JP2002329649A - レチクル、レチクルの製造方法、露光装置及び露光方法 - Google Patents
レチクル、レチクルの製造方法、露光装置及び露光方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 吸収体膜の内部応力を低減したレチクル、レ
チクルの製造方法、レチクルを用いた露光装置及び露光
方法を提供する。 【解決手段】 本発明に係るレチクル１０は、基板８上
に形成されたＸ線反射鏡用多層膜１２と、この多層膜１
２上に形成された、Ｘ線の使用波長域における複素屈折
率の虚部が大きい物質からなり且つ所定のパターンを有
する吸収体膜１４と、を具備するものである。前記吸収
体膜１４の表面にはＡｒイオンビームが照射されてい
る。
チクルの製造方法、レチクルを用いた露光装置及び露光
方法を提供する。 【解決手段】 本発明に係るレチクル１０は、基板８上
に形成されたＸ線反射鏡用多層膜１２と、この多層膜１
２上に形成された、Ｘ線の使用波長域における複素屈折
率の虚部が大きい物質からなり且つ所定のパターンを有
する吸収体膜１４と、を具備するものである。前記吸収
体膜１４の表面にはＡｒイオンビームが照射されてい
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、吸収体膜の内部応
力を低減したレチクル、レチクルの製造方法、レチクル
を用いた露光装置及び露光方法に関するものである。
力を低減したレチクル、レチクルの製造方法、レチクル
を用いた露光装置及び露光方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】物質の複素屈折率は次式（１）で表され
るが、Ｘ線領域においてはδ、ｋのいずれもが１に比べ
て非常に小さいため、Ｘ線を用いる装置の光学系には反
射光学系が用いられる。なお、式（１）において、ｉ2
＝−１であり、虚部ｋは物質によるＸ線の吸収を表す。
即ち、複素屈折率の虚部ｋが大きい程、光吸収が大き
い。 ｎ＝１−δ−ｉ×ｋ …（１）
るが、Ｘ線領域においてはδ、ｋのいずれもが１に比べ
て非常に小さいため、Ｘ線を用いる装置の光学系には反
射光学系が用いられる。なお、式（１）において、ｉ2
＝−１であり、虚部ｋは物質によるＸ線の吸収を表す。
即ち、複素屈折率の虚部ｋが大きい程、光吸収が大き
い。 ｎ＝１−δ−ｉ×ｋ …（１）
【０００３】Ｘ線領域で使用される反射光学系では、垂
直に近い入射角で使用するために多層膜反射鏡が用いら
れている。多層膜反射鏡は、Ｘ線リソグラフィーの照明
光学系、投影光学系のみならず、転写するパターンが描
画されたレチクルも反射光学系であり、多層膜反射鏡が
用いられている。
直に近い入射角で使用するために多層膜反射鏡が用いら
れている。多層膜反射鏡は、Ｘ線リソグラフィーの照明
光学系、投影光学系のみならず、転写するパターンが描
画されたレチクルも反射光学系であり、多層膜反射鏡が
用いられている。
【０００４】このレチクルにおいて所定のパターンを転
写するために、照明光を反射させないようなＸ線の吸収
パターンを多層膜上の領域に設ける。この吸収パターン
は出来るかぎり反射光とのコントラストをつけ、また出
来るかぎり少ない量の吸収体ですませるために、前記ｋ
が大きく、吸収の大きな物質を用いる。その吸収体には
例えばｋ＝７．３×１０-2であるニッケルを用い、厚さ
１００ｎｍ程度の吸収体を多層膜上に形成する。
写するために、照明光を反射させないようなＸ線の吸収
パターンを多層膜上の領域に設ける。この吸収パターン
は出来るかぎり反射光とのコントラストをつけ、また出
来るかぎり少ない量の吸収体ですませるために、前記ｋ
が大きく、吸収の大きな物質を用いる。その吸収体には
例えばｋ＝７．３×１０-2であるニッケルを用い、厚さ
１００ｎｍ程度の吸収体を多層膜上に形成する。
【０００５】レチクル上の吸収体パターンにおいて、そ
の各部における吸収体膜の厚さのむらはウエハ上でのパ
ターンのコントラストに影響を与えるため、均一である
ことが望ましい。スパッタリングによる膜形成法は、膜
厚の制御性が良く、実際に多層膜形成に用いられる方法
であり、この方法を用いることで、均一な吸収体膜を形
成することが出来る。また、多層膜形成と同じ装置が使
用できるため、吸収体膜形成のための新たな装置を必要
としない。
の各部における吸収体膜の厚さのむらはウエハ上でのパ
ターンのコントラストに影響を与えるため、均一である
ことが望ましい。スパッタリングによる膜形成法は、膜
厚の制御性が良く、実際に多層膜形成に用いられる方法
であり、この方法を用いることで、均一な吸収体膜を形
成することが出来る。また、多層膜形成と同じ装置が使
用できるため、吸収体膜形成のための新たな装置を必要
としない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、反射光学系
に用いられるＭｏ（モリブデン）／Ｓｉ（シリコン）多
層膜等からなる軟Ｘ線反射用多層膜は、一般に１層が３
ｎｍ程度の層を数１０〜数１００層積層したものであ
る。このようにスパッタリング法で形成した薄膜は一般
に圧縮内部応力を有することが知られており、それにつ
いてはSey-Shing Sun: J. Vac. Sci. Technol. A4(3),M
ay/Jun 1986に開示されている。
に用いられるＭｏ（モリブデン）／Ｓｉ（シリコン）多
層膜等からなる軟Ｘ線反射用多層膜は、一般に１層が３
ｎｍ程度の層を数１０〜数１００層積層したものであ
る。このようにスパッタリング法で形成した薄膜は一般
に圧縮内部応力を有することが知られており、それにつ
いてはSey-Shing Sun: J. Vac. Sci. Technol. A4(3),M
ay/Jun 1986に開示されている。
【０００７】内部応力は膜の全体の厚さや１層の厚さが
厚い方が大きい。例えば、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜では１層が
３ｎｍ程度で全体の厚さが約３００ｎｍ程度であり、内
部応力は約４００ＭＰａ程度である。一方、厚さ２５０
ｎｍのスパッタリングによる単層膜では数１００ＭＰａ
から１ＧＰａ以上になる程大きな応力を有する。従っ
て、ガラス基板上に多層膜を成膜した後、この多層膜上
にレチクルとして吸収体パターンをスパッタリングによ
り形成すると、その吸収体パターンの内部応力によって
ガラス基板が変形し、光学系に波面収差が発生して光学
特性の低下やパターンの変形を招くという問題があっ
た。
厚い方が大きい。例えば、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜では１層が
３ｎｍ程度で全体の厚さが約３００ｎｍ程度であり、内
部応力は約４００ＭＰａ程度である。一方、厚さ２５０
ｎｍのスパッタリングによる単層膜では数１００ＭＰａ
から１ＧＰａ以上になる程大きな応力を有する。従っ
て、ガラス基板上に多層膜を成膜した後、この多層膜上
にレチクルとして吸収体パターンをスパッタリングによ
り形成すると、その吸収体パターンの内部応力によって
ガラス基板が変形し、光学系に波面収差が発生して光学
特性の低下やパターンの変形を招くという問題があっ
た。
【０００８】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたものであり、その目的は、吸収体膜の内部応力を低
減したレチクル、レチクルの製造方法、レチクルを用い
