JP4469791B2 - 光学素子の保護方法およびデバイス製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、光学素子の保護方法、リソグラフィ装置、およびデバイス製造方法に関する。

リソグラフィ装置は、基板上に、通常は基板の目標部分上に、所望のパターンを付ける機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使うことができる。その場合、マスクまたはレチクルとも呼ぶ、パターニング装置を使ってこのＩＣの個々の層上に作るべき回路パターンを創成してもよい。このパターンを基板（例えば、シリコンウエハ）上の目標部分（例えば、一つまたは幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。このパターンの転写は、典型的には基板上に設けた放射線感応材料（レジスト）の層への結像による。一般的に、単一基板が、順次パターン化する隣接目標部分のネットワークを含む。既知のリソグラフィ装置には、全パターンをこの目標部分上に一度に露光することによって各目標部分を照射する、ステッパと、このパターンを放射線ビームによって、与えられた方向（“走査”方向）に走査することによって各目標部分を照射し、一方、この基板をこの方向と平行または逆平行に同期して走査する、スキャナがある。このパターンを基板上に印写することによってこのパターンをパターニング装置から基板へ転写することも可能である。

リソグラフィ装置で、基板上に結像できる形態のサイズは、投影放射線の波長によって制限される。高密度デバイスの集積回路を作り、従って高動作速度が必要な場合は、小さい形態を結像できることが望ましい。大抵の現代のリソグラフィ投影装置は、水銀灯またはエキシマレーザによって発生した紫外光線を使うが、例えば、１３ｎｍ位の短い波長の放射線を使うことが提案されている。そのような放射線を超紫外線（ＥＵＶ）または軟Ｘ線と呼び、可能性ある発生源には、例えば、レーザ励起プラズマ源、放電プラズマ源、または電子貯蔵リングからのシンクロトロン照射がある。

ＥＵＶ放射線源は、典型的にはプラズマ源、例えば、レーザ励起プラズマまたは放電源である。あらゆるプラズマ源の共通の特徴は、プラズマから全方向に放出される、高速イオンおよび原子である。これらの粒子は、表面が脆い、一般的に多層ミラーである、コレクタおよびコンデンサミラーに有害なことがある。この表面は、プラズマから放出された粒子の衝撃、またはスパッタリングのために次第に劣化しおよび従ってこれらのミラーの寿命が減少する。このスパッタリング効果は、特にコレクタミラーに問題が多い。このミラーの目的は、プラズマ源が全方向に放出した放射線を収集し、それを照明システムの他のミラーの方へ向けることである。このコレクタミラーは、プラズマ源の非常に近くに、且つそれと見通し内にあり、従ってこのプラズマから高速粒子の大きい流束を受ける。このシステムの他のミラーは、一般的に或る程度遮蔽してもよいので、一般的にこのプラズマから放出された粒子のスパッタリングによってそれ程損傷されない。

残骸粒子によるコレクタミラーの損傷を防ぐため、例えば、特許文献１および特許文献２に記載してあるように、ガス障壁が提案されている。そのようなガス障壁の欠点は、高速粒子がこの障壁構造体のチャンネルを通過するだけでなく、粒子の一部がこのガス障壁と衝突し、それによって２次粒子を生じ、それが光学素子に堆積するかも知れないことである。この堆積は、光学素子を損傷し、それらの光学特性を低下するかも知れない。更に、そのような堆積は、通常除去が困難である。従って、この理由でこの問題に対応するために代替方法が必要である。
米国特許第６，７５６，９１２号明細書 米国特許第６，３５９，９６０号明細書

本発明の一態様は、光学素子を保護するための方法を提供することである。本発明の更なる態様は、デバイス製造方法を提供することである。この発明のその上更なる態様は、リソグラフィ装置を提供することである。

本発明の第１実施例によれば、光学素子および放射線源を含むリソグラフィ装置の光学素子の保護方法であって、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅおよび／またはＳｎから選択した一つ以上の元素を含む材料を用意する工程、および、この放射線源に、使用中、この材料の少なくとも一部を除去させ、それによって堆積可能材料を設けるように、およびこの堆積可能材料の少なくとも一部がこの光学素子上に堆積するように、この材料を配置する工程を含む。

本発明の別の実施例によれば、放射線源、並びにガス障壁、支持体、装置壁、この放射線源の室の壁、および開口の縁から選択した一つ以上の部品を含むリソグラフィ装置用の光学素子の保護方法であって；この放射線源が、使用中、Ｓｎを含むプラズマを提供し、この方法がａ）Ｓｎを含むプラズマを提供し、それによってこの一つ以上の部品上にＳｎ堆積物を設ける工程；ｂ）この装置に光学素子を設ける工程；および、ｃ）Ｓｎを含むプラズマを提供し、それによってこの光学素子にＳｎ堆積物を設ける工程を含む。

本発明の更に別の実施例によれば、デバイス製造方法が光学素子および放射線源を含むリソグラフィ装置を用意する工程；この放射線源が生成した放射線から放射線ビームを形成する工程；この放射線ビームをパターン化する工程；このパターン化した放射線ビームを基板の目標部分上に投影する工程；Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅおよび／またはＳｎから選択した一つ以上の元素を含む材料を用意する工程；および、この線源に、使用中、この材料の少なくとも一部を除去させ、それによって堆積可能材料を設けるように、そして、この堆積可能材料の少なくとも一部がこの光学素子上に堆積するように、この材料を配置する工程を含む。

本発明の更に別の実施例によれば、リソグラフィ装置が放射線ビームを調整するように構成した照明システム；パターン化した放射線ビームを作るためにこの放射線ビームの断面にパターを与えるように構成したパターニング装置を支持するように構成した支持体；基板を保持するように構成した基板テーブル；このパターン化した放射線ビームをこの基板の目標部分上に投影するように構成し投影システム；光学素子；放射線源；ガス障壁、この支持体、装置壁、この放射線源の室の壁、電極、および開口の縁を含む、このリソグラフィ装置の一つ以上の部品で、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅおよび／またはＳｎから選択した一つ以上の元素を含む堆積物を有し、この堆積物の層厚が５〜２００μｍである部品を含む。

次に、本発明の実施例を、例としてだけ、添付の概略図を参照して説明し、それらの図面で対応する参照記号は対応する部品を指す。

本発明の一実施例では、この材料をリソグラフィ装置に配置したガス障壁の少なくとも一部へ供給する。別の実施例では、この材料を支持体、装置壁、放射線源の室の壁、および／またはリソグラフィ装置に配置した装置の縁の少なくとも一部へ供給する方法を提供する。その上更なる実施例では、この材料を放射線源の一つ以上の電極の少なくとも一部へ供給する方法を提供する。

一実施例で、この放射線源は、Ｘｅ放射線源、Ｌｉ放射線源、またはＳｎ放射線源を含むプラズマ源である。そのような線源は、他の既知の線源も、放射線に加えて、粒子、例えば、イオン、電子、クラスタ、粒子、液体粒子、電極腐食等を生じる。その上更なる実施例では、この線源がレーザ励起プラズマまたは放電源である。更なる実施例では、この材料の少なくとも一部をリソグラフィ装置の部品、例えば、支持体、熱シールド、装置壁、放射線源の室の壁、装置の縁、ガス障壁等から放射線源からの粒子によって除去し、その場合これらの粒子は、約０．１ｋｅＶと１０ｋｅＶの間の範囲内、例えば、１ｋｅＶ以上のエネルギーを有する。

この線源からの粒子は、リソグラフィ装置の部品の表面に当り、それによって他の粒子（即ち、２次粒子）を作る。しかし、本発明の材料に当ると、堆積可能材料（やはり２次粒子）を生じ、それが光学素子に堆積するかも知れず、それは、リソグラフィ装置の部品に粒子が当るために、このリソグラフィ装置に使う材料の種類に依って、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、および／またはＴｉのような２次粒子が放出され、それが光学素子に堆積し、この光学素子からの除去が容易でない従来技術の方法と異なる。従って、その上更なる実施例では、この装置の一つ以上の部品に与えた材料の少なくとも一部を、放射線源からの粒子のこの材料との衝突、この材料の照射（例えば、レーザ融除に匹敵するまたは類似の）および／または熱エネルギーのこの材料への伝達を含む、一つ以上の方法によって除去する。この様にして、この材料の少なくとも一部の除去をこの装置の使用中に行う。例えば、Ｓｎ材料を電極に設けるとき、熱のために、Ｓｎ材料がこの電極から飛散し、それによって堆積可能な材料を作るかも知れない。これが光学素子および／またはこのリソグラフィ装置の他の部品に堆積するかも知れない。このリソグラフィ装置の他の部品に堆積すると、またはこの材料がこのリソグラフィ装置のそのような他の部品、例えば、ガス障壁に与えられると、例えば、線源からの粒子および／または２次粒子が次にこの堆積または材料の少なくとも一部を除去し、それによって光学素子への堆積を可能にするかも知れない。また、一つの方法または照射、熱エネルギー伝達等のような上に述べた他の方法の一つがこのリソグラフィ装置の部品の材料から堆積可能な材料を作るかも知れない。従って、以下の表に示すように、多数の堆積および再堆積の仕組みが考えられる：

