JP4805997B2 - ミラー、リソグラフィ機器、及びデバイスの製造方法 - Google Patents
ミラー、リソグラフィ機器、及びデバイスの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4805997B2 JP4805997B2 JP2008290853A JP2008290853A JP4805997B2 JP 4805997 B2 JP4805997 B2 JP 4805997B2 JP 2008290853 A JP2008290853 A JP 2008290853A JP 2008290853 A JP2008290853 A JP 2008290853A JP 4805997 B2 JP4805997 B2 JP 4805997B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mirror
- radiation
- pattern
- lithographic apparatus
- metal particles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 98
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 claims abstract description 34
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 22
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims description 4
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 82
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 44
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 23
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 23
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 17
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 15
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 14
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 13
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 13
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 13
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 11
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 8
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 7
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 4
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000002925 chemical effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000881 depressing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000011066 ex-situ storage Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 239000008240 homogeneous mixture Substances 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000002372 labelling Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/7015—Details of optical elements
- G03F7/70166—Capillary or channel elements, e.g. nested extreme ultraviolet [EUV] mirrors or shells, optical fibers or light guides
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70316—Details of optical elements, e.g. of Bragg reflectors, extreme ultraviolet [EUV] multilayer or bilayer mirrors or diffractive optical elements
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7095—Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
- G03F7/70958—Optical materials or coatings, e.g. with particular transmittance, reflectance or anti-reflection properties
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
- G21K1/06—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
- G03F1/24—Reflection masks; Preparation thereof
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Public Health (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
Description
−放射投影ビーム(例えば、UV又はEUV放射)PBを提供する照明システム(照明器)ILと、
−パターン化手段(例えば、マスク)MAを支持し、要素PLに対してパターン化手段を正確に位置決めする第1位置決め手段PMに連結された第1支持構造(例えば、マスク・テーブル)MTと、
−基板(例えば、レジストを塗布したウエハ)Wを保持し、要素PLに対して基板を正確に位置決めする第2位置決め手段PWに連結された基板テーブル(例えば、ウエハ・テーブル)WTと、
−基板Wの(例えば、1つ又は複数のダイを含む)目標部分Cに、パターン化手段MAによって投影ビームPBに付与されたパターンを結像する投影システム(例えば、反射型投影レンズ)PLと、を備える。
1.ステップ・モードでは、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTは本質的に固定したまま、投影ビームに付与されたパターン全体を目標部分Cに1回で投影する(すなわち、1回の静止露光)。次いで、基板テーブルWTをX方向及び/又はY方向に移動して、異なる目標部分Cを露光することができる。ステップ・モードでは、露光領域の最大サイズが、1回の静止露光で画像形成される目標部分Cのサイズを制限する。
