JP5534910B2 - 極端紫外光源装置 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の第1の実施形態に係る極端紫外(EUV)光源装置を含む露光装置の概略構成を示す側面図である。この露光装置は、EUV光源装置1と、投影光学系20とを含んでいる。ここで、投影光学系20は、EUV光を用いて処理を行う処理装置の一例であり、マスクにEUV光を照射する光学系であるマスク照射部21と、マスクのパターンをウエハ上に投影する光学系であるワークピース照射部22とを含んでいる。
発光部10は、ドライバレーザ2と、ターゲット供給部3と、EUVチャンバ4と、ターゲット回収部5と、レーザ集光光学系6と、EUV集光ミラー15とを含んでいる。
第1の実施例は、投影光学系20a、20b、20cが互いに異なる開口数(NA)又は中間集光点(IF)の位置を要求している場合に、共通のEUVチャンバ4を備えた発光部10を用いて、それぞれの仕様に対応することを可能とするものである。
また、投影光学系20bが、小さい開口数(NA)を要求しているときには、図3(B)に示すように、光路接続モジュール11bの内部壁面において、中間集光点(IF)の位置から光路接続モジュール11bの両端に向かって開く角度を小さくする。
また、投影光学系20cが、投影光学系20cから遠い位置に中間集光点(IF)を要求しているときには、図3(C)に示すように、光路接続モジュール11cの内部壁面の形状を、最も内径の小さい絞り部分が投影光学系20cから遠い位置となるような形状とする。
第2の実施例は、投影光学系20d、20e、20fが互いに異なる内部圧力を必要としている場合に、共通のEUVチャンバ4を備えた発光部10を用いてそれぞれの仕様に対応し、EUVチャンバ4の内部圧力と投影光学系20d、20e、20fの内部圧力との差圧を維持することを可能とするものである。
第3の実施例は、上述の第1又は第2の実施例において、光路接続モジュールの内部壁面が種々の形状に形成されたものである。
第4の実施例は、上述の第1〜第3の実施例において、光路接続モジュールを取り外し、それにより空いた空間に、発光部10の性能検査をする検査装置16を取り付けることを可能とするものである。
第5の実施例は、上述の第1〜第4の実施例において、EUVチャンバ4の光路接続モジュール11との接続部と、投影光学系20の光路接続モジュール11との接続部に、それぞれゲートバルブ17a、17bなどの密封バルブが設置されたものである。
第6の実施例に係るEUV光源装置は、上述の第1〜第5の実施例において、光路接続モジュールにスペクトル純化フィルタ(spectral purity filter:SPF)18a又は18bを内蔵している。スペクトル純化フィルタ18a、18bは、投影光学系20が使用するEUV光(例えば、13.5nmの波長を有するEUV光)を透過し、その他の波長の光を反射又は吸収する働きがある。
第7の実施例に係るEUV光源装置は、光路接続モジュール11k又は11m内をスペクトル純化フィルタによって遮断せず、光路接続モジュール11k又は11mの内部壁面とスペクトル純化フィルタ18c又は18dとの間に隙間を空けた点で上述の第6の実施例と異なる。このように光路接続モジュール11k又は11m内に隙間を空けた場合でも、排気経路14d又は14eより排気を行うことで、EUVチャンバ4と投影光学系20との差圧を維持するとともに、EUVチャンバ4内で発生するターゲット物質のデブリが投影光学系20内へ進入することを抑制することができる。
第8の実施例は、上述の第1〜第5の実施例において、光路接続モジュール内のEUV光の経路上であって中間集光点(IF)よりEUVチャンバ4側の位置に、光を反射する光学素子が配置され、この光学素子による反射光の経路上に、反射光を検出する光検出器が設置されたものである。第8の実施例においては、光を反射する光学素子として、スペクトル純化フィルタ18e又はミラー34が配置されており、光検出器として、蛍光板31、転写光学系32、電荷結合素子33を含む中間集光点(IF)検出器が設置されている。