リソグラフィ装置の部分^＊というのは、ここでは例えば、ガス障壁、支持体、熱シールド、装置壁、放射線源の室の壁、および装置の縁であるが、電極ではない。電極上の材料が、もしあれば、最左欄に示す。

方法または仕組み（ａ１）は、線源がＳｎ線源であり、Ｓｎを光学素子、例えば、コレクタミラーに堆積物として与える方法である。これは、１次プロセスである（ステップ（１）で示す）。例えば、線源からのＳｎ材料が最初（１）リソグラフィ装置の一部分上に堆積し、この堆積物を次にこの線源からのＳｎおよび／または他の粒子によって少なくとも部分的に除去し（ステップ（２））、それによって光学素子上にＳｎ堆積物をもたらすとき、高次プロセスも含まれる。この後者のプロセスは、この表に方法または仕組み（ａ２）として示す。これは、高次も含んでよいが、材料が最終的に光学素子に堆積する前にそれを数回堆積および除去してもよいので、２次プロセスである。

その一変形で、この材料をリソグラフィ装置の一部分に設けることができる。例えば、Ｓｎ線源からの粒子またはその他の粒子（ステップ（１））によって、この材料の少なくとも一部を除去し（ステップ（２））、それによって光学素子上に堆積物をもたらす。これは、（ａ２ｂ）として示す、２次プロセスである。この光学素子上に出来た堆積物は、この装置の部分上の材料に由来する材料（Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅおよび／またはＳｎから選択した一つ以上の元素を含む材料）を含んでもよいが、線源からのＳｎ（（ａ１）および／または（ａ２）の仕組みによる）も含んでよい。

同じ三つの方法／仕組みが非Ｓｎ線源、例えば、ＸｅまたはＬｉ放電源に当てはまり、それらは電極上にＳｎを有してもよい（方法（ｂ１）、（ｂ２）および（ｂ２ｂ））。方法／仕組み（ｂ１）は、線源が非Ｓｎ線源で、電極上にＳｎがあり、Ｓｎを堆積物として光学素子、例えば、コレクタミラーにもたらす方法／仕組みである。これは、１次プロセスである（ステップ（１）で示す）。例えば、電極からのＳｎ材料（ステップ（１））がリソグラフィ装置の部分上に堆積し、この堆積物を次にこの線源からの粒子および／またはＳｎによって少なくとも部分的に除去し（ステップ（２））、それによって光学素子上にＳｎ堆積物をもたらすとき、高次プロセスも含まれる。この後者のプロセスは、この表に方法（ｂ２）として示す。これは、高次も含んでよいが、材料が最終的に光学素子に堆積する前にそれを数回堆積および除去してもよいので、２次プロセスである。

その一変形で、本発明による材料をリソグラフィ装置の部分に設けることができる。線源からの粒子（ステップ（１））によって、この材料の少なくとも一部を除去し（ステップ（２））、それによって光学素子上に堆積物をもたらす。これは、（ｂ２ｂ）として示す、２次プロセスである。方法（ｂ２ｂ）の結果としての光学素子上の堆積物は、この装置の部分上の材料に由来する材料（Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅおよび／またはＳｎから選択した一つ以上の元素を含む材料）を含んでもよいが、線源の電極上の堆積物からのＳｎ（（ｂ１）および／または（ｂ２）の仕組みによる）も含んでよい。

更に、同じ三つの方法／仕組みが電極上の非Ｓｎ材料を含んでもよい、非Ｓｎ線源にも当てはまる。方法（ｃ１）は、線源が非Ｓｎ線源で、電極上に非Ｓｎ（即ち、Ｂ、Ｃ、Ｓｉおよび／またはＧｅ）があり、この材料を堆積物として光学素子、例えば、コレクタミラーにもたらす方法である。これは、１次プロセスである（ステップ（１）で示す）。例えば、電極からの非Ｓｎ材料（ステップ（１））がリソグラフィ装置の一部分上に堆積し、この堆積物を次にこの線源からの粒子および／または線源の電極からの非Ｓｎによって少なくとも部分的に除去し（ステップ（２））、それによって光学素子上にＢ、Ｃ、Ｓｉおよび／またはＧｅを含む非Ｓｎ堆積物をもたらすとき、高次プロセスも含まれる。この後者のプロセスは、この表に方法（ｃ２）として示す。これは、高次も含んでよいが、材料が最終的に光学素子に堆積する前にそれを数回堆積および除去してもよいので、２次プロセスである。

その一変形で、本発明による材料をリソグラフィ装置の部分に設けることができる。線源からの粒子（ステップ（１））によって、この材料の少なくとも一部を除去し（ステップ（２））、それによって光学素子上に堆積物をもたらす。これは、（ｃ２ｂ）として示す、２次プロセスである。方法（ｃ２ｂ）の結果としての光学素子上の堆積物は、この装置の部分上の材料に由来する材料（Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅおよび／またはＳｎから選択した一つ以上の元素を含む材料）を含んでもよいが、線源からの非Ｓｎ材料（方法（ｃ２）による）も含んでよい。

もう一つの方法または仕組みは、（ｄ）で、線源が非Ｓｎ線源、例えば、ＬｉまたはＸｅ線源で、電極上には本発明による材料が何もないが、この装置の一部分上にはこの材料がある。線源からの粒子が材料の少なくとも一部分を除去し、それによって光学素子に２次プロセスで材料をもたらす。一実施例では、この方法をレーザ励起プラズマ源と組合わせて使う。

方法（ａ２）、（ｂ２）および（ｃ２）は、再堆積法を含み、方法（ａ２ｂ）、（ｂ２ｂ）および（ｃ２ｂ）は、再堆積を含んでもよい。更に、方法（ｄ）は、再堆積を含んでもよい（この装置の一部分上の材料の一部が最初にこの装置の他の部分上に堆積するとき）。望ましい方法／仕組みには、（ａ２）、（ａ２ｂ）、（ｂ１）、（ｂ２）、（ｂ２ｂ）、（ｃ１）、（ｃ２）、（ｃ２ｂ）および（ｄ）がある。更に望ましい方法には、（ａ２）、（ａ２ｂ）、（ｂ２）、（ｂ２ｂ）、（ｃ２）、（ｃ２ｂ）および（ｄ）がある。更に一層望ましい方法には、（ａ２ｂ）、（ｂ２ｂ）、（ｃ２ｂ）および（ｄ）があり、それらは、リソグラフィ装置を使う前に材料をこのリソグラフィ装置の一部に設け且つ２次方法を含む方法である。この材料を含むリソグラフィ装置の部分は、ガス障壁を含むのが望ましい。

仕組み（ａ１）、（ａ２）、（ａ２ｂ）、（ｂ１）、（ｂ２）、（ｂ２ｂ）の一つ以上が、ＳｎをＳｎ線源に設ける、次の実施例、例えば、Ｓｎを一つ以上のＳｎ電極に設ける実施例の方法に当てはまること、および仕組み（ａ１）、（ａ２）、（ａ２ｂ）、（ｃ１）、（ｃ２）、（ｃ２ｂ）の一つ以上が、非Ｓｎ材料をＳｎ線源に設ける方法、例えば、Ｂ、Ｃ、Ｓｉおよび／またはＧｅを一つ以上のＳｎ電極に設ける実施例の方法に当てはまることを理解すべきである。

一実施例では、この材料を濡らし、被覆および／または含浸によって設ける。例えば、ガス障壁のような、装置の部分をＳｎを含む溶液または懸濁液、例えば、硝酸第二錫または塩化第二錫のようなＳｎ塩を含む溶液で塗被し、それによってこの装置の部分上にＳｎを含む膜または被覆を設けてもよい。その上更なる実施例では、Ｓｎをこの装置の部分（例えば、熱シールド、ガス障壁、支持体、装置壁、放射線源の室の壁、電極、および／または装置の縁）に、この部分、またはこの部分の一つ以上の部品を溶融Ｓｎの中に浸漬することによって設けてもよい。本発明の更にもう一つの実施例によれば、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅおよび／またはＳｎをこの装置の部分に化学蒸着によって設ける。これは、この装置の組立前または組立後に行うことができ、参考までにここに援用する、米国特許出願第１０／９５６，３４４号に記載してあるように、使用中に行うことさえできる。

更に、この装置の部分は、少なくとも一部が多孔質である表面、例えば、多孔質Ｗ層または多孔質Ｍｏ層を含む表面層を備えるガス障壁を有してもよい。そのような多孔質構造体は、濡らし、塗被および／または含浸のような方法に望ましいかも知れない。別の実施例では、この材料を金属、例えば、Ｓｎによる濡らしによって設ける。しかし、１）光学素子への堆積後、この光学素子から水素またはハロゲンによって少なくとも部分的に除去でき、および望ましくは２）濡らし得る任意の他の材料も使ってよい。従って、一実施例では、使用する材料が濡らし得る材料を含む。別の実施例では、この材料を設けるこのリソグラフィ装置の部分を濡らしを可能にする温度で使用する。別の実施例では、このリソグラフィ装置の部品の表面または光学素子の表面を濡らし得る元素または化合物がこの表面全体に亘って濡れるように加熱する。別の実施例では、このリソグラフィ装置の部品の表面または光学素子の表面を、例えば、冷却素子および／または加熱素子によって制御する。