2.スキャン・モードでは、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTを同期して走査し、投影ビームに付与されたパターンを目標部分Cに投影する(すなわち、1回の動的な露光)。マスク・テーブルMTに対する相対的な基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPLの倍率(縮小率)及び像の反転特性によって決まる。スキャン・モードでは、露光領域の最大サイズが、1回の動的な露光における目標部分の(非走査方向の)幅を制限し、走査移動長により、目標部分の(走査方向の)高さが決まる。
3.別のモードでは、プログラム可能なパターン化手段を保持するマスク・テーブルMTを本質的に固定したまま、基板テーブルWTを移動すなわち走査し、投影ビームに付与されたパターンを目標部分Cに投影する。一般に、このモードでは、パルス化された放射源を用い、基板テーブルWTの各移動動作後に、或いは走査中に連続放射パルス間で、プログラム可能なパターン化手段が必要に応じて更新される。この動作モードは、上記で言及したタイプのプログラム可能なミラー・アレイなどのプログラム可能なパターン化手段を利用するマスクなしリソグラフィに容易に適用し得る。
1.小さな核が形成される核生成段階。図5aを参照すると、Ru層4上にこれらの小さなSnの核18が示されている。これらの核18は、それらが互いに接触するまで成長を続ける。このような接触は、一般に飽和密度と称する密度で生じる。この核生成は、欠陥により誘起されることもあるし、ランダムに生じることもある。
2.図5bに示すように、接触する核が単一のより大きな核20に転化して、表面自由エネルギーが減少する凝集段階。より大きな核20は継続して成長する。この移動機構は主に表面拡散によるものである。
3.これらのより大きな核20が個々に、凝集プロセス時よりも速く成長し、それによって、空隙及び粒界を伴うより連続的なチャネル22が生成されるチャネル段階。図5cを参照されたい。
4.図5dに示すように、連続被膜6で全域が覆われる連続被膜段階(図5dは、図3の上面図である)。この被膜は、粒界によって結合した結晶粒からなる。
2 層、Ni層
3 ミラー
4 上部層、Ru層
5 Snの被着
6 連続被膜、Sn層
8 上部被覆、Au層
10 Snの薄い層
12 Au原子の拡散
14 合金被膜、Au/Sn層
16 Sn蒸気
18 小さな核
20 大きい核
22 連続チャネル
24 保護被覆
26 被着部位
28 成長部位
29 ポンプ
30(1) 第1ミラー
30(2) 第2ミラー
31 結合部分
32 光が入射しない区域
33 冷却ユニット
34 光が入射しない区域
35 EUV放射
36 スルー・ホール
37 熱
38 加熱源
39 キャピラリ・トレンチ
40 コントローラ
42 放射システム
44 照明光学ユニット
47 放射源チャンバ
48 集光器チャンバ
49 ガス障壁構造、汚染物トラップ
50 放射集光器
51 グレーティング型スペクトル・フィルタ
52 仮想放射源点
53 垂直入射反射器
54 垂直入射反射器
56 投影ビーム
57 パターン化されたビーム
58 反射要素
59 反射要素
C 目標部分
IF1 位置センサ
IF2 位置センサ
IL 照明システム、照明器
MA パターン化手段
MT 第1支持構造
M1 マスク位置合わせマーク
M2 マスク位置合わせマーク
O 光軸
PB 放射投影ビーム
PL 投影システム、レンズ
PM 第1位置決め手段
PW 第2位置決め手段
P1 基板位置合わせマーク
P2 基板位置合わせマーク
SO 放射源
W 基板
WT 基板テーブル
Claims (10)
- 所望の波長の放射を提供し、かつ動作時に望ましくない金属粒子流を生成して前記ミラー上に金属被着物が形成される放射源(SO)を備えるリソグラフィ機器で使用するミラーであって、
前記金属被着物のぬれ性を増強するAg又はCuを含む濡れ性材料のパターンが前記ミラーの表面に部分的に形成されている、
ミラー。 - 前記濡れ性材料のパターンは、ドット及びラインの少なくとも1つからなるパターン(28)である、
請求項1に記載のミラー。 - 前記濡れ性材料のパターンは、トレンチ(39)及びホール(36)の少なくとも1つからなるパターンである、
請求項1に記載のミラー。 - 放射投影ビームを提供する照明システムと、前記投影ビームの横断面にパターンを付与する働きをするパターン化手段を支持する支持構造と、基板を保持する基板テーブルと、前記基板の目標部分に前記パターン化されたビームを投影する投影システムと、を備えるリソグラフィ機器であって、
前記リソグラフィ機器が、所望の波長の放射を提供し、かつ動作時に望ましくない金属粒子流を生成する放射源(SO)を備え、
前記照明システムが、前記リソグラフィ機器が動作しているときに、前記望ましくない金属粒子の少なくとも一部を受け取るように配置されたミラーを備え、
前記リソグラフィ機器が、前記ミラーを加熱し、前記ミラー上で前記金属粒子の表面移動度を増加させるための加熱源をさらに備え、
前記金属粒子のぬれ性を増強するAg又はCuを含む濡れ性材料のパターンが前記ミラーの表面に部分的に形成されている、
リソグラフィ機器。 - 前記濡れ性材料のパターンは、ドット及びラインの少なくとも1つからなるパターン(28)である、
請求項4に記載のリソグラフィ機器。 - 前記濡れ性材料のパターンは、トレンチ(39)及びホール(36)の少なくとも1つからなるパターンである、
請求項4に記載のリソグラフィ機器。 - 前記ミラーから蒸発した望ましくない金属蒸気を吸い出すポンプ(29)を備える、
請求項4〜6のいずれかに記載のリソグラフィ機器。 - 前記リソグラフィ機器が、放射集光器として配置された複数のミラーを備え、
少なくとも1つのミラーが、別のミラーの前面に面する裏面を備え、
前記少なくとも1つのミラーの前記裏面が、前記別のミラーの前記前面から蒸発した金属粒子を受け取り、かつ凝結面として動作するように配置される、
請求項4〜7のいずれかに記載のリソグラフィ機器。 - 前記ミラーの表面に所定のハロゲン・ガスを供給するように構成される、
請求項4〜8までのいずれかに記載のリソグラフィ機器。 - 基板を提供するステップと、照明システムを使用して放射投影ビームを提供するステップと、パターン化手段を使用して前記投影ビームの横断面にパターンを付与するステップと、前記基板の目標部分に前記パターン化された放射ビームを投影するステップと、を含むデバイスの製造方法であって、
前記投影ビームを生成するために所望の波長の放射を提供し、かつ動作時に望ましくない金属粒子流を生成する放射源(SO)を提供することと、
前記照明システム内で、前記望ましくない金属粒子の少なくとも一部を受け取るように配置され、前記金属粒子のぬれ性を増強するAg又はCuを含む濡れ性材料のパターンが表面に部分的に形成されているミラーを提供することと、
前記ミラーを加熱し、前記ミラー上で前記金属粒子の表面移動度を増加させることと、
を特徴とする、
方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP03078316A EP1526550A1 (en) | 2003-10-20 | 2003-10-20 | Mirror for use in a lithographic apparatus, lithographic apparatus comprising such a mirror and device manufacturing method |
EP03078316.1 | 2003-10-20 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004304405A Division JP2005129936A (ja) | 2003-10-20 | 2004-10-19 | リソグラフィ機器で使用するミラー上での上部層の使用、リソグラフィ機器で使用するミラー、このようなミラーを備えるリソグラフィ機器、及びデバイスの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009055064A JP2009055064A (ja) | 2009-03-12 |