た露光装置及び露光方法を提供することにある。
れたものであり、その目的は、吸収体膜の内部応力を低
減したレチクル、レチクルの製造方法、レチクルを用い
た露光装置及び露光方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係るレチクルは、基板上に形成されたＸ線
反射鏡用多層膜と、このＸ線反射鏡用多層膜上に形成さ
れた、Ｘ線の使用波長域における複素屈折率の虚部が大
きい物質からなり且つ所定のパターンを有する吸収体膜
と、を具備し、前記吸収体膜の表面には粒子線が照射さ
れていることを特徴とする。
め、本発明に係るレチクルは、基板上に形成されたＸ線
反射鏡用多層膜と、このＸ線反射鏡用多層膜上に形成さ
れた、Ｘ線の使用波長域における複素屈折率の虚部が大
きい物質からなり且つ所定のパターンを有する吸収体膜
と、を具備し、前記吸収体膜の表面には粒子線が照射さ
れていることを特徴とする。
【００１０】上記レチクルによれば、吸収体膜に粒子線
を照射しているため、粒子線を照射しない通常の吸収体
の場合に比べて内部応力を低減することが出来る。した
がって、内部応力に起因するレチクルの変形を低減する
ことができ、光学特性の向上を図ることができる。
を照射しているため、粒子線を照射しない通常の吸収体
の場合に比べて内部応力を低減することが出来る。した
がって、内部応力に起因するレチクルの変形を低減する
ことができ、光学特性の向上を図ることができる。
【００１１】本発明に係るレチクルは、基板上に形成さ
れたＸ線反射鏡用多層膜と、このＸ線反射鏡用多層膜上
に形成された、Ｘ線の使用波長域における複素屈折率の
虚部が大きい物質からなる複数の層を積層し且つ所定の
パターンを有する吸収体膜と、を具備し、前記複数の層
における各層の表面には粒子線が照射されていることを
特徴とする。
れたＸ線反射鏡用多層膜と、このＸ線反射鏡用多層膜上
に形成された、Ｘ線の使用波長域における複素屈折率の
虚部が大きい物質からなる複数の層を積層し且つ所定の
パターンを有する吸収体膜と、を具備し、前記複数の層
における各層の表面には粒子線が照射されていることを
特徴とする。
【００１２】上記レチクルによれば、吸収体膜の形成を
数回に分割することにより、吸収体膜の内部応力を低減
することが出来る。また、各分割した層の形成後にその
都度その層表面に粒子線を照射することにより、さらに
内部応力を低減することができる。
数回に分割することにより、吸収体膜の内部応力を低減
することが出来る。また、各分割した層の形成後にその
都度その層表面に粒子線を照射することにより、さらに
内部応力を低減することができる。
【００１３】本発明に係るレチクルは、基板上に形成さ
れたＸ線反射鏡用多層膜と、このＸ線反射鏡用多層膜上
に形成された、Ｘ線の使用波長域における複素屈折率の
虚部が大きい物質からなり且つ所定のパターンを有する
吸収体膜と、を具備し、前記吸収体膜は、複素屈折率の
虚部が大きい少なくとも２種類の物質層を少なくとも１
回以上交互に積層した構造を有することを特徴とする。
れたＸ線反射鏡用多層膜と、このＸ線反射鏡用多層膜上
に形成された、Ｘ線の使用波長域における複素屈折率の
虚部が大きい物質からなり且つ所定のパターンを有する
吸収体膜と、を具備し、前記吸収体膜は、複素屈折率の
虚部が大きい少なくとも２種類の物質層を少なくとも１
回以上交互に積層した構造を有することを特徴とする。
【００１４】上記レチクルによれば、吸収体膜を２種類
の物質層からなる多層構造とすることにより、吸収体膜
の内部応力を低減することができる。
の物質層からなる多層構造とすることにより、吸収体膜
の内部応力を低減することができる。
【００１５】また、本発明に係るレチクルにおいて、前
記虚部が大きい少なくとも２種類の物質層は、銀、ニッ
ケル、錫、インジウム、コバルト、銅、白金、亜鉛、カ
ドミウム、鉄、金、鉛、パラジウム、タリウム、タング
ステン、タンタル、クロム、マンガン、アルミニウム及
びこれらの化合物からなる群から選ばれた物質層である
ことが好ましい。
記虚部が大きい少なくとも２種類の物質層は、銀、ニッ
ケル、錫、インジウム、コバルト、銅、白金、亜鉛、カ
ドミウム、鉄、金、鉛、パラジウム、タリウム、タング
ステン、タンタル、クロム、マンガン、アルミニウム及
びこれらの化合物からなる群から選ばれた物質層である
ことが好ましい。
【００１６】また、本発明に係るレチクルにおいて、前
記少なくとも２種類の物質層のうち少なくとも１つの層
の表面には粒子線が照射されていることが好ましい。
記少なくとも２種類の物質層のうち少なくとも１つの層
の表面には粒子線が照射されていることが好ましい。
【００１７】本発明に係るレチクルの製造方法は、基板
上にＸ線反射鏡用多層膜を形成する工程と、このＸ線反
射鏡用多層膜上に、Ｘ線の使用波長域における複素屈折
率の虚部が大きい物質からなる吸収体膜を形成する工程
と、この吸収体膜の表面に粒子線を照射する工程と、こ
の吸収体膜をパターニングすることにより、該吸収体膜
に所定のパターンを形成する工程と、を具備することを
特徴とする。
上にＸ線反射鏡用多層膜を形成する工程と、このＸ線反
射鏡用多層膜上に、Ｘ線の使用波長域における複素屈折
率の虚部が大きい物質からなる吸収体膜を形成する工程
と、この吸収体膜の表面に粒子線を照射する工程と、こ
の吸収体膜をパターニングすることにより、該吸収体膜
に所定のパターンを形成する工程と、を具備することを
特徴とする。
【００１８】本発明に係るレチクルの製造方法は、基板
上にＸ線反射鏡用多層膜を形成する第１工程と、このＸ
線反射鏡用多層膜上に、Ｘ線の使用波長域における複素
屈折率の虚部が大きい物質からなる層を形成する第２工
程と、この層の表面に粒子線を照射する第３工程と、前
記第２工程及び第３工程を繰り返して行うことにより、
前記層を複数積層した吸収体膜を形成する第４工程と、
この吸収体膜をパターニングすることにより、該吸収体
膜に所定のパターンを形成する工程と、を具備すること
を特徴とする。
上にＸ線反射鏡用多層膜を形成する第１工程と、このＸ
線反射鏡用多層膜上に、Ｘ線の使用波長域における複素
屈折率の虚部が大きい物質からなる層を形成する第２工
程と、この層の表面に粒子線を照射する第３工程と、前
記第２工程及び第３工程を繰り返して行うことにより、
前記層を複数積層した吸収体膜を形成する第４工程と、
この吸収体膜をパターニングすることにより、該吸収体
膜に所定のパターンを形成する工程と、を具備すること
を特徴とする。
【００１９】本発明に係るレチクルの製造方法は、基板
上にＸ線反射鏡用多層膜を形成する第１工程と、このＸ
線反射鏡用多層膜上に、Ｘ線の使用波長域における複素
屈折率の虚部が大きい物質からなる第１層を形成する第
２工程と、この第１層上に、前記物質とは異なる物質で
あってＸ線の使用波長域における複素屈折率の虚部が大
きい物質からなる第２層を形成する第３工程と、第１層
及び第２層をパターニングすることにより、所定のパタ
ーンを有する吸収体膜を形成する第４工程と、を具備す
ることを特徴とする。
上にＸ線反射鏡用多層膜を形成する第１工程と、このＸ
線反射鏡用多層膜上に、Ｘ線の使用波長域における複素
屈折率の虚部が大きい物質からなる第１層を形成する第
２工程と、この第１層上に、前記物質とは異なる物質で
あってＸ線の使用波長域における複素屈折率の虚部が大
きい物質からなる第２層を形成する第３工程と、第１層
及び第２層をパターニングすることにより、所定のパタ
ーンを有する吸収体膜を形成する第４工程と、を具備す
ることを特徴とする。
【００２０】また、本発明に係るレチクルの製造方法に
おいては、前記第３工程と第４工程との間に、前記第２
工程及び第３工程を複数回繰り返して行うことにより、
第１層と第２層を交互に積層した多層膜構造からなる吸
収体膜とする工程をさらに含むことが好ましい。また、
前記第２工程と第３工程との間に、第１層の表面に粒子
線を照射する工程をさらに含むことも可能である。ま
た、前記第３工程と第４工程との間に、第２層の表面に
粒子線を照射する工程をさらに含むことも可能である。
おいては、前記第３工程と第４工程との間に、前記第２
工程及び第３工程を複数回繰り返して行うことにより、
第１層と第２層を交互に積層した多層膜構造からなる吸
収体膜とする工程をさらに含むことが好ましい。また、
前記第２工程と第３工程との間に、第１層の表面に粒子
線を照射する工程をさらに含むことも可能である。ま
た、前記第３工程と第４工程との間に、第２層の表面に
粒子線を照射する工程をさらに含むことも可能である。
【００２１】本発明に係る露光装置は、Ｘ線を発生させ
るＸ線光源と、このＸ線光源からのＸ線をレチクルに導
く照明光学系と、前記レチクルからのＸ線を感光性基板
に導く投影光学系とを有し、前記レチクルのパターンを
感光性基板へ転写する露光装置において、前記レチクル
は、基板上に形成されたＸ線反射鏡用多層膜と、このＸ
線反射鏡用多層膜上に形成された、Ｘ線の使用波長域に
おける複素屈折率の虚部が大きい物質からなり且つ所定
のパターンを有する吸収体膜と、を具備するものであっ
て、前記吸収体膜の表面には粒子線が照射されているこ
とを特徴とする。
るＸ線光源と、このＸ線光源からのＸ線をレチクルに導
く照明光学系と、前記レチクルからのＸ線を感光性基板
に導く投影光学系とを有し、前記レチクルのパターンを
感光性基板へ転写する露光装置において、前記レチクル
は、基板上に形成されたＸ線反射鏡用多層膜と、このＸ
線反射鏡用多層膜上に形成された、Ｘ線の使用波長域に
おける複素屈折率の虚部が大きい物質からなり且つ所定
のパターンを有する吸収体膜と、を具備するものであっ
て、前記吸収体膜の表面には粒子線が照射されているこ
とを特徴とする。
【００２２】上記露光装置によれば、吸収体膜に粒子線
を照射しているため、吸収体膜の内部応力を低減するこ
とが出来る。したがって、内部応力に起因するレチクル
の変形を低減することができ、光学特性の向上を図るこ
とができる。よって、このレチクルを露光装置に適用し
た場合、照明光学系及び投影光学系の光学特性、即ち露
光装置の光学特性に悪影響を与えないようにすることが
できる。
を照射しているため、吸収体膜の内部応力を低減するこ
とが出来る。したがって、内部応力に起因するレチクル
の変形を低減することができ、光学特性の向上を図るこ
とができる。よって、このレチクルを露光装置に適用し
た場合、照明光学系及び投影光学系の光学特性、即ち露
光装置の光学特性に悪影響を与えないようにすることが
できる。
【００２３】本発明に係る露光装置は、Ｘ線を発生させ
るＸ線光源と、このＸ線光源からのＸ線をレチクルに導
く照明光学系と、前記レチクルからのＸ線を感光性基板
に導く投影光学系とを有し、前記レチクルのパターンを
感光性基板へ転写する露光装置において、前記レチクル
は、基板上に形成されたＸ線反射鏡用多層膜と、このＸ
反射鏡用多層膜上に形成された、Ｘ線の使用波長域にお
ける複素屈折率の虚部が大きい物質からなる複数の層を
積層し且つ所定のパターンを有する吸収体膜と、を具備
するものであって、前記複数の層における各層の表面に
は粒子線が照射されていることを特徴とする。
るＸ線光源と、このＸ線光源からのＸ線をレチクルに導
く照明光学系と、前記レチクルからのＸ線を感光性基板
に導く投影光学系とを有し、前記レチクルのパターンを
感光性基板へ転写する露光装置において、前記レチクル
は、基板上に形成されたＸ線反射鏡用多層膜と、このＸ
反射鏡用多層膜上に形成された、Ｘ線の使用波長域にお
ける複素屈折率の虚部が大きい物質からなる複数の層を
積層し且つ所定のパターンを有する吸収体膜と、を具備
するものであって、前記複数の層における各層の表面に
は粒子線が照射されていることを特徴とする。
【００２４】本発明に係る露光装置は、Ｘ線を発生させ
るＸ線光源と、このＸ線光源からのＸ線をレチクルに導
く照明光学系と、前記レチクルからのＸ線を感光性基板
に導く投影光学系とを有し、前記レチクルのパターンを
感光性基板へ転写する露光装置において、前記レチクル
は、基板上に形成されたＸ線反射鏡用多層膜と、このＸ
線反射鏡用多層膜上に形成された、Ｘ線の使用波長域に
おける複素屈折率の虚部が大きい物質からなり且つ所定
のパターンを有する吸収体膜と、を具備するものであっ
て、前記吸収体膜は、複素屈折率の虚部が大きい少なく
とも２種類の物質層を少なくとも１回以上交互に積層し
た構造を有することを特徴とする。
るＸ線光源と、このＸ線光源からのＸ線をレチクルに導
く照明光学系と、前記レチクルからのＸ線を感光性基板
に導く投影光学系とを有し、前記レチクルのパターンを
感光性基板へ転写する露光装置において、前記レチクル
は、基板上に形成されたＸ線反射鏡用多層膜と、このＸ
線反射鏡用多層膜上に形成された、Ｘ線の使用波長域に
おける複素屈折率の虚部が大きい物質からなり且つ所定
のパターンを有する吸収体膜と、を具備するものであっ
て、前記吸収体膜は、複素屈折率の虚部が大きい少なく
とも２種類の物質層を少なくとも１回以上交互に積層し
た構造を有することを特徴とする。
【００２５】本発明に係る露光方法は、Ｘ線光源からＸ
線を発生させ、このＸ線を照明光学系によってレチクル
に導き、このレチクルからのＸ線を投影光学系によって
感光性基板に導くことにより、前記レチクルのパターン
を感光性基板へ転写する露光方法において、前記レチク
ルは、基板上に形成されたＸ線反射鏡用多層膜と、この
Ｘ線反射鏡用多層膜上に形成された、Ｘ線の使用波長域
における複素屈折率の虚部が大きい物質からなり且つ所
定のパターンを有する吸収体膜と、を具備するものであ
って、前記吸収体膜の表面には粒子線が照射されている
ことを特徴とする。
線を発生させ、このＸ線を照明光学系によってレチクル
に導き、このレチクルからのＸ線を投影光学系によって
感光性基板に導くことにより、前記レチクルのパターン
を感光性基板へ転写する露光方法において、前記レチク
ルは、基板上に形成されたＸ線反射鏡用多層膜と、この
Ｘ線反射鏡用多層膜上に形成された、Ｘ線の使用波長域
における複素屈折率の虚部が大きい物質からなり且つ所
定のパターンを有する吸収体膜と、を具備するものであ
って、前記吸収体膜の表面には粒子線が照射されている
ことを特徴とする。
【００２６】
【発明の実施の形態】多層膜の合計の膜厚を一定に保っ
たまま一層分の膜厚を薄くして層数を増やすことによ
り、多層膜の内部応力を低減することができる。この事
から、吸収体膜の内部応力を低減する第１の方法とし
て、従来は単一の膜で形成している吸収体膜を、吸収の
大きい２種類以上の物質の多層構造からなる膜で形成す
ることにより、吸収体膜における各１層を薄くする方法
が挙げられる。
たまま一層分の膜厚を薄くして層数を増やすことによ
り、多層膜の内部応力を低減することができる。この事
から、吸収体膜の内部応力を低減する第１の方法とし
て、従来は単一の膜で形成している吸収体膜を、吸収の
大きい２種類以上の物質の多層構造からなる膜で形成す
ることにより、吸収体膜における各１層を薄くする方法
が挙げられる。
【００２７】また、多層膜において、多層膜を構成する
１つの層を形成した後、次の層を形成する前にその層の
表面に粒子線を照射することにより、多層膜の内部応力
を低減することができる。この事から、吸収体膜の内部
応力を低減する第２の方法として、単一の膜として吸収
体膜を形成した後、その吸収体膜の表面に粒子線を照射
する方法が挙げられる。
１つの層を形成した後、次の層を形成する前にその層の
表面に粒子線を照射することにより、多層膜の内部応力
を低減することができる。この事から、吸収体膜の内部
応力を低減する第２の方法として、単一の膜として吸収
体膜を形成した後、その吸収体膜の表面に粒子線を照射
する方法が挙げられる。
【００２８】また、第３の方法として、吸収体膜の形成
を複数層に分割して、個々の各層を形成した後、次の層
の形成前に、その層の表面に粒子線を照射する方法が挙
げられる。
を複数層に分割して、個々の各層を形成した後、次の層
の形成前に、その層の表面に粒子線を照射する方法が挙
げられる。
【００２９】また、第４の方法として、吸収の大きい２
種類以上の物質の多層構造からなる膜で吸収体膜を形成
する場合において、各層の形成後、次の層の形成前にそ
の層の表面に粒子線を照射する方法が挙げられる。これ
らの方法を用いることにより、吸収体膜の内部応力を低
減することができる。
種類以上の物質の多層構造からなる膜で吸収体膜を形成
する場合において、各層の形成後、次の層の形成前にそ
の層の表面に粒子線を照射する方法が挙げられる。これ
らの方法を用いることにより、吸収体膜の内部応力を低
減することができる。
【００３０】上記第１及び第４の方法のように吸収の大
きい２種類以上の物質を用いる場合は、軟Ｘ線において
前記式（１）のｋが大きな下記表に記載の物質から選択
することが好ましい。また、これらの物質を多層構造に
する際、使用波長における干渉によって光が弱め合うよ
うな膜厚を選ぶことが好ましい。これにより、その物質
による吸収に加えて消光効果を得ることができる。
きい２種類以上の物質を用いる場合は、軟Ｘ線において
前記式（１）のｋが大きな下記表に記載の物質から選択
することが好ましい。また、これらの物質を多層構造に
する際、使用波長における干渉によって光が弱め合うよ
うな膜厚を選ぶことが好ましい。これにより、その物質
による吸収に加えて消光効果を得ることができる。
【００３１】
【表１】
【００３２】表１に記載の物質はいずれもｋ≧３．０×
１０-2である。ｋの大きな物質を用いれば、等価な吸収
量に対して全体の膜厚はその分薄くすることが出来る。
１０-2である。ｋの大きな物質を用いれば、等価な吸収
量に対して全体の膜厚はその分薄くすることが出来る。
【００３３】以下、図面を参照して本発明の実施の形態
について説明するが、本発明はこれらの実施の形態に限
定されるものではない。
について説明するが、本発明はこれらの実施の形態に限
定されるものではない。
【００３４】図１は、本発明に係る第１の実施の形態に
よるレチクルの一部を示す断面図であり、吸収体膜が形
成される部分を示している。レチクル１０は表面が凹面
形状からなるガラス基板８を備えている。このガラス基
板８上には軟Ｘ線反射用多層膜１２が形成されており、
この軟Ｘ線反射用多層膜１２上には単一膜からなる吸収
体膜１４が形成されている。軟Ｘ線反射用多層膜１２
は、厚さ２．４ｎｍのＭｏと厚さ４．３ｎｍのＳｉとを
交互に５０層対だけ積層した膜である。波長１３ｎｍの
Ｘ線に対して反射率は約６５％（理論値は７３％程度）
である。吸収体膜１４は、厚さ１００ｎｍの単一のＮｉ
膜であって転写パターンを有するものである。また、吸
収体膜１４には粒子線、例えばＡｒイオンビームが照射
されている。
よるレチクルの一部を示す断面図であり、吸収体膜が形
成される部分を示している。レチクル１０は表面が凹面
形状からなるガラス基板８を備えている。このガラス基
板８上には軟Ｘ線反射用多層膜１２が形成されており、
この軟Ｘ線反射用多層膜１２上には単一膜からなる吸収
体膜１４が形成されている。軟Ｘ線反射用多層膜１２
は、厚さ２．４ｎｍのＭｏと厚さ４．３ｎｍのＳｉとを
交互に５０層対だけ積層した膜である。波長１３ｎｍの
Ｘ線に対して反射率は約６５％（理論値は７３％程度）
である。吸収体膜１４は、厚さ１００ｎｍの単一のＮｉ
膜であって転写パターンを有するものである。また、吸
収体膜１４には粒子線、例えばＡｒイオンビームが照射
されている。
【００３５】次に、上記レチクルの製造方法について説
明する。まず、ガラス基板８を準備する。そして、この
ガラス基板８上に厚さ２．４ｎｍのＭｏ膜１２ａをスパ
ッタ法により成膜し、このＭｏ膜１２ａ上に厚さ４．３
ｎｍのＳｉ膜１２ｂをスパッタ法により成膜する。次
に、この成膜を繰り返してＭｏ膜１２ａ及びＳｉ膜１２
ｂを交互に５０層対だけ積層する。これにより、ガラス
基板８上に軟Ｘ線反射用多層膜１２が形成される。
明する。まず、ガラス基板８を準備する。そして、この
ガラス基板８上に厚さ２．４ｎｍのＭｏ膜１２ａをスパ
ッタ法により成膜し、このＭｏ膜１２ａ上に厚さ４．３
ｎｍのＳｉ膜１２ｂをスパッタ法により成膜する。次
に、この成膜を繰り返してＭｏ膜１２ａ及びＳｉ膜１２
ｂを交互に５０層対だけ積層する。これにより、ガラス
基板８上に軟Ｘ線反射用多層膜１２が形成される。
【００３６】この後、軟Ｘ線反射用多層膜１２上に厚さ
１００ｎｍのＮｉ膜をスパッタ法により成膜する。次
に、このＮｉ膜に６００ｅＶのビームエネルギーでＡｒ
イオンビームを照射する。その後、このＮｉ膜をパター
ニングすることにより、該Ｎｉ膜には所定のパターンが
形成される。このようにして吸収体膜１４を有するレチ
クル１０が形成される。
１００ｎｍのＮｉ膜をスパッタ法により成膜する。次
に、このＮｉ膜に６００ｅＶのビームエネルギーでＡｒ
イオンビームを照射する。その後、このＮｉ膜をパター
ニングすることにより、該Ｎｉ膜には所定のパターンが
形成される。このようにして吸収体膜１４を有するレチ
クル１０が形成される。
【００３７】このレチクル１０では、吸収体膜１４に単
層膜で内部応力を持つＮｉ膜を用いているが、この吸収
体膜１４にＡｒイオンビームを照射しているため、Ａｒ
イオンビームを照射しない通常のＮｉ吸収体の場合に比
べて内部応力を低減することが出来る。
層膜で内部応力を持つＮｉ膜を用いているが、この吸収
体膜１４にＡｒイオンビームを照射しているため、Ａｒ
イオンビームを照射しない通常のＮｉ吸収体の場合に比
べて内部応力を低減することが出来る。
【００３８】図２は、図１に示すレチクルを使用したＸ
線露光装置を示す全体構成図である。このＸ線露光装置
は、露光用の照明光として、波長１３ｎｍ近傍の軟Ｘ線
領域の光（以下、ＥＵＶ光という）を用いて、ステップ
アンドスキャン方式により露光動作を行う投影露光装置
である。
線露光装置を示す全体構成図である。このＸ線露光装置
は、露光用の照明光として、波長１３ｎｍ近傍の軟Ｘ線
領域の光（以下、ＥＵＶ光という）を用いて、ステップ
アンドスキャン方式により露光動作を行う投影露光装置
である。
【００３９】Ｘ線露光装置１の最上流部には、レーザ光
源３が配置されている。レーザ光源３は、赤外線から可
視域の波長のレーザ光を供給する機能を有し、例えば半
導体レーザ励起によるＹＡＧレーザやエキシマレーザ等
を使用する。レーザ光源３から発せられたレーザ光は、
集光光学系５により集光され、下部に配置されたレーザ
プラズマ光源７に達する。レーザプラズマ光源７は、波
長１３ｎｍ近傍のＸ線を効率よく発生させることができ
る。
源３が配置されている。レーザ光源３は、赤外線から可