別の実施例では、この材料をリソグラフィ装置の一つ以上の部品（例えば、ガス障壁）または電極に設ける前に、密着性および／または湿潤性改善材料を含む層を設ける。例えば、ガス障壁上のＳｎ層の形成を改善するために、このガス障壁は、その表面に少なくとも部分的にＣｕ層を設けてもよい。

本発明の別の実施例によれば、この光学素子には、ミラー、格子、レチクルおよび／またはセンサ、例えば、コレクタミラーがある。一実施例では、例えば、Ｓｎを使うとき、この光学素子、例えば、コレクタミラーの温度をこの材料の濡らしが可能になるように調整することが出来る（上記も参照）。

別の実施例によれば、放射線源、ガス障壁を含む部分、支持体、装置壁、放射線源の室の壁、および／または装置の縁を含むリソグラフィ装置用の光学素子を保護するための方法で；この放射線源が、使用中ならば、Ｓｎを含むプラズマを出し；この方法がａ）Ｓｎを含むプラズマを出し、それによってこのリソグラフィ装置の一つ以上の部品上にＳｎ堆積物を設ける工程；ｂ）この光学素子をこの装置に提供する工程；ｃ）Ｓｎを含むプラズマを提供し、それによってこの光学素子上にＳｎ堆積物を設ける工程を含む。

ここで、（ａ）ミラー、格子、レチクルおよびセンサのような、光学素子がないときに、この線源は、最初にＳｎをリソグラフィ装置の一つ以上の部品に設ける。これによって、Ｓｎ堆積物（上に説明したような材料）がこのリソグラフィ装置の一つ以上の部品に設けられる。その後、（ｂ）この光学素子をこのリソグラフィ装置に提供する。次に、（ｃ）この堆積物または材料を使用中にこのリソグラフィ装置の部品から少なくとも部分的に除去し且つ光学素子上に堆積する。従って、手順ａ）中に得たリソグラフィ装置の一つ以上の部品上のＳｎ堆積物の少なくとも一部を手順ｃ）中に放射線源からの粒子とリソグラフィ装置の一つ以上の部品上のＳｎ堆積物との衝突によって、または上に述べた他の仕組みの一つ、例えば、照射、加熱等によって、除去する。この方法は、方法（ａ２）、（ａ２ｂ）、（ｂ２）および（ｂ２ｂ）で使ってもよい。そのような実施例では、最初にＳｎ線源は、光学素子がないときにリソグラフィ装置の部分に材料を提供し（１次プロセスだけを行う）、次に（Ｓｎの十分な層が出来てから）、光学素子を提供し、するとそれが、実質的に２次プロセスにあり、堆積物を受ける。しかし、直接堆積を排除できないので、１次プロセスも受けるかも知れない。

更に別の実施例によれば、リソグラフィ装置の上述のような部品の一つ以上に、放射線ビームがこれらの部品の一つ以上の表面に入射していて、堆積層（即ち、材料）が少なくとも設けられる。この層の材料を含む、この材料は、ＢＮ、ＳｉＣ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＧｅＣ、Ｇｅ_３Ｎ_４を含む層およびＳｉ、Ｇｅおよび／またはＳｎの酸化物および／または窒化物を含む層、並びにＢ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅおよび／またはＳｎから選択した一つ以上の元素を含む化合物を含む合金を含む層のような、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅおよび／またはＳｎから選択した一つ以上の元素を含む化合物または多数の化合物を含んでもよい。一実施例で、この層は、一つ以上の元素を少なくとも約２０ｗｔ％、例えば、２０〜１００ｗｔ％、望ましくはこの層の少なくとも約３５ｗｔ％、例えば、３５〜１００ｗｔ％含む。単元素層または窒化物層は、酸素不純物を含むかも知れない。その上更なる実施例では、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅおよび／またはＳｎから選択した一つ以上の元素を含む材料を備えるリソグラフィ装置の部分が線源から直接放射線を受けるその表面の約２０〜１００％、望ましくはその表面の約４０〜１００％にこの材料を含む。別の実施例で、この層の厚さは、約５〜２００μｍの間、例えば、約１０〜１００μｍの間である。別の実施例では、本発明による材料を備え、この線源から直接放射線を受ける（即ち、このプラズマ源と通視線内の）その表面の２０〜１００％、望ましくはその表面の約４０〜１００％を含む、この装置のこの部分は、この線源から直接放射線を受けるその表面の２０〜１００％、望ましくは約４０〜１００％に亘って約５〜２００μｍの間の上述の層厚を有する。

一実施例で、線源の一つ以上の電極に材料が与えられる場合、この材料は、プラズマの材料を含まない。別の実施例で、この材料が電極に与えられる場合、この材料は、Ｓｎを含まない（即ち、非Ｓｎが電極に与えられ、その場合、この電極およびこの電極を使う装置は、非Ｓｎプラズマ、例えば、ＸｅまたはＬｉプラズマを提供するように設計してある）。
この発明のその上更なる実施例では、光学素子が、装置で使う前に、保護層、例えば、Ｓｎを含む保護層を含む。これは、約１ｎｍ〜１００ｎｍの層でもよい。その上更なる実施例で、この層は、約２〜２０ｎｍである。別の実施例で、この層は、層の厚さが約５〜２０ｎｍ、例えば、５〜１０ｎｍである。
本発明のもう一つの実施例では、リソグラフィ装置が放射線ビームを調節するように構成した照明システム；パターン化した放射線ビームを作るためにこの放射線のビームの断面にパターンを与えるように構成したパターニング装置を支持するように構成した支持体；基板を保持するように構成した基板テーブル；このパターン化したビームを基板の目標部分上に投影するためように構成した投影システム；光学素子；放射線源；Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅおよび／またはＳｎから選択した一つ以上の元素を含む堆積物を有する、ガス障壁、この支持体、装置壁、この放射線源の室の壁、および／または装置の縁から選択したこのリソグラフィ装置の一部を含み；この堆積物は、層厚が５〜２００μｍである。その上、電極がそのような堆積層を含んでもよい。

一実施例で、この光学素子は、ミラー、格子、レチクルおよび／またはセンサ、例えば、コレクタミラーである。別の実施例によれば、この装置は、ＥＵＶリソグラフィ用リソグラフィ装置である。

この光学素子上の保護層は、参考までにここに援用する、米国特許出願第１０／９５６，３４４号に記載してあるように、原子水素またはハロゲンガスまたはその組合せを用意することによって除去できる。従って、その上更なる実施例では、使用する材料を、光学素子上への堆積後、水素またはハロゲンによってこの光学素子から少なくとも部分的に除去することが出来る。

本発明の文脈で、“光学素子”は、光学フィルタ、光学格子、ミラー、例えば多層ミラー、斜入射ミラー、直角入射ミラー、コレクタミラー（例えば、参考までにここに援用する、米国特許出願公開第２００４／００９４７２４Ａ１号に記載してあり、且つ図３および図４に示すような）等、レンズ、レチクル、ダイオード、センサ、例えば強度測定センサ、エネルギーセンサ、ＣＣＤセンサ、光学整列センサのような整列センサ、ガス障壁（例えば、参考までにここに援用する、米国特許第６，６１４，５０５号、同第６，３５９，９６９号および同第６，５７６，９１２号に記載してあるような）等から選択した一つ以上の素子を含む。ガス障壁は、汚染物質フィルタ、残骸フィルタ、残骸抑制手段、箔トラップ等とも呼ぶ。フィルタ、格子、ミラーまたはレンズのような、光学素子は、平坦でも湾曲していてもよく、また層、箔、デバイス等として存在してもよい。本発明の一実施例で、光学フィルタ、光学格子、ミラー、例えば多層ミラー、斜入射ミラー、直角入射ミラー、コレクタミラー、レンズ等は、例えば、所定の波長λ（５〜２０ｎｍ、即ち、ＥＵＶ放射線、例えば、約１３．５ｎｍ；２４８ｎｍ；１９３ｎｍ；１５７ｎｍ；または１２６ｎｍ等のような）の放射線に対して、ブレーズまたは最適化してもよい。それらは、また例えば、レンズの場合、波長λの放射線に対して透過性であってもよく、または、例えば、ミラーの場合、反射性であってもよく、または、例えば、格子の場合、回折性であってもよい。ある光学素子は、これらの光学効果の一つ以上を備えるかも知れない、例えば、参考までにここに援用する、ヨーロッパ特許出願第０３０７７８５０号参照。ここで使用する“放射線”および“ビーム”という用語は、紫外（ＵＶ）放射線（例えば、３６５、２４８、１９３、１５７または１２６ｎｍの波長λを有する）および超紫外（ＥＵＶまたは軟Ｘ線）放射線（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、並びにイオンビームまたは電子ビームのような、粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射線を包含する。一般的に、約７８０〜３０００ｎｍ（またはそれ以上）の間の波長を有する放射線は、ＩＲ放射線と考えられる。ＵＶは、大体１００〜４００ｎｍの波長を有する放射線を指す。リソグラフィでは、それを通常水銀放電灯によって作れる波長：Ｇ線４３６ｎｍ；Ｈ線４０５ｎｍ；Ｉ線３６５ｎｍにも適用する。ＶＵＶは、真空ＵＶ（即ち、空気によって吸収されたＵＶ）で、大体１００〜２００ｎｍの波長を指す。ＤＵＶは、深ＵＶで、通常リソグラフィでは、１２６ｎｍ〜２４８ｎｍのような、エキシマレーザによって作る波長用に使う。例えば、５〜２０ｎｍの範囲内の波長を有する放射線は、その少なくとも一部が５〜２０ｎｍの範囲内にある、或る波長帯域幅を有する放射線を指すことを理解すべきである。