JP4805997B2 true JP4805997B2 (ja) | 2011-11-02 |
Family
ID=34384643
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004304405A Pending JP2005129936A (ja) | 2003-10-20 | 2004-10-19 | リソグラフィ機器で使用するミラー上での上部層の使用、リソグラフィ機器で使用するミラー、このようなミラーを備えるリソグラフィ機器、及びデバイスの製造方法 |
JP2008290853A Expired - Fee Related JP4805997B2 (ja) | 2003-10-20 | 2008-11-13 | ミラー、リソグラフィ機器、及びデバイスの製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004304405A Pending JP2005129936A (ja) | 2003-10-20 | 2004-10-19 | リソグラフィ機器で使用するミラー上での上部層の使用、リソグラフィ機器で使用するミラー、このようなミラーを備えるリソグラフィ機器、及びデバイスの製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7592610B2 (ja) |
EP (2) | EP1624467A3 (ja) |
JP (2) | JP2005129936A (ja) |
KR (1) | KR100794278B1 (ja) |
CN (1) | CN1609715A (ja) |
SG (1) | SG111237A1 (ja) |
TW (1) | TW200527128A (ja) |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7034308B2 (en) * | 2003-06-27 | 2006-04-25 | Asml Netherlands B.V. | Radiation system, contamination barrier, lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
US7145641B2 (en) | 2003-12-31 | 2006-12-05 | Asml Netherlands, B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
US7233010B2 (en) * | 2005-05-20 | 2007-06-19 | Asml Netherlands B.V. | Radiation system and lithographic apparatus |
US7372058B2 (en) * | 2005-09-27 | 2008-05-13 | Asml Netherlands B.V. | Ex-situ removal of deposition on an optical element |
EP1946331B1 (en) * | 2005-11-02 | 2009-04-29 | University College Dublin, National University of Ireland Dublin | Mirror for high power euv lamp system |
US7372049B2 (en) * | 2005-12-02 | 2008-05-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus including a cleaning device and method for cleaning an optical element |
US7462850B2 (en) * | 2005-12-08 | 2008-12-09 | Asml Netherlands B.V. | Radical cleaning arrangement for a lithographic apparatus |
US7468521B2 (en) * | 2005-12-28 | 2008-12-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7541603B2 (en) | 2006-09-27 | 2009-06-02 | Asml Netherlands B.V. | Radiation system and lithographic apparatus comprising the same |
WO2008043577A1 (en) * | 2006-10-13 | 2008-04-17 | Media Lario S.R.L. | Coated mirrors and their fabication |
US7696492B2 (en) * | 2006-12-13 | 2010-04-13 | Asml Netherlands B.V. | Radiation system and lithographic apparatus |
US7772570B2 (en) | 2006-12-22 | 2010-08-10 | Asml Netherlands B.V. | Assembly for blocking a beam of radiation and method of blocking a beam of radiation |
US7737418B2 (en) * | 2006-12-27 | 2010-06-15 | Asml Netherlands B.V. | Debris mitigation system and lithographic apparatus |
US20080218709A1 (en) * | 2007-03-07 | 2008-09-11 | Asml Netherlands B.V. | Removal of deposition on an element of a lithographic apparatus |
KR101456320B1 (ko) * | 2007-11-06 | 2014-11-03 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 광학면으로부터 오염층을 제거하는 방법, 세정 가스를 생성하는 방법 및 대응하는 세정 및 세정 가스 생성 장치들 |
KR101642269B1 (ko) * | 2008-07-18 | 2016-07-26 | 코닌클리케 필립스 엔.브이. | 오염 포획자를 포함하는 극자외선 방사 발생 장치 |
EP2157481A3 (en) * | 2008-08-14 | 2012-06-13 | ASML Netherlands B.V. | Radiation source, lithographic apparatus, and device manufacturing method |
EP2161725B1 (en) * | 2008-09-04 | 2015-07-08 | ASML Netherlands B.V. | Radiation source and related method |
JP5534910B2 (ja) * | 2009-04-23 | 2014-07-02 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置 |
US8587768B2 (en) | 2010-04-05 | 2013-11-19 | Media Lario S.R.L. | EUV collector system with enhanced EUV radiation collection |
