WO2016151682A1 - Ｅｕｖ光用回転楕円体ミラーの反射率計測装置 - Google Patents

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WO2016151682A1
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euv
spheroid
mirror
light
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小林　洋平
計 溝口
准一 藤本
勝則 礒本
若林　理
ゲオルグ スマン
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国立大学法人 東京大学
ギガフォトン株式会社
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    • G01N2201/0696—Pulsed
    • G01N2201/0697—Pulsed lasers

Definitions

  • the present disclosure relates to a reflectance measurement device for a spheroid mirror for EUV light.
  • an LPP Laser Produced Plasma
  • DPP laser-excited plasma
  • SR Synchrotron Radiation
  • a reflectance measurement apparatus for a spheroid mirror for EUV light is directed to an EUV light source that outputs EUV light toward a spheroid mirror including a spheroid reflection surface, and a first spheroid mirror that emits EUV light. After passing through the focal position, the optical system is made incident on the spheroid reflecting surface and the second focusing position of the spheroid mirror, and after passing through the first focusing position, is reflected by the spheroid reflecting surface. And a first optical sensor that detects the EUV light.
  • FIG. 1 schematically illustrates an exemplary configuration of an exemplary LPP type EUV light generation system.
  • FIG. 2 schematically shows a configuration example of the reflectance measuring apparatus according to the first embodiment.
  • FIG. 3 schematically shows an example of the configuration of an EUV coherent light source in the reflectance measuring apparatus shown in FIG.
  • FIG. 4 is a main flowchart showing an example of the flow of control by the measurement control unit in the reflectance measurement apparatus shown in FIG.
  • FIG. 5 is a sub-flowchart showing details of the processing in step S11 in the main flowchart shown in FIG.
  • FIG. 6 schematically shows an example of a table including measurement condition parameters.
  • FIG. 1 schematically illustrates an exemplary configuration of an exemplary LPP type EUV light generation system.
  • FIG. 2 schematically shows a configuration example of the reflectance measuring apparatus according to the first embodiment.
  • FIG. 3 schematically shows an example of the configuration of an EUV coherent light source in the reflectance measuring apparatus shown in FIG.
  • FIG. 4 is a main flow
  • FIG. 7 is a sub flowchart showing details of the process in step S12 in the main flowchart shown in FIG.
  • FIG. 8 is a sub flowchart showing details of the process in step S13 in the main flowchart shown in FIG.
  • FIG. 9 is a sub-flowchart showing details of the processing in step S15 in the main flowchart shown in FIG.
  • FIG. 10 is a sub-flowchart showing a specific example of the process of step S55 in the sub-flowchart shown in FIG.
  • FIG. 11 is a sub-flowchart showing another specific example of the process of step S55 in the sub-flowchart shown in FIG.
  • FIG. 12 schematically shows an example of the relationship between the incident angle ⁇ of the EUV light with respect to the movable mirror and the reflectance R.
  • FIG. 13 is a sub flowchart showing details of the process in step S16 in the main flowchart shown in FIG.
  • FIG. 14 schematically shows an example of a table in which measurement results are written.
  • FIG. 15 is a sub-flowchart showing details of the process in step S20 in the main flowchart shown in FIG.
  • FIG. 16 schematically shows an equation representing an elliptical shape.
  • FIG. 17 schematically shows parameters used for creating the reflectance map.
  • FIG. 18 schematically shows an example of the reflectance map.
  • FIG. 19 schematically shows a configuration example of an EUV coherent light source in the reflectance measurement apparatus according to the second embodiment.
  • FIG. 20 schematically shows a configuration example of an EUV coherent light source in the reflectance measurement apparatus according to the third embodiment.
  • FIG. 21 schematically shows a modification of the filter unit in the EUV coherent light source.
  • FIG. 22 schematically shows a configuration example of a femtosecond laser apparatus in an EUV coherent light source.
  • FIG. 23 schematically shows a configuration example of a spectroscope in an EUV coherent light source.
  • FIG. 24 shows an example of the hardware environment of the control unit.
  • the present disclosure relates to a reflectance measurement apparatus that measures the reflectance of a spheroid mirror used as, for example, a condensing mirror for EUV light in an EUV light generation apparatus.
  • FIG. 1 schematically shows a configuration of an exemplary LPP type EUV light generation system.
  • the EUV light generation apparatus 1 may be used together with at least one laser apparatus 3.
  • a system including the EUV light generation apparatus 1 and the laser apparatus 3 is referred to as an EUV light generation system 11.
  • the EUV light generation apparatus 1 may include a chamber 2 and, for example, a target supply unit 26 as a target supply apparatus.
  • the chamber 2 may be sealable.
  • the target supply unit 26 may be attached so as to penetrate the wall of the chamber 2, for example.
  • the material of the target substance supplied from the target supply unit 26 may include, but is not limited to, tin, terbium, gadolinium, lithium, xenon, or a combination of any two or more thereof.
  • the wall of the chamber 2 may be provided with at least one through hole.
  • a window 21 may be provided in the through hole.
  • the pulse laser beam 32 output from the laser device 3 may pass through the window 21.
  • an EUV collector mirror 23 having a spheroidal reflecting surface may be disposed.
  • the EUV collector mirror 23 may have first and second focal points.
  • On the surface of the EUV collector mirror 23, for example, a multilayer reflective film in which molybdenum and silicon are alternately laminated may be formed.
  • the EUV collector mirror 23 is, for example, an intermediate collector whose first focus is located at or near the plasma generation region 25 and whose second focus is a desired focus position defined by the specifications of the exposure apparatus 6. It is preferably arranged so as to be located at the light spot (IF) 292.
  • a through hole 24 may be provided at the center of the EUV collector mirror 23, and the pulse laser beam 33 may pass through the through hole 24.
  • the EUV light generation apparatus 1 may include an EUV light generation control unit 5. Further, the EUV light generation controller 5 may include a target sensor 4 and the like. The target sensor 4 may detect at least one of the presence, trajectory, position, and speed of the target 27. The target sensor 4 may have an imaging function.
  • the EUV light generation apparatus 1 may include a connection portion 29 that communicates the inside of the chamber 2 and the inside of the exposure apparatus 6.
  • a wall 291 in which an aperture 293 is formed may be provided inside the connection portion 29.
  • the wall 291 may be arranged such that its aperture 293 is located at the second focal position of the EUV collector mirror 23.
  • the EUV light generation apparatus 1 may include a laser beam traveling direction control unit 34, a laser beam focusing mirror 22, a target recovery unit 28 for recovering the target 27, and the like.
  • the laser beam traveling direction control unit 34 includes an optical element for defining the traveling direction of the laser beam and an actuator for adjusting the position, posture, and the like of the optical element in order to control the traveling direction of the laser beam. You may prepare.
  • the pulsed laser beam 31 output from the laser device 3 may pass through the window 21 as the pulsed laser beam 32 through the laser beam traveling direction control unit 34 and enter the chamber 2.
  • the pulse laser beam 32 may travel along the path of at least one laser beam into the chamber 2, be reflected by the laser beam collector mirror 22, and irradiate at least one target 27 as the pulse laser beam 33.
  • the target supply unit 26 may be configured to output the target 27 toward the plasma generation region 25 inside the chamber 2.
  • the target 27 may be irradiated with at least one pulse included in the pulse laser beam 33.
  • the target 27 irradiated with the pulsed laser light is turned into plasma, and EUV light 251 can be emitted from the plasma together with the emitted light.
  • the EUV light 251 may be reflected and collected by the EUV collector mirror 23.
  • the EUV light 252 reflected by the EUV collector mirror 23 may be output to the exposure apparatus 6 through the intermediate condensing point 292.
  • a single target 27 may be irradiated with a plurality of pulses included in the pulse laser beam 33.
  • the EUV light generation controller 5 may be configured to control the entire EUV light generation system 11.
  • the EUV light generation controller 5 may be configured to process image data of the target 27 imaged by the target sensor 4.
  • the EUV light generation control unit 5 may be configured to control at least one of, for example, control of the timing at which the target 27 is output and control of the output direction of the target 27.
  • the EUV light generation control unit 5 controls at least one of, for example, control of the oscillation timing of the laser device 3, control of the traveling direction of the pulsed laser light 32, and control of the focusing position of the pulsed laser light 33. It may be configured to do.
  • the various controls described above are merely examples, and other controls may be added as necessary.
  • a spheroid mirror including a spheroid reflection surface may be used as the EUV collector mirror 23 in the EUV light generation apparatus 1 shown in FIG. 1.
  • synchrotron radiation can be used as a light source for generating EUV light, as described in Non-Patent Document 1 above. .
  • This embodiment relates to an apparatus that measures the reflectance of an EUV light spheroid mirror such as the EUV collector mirror 23 in the EUV light generation apparatus 1 shown in FIG. 1 using an EUV coherent light source.
  • FIG. 2 schematically illustrates a configuration example of the reflectance measurement apparatus according to the first embodiment of the present disclosure.
  • the reflectance measurement apparatus according to the present embodiment may include an EUV coherent light source 41, a beam delivery system 42, a measurement chamber 43, and a measurement control unit 44.
  • the EUV coherent light source 41 may be an EUV light source that outputs coherent EUV light 40 toward the spheroid mirror 50 that is a reflectance measurement target.
  • the EUV coherent light source 41 may be an EUV light source that outputs a pulse laser beam of the EUV light 40.
  • the pulsed laser light of the EUV light 40 may be substantially linearly polarized light having a wavelength of about 13.5 nm.
  • the polarization direction of the linearly polarized light may be a direction substantially perpendicular to the XZ plane in FIG. In FIG. 2, black circles marked on the optical path of the EUV light 40 may indicate linearly polarized light that is substantially perpendicular to the XZ plane.
  • the EUV coherent light source 41 may be provided with a second optical sensor 64 shown in FIG. 3 to be described later for detecting a part of the pulse laser beam of the output EUV light 40.
  • the beam delivery system 42 may include a high reflection mirror 45, a high reflection mirror 46, and an optical path tube 47.
  • the high reflection mirror 45 and the high reflection mirror 46 may be formed by coating a planar substrate with a Mo / Si multilayer film that highly reflects EUV light 40 having a wavelength of about 13.5 nm.
  • the inside of the optical path tube 47 may be a pressure close to a vacuum so that the EUV light 40 is highly transmitted.
  • the measurement chamber 43 includes a cylindrical cover 51, a circular plate 52, an exhaust device 53, a movable mirror 54, holders 55 and 56, a first rotary stage 61, a second rotary stage 62, The first optical sensor 63 may be included.
  • the cover 51 and the plate 52 may be sealed via an O-ring 57.
  • the exhaust device 53 may be connected to the cover 51 via a pipe so as to exhaust the gas in the measurement chamber 43.
  • the spheroid mirror 50 may be the EUV collector mirror 23 in FIG.
  • the spheroid mirror 50 may be disposed in the measurement chamber 43.
  • the spheroid mirror 50 may be a concave mirror having a spheroid reflection surface 71.
  • the spheroid reflection surface 71 may be a part of a spheroid surface about the rotational symmetry axis 72. Accordingly, the spheroid mirror 50 can have first and second focal points.
  • the rotational symmetry axis 72 of the spheroid mirror 50 may substantially coincide with the Z axis.
  • the spheroid reflection surface 71 of the spheroid mirror 50 may be coated with, for example, a Mo / Si multilayer film that highly reflects the EUV light 40 having a wavelength of about 13.5 nm.
  • the spheroid mirror 50 is fixed to the first rotation stage 61 via the holder 55 so that the rotation axis of the first rotation stage 61 substantially coincides with the rotational symmetry axis 72 of the spheroid mirror 50. May be. Further, the first rotary stage 61 may be fixed to the plate 52. The first rotary stage 61 may rotate the spheroid mirror 50 with respect to the plate 52 around the rotational symmetry axis 72 of the spheroid mirror 50.
  • the first and second focal points of the spheroid mirror 50 disposed in the measurement chamber 43 may be a first focal position 73 and a second focal position 74, respectively.
  • the high reflection mirror 46 of the beam delivery system 42 is arranged so that the pulse laser beam of the EUV light 40 is incident on the reflection surface of the movable mirror 54 at the first focal position 73 of the spheroid mirror 50. Good.
  • the beam delivery system 42 and the movable mirror 54 may constitute an optical system that causes the EUV light 40 to pass through the first focal position 73 of the spheroid mirror 50 and then enter the spheroid reflection surface 71.
  • the reflecting surface of the movable mirror 54 is arranged so as to include a predetermined axis that is substantially perpendicular to the rotational symmetry axis 72 of the spheroid mirror 50 and intersects the rotational symmetry axis 72 at the first focal position 73. May be reflected. Therefore, the first focal position 73 can be located on the reflecting surface of the movable mirror 54.
  • the predetermined axis may be an axis parallel to the Y axis.
  • the movable mirror 54 may be formed by coating a flat substrate with a Mo / Si multilayer film that highly reflects the EUV light 40 having a wavelength of about 13.5 nm, for example.
  • the movable mirror 54 may be fixed to the second rotary stage 62 via the holder 56.
  • the second rotary stage 62 may rotate the movable mirror 54 around the predetermined axis as a rotation center.
  • the second rotary stage 62 may be capable of rotating the movable mirror 54 to an angular position where the EUV light 40 incident from the EUV coherent light source 41 can be directly reflected toward the first optical sensor 74.
  • the first optical sensor 63 may be arranged such that the light receiving surface is positioned at the second focal position 74 of the spheroid mirror 50.
  • the first optical sensor 63 may be a photomultiplier having sensitivity to the EUV light 40.
  • the first optical sensor 63 may detect the EUV light 40 reflected by the spheroid reflection surface 71 after passing through the first focal position 73. Further, the first optical sensor 63 may detect the EUV light 40 directly reflected by the movable mirror 54 without passing through the spheroid reflecting surface 71.
  • the measurement control unit 44 may be connected to a signal line that transmits a control signal to the EUV coherent light source 41, the exhaust device 53, the first rotary stage 61, and the second rotary stage 62.
  • the measurement control unit 44 may be connected to a signal line that receives signals from the first optical sensor 63 and the EUV coherent light source 41.
  • the measurement control unit 44 controls the respective rotation angles of the first rotary stage 61 and the second rotary stage 62, and based on the detection result of the first optical sensor 63, a plurality of rotation ellipsoidal reflecting surfaces 71 are arranged. The reflectance of the spheroid reflection surface 71 at the position may be measured.
  • the angle ⁇ may be an angle formed between the rotational symmetry axis 72 of the spheroid mirror 50 and the optical path of the pulsed laser light of the EUV light 40 reflected by the movable mirror 54.
  • the angle ⁇ may be a rotation angle of the first rotary stage 61.
  • the spheroid mirror 50 that is a reflectance measurement target may be fixed on the first rotary stage 61 via the holder 55. Thereafter, the cover 51 and the plate 52 may be sealed via an O-ring 57.