ここで使用する“層”という用語は、理解すべきである通り、他の層および／または真空（使用中）のような他の媒体との一つ以上の境界面を有する層を記述するかも知れない。しかし、“層”が構造体の一部も意味するかも知れないことを理解すべきである。この“層”という用語は、多数の層も指すかも知れない。これらの層は、例えば、互いに隣合いまたは互いに重なり合い等することが出来る。それらは、一つの材料または材料の組合せも含むかも知れない。ここで使用する“層”という用語は、連続または不連続層を記述するかも知れないことも注意すべきである。本発明で、“材料”という用語も材料の組合せと解釈してよい。材料は、装置壁に提供した材料を含む堆積物のように、既存の表面上への追加の材料を指す。動作状態中、この材料は、固体（例えば、Ｓｉ被覆）または液体（例えば、Ｓｎ濡れ可能材料）である。“堆積物”という用語は、ここでは、当業者が知っているように、表面（例えば、光学素子の表面）に化学的または物理的に付けた材料を指す。そのような堆積物は、層でもよいが、多層構造体も含むかも知れない。この堆積物は、再堆積生成物または蒸発生成物も含んでよい。材料は、堆積物として設けることができる。“Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅおよび／またはＳｎから選択した一つ以上の元素”という語句の中の“元素”という用語は、ここでは当業者が知っているように、これらの元素を含む、若しくはそのような元素を含む分子を含む、若しくはこれらの元素を含む化合物（Ｓｉ酸化物、Ｓｉ炭化物、Ｓｎ塩、Ｓｎ酸化物等）を含む、材料、堆積物または再堆積物、またはそれらの組合せを指す。“Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅおよび／またはＳｎから選択した一つ以上の元素を含む堆積物”という句は、原子Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、ＧｅおよびＳｎおよびその組合せを含む単層または多層、例えば、金属Ｓｎを含む単層または多層を指すかも知れない。

“堆積可能材料”という用語は、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅおよび／またはＳｎから選択した一つ以上の元素を含む材料で、（ｉ）電極から放出されたか、および／または（ii）プラズマから来たかおよび／または（iii）リソグラフィ装置の一部上の材料から、例えば、電極からの粒子によるか、または熱照射、または線源による照射（融除）のような別の仕組みによって除去され、且つ光学素子上に堆積できるものを指す。一般的に、それは、本発明に従って、堆積物を作り得る材料であり、表面から粒子として放出されるもので、それによって堆積可能材料（粒子、元素粒子）、即ち、光学素子上に堆積できる材料を作る。“Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅおよび／またはＳｎから選択した一つ以上の元素を含む材料”という句は、化合物（例えば、Ｓｉ酸化物、Ｓｎ酸化物）、炭化物、金属およびＢ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅおよび／またはＳｎの元素を指すが、これらの元素の一つ以上の合金、例えば、Ｃｕ−Ｓｎ合金も指すかも知れない。ここで“Ｓｎ材料”は、リソグラフィ装置で使うためのＳｎプラズマを用意するために使う電極の短縮表記法として使う。ここで“Ｓｎ材料”は、Ｓｎを含む材料の定義として使う。そのような材料は、例えば、Ｓｉ、Ｂ、Ｇｅおよび／またはＣを含む、他の元素も含むかも知れないが、少なくともＳｎを含む。“非Ｓｎ電極”という用語は、非Ｓｎプラズマ、例えば、ＬｉまたはＸｅプラズマを創出するために使う電極を指す。それにも拘らず、そのような電極は、このプラズマも、例えば、この電極からのＳｎ材料の熱誘発放出のために、Ｓｎ粒子を含むように、Ｓｎ含有材料で被覆、濡らしまたは含浸してもよい。“非Ｓｎ材料”という用語は、実質的にＳｎを含まない（＜１ｗｔ％）材料を指す。

“１次”プロセスまたは仕組みという用語は、電極からまたはプラズマから放出された材料が、他の場所に堆積せずに、光学素子の上に堆積するプロセスを指す。リソグラフィ装置の部品上に堆積し、線源からの粒子によって解放され、次に光学素子上に堆積する全ての材料は、２次または高次プロセス（再堆積ステップ数によって）で堆積する。

次に幾つかの実施例を更に詳しく説明する。
図１は、本発明の一実施例によるリソグラフィ装置を概略的に描く。この装置１は、放射線ビームＰＢ（例えば、ＵＶ放射線またはＥＵＶ放射線）を調整するように構成した照明システム（照明器）ＩＬを含む。支持体（例えば、マスクテーブル）ＭＴがパターニング装置（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成してあり、且つあるパラメータに従ってこのパターニング装置を正確に位置決めするように構成した第１位置決め装置ＰＭに結合してある。基板テーブル（例えば、ウエハテーブル）ＷＴが基板（例えば、レジストを被覆したウエハ）Ｗを保持するように構築してあり、且つこの基板をあるパラメータに従って正確に位置決めするように構成した第２位置決め装置ＰＷに結合してある。投影システム（例えば、屈折性投影レンズシステム）ＰＬがパターニング装置ＭＡによってこの放射線ビームＰＢに与えたパターンを基板Ｗの目標部分Ｃ（例えば、一つ以上のダイを含む）上に投影するように構成してある。

この照明システムは、放射線を指向し、成形し、または制御するための、屈折式、反射式、磁気式、電磁式、静電式若しくはその他の種類の光学部品、またはその任意の組合せのような、種々の型式の光学部品も包含してよい。

この支持体は、パターニング装置を支持し、例えば、その重量を坦持する。それは、パターニング装置を、その向き、リソグラフィ装置の設計、および、例えば、パターニング装置が真空環境に保持されているかどうかのような、その他の条件に依る方法で保持する。この支持体は、機械、真空、静電またはその他のクランプ手法を使ってパターニング装置を保持することができる。この支持体は、例えば、フレームまたはテーブルでもよく、それらは必要に応じて固定または可動でもよい。この支持体は、パターニング装置が、例えば投影システムに関して、所望の位置にあることを保証してもよい。ここで使う“レチクル”または“マスク”という用語のどれも、より一般的な用語“パターニング装置”と同義と考えてもよい。

ここで使う“パターニング装置”という用語は、放射線ビームの断面に、この基板の目標部分に創るようなパターンを与えるために使うことができる手段を指すと広く解釈すべきである。この放射線ビームに与えたパターンは、例えば、もしこのパターンが位相シフト形態または所謂補助形態を含むならば、基板の目標部分の所望のパターンと厳密には対応しないかも知れないことに注目すべきである。一般的に、放射線ビームに与えたパターンは、集積回路のような、この目標部分に創るデバイスの特別の機能層に対応するだろう。

このパターニング装置は、透過性でも反射性でもよい。パターニング装置の例には、マスク、プログラム可能ミラーアレイ、およびプログラム可能ＬＣＤパネルがある。マスクは、リソグラフィでよく知られ、二値、交互位相シフト、および減衰位相シフトのようなマスク型、並びに種々のハイブリッドマスク型がある。プログラム可能ミラーアレイの一例は、小型ミラーのマトリックス配置を使用し、入射放射線ビームを異なる方向に反射するようにその各々を個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、このミラーマトリックスによって反射した放射線ビームにパターンを与える。

ここで使う“投影システム”という用語は、使用する露光放射線に対して、または浸漬液の使用または真空の使用のような他の要因に対して適宜、屈折式、反射式、反射屈折式、磁気式、電磁式および静電式光学システム、またはその任意の組合せを含む、あらゆる型式の投影システムを包含するように広く解釈すべきである。ここで使う“投影レンズ”という用語のどれも、より一般的な用語“投影システム”と同義と考えてもよい。

ここに描くように、この装置は、反射型（例えば、反射性マスクを使用する）である。その代りに、この装置は、透過型（例えば、透過性のマスクを使用する）でもよい。
このリソグラフィ装置は、二つ（二段）以上の基板テーブル（および／または二つ以上のマスクテーブル）を有する型式でもよい。そのような“多段”機械では、追加のテーブルを並列に使ってもよく、または準備工程を一つ以上のテーブルで行い、一方他の一つ以上のテーブルを露光用に使ってもよい。