KR102002269B1 (ko) * | 2010-07-30 | 2019-07-19 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | Euv 노광 장치 |
CN102621815B (zh) | 2011-01-26 | 2016-12-21 | Asml荷兰有限公司 | 用于光刻设备的反射光学部件及器件制造方法 |
WO2012151497A1 (en) * | 2011-05-04 | 2012-11-08 | The University Of Akron | Suppression of dewetting of polymer films via inexpensive soft lithography |
NL2009359A (en) * | 2011-09-23 | 2013-03-26 | Asml Netherlands Bv | Radiation source. |
DE102013002064A1 (de) | 2012-02-11 | 2013-08-14 | Media Lario S.R.L. | Quell-kollektor-module für euv-lithographie unter verwendung eines gic-spiegels und einer lpp-quelle |
WO2013189827A2 (en) * | 2012-06-22 | 2013-12-27 | Asml Netherlands B.V. | Radiation source and lithographic apparatus. |
US9846365B2 (en) | 2013-08-02 | 2017-12-19 | Asml Netherlands B.V. | Component for a radiation source, associated radiation source and lithographic apparatus |
DE102014216240A1 (de) * | 2014-08-15 | 2016-02-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Reflektives optisches Element |
JP6869242B2 (ja) * | 2015-11-19 | 2021-05-12 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置のためのeuvソースチャンバーおよびガス流れ様式、多層ミラー、およびリソグラフィ装置 |
DE102015225509A1 (de) * | 2015-12-16 | 2017-06-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Reflektives optisches Element |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4465820A (en) * | 1983-06-03 | 1984-08-14 | General Electric Company | Copolyestercarbonates |
JPH08236292A (ja) * | 1995-02-27 | 1996-09-13 | Hitachi Ltd | レーザプラズマx線発生装置 |
US6541786B1 (en) * | 1997-05-12 | 2003-04-01 | Cymer, Inc. | Plasma pinch high energy with debris collector |
US6566667B1 (en) * | 1997-05-12 | 2003-05-20 | Cymer, Inc. | Plasma focus light source with improved pulse power system |
US5958605A (en) * | 1997-11-10 | 1999-09-28 | Regents Of The University Of California | Passivating overcoat bilayer for multilayer reflective coatings for extreme ultraviolet lithography |
DE10138313A1 (de) * | 2001-01-23 | 2002-07-25 | Zeiss Carl | Kollektor für Beleuchtugnssysteme mit einer Wellenlänge < 193 nm |
AU3957599A (en) * | 1998-05-29 | 1999-12-20 | Nikon Corporation | Laser-excited plasma light source, exposure apparatus and its manufacturing method, and device manufacturing method |
TWI267704B (en) * | 1999-07-02 | 2006-12-01 | Asml Netherlands Bv | Capping layer for EUV optical elements |
FR2802311B1 (fr) * | 1999-12-08 | 2002-01-18 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de lithographie utilisant une source de rayonnement dans le domaine extreme ultraviolet et des miroirs multicouches a large bande spectrale dans ce domaine |
US6285737B1 (en) * | 2000-01-21 | 2001-09-04 | Euv Llc | Condenser for extreme-UV lithography with discharge source |
US6972421B2 (en) * | 2000-06-09 | 2005-12-06 | Cymer, Inc. | Extreme ultraviolet light source |
JP2003142296A (ja) * | 2001-11-05 | 2003-05-16 | Canon Inc | X線発生装置 |
EP1333323A3 (en) * | 2002-02-01 | 2004-10-06 | Nikon Corporation | Self-cleaning reflective optical elements for use in x-ray optical systems, and optical systems and microlithography systems comprising same |
EP1348984A1 (en) * | 2002-03-27 | 2003-10-01 | Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag | Optical broad band element and process for its production |
JP2004037295A (ja) * | 2002-07-04 | 2004-02-05 | Nikon Corp | 多層膜反射鏡、その製造方法、多層膜反射鏡の反射率回復方法、軟x線光学系及び軟x線露光装置 |
US6968850B2 (en) * | 2002-07-15 | 2005-11-29 | Intel Corporation | In-situ cleaning of light source collector optics |