  • the measurement control unit 44 may control the exhaust device 53 so that the pressure is such that the EUV light 40 is highly transmitted.
  • the measurement control unit 44 may transmit light source parameter control data to the EUV coherent light source 41 so that a desired pulsed laser beam of the EUV light 40 is output.
  • the light source parameter may include, for example, a target pulse energy Et EUV of the pulse laser beam of the EUV light 40, a pulse repetition frequency f, and the like.
  • the light source parameters may include polarization direction Po, oscillation wavelength data, and the like.
  • the measurement control unit 44 may cause the EUV coherent light source 41 to start oscillation and cause the EUV coherent light source 41 to output a pulsed laser beam of the EUV light 40.
  • the pulsed laser light of the EUV light 40 having a polarization direction substantially perpendicular to the XZ plane output from the EUV coherent light source 41 passes through the high reflection mirrors 45 and 46 and the first focal position 73 of the spheroid mirror 50. , The light can enter the reflecting surface of the movable mirror 54.
  • the reflected light from the movable mirror 54 can be pulsed laser light of the EUV light 40 that has passed through the first focal position 73 on the reflecting surface.
  • the pulse laser beam of the EUV light 40 is incident on the reflecting surface of the movable mirror 54 with, for example, S-polarized light, reflected with S-polarized light, and passes through the spheroid mirror 50 without passing through the spheroid mirror 50.
  • the light can enter the light receiving surface of the sensor 63 directly.
  • the measurement control unit 44 receives a detection value indicating the received light amount E1 of the first optical sensor 63 and a detection value indicating the received light amount E2 of the second optical sensor 64 shown in FIG. Also good.
  • the measurement control unit 44 performs the first rotation stage 61 and the second rotation so that the pulsed laser light of the EUV light 40 enters the desired measurement position of the spheroid reflection surface 71 of the spheroid mirror 50.
  • the stage 62 may be controlled (step 1).
  • the measurement position on the spheroid reflection surface 71 can be determined by a combination of the angle ⁇ and the angle ⁇ .
  • the measurement control unit 44 controls the second rotary stage 62 so that the angle formed between the rotational symmetry axis 72 of the spheroid mirror 50 and the optical path axis of the reflected light from the movable mirror 54 becomes a desired angle ⁇ . May be.
  • the measurement control unit 44 may control the first rotary stage 61 so that the desired angle ⁇ is formed around the rotational symmetry axis 72 of the spheroid mirror 50.
  • the pulsed laser light of the EUV light 40 reflected by the movable mirror 54 can be incident on the spheroid reflecting surface 71 of the spheroid mirror 50 with, for example, S-polarized light.
  • the reflected light from the movable mirror 54 may be pulsed laser light of the EUV light 40 that has passed through the first focal position 73.
  • the pulse laser light of the EUV light 40 is reflected by, for example, S-polarized light on the spheroid reflecting surface 71 of the spheroid mirror 50 and can enter the light-receiving surface of the first photosensor 63 by, for example, S-polarized light.
  • the measurement control unit 44 receives the detection value indicating the received light amount E1 ′ of the first optical sensor 63 and the detected value indicating the received light amount E2 of the second optical sensor 64 shown in FIG. (Step 2).
  • the measurement control unit 44 repeats the above steps 1 to 3 while changing the position of the spheroid reflecting surface 71 of the spheroid mirror 50 on which the pulsed laser light of the EUV light 40 is incident, so that the spheroid mirror 50 The reflectance at a plurality of positions on the spheroid reflection surface 71 may be measured.
  • the pulse laser beam of the EUV light 40 output from the EUV coherent light source 41 is rotated from the first focal position 73 of the spheroid mirror 50 at a desired angle ⁇ . It can be incident on the spheroid reflecting surface 71 of the body mirror 50 and reflected.
  • the reflectance at a plurality of positions of the spheroid reflecting surface 71 is measured. Can be done.
  • the surface distribution of the reflectance on the spheroid reflecting surface 71 can be measured by rotating the spheroid mirror 50 about the rotational symmetry axis 72 and rotating it at a desired angle ⁇ to measure the reflectance.
  • the reflectance map in the rotation ellipsoidal reflective surface 71 can be created.
  • the spheroid mirror 50 when the spheroid mirror 50 is replaced and measured, the spheroid mirror 50 may be removed by moving the plate 52 from the cover 51 in the ⁇ Z direction. At this time, since the atmosphere enters the measurement chamber 43 and the beam delivery system 42, for example, a gate valve may be disposed in the portion of the optical path tube 47 between the high reflection mirror 46 and the cover 51.
  • the gate valve When the spheroid mirror 50 is replaced, after the gate valve is closed, the spheroid mirror 50 to be measured next is arranged, and then when the exhaust device 53 is in a vacuum state, the gate valve May be opened.
  • an example of measuring the reflectance of the spheroid mirror 50 for EUV light having a wavelength of about 13.5 nm is shown.
  • other EUV light for example, EUV light having a wavelength of about 6.7 nm is measured. Even in this case, the present embodiment may be applicable.
  • FIG. 3 schematically shows a configuration example of the EUV coherent light source 41 in the reflectance measuring apparatus shown in FIG.
  • the EUV coherent light source 41 includes a femtosecond laser device 80, a rare gas chamber 81, a rare gas supply unit 82, an optical path tube 83, an exhaust device 84, a filter unit 85, a power monitor unit 86, and an EUV coherent light source.
  • a control unit 48 may be provided.
  • the femtosecond laser device 80 may output a pulse laser beam for pumping with a pulse width of femtosecond (fs) for exciting the rare gas toward the rare gas chamber 81.
  • the femtosecond laser device 80 outputs substantially linearly polarized pump pulse laser light having a center wavelength of about 796.5 nm, a pulse width of about 5 fs to 40 fs, a pulse energy of about 4 to 10 mJ, and a pulse repetition frequency of about 1000 Hz.
  • a titanium sapphire laser device may be used.
  • the rare gas chamber 81 accommodates a rare gas, and may include a window 87, a condensing optical system 88, a first pinhole 91, and a pressure sensor 90.
  • a rare gas supply unit 82 may be connected to the rare gas chamber 81 via a pipe.
  • the rare gas supply unit 82 may include, for example, a He gas cylinder that supplies He gas as a rare gas, and a pressure control valve disposed in the gas pipe.
  • the rare gas chamber 81 may be supplied with He gas from the rare gas supply unit 82 so that the pressure is about 17 kPa.
  • the window 87 may be, for example, a MgF 2 crystal, which is arranged so that the optical axis and the axis of the pulse laser beam for pumping substantially coincide with each other, and may be sealed in the rare gas chamber 81 with an O-ring (not shown).
  • the thickness of the window 87 may be about 1 mm.
  • the first pinhole 91 may be disposed in the rare gas chamber 81 through an O-ring (not shown).
  • the first pinhole 91 may be formed with a through hole having the same diameter as the condensed diameter of the pump pulse laser beam.
  • the diameter of the first pinhole 91 may be about 100 ⁇ m, for example.
  • the condensing optical system 88 may be an off-axis parabolic mirror on which the pump pulse laser beam is incident at an incident angle of about 45 °.
  • the condensing optical system 88 may be disposed so that the pump pulse laser light passes through the through hole of the first pinhole 91.
  • the condensing optical system 88 may be arranged so as to condense the pump pulse laser light in the vicinity of the front side of the through hole of the first pinhole 91.
  • the pump pulse laser beam is condensed near the front side of the through hole of the first pinhole 91, whereby the rare gas is excited.
  • the pump pulse laser beam is coaxial with the pump pulse laser beam due to the nonlinear effect of the excited rare gas.
  • harmonic light including the EUV light 40 may be generated.
  • the optical path tube 83 may be sealed and connected to the downstream side of the optical path of the pulse laser light for pumping in the first pinhole 91 of the rare gas chamber 81 with an O-ring (not shown).
  • An exhaust device 84 may be connected to the optical path tube 83 so that the pressure drops to a pressure close to vacuum.
  • the optical path tube 83 may be sealed and connected to the chamber 89 with an O-ring (not shown).
  • the filter unit 85 may selectively pass the EUV light 40 included in the harmonic light generated by the nonlinear effect of the excited rare gas.
  • the chamber 89 may be provided with an emission port 99 that emits the pulsed laser light of the EUV light 40 that has passed through the filter unit 85.
  • the filter unit 85 may include second to fifth pinholes 92 to 95 and a band pass filter 96.
  • the through holes of the second to fifth pinholes 92 to 95 and the band pass filter 96 may be arranged on the optical path of the pulsed laser light of the EUV light 40 in this order at predetermined intervals.
  • second and third pinholes 92 and 93 may be disposed.
  • fourth and fifth pinholes 94 and 95 and a band pass filter 96 may be arranged in the chamber 89.
  • the diameters of the through holes of the second to fifth pinholes 92 to 95 may be large enough to pass the pulse laser beam of the EUV light 40 and shield most of the pump pulse laser beam.
  • the band-pass filter 96 is a band-pass filter that transmits the EUV light 40 having a wavelength of about 13.5 nm and suppresses the passage of light of other wavelengths.
  • the band-pass filter 96 has a wavelength of several hundreds of nm on the pinhole in which the through hole is formed.
  • a Zr thin film filter to which a Zr thin film is fixed may be used.
  • the power monitor unit 86 is disposed in the chamber 89, and may include a transfer optical system 97, a band pass filter 98, and a second optical sensor 64.
  • the transfer optical system 97 may be a concave mirror, and may be arranged so that the reflected light image of the bandpass filter 96 forms an image on the light receiving surface of the second optical sensor 64.
  • the transfer optical system 97 is a spherical mirror, and the reflective surface may be coated with a multilayer film of Mo / Si so that the EUV light 40 having a wavelength of about 13.5 nm is highly reflected.
  • the band pass filter 98 may be disposed on the optical path of the EUV light 40 between the transfer optical system 97 and the second optical sensor 64.
  • the band-pass filter 98 is a band-pass filter that transmits EUV light 40 having a wavelength of about 13.5 nm and suppresses the passage of light of other wavelengths, and has a wavelength of several hundreds of nm on a pinhole in which a through hole is formed.
  • a Zr thin film filter to which a Zr thin film is fixed may be used.
  • the second optical sensor 64 may detect a part of the EUV light 40 output from the EUV coherent light source 41. Similarly to the first optical sensor 63, the second optical sensor 64 may be, for example, a photomultiplier having sensitivity to the EUV light 40. The second optical sensor 64 may be connected to the EUV coherent light source controller 48. The EUV coherent light source control unit 48 may be connected to the femtosecond laser device 80, the pressure sensor 90, the rare gas supply unit 82, the exhaust device 84, and the measurement control unit 44.
  • the EUV coherent light source control unit 48 receives light source parameters such as the target pulse energy Et EUV of the pulsed laser light of the EUV light 40, the pulse repetition frequency f, the polarization direction Po, and the center wavelength of about 796.5 nm from the measurement control unit 44. May be received.
  • the EUV coherent light source control unit 48 may control the rare gas supply unit 82 and the exhaust device 84 so that the detection pressure of the pressure sensor 90 becomes the target pressure Pt.
  • the target pressure Pt may be about 17 kPa.
  • the EUV coherent light source control unit 48 controls the femtosecond laser device 80 so as to output the pulse laser light for the pumping energy having a repetition frequency f and the pulse energy of the EUV light 40 so that the pulse energy of the EUV light 40 becomes Et EUV. May be.
  • the pulse energy of the pump pulse laser beam may be about 6 mJ.
  • the direction of the linearly polarized light may be a direction substantially perpendicular to the XZ plane. In FIG. 3, black circles on the optical paths of the pump pulse laser beam and the EUV light 40 may indicate linearly polarized light that is substantially perpendicular to the XZ plane.
  • the pump pulse laser beam passes through the window 87, enters the condensing optical system 88, and can be condensed to a diameter of, for example, about 100 ⁇ m before the through hole of the first pinhole 91.
  • the rare gas may be He gas.
  • the 59th-order harmonic light having a wavelength of about 796.5 nm of the pulse laser light for pump can be the pulse laser light of the EUV light 40 having a wavelength of about 13.5 nm.
  • the high-order harmonic light can substantially coincide with the polarization direction of the pump pulse laser light.
  • the pump pulse laser beam and the odd-order harmonic light can be emitted into the optical path tube 83 through the first pinhole 91. Since the pump pulse laser beam has a large beam divergence angle and a wavelength longer than 13.5 nm, most of the pump pulse laser beam can be removed by the second to fifth pinholes 92 to 95. High-order harmonic light in the soft X-ray region can pass through the second to fifth pinholes 92 to 95 and enter the bandpass filter 96.
  • a pulsed laser beam of EUV light 40 having a wavelength of about 13.5 nm can pass.
  • the pulsed laser light of the EUV light 40 that has passed through the bandpass filter 96 can pass through the exit port 99 of the chamber 89 and enter the highly reflective mirror 45 of the beam delivery system 42.
  • the second optical sensor 64 can detect the amount of pulsed laser light of the EUV light 40 having a wavelength of about 13.5 nm that has been reflected by the bandpass filter 96 and passed through the bandpass filter 98.
  • the detection value indicating the received light amount E2 detected by the second optical sensor 64 can be proportional to the pulse energy of the pulsed laser light of the EUV light 40 having a wavelength of about 13.5 nm that has passed through the bandpass filter 96.
  • the EUV coherent light source control unit 48 may transmit the detection value data of the second optical sensor 64 indicating the received light amount E2 to the measurement control unit 44 for each pulse.
  • EUV light 40 having a wavelength of about 13.5 nm is generated.
  • the present invention is not limited to this example.
  • EUV light having a wavelength of about 6.7 nm may be generated.
  • the wavelength of the pump pulse laser beam output from the femtosecond laser device 80 may be about 797.2 nm, and 119th order higher harmonic light may be generated.
  • FIG. 4 is a main flowchart showing an example of a control flow by the measurement control unit 44 in the present embodiment.
  • the measurement control unit 44 may create a measurement condition parameter table (step S11).
  • FIG. 6 shows an example of a table including measurement condition parameters.
  • the measurement control unit 44 may create a table including the light source parameters of the EUV coherent light source 41 from the data numbers 1 to Nmax and the mirror measurement parameters of the spheroid mirror 50 as the measurement condition parameter table.
  • the measurement control unit 44 may oscillate the EUV coherent light source 41 (step S12).
  • the measurement control unit 44 may transmit the light source parameter data to the EUV coherent light source 41 so that the desired light source parameter is obtained, and output the pulse laser light of the desired EUV light 40.
  • the measurement control unit 44 may measure reference data (step S13). At this time, the measurement control unit 44 detects the detected value when the pulse laser beam of the EUV light 40 is directly incident on the first optical sensor 63 without passing through the spheroid reflection surface 71 of the spheroid mirror 50. Reference data may be obtained by calculation from the detection value of the second photosensor 64.
  • the measurement control unit 44 may set the measurement condition of the data number N and perform measurement (step S15).
  • the measurement condition may be set to the mirror measurement parameter of the spheroid mirror 50 having the data number N, and the detection value of the first optical sensor 63 and the detection value of the second optical sensor 64 may be read.
  • the measurement control unit 44 may write the measurement result and the calculation result in the table of the data number N (Step S16).
  • the detection value of the first optical sensor 63 indicating the received light amount E1 ' may be the reflected light amount Eo from the spheroid mirror 50.
  • FIG. 14 shows an example of a table including measurement results. For example, as shown in FIG. 14, values of Eo, Ei, and R may be written in the table as measurement results.
  • the measurement control unit 44 may determine whether or not the measurement is completed under all conditions of the measurement condition parameter (step S17). This determination may be made based on whether or not the condition of N ⁇ Nmax is satisfied when the maximum value of the data number N is Nmax, that is, whether or not the data number N has reached the maximum value Nmax. Thereby, it may be determined whether or not the measurement at all measurement positions is completed.
  • the measurement control unit 44 transmits an oscillation stop signal to the EUV coherent light source 41, thereby causing EUV coherent.
  • the oscillation of the light source 41 may be stopped (step S19).
  • the measurement control unit 44 creates a reflectance map in which the reflectance at each measurement position of the spheroid mirror 50 is mapped, and displays the reflectance map on a display unit (not shown) ( Step S20), the main process may be terminated.
  • the measurement control unit 44 may store the created reflectance map as data and record the data in a storage medium (not shown). Alternatively, the data may be transmitted to another external device.
  • FIG. 5 is a sub-flowchart showing details of the processing in step S11 in the main flow chart shown in FIG.
  • the measurement control unit 44 may perform the process shown in FIG. 5 as the measurement condition parameter table creation process.
  • the measurement control unit 44 may read the specifications of the spheroid mirror 50 from a storage unit (not shown) (step S21).
  • the spec of the spheroid mirror 50 may be, for example, data such as the spheroid formula, the first focal position 73, the second focal position 74, and the range of the spheroid reflecting surface 71.
  • the measurement control unit 44 may calculate the minimum value ⁇ min and the maximum value ⁇ max of the angle ⁇ from the range of the spheroid reflection surface 71 (step S22).
  • the measurement control unit 44 may determine Nmax mirror measurement parameters in a range of ⁇ min ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ max and 0 ⁇ ⁇ ⁇ 360 ° (step S23). Accordingly, for example, as illustrated in FIG. 6, a combination of the angle ⁇ and the angle ⁇ corresponding to Nmax measurement positions may be determined.
  • the measurement control unit 44 may determine a light source parameter (step S24). For example, as shown in FIG. 6, the measurement control unit 44 uses the target pulse energy Et EUV of the pulse laser beam of the EUV light 40, the pulse repetition frequency f, and the polarization direction Po of the EUV light 40 as the light source parameters. May be determined.
  • FIG. 7 is a sub flowchart showing details of the process in step S12 in the main flowchart shown in FIG.
  • the measurement control unit 44 may perform the process illustrated in FIG. 7 as the process of causing the EUV coherent light source 41 to oscillate.
  • the measurement control unit 44 may control the filling and pressure of the He gas in the rare gas chamber 81 via the EUV coherent light source control unit 48 (step S31). Specifically, the measurement control unit 44 may control the rare gas supply unit 82 and the exhaust device 84 so that the pressure detected by the pressure sensor 90 becomes the target pressure Pt.
  • the target pressure Pt may be about 17 kPa, for example.
  • the measurement control unit 44 may transmit light source parameter data to the EUV coherent light source 41 (step S32).
  • the measurement control unit 44 may transmit, for example, target pulse energy Et EUV of the pulse laser beam of the EUV light 40 and data of the pulse repetition frequency f as the light source parameters.
  • the measurement control unit 44 may oscillate the femtosecond laser device 80 via the EUV coherent light source control unit 48 (step S33). Then, you may return to the main flow of FIG.
  • FIG. 8 is a sub flowchart showing details of the process in step S13 in the main flowchart shown in FIG.
  • the measurement control unit 44 may perform the process illustrated in FIG. 8 as the process of measuring the reference data.
  • the measurement control unit 44 may read the detection value of the first optical sensor 63 indicating the received light amount E1 and the detection value of the second optical sensor 64 indicating the received light amount E2 (step S42).
  • FIG. 9 is a sub flowchart showing details of the process in step S15 in the main flowchart shown in FIG.
  • the measurement control unit 44 may set the measurement condition of the data number N and perform the process illustrated in FIG. 9 as a process for performing measurement.
  • the measurement control unit 44 may read the angle ⁇ and the angle ⁇ that are measurement condition parameters of the data number N from a table of a storage unit (not shown) (step S51).
  • the measurement control unit 44 controls the second rotary stage 62 so that the angle formed between the rotational symmetry axis 72 of the spheroid mirror 50 and the optical path axis of the reflected light from the movable mirror 54 is an angle ⁇ . You may do (step S52).
  • the measurement control unit 44 may control the first rotation stage 61 so as to have an angle ⁇ around the rotational symmetry axis 72 of the spheroid mirror 50 (step S53).
  • the measurement control unit 44 may read the detection value of the first optical sensor 63 indicating the received light amount E1 'and the detection value of the second optical sensor 64 indicating the received light amount E2 (step S54).
  • the measurement control unit 44 may calculate the amount of incident light Ei of the EUV light 40 incident on the spheroid reflection surface 71 of the spheroid mirror 50 (step S55). Then, you may return to the main flow of FIG.
  • FIG. 10 is a sub flowchart showing a specific example of the process of step S55 in the sub flowchart shown in FIG.
  • the measurement control unit 44 may perform the process illustrated in FIG. 10 as the calculation process of the incident light amount Ei of the EUV light 40 incident on the spheroid reflection surface 71 of the spheroid mirror 50.
  • the following processing shown in FIG. 11 may be performed.
  • FIG. 11 is a sub-flowchart showing another specific example of the process of step S55 in the sub-flowchart shown in FIG.
  • the measurement control unit 44 may determine whether the polarization direction of the EUV light 40 is S-polarized light or P-polarized light with respect to the reflecting surface of the movable mirror 54 (step S63).
  • the measurement control unit 44 may calculate the reflectance R S ⁇ of the movable mirror 54 when the incident angle ⁇ is S-polarized light (step S64).
  • a function of the reflectance R S ⁇ with respect to the incident angle ⁇ in the case of S-polarized light may be obtained in advance and stored in a storage unit (not shown), and the reflectance R S ⁇ may be calculated from the function.
  • the measurement control unit 44 may read the value of the reflectance R S45 ° of the movable mirror 54 when the incident angle is 45 ° with S polarization from a storage unit (not shown) (step S65).
  • the value of the reflectance R S45 ° may be stored in advance in a storage unit (not shown).
  • the measurement control unit 44 may calculate the reflectance R P ⁇ of the movable mirror 54 in the case of P-polarized light and the incident angle ⁇ (step S67). ).
  • a function of the reflectance R P ⁇ with respect to the incident angle ⁇ in the case of P-polarized light may be obtained in advance and stored in a storage unit (not shown), and the reflectance R P ⁇ may be calculated from the function.
  • the measurement control unit 44 may read the value of the reflectance R P45 ° of the movable mirror 54 when the incident angle is 45 ° with P polarization from a storage unit (not shown) (step S68).
  • the value of the reflectance R P45 ° may be stored in advance in a storage unit (not shown).
  • FIG. 12 schematically shows an example of the relationship between the incident angle ⁇ of the EUV light 40 with respect to the movable mirror 54 and the reflectance R.
  • the horizontal axis may be the incident angle ⁇
  • the vertical axis may be the reflectance R.
  • a function of the reflectance R P ⁇ with respect to the incident angle ⁇ in the case of P-polarized light and a function of the reflectance R S ⁇ with respect to the incident angle ⁇ in the case of S-polarized light may be obtained in advance.
  • the functions of the reflectances R P ⁇ and R S ⁇ may be obtained by calculation from theoretical values or may be obtained by actual measurement values by measurement.
  • FIG. 13 is a sub flowchart showing details of the process in step S16 in the main flowchart shown in FIG.
  • the measurement control unit 44 may perform the process illustrated in FIG. 13 as the process of writing the measurement result and the calculation result in the data number N table.
  • the measurement control unit 44 may write the incident light amount Ei and the data of the reflected light amount Eo and the reflectance R as a measurement result of the data number N in a table of a storage unit (not shown) (step S72).
  • FIG. 14 schematically shows an example of a table in which measurement results are written. Then, you may return to the main flow of FIG.
  • FIG. 15 is a sub flowchart showing details of the process in step S20 in the main flowchart shown in FIG.
  • the measurement control unit 44 may perform the process shown in FIG. 15 as the process of creating and displaying the reflectance map.
  • FIG. 16 schematically shows an equation representing an elliptical shape.
  • FIG. 17 schematically shows parameters used for creating the reflectance map.
  • the spheroid reflection surface 71 may be a part of the spheroid surface 75 centered on the Z axis.
  • the following equation can be established from the elliptic equation.
  • a a radius in the major axis direction of the ellipse
  • b a radius in the minor axis direction of the ellipse
  • c a distance from the center of the ellipse to the first focal position 73
  • r is an arbitrary distance from the first focal position 73. It may be the distance to the ellipse position.
  • X and Y can be expressed by the following equations as coordinate points in the XY plane substantially perpendicular to the Z axis.
  • X r a ⁇ cos ⁇
  • Y r a ⁇ sin ⁇
  • the measurement control unit 44 displays the coordinate points X and Y and the reflectance R obtained as described above as a three-dimensional coordinate (X, Y, R) on a display unit (not shown) in a three-dimensional plot.
  • FIG. 18 schematically shows an example of a reflectance map displayed as a three-dimensional plot. In FIG. 18, a plurality of black circles may be coordinate points plotted three-dimensionally.
  • the measurement control unit 44 may determine whether or not the condition of N ⁇ Nmax is satisfied, that is, whether or not the data number N has reached the maximum value Nmax (step S85). If it is determined that the condition of N ⁇ Nmax is not satisfied (step S85; N), the measurement control unit 44 may return to the process of step S82. If it is determined that the condition of N ⁇ Nmax is satisfied (step S85; Y), the measurement control unit 44 may return to the main flow of FIG. 4 and end the process.
  • FIG. 19 schematically illustrates a configuration example of the EUV coherent light source 41A in the reflectance measurement apparatus according to the second embodiment of the present disclosure.
  • the overall configuration of the reflectance measurement device may be substantially the same as the reflectance measurement device of FIG.
  • the EUV coherent light source 41 ⁇ / b> A in the present embodiment may further include a polarization direction variable unit that selectively changes the polarization direction of the EUV light 40 with respect to the configuration of the EUV coherent light source 41 illustrated in FIG. 3. Good.
  • the polarization direction variable unit causes the EUV light 40 to be incident on the spheroid reflection surface 71 of the spheroid mirror 50 as either one of the first polarization direction and the second polarization direction which are different from each other. Alternatively, the polarization direction may be changed.
  • the first polarization direction and the second polarization direction may be, for example, linearly polarized light that becomes P-polarized light and S-polarized light with respect to the spheroid reflecting surface 71, respectively.
  • the EUV coherent light source 41A may include a ⁇ / 2 plate 110 and a holder 111 with an automatic rotation stage as a polarization direction variable unit.
  • the ⁇ / 2 plate 110 may be disposed on the optical path between the window 87 and the condensing optical system 88.
  • the ⁇ / 2 plate 110 may be an MgF 2 substrate.
  • the ⁇ / 2 plate 110 may be fixed to a holder 111 with an automatic rotation stage.
  • the holder 111 with the automatic rotation stage may have an opening through which the pulse laser light for pump from the femtosecond laser device 80 passes.
  • the holder 111 with the automatic rotation stage can change the angle ⁇ formed by the optical axis of the ⁇ / 2 plate 110 and the polarization direction of the pump pulse laser light from the femtosecond laser device 80 between 0 ° and 45 °. It may be configured as follows.
  • the rotation stage of the holder 111 with the automatic rotation stage may be rotationally controlled by the measurement control unit 44 and the EUV coherent light source control unit 48.
  • black circles on the optical paths of the pump pulse laser beam and the EUV light 40 may indicate linearly polarized light that is substantially perpendicular to the XZ plane.
  • An arrow written so as to be substantially orthogonal to the optical paths of the pump pulse laser beam and the EUV light 40 may indicate linearly polarized light in a direction including the XZ plane.
  • the EUV coherent light source control unit 48 may receive a signal instructing measurement with P-polarized light from the measurement control unit 44.
  • the EUV coherent light source control unit 48 rotates the holder 111 with the automatic rotation stage so that an angle ⁇ formed by the optical axis of the ⁇ / 2 plate 110 and the polarization direction of the pump pulse laser beam is approximately 45 °.
  • the stage may be controlled.
  • the polarization direction of the pump pulse laser light output from the femtosecond laser device 80 can be rotated by 90 ° by transmitting through the ⁇ / 2 plate 110, and the polarization direction can be changed to the direction including the XZ plane.
  • the polarization direction of the pulsed laser light of the EUV light 40 can also change in the direction including the XZ plane.
  • the pulse laser beam of the EUV light 40 output from the EUV coherent light source 41A is incident as P-polarized light on the reflecting surface of the movable mirror 54 via the high reflection mirror 45 and the high reflection mirror 46, and the spheroid mirror 50 It is also possible to enter the P-polarized light with respect to the spheroid reflecting surface 71.
  • the light reflected from the spheroid reflecting surface 71 of the spheroid mirror 50 can enter the light receiving surface of the first photosensor 63.
  • the measurement control unit 44 performs substantially the same control as in the first embodiment, and measures the reflectance of P-polarized light at a plurality of measurement positions on the spheroid reflection surface 71 of the spheroid mirror 50. Good.
  • the EUV coherent light source controller 48 may receive a signal instructing measurement with S-polarized light from the measurement controller 44.
  • the EUV coherent light source controller 48 moves the rotation stage of the holder 111 with the automatic rotation stage so that the angle ⁇ formed by the optical axis of the ⁇ / 2 plate 110 and the polarization direction of the pump pulse laser beam becomes 0 °. You may control.
  • the polarization direction of the pump pulse laser beam output from the femtosecond laser device 80 does not rotate even if the pump pulse laser beam passes through the ⁇ / 2 plate 110 and is substantially perpendicular to the XZ plane. It can be returned to the polarization direction.
  • the measurement control unit 44 performs substantially the same control as in the first embodiment, and measures the reflectance of S-polarized light at a plurality of measurement positions on the spheroid reflection surface 71 of the spheroid mirror 50. Good.
  • the plurality of measurement positions may be substantially the same positions as points measured with P-polarized light.
  • the polarization direction of the pulsed laser light of the EUV light 40 output from the EUV coherent light source 41A can be changed by 90 °.
  • the pulsed laser light of the EUV light 40 can be selectively incident on the spheroid reflecting surface 71 of the spheroid mirror 50 as S-polarized light and P-polarized light.
  • the reflectance Rs in the case of S-polarized light and the reflectance Rp in the case of P-polarized light can be respectively measured.
  • the reflectance Rt in the case of non-polarized light that is an actual EUV light source can be measured from the average value of the reflectance Rs in the case of S-polarized light and the reflectance Rp in the case of P-polarized light.
  • the polarization direction of the pump pulse laser light output from the femtosecond laser device 80 is controlled by the ⁇ / 2 plate 110, but the present invention is not limited to this embodiment.
  • the polarization direction of the pumping pulse laser beam output from the femtosecond laser device 80 may be controlled by rotating it with a plurality of mirrors. Further, the polarization direction of the pulse laser light may be rotated after being converted into the EUV light 40 instead of the polarization direction of the pump pulse laser light.
  • FIG. 20 schematically illustrates a configuration example of the EUV coherent light source 41B in the reflectance measurement apparatus according to the third embodiment of the present disclosure.
  • the overall configuration of the reflectance measurement device may be substantially the same as the reflectance measurement device of FIG.
  • the EUV coherent light source 41B in this embodiment may have a configuration including a spectroscope 112 instead of the second photosensor 64 in the EUV coherent light source 41A shown in FIG. In addition, it may replace with the 2nd photosensor 64 in the EUV coherent light source 41 shown in FIG.
  • the spectroscope 112 may have a configuration shown in FIG.
  • the EUV coherent light source 41B may include a wavelength adjusting unit that changes the center wavelength ⁇ m of the oscillation of the EUV light 40.
  • the wavelength adjusting unit can be realized by configuring the femtosecond laser device 80 as shown in FIG.
  • the EUV coherent light source controller 48 may receive from the spectroscope 112 a detection value corresponding to the oscillation center wavelength ⁇ m and a detection value corresponding to the received light amount E2.
  • the detection value corresponding to the oscillation center wavelength ⁇ m may be a value indicating the position of a diffraction image 174 shown in FIG.
  • the detection value corresponding to the received light amount E2 may be a value indicating the integrated light amount of the diffraction image 174 shown in FIG.
  • the EUV coherent light source control unit 48 may be connected to a signal line that receives a detection value corresponding to the oscillation center wavelength ⁇ m and a detection value corresponding to the received light amount E2 from the spectroscope 112. Further, the EUV coherent light source controller 48 may be connected to a signal line that transmits a signal ⁇ that controls the center wavelength of oscillation of the femtosecond laser device 80.
  • the EUV coherent light source control unit 48 controls the femtosecond laser device 80 so that the pump pulse laser beam is output from the femtosecond laser device 80 when the data of the target oscillation wavelength ⁇ t is received from the measurement control unit 44. Also good. As a result, a part of the pulsed laser light of the EUV light 40 can enter the spectroscope 112.
  • the EUV coherent light source control unit 48 may calculate the center wavelength ⁇ m of the oscillation of the pulsed laser light of the EUV light 40 based on the detection result of the spectroscope 112. Furthermore, based on the detection result of the spectroscope 112, the light amount of the pulsed laser light of the EUV light 40 may be calculated as the received light amount E2.
  • the EUV coherent light source control unit 48 may control the oscillation wavelength of the femtosecond laser device 80 so that ⁇ approaches zero.
  • the EUV coherent light source control unit 48 transmits a wavelength control completion signal to the measurement control unit 44 when the condition
  • the measurement control unit 44 may change the target wavelength ⁇ t in a predetermined range, for example, in the range of 13.0 nm to 14.0 nm, for example, by 0.1 nm.
  • the measurement control unit 44 may change the wavelength and measure the reflectance for each wavelength at a desired measurement position on the spheroid reflection surface 71 of the spheroid mirror 50.
  • the wavelength of the pulse laser beam of the EUV light 40 output from the EUV coherent light source 41B can be changed.
  • the wavelength dependence of the reflectance of the spheroid reflecting surface 71 of the spheroid mirror 50 at a desired measurement position can be measured.
  • the peak wavelength of reflectance can be measured.
  • the calculated wavelength ⁇ EUV may be regarded as the center wavelength ⁇ m of oscillation of the pulsed laser light of the EUV light 40.
  • FIG. 21 schematically shows a modification of the filter unit 85 in the EUV coherent light source.
  • the filter unit 85 of the EUV coherent light sources 41, 41A, and 41B in the first to third embodiments may be configured as the filter unit 85A illustrated in FIG.
  • the filter unit 85A may include first and second multilayer mirrors 113 and 114 in place of the second to fifth pinholes 92 to 95.
  • the first and second multilayer mirrors 113 and 114 may be mirrors on which a Mo / Si multilayer film that highly reflects the EUV light 40 having a wavelength of about 13.5 nm is formed.
  • the filter unit 85A In the case of the filter unit 85 using the second to fifth pinholes 92 to 95, it may be impossible to suppress the passage of high-order harmonic light other than the 59th-order light having a wavelength of about 13.5 nm. Therefore, in the filter unit 85A, the first and second multilayer mirrors 113 and 114 are arranged, and the high order harmonic light other than the 59th order is reflected by repeatedly reflecting the high order harmonic light between the mirrors. Can be suppressed. Finally, the EUV light 40 having a wavelength of about 13.5 nm may be passed through the band pass filter 96.
  • FIG. 22 shows a specific configuration example of the femtosecond laser apparatus 80.
  • the femtosecond laser device 80 of the EUV coherent light sources 41, 41A and 41B in the first to third embodiments may be configured as shown in FIG.
  • the femtosecond laser device 80 may include a mode-locked laser 121, high reflection mirrors 122 and 123, a pulse stretcher 124, an amplifier 125, and a pulse compressor 126.
  • the mode-locked laser 121 may include an excitation laser device 120, a saturable absorption mirror 131, high reflection mirrors 132A, 132B, and 132C, and a titanium sapphire crystal 133.
  • the mode-locked laser 121 may further include prisms 134A, 134B, 134C, and 134D, a slit 135, a uniaxial stage 136, and an output coupling mirror 137.
  • the saturable absorption mirror 131 and the output coupling mirror 137 may constitute an optical resonator.
  • a high reflection mirror 132A, a titanium sapphire crystal 133, high reflection mirrors 132B and 132C, prisms 134A and 134B, a slit 135, and prisms 134C and 134D are arranged in this order. May be.
  • the apex angles of the prisms 134A, 134B, 134C, and 134D may be angles such that the light incident angle and the light emitting angle are substantially Brewster angles.
  • the prism 134A and the prism 134B may be arranged so that light is incident at a Brewster angle and is emitted at a Brewster angle so that the dispersion directions are opposite to each other.
  • the prism 134C and the prism 134D may be arranged so that light is incident at a Brewster angle and emitted at a Brewster angle so that the dispersion directions are opposite to each other.
  • the opening of the slit 135 may be disposed on the optical path between the prism 134B and the prism 134C.
  • the slit 135 may be fixed to the uniaxial stage 136 via a holder (not shown) so as to move in the movement direction 138 of the arrow shown in FIG. 22, for example, in a direction substantially perpendicular to the optical path axis.
  • the high reflection mirrors 122 and 123 may be arranged so that the pulse laser beam output from the mode-locked laser 121 enters the pulse stretcher 124.
  • the pulse stretcher 124 may include gratings 141 and 142, condenser lenses 143 and 144, and high reflection mirrors 145 and 146.
  • the gratings 141 and 142 and the condensing lenses 143 and 144 may be arranged so that the pulse time width of the incident pulse laser beam is extended.
  • the amplifier 125 may be arranged so that the pulse laser beam output from the pulse stretcher 124 is amplified.
  • the amplifier 125 may include a regenerative amplifier 150 including a titanium sapphire crystal 151 and an amplifier including a titanium sapphire crystal 152.
  • the amplifier including the titanium sapphire crystal 152 may include an excitation laser device (not shown).
  • the regenerative amplifier 150 includes a high reflection mirror 153, a ⁇ / 4 plate 154, an EO (Electro-Optical) Pockels cell 155, a polarizer 156, a titanium sapphire crystal 151, a high reflection mirror 157, and an excitation laser (not shown). May be included.
  • the pulse compressor 126 may include gratings 161 and 162 arranged on the optical path of the pulse laser beam output from the amplifier 125.
  • the laser is oscillated in a mode-locked manner in a wavelength region that passes through the opening of the slit 135, and pulsed laser light having a pulse time width of femtoseconds can be output from the output coupling mirror 137.
  • the pulse laser beam is expanded in pulse time width by the pulse stretcher 124, and the pulse laser beam can be amplified by the regenerative amplifier 150 at a desired repetition frequency.
  • the amplified pulsed laser light can be further amplified by the amplifier 152.
  • the pulse laser light amplified by the amplifier 125 can be converted again into pulse laser light having a pulse time width of femtoseconds by the pulse compressor 126.
  • the center wavelength of the femtosecond pulsed laser beam can be changed by moving the position of the opening of the slit 135 in the moving direction 138 of the arrow shown in FIG.
  • the EUV coherent light sources 41, 41A, 41B in the first to third embodiments include a wavelength adjusting unit that changes the center wavelength ⁇ m of the EUV light 40. It can be a configuration.
  • the wavelength adjusting unit may include a slit 135 and a uniaxial stage 136.
  • the EUV coherent light source controller 48 can change the center wavelength ⁇ m of the EUV light 40 by controlling the uniaxial stage 136 to move the position of the opening of the slit 135.
  • FIG. 23 shows a specific configuration example of the spectroscope 112.
  • FIG. 23 schematically shows a configuration example in which the spectroscope 112 is a grazing incidence spectroscope.
  • the spectrometer 112 may include an entrance slit 170, a spectrometer chamber 171, a concave grating 172, and a multichannel detector 173.
  • the concave grating 172 and the multichannel detector 173 are arranged so that a diffraction image 174 of the primary light of the EUV light 40 having a wavelength of about 13.5 nm incident on the entrance slit 170 forms an image on the light receiving surface of the multichannel detector 173. It may be arranged.
  • the concave grating 172 may be a spherical surface and coated with gold.
  • the multichannel detector 173 may include an image intensifier including a multichannel plate and a phosphor screen, and a one-dimensional diode array.
  • the passing light 175 of the band pass filter 98 can enter the incident slit 170.
  • the passing light 175 of the bandpass filter 98 may be part of the EUV light 40 having a wavelength of about 13.5 nm.
  • the EUV coherent light source control unit 48 may obtain the center wavelength ⁇ m of the oscillation of the EUV coherent light source 41B from the value indicating the position of the diffraction image 174.
  • the position of the diffraction image 174 may be the position of the center of gravity of the diffraction image 174 or the peak wavelength.
  • the EUV coherent light source control unit 48 may obtain the received light amount E2 from the value indicating the integrated light amount of the diffraction image 174.
  • FIG. 24 is a block diagram illustrating an example hardware environment in which various aspects of the disclosed subject matter may be implemented.
  • the exemplary hardware environment 100 of FIG. 24 includes a processing unit 1000, a storage unit 1005, a user interface 1010, a parallel I / O controller 1020, a serial I / O controller 1030, A / D, D / A.
  • the converter 1040 may be included, the configuration of the hardware environment 100 is not limited to this.
  • the processing unit 1000 may include a central processing unit (CPU) 1001, a memory 1002, a timer 1003, and an image processing unit (GPU) 1004.
  • the memory 1002 may include random access memory (RAM) and read only memory (ROM).
  • the CPU 1001 may be any commercially available processor. A dual microprocessor or other multiprocessor architecture may be used as the CPU 1001.
  • FIG. 24 may be interconnected to perform the processes described in this disclosure.
  • the processing unit 1000 may read and execute a program stored in the storage unit 1005. Further, the processing unit 1000 may read data from the storage unit 1005 together with the program. Further, the processing unit 1000 may write data to the storage unit 1005.
  • the CPU 1001 may execute a program read from the storage unit 1005.
  • the memory 1002 may be a work area for temporarily storing programs executed by the CPU 1001 and data used for the operation of the CPU 1001.
  • the timer 1003 may measure the time interval and output the measurement result to the CPU 1001 according to the execution of the program.
  • the GPU 1004 may process the image data according to a program read from the storage unit 1005 and output the processing result to the CPU 1001.
  • the parallel I / O controller 1020 may be connected to parallel I / O devices that can communicate with the processing unit 1000, such as the measurement control unit 44 and the EUV coherent light source control unit 48. Communication with the O device may be controlled.
  • the serial I / O controller 1030 may be connected to a plurality of serial I / O devices that can communicate with the processing unit 1000 such as the first rotary stage 61 and the second rotary stage 62. Communication between the plurality of serial I / O devices may be controlled.
  • the A / D and D / A converters 1040 are connected to various sensors via analog ports, for example, the first optical sensor 63, the second optical sensor 64, and the pressure sensor 90, the rare gas supply unit 82, and the exhaust device 84.
  • the communication unit 1000 may be connected to an analog device, and communication between the processing unit 1000 and the analog device may be controlled, or A / D and D / A conversion of communication content may be performed.
  • the user interface 1010 may display the progress of the program executed by the processing unit 1000 to the operator so that the operator can instruct the processing unit 1000 to stop the program or execute the interrupt routine.
  • the exemplary hardware environment 100 may be applied to configurations of the EUV light generation control unit 5 and the measurement control unit 44 in the present disclosure.
  • controllers may be implemented in a distributed computing environment, i.e., an environment where tasks are performed by processing units connected via a communications network.
  • the EUV light generation controller 5 and the measurement controller 44 may be connected to each other via a communication network such as Ethernet (registered trademark) or the Internet.
  • program modules may be stored in both local and remote memory storage devices.

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Abstract

　本開示によるＥＵＶ光用回転楕円体ミラーの反射率計測装置は、回転楕円反射面を含む回転楕円体ミラーに向けて、ＥＵＶ光を出力するＥＵＶ光源と、ＥＵＶ光を回転楕円体ミラーの第１の焦点位置を通過させた後、回転楕円反射面に入射させる光学系と、回転楕円体ミラーの第２の焦点位置に配置され、第１の焦点位置を通過した後、回転楕円反射面で反射したＥＵＶ光を検出する第１の光センサとを備えてもよい。

Description

ＥＵＶ光用回転楕円体ミラーの反射率計測装置
　本開示は、ＥＵＶ光用回転楕円体ミラーの反射率計測装置に関する。
　近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ～４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための極端紫外光生成装置と縮小投影反射光学系（reduced projection reflective optics）とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
　ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（Laser Produced Plasma：レーザ励起プラズマ）方式の装置と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）方式の装置と、軌道放射光を用いたＳＲ（Synchrotron Radiation）方式の装置との３種類の装置が提案されている。
特開２０１３－１９５５３５号公報 米国特許第８６４５０８６号明細書 米国特許第８７０４１９８号明細書
J. Tummler, H. Blume, G. Brandt, J. Eden, B. Meyer, H. Scherr, F. Scholz, F. Scholze, G. UlmCharacterization of the PTB EUV reflectometry facility for large EUVL optical componentsProc. SPIE 5037, 265-273 (2003)
概要
　本開示によるＥＵＶ光用回転楕円体ミラーの反射率計測装置は、回転楕円反射面を含む回転楕円体ミラーに向けて、ＥＵＶ光を出力するＥＵＶ光源と、ＥＵＶ光を回転楕円体ミラーの第１の焦点位置を通過させた後、回転楕円反射面に入射させる光学系と、回転楕円体ミラーの第２の焦点位置に配置され、第１の焦点位置を通過した後、回転楕円反射面で反射したＥＵＶ光を検出する第１の光センサとを備えてもよい。
　本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの一構成例を概略的に示す。 図２は、第１の実施形態に係る反射率計測装置の一構成例を概略的に示す。 図３は、図２に示した反射率計測装置におけるＥＵＶコヒーレント光源の一構成例を概略的に示す。 図４は、図２に示した反射率計測装置における計測制御部による制御の流れの一例を示すメインのフローチャートである。 図５は、図４に示したメインのフローチャートにおけるステップＳ１１の処理の詳細を示すサブのフローチャートである。 図６は、計測条件パラメータを含むテーブルの一例を模式的に示す。 図７は、図４に示したメインのフローチャートにおけるステップＳ１２の処理の詳細を示すサブのフローチャートである。 図８は、図４に示したメインのフローチャートにおけるステップＳ１３の処理の詳細を示すサブのフローチャートである。 図９は、図４に示したメインのフローチャートにおけるステップＳ１５の処理の詳細を示すサブのフローチャートである。 図１０は、図９に示したサブのフローチャートにおけるステップＳ５５の処理の一具体例を示すサブのフローチャートである。 図１１は、図９に示したサブのフローチャートにおけるステップＳ５５の処理の他の具体例を示すサブのフローチャートである。 図１２は、ＥＵＶ光の可動ミラーに対する入射角度θと反射率Ｒとの関係の一例を模式的に示す。 図１３は、図４に示したメインのフローチャートにおけるステップＳ１６の処理の詳細を示すサブのフローチャートである。 図１４は、計測結果を書き込んだテーブルの一例を模式的に示す。 図１５は、図４に示したメインのフローチャートにおけるステップＳ２０の処理の詳細を示すサブのフローチャートである。 図１６は、楕円形状を表す方程式を模式的に示す。 図１７は、反射率マップの作成に用いるパラメータを模式的に示す。 図１８は、反射率マップの一例を模式的に示す。 図１９は、第２の実施形態に係る反射率計測装置におけるＥＵＶコヒーレント光源の一構成例を概略的に示す。 図２０は、第３の実施形態に係る反射率計測装置におけるＥＵＶコヒーレント光源の一構成例を概略的に示す。 図２１は、ＥＵＶコヒーレント光源におけるフィルタ部の一変形例を概略的に示す。 図２２は、ＥＵＶコヒーレント光源におけるフェムト秒レーザ装置の一構成例を概略的に示す。 図２３は、ＥＵＶコヒーレント光源における分光器の一構成例を概略的に示す。 図２４は、制御部のハードウエア環境の一例を示す。
実施形態
＜内容＞
［１．概要］
［２．ＥＵＶ光生成装置の全体説明］（図１）
　２．１　構成
　２．２　動作
　２．３　課題
［３．第１の実施形態］（ＥＵＶコヒーレント光源を用いたＥＵＶ光用回転楕円体ミラーの反射率計測装置）
　３．１　反射率計測装置
　　３．１．１　構成（図２）
　　３．１．２　動作
　　３．１．３　作用
　　３．１．４　変形例
　３．２　ＥＵＶコヒーレント光源
　　３．２．１　構成（図３）
　　３．２．２　動作
　　３．２．３　変形例
　３．３　反射率計測の具体例（図４～図１８）
［４．第２の実施形態］（偏光特性を制御するＥＵＶコヒーレント光源）
　４．１　構成（図１９）
　４．２　動作
　４．３　作用
　４．４　変形例
［５．第３の実施形態］（発振波長を制御するＥＵＶコヒーレント光源）
　５．１　構成（図２０）
　５．２　動作
　５．３　作用
　５．４　変形例
［６．フィルタ部のバリエーション］（図２１）
［７．フェムト秒レーザ装置］（図２２）
　７．１　構成
　７．２　動作
［８．分光器］（図２３）
　８．１　構成
　８．２　動作
［９．制御部のハードウエア環境］（図２４）
［１０．その他］
　以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
［１．概要］
　本開示は、例えばＥＵＶ光生成装置におけるＥＵＶ光用の集光ミラーとして用いられる回転楕円体ミラーの反射率を計測する反射率計測装置に関する。
［２．ＥＵＶ光生成システムの全体説明］
（２．１　構成）
　図１に、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２、及びターゲット供給装置として例えばターゲット供給部２６を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給部２６は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給部２６から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらのうちのいずれか２つ以上の組み合わせを含んでもよいが、これらに限定されない。
　チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられてもよい。ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５又はその近傍に位置し、その第２の焦点が露光装置６の仕様によって規定される所望の集光位置である中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられていてもよく、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過してもよい。
　ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５を含んでもよい。またＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４等を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、ターゲット２７の存在、軌跡、位置、及び速度のうちの少なくとも１つを検出してもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有していてもよい。
　さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通する接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャ２９３が形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャ２９３がＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。
　さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を制御するために、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。
（２．２　動作）
　図１を参照に、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光の経路に沿ってチャンバ２内に進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。
　ターゲット供給部２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成されてもよい。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光と共にＥＵＶ光２５１が放射され得る。ＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されると共に集光されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２は、中間集光点２９２を通って、露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。
　ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理するよう構成されてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ターゲット２７が出力されるタイミングの制御、及びターゲット２７の出力方向の制御のうちの少なくとも１つを制御するよう構成されてもよい。
　さらに、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、レーザ装置３の発振タイミングの制御、パルスレーザ光３２の進行方向の制御、及びパルスレーザ光３３の集光位置の制御のうちの少なくとも１つを制御するよう構成されてもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。
（２．３　課題）
　図１に示したＥＵＶ光生成装置１におけるＥＵＶ集光ミラー２３としては、回転楕円反射面を含む回転楕円体ミラーが用いられ得る。このようなＥＵＶ光用の回転楕円体ミラーの反射率を計測する場合において、ＥＵＶ光を発生させる光源は、上記非特許文献１に記載されているように、シンクロトロンによる放射光が使用され得る。このため、回転楕円体ミラーの反射率を高精度に計測するためには、シンクロトロンの設置施設に、回転楕円体ミラーを持っていく必要があり得る。また、シンクロトロンによる放射光を用いる場合、放射光の偏光方向の回転が困難であるために、回転楕円体ミラーが大きい場合、例えば直径が４００ｍｍ～６００ｍｍの場合、移動や設置等の制約から１方向の直線偏光でしか反射率の計測が困難となり得る。
［３．第１の実施形態］
　次に、本開示の第１の実施形態に係る反射率計測装置について説明する。
　本実施形態は、例えば図１に示したＥＵＶ光生成装置１におけるＥＵＶ集光ミラー２３等のＥＵＶ光用回転楕円体ミラーの反射率を、ＥＵＶコヒーレント光源を用いて計測する装置に関する。
（３．１　反射率計測装置）
（３．１．１）
　図２は、本開示の第１の実施形態に係る反射率計測装置の一構成例を概略的に示している。本実施形態に係る反射率計測装置は、ＥＵＶコヒーレント光源４１と、ビームデリバリーシステム４２と、計測チャンバ４３と、計測制御部４４とを備えてもよい。
　ＥＵＶコヒーレント光源４１は、反射率の計測対象となる回転楕円体ミラー５０に向けて、コヒーレントなＥＵＶ光４０を出力するＥＵＶ光源であってもよい。ＥＵＶコヒーレント光源４１は、ＥＵＶ光４０のパルスレーザ光を出力するＥＵＶ光源であってもよい。ＥＵＶ光４０のパルスレーザ光は、波長約１３．５ｎｍの略直線偏光の光であってもよい。この直線偏光の偏光方向は、図２におけるＸＺ平面に対して略垂直な方向であってもよい。なお、図２において、ＥＵＶ光４０の光路上に記した黒い丸印は、ＸＺ平面に対して略垂直な直線偏光であることを示していてもよい。ＥＵＶコヒーレント光源４１には、出力されたＥＵＶ光４０のパルスレーザ光の一部を検出する、後述の図３に示す第２の光センサ６４が配置されていてもよい。
　ビームデリバリーシステム４２は、高反射ミラー４５及び高反射ミラー４６と、光路管４７とを含んでいてもよい。高反射ミラー４５及び高反射ミラー４６は、平面基板に波長約１３．５ｎｍのＥＵＶ光４０を高反射するＭｏ／Ｓｉの多層膜がコートされたものであってもよい。光路管４７の内部は、ＥＵＶ光４０が高透過するように、真空に近い圧力であってもよい。
　計測チャンバ４３は、円筒状のカバー５１と、円形のプレート５２と、排気装置５３と、可動ミラー５４と、ホルダ５５，５６と、第１の回転ステージ６１と、第２の回転ステージ６２と、第１の光センサ６３とを含んでいてもよい。
　カバー５１とプレート５２は、Ｏリング５７を介してシールされていてもよい。排気装置５３は、計測チャンバ４３内のガスを排気するように、カバー５１に配管を介して接続されていてもよい。
　回転楕円体ミラー５０は、図１におけるＥＵＶ集光ミラー２３であってもよい。回転楕円体ミラー５０は、計測チャンバ４３内に配置されてもよい。回転楕円体ミラー５０は、回転楕円反射面７１を有する凹面ミラーであってもよい。回転楕円反射面７１は、回転対称軸７２を中心とする回転楕円体面の一部であってもよい。従って、回転楕円体ミラー５０は、第１及び第２の焦点を有し得る。回転楕円体ミラー５０の回転対称軸７２はＺ軸に略一致してもよい。回転楕円体ミラー５０の回転楕円反射面７１には、例えば、波長約１３．５ｎｍのＥＵＶ光４０を高反射するＭｏ／Ｓｉの多層膜がコートされていてもよい。
　回転楕円体ミラー５０は、ホルダ５５を介して、第１の回転ステージ６１の回転軸が、回転楕円体ミラー５０の回転対称軸７２と略一致するように第１の回転ステージ６１に固定されていてもよい。さらに、第１の回転ステージ６１はプレート５２に固定されていてもよい。第１の回転ステージ６１は、回転楕円体ミラー５０の回転対称軸７２を中心に回転楕円体ミラー５０をプレート５２に対して回転させるものであってもよい。計測チャンバ４３に配置された回転楕円体ミラー５０の第１及び第２の焦点は、それぞれ第１の焦点位置７３及び第２の焦点位置７４であってもよい。
　ビームデリバリーシステム４２の高反射ミラー４６は、ＥＵＶ光４０のパルスレーザ光が、回転楕円体ミラー５０の第１の焦点位置７３において、可動ミラー５４の反射面に入射するように配置されていてもよい。
　ビームデリバリーシステム４２と可動ミラー５４は、ＥＵＶ光４０を回転楕円体ミラー５０の第１の焦点位置７３を通過させた後、回転楕円反射面７１に入射させる光学系を構成していてもよい。
　可動ミラー５４の反射面は、回転楕円体ミラー５０の回転対称軸７２に略垂直であって第１の焦点位置７３において回転対称軸７２と交わる所定の軸を含むように配置され、ＥＵＶ光４０を反射するものであってもよい。従って、第１の焦点位置７３は可動ミラー５４の反射面上に位置し得る。ここで、所定の軸は、Ｙ軸と平行な軸であってもよい。可動ミラー５４は、平面基板に、例えば、波長約１３．５ｎｍのＥＵＶ光４０を高反射するＭｏ／Ｓｉの多層膜がコートされたものであってもよい。
　可動ミラー５４は、ホルダ５６を介して第２の回転ステージ６２に固定されていてもよい。第２の回転ステージ６２は、可動ミラー５４を上記所定の軸を回転中心にして回転させるものであってもよい。第２の回転ステージ６２は、ＥＵＶコヒーレント光源４１から入射してきたＥＵＶ光４０を直接第１の光センサ７４に向けて反射させ得る角度位置にまで、可動ミラー５４を回転可能であってもよい。
　第１の光センサ６３は、回転楕円体ミラー５０の第２の焦点位置７４に受光面が位置するように配置されていてもよい。第１の光センサ６３は、例えば、ＥＵＶ光４０に感度を有するフォトマルチマルチプライヤであってもよい。第１の光センサ６３は、第１の焦点位置７３を通過した後、回転楕円反射面７１で反射されたＥＵＶ光４０を検出するものであってもよい。また、第１の光センサ６３は、回転楕円反射面７１を経ず、可動ミラー５４によって直接反射されたＥＵＶ光４０を検出するものであってもよい。
　計測制御部４４には、ＥＵＶコヒーレント光源４１と、排気装置５３と、第１の回転ステージ６１及び第２の回転ステージ６２とに制御信号を送信する信号ラインが接続されていてもよい。また、計測制御部４４には、第１の光センサ６３とＥＵＶコヒーレント光源４１とからの信号を受信する信号ラインが接続されていてもよい。
　計測制御部４４は、第１の回転ステージ６１と第２の回転ステージ６２とのそれぞれの回転角度を制御し、第１の光センサ６３の検出結果に基づいて、回転楕円反射面７１における複数の位置の回転楕円反射面７１の反射率を計測するものであってもよい。
　ここで、角度αは、回転楕円体ミラー５０の回転対称軸７２と可動ミラー５４で反射されたＥＵＶ光４０のパルスレーザ光の光路とのなす角度であってもよい。角度βは、第１の回転ステージ６１の回転角度であってもよい。
（３．１．２　動作）
　反射率の計測対象となる回転楕円体ミラー５０を、第１の回転ステージ６１の上にホルダ５５を介して固定してもよい。その後、カバー５１とプレート５２とをＯリング５７を介してシールしてもよい。
　計測制御部４４は、ＥＵＶ光４０が高透過するような圧力となるように、排気装置５３を制御してもよい。計測制御部４４は、所望のＥＵＶ光４０のパルスレーザ光が出力されるように、ＥＵＶコヒーレント光源４１に、光源パラメータの制御データを送信してもよい。光源パラメータは、例えば、ＥＵＶ光４０のパルスレーザ光の目標のパルスエネルギＥｔEUV、パルスの繰り返し周波数ｆ等を含んでもよい。また、光源パラメータとして、偏光方向Ｐｏ、及び発振波長のデータ等を含んでもよい。計測制御部４４は、ＥＵＶコヒーレント光源４１に発振を開始させて、ＥＵＶコヒーレント光源４１からＥＵＶ光４０のパルスレーザ光を出力させてもよい。
　次に、計測制御部４４は、可動ミラー５４からの反射光が直接、第１の光センサ６３の受光面に入射するよう、角度α＝１８０°となるように第２の回転ステージ６２を制御してもよい。ＥＵＶコヒーレント光源４１から出力されたＸＺ平面に対して略垂直な偏光方向のＥＵＶ光４０のパルスレーザ光は、高反射ミラー４５，４６を介して、回転楕円体ミラー５０の第１の焦点位置７３において、可動ミラー５４の反射面に入射し得る。可動ミラー５４による反射光は、反射面上の第１の焦点位置７３を通過したＥＵＶ光４０のパルスレーザ光となり得る。このとき、ＥＵＶ光４０のパルスレーザ光は、可動ミラー５４の反射面に対して、例えばＳ偏光で入射し、Ｓ偏光で反射して、回転楕円体ミラー５０を経ずに、第１の光センサ６３の受光面に直接、入射し得る。
　このとき、計測制御部４４は、第１の光センサ６３の受光光量Ｅ１を示す検出値と、後述の図３に示す第２の光センサ６４の受光光量Ｅ２を示す検出値とを受信してもよい。ここで、計測制御部４４は、Ｋ＝Ｅ１／Ｅ２を計算し、その計算結果を入射光量Ｅｉの換算係数Ｋとして、図示しない記憶部に記憶しておいてもよい。
　次に、計測制御部４４は、回転楕円体ミラー５０の回転楕円反射面７１の所望の計測位置にＥＵＶ光４０のパルスレーザ光が入射するように、第１の回転ステージ６１及び第２の回転ステージ６２を制御してもよい（ステップ１）。回転楕円反射面７１における計測位置は、角度αと角度βとの組み合わせで決定され得る。計測制御部４４は、回転楕円体ミラー５０の回転対称軸７２と可動ミラー５４からの反射光の光路軸とのなす角度が所望の角度αとなるように、第２の回転ステージ６２を制御してもよい。また、計測制御部４４は、回転楕円体ミラー５０の回転対称軸７２の周りに所望の角度βとなるように、第１の回転ステージ６１を制御してもよい。
　その結果、可動ミラー５４で反射されたＥＵＶ光４０のパルスレーザ光は、回転楕円体ミラー５０の回転楕円反射面７１に対して例えばＳ偏光で入射し得る。このとき、可動ミラー５４による反射光は、第１の焦点位置７３を通過したＥＵＶ光４０のパルスレーザ光であり得る。その後、ＥＵＶ光４０のパルスレーザ光は、回転楕円体ミラー５０の回転楕円反射面７１に対して例えばＳ偏光で反射され、第１の光センサ６３の受光面に例えばＳ偏光で入射し得る。計測制御部４４は、そのときの第１の光センサ６３の受光光量Ｅ１‘を示す検出値と後述の図３に示す第２の光センサ６４の受光光量Ｅ２を示す検出値とを受信してもよい（ステップ２）。
　そして、回転楕円体ミラー５０への入射光量Ｅｉを、Ｅｉ＝Ｋ・Ｅ２の式によって計算してもよい。このときの第１の光センサ６３の受光光量Ｅ１‘を、回転楕円体ミラー５０の反射光量Ｅｏ＝Ｅ１‘としてもよい。計測制御部４４は、回転楕円体ミラー５０の回転楕円反射面７１の所望の計測位置の反射率Ｒを、Ｒ＝Ｅｏ／Ｅｉの式によって計算してもよい（ステップ３）。
　計測制御部４４は、ＥＵＶ光４０のパルスレーザ光が入射する回転楕円体ミラー５０の回転楕円反射面７１の位置を変更しながら、上記ステップ１～３を繰り返すことによって、回転楕円体ミラー５０の回転楕円反射面７１の複数の位置の反射率を計測してもよい。
（３．１．３　作用）
　本実施形態の反射率計測装置によれば、ＥＵＶコヒーレント光源４１から出力されたＥＵＶ光４０のパルスレーザ光を、回転楕円体ミラー５０の第１の焦点位置７３から、所望の角度αで回転楕円体ミラー５０の回転楕円反射面７１に入射させ、反射させ得る。その反射したＥＵＶ光４０のパルスレーザ光を、第２の焦点位置７４付近に配置された第１の光センサ６３で検出することによって、回転楕円反射面７１の複数の位置での反射率が計測され得る。さらに、回転楕円体ミラー５０の回転対称軸７２を回転中心にして所望の角度βで回転させて反射率を計測することによって、回転楕円反射面７１における反射率の面分布を計測し得る。これにより、回転楕円反射面７１における反射率マップを作成し得る。
（３．１．４　変形例）
　上記実施形態では、ＥＵＶ光４０のパルスレーザ光を例えばＳ偏光で回転楕円体ミラー５０の回転楕円反射面７１に入射させた場合の実施形態を示したが、この例に限定されることなく、例えばＰ偏光で回転楕円反射面７１に入射させた場合の反射率を計測してもよい。この場合は、Ｐ偏光の反射率分布が計測され得る。
　また、回転楕円体ミラー５０を交換して計測する際は、カバー５１からプレート５２を－Ｚ方向に移動させて、回転楕円体ミラー５０を取り外してもよい。この際、計測チャンバ４３の内部とビームデリバリーシステム４２まで、大気が侵入するので、例えば、高反射ミラー４６とカバー５１との間の光路管４７の部分にゲートバルブを配置してもよい。そして、回転楕円体ミラー５０の交換時は、ゲートバルブを閉めた後に、次の計測対象の回転楕円体ミラー５０を配置し、次に、排気装置５３によって真空に近い状態になったら、ゲートバルブを開けてもよい。
　また、上記実施形態では、波長約１３．５ｎｍのＥＵＶ光用の回転楕円体ミラー５０の反射率を計測する例を示したが、その他のＥＵＶ光、例えば、波長約６．７ｎｍのＥＵＶ光の場合でも本実施形態は適用可能であり得る。
（３．２　ＥＵＶコヒーレント光源）
（３．２．１　構成）
　図３は、図２に示した反射率計測装置におけるＥＵＶコヒーレント光源４１の一構成例を概略的に示している。
　ＥＵＶコヒーレント光源４１は、フェムト秒レーザ装置８０と、希ガスチャンバ８１と、希ガス供給部８２と、光路管８３と、排気装置８４と、フィルタ部８５と、パワーモニタ部８６と、ＥＵＶコヒーレント光源制御部４８とを備えていてもよい。
　フェムト秒レーザ装置８０は、希ガスチャンバ８１に向けて、希ガスを励起するフェムト秒（ｆｓ）のパルス幅のポンプ用パルスレーザ光を出力するものであってもよい。フェムト秒レーザ装置８０は、中心波長約７９６．５ｎｍ、パルス幅が約５ｆｓ～４０ｆｓ、パルスエネルギが約４～１０ｍＪ、パルスの繰り返し周波数が約１０００Ｈｚの略直線偏光のポンプ用パルスレーザ光を出力するチタンサファイヤレーザ装置であってもよい。
　希ガスチャンバ８１は、希ガスを収容するものであって、ウインドウ８７と、集光光学系８８と、第１のピンホール９１と、圧力センサ９０とを含んでいてもよい。希ガスチャンバ８１には、配管を介して、希ガス供給部８２が接続されていてもよい。希ガス供給部８２は、例えば、希ガスとしてのＨｅガスを供給するＨｅガスボンベと、ガス配管に配置された圧力調節バルブとを含んでいてもよい。希ガスチャンバ８１には、Ｈｅガスが希ガス供給部８２から圧力約１７ｋＰａとなるように、供給されてもよい。
　ウインドウ８７は、例えば、ＭｇＦ2の結晶であって、光学軸とポンプ用パルスレーザ光の軸が略一致するように配置されて、希ガスチャンバ８１に図示しないＯリングでシールされてもよい。ウインドウ８７の厚みは約１ｍｍであってもよい。
　第１のピンホール９１は、希ガスチャンバ８１に図示しないＯリングを介して配置されていてもよい。第１のピンホール９１には、ポンプ用パルスレーザ光の集光直径と同じ程度の直径の貫通孔が形成されていてもよい。第１のピンホール９１の直径は例えば約１００μｍであってもよい。
　集光光学系８８は、ポンプ用パルスレーザ光が入射角度約４５°で入射する軸外放物面ミラーであってもよい。集光光学系８８は、ポンプ用パルスレーザ光が第１のピンホール９１の貫通孔を通過するように配置されてもよい。また、集光光学系８８は、ポンプ用パルスレーザ光を第１のピンホール９１の貫通孔の手前付近で集光するように配置されてもよい。ポンプ用パルスレーザ光が第１のピンホール９１の貫通孔の手前付近で集光されることによって、希ガスが励起され、その励起された希ガスの非線形効果によってポンプ用パルスレーザ光と同軸上に、ＥＵＶ光４０を含む高調波光が生成されてもよい。
　希ガスチャンバ８１の第１のピンホール９１のポンプ用パルスレーザ光の光路の下流側には、図示しないＯリングで光路管８３がシールされて接続されてもよい。光路管８３には、圧力が真空に近い圧力まで下がるように排気装置８４が接続されていてもよい。光路管８３は、チャンバ８９に、図示しないＯリングでシールされて接続されていてもよい。
　フィルタ部８５は、励起された希ガスの非線形効果によって発生した高調波光に含まれるＥＵＶ光４０を選択的に通過させるものであってもよい。チャンバ８９には、フィルタ部８５を通過したＥＵＶ光４０のパルスレーザ光を出射する出射口９９が設けられていてもよい。フィルタ部８５は、第２ないし第５のピンホール９２～９５と、バンドパスフィルタ９６とを含んでいてもよい。第２ないし第５のピンホール９２～９５のそれぞれの貫通孔とバンドパスフィルタ９６は、ＥＵＶ光４０のパルスレーザ光の光路上に、この順番で、それぞれ所定の間隔で配置されてもよい。光路管８３内には、第２及び第３のピンホール９２，９３が配置されてもよい。チャンバ８９内には、第４及び第５のピンホール９４，９５と、バンドパスフィルタ９６とが配置されていてもよい。第２ないし第５のピンホール９２～９５の貫通孔の径は、ＥＵＶ光４０のパルスレーザ光を通過し、ポンプ用パルスレーザ光の大部分を遮蔽できるような大きさであってもよい。
　バンドパスフィルタ９６は、波長約１３．５ｎｍのＥＵＶ光４０を通過させ、その他の波長の光の通過を抑制するバンドパスフィルタであって、貫通孔が形成されたピンホールの上に数１００ｎｍのＺｒ薄膜を固定したＺｒ薄膜フィルタであってもよい。
　パワーモニタ部８６は、チャンバ８９に配置され、転写光学系９７と、バンドパスフィルタ９８と、第２の光センサ６４とを含んでいてもよい。
　転写光学系９７は、凹面ミラーであって、バンドパスフィルタ９６の反射光の像が第２の光センサ６４の受光面に結像するように配置されていてもよい。転写光学系９７は、球面ミラーであって、反射面には、波長約１３．５ｎｍのＥＵＶ光４０が高反射するように、Ｍｏ／Ｓｉの多層膜がコートされていてもよい。
　バンドパスフィルタ９８は、転写光学系９７と第２の光センサ６４との間のＥＵＶ光４０の光路上に配置されていてもよい。バンドパスフィルタ９８は、波長約１３．５ｎｍのＥＵＶ光４０を通過させ、その他の波長の光の通過を抑制するバンドパスフィルタであって、貫通孔が形成されたピンホールの上に数１００ｎｍのＺｒ薄膜を固定したＺｒ薄膜フィルタであってもよい。
　第２の光センサ６４は、ＥＵＶコヒーレント光源４１から出力されるＥＵＶ光４０の一部を検出するものであってもよい。第２の光センサ６４は、第１の光センサ６３と同様に、例えば、ＥＵＶ光４０に感度を有するフォトマルチマルチプライヤであってもよい。第２の光センサ６４は、ＥＵＶコヒーレント光源制御部４８に接続されてもよい。
　ＥＵＶコヒーレント光源制御部４８は、フェムト秒レーザ装置８０、圧力センサ９０、希ガス供給部８２、排気装置８４、及び計測制御部４４に接続されてもよい。
（３．２．２　動作）
　ＥＵＶコヒーレント光源制御部４８は、計測制御部４４から、ＥＵＶ光４０のパルスレーザ光の目標のパルスエネルギＥｔEUV、パルスの繰り返し周波数ｆ、偏光方向Ｐｏ、及び中心波長約７９６．５ｎｍ等の光源パラメータを受信してもよい。
　ＥＵＶコヒーレント光源制御部４８は、圧力センサ９０の検出圧力が目標の圧力Ｐｔとなるように、希ガス供給部８２と排気装置８４とを制御してもよい。ここで、目標の圧力Ｐｔは、約１７ｋＰａであってもよい。
　ＥＵＶコヒーレント光源制御部４８は、繰り返し周波数ｆ、ＥＵＶ光４０のパルスレーザ光のパルスエネルギがＥｔEUVとなるようなパルスエネルギのポンプ用パルスレーザ光を出力するように、フェムト秒レーザ装置８０を制御してもよい。ポンプ用パルスレーザ光のパルスエネルギは約６ｍＪであってもよい。その結果、フェムト秒レーザ装置８０から、波長約７９６．５ｎｍ、パルス幅約３０ｆｓ、繰り返し周波数ｆ＝１０００Ｈｚ、及びパルスエネルギ約６ｍＪの略直線偏光のポンプ用パルスレーザ光が出力され得る。直線偏光の方向は、ＸＺ平面に対して略垂直な方向であってもよい。なお、図３において、ポンプ用パルスレーザ光及びＥＵＶ光４０の光路上に記した黒い丸印は、ＸＺ平面に対して略垂直な直線偏光であることを示していてもよい。
　ポンプ用パルスレーザ光は、ウインドウ８７を透過して、集光光学系８８に入射し、第１のピンホール９１の貫通孔の手前で例えば約１００μ径まで集光され得る。ポンプされる媒質である希ガスの非線形効果により、ポンプ用パルスレーザ光と同軸上に、約１００次までの奇数の高次高調波光が生成され得る。希ガスはＨｅガスであってもよい。ここで、ポンプ用パルスレーザ光の波長約７９６．５ｎｍの５９次の高調波光が、波長約１３．５ｎｍのＥＵＶ光４０のパルスレーザ光となり得る。また、高次高調波光は、ポンプ用パルスレーザ光の偏光方向と略一致し得る。
　ポンプ用パルスレーザ光と奇数次の高調波光は、第１のピンホール９１を通過して光路管８３内に出射され得る。ポンプ用パルスレーザ光はビーム発散角が大きく、波長が１３．５ｎｍに比べて長いので、第２ないし第５のピンホール９２～９５によって、ポンプ用パルスレーザ光の大部分が除去され得る。軟Ｘ線域の高次高調波光は、第２ないし第５のピンホール９２～９５を通過し、バンドパスフィルタ９６に入射し得る。
　バンドパスフィルタ９６では、波長約１３．５ｎｍのＥＵＶ光４０のパルスレーザ光が通過し得る。バンドパスフィルタ９６を通過したＥＵＶ光４０のパルスレーザ光は、チャンバ８９の出射口９９を通過して、ビームデリバリーシステム４２の高反射ミラー４５に入射し得る。
　一方、バンドパスフィルタ９６の表面を反射したＥＵＶ光４０の一部のパルスレーザ光は、転写光学系９７によって、バンドパスフィルタ９８を介して第２の光センサ６４の受光面に結像し得る。その結果、第２の光センサ６４は、バンドパスフィルタ９６を反射して、バンドパスフィルタ９８を通過した波長約１３．５ｎｍのＥＵＶ光４０のパルスレーザ光の光量を検出し得る。
　第２の光センサ６４で検出された、受光光量Ｅ２を示す検出値は、バンドパスフィルタ９６を通過した波長約１３．５ｎｍのＥＵＶ光４０のパルスレーザ光のパルスエネルギに比例し得る。ＥＵＶコヒーレント光源制御部４８は、受光光量Ｅ２を示す第２の光センサ６４の検出値のデータをパルス毎に計測制御部４４に送信してもよい。
（３．２．３　変形例）
　上記実施形態では、波長約１３．５ｎｍのＥＵＶ光４０を生成する例を示したが、この例に限定されることなく、例えば波長約６．７ｎｍのＥＵＶ光を生成してもよい。具体的には、フェムト秒レーザ装置８０から出力されるポンプ用パルスレーザ光の波長を約７９７．２ｎｍとして、１１９次の高次高調波光を生成すればよい。
（３．３　反射率計測の具体例）
　次に、図４ないし図１８を参照して、計測制御部４４による反射率計測の制御動作のより具体的な例を説明する。
　図４は、本実施形態における計測制御部４４による制御の流れの一例を示すメインのフローチャートである。
　まず、計測制御部４４は、計測条件パラメータテーブルの作成をしてもよい（ステップＳ１１）。ここで、図６に、計測条件パラメータを含むテーブルの一例を示す。計測制御部４４は、計測条件パラメータテーブルとして、データ番号１からＮｍａｘまでのＥＵＶコヒーレント光源４１の光源パラメータと、回転楕円体ミラー５０のミラー計測パラメータとを含むテーブルを作成してもよい。次に、計測制御部４４は、ＥＵＶコヒーレント光源４１を発振させてもよい（ステップＳ１２）。この際、計測制御部４４は、所望の光源パラメータとなるようにＥＵＶコヒーレント光源４１に光源パラメータのデータを送信して、所望のＥＵＶ光４０のパルスレーザ光を出力させてもよい。
　次に、計測制御部４４は、リファレンスデータの計測をしてもよい（ステップＳ１３）。この際、計測制御部４４は、ＥＵＶ光４０のパルスレーザ光を、回転楕円体ミラー５０の回転楕円反射面７１を介さずに直接、第１の光センサ６３に入射させたときの検出値と第２の光センサ６４の検出値とから、リファレンスデータを計算により求めてもよい。
　次に、計測制御部４４は、データ番号ＮをＮ＝１にセットしてもよい（ステップＳ１４）。次に、計測制御部４４は、データ番号Ｎの計測条件に設定し、計測をしてもよい（ステップＳ１５）。この際、計測条件をデータ番号Ｎの回転楕円体ミラー５０のミラー計測パラメータにセットして第１の光センサ６３の検出値と第２の光センサ６４の検出値とを読み込んでもよい。次に、計測制御部４４は、データ番号Ｎのテーブルに計測結果及び計算結果を書き込んでもよい（ステップＳ１６）。この際、受光光量Ｅ１’を示す第１の光センサ６３の検出値を回転楕円体ミラー５０からの反射光量Ｅｏとしてもよい。また、受光光量Ｅ２を示す第２の光センサ６４の検出値と換算係数Ｋとに基づいて、Ｅｉ＝Ｋ・Ｅ２の式によって入射光量Ｅｉを計算してもよい。反射率Ｒは、Ｒ＝Ｅｏ／Ｅｉの式によって計算して求めてもよい。ここで、図１４に、計測結果を含むテーブルの一例を示す。例えば図１４に示したように、計測結果としてＥｏ，Ｅｉ，Ｒの値をテーブルに書き込んでもよい。
　次に、計測制御部４４は、計測条件パラメータの全ての条件で計測が終了したか否かを判断してもよい（ステップＳ１７）。この判断は、データ番号Ｎの最大値をＮｍａｘとしたとき、Ｎ≧Ｎｍａｘの条件を満たすか否か、すなわち、データ番号Ｎが最大値Ｎｍａｘに達したか否かで判断してもよい。これにより、全ての計測位置での計測を終了したか否かを判断してもよい。
　全ての条件での計測が終了していないと判断した場合（ステップＳ１７；Ｎ）には、次に、計測制御部４４は、データ番号ＮをＮ＝Ｎ＋１にセットし（ステップＳ１８）、ステップＳ１５の処理に戻ってもよい。
　一方、全ての条件での計測が終了したと判断した場合（ステップＳ１７；Ｙ）には、次に、計測制御部４４は、ＥＵＶコヒーレント光源４１に発振停止の信号を送信することにより、ＥＵＶコヒーレント光源４１の発振を停止させてもよい（ステップＳ１９）。次に、計測制御部４４は、回転楕円体ミラー５０の各計測位置での反射率をマッピング化した反射率マップの作成と、図示しない表示部への反射率マップの表示の処理とを行い（ステップＳ２０）、メインの処理を終了してもよい。この際、計測制御部４４は、作成した反射率マップをデータとして保持し、当該データを図示しない記憶媒体に記録してもよい。あるいは、当該データを外部の他の装置に送信してもよい。
　図５は、図４に示したメインのフローチャートにおけるステップＳ１１の処理の詳細を示すサブのフローチャートである。計測制御部４４は、計測条件パラメータテーブルの作成処理として、図５に示す処理を行ってもよい。
　まず、計測制御部４４は、回転楕円体ミラー５０のスペックを、図示しない記憶部から読み込んでもよい（ステップＳ２１）。回転楕円体ミラー５０のスペックは、例えば、回転楕円体の式、第１の焦点位置７３、第２の焦点位置７４、及び回転楕円反射面７１の範囲等のデータであってもよい。次に、計測制御部４４は、回転楕円反射面７１の範囲から、角度αの最小値αｍｉｎと最大値αｍａｘとを計算してもよい（ステップＳ２２）。
　次に、計測制御部４４は、αｍｉｎ≦α≦αｍａｘ、かつ、０≦β＜３６０°の範囲で、Ｎｍａｘ個のミラー計測パラメータを決定してもよい（ステップＳ２３）。これにより、例えば図６に示したように、Ｎｍａｘ個の計測位置に対応する角度αと角度βとの組み合わせが決定されてもよい。
　次に、計測制御部４４は、光源パラメータを決定してもよい（ステップＳ２４）。計測制御部４４は、光源パラメータとして、例えば図６に示したように、ＥＵＶ光４０のパルスレーザ光の目標のパルスエネルギＥｔEUV、パルスの繰り返し周波数ｆ、及びＥＵＶ光４０の偏光方向Ｐｏのデータを決定してもよい。
　次に、計測制御部４４は、決定した計測条件パラメータを図示しない記憶部のテーブルに書き込んでもよい（ステップＳ２５）。計測制御部４４は、例えば図６に示したように、計測条件パラメータとして、目標のパルスエネルギＥｔEUV＝Ｅ０、繰り返し周波数ｆ＝ｆ０、及び偏光方向Ｐｏ＝Ｓ等のデータを書き込んでもよい。その後、図４のメインのフローに戻ってもよい。
　図７は、図４に示したメインのフローチャートにおけるステップＳ１２の処理の詳細を示すサブのフローチャートである。計測制御部４４は、ＥＵＶコヒーレント光源４１を発振させる処理として、図７に示す処理を行ってもよい。
　まず、計測制御部４４は、ＥＵＶコヒーレント光源制御部４８を介して希ガスチャンバ８１におけるＨｅガスの充填と圧力との制御をしてもよい（ステップＳ３１）。具体的には、計測制御部４４は、圧力センサ９０の検出圧力が目標の圧力Ｐｔとなるように、希ガス供給部８２と排気装置８４とを制御してもよい。目標の圧力Ｐｔは例えば約１７ｋＰａであってもよい。
　次に、計測制御部４４は、ＥＵＶコヒーレント光源４１へ光源パラメータのデータを送信してもよい（ステップＳ３２）。計測制御部４４は、光源パラメータとして、例えば、ＥＵＶ光４０のパルスレーザ光の目標のパルスエネルギＥｔEUV、及びパルスの繰り返し周波数ｆのデータ等を送信してもよい。次に、計測制御部４４は、ＥＵＶコヒーレント光源制御部４８を介してフェムト秒レーザ装置８０を発振させてもよい（ステップＳ３３）。その後、図４のメインのフローに戻ってもよい。
　図８は、図４に示したメインのフローチャートにおけるステップＳ１３の処理の詳細を示すサブのフローチャートである。計測制御部４４は、リファレンスデータの計測を行う処理として、図８に示す処理を行ってもよい。
　まず、計測制御部４４は、第１の光センサ６３にＥＵＶ光４０が直接入射するように可動ミラー５４を回転させてもよい（ステップＳ４１）。具体的には、計測制御部４４は、第２の回転ステージ６２を制御し、角度α＝１８０°となるように可動ミラー５４を回転させてもよい。
　次に、計測制御部４４は、受光光量Ｅ１を示す第１の光センサ６３の検出値と受光光量Ｅ２を示す第２の光センサ６４の検出値とを読み込んでもよい（ステップＳ４２）。
　次に、計測制御部４４は、Ｋ＝Ｅ１／Ｅ２を計算し、リファレンスデータとして記憶してもよい（ステップＳ４３）。これにより、受光光量Ｅ２を示す第２の光センサ６４の検出値から回転楕円体ミラー５０への入射光量Ｅｉを、Ｅｉ＝Ｋ・Ｅ２として見積もり得る。その後、図４のメインのフローに戻ってもよい。
　図９は、図４に示したメインのフローチャートにおけるステップＳ１５の処理の詳細を示すサブのフローチャートである。計測制御部４４は、データ番号Ｎの計測条件に設定し、計測を行う処理として、図９に示す処理を行ってもよい。
　まず、計測制御部４４は、図示しない記憶部のテーブルからデータ番号Ｎの計測条件パラメータである角度αと角度βとを読み出してもよい（ステップＳ５１）。
　次に、計測制御部４４は、回転楕円体ミラー５０の回転対称軸７２と可動ミラー５４からの反射光の光路軸とのなす角度が角度αとなるように、第２の回転ステージ６２を制御してもよい（ステップＳ５２）。次に、計測制御部４４は、回転楕円体ミラー５０の回転対称軸７２の周りに角度βとなるように、第１の回転ステージ６１を制御してもよい（ステップＳ５３）。
　次に、計測制御部４４は、受光光量Ｅ１’を示す第１の光センサ６３の検出値と、受光光量Ｅ２を示す第２の光センサ６４の検出値とを読み込んでもよい（ステップＳ５４）。
　次に、計測制御部４４は、回転楕円体ミラー５０の回転楕円反射面７１に入射したＥＵＶ光４０の入射光量Ｅｉの計算をしてもよい（ステップＳ５５）。その後、図４のメインのフローに戻ってもよい。
　図１０は、図９に示したサブのフローチャートにおけるステップＳ５５の処理の一具体例を示すサブのフローチャートである。計測制御部４４は、回転楕円体ミラー５０の回転楕円反射面７１に入射したＥＵＶ光４０の入射光量Ｅｉの計算処理として、図１０に示す処理を行ってもよい。
　計測制御部４４は、回転楕円体ミラー５０の回転楕円反射面７１に入射したＥＵＶ光４０の入射光量Ｅｉを、Ｅｉ＝Ｋ・Ｅ２の式によって計算して求めてもよい（ステップＳ６０）。その後、図４のメインのフローに戻ってもよい。
　ＥＵＶ光４０の可動ミラー５４に対する入射角度θ（＝（９０°－α）／２）に対して、反射率の変化が少ない場合は、入射光量Ｅｉは、Ｅｉ＝Ｋ・Ｅ２と近似でき得る。しかしながら、入射角度θに対して反射率の変化が大きい場合は、以下の図１１に示す処理を行ってもよい。
　図１１は、図９に示したサブのフローチャートにおけるステップＳ５５の処理の他の具体例を示すサブのフローチャートである。
　まず、計測制御部４４は、可動ミラー５４に対する入射角度θが４５°のときのＥＵＶ光４０の入射光量Ｅｉ０を、Ｅｉ０＝Ｋ・Ｅ２の式によって計算して求めてもよい（ステップＳ６１）。