第9の実施例は、上述の第1〜第5の実施例において、光路接続モジュール内のEUV光の経路上に、光を反射するミラー34等の光学素子が配置され、この光学素子による反射光の経路上に、反射光を検出する光検出器が設置されたものである。第9の実施例においては、光検出器として、EUV透過フィルタ41及びエネルギー計測器42が設置されている。
また、EUV透過フィルタ41の代わりにCaF2(フッ化カルシウム)ウィンドウをEUV光の経路上に挿入配置した状態での透過光のエネルギーE1と、CaF2ウィンドウをEUV光の光路外に待機させた状態でのEUV光全体のエネルギーE2とを計測して、波長160nm以下の光のエネルギーを(E2−E1)により求めることも可能である。
第10の実施例は、上述の第1〜第5の実施例において、光路接続モジュール内のEUV光の経路上に、光を反射するミラー34等の光学素子が配置され、この光学素子による反射光の経路上に、反射光を検出する光検出器が設置されたものである。第10の実施例においては、光検出器として、蛍光板51、転写光学系32、電荷結合素子33を含むファーフィールドパターン計測器が設置されている。
第11の実施例は、上述の第1〜第10の実施例において、光路接続モジュール11を投影光学系20に接続したまま、EUVチャンバ4を含む発光部10を光路接続モジュール11から取り外すことを可能とするものである。
第12の実施例は、上述の第1〜第10の実施例において、光路接続モジュール11と発光部10とを接続させたまま、これらを投影光学系20から取り外すことを可能とするものである。
また、本発明の説明において投影光学系20も図示しているが、それはEUV光源装置1に含まれる発光部10及び光路接続モジュール11の説明のためであって、発明者はEUV光源装置1が露光装置の投影光学系20までも含むという意図を持っていない。
図15は、本発明の第2の実施形態に係るEUV光源装置における発光部の概要を示す模式図である。第2の実施形態における発光部10aは、電極間に放電を生じさせてターゲット物質をプラズマ化させ、EUV光を発光するDPP(放電生成プラズマ)方式を採用している。
DPP方式においては、EUV光源装置を小型化することができ、さらに、EUV光源装置を低消費電力化することができるという利点がある。
EUVチャンバ4aは、プラズマを生成し、EUV光の発光が行われる真空チャンバである。
EUV集光ミラー15aは、例えば、ニッケル(Ni)等からなる平滑面を有する基体材料の反射面側に、ルテニウム(Ru)、モリブデン(Mo)、およびロジウム(Rh)などの金属をコーティングしたものである。これにより、EUV集光ミラー15aは、0°〜25°の斜入射角度のEUV光を、高い反射率で反射できるようになっている。
第2の実施形態においても、EUVチャンバ4aと処理装置との間に光路接続モジュール11を設置し、異なる処理装置の仕様に対して光路接続モジュール11の変更で対応することにより、EUVチャンバ4aの仕様変更を少なくすることができる。従って、異なる処理装置の仕様に対応するEUVチャンバ4aをそれぞれ設計及び製作する必要性を低減し、コストを低減することができる。
Claims (15)
- 極端紫外光を用いて処理を行う処理装置に極端紫外光を供給する極端紫外光源装置であって、
前記処理装置に供給するための極端紫外光の生成が行われるチャンバと、
前記チャンバ内において生成された極端紫外光を集光して前記処理装置に出射する集光ミラーと、
前記チャンバと前記処理装置との間において極端紫外光の経路を外部から隔離する光路接続モジュールであって、前記チャンバから取り外し可能に構成された前記光路接続モジュールと、
を具備し、
前記チャンバには、前記光路接続モジュールとの接続部に第1の密封バルブが設けられ、前記光路接続モジュールには、前記チャンバとの接続部に第2の密封バルブが設けられた、極端紫外光源装置。 - レーザ光をターゲット物質に照射することによりプラズマを発生させ、該プラズマから放射される極端紫外光を、前記極端紫外光を用いて処理を行う処理装置に供給する極端紫外光源装置であって、
極端紫外光の生成が行われるチャンバと、
ターゲット物質を前記チャンバ内に供給するターゲット供給部と、
前記ターゲット供給部によって供給されたターゲット物質にレーザ光を照射することによってプラズマを発生させるドライバレーザと、
プラズマから放射される極端紫外光を集光して前記処理装置に出射する集光ミラーと、
前記チャンバと前記処理装置との間において極端紫外光の経路を外部から隔離する光路接続モジュールであって、前記チャンバから取り外し可能に構成された前記光路接続モジュールと、
を具備し、
前記チャンバには、前記光路接続モジュールとの接続部に第1の密封バルブが設けられ、前記光路接続モジュールには、前記チャンバとの接続部に第2の密封バルブが設けられた、極端紫外光源装置。 - 前記光路接続モジュールが、前記処理装置から取り外し可能に構成され、
前記光路接続モジュールには、前記処理装置との接続部に第3の密封バルブが設けられた、請求項1又は2記載の極端紫外光源装置。 - 前記光路接続モジュールは、前記処理装置に設けられた第4の密封バルブが位置する接続部に接続可能に構成された、請求項3記載の極端紫外光源装置。
- 前記光路接続モジュールが、前記集光ミラーの仕様に対応する内面形状を有する、請求項1乃至4のいずれか一項記載の極端紫外光源装置。
- 前記光路接続モジュールが、前記チャンバにおいて生成された極端紫外光を通過させる絞り部分を有し、前記光路接続モジュールの内部壁面は、前記絞り部分から前記光路接続モジュールの両端に向かって所定の角度で開く形状を有する、請求項1乃至4のいずれか一項記載の極端紫外光源装置。
- 前記光路接続モジュールが、前記チャンバにおいて生成された極端紫外光を通過させる絞り部分を有し、前記光路接続モジュールの内部壁面は、前記光路接続モジュール内を通る極端紫外光の光軸に沿った断面が波形の形状を有する、請求項1乃至4のいずれか一項記載の極端紫外光源装置。
- 前記光路接続モジュールが、前記絞り部分からみて前記チャンバ側又は前記処理装置側又はこれらの両方側の壁面に排気経路を有している、請求項6記載の極端紫外光源装置。
- 前記光路接続モジュール内の極端紫外光の経路上に、スペクトル純化フィルタが配置され、
該スペクトル純化フィルタと前記絞り部分との間に、前記排気経路を有している、請求項8記載の極端紫外光源装置。 - 前記光路接続モジュール内の極端紫外光の経路上に、極端紫外光を反射する光学素子が配置され、
前記光学素子による反射光の経路上に、該反射光を検出する光検出器を有している、請求項1乃至9のいずれか一項記載の極端紫外光源装置。 - 前記光学素子が、極端紫外光の経路上から退避可能に構成された、請求項10記載の極端紫外光源装置。
- 前記光路接続モジュール内の極端紫外光の経路上に、前記処理装置において使用される極端紫外光を透過するとともに、他の光の内の少なくとも一部を反射する光学素子が配置され、
前記光学素子による反射光の経路上に、該反射光を検出する光検出器を有している、請求項1乃至9のいずれか一項記載の極端紫外光源装置。 - 前記光検出器が、前記集光ミラーによる集光点に配置された、請求項9乃至12のいずれか一項記載の極端紫外光源装置。
- 前記光検出器が、前記集光ミラーによる集光点より後方に配置された、請求項9乃至12のいずれか一項記載の極端紫外光源装置。
- 前記光検出器が、前記光学素子による反射光のエネルギーを計測する、請求項9乃至14のいずれか一項記載の極端紫外光源装置。
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