JP2004093483A (ja) * | 2002-09-03 | 2004-03-25 | Nikon Corp | 多層膜反射鏡及び露光装置 |
EP1629268B1 (de) * | 2003-05-22 | 2013-05-15 | Philips Intellectual Property & Standards GmbH | Verfahren und vorrichtung zum reinigen mindestens einer optischen komponente |
-
2003
- 2003-10-20 EP EP05108671A patent/EP1624467A3/en not_active Withdrawn
- 2003-10-20 EP EP03078316A patent/EP1526550A1/en not_active Withdrawn
-
2004
- 2004-10-15 TW TW093131449A patent/TW200527128A/zh unknown
- 2004-10-19 KR KR1020040083486A patent/KR100794278B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2004-10-19 JP JP2004304405A patent/JP2005129936A/ja active Pending
- 2004-10-19 SG SG200406153A patent/SG111237A1/en unknown
- 2004-10-19 CN CNA2004100951484A patent/CN1609715A/zh active Pending
- 2004-10-20 US US10/968,471 patent/US7592610B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-11-13 JP JP2008290853A patent/JP4805997B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20050037962A (ko) | 2005-04-25 |
US20050111080A1 (en) | 2005-05-26 |
EP1526550A1 (en) | 2005-04-27 |
KR100794278B1 (ko) | 2008-01-11 |
CN1609715A (zh) | 2005-04-27 |
JP2005129936A (ja) | 2005-05-19 |
TW200527128A (en) | 2005-08-16 |
EP1624467A2 (en) | 2006-02-08 |
US7592610B2 (en) | 2009-09-22 |
SG111237A1 (en) | 2005-05-30 |
JP2009055064A (ja) | 2009-03-12 |
EP1624467A3 (en) | 2007-05-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4805997B2 (ja) | ミラー、リソグラフィ機器、及びデバイスの製造方法 | |
JP4799620B2 (ja) | 放射システムおよびリソグラフィ装置 | |
JP5732392B2 (ja) | 放射源およびリソグラフィ装置 | |
CN102165372B (zh) | 光谱纯度滤光片、光刻设备以及用于制造光谱纯度滤光片的方法 | |
TWI400580B (zh) | 微影裝置之光學元件、包含此光學元件之微影裝置及製造此光學元件之方法 | |
JP4469791B2 (ja) | 光学素子の保護方法およびデバイス製造方法 | |
KR101572930B1 (ko) | 방사 시스템, 방사선 콜렉터, 방사 빔 컨디셔닝 시스템, 방사 시스템용 스펙트럼 퓨리티 필터, 및 스펙트럼 퓨리티 필터 형성 방법 | |
JP4567659B2 (ja) | リソグフィ装置およびデバイス製造方法 | |
US7518132B2 (en) | Light source apparatus, exposure apparatus and device fabrication method | |
JP3696201B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP2006332654A (ja) | 放射システム及びリソグラフィ装置 | |
JP2006186366A (ja) | リソグラフィ装置、照明系及びデブリ捕捉システム | |
JP2009105442A (ja) | リソグラフィ機器、放射システム、汚染物質トラップ、デバイスの製造方法、及び汚染物質トラップ内で汚染物質を捕らえる方法 | |
JP2006148137A (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
TWI510821B (zh) | 光譜純度濾光器 | |
TW200426539A (en) | Lithographic projection apparatus with collector including concave and convex mirrors | |
TW201122570A (en) | Spectral purity filter, lithographic apparatus, method for manufacturing a spectral purity filter and method of manufacturing a device using lithographic apparatus | |
JP3662571B2 (ja) | リソグラフ装置およびデバイス製造方法 | |
JP2010153857A (ja) | 放射源、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
KR20110026463A (ko) | 다층 미러 및 리소그래피 장치 | |
JP4384082B2 (ja) | かすめ入射ミラー、かすめ入射ミラーを含むリソグラフィ装置、かすめ入射ミラーを提供する方法、かすめ入射ミラーのeuv反射を強化する方法、デバイス製造方法およびそれによって製造したデバイス | |
JP2005303315A (ja) | デバイス製造方法 | |
JP2010045355A (ja) | 放射源、リソグラフィ装置、および、デバイス製造方法 | |
TW200405131A (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
EP1557844A2 (en) | Use of a top layer on a mirror for use in a lithographic apparatus, mirror for use in a lithographic apparatus, lithographic apparatus comprising such a mirror and device manufacturing method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110307 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110602 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110715 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110811 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140819 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |