JP4805997B2 - ミラー、リソグラフィ機器、及びデバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
−放射投影ビーム(例えば、UV又はEUV放射)PBを提供する照明システム(照明器)ILと、
−パターン化手段(例えば、マスク)MAを支持し、要素PLに対してパターン化手段を正確に位置決めする第1位置決め手段PMに連結された第1支持構造(例えば、マスク・テーブル)MTと、
−基板(例えば、レジストを塗布したウエハ)Wを保持し、要素PLに対して基板を正確に位置決めする第2位置決め手段PWに連結された基板テーブル(例えば、ウエハ・テーブル)WTと、
−基板Wの(例えば、1つ又は複数のダイを含む)目標部分Cに、パターン化手段MAによって投影ビームPBに付与されたパターンを結像する投影システム(例えば、反射型投影レンズ)PLと、を備える。
1.ステップ・モードでは、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTは本質的に固定したまま、投影ビームに付与されたパターン全体を目標部分Cに1回で投影する(すなわち、1回の静止露光)。次いで、基板テーブルWTをX方向及び/又はY方向に移動して、異なる目標部分Cを露光することができる。ステップ・モードでは、露光領域の最大サイズが、1回の静止露光で画像形成される目標部分Cのサイズを制限する。
2.スキャン・モードでは、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTを同期して走査し、投影ビームに付与されたパターンを目標部分Cに投影する(すなわち、1回の動的な露光)。マスク・テーブルMTに対する相対的な基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPLの倍率(縮小率)及び像の反転特性によって決まる。スキャン・モードでは、露光領域の最大サイズが、1回の動的な露光における目標部分の(非走査方向の)幅を制限し、走査移動長により、目標部分の(走査方向の)高さが決まる。
3.別のモードでは、プログラム可能なパターン化手段を保持するマスク・テーブルMTを本質的に固定したまま、基板テーブルWTを移動すなわち走査し、投影ビームに付与されたパターンを目標部分Cに投影する。一般に、このモードでは、パルス化された放射源を用い、基板テーブルWTの各移動動作後に、或いは走査中に連続放射パルス間で、プログラム可能なパターン化手段が必要に応じて更新される。この動作モードは、上記で言及したタイプのプログラム可能なミラー・アレイなどのプログラム可能なパターン化手段を利用するマスクなしリソグラフィに容易に適用し得る。
1.小さな核が形成される核生成段階。図5aを参照すると、Ru層4上にこれらの小さなSnの核18が示されている。これらの核18は、それらが互いに接触するまで成長を続ける。このような接触は、一般に飽和密度と称する密度で生じる。この核生成は、欠陥により誘起されることもあるし、ランダムに生じることもある。
2.図5bに示すように、接触する核が単一のより大きな核20に転化して、表面自由エネルギーが減少する凝集段階。より大きな核20は継続して成長する。この移動機構は主に表面拡散によるものである。
3.これらのより大きな核20が個々に、凝集プロセス時よりも速く成長し、それによって、空隙及び粒界を伴うより連続的なチャネル22が生成されるチャネル段階。図5cを参照されたい。
4.図5dに示すように、連続被膜6で全域が覆われる連続被膜段階(図5dは、図3の上面図である)。この被膜は、粒界によって結合した結晶粒からなる。
2 層、Ni層
3 ミラー
4 上部層、Ru層
5 Snの被着
6 連続被膜、Sn層
8 上部被覆、Au層
10 Snの薄い層
12 Au原子の拡散
14 合金被膜、Au/Sn層
16 Sn蒸気
18 小さな核
20 大きい核
22 連続チャネル
24 保護被覆
26 被着部位
28 成長部位
29 ポンプ
30(1) 第1ミラー
30(2) 第2ミラー
31 結合部分
32 光が入射しない区域
33 冷却ユニット
34 光が入射しない区域
35 EUV放射
36 スルー・ホール
37 熱
38 加熱源
39 キャピラリ・トレンチ
40 コントローラ
42 放射システム
44 照明光学ユニット
47 放射源チャンバ
48 集光器チャンバ
49 ガス障壁構造、汚染物トラップ
50 放射集光器
51 グレーティング型スペクトル・フィルタ
52 仮想放射源点
53 垂直入射反射器
54 垂直入射反射器
56 投影ビーム
57 パターン化されたビーム
58 反射要素
59 反射要素
C 目標部分
IF1 位置センサ
IF2 位置センサ
IL 照明システム、照明器
MA パターン化手段
MT 第1支持構造
M1 マスク位置合わせマーク
M2 マスク位置合わせマーク
O 光軸
PB 放射投影ビーム
PL 投影システム、レンズ
PM 第1位置決め手段
PW 第2位置決め手段
P1 基板位置合わせマーク
P2 基板位置合わせマーク
SO 放射源
W 基板
WT 基板テーブル
Claims (10)
- 所望の波長の放射を提供し、かつ動作時に望ましくない金属粒子流を生成して前記ミラー上に金属被着物が形成される放射源(SO)を備えるリソグラフィ機器で使用するミラーであって、
前記金属被着物のぬれ性を増強するAg又はCuを含む濡れ性材料のパターンが前記ミラーの表面に部分的に形成されている、
ミラー。 - 前記濡れ性材料のパターンは、ドット及びラインの少なくとも1つからなるパターン(28)である、
請求項1に記載のミラー。 - 前記濡れ性材料のパターンは、トレンチ(39)及びホール(36)の少なくとも1つからなるパターンである、
請求項1に記載のミラー。 - 放射投影ビームを提供する照明システムと、前記投影ビームの横断面にパターンを付与する働きをするパターン化手段を支持する支持構造と、基板を保持する基板テーブルと、前記基板の目標部分に前記パターン化されたビームを投影する投影システムと、を備えるリソグラフィ機器であって、
前記リソグラフィ機器が、所望の波長の放射を提供し、かつ動作時に望ましくない金属粒子流を生成する放射源(SO)を備え、
前記照明システムが、前記リソグラフィ機器が動作しているときに、前記望ましくない金属粒子の少なくとも一部を受け取るように配置されたミラーを備え、
前記リソグラフィ機器が、前記ミラーを加熱し、前記ミラー上で前記金属粒子の表面移動度を増加させるための加熱源をさらに備え、
前記金属粒子のぬれ性を増強するAg又はCuを含む濡れ性材料のパターンが前記ミラーの表面に部分的に形成されている、
リソグラフィ機器。 - 前記濡れ性材料のパターンは、ドット及びラインの少なくとも1つからなるパターン(28)である、
請求項4に記載のリソグラフィ機器。 - 前記濡れ性材料のパターンは、トレンチ(39)及びホール(36)の少なくとも1つからなるパターンである、
請求項4に記載のリソグラフィ機器。 - 前記ミラーから蒸発した望ましくない金属蒸気を吸い出すポンプ(29)を備える、
請求項4〜6のいずれかに記載のリソグラフィ機器。 - 前記リソグラフィ機器が、放射集光器として配置された複数のミラーを備え、
少なくとも1つのミラーが、別のミラーの前面に面する裏面を備え、
前記少なくとも1つのミラーの前記裏面が、前記別のミラーの前記前面から蒸発した金属粒子を受け取り、かつ凝結面として動作するように配置される、
請求項4〜7のいずれかに記載のリソグラフィ機器。 - 前記ミラーの表面に所定のハロゲン・ガスを供給するように構成される、
請求項4〜8までのいずれかに記載のリソグラフィ機器。 - 基板を提供するステップと、照明システムを使用して放射投影ビームを提供するステップと、パターン化手段を使用して前記投影ビームの横断面にパターンを付与するステップと、前記基板の目標部分に前記パターン化された放射ビームを投影するステップと、を含むデバイスの製造方法であって、
前記投影ビームを生成するために所望の波長の放射を提供し、かつ動作時に望ましくない金属粒子流を生成する放射源(SO)を提供することと、
前記照明システム内で、前記望ましくない金属粒子の少なくとも一部を受け取るように配置され、前記金属粒子のぬれ性を増強するAg又はCuを含む濡れ性材料のパターンが表面に部分的に形成されているミラーを提供することと、
前記ミラーを加熱し、前記ミラー上で前記金属粒子の表面移動度を増加させることと、
を特徴とする、
方法。
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