　次に、計測制御部４４は、可動ミラー５４に対する入射角度θを、θ＝（９０°－α）／２の式によって計算して求めてもよい（ステップＳ６２）。
　次に、計測制御部４４は、ＥＵＶ光４０の偏光方向が可動ミラー５４の反射面に対してＳ偏光とＰ偏光とのいずれであるかを判断してもよい（ステップＳ６３）。
　偏光方向がＳ偏光であると判断した場合、次に、計測制御部４４は、Ｓ偏光で入射角度θの場合の可動ミラー５４の反射率ＲSθを計算してもよい（ステップＳ６４）。この場合、Ｓ偏光の場合の入射角度θに対する反射率ＲSθの関数をあらかじめ求めて図示しない記憶部に記憶しておき、その関数から反射率ＲSθを計算してもよい。次に、計測制御部４４は、Ｓ偏光で入射角度が４５°の場合の可動ミラー５４の反射率ＲS45°の値を図示しない記憶部から読み込んでもよい（ステップＳ６５）。反射率ＲS45°の値は、図示しない記憶部にあらかじめ記憶しておいてもよい。次に、計測制御部４４は、Ｓ偏光の場合の入射角度θに応じた補正係数ｈを、ｈ＝ＲSθ／ＲS45°の式によって計算して求めてもよい（ステップＳ６６）。次に、計測制御部４４は、Ｓ偏光の場合の入射光量Ｅｉを、Ｅｉ＝ｈ・Ｅｉ０の式によって計算して求めてもよい（ステップＳ７０）。その後、図４のメインのフローに戻ってもよい。
　一方、偏光方向がＰ偏光であると判断した場合、次に、計測制御部４４は、Ｐ偏光で入射角度θの場合の可動ミラー５４の反射率ＲPθを計算してもよい（ステップＳ６７）。この場合、Ｐ偏光の場合の入射角度θに対する反射率ＲPθの関数をあらかじめ求めて図示しない記憶部に記憶しておき、その関数から反射率ＲPθを計算してもよい。次に、計測制御部４４は、Ｐ偏光で入射角度が４５°の場合の可動ミラー５４の反射率ＲP45°の値を図示しない記憶部から読み込んでもよい（ステップＳ６８）。反射率ＲP45°の値は、図示しない記憶部にあらかじめ記憶しておいてもよい。次に、計測制御部４４は、Ｐ偏光の場合の入射角度θに応じた補正係数ｈを、ｈ＝ＲPθ／ＲP45°の式によって計算して求めてもよい（ステップＳ６９）。次に、計測制御部４４は、Ｐ偏光の場合の入射光量Ｅｉを、Ｅｉ＝ｈ・Ｅｉ０の式によって計算して求めてもよい（ステップＳ７０）。その後、図４のメインのフローに戻ってもよい。
　図１２は、ＥＵＶ光４０の可動ミラー５４に対する入射角度θと反射率Ｒとの関係の一例を模式的に示している。図１２において、横軸は入射角度θ、縦軸は反射率Ｒであってもよい。図１２に示したような、Ｐ偏光の場合の入射角度θに対する反射率ＲPθの関数と、Ｓ偏光の場合の入射角度θに対する反射率ＲSθの関数とをあらかじめ求めてもよい。反射率ＲPθ，ＲSθの関数は、理論値から計算により求めてもよいし、計測による実測値により求めてもよい。
　図１３は、図４に示したメインのフローチャートにおけるステップＳ１６の処理の詳細を示すサブのフローチャートである。計測制御部４４は、データ番号Ｎのテーブルに計測結果及び計算結果を書き込む処理として、図１３に示す処理を行ってもよい。
　まず、計測制御部４４は、データ番号Ｎにおける計測条件での反射率Ｒを、Ｒ＝Ｅｏ／Ｅｉの式によって計算して求めてもよい（ステップＳ７１）。次に、計測制御部４４は、入射光量Ｅｉ、及び反射光量Ｅｏと反射率Ｒとのデータをデータ番号Ｎの計測結果として、図示しない記憶部のテーブルに書き込んでもよい（ステップＳ７２）。なお、図１４に、計測結果を書き込んだテーブルの一例を模式的に示す。その後、図４のメインのフローに戻ってもよい。
　図１５は、図４に示したメインのフローチャートにおけるステップＳ２０の処理の詳細を示すサブのフローチャートである。計測制御部４４は、反射率マップの作成と表示の処理として、図１５に示す処理を行ってもよい。
　まず、計測制御部４４は、データ番号ＮをＮ＝１にセットしてもよい（ステップＳ８１）。次に、計測制御部４４は、Ｎ番目のテーブルの角度α，βと反射率Ｒのデータとを読み出してもよい（ステップＳ８２）。次に、計測制御部４４は、角度αと角度βとから、座標点Ｘ，Ｙを計算してもよい（ステップＳ８３）。
　ここで、座標点Ｘ，Ｙは、以下のように計算されてもよい。
　図１６は、楕円形状を表す方程式を模式的に示している。図１７は、反射率マップの作成に用いるパラメータを模式的に示している。図１６に示したように、回転楕円反射面７１は、Ｚ軸を中心とする回転楕円体面７５の一部であってもよい。ここで、楕円の方程式から以下の式が成立し得る。
ｒ＝ａ（１－ε・ｃｏｓα），ε＝ｃ／ａ
　ここで、ａは楕円の長軸方向の半径、ｂは楕円の短軸方向の半径、ｃは楕円の中心から第１の焦点位置７３までの距離、ｒは第１の焦点位置７３から任意の楕円位置までの距離であってもよい。
　Ｚ軸に略垂直であって、図１６、及び図１７に示したように計測位置を含む面におけるＺ軸からの距離をｒaとすると、以下の式が成立し得る。
ｒa＝ｒ・ｓｉｎα
　従って、Ｘ，Ｙは、Ｚ軸に略垂直なＸＹ平面における座標点として、以下の式で表せ得る。
　Ｘ＝ｒa・ｃｏｓβ、
　Ｙ＝ｒa・ｓｉｎβ
　計測制御部４４は、上記のように求めた座標点Ｘ，Ｙ、及び反射率Ｒの値を、３次元座標（Ｘ，Ｙ，Ｒ）として、図示しない表示部に３次元プロットして表示してもよい（ステップＳ８４）。図１８は、３次元プロットして表示された反射率マップの一例を模式的に示している。図１８において、複数の黒い丸印が３次元プロットされた座標点であってもよい。
　次に、計測制御部４４は、Ｎ≧Ｎｍａｘの条件を満たすか否か、すなわち、データ番号Ｎが最大値Ｎｍａｘに達したか否かを判断してもよい（ステップＳ８５）。Ｎ≧Ｎｍａｘの条件を満たしていないと判断した場合（ステップＳ８５；Ｎ）には、次に、計測制御部４４は、ステップＳ８２の処理に戻ってもよい。Ｎ≧Ｎｍａｘの条件を満たしたと判断した場合（ステップＳ８５；Ｙ）には、計測制御部４４は、図４のメインのフローに戻って、処理を終了してもよい。
［４．第２の実施形態］
　次に、本開示の第２の実施形態に係る反射率計測装置について説明する。なお、以下では上記第１の実施形態に係る反射率計測装置の構成要素と略同じ部分については、同一符号を付し、適宜説明を省略する。
（４．１　構成）
　図１９は、本開示の第２の実施形態に係る反射率計測装置におけるＥＵＶコヒーレント光源４１Ａの一構成例を概略的に示している。本実施形態において、反射率計測装置の全体構成は、図２の反射率計測装置と略同様であってもよい。
　本実施形態におけるＥＵＶコヒーレント光源４１Ａは、図３に示したＥＵＶコヒーレント光源４１の構成に対して、ＥＵＶ光４０の偏光方向を選択的に変化させる偏光方向可変部をさらに備えた構成であってもよい。偏光方向可変部は、回転楕円体ミラー５０の回転楕円反射面７１に対して、ＥＵＶ光４０が互いに異なる第１の偏光方向及び第２の偏光方向のうちいずれか一方の直線偏光として入射するように偏光方向を変化させるものであってもよい。第１の偏光方向と第２の偏光方向は、例えば、回転楕円反射面７１に対して、それぞれ、Ｐ偏光とＳ偏光となる直線偏光であってもよい。
　ＥＵＶコヒーレント光源４１Ａは、偏光方向可変部として、λ／２板１１０と自動回転ステージ付ホルダ１１１とを含んでいてもよい。λ／２板１１０は、ウインドウ８７と集光光学系８８との間の光路上に配置されていてもよい。λ／２板１１０は、ＭｇＦ2基板であってもよい。λ／２板１１０は、自動回転ステージ付ホルダ１１１に固定されていてもよい。
　自動回転ステージ付ホルダ１１１は、フェムト秒レーザ装置８０からのポンプ用パルスレーザ光が通過する開口を有していてもよい。自動回転ステージ付ホルダ１１１は、λ／２板１１０の光学軸とフェムト秒レーザ装置８０からのポンプ用パルスレーザ光の偏光方向とのなす角度γを０°と４５°とに変化させることができるように構成されてもよい。自動回転ステージ付ホルダ１１１の回転ステージは、計測制御部４４及びＥＵＶコヒーレント光源制御部４８によって回転制御されてもよい。
　なお、図１９において、ポンプ用パルスレーザ光及びＥＵＶ光４０の光路上に記した黒い丸印は、ＸＺ平面に対して略垂直な直線偏光であることを示していてもよい。ポンプ用パルスレーザ光及びＥＵＶ光４０の光路に略直交するように記した矢印は、ＸＺ平面を含む方向の直線偏光であることを示していてもよい。
　その他の構成は、図３に示したＥＵＶコヒーレント光源４１と略同様であってもよい。
（４．２　動作）
　まず、ＥＵＶコヒーレント光源制御部４８は、計測制御部４４からＰ偏光での計測を指示する信号を受信してもよい。次に、ＥＵＶコヒーレント光源制御部４８は、λ／２板１１０の光学軸とポンプ用パルスレーザ光の偏光方向とのなす角度γとが略４５°となるように自動回転ステージ付ホルダ１１１の回転ステージを制御してもよい。その結果、フェムト秒レーザ装置８０から出力されたポンプ用パルスレーザ光の偏光方向が、λ／２板１１０を透過することによって９０°回転して、ＸＺ平面を含む方向に偏光方向が変化し得る。その結果、ＥＵＶ光４０のパルスレーザ光も、ＸＺ平面を含む方向に偏光方向が変化し得る。
　ＥＵＶコヒーレント光源４１Ａから出力されたＥＵＶ光４０のパルスレーザ光は、高反射ミラー４５及び高反射ミラー４６を介して、可動ミラー５４の反射面に対してＰ偏光で入射し、回転楕円体ミラー５０の回転楕円反射面７１に対してもＰ偏光で入射し得る。回転楕円体ミラー５０の回転楕円反射面７１を反射した光は第１の光センサ６３の受光面に入射し得る。
　計測制御部４４は、上記第１の実施形態と略同様の制御を行って、回転楕円体ミラー５０の回転楕円反射面７１の複数の計測位置でのＰ偏光の反射率の計測を行ってもよい。
　次に、ＥＵＶコヒーレント光源制御部４８は、計測制御部４４からＳ偏光での計測を指示する信号を受信してもよい。次に、ＥＵＶコヒーレント光源制御部４８は、λ／２板１１０の光学軸とポンプ用パルスレーザ光の偏光方向とのなす角度γが０°となるように自動回転ステージ付ホルダ１１１の回転ステージを制御してもよい。その結果、フェムト秒レーザ装置８０から出力されたポンプ用パルスレーザ光の偏光方向は、ポンプ用パルスレーザ光がλ／２板１１０を透過したとしても回転せず、ＸＺ平面に対して略垂直な偏光方向に戻され得る。
　計測制御部４４は、上記第１の実施形態と略同様の制御を行って、回転楕円体ミラー５０の回転楕円反射面７１の複数の計測位置でのＳ偏光の反射率の計測を行ってもよい。これら複数の計測位置は、Ｐ偏光で計測した点と略同じ位置であってもよい。
　計測制御部４４は、Ｓ偏光の反射率の計測が終了すると、それぞれの計測位置でのＳ偏光の場合の回転楕円体ミラー５０の反射率Ｒｓと、Ｐ偏光の場合の回転楕円体ミラー５０の反射率Ｒｐとから、無偏光の場合の反射率Ｒｔを計算してもよい。計測制御部４４は、無偏光の場合の反射率Ｒｔを、Ｒｔ＝（Ｒｓ＋Ｒｐ）／２の式によって計算してもよい。計測制御部４４は、所望の計測位置における無偏光の場合の反射率Ｒｔを、図１８のように反射率マップとして表示してもよい。
　その他の動作は、図２に示した反射率計測装置、及び図３に示したＥＵＶコヒーレント光源４１と略同様であってもよい。
（４．３　作用）
　本実施形態のＥＵＶコヒーレント光源４１Ａを用いた反射率計測装置によれば、ＥＵＶコヒーレント光源４１Ａから出力されるＥＵＶ光４０のパルスレーザ光の偏光方向を９０°変化させ得る。これにより、ＥＵＶ光４０のパルスレーザ光を、回転楕円体ミラー５０の回転楕円反射面７１に対してＳ偏光とＰ偏光とで選択的に入射させ得る。これにより、Ｓ偏光の場合の反射率ＲｓとＰ偏光の場合の反射率Ｒｐとをそれぞれ計測し得る。その結果、Ｓ偏光の場合の反射率ＲｓとＰ偏光の場合の反射率Ｒｐとの平均値から、実際のＥＵＶ光源である無偏光の場合の反射率Ｒｔを計測し得る。
　その他の作用は、図２に示した反射率計測装置、及び図３に示したＥＵＶコヒーレント光源４１と略同様であってもよい。
（４．４　変形例）
　本実施形態では、λ／２板１１０によってフェムト秒レーザ装置８０から出力されたポンプ用パルスレーザ光の偏光方向を制御したが、この実施形態に限定されない。例えば、フェムト秒レーザ装置８０から出力されたポンプ用パルスレーザ光の偏光方向を、複数枚のミラーで回転させることによって制御してもよい。さらに、ポンプ用パルスレーザ光の偏光方向ではなく、ＥＵＶ光４０に変換された後でパルスレーザ光の偏光方向を回転させてもよい。
［５．第３の実施形態］
　次に、本開示の第３の実施形態に係る反射率計測装置について説明する。なお、以下では上記第１若しくは第２の実施形態に係る反射率計測装置の構成要素と略同じ部分については、同一符号を付し、適宜説明を省略する。
（５．１　構成）
　図２０は、本開示の第３の実施形態に係る反射率計測装置におけるＥＵＶコヒーレント光源４１Ｂの一構成例を概略的に示している。本実施形態において、反射率計測装置の全体構成は、図２の反射率計測装置と略同様であってもよい。
　本実施形態におけるＥＵＶコヒーレント光源４１Ｂは、図１９に示したＥＵＶコヒーレント光源４１Ａにおける第２の光センサ６４に代えて、分光器１１２を備えた構成であってもよい。なお、図３に示したＥＵＶコヒーレント光源４１における第２の光センサ６４に代えて、分光器１１２を備えた構成であってもよい。分光器１１２は、後述の図２３に示す構成であってもよい。
　ＥＵＶコヒーレント光源４１Ｂは、ＥＵＶ光４０の発振の中心波長λｍを変化させる波長調節部を含んでもよい。波長調節部は、フェムト秒レーザ装置８０を後述の図２２に示す構成にすることによって実現し得る。
　ＥＵＶコヒーレント光源制御部４８は、分光器１１２から、発振の中心波長λｍに相当する検出値と、受光光量Ｅ２に相当する検出値とを受信してもよい。発振の中心波長λｍに相当する検出値は、後述の図２３に示す回折像１７４の位置を示す値であってもよい。受光光量Ｅ２に相当する検出値は、後述の図２３に示す回折像１７４の積分光量を示す値であってもよい。ＥＵＶコヒーレント光源制御部４８は、分光器１１２から発振の中心波長λｍに相当する検出値と受光光量Ｅ２に相当する検出値とを受信する信号ラインに接続されていてもよい。また、ＥＵＶコヒーレント光源制御部４８は、フェムト秒レーザ装置８０の発振の中心波長を制御する信号Δλを送信する信号ラインに接続されていてもよい。
　その他の構成は、図２に示した反射率計測装置、及び図１９に示したＥＵＶコヒーレント光源４１Ａ、又は図３に示したＥＵＶコヒーレント光源４１と略同様であってもよい。
（５．２　動作）
　ＥＵＶコヒーレント光源制御部４８は、計測制御部４４から目標の発振波長λｔのデータを受信したら、フェムト秒レーザ装置８０からポンプ用パルスレーザ光が出力されるようにフェムト秒レーザ装置８０を制御してもよい。その結果、分光器１１２にＥＵＶ光４０のパルスレーザ