このリソグラフィ装置は、投影システムと基板の間のスペースを埋めるように、この基板の少なくとも一部を比較的屈折率の高い液体、例えば水によって覆う型式でもよい。浸漬液をこのリソグラフィ装置の他のスペース、例えば、マスクと投影システムの間にも加えてよい。浸漬法は、投影システムの開口数を増すためにこの技術でよく知られている。ここで使う“浸漬”という用語は、基板のような、構造体を液体の中に沈めなければならないことを意味するのではなく、それどころか露光中に投影システムと基板の間に液体があることを意味するだけである。

図１を参照して、照明器ＩＬは、放射線源ＳＯから放射線ビームを受ける。この線源とリソグラフィ装置１は、例えば、線源がエキシマレーザであるとき、別々の存在であってもよい。そのような場合、この線源がリソグラフィ装置の一部を形成するとは考えられず、放射線は、線源ＳＯから、例えば適当な指向ミラーおよび／またはビーム拡大器を含むビーム送出システムＢＤを使って、照明器ＩＬへ送られる。他の場合、例えば、線源が水銀灯であるとき、線源がこの装置の一部分であってもよい。この線源ＳＯと照明器ＩＬは、もし必要ならビーム送出システムＢＤと共に、放射線システムと呼んでもよい。

照明器ＩＬは、放射線ビームの角強度分布を調整するように構成した調整装置を含んでもよい。一般的に、この照明器の瞳面での強度分布の少なくとも外側および／または内側半径方向範囲（普通、それぞれ、σ外側およびσ内側と呼ぶ）を調整できる。その上、照明器ＩＬは、インテグレータおよびコンデンサのような、種々の他の部品を含んでもよい。この照明器は、その断面に所望の均一性および強度分布を有するように、この放射線ビームを調節するために使ってもよい。

放射線ビームＰＢは、支持体（例えば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されたパターニング装置（例えば、マスクＭＡ）に入射し、このパターニング装置によってパターン化される。マスクＭＡを横断してから、放射線ビームＰＢは、投影システムＰＳを通過し、それがこのビームを基板Ｗの目標部分Ｃ上に集束する。第２位置決め装置ＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば、干渉計測装置、線形エンコーダまたは容量式センサ）を使って、基板テーブルＷＴを、例えば、異なる目標部分ＣをビームＰＢの経路に配置するように、正確に動かすことができる。同様に、例えば、マスクライブラリから機械的に検索してから、または走査中に、第１位置決め装置ＰＭおよびもう一つの位置センサＩＦ１（例えば、干渉計測装置、線形エンコーダまたは容量式センサ）を使ってマスクＭＡを放射線ビームＰＢの経路に関して正確に配置することができる。一般的に、マスクテーブルＭＴの移動は、第１位置決め装置ＰＭの一部を形成する、長ストロークモジュール（粗位置決め）および短ストロークモジュール（微細位置決め）を使って実現してもよい。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２位置決め装置ＰＷの一部を形成する、長ストロークモジュールおよび短ストロークモジュールを使って実現してもよい。ステッパの場合は、スキャナと違って、マスクテーブルＭＴを短ストロークアクチュエータに結合するだけでもよく、または固定してもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスク整列マークＭ１、Ｍ２および基板整列マークＰ１、Ｐ２を使って整列してもよい。図示する基板整列マークは、専用の目標部分を占めるが、それらは目標部分の間のスペースにあってもよい（それらは、スクライブレーン整列マークとして知られる）。同様に、マスクＭＡ上に二つ以上のダイが設けてある場合は、マスク整列マークがダイ間にあってもよい。

図示する装置は、以下のモードの少なくとも一つで使うことができる：
１．ステップモードでは、放射線ビームに与えた全パターンを目標部分Ｃ上に一度に（即ち、単一静的露光で）投影しながら、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを本質的に固定して保持する。次に基板テーブルＷＴをＸおよび／またはＹ方向に移動して異なる目標部分Ｃを露光できるようにする。ステップモードでは、露光領域の最大サイズが単一静的露光で結像する目標部分Ｃのサイズを制限する。
２．走査モードでは、放射線ビームの与えたパターンを目標部分Ｃ上に投影（即ち、単一動的露光）しながら、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期して走査する。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＬの（縮）倍率および像反転特性によって決る。走査モードでは、露光領域の最大サイズが単一動的露光での目標部分の幅（非走査方向の）を制限し、一方走査運動の長さが目標部分の高さ（走査方向の）を決める。
３．もう一つのモードでは、プログラム可能パターニング装置を保持するマスクテーブルＭＴを本質的に固定し、放射線ビームに与えたパターンを目標部分Ｃ上に投影しながら、基板テーブルＷＴを動かしまたは走査する。このモードでは、一般的にパルス化した放射線源を使用し、プログラム可能パターニング装置を基板テーブルＷＴの各運動後または走査中の連続する放射線パルスの間に必要に応じて更新する。この作動モードは、上に言及した型式のプログラム可能ミラーアレイのような、プログラム可能パターニング装置を利用するマスクレス・リソグラフィに容易に適用できる。
上に説明した使用モードの組合せおよび／または一変形または全く異なった使用モードも使ってよい。

“レンズ”という用語は、事情が許せば、屈折式、反射式、磁気式、電磁式および静電式光学要素を含む、種々の型式の光学要素の何れか一つまたは組合せを指してもよい。

図２は、放射線システム４２、照明光学素子ユニット４４、および投影システムＰＬを含む、投影装置１を更に詳しく示す。放射線システム４２は、放射線源ＳＯを含み、それは放電プラズマＥＵＶによって形成してもよい。ＥＵＶ放射線は、Ｘｅガス、Ｌｉ蒸気またはＳｎ蒸気のように、中に非常に熱いプラズマを創って電磁スペクトルのＥＵＶ範囲の放射線を出す、ガスまたは蒸気によって作ることができる。この非常に熱いプラズマは、放電の部分イオン化したプラズマを光軸Ｏ上に潰すことによって創る。この放射線を効率的に生成するためには、Ｘｅ、Ｌｉ、Ｓｎ蒸気またはその他の適当なガスまたは蒸気の１０Ｐａの分圧が必要かも知れない。放射線源ＳＯが出す放射線は、線源室４７からガス障壁または汚染物質トラップ４９（それは、線源室４７の開口の中または後に配置してある）を経てコレクタ室４８の中へ送る。このガス障壁４９は、例えば、参考までにここに援用する、米国特許第６，６１４，５０５号、第６，３５９，９６９号および第６，５７６，９１２号に記載してあるような、チャンネル構造を含む。

コレクタ室４８は、斜入射コレクタによって形成してもよい、放射線コレクタ５０を含む。コレクタ５０が通した放射線は、格子スペクトルフィルタ５１から反射してコレクタ室４８の開口５２の仮想線原点に集束する。コレクタ室４８から、放射線ビーム５６が照明光学素子ユニット４４の中で直角入射反射器５３、５４を経て、レチクルまたはマスクテーブルＭＴ上に位置するレチクルまたはマスク上へ反射される。パターン化したビーム５７が作られ、それが投影光学システムＰＬの中で反射性素子５８、５９を介してウエハステージまたは基板テーブルＷＴ上に結像される。図示したよりは多くの素子が一般的に照明光学素子ユニット４４および投影システムＰＬの中に存在するかも知れない。

放射線コレクタ５０は、例えば、参考までにここ援用する、米国特許出願公開第２００４／００９４７２４Ａ１号に記載してある放射線コレクタでもよい。

図２に示す全ての光学素子（およびこの実施例の概略図に示さない光学素子）は、線源に依って、例えば、Ｓｎの堆積および／または他の高速原子および分子、例えばＬｉによる損傷を受けやすい。これは、特に放射線コレクタ５０および格子スペクトルフィルタ５１またはスペクトル純度フィルタに対してそうである。従って、この発明の方法をこれらの光学素子に、並びに直角入射反射器５３、５４および反射性素子５８、５９にも適用できる。

実施例１
図２および図３を参照して、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅおよび／またはＳｎから選択した一つ以上の元素を含む材料を用意し、それを、線源が、もし使用中であれば、この材料の少なくとも一部を除去するように配置し、それによって堆積可能材料を用意する。それで、この材料を線源の電極１４７の少なくとも一部に、線源室４７の壁４７ａの一部に、ガス障壁４９のチャンネルの板４９ａのような、ガス障壁４９の表面の一部に、これらの板の縁、特に線源ＳＯに向いた縁に、開口５２の縁に、コリメータミラー５０の縁に、ガス障壁４９、コリメータミラー５０、ミラー５１、ミラー５３および５４の支持体に、放射線システム４２または照明システム４４の壁の少なくとも一部等に設けてもよい。更に、この材料をこの堆積可能材料の少なくとも一部が光学素子上に堆積するように設ける。この線源を使うと、この材料の一部が除去され、それによって堆積可能材料を作り、それがこの開口の一部または何処か他のところに再堆積し、およびこの堆積可能材料の少なくとも一部が光学素子上に堆積するだろう。それ故、この材料を線源ＳＯの電極１４７上か、および／または線源ＳＯと光学素子の間のこのリソグラフィ装置の部品上に設ける。この発明の方法によって保護される光学素子には、例えば、ミラー、５０、５１、５３および５４がある。

この様にして、堆積を避ける代りに、除去できる光学素子に堆積を故意に設ける。例えば、線源からの粒子とリソグラフィ装置の部品との衝突のために、この材料を電極またはリソグラフィ装置の一部に設けずに、他の堆積物、例えば、水素、ハロゲン、またはその組合せによって容易に除去できない、Ａｌ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｗ、等を光学素子５０上に堆積する。本発明による材料は、参考までにここに援用する、米国特許出願第１０／９５６，３４４号に記載してあるような、水素ラジカルを用意することによってまたはハロゲンによって、またはその組合せによって比較的容易に除去できる。水素化物またはハロゲン化物が出来、それをゲッターによりおよび／または排気により除去できる。その上、水素も設けてよく、それはこの堆積物の化合物を還元でき、例えば、シリコン酸化物をＳｉに還元し、次のそれを後で水素ラジカルおよび／またはハロゲンによって除去できる。

一変形では、濡れやすい材料、例えばＳｎを使う。これは、この材料を設ける装置の部分に滑らかな層を設けるが、それは光学素子５０を濡らすことによって滑らかな層を設けてもよい。このため、光学素子５０を、例えば、参考までにここに援用する、ＥＰ−Ａ−０３０７８３１６．１および米国特許出願第１０／９５６，３４４号に記載してあるように、外部加熱によるか、またはこの線源の放射線によるか、または両方によって、濡れ温度（例えば、Ｓｎに対し２３０〜５００°Ｃ）に加熱してもよい。Ｓｎの融点は、約２３２°Ｃである。この濡れ温度は、圧力を含む、表面およびその他のパラメータに依る。

一変形で、このプラズマ源と見通し内に且つこの線源と光学素子の間にある、このリソグラフィ装置の全ての部品は、このプラズマ源と見通し内にあるこれらの部品の表面（この線源から直接放射線を受ける表面）の約２０〜１００％にこの材料が設けられる。この層の厚さは、約５〜２００μｍの間である。

実施例２（例えば、方法（ｄ）、（ａ２ｂ）、（ｂ２ｂ）および（ｃ２ｂ))
図２および図３を参照して、この実施例では、光学素子５０、即ち、コレクタミラーを、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅおよび／またはＳｎから選択した一つ以上の元素を含む材料をガス障壁４９のグループから選択した一つ以上に（並列素子４９ａの表面４９ｂおよび／または縁４０ｃに）、線源室４７の壁４７ａの少なくとも一部にまたはこれらの一つの支持体（この概略図には示してないが、当業者に走られている、コレクタ用の支持体のような）に設け、それによって、この線源が、もし使用中であれば、この材料の少なくとも一部を除去するようにこの材料を配置し、それによって堆積可能材料を用意することによって、保護層で保護する。使用するとき、この堆積可能材料の少なくとも一部が光学素子５０上に堆積する。それによって、光学素子５０上に堆積物が出来、それは、原子水素、ハロゲン化物ガス、または両方で比較的容易に除去できる（以下参照）。

一変形では、この材料を、米国特許出願第１０／９５６，３４４号に記載してある方法に従って、リソグラフィ装置の一部に現場で設け且つ光学素子から現場で除去する。

実施例３（例えば、方法（ａ２）、（ｂ２）および（ｃ２))
図２および図３を参照して、この実施例では、光学素子５０、即ち、コレクタミラーを、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅおよび／またはＳｎから選択した一つ以上の元素を含む材料を一つ以上の電極１４７に設けることによって、保護層で保護する。使用するとき、この材料の少なくとも一部を電極から除去する。この材料の少なくとも一部の除去は、堆積可能材料を含む粒子の解放に繋がる、この線源の高温の結果である。この堆積可能材料の少なくとも一部が、壁４７ａ、ガス障壁４９（並列板４９ａ）等のような、この装置の他の部品上に堆積する。電極１４７からか、または電極１４７上の材料からかの、線源ＳＯからの粒子の衝突のために、この堆積物は、これらの部品から少なくとも部分的に後に除去され、光学素子５０上に堆積物を作る。これらの仕組の後に、１次堆積も起るかも知れない（以下に説明する）。

実施例４（例えば、方法（ｂ１）および（ｃ１))
図２および図３を参照して、この実施例では、光学素子５０、即ち、コレクタミラーを、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅおよび／またはＳｎから選択した一つ以上の元素を含む材料を一つ以上の電極１４７に設け、（ｉ）線源が、もし使用中であれば、この材料の少なくとも一部を除去し、それによって堆積可能材料を作るようにすることによって、保護層で保護する。この材料の少なくとも一部の除去は、堆積可能材料を含む粒子の解放に繋がる、この線源の高温の結果である。使用するとき、この堆積可能材料の少なくとも一部が光学素子５０上に堆積する。これらの方法を使うとき、通常方法（ａ２）、（ｂ２）および（ｃ２)も起るだろう。

実施例５（方法（ａ１))
図２および図３を参照して、この実施例では、光学素子５０、即ち、コレクタミラーを、Ｓｎ線源を使い、（ｉ）この線源が、もし使用中であれば、堆積可能材料を作るようにすることによって、Ｓｎを含む保護層で保護する。この材料の少なくとも一部の除去は、堆積可能材料を含む粒子の解放に繋がる、この線源の高温の結果である。使用するとき、この堆積可能材料の少なくとも一部が光学素子５０上に堆積する。

実施例６（方法（ａ１）、および方法（ｂ１）および（ｃ１))
この実施例では、線源ＳＯによってＳｎを含むプラズマ（Ｓｎ電極によるか（例えば、実施例５；方法（ａ１）参照）、または非Ｓｎ線源上にＳｎが存在するため（例えば、実施例４、方法（ｂ１）））がもたらされ、光学素子５０のような、光学素子がないとき、Ｓｎを含む堆積物をリソグラフィ装置の一つ以上の部品に作るか；または電極上の非Ｓｎ材料のために（実施例４、方法（ｃ１））、リソグラフィ装置の一つ以上の部品に堆積物を作る結果となる。

その後、この光学素子を設ける（ステップｂ）。次に、Ｓｎを含むプラズマを用意することによってこの方法を続け、それによって仕組み（ａ１）または（ｂ１）によるだけでなく、仕組み（ａ２）または（ｂ２）によっても、光学素子にＳｎ堆積物を作り、それは、リソグラフィ装置の部品上の堆積物の一部が、線源からの高速粒子および／または線源からのＳｎにもよって除去され；または線源が、非Ｓｎ粒子またはその他の高速粒子のような、粒子を提供し、それによって仕組み（ｃ１）だけでなく、仕組み（ｃ２）によっても、それぞれ、非Ｓｎ堆積物を作るからである。

この光学素子を設ける（ステップｂ）前に、人は、光学素子の位置に“証拠サンプル”（当業者に知られているように、例えば、この光学素子と実質的に同じ寸法であるが、例えば、Ｓｉを含むデバイス）を設けることによって、このリソグラフィ装置の性能をテストしたいかも知れない。線源ＳＯを使っていないとき、堆積物は、この証拠サンプルに出来るだろう。現場または現場外で、この証拠サンプル上に堆積した材料の組成を測定することによって、リソグラフィ装置の一つ以上の部品へのＳｎを含む堆積物が十分であるときを決めてもよい。例えば、Ｓｎ堆積物の場合、この堆積物が５０ｗｔ％以上、例えば、８０〜１００ｗｔ％のＳｎを含むとき、このリソグラフィ装置の一つ以上の部品へのＳｎを含む堆積物は、この光学素子をこの装置に提供できるためには十分かも知れない。この値に達していない場合、このリソグラフィ装置の一つ以上の部品に、現場または現場外のスパッタリング、浸漬コーティング、濡らし等のような他の仕組みによってＳｎを与えてもよい。Ｓｎの線源によるスパッタリングまたは他の方法での提供は、本発明の材料を含む層の出来た厚さが約５〜２００μｍ、例えば、約１０〜１００μｍの間の層厚を有するとき、典型的には十分である。

実施例７
Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅおよび／またはＳｎから選択した一つ以上の元素を含む材料、例えば、Ｓｉ酸化物、Ｓｎ酸化物、炭化物、金属のような化合物およびＢ、Ｃ、Ｓｉ、ＧｅおよびＳｎの元素、または一つ以上のこれらの元素の合金、例えば、Ｃｕ−Ｓｎ合金を含む材料を一つ以上のガス障壁４９に、線源室４７の壁４７ａの少なくとも一部に、電極１４７の支持体にまたはその一つ以上等に濡らし、被覆および／または含浸という以下の方法の一つ以上によって設ける。

