光穿過縮小光學系統54轉印至附光阻劑之半導體基板56上。
入射至反射型光罩40之光係於具有吸收體膜圖案20a之部分被吸收體膜吸收而未進行反射(於吸收體膜為上述相位偏移膜之情形時，存在固定量之反射)，另一方面，入射至無吸收體膜圖案20a之部分之光被多層反射膜14反射。以此種方式，藉由自反射型光罩40反射之光 所形成之像入射至縮小光學系統54。經由縮小光學系統54之曝光光於附光阻劑之半導體基板56上之光阻劑層形成轉印圖案。繼而，可藉由將該已曝光過之阻劑層進行顯影而於附光阻劑之半導體基板56上形成光阻劑圖案。
繼而，可藉由使用上述光阻劑圖案作為光罩實施蝕刻等，而於例如半導體基板上形成特定之配線圖案。
藉由經由如此之步驟及其他必要之步驟而製造半導體裝置。
[實施例]
以下，藉由實施例而對本發明更詳細地進行說明，但該等實施例不對本發明進行任何限定。
[參考例1]
<附多層反射膜之基板之製造>
使用之基板係SiO2-TiO2系之玻璃基板(6英吋見方，厚度為6.35mm)。對該玻璃基板之端面進行倒角加工及研削加工，進而以包含氧化鈰研磨粒之研磨液進行粗研磨處理。將結束該等處理所得之玻璃基板設置於雙面研磨裝置之載體，且研磨液中使用包含膠體氧化矽研磨粒之鹼性水溶液，於特定之研磨條件下實施精密研磨。於精密研磨結束後對玻璃基板進行洗淨處理。
以如上方式，製作EUV微影用反射型光罩基底用玻璃基板。該獲得之玻璃基板之主表面之表面粗糙度係以均方根粗糙度(RMS)計為0.10nm以下而良好。又，平坦度係於測定區域132mm×132mm中為30nm以下而良好。
其次，於上述EUV微影用反射型光罩基底用玻璃基板之背面，藉由磁控濺鍍法而於以下條件下形成包含CrN之背面導電膜。背面導電膜形成條件：Cr靶材、Ar+N2氣體環境(Ar：N2=90%：10%)、膜組成(Cr：90原子%、N：10%)、膜厚20nm。
其次，於上述EUV微影用反射型光罩基底用玻璃基板之與形成有背面導電膜之側為相反側之主表面上，以如下方式形成多層反射膜。作為形成於玻璃基板上之多層反射膜，採用Mo膜/Si膜週期多層反射膜，以製成適於13~14nm之曝光光波段域之多層反射膜。
即，多層反射膜係使用Mo靶材與Si靶材，藉由離子束濺鍍(使用Ar)而於基板上交替地積層Mo層及Si層而形成。
首先，以4.2nm之厚度成膜Si膜，繼之，以2.8nm之厚度成膜Mo膜。將此作為一週期，以同樣之方式積層40週期，最後以4.0nm之厚度成膜Si膜，形成多層反射膜。
其後，同樣地藉由使用Ti靶材之離子束濺鍍(使用Ar)而將包含Ti之金屬層以1.0nm之厚度於上述多層反射膜上成膜，進而於上述金屬層上，藉由使用Ru靶材之離子束濺鍍(使用Ar)而以1.5nm之厚度成膜Ru保護膜。
以此種方式所得之附多層反射膜之基板中之Ru保護膜表面之對於波長13.5nm之EUV光的反射率為63.50%之高反射率。
<EUV微影用反射型光罩基底之製造>
於以上述方式所得之附多層反射膜之基板之Ru保護膜上，藉由DC濺鍍法而形成包含TaBN(厚度56nm)與TaBO(厚度14nm)之積層膜之吸收體膜，製造EUV微影用反射型光罩基底。
[參考例2]
<附多層反射膜之基板之製造>
除了將金屬層設為厚度1.0nm之TiN層以外，以與參考例1同樣之方式，製造附多層反射膜之基板。再者，上述TiN層係藉由使用Ti靶材、及Ar+N2混合氣體之離子束濺鍍而成膜。所得之附多層反射膜之基板中之Ru保護膜表面之對於波長13.5nm之EUV光的反射率為63.20%之高反射率
<EUV微影用反射型光罩基底之製造>
使用以如上方式所得之附多層反射膜之基板，以與參考例1同樣之方式，於Ru保護膜上藉由DC濺鍍而形成包含TaBN(厚度56nm)與TaBO(厚度14nm)之積層膜之吸收體膜，製造EUV微影用反射型光罩基底。
[實施例1]
<附多層反射膜之基板之製造>
以與參考例1同樣之方式，製造附多層反射膜之基板。再者，對於金屬層，於藉由使用Ti靶材之離子束濺鍍(使用Ar)而成膜、形成後，進行退火(於真空中以200℃加熱1小時)，藉此，使多層反射膜之最表面之Si層之Si擴散至金屬層，形成阻擋層。藉由Si之擴散，而於阻擋層中形成鈦矽化物。
進而，於阻擋層上藉由離子束濺鍍而形成Ru保護膜，製造附多層反射膜之基板。再者，上述Ru保護膜係藉由相對於玻璃基板之主表面之法線以30度之角度沈積Ru粒子之方式進行成膜而形成。
所得之附多層反射膜之基板中之Ru保護膜表面之對於波長13.5nm之EUV光的反射率為63.65%之高反射率。
再者，對於附多層反射膜之基板之Ru保護膜，以X線繞射法之In-Plane測定法進行測定後，繞射線峰值僅觀察到(100)、(110)、及(200)，主要於(001)面具有配向面。又，藉由X線光電子分光法(XPS)而實施附多層反射膜之基板之膜深度方向之組成分析後，確認到於作為多層反射膜之最表面層之Si層與鈦矽化物之阻擋層之間，存在構成阻擋層之鈦成分之含量朝向玻璃基板連續性減少之傾斜區域。
<EUV微影用反射型光罩基底之製造>
使用以如上方式所得之附多層反射膜之基板，以與參考例1同樣之方式，於Ru保護膜上藉由DC濺鍍而形成包含TaBN(厚度56nm)與 TaBO(厚度14nm)之積層膜之吸收體膜，製造EUV微影用反射型光罩基底。
[實施例2]
<附多層反射膜之基板之製造>
以與參考例2同樣之方式，製造附多層反射膜之基板。再者，對於TiN層，於藉由與參考例2同樣之方法而成膜、形成後，進行退火(於真空中以200℃加熱1小時)，藉此，使多層反射膜之最表面之Si層之Si擴散至TiN層而形成阻擋層。藉由Si之擴散，而於阻擋層中形成被氮化之鈦矽化物。
進而，於阻擋層上藉由離子束濺鍍而形成Ru保護膜，製造附多層反射膜之基板。再者，上述Ru保護膜係以相對於玻璃基板之主表面之法線以30度之角度沈積Ru粒子之方式進行成膜。
所得之附多層反射膜之基板中之Ru保護膜表面之對於波長13.5nm之EUV光的反射率為63.35%之高反射率。
再者，對形成於附多層反射膜之基板之Ru保護膜，以X線繞射法之In-Plane測定法進行測定後，繞射線峰值僅觀察到(100)、(110)、及(200)，主要於(001)面具有配向面。又，藉由X線光電子分光法(XPS)而進行附多層反射膜之基板之膜深度方向之組成分析之後，確認到於作為多層反射膜之最表面層之Si層與被氮化之鈦矽化物之阻擋層之間，存在構成阻擋層之鈦成分之含量朝向玻璃基板連續性減少之傾斜區域。
<EUV微影用反射型光罩基底之製造>
使用以如上方式所得之附多層反射膜之基板，以與參考例1同樣之方式，於Ru保護膜上藉由DC濺鍍而形成包含TaBN(厚度56nm)與TaBO(厚度14nm)之積層膜之吸收體膜，製造EUV微影用反射型光罩基底。
[實施例3]
<附多層反射膜之基板之製造>
以與參考例1同樣之方式製造附多層反射膜之基板。再者，對於金屬層，於藉由使用Ti靶材之離子束濺鍍(使用Ar)而成膜、形成，且於其上形成Ru保護膜後，進行退火(於大氣中以200℃加熱1小時)，藉此，使多層反射膜之最表面之Si層之Si擴散至金屬層，形成阻擋層。藉由Si之擴散，而於阻擋層中形成鈦矽化物。
所得之附多層反射膜之基板中之Ru保護膜表面之對於波長13.5nm之EUV光的反射率為63.70%之高反射率。
<EUV微影用反射型光罩基底之製造>
使用以如上方式所得之附多層反射膜之基板，以與參考例1同樣之方式，於Ru保護膜上藉由DC濺鍍而形成包含TaBN(厚度56nm)與TaBO(厚度14nm)之積層膜之吸收體膜，製造EUV微影用反射型光罩基底。
[實施例4]
<附多層反射膜之基板之製造>
以與參考例2同樣之方式製造附多層反射膜之基板。再者，對於TiN層，於藉由與參考例2同樣之方法而成膜、形成，且於其上形成Ru保護膜後，進行退火(於大氣中以200℃加熱1小時)，藉此，使多層反射膜之最表面之Si層之Si擴散至TiN層，形成阻擋層。藉由Si之擴散，而於阻擋層中形成被氮化之鈦矽化物。
所得之附多層反射膜之基板中之Ru保護膜表面之對於波長13.5nm之EUV光的反射率為63.40%之高反射率。
<EUV微影用反射型光罩基底之製造>
使用以如上方式所得之附多層反射膜之基板，以與參考例1同樣之方式，於Ru保護膜上藉由DC濺鍍而形成包含TaBN(厚度56nm)與 TaBO(厚度14nm)之積層膜之吸收體膜，製造EUV微影用反射型光罩基底。
[實施例5]
<附多層反射膜之基板之製造>
以與實施例3同樣之方式製造附多層反射膜之基板。再者，對於金屬層，於藉由使用Ti靶材之離子束濺鍍(使用Ar)而成膜、形成，且於其上形成Ru保護膜後，進行退火(於真空中以200℃加熱1小時)，藉此，使多層反射膜之最表面之Si層之Si擴散至金屬層，形成阻擋層。再者，上述Ru保護膜係藉由以相對於玻璃基板之主表面之法線以30度之角度沈積Ru粒子之方式進行成膜而形成。
所得之附多層反射膜之基板中之Ru保護膜表面之對於波長13.5nm之EUV光的反射率為63.85%之高反射率。
再者，對於附多層反射膜之基板之Ru保護膜，以X線繞射法之In-Plane測定法進行測定後，繞射線峰值僅觀察到(100)、(110)、及(200)，主要於(001)面具有配向面。又，藉由X線光電子分光法(XPS)而進行附多層反射膜之基板之膜深度方向之組成分析之後，確認到於作為多層反射膜之最表面層之Si層與阻擋層之間，存在構成阻擋層之鈦成分之含量朝向玻璃基板連續性減少之傾斜區域，進而於阻擋層與Ru保護膜之間，存在構成阻擋層之鈦成分之含量朝向Ru保護膜連續性減少之傾斜區域。
<EUV微影用反射型光罩基底之製造>
使用以如上方式所得之附多層反射膜之基板，以與參考例1同樣之方式，於Ru保護膜上藉由DC濺鍍而形成包含TaBN(厚度56nm)與TaBO(厚度14nm)之積層膜之吸收體膜，製造EUV微影用反射型光罩基底。
[實施例6]~[實施例11]
除了將金屬層設為厚度1.0nm之Al層(實施例6)、Ni層(實施例7)、Pd層(實施例8)、W層(實施例9)、Co層(實施例10)、Cu層(實施例11)以外，以與實施例5同樣之方式，製造附多層反射膜之基板。
所得之附多層反射膜之基板中之Ru保護膜表面之對於波長13.5nm之EUV光的反射率成為62.00%~63.65%之範圍而為高反射率。
再者，對於附多層反射膜之基板之Ru保護膜，以X線繞射法之In-Plane測定法進行測定之後，任一實施例中，繞射線峰值均僅觀察到(100)、(110)、及(200)，主要於(001)面具有配向面。又，藉由X線光電子分光法(XPS)而進行附多層反射膜之基板之膜深度方向之組成分析之後，確認到於作為多層反射膜之最表面層之Si層與阻擋層之間，存在構成阻擋層之金屬成分(Al、Ni、Pd、W、Co、或Cu)之含量朝向玻璃基板連續性減少之傾斜區域，進而於阻擋層與Ru保護膜之間，存在構成阻擋層之金屬成分(Al、Ni、Pd、W、Co、或Cu)之含量朝向Ru保護膜連續性減少之傾斜區域。
<EUV微影用反射型光罩基底之製造>
使用以如上方式所得之附多層反射膜之基板，以與參考例1同樣之方式，於Ru保護膜上藉由離子束濺鍍(使用Ar)而形成包含TaBN(厚度56nm)與TaBO(厚度14nm)之積層膜之吸收體膜，製造EUV微影用反射型光罩基底。
[比較例1]
<附多層反射膜之基板之製造>
除了未形成金屬層以外，以與參考例1同樣之方式製造附多層反射膜之基板。但，Ru保護膜之膜厚係設為2.5nm。該附多層反射膜之基板中之Ru保護膜表面之對於波長13.5nm之EUV光的反射率為64%之高反射率。
<EUV微影用反射型光罩基底之製造>
使用以如上方式所得之附多層反射膜之基板，以與參考例1同樣之方式，於Ru保護膜上藉由DC濺鍍而形成包含TaBN(厚度56nm)與TaBO(厚度14nm)之積層膜之吸收體膜，製造EUV微影用反射型光罩基底。
[光罩耐洗淨性試驗]
使用上述參考例1~2、實施例1~11及比較例1中所得之各EUV微影用反射型光罩基底，製造EUV微影用反射型光罩。具體而言如下所述。
首先，於上述反射型光罩基底之吸收體膜上形成電子束繪圖用之光阻劑膜，且使用電子束繪圖機進行特定之圖案繪圖。於繪圖後進行特定之顯影處理，於上述吸收體膜上形成光阻劑圖案。
其次，以該光阻劑圖案為光罩，藉由氟系氣體(CF4氣體)而將上層之TaBO膜進行乾式蝕刻，藉由氯系氣體(Cl2氣體)而將下層之TaBN膜進行乾式蝕刻，於吸收體膜形成轉印圖案，形成吸收體膜圖案。
進而，將殘留於吸收體膜圖案上之光阻劑圖案以熱硫酸去除，獲得反射型光罩。以此種方式自各參考例1~2、實施例1~11及比較例1製作各20片反射型光罩。
<RCA洗淨評價1>
對該所得之反射型光罩反覆進行100次通常之RCA洗淨，評價反射型光罩之耐洗淨性。
其結果，參考例1~2及實施例1~11之反射型光罩均於100次RCA洗淨後未觀察到Ru保護膜之露出面上之膜剝離，從而表示該等具有良好之耐洗淨性。另一方面，比較例1之反射型光罩以5~10次之洗淨而產生膜剝離，與參考例、實施例相比，耐洗淨性較差。再者，膜剝離狀況係以SEM(Scanning Electron Microscope，掃描式電子顯微鏡)進行觀察。
<RCA洗淨評價2>
進而，對參考例1~2及實施例1~11之反射型光罩反覆進行150次上述RCA洗淨，評價反射型光罩之耐洗淨性。其結果，參考例1~2之反射型光罩於100次之RCA洗淨後未觀察到Ru保護膜之露出面上之膜剝離。實施例1~2之反射型光罩於120次RCA洗淨後未觀察到Ru保護膜之露出面上之膜剝離，從而表示該等與參考例相比具有良好之耐洗淨性。又，實施例3~11之反射型光罩均於150次之RCA洗淨後未觀察到Ru保護膜之露出面上之膜剝離，從而表示該等具有尤其良好之耐洗淨性。

Claims (13)