視域の波長のレーザ光を供給する機能を有し、例えば半
導体レーザ励起によるＹＡＧレーザやエキシマレーザ等
を使用する。レーザ光源３から発せられたレーザ光は、
集光光学系５により集光され、下部に配置されたレーザ
プラズマ光源７に達する。レーザプラズマ光源７は、波
長１３ｎｍ近傍のＸ線を効率よく発生させることができ
る。
【００４０】レーザプラズマ光源７には、図示せぬノズ
ルが配置されており、キセノンガスを噴出する。噴出さ
れたキセノンガスはレーザプラズマ光源７において高照
度のレーザ光を受ける。キセノンガスは、高照度のレー
ザ光のエネルギーにより高温になり、プラズマ状態に励
起され、低ポテンシャル状態へ遷移する際にＥＵＶ光を
放出する。ＥＵＶ光は、大気に対する透過率が低いた
め、その光路はチャンバ（真空室）９により覆われて外
気が遮断されている。なお、キセノンガスを放出するノ
ズルからデブリが発生するため、チャンバ９を他のチャ
ンバとは別に配置する必要がある。
ルが配置されており、キセノンガスを噴出する。噴出さ
れたキセノンガスはレーザプラズマ光源７において高照
度のレーザ光を受ける。キセノンガスは、高照度のレー
ザ光のエネルギーにより高温になり、プラズマ状態に励
起され、低ポテンシャル状態へ遷移する際にＥＵＶ光を
放出する。ＥＵＶ光は、大気に対する透過率が低いた
め、その光路はチャンバ（真空室）９により覆われて外
気が遮断されている。なお、キセノンガスを放出するノ
ズルからデブリが発生するため、チャンバ９を他のチャ
ンバとは別に配置する必要がある。
【００４１】レーザプラズマ光源７の上部には、Ｍｏ／
Ｓｉ多層膜をコートした回転放物面反射鏡１１が配置さ
れている。レーザプラズマ光源７から輻射されたＸ線
は、放物面反射鏡１１に入射し、波長１３ｎｍ付近のＸ
線のみが露光装置１の下方に向かって平行に反射され
る。
Ｓｉ多層膜をコートした回転放物面反射鏡１１が配置さ
れている。レーザプラズマ光源７から輻射されたＸ線
は、放物面反射鏡１１に入射し、波長１３ｎｍ付近のＸ
線のみが露光装置１の下方に向かって平行に反射され
る。
【００４２】回転放物面反射鏡１１の下方には、厚さ
０．１５ｎｍのＢｅ（ベリリウム）からなる可視光カッ
トＸ線透過フィルター１３が配置されている。回転放物
面反射鏡１１で反射されたＸ線の内、所望の１３ｎｍの
Ｘ線のみが透過フィルター１３を通過する。透過フィル
ター１３付近は、チャンバ１５により覆われて外気を遮
断している。
０．１５ｎｍのＢｅ（ベリリウム）からなる可視光カッ
トＸ線透過フィルター１３が配置されている。回転放物
面反射鏡１１で反射されたＸ線の内、所望の１３ｎｍの
Ｘ線のみが透過フィルター１３を通過する。透過フィル
ター１３付近は、チャンバ１５により覆われて外気を遮
断している。
【００４３】透過フィルター１３の下方には、露光チャ
ンバ３３が設置されている。露光チャンバ３３内の透過
フィルター１３の下方には、照明光学系１７が配置され
ている。照明光学系１７は、コンデンサー系の反射鏡、
フライアイ光学系の反射鏡等で構成されており、透過フ
ィルター１３から入力されたＸ線を円弧状に整形し、図
の左方に向かって照射する。
ンバ３３が設置されている。露光チャンバ３３内の透過
フィルター１３の下方には、照明光学系１７が配置され
ている。照明光学系１７は、コンデンサー系の反射鏡、
フライアイ光学系の反射鏡等で構成されており、透過フ
ィルター１３から入力されたＸ線を円弧状に整形し、図
の左方に向かって照射する。
【００４４】照明光学系１７の図の左方には、Ｘ線反射
鏡１９が配置されている。Ｘ線反射鏡１９は、図の右側
の反射面１９ａが凹型をした円形の回転放物円ミラーで
あり、保持部材により垂直に保持されている。Ｘ線反射
鏡１９は、反射面１９ａが高精度に加工された石英の基
板からなる。反射面１９ａには、波長１３ｎｍのＸ線を
６５％程度反射するＭｏとＳｉの多層膜が形成されてい
る。なお、波長が１０〜１５ｎｍのＸ線を用いる場合に
は、Ｒｕ（ルテニウム）、Ｒｈ（ロじウム）等の物質
と、Ｓｉ、Ｂｅ（ベリリウム）、Ｂ４Ｃ（４ホウ化炭
素）等の物質とを組み合わせた多層膜でも良い。
鏡１９が配置されている。Ｘ線反射鏡１９は、図の右側
の反射面１９ａが凹型をした円形の回転放物円ミラーで
あり、保持部材により垂直に保持されている。Ｘ線反射
鏡１９は、反射面１９ａが高精度に加工された石英の基
板からなる。反射面１９ａには、波長１３ｎｍのＸ線を
６５％程度反射するＭｏとＳｉの多層膜が形成されてい
る。なお、波長が１０〜１５ｎｍのＸ線を用いる場合に
は、Ｒｕ（ルテニウム）、Ｒｈ（ロじウム）等の物質
と、Ｓｉ、Ｂｅ（ベリリウム）、Ｂ４Ｃ（４ホウ化炭
素）等の物質とを組み合わせた多層膜でも良い。
【００４５】Ｘ線反射鏡１９の図の右方には、光路折り
曲げ反射鏡２１が斜めに配置されている。光路折り曲げ
反射鏡２１の上方には、レチクル２３が、反射面が下に
なるように水平に配置されている。照明光学系１７から
放出されたＸ線は、Ｘ線反射鏡１９により反射集光され
た後に、光路折り曲げ反射鏡２１を介して、レチクル２
３の反射面に達する。
曲げ反射鏡２１が斜めに配置されている。光路折り曲げ
反射鏡２１の上方には、レチクル２３が、反射面が下に
なるように水平に配置されている。照明光学系１７から
放出されたＸ線は、Ｘ線反射鏡１９により反射集光され
た後に、光路折り曲げ反射鏡２１を介して、レチクル２
３の反射面に達する。
【００４６】レチクル２３の反射面にも多層膜からなる
反射膜が形成されている。この反射膜には、ウエハ２９
に転写するパターンに応じたレチクルパターンが形成さ
れている。レチクル２３は、その上部に図示されたレチ
クルステージ２５に固定されている。レチクルステージ
２５は、少なくともＹ方向に移動可能であり、光路折り
曲げ反射鏡２１で反射されたＸ線を順次レチクル２３上
に照射する。レチクル２３の詳細な構造については前述
した通りである。
反射膜が形成されている。この反射膜には、ウエハ２９
に転写するパターンに応じたレチクルパターンが形成さ
れている。レチクル２３は、その上部に図示されたレチ
クルステージ２５に固定されている。レチクルステージ
２５は、少なくともＹ方向に移動可能であり、光路折り
曲げ反射鏡２１で反射されたＸ線を順次レチクル２３上
に照射する。レチクル２３の詳細な構造については前述
した通りである。
【００４７】レチクル２３の下部には、順に投影光学系
２７、ウエハ２９が配置されている。投影光学系２７
は、複数の反射鏡等からなり、レチクル２３上のパター
ンを所定の縮小倍率（例えば１／４）に縮小し、ウエハ
２９上に結像する。ウエハ２９は、ＸＹＺ方向に移動可
能なウエハステージ３１に吸着等により固定されてい
る。
２７、ウエハ２９が配置されている。投影光学系２７
は、複数の反射鏡等からなり、レチクル２３上のパター
ンを所定の縮小倍率（例えば１／４）に縮小し、ウエハ
２９上に結像する。ウエハ２９は、ＸＹＺ方向に移動可
能なウエハステージ３１に吸着等により固定されてい
る。
【００４８】露光チャンバ３３にはゲートバルブ３５を
介して予備排気室（ロードロック室）３７が設けられて
いる。予備排気室３７には真空ポンプ３９が接続してお
り、真空ポンプ３９の運転により予備排気室３７は真空
排気される。
介して予備排気室（ロードロック室）３７が設けられて
いる。予備排気室３７には真空ポンプ３９が接続してお
り、真空ポンプ３９の運転により予備排気室３７は真空
排気される。
【００４９】露光動作を行う際には、照明光学系１７に
よりレチクル２３の反射面にＥＵＶ光を照射する。その
際、投影光学系２７に対してレチクル２３及びウエハ２
９を投影光学系の縮小倍率により定まる所定の速度比で
相対的に同期走査する。これにより、レチクル２３の回
路パターンの全体をウエハ２９上の複数のショット領域
の各々にステップアンドスキャン方式で転写する。な
お、ウエハ２９のチップは例えば２５×２５ｍｍ角であ
り、レジスト上で０．０７μｍＬ／ＳのＩＣパターンが
露光できる。
よりレチクル２３の反射面にＥＵＶ光を照射する。その
際、投影光学系２７に対してレチクル２３及びウエハ２
９を投影光学系の縮小倍率により定まる所定の速度比で
相対的に同期走査する。これにより、レチクル２３の回
路パターンの全体をウエハ２９上の複数のショット領域
の各々にステップアンドスキャン方式で転写する。な
お、ウエハ２９のチップは例えば２５×２５ｍｍ角であ
り、レジスト上で０．０７μｍＬ／ＳのＩＣパターンが
露光できる。
【００５０】上記第１の実施の形態によれば、吸収体膜
１４にＡｒイオンビームを照射しているため、Ａｒイオ
ンビームを照射しない通常のＮｉ吸収体の場合に比べて
内部応力を低減することが出来る。したがって、内部応
力に起因するレチクルの変形を低減することができ、光
学特性の向上を図ることができる。よって、このレチク
ルを露光装置に適用した場合、照明光学系及び投影光学
系の光学特性、即ち露光装置の光学特性に悪影響を与え
ないようにすることができる。
１４にＡｒイオンビームを照射しているため、Ａｒイオ
ンビームを照射しない通常のＮｉ吸収体の場合に比べて
内部応力を低減することが出来る。したがって、内部応
力に起因するレチクルの変形を低減することができ、光
学特性の向上を図ることができる。よって、このレチク
ルを露光装置に適用した場合、照明光学系及び投影光学
系の光学特性、即ち露光装置の光学特性に悪影響を与え
ないようにすることができる。
【００５１】図３は、本発明に係る第２の実施の形態に
よるレチクルの一部を示す断面図であり、吸収体膜が形
成される部分を示しており、図１と同一部分には同一符
号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
よるレチクルの一部を示す断面図であり、吸収体膜が形
成される部分を示しており、図１と同一部分には同一符
号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
【００５２】吸収体膜２４は、Ｎｉからなる厚さ５ｎｍ
の吸収体層（Ｎｉ層）２４ａを２０層積層した厚さ１０
０ｎｍの膜であって転写パターンを有するものである。
また、吸収体膜２４における各々のＮｉからなる吸収体
層の表面には粒子線、例えばＡｒイオンビームが照射さ
れている。
の吸収体層（Ｎｉ層）２４ａを２０層積層した厚さ１０
０ｎｍの膜であって転写パターンを有するものである。
また、吸収体膜２４における各々のＮｉからなる吸収体
層の表面には粒子線、例えばＡｒイオンビームが照射さ
れている。
【００５３】次に、上記レチクルの製造方法について説
明する。軟Ｘ線反射用多層膜１２上に厚さ５ｎｍのＮｉ
層２４ａをスパッタ法により成膜した後、このＮｉ層２
４ａの表面にＡｒイオンビームを照射する。次に、この
Ｎｉ層２４ａの上に同様の方法でＮｉ層２４ａを成膜
し、Ａｒイオンビームを照射する工程を２０回繰り返
す。これにより、反射用多層膜１２上には全体として厚
さ１００ｎｍの吸収体膜２４が形成される。
明する。軟Ｘ線反射用多層膜１２上に厚さ５ｎｍのＮｉ
層２４ａをスパッタ法により成膜した後、このＮｉ層２
４ａの表面にＡｒイオンビームを照射する。次に、この
Ｎｉ層２４ａの上に同様の方法でＮｉ層２４ａを成膜
し、Ａｒイオンビームを照射する工程を２０回繰り返
す。これにより、反射用多層膜１２上には全体として厚
さ１００ｎｍの吸収体膜２４が形成される。
【００５４】その後、この吸収体膜２４をパターニング
することにより、該Ｎｉ膜には所定のパターンが形成さ
れる。このようにして吸収体膜２４を有するレチクル２
０が形成される。
することにより、該Ｎｉ膜には所定のパターンが形成さ
れる。このようにして吸収体膜２４を有するレチクル２
０が形成される。
【００５５】上記第２の実施の形態によれば、吸収体膜
２４の形成を数回に分割すること、即ち複数の吸収体層
２４ａを積層して吸収体膜２４を形成することにより、
単層のＮｉで吸収体膜を形成する場合に比べて内部応力
を低減することが出来る。したがって、内部応力に起因
するレチクルの変形を低減することができ、光学特性の
向上を図ることができる。
２４の形成を数回に分割すること、即ち複数の吸収体層
２４ａを積層して吸収体膜２４を形成することにより、
単層のＮｉで吸収体膜を形成する場合に比べて内部応力
を低減することが出来る。したがって、内部応力に起因
するレチクルの変形を低減することができ、光学特性の
向上を図ることができる。
【００５６】また、本実施の形態では、吸収体膜２４の
形成を数回に分割し、各分割した層の形成後にその都度
その層表面にＡｒイオンビームを照射することにより、
Ａｒイオンビームを照射しない複数のＮｉ層を積層した
だけの吸収体膜に比べて内部応力を低減することができ
る。したがって、内部応力に起因するレチクルの変形を
低減することができ、光学特性の向上を図ることができ
る。
形成を数回に分割し、各分割した層の形成後にその都度
その層表面にＡｒイオンビームを照射することにより、
Ａｒイオンビームを照射しない複数のＮｉ層を積層した
だけの吸収体膜に比べて内部応力を低減することができ
る。したがって、内部応力に起因するレチクルの変形を
低減することができ、光学特性の向上を図ることができ
る。
【００５７】図４は、本発明に係る第３の実施の形態に
よるレチクルの一部を示す断面図であり、吸収体膜が形
成される部分を示しており、図１と同一部分には同一符
号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
よるレチクルの一部を示す断面図であり、吸収体膜が形
成される部分を示しており、図１と同一部分には同一符
号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
【００５８】吸収体膜３４は、厚さ５ｎｍのＮｉ層３４
ａと厚さ５ｎｍのＣｕ層３４ｂとを交互に１０層対だけ
積層して全体で厚さ１００ｎｍの膜であって転写パター
ンを有するものである。
ａと厚さ５ｎｍのＣｕ層３４ｂとを交互に１０層対だけ
積層して全体で厚さ１００ｎｍの膜であって転写パター
ンを有するものである。
【００５９】次に、上記レチクルの製造方法について説
明する。軟Ｘ線反射用多層膜１２上に厚さ５ｎｍのＮｉ
層３４ａをスパッタ法により成膜した後、このＮｉ層３
４ａ上に厚さ５ｎｍのＣｕ層３４ｂをスパッタ法により
成膜する。この後、これと同様の方法でＮｉ層３４ａと
Ｃｕ層３４ｂを交互に９層対だけ積層していき、それに
より、反射用多層膜１２上には全体として厚さ１００ｎ
ｍの吸収体膜３４が形成される。
明する。軟Ｘ線反射用多層膜１２上に厚さ５ｎｍのＮｉ
層３４ａをスパッタ法により成膜した後、このＮｉ層３
４ａ上に厚さ５ｎｍのＣｕ層３４ｂをスパッタ法により
成膜する。この後、これと同様の方法でＮｉ層３４ａと
Ｃｕ層３４ｂを交互に９層対だけ積層していき、それに
より、反射用多層膜１２上には全体として厚さ１００ｎ
ｍの吸収体膜３４が形成される。
【００６０】その後、この吸収体膜３４をパターニング
することにより、該吸収体膜には所定のパターンが形成