濡らしは、例えば、スパッタリング、ＣＶＤまたはＰＶＤ等によって、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅおよび／またはＳｎの濡れやすい化合物をガス障壁、壁、電極等の表面に、この表面を同時におよび／または後に加熱しながら付けることによって行う。この方法は、Ｓｎに使ってもよい。濡れを改善するために、例えば、壁またはガス障壁は、Ｃｕ層（例えば、１０〜１００ｎｍ）を含み、その上にこの濡れやすい化合物を設けてもよい。濡らしのこの方法は、現場でのスパッタリング、ＣＶＤまたはＰＶＤも、参考までにここに援用する、米国特許出願第１０／９５６，３４４号によって可能であるが、リソグラフィ装置を組立てる前に、このリソグラフィ装置の部分に適用することができる。

被覆は、スパッタリング、ＣＶＤ、ＰＶＤ、浸漬コーティング（例えば、液体Ｓｎに）、噴霧等によって、例えば、窒化物、酸化窒化物、酸化物のような、または塩（塩化物、硝酸塩等）のような化合物を、溶液でまたはスラリーとして、ガス障壁、壁、電極等の表面に設けることによって行える。塗被のこの方法は、リソグラフィ装置を組立てる前に、このリソグラフィ装置の部分に適用することができる。

含浸は、浸漬コーティング、噴霧等によって、例えば、窒化物、酸化窒化物、酸化物のような、または塩（塩化物、硝酸塩等）のような化合物を、溶液でまたはスラリーとして、ガス障壁、壁、電極等の表面に、当業者に周知のように、その表面が多孔性（例えば、この材料の１０〜５０vol％が細孔容積である）であるとき、設けることによって行える。含浸のこの方法は、リソグラフィ装置を組立てる前に、このリソグラフィ装置の部分に適用することができる。

実施例８
この実施例では、ガス障壁４９を、Ｓｎ線源か、または一つ以上の電極１４７にＳｎを付けた電極１４７を備える線源を有するリソグラフィ装置に使う前に、最初に薄いＣｕ層、例えば、１０〜１００ｎｍで被覆する。この内面、即ち、板４９ａの表面は、この表面の全面積の少なくとも２０〜５０％にＣｕが付けてある。

この実施例の一変形では、ガス障壁がＣｕを備え、後にＳｎを備える。加熱によって、Ｓｎがこのガス障壁の表面全体に亘って濡れる。このガス障壁にＳｎを設けることは、この装置に使う前に行ってもよい。

実施例９
例えば、実施例７または実施例８を参照して、ガス障壁、支持体、装置壁、放射線源の
室の壁、電極および／または装置の縁のような、この装置の一つ以上の部品を溶融Ｓｎの浴に浸ける。例えば、この部品は、ＭｏまたはＷの電極、例えば、ＭｏまたはＷの被膜を有するガス障壁等でもよい。約５〜２００μｍの層を設けてから、装置の部品をこの装置に付ける。

一変形では、プラズマ源の通視線内にあり且つこの線源と光学素子の間にある、このリソグラフィ装置の全ての部品がこのプラズマ源の見通し内のこれらの部品の表面（この線源から直接放射線を受ける表面）の約２０〜１００％にこの材料を備える。この層の厚さは、約５〜２００μｍの間である。

この装置の部分にＳｎ被膜を設けるこのプロセスは、この装置の組立中または組立前に行うのが好ましい。

実施例１０
この装置の線源は、Ｓｎプラズマを供給す線源である。

実施例１１
この実施例では、線源がＸｅ線源であり、この材料がガス障壁４９に設けてある。

実施例１２
この実施例は、コレクタミラー５０への堆積を説明する。参考までに援用する、米国特許出願公報第２００４／００９４７２４Ａ１号の図３で分るように、この斜入射コレクタ１０は、多数の入れ子式反射器素子を含む。この種の斜入射コレクタは、例えば、ドイツ特許出願ＤＥ１０１３８２８４．７にも示してある。図５および図２に示すように、コレクタ５０は、図５に参照数字２４７によって示す、光軸の沿って整列してある。このコレクタ５０は、幾つかの反射器１４２、１４３、１４６を含んでもよい。そのようなコレクタの例を図２に参照数字５０で示す。図５に、内反射器を参照数字１４２で示し、外反射器を参照数字１４６で示す。反射器１４２と１４６の間に幾つかの他の反射器１４３があってもよく、それらの輪郭を図５に破線で示す。全ての反射器１４２および１４６は、それらの裏当て層１５２が、米国特許出願公報２００４／００９４７２４Ａ１に記載してあるように、参照数字１５４、１５６、１５８および１５９の層から選択した反射性層または多数の反射性層で塗被してある。米国特許出願公報２００４／００９４７２４Ａ１に記載してあるように、他の層、例えば、層１６０および１６２があってもよく、それらの一つ以上も反射性層を含んでもよい。

層１５４、１５６、１５８および１５９から選択した一つ以上の層の上に、この発明による材料を層８１として、例えば、１〜２０ｎｍを設けてもよい。それによって、線源ＳＯの放射線を受け且つこの線源ＳＯから粒子を受ける反射面の少なくとも一部を保護層によって保護する。層８１は、これらの反射器の縁（左側（線源側）に示す））にも設けてよい。層８１は、コレクタ５０をこのリソグラフィ装置内に配置する前にこのコレクタ５０に設けてもよい。

図６に、その外反射器１４６に幾つかの放熱フィン１７２〜１７５を取付けたコレクタ５０を示す。これらの放熱フィン１７２〜１７５は、外反射器１４６に任意に分布してもよい。放熱フィン１７２〜１７５は、このコレクタ５０の熱／赤外線“黒体”反射特性を尚更に向上するかも知れない。反射器１４２、１４３、１４６（等）の縁は、フィン１７２〜１７５同様、層８１（図６には示さず）を設けてもよい。

実施例１３
図４を参照して、ガス障壁または汚染物質障壁４９は、上に説明したようにこれらの汚染物質障壁の一つからの二つの板４９ａを含み、この障壁のチャンネルの一つを形成し、線源ＳＯ（この図には示さず）に向いた縁４９ｃを備える。縁４９ｃの表面および／またはチャンネル板４９ａの表面４９ｂは、本発明による材料の層Ｌを備えることができる。この概略図で、二つの板４９ａが実質的に平行に描いてないことを注記する。

例えば、この層Ｌは、約２０ｗｔ％、例えば、２０〜１００ｗｔ％の一つ以上の元素、例えば、Ｓｎを含むことができる。一変形で、この層Ｌは、ＣＶＤおよび／または濡らしによって設けた、金属Ｓｎを含む。リソグラフィ装置のこの部分は、線源から直接放射線を受けるその表面の約２０〜１００％、例えば、その表面の約４０〜１００％にこの材料を含むのが好ましい。図４で、縁４９ｃの全表面、板４９ａの内外面４９ｂが層Ｌを含む。この層厚は、約５〜２００μｍの間、一変形では約１０〜１００μｍの間である。この層Ｌの少なくとも２０％がこの層厚を有し、またはこの発明による材料を備える全層Ｌがこの層厚を有する。

実施例１４
図７ａおよび図７ｂを参照すると、この発明による層が概略的に描いてある。図７ａおよび図７ｂは、光学素子５０、５１のような、光学素子を指し、ここでは参照数字８０で示すか；またはガス障壁４９、支持体（これらの図ではっきりとは示さず）、装置壁（例えば、壁４７ａ、しかし他の室の他の壁も含む）、放射線源の室の壁（ここでは明白に壁４７ａ）、電極１４７、および開口５２の縁（これらの図ではっきりとは示さず）、熱シールド（これらの図ではっきりとは示さず）、汚染物質障壁板４９ａの縁４９ｃ等を指し、ここでも参照数字８０で示す。

そのような素子または部品の各々は、参照数字８０ａで概略的に示す、表面を有する。図７ａを参照して、この表面の一部、特に線源から見える部分は、本発明の材料を含む、層８１を含んでもよい。参照数字８０が光学素子を指すとき、この層は、約１〜１００ｎｍ、例えば、約５〜２０ｎｍであり、それによってＥＵＶに透明な保護層となるだろう。

参照数字８０がこの装置の一部を指すとき、この層８１は、約５〜２００μｍの間、例えば、約１０〜１００μｍの間の厚さを有し、それによってこの材料の少なくとも一部を、放射線源からの粒子とこの材料の衝突、この材料の照射、およびこの材料への熱エネルギーの伝達から選択した一つ以上の方法によって除去できる層をもたらし、そして、それによって光学素子上に除去可能な堆積物をもたらすだろう。例えば、層８１は、Ｓｎ、ＣまたはＳｉを含んでもよい。

参照数字８０がこの装置の一部を指す一変形では、層８２を、例えば、濡れを改善するために設けてもよく、それは、例えば、Ｃｕ層、または当業者に既知のその他の層でもよい。

この明細書では、ＩＣの製造でリソグラフィ装置を使用することを具体的に参照するかも知れないが、ここで説明するリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁区メモリ用誘導検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造のような、他の用途があることを理解すべきである。そのような代替用途の関係で、ここで使う“ウエハ”または“ダイ”という用語のどれも、それぞれ、より一般的な用語“基板”または“目標部分”と同義と考えてもよいことが分るだろう。ここで言及する基板は、露光の前または後に、例えば、トラック（典型的には基板にレジストの層を付け且つ露光したレジストを現像する器具）、計測器具および／または検査器具で処理してもよい。該当すれば、この開示をそのようなおよび他の基板処理器具に適用してもよい。更に、この基板を、例えば、多層ＩＣを創るために、一度を超えて処理してもよく、それでここで使う基板という用語は既に多重処理した層を含む基板も指すかも知れない。