  1. 一種附多層反射膜之基板，其具有：基板；多層反射膜，其係形成於該基板上，且將包含作為高折射率材料之Si之層與包含低折射率材料之層週期性地積層複數層而成；及Ru系保護膜，其形成於該多層反射膜上，保護上述多層反射膜；上述多層反射膜之與基板為相反側之表面層係上述包含Si之層，進而，於上述多層反射膜與上述Ru系保護膜之間具有阻礙Si朝向Ru系保護膜移行之阻擋層，且上述Si之至少一部分擴散至上述阻擋層。
  2. 如請求項1之附多層反射膜之基板，其中上述阻擋層包含選自由選自Ti、Al、Ni、Pt、Pd、W、Mo、Co、Cu中之至少一種金屬及兩種以上金屬之合金、該等之氮化物、該等之矽化物以及該等之矽氮化物所組成之群中的至少一種。
  3. 如請求項2之附多層反射膜之基板，其中於作為上述多層反射膜之與基板為相反側之表面層且包含Si之層與上述阻擋層之間，存在構成上述阻擋層之金屬成分之含量朝向上述基板連續性減少之傾斜區域。
  4. 如請求項1至3中任一項之附多層反射膜之基板，其中上述低折射率材料係Mo。
  5. 如請求項1至3中任一項之附多層反射膜之基板，其中上述阻擋層之厚度為0.2~2.0nm。
  6. 如請求項1至3中任一項之附多層反射膜之基板，其中上述阻擋層包含選自由鈦(Ti)、鈦之氮化物(TiNx(x>0))、鈦之矽化物(TiSix(x>0))及鈦之矽氮化物(TixSiyNz(x>0、y>0、z>0))所組成之群中之至少一種。
  7. 一種EUV微影用反射型光罩基底，其具有如請求項1至6中任一項之附多層反射膜之基板、及形成於該附多層反射膜之基板中之Ru系保護膜上且吸收EUV光之吸收體膜。
  8. 如請求項7之EUV微影用反射型光罩基底，其中於上述吸收體膜上更具有光阻劑膜。
  9. 一種附多層反射膜之基板之製造方法，其係製造附多層反射膜之基板之方法，該附多層反射膜之基板具有：基板；多層反射膜，其係形成於該基板上，且將包含作為高折射率材料之Si之層與包含低折射率材料之層週期性地積層複數層而成；及Ru系保護膜，其形成於該多層反射膜上，保護上述多層反射膜；且上述多層反射膜之與基板為相反側之表面層係上述包含Si之層，進而，於上述多層反射膜與上述Ru系保護膜之間具有阻礙Si朝向Ru系保護膜移行之阻擋層，且上述Si之至少一部分擴散至上述阻擋層，且該附多層反射膜之基板之製造方法包括如下步驟：於上述基板上形成上述多層反射膜；於作為上述多層反射膜之與基板為相反側之表面層且包含Si之層上，形成阻礙Si朝向Ru系保護膜移行之阻擋層；及於上述阻擋層上形成上述Ru系保護膜；更包括於形成上述阻擋層後，以使上述多層反射膜之Si之至少一部分擴散至該阻擋層之溫度條件進行加熱處理的步驟。
  10. 一種EUV微影用反射型光罩基底之製造方法，其包括如下步驟：於藉由如請求項9之附多層反射膜之基板之製造方法而獲得的附 多層反射膜之基板之Ru系保護膜上，形成吸收體膜。
  11. 一種EUV微影用反射型光罩之製造方法，其包括如下步驟：將如請求項8之EUV微影用反射型光罩基底中之吸收體膜介隔上述光阻劑膜進行圖案化，於上述Ru系保護膜上形成吸收體膜圖案。
  12. 一種EUV微影用反射型光罩，其具有如請求項1至6中任一項之附多層反射膜之基板、及形成於該附多層反射膜之基板中之Ru系保護膜上且吸收EUV光之吸收體膜圖案。
  13. 一種半導體裝置之製造方法，其包括如下步驟：使用藉由如請求項11之EUV微影用反射型光罩之製造方法而獲得的EUV微影用反射型光罩、或如請求項12之EUV微影用反射型光罩，於半導體基板上形成轉印圖案。
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6069609B2 (ja) * 2015-03-26 2017-02-01 株式会社リガク 二重湾曲ｘ線集光素子およびその構成体、二重湾曲ｘ線分光素子およびその構成体の製造方法
JP6698438B2 (ja) * 2016-06-17 2020-05-27 Hoya株式会社 マスクブランク、転写用マスク、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法
KR20180057813A (ko) 2016-11-22 2018-05-31 삼성전자주식회사 극자외선 리소그래피용 위상 반전 마스크
SG10201911903XA (en) * 2017-02-27 2020-02-27 Hoya Corp Mask blank, method for manufacturing transfer mask, and method for manufacturing semiconductor device
KR102374206B1 (ko) 2017-12-05 2022-03-14 삼성전자주식회사 반도체 장치 제조 방법
KR102402767B1 (ko) * 2017-12-21 2022-05-26 삼성전자주식회사 극자외선 마스크 블랭크, 극자외선 마스크 블랭크를 이용하여 제조된 포토마스크, 포토마스크를 이용한 리소그래피 장치 및 포토마스크를 이용한 반도체 장치 제조 방법
CN110824851B (zh) * 2018-08-13 2021-06-29 台湾积体电路制造股份有限公司 光刻设备的洁净度的检测方法以及反射式光掩模
US20210096456A1 (en) * 2019-09-30 2021-04-01 Hoya Corporation Multilayered-reflective-film-provided substrate, reflective mask blank, reflective mask, method of manufacturing reflective mask, and method of manufacturing semiconductor device
JP2021056502A (ja) 2019-09-30 2021-04-08 Hoya株式会社 多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法
US20230133304A1 (en) * 2020-03-30 2023-05-04 Hoya Corporation Multilayer reflective film-equipped substrate, reflective mask blank, reflective mask, and method for producing semiconductor device
JP2022045936A (ja) 2020-09-10 2022-03-23 信越化学工業株式会社 Ｅｕｖマスクブランク用多層反射膜付き基板、その製造方法及びｅｕｖマスクブランク
JP7420027B2 (ja) 2020-09-10 2024-01-23 信越化学工業株式会社 Ｅｕｖマスクブランク用多層反射膜付き基板、その製造方法及びｅｕｖマスクブランク
JPWO2022138434A1 (zh) * 2020-12-25 2022-06-30
WO2022186004A1 (ja) 2021-03-02 2022-09-09 Hoya株式会社 多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、及び半導体装置の製造方法
US11915932B2 (en) * 2021-04-28 2024-02-27 Applied Materials, Inc. Plasma etching of mask materials
KR20230072331A (ko) * 2021-11-17 2023-05-24 주식회사 인포비온 반사형 블랭크 마스크 및 그 제조방법
JP2024089128A (ja) * 2022-12-21 2024-07-03 信越化学工業株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120219890A1 (en) * 2009-12-04 2012-08-30 Asahi Glass Company, Limited Optical member for euv lithography, and process for production of reflective layer-equipped substrate
US20120225375A1 (en) * 2009-12-09 2012-09-06 Asahi Glass Company, Limited Optical member for euv lithography
US20120231378A1 (en) * 2009-12-09 2012-09-13 Asahi Glass Company, Limited Reflective layer-equipped substrate for euv lithography, reflective mask blank for euv lithography, reflective mask for euv lithography, and process for production of the reflective layer-equipped substrate
US20130115547A1 (en) * 2010-07-27 2013-05-09 Asahi Glass Company, Limited Substrate with reflective layer for euv lithography and reflective mask blank for euv lithography

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5371162B2 (ja) 2000-10-13 2013-12-18 三星電子株式会社 反射型フォトマスク
JP2003133205A (ja) 2001-10-24 2003-05-09 Oki Electric Ind Co Ltd 反射型マスク、反射型マスク製造方法及び反射型マスク洗浄方法
JP4693395B2 (ja) 2004-02-19 2011-06-01 Ｈｏｙａ株式会社 反射型マスクブランクス及び反射型マスク並びに半導体装置の製造方法
JP2006332153A (ja) 2005-05-24 2006-12-07 Hoya Corp 反射型マスクブランク及び反射型マスク並びに半導体装置の製造方法
JP4910856B2 (ja) 2006-06-08 2012-04-04 旭硝子株式会社 Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、および該マスクブランク用の機能膜付基板
TWI417647B (zh) * 2006-06-08 2013-12-01 Asahi Glass Co Ltd Ｅｕｖ微影術用之反射性空白遮光罩及用於彼之具有功能性薄膜的基板
JP5239762B2 (ja) * 2008-11-13 2013-07-17 大日本印刷株式会社 反射型マスク、および、反射型マスク製造方法
JP2011181657A (ja) * 2010-03-01 2011-09-15 Dainippon Printing Co Ltd 反射型マスクおよびその修復方法
JP2013074268A (ja) * 2011-09-29 2013-04-22 Toppan Printing Co Ltd 反射型マスクおよびマスクブランク、その製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120219890A1 (en) * 2009-12-04 2012-08-30 Asahi Glass Company, Limited Optical member for euv lithography, and process for production of reflective layer-equipped substrate
US20120225375A1 (en) * 2009-12-09 2012-09-06 Asahi Glass Company, Limited Optical member for euv lithography
US20120231378A1 (en) * 2009-12-09 2012-09-13 Asahi Glass Company, Limited Reflective layer-equipped substrate for euv lithography, reflective mask blank for euv lithography, reflective mask for euv lithography, and process for production of the reflective layer-equipped substrate
US20130115547A1 (en) * 2010-07-27 2013-05-09 Asahi Glass Company, Limited Substrate with reflective layer for euv lithography and reflective mask blank for euv lithography

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