される。このようにして吸収体膜３４を有するレチクル
３０が形成される。
することにより、該吸収体膜には所定のパターンが形成
される。このようにして吸収体膜３４を有するレチクル
３０が形成される。
【００６１】上記第３の実施の形態によれば、吸収体膜
３４をＮｉ層３４ａとＣｕ層３４ｂの２種類の物質層か
らなる多層構造とすることにより、通常の単層のＮｉ層
からなる吸収体の場合に比べて内部応力を低減すること
ができる。したがって、内部応力に起因するレチクルの
変形を低減することができ、光学特性の向上を図ること
ができる。
３４をＮｉ層３４ａとＣｕ層３４ｂの２種類の物質層か
らなる多層構造とすることにより、通常の単層のＮｉ層
からなる吸収体の場合に比べて内部応力を低減すること
ができる。したがって、内部応力に起因するレチクルの
変形を低減することができ、光学特性の向上を図ること
ができる。
【００６２】尚、上記第３の実施の形態では、吸収体膜
３４を２種類の物質層からなる多層構造としているが、
吸収体膜を３種類以上の物質層からなる多層構造とする
ことも可能である。また、物質層の積層順序はいかなる
順序であっても良い。
３４を２種類の物質層からなる多層構造としているが、
吸収体膜を３種類以上の物質層からなる多層構造とする
ことも可能である。また、物質層の積層順序はいかなる
順序であっても良い。
【００６３】図５は、本発明に係る第４の実施の形態に
よるレチクルの一部を示す断面図であり、吸収体膜が形
成される部分を示しており、図４と同一部分には同一符
号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
よるレチクルの一部を示す断面図であり、吸収体膜が形
成される部分を示しており、図４と同一部分には同一符
号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
【００６４】吸収体膜３４における各Ｎｉ層３４ａと各
Ｃｕ層３４ｂにはＡｒイオンビームが照射されている。
つまり、このレチクルを製造する場合、第３の実施の形
態と異なる点は、Ｎｉ層３４ａ及びＣｕ層３４ｂそれぞ
れ各層の形成後、次の層を形成する前にその都度その層
表面に粒子線、例えばＡｒイオンビームを照射すること
である。ここでは、Ａｒイオンビームの照射は２０回実
施される。
Ｃｕ層３４ｂにはＡｒイオンビームが照射されている。
つまり、このレチクルを製造する場合、第３の実施の形
態と異なる点は、Ｎｉ層３４ａ及びＣｕ層３４ｂそれぞ
れ各層の形成後、次の層を形成する前にその都度その層
表面に粒子線、例えばＡｒイオンビームを照射すること
である。ここでは、Ａｒイオンビームの照射は２０回実
施される。
【００６５】上記第４の実施の形態においても第３の実
施の形態と同様の効果を得ることができ、しかも、各層
の形成後その都度その層表面にＡｒイオンビームを照射
しているため、第３の実施の形態の吸収体膜に比べてさ
らに内部応力を低減することができる。
施の形態と同様の効果を得ることができ、しかも、各層
の形成後その都度その層表面にＡｒイオンビームを照射
しているため、第３の実施の形態の吸収体膜に比べてさ
らに内部応力を低減することができる。
【００６６】尚、上記第４の実施の形態では、吸収体膜
３４における多層構造のすべての層にＡｒイオンビーム
を照射しているが、これに限定されるものではなく、１
種類の物質層のみにＡｒイオンビームを照射することも
可能であり、また、特定の層のみにＡｒイオンビームを
照射することも可能である。
３４における多層構造のすべての層にＡｒイオンビーム
を照射しているが、これに限定されるものではなく、１
種類の物質層のみにＡｒイオンビームを照射することも
可能であり、また、特定の層のみにＡｒイオンビームを
照射することも可能である。
【００６７】また、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実
施することが可能である。例えば、上記実施の形態で
は、粒子線としてＡｒイオンビームを用いているが、Ａ
ｒイオンビーム以外の粒子線を用いることも可能であ
る。
ず、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実
施することが可能である。例えば、上記実施の形態で
は、粒子線としてＡｒイオンビームを用いているが、Ａ
ｒイオンビーム以外の粒子線を用いることも可能であ
る。
【００６８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、吸
収体膜に粒子線を照射すること等を行っている。したが
って、吸収体膜の内部応力を低減したレチクル、レチク
ルの製造方法、レチクルを用いた露光装置及び露光方法
を提供することができる。
収体膜に粒子線を照射すること等を行っている。したが
って、吸収体膜の内部応力を低減したレチクル、レチク
ルの製造方法、レチクルを用いた露光装置及び露光方法
を提供することができる。
【図１】本発明に係る第１の実施の形態によるレチクル
の一部を示す断面図である。
の一部を示す断面図である。
【図２】図１に示すレチクルを使用したＸ線露光装置を
示す全体構成図である。
示す全体構成図である。
【図３】本発明に係る第２の実施の形態によるレチクル
の一部を示す断面図である。
の一部を示す断面図である。
【図４】本発明に係る第３の実施の形態によるレチクル
の一部を示す断面図である。
の一部を示す断面図である。
【図５】本発明に係る第４の実施の形態によるレチクル
の一部を示す断面図である。
の一部を示す断面図である。
１…Ｘ線露光装置 ３…レーザ光源 ５…集光光学系 ７…レーザプラ
ズマ光源 ８…ガラス基板 ９…チャンバ １０，２０，３０，４０…レチクル １１…回転放物
面反射鏡 １２…軟Ｘ線反射用多層膜 １２ａ…Ｍｏ膜 １２ｂ…Ｓｉ膜 １３…Ｘ線透過
フィルター １４，２４，３４…吸収体膜 １５…チャンバ １７…照明光学系 １９…Ｘ線反射
鏡 １９ａ…反射面 ２１…光路折り
曲げ反射鏡 ２３…レチクル ２４ａ…吸収体
層（Ｎｉ層） ２５…レチクルステージ ２７…投影光学
系 ２９…ウエハ ３１…ウエハス
テージ ３３…露光チャンバ ３４ａ…Ｎｉ層 ３４ｂ…Ｃｕ層 ３５…ゲートバ
ルブ ３７…予備排気室（ロードロック室） ３９…真空ポン
プ
ズマ光源 ８…ガラス基板 ９…チャンバ １０，２０，３０，４０…レチクル １１…回転放物
面反射鏡 １２…軟Ｘ線反射用多層膜 １２ａ…Ｍｏ膜 １２ｂ…Ｓｉ膜 １３…Ｘ線透過
フィルター １４，２４，３４…吸収体膜 １５…チャンバ １７…照明光学系 １９…Ｘ線反射
鏡 １９ａ…反射面 ２１…光路折り
曲げ反射鏡 ２３…レチクル ２４ａ…吸収体
層（Ｎｉ層） ２５…レチクルステージ ２７…投影光学
系 ２９…ウエハ ３１…ウエハス
テージ ３３…露光チャンバ ３４ａ…Ｎｉ層 ３４ｂ…Ｃｕ層 ３５…ゲートバ
ルブ ３７…予備排気室（ロードロック室） ３９…真空ポン
プ
Claims (15)
- 【請求項１】 基板上に形成されたＸ線反射鏡用多層膜
と、 このＸ線反射鏡用多層膜上に形成された、Ｘ線の使用波
長域における複素屈折率の虚部が大きい物質からなり且
つ所定のパターンを有する吸収体膜と、 を具備し、 前記吸収体膜の表面には粒子線が照射されていることを
特徴とするレチクル。 - 【請求項２】 基板上に形成されたＸ線反射鏡用多層膜
と、 このＸ線反射鏡用多層膜上に形成された、Ｘ線の使用波
長域における複素屈折率の虚部が大きい物質からなる複
数の層を積層し且つ所定のパターンを有する吸収体膜
と、 を具備し、 前記複数の層における各層の表面には粒子線が照射され
ていることを特徴とするレチクル。 - 【請求項３】 基板上に形成されたＸ線反射鏡用多層膜
と、 このＸ線反射鏡用多層膜上に形成された、Ｘ線の使用波
長域における複素屈折率の虚部が大きい物質からなり且
つ所定のパターンを有する吸収体膜と、 を具備し、 前記吸収体膜は、複素屈折率の虚部が大きい少なくとも
２種類の物質層を少なくとも１回以上交互に積層した構
造を有することを特徴とするレチクル。 - 【請求項４】 前記虚部が大きい少なくとも２種類の物
質層は、銀、ニッケル、錫、インジウム、コバルト、
銅、白金、亜鉛、カドミウム、鉄、金、鉛、パラジウ
ム、タリウム、タングステン、タンタル、クロム、マン
ガン、アルミニウム及びこれらの化合物からなる群から
選ばれた物質層であることを特徴とする請求項３に記載
のレチクル。 - 【請求項５】 前記少なくとも２種類の物質層のうち少
なくとも１つの層の表面には粒子線が照射されているこ
とを特徴とする請求項３に記載のレチクル。 - 【請求項６】 基板上にＸ線反射鏡用多層膜を形成する
工程と、 このＸ線反射鏡用多層膜上に、Ｘ線の使用波長域におけ
る複素屈折率の虚部が大きい物質からなる吸収体膜を形
成する工程と、 この吸収体膜の表面に粒子線を照射する工程と、 この吸収体膜をパターニングすることにより、該吸収体
膜に所定のパターンを形成する工程と、 を具備することを特徴とするレチクルの製造方法。 - 【請求項７】 基板上にＸ線反射鏡用多層膜を形成する
第１工程と、 このＸ線反射鏡用多層膜上に、Ｘ線の使用波長域におけ
る複素屈折率の虚部が大きい物質からなる層を形成する
第２工程と、 この層の表面に粒子線を照射する第３工程と、 前記第２工程及び第３工程を繰り返して行うことによ
り、前記層を複数積層した吸収体膜を形成する第４工程
と、 この吸収体膜をパターニングすることにより、該吸収体
膜に所定のパターンを形成する工程と、 を具備することを特徴とするレチクルの製造方法。 - 【請求項８】 基板上にＸ線反射鏡用多層膜を形成する
第１工程と、 このＸ線反射鏡用多層膜上に、Ｘ線の使用波長域におけ
る複素屈折率の虚部が大きい物質からなる第１層を形成
する第２工程と、 この第１層上に、前記物質とは異なる物質であってＸ線
の使用波長域における複素屈折率の虚部が大きい物質か
らなる第２層を形成する第３工程と、 第１層及び第２層をパターニングすることにより、所定
のパターンを有する吸収体膜を形成する第４工程と、 を具備することを特徴とするレチクルの製造方法。 - 【請求項９】 前記第３工程と第４工程との間に、前記
第２工程及び第３工程を複数回繰り返して行うことによ
り、第１層と第２層を交互に積層した多層膜構造からな
る吸収体膜とする工程をさらに含むことを特徴とする請
求項８に記載のレチクルの製造方法。 - 【請求項１０】 前記第２工程と第３工程との間に、第
１層の表面に粒子線を照射する工程をさらに含むことを
特徴とする請求項８に記載のレチクルの製造方法。 - 【請求項１１】 前記第３工程と第４工程との間に、第
２層の表面に粒子線を照射する工程をさらに含むことを
特徴とする請求項８又は１０に記載のレチクルの製造方
法。 - 【請求項１２】 Ｘ線を発生させるＸ線光源と、このＸ
線光源からのＸ線をレチクルに導く照明光学系と、前記
レチクルからのＸ線を感光性基板に導く投影光学系とを
有し、前記レチクルのパターンを感光性基板へ転写する
露光装置において、 前記レチクルは、基板上に形成されたＸ線反射鏡用多層
膜と、このＸ線反射鏡用多層膜上に形成された、Ｘ線の
使用波長域における複素屈折率の虚部が大きい物質から
なり且つ所定のパターンを有する吸収体膜と、を具備す
るものであって、前記吸収体膜の表面には粒子線が照射
されていることを特徴とする露光装置。 - 【請求項１３】 Ｘ線を発生させるＸ線光源と、このＸ
線光源からのＸ線をレチクルに導く照明光学系と、前記
レチクルからのＸ線を感光性基板に導く投影光学系とを
有し、前記レチクルのパターンを感光性基板へ転写する
露光装置において、 前記レチクルは、基板上に形成されたＸ線反射鏡用多層
膜と、このＸ反射鏡用多層膜上に形成された、Ｘ線の使
用波長域における複素屈折率の虚部が大きい物質からな
る複数の層を積層し且つ所定のパターンを有する吸収体
膜と、を具備するものであって、前記複数の層における
各層の表面には粒子線が照射されていることを特徴とす
る露光装置。 - 【請求項１４】 Ｘ線を発生させるＸ線光源と、このＸ
線光源からのＸ線をレチクルに導く照明光学系と、前記
レチクルからのＸ線を感光性基板に導く投影光学系とを
有し、前記レチクルのパターンを感光性基板へ転写する
露光装置において、 前記レチクルは、基板上に形成されたＸ線反射鏡用多層
膜と、このＸ線反射鏡用多層膜上に形成された、Ｘ線の
使用波長域における複素屈折率の虚部が大きい物質から
なり且つ所定のパターンを有する吸収体膜と、を具備す
るものであって、前記吸収体膜は、複素屈折率の虚部が
大きい少なくとも２種類の物質層を少なくとも１回以上
交互に積層した構造を有することを特徴とする露光装
置。 - 【請求項１５】 Ｘ線光源からＸ線を発生させ、このＸ
線を照明光学系によってレチクルに導き、このレチクル
からのＸ線を投影光学系によって感光性基板に導くこと
により、前記レチクルのパターンを感光性基板へ転写す
る露光方法において、 前記レチクルは、基板上に形成されたＸ線反射鏡用多層
膜と、このＸ線反射鏡用多層膜上に形成された、Ｘ線の
使用波長域における複素屈折率の虚部が大きい物質から
なり且つ所定のパターンを有する吸収体膜と、を具備す
るものであって、前記吸収体膜の表面には粒子線が照射
されていることを特徴とする露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001132135A JP2002329649A (ja) | 2001-04-27 | 2001-04-27 | レチクル、レチクルの製造方法、露光装置及び露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001132135A JP2002329649A (ja) | 2001-04-27 | 2001-04-27 | レチクル、レチクルの製造方法、露光装置及び露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002329649A true JP2002329649A (ja) | 2002-11-15 |
Family
ID=18980192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001132135A Pending JP2002329649A (ja) | 2001-04-27 | 2001-04-27 | レチクル、レチクルの製造方法、露光装置及び露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002329649A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
2001
- 2001-04-27 JP JP2001132135A patent/JP2002329649A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20040420 |