上記では、本発明の実施例を光リソグラフィの関係で使うことを具体的に参照したかも知れないが、この発明を他の用途、例えば、印写リソグラフィで使ってもよく、従って事情が許せば、光リソグラフィに限定されないことが分るだろう。印写リソグラフィでは、パターニング装置の微細構造が基板上に創るパターンを決める。このパターニング装置の微細構造を基板に供給するレジストの層に押付け、そこで電磁放射線、熱、圧力またはその組合せを加えることによってこのレジストを硬化してもよい。このレジストが硬化してから、パターニング装置をレジストから外へ移動させ、それにパターンを残す。

本発明の特定の実施例を以上において説明したが、本発明を説明したのと別の方法で実施してもよいことが分るだろう。例えば、この発明は、上に開示した方法を記述する機械可読命令の一つ以上のシーケンスを含むコンピュータプログラム、またはそのようなコンピュータプログラムを記憶したデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気若しくは光ディスク）を含んでもよい。

上の説明は、例示であることを意図し、限定を意図しない。それで、以下に示す請求項の範囲から逸脱することなく、この説明した発明に修正を施すことができることが明白だろう。

本発明は、実施例で説明したような、リソグラフィ装置の応用またはリソグラフィ装置での使用に限定されない。更に、図面は、本発明を理解するために必要な要素および特徴を含む。その他は、このリソグラフィ装置の図面は、概略的で目盛どおりではない。本発明は、これらの概略図に示す要素（例えば、これらの概略図に描くミラー数）に限定されない。更に、本発明は、実施例１および図１および図２で説明したリソグラフィ装置に限定されない。上に説明した実施例は、組合わせてもよいことを理解すべきである。

本発明の実施例によるリソグラフィ装置を示す。 図１によるリソグラフィ投影装置のＥＵＶ照明システムおよび投影光学素子を示す側面図である。 図２に示すリソグラフィ装置の詳細図である。 ガス障壁の詳細図である。 本発明の実施例によるコレクタミラーを示す軸線方向断面図である。 放熱フィンを備えるコレクタを示す。 本発明の実施例によるリソグラフィ装置の光学素子またはその一部上の堆積物を含む層を示す。 本発明の実施例によるリソグラフィ装置の光学素子またはその一部上の堆積物を含む層を示す。

符号の説明

１ リソグラフィ装置
４７ 線源室
４７ａ 線源室の壁
４９ ガス障壁
５０ コレクタミラー
５１ 格子スペクトルフィルタ
５２ 開口
５３ 反射器
５４ 反射器
１４７ 電極
Ｃ 目標部分
ＩＬ 照明システム
ＭＡ パターニング装置
ＭＴ 支持体
ＰＢ 投影ビーム
ＰＬ 投影システム
ＳＯ 線源
Ｗ 基板
ＷＴ 基板テーブル

Claims (15)

1. リソグラフィ装置において光学素子を汚染源から保護する光学素子の保護方法であって、前記汚染源が、使用時に、放射源から前記光学素子の方へ放射された放射線によって第１の材料の粒子が前記光学素子の方へ放出される、第１の材料を含む、光学素子の保護方法であって、
   Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅおよび／またはＳｎから選択した一つ以上の元素を含む第２の材料を、使用時に当該第２の材料の粒子が前記第１の材料の粒子よりも放出されるように設ける工程と、
   前記第２の材料の放出された粒子の少なくとも一部を前記光学素子上に設ける工程と、
   前記第２の材料の少なくとも一部を前記放射線源からの粒子と前記第２の材料の衝突、前記第２の材料の照射、および／または前記第２の材料への熱エネルギーの伝達によって前記光学素子から除去する工程と
   を含む、方法。
2. 請求項１に記載の方法に於いて、前記放射線源がＸｅ放射線源、Ｌｉ放射線源、またはＳｎ放射線源を含むプラズマ源である方法。
3. 請求項１に記載の方法に於いて、前記第２の材料を前記リソグラフィ装置のガス障壁の少なくとも一部に設ける方法。
4. 請求項１に記載の方法に於いて、前記第２の材料を前記リソグラフィ装置の支持体、装置壁、前記放射線源の室の壁、および／または開口の縁の少なくとも一部に設ける方法。
5. 請求項１に記載の方法に於いて、前記第２の材料を前記放射線源の電極の少なくとも一部に設ける方法。
6. 請求項１に記載の方法に於いて、前記第２の材料を濡らし、塗被および／または含浸によって設ける方法。
7. リソグラフィ装置において光学素子を汚染源から保護する光学素子の保護方法であって、前記汚染源が、使用時に、放射源から前記光学素子の方へ放射された放射線によって第１の材料の粒子が前記光学素子の方へ放出される、第１の材料を含む、光学素子の保護方法であって、
   Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅおよび／またはＳｎから選択した一つ以上の元素を含む第２の材料を、使用時に当該第２の材料の粒子が前記第１の材料の粒子よりも放出されるように設ける工程と、
   前記第２の材料の放出された粒子の少なくとも一部を前記光学素子上に設ける工程と、
   前記第２の材料の少なくとも一部を前記光学素子から除去する工程と
   を含み、前記第２の材料が、前記光学素子に堆積してから、原子水素、またはハロゲン、またはその組合せによって、少なくとも部分的に前記光学素子から除去され得る材料を含む方法。
8. リソグラフィ装置用の光学素子の保護方法であって、前記リソグラフィ装置が放射線源、およびガス障壁、支持体、装置壁、該放射線源の室の壁、および開口の縁を含むグループから選択した一つ以上の部品を含み、前記方法が、
   ａ）前記一つ以上の部品上にＳｎ堆積物を設けるように、Ｓｎを含むプラズマを生成するために前記放射線源を作動する工程と、
   ｂ）前記光学素子にＳｎ堆積物を設けるように、Ｓｎを含むプラズマを生成するためにこの放射線源を作動する工程と
   を含み、ａ）の間に得た前記リソグラフィ装置の一つ以上の部品上のＳｎ堆積物の少なくとも一部を、ｂ）の間において前記放射線源からの粒子と前記リソグラフィ装置の一つ以上の部品上のＳｎ堆積物の衝突によって除去する方法。
9. 光学素子および汚染源を有するリソグラフィ装置を使うことによるデバイス製造方法であって、前記汚染源が、使用時に、放射源から前記光学素子の方へ放射された放射線によって第１の材料の粒子が前記光学素子の方へ放出される、第１の材料を含み、前記装置がＢ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅおよび／またはＳｎを含むグループから選択した一つ以上の元素を含む第２の材料を含み、前記第２の材料は、当該第２の材料の粒子が使用時に前記第１の材料の粒子よりも放出されやすいものである、デバイス製造方法であって、
   放射線源からの放射線を含む放射線ビームを生成する工程と、
   放射線ビームをパターン化する工程と、
   パターン化した放射線ビームを基板の目標部分上に投影する工程と、
   前記第２の材料の少なくとも一部を前記放射線源からの粒子と前記第２の材料の衝突、前記第２の材料の照射、および／または前記第２の材料への熱エネルギーの伝達によって前記光学素子から除去する工程と
   を含む、方法。
10. 請求項９に記載の方法に於いて、前記放射線源がＸｅ放射線源、Ｌｉ放射線源、またはＳｎ放射線源を含むプラズマ源である方法。
11. 請求項９に記載の方法に於いて、前記第２の材料を前記リソグラフィ装置のガス障壁に設ける方法。
12. 請求項９に記載の方法に於いて、前記第２の材料を前記リソグラフィ装置の支持体、装置壁、前記放射線源の室の壁、および／または開口の縁に設ける方法。
13. 請求項９に記載の方法に於いて、前記第２の材料を前記放射線源の電極に設ける方法。
14. 請求項９に記載の方法に於いて、前記第２の材料を濡らし、被覆および／または含浸によって設ける方法。
15. 光学素子および汚染源を有するリソグラフィ装置を使うことによるデバイス製造方法であって、前記汚染源が、使用時に、放射源から前記光学素子の方へ放射された放射線によって第１の材料の粒子が前記光学素子の方へ放出される、第１の材料を含み、前記装置がＢ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅおよび／またはＳｎを含むグループから選択した一つ以上の元素を含む第２の材料を含み、前記第２の材料は、当該第２の材料の粒子が使用時に前記第１の材料の粒子よりも放出されやすいものである、デバイス製造方法であって、
    放射線源からの放射線を含む放射線ビームを生成する工程と、
    放射線ビームをパターン化する工程と、
    パターン化した放射線ビームを基板の目標部分上に投影する工程と、
    前記第２の材料の少なくとも一部を前記光学素子から除去する工程と
    を含み、前記第２の材料が、前記光学素子に堆積してから、原子水素、またはハロゲンによって、少なくとも部分的に前記光学素子から除去され得る材料を含む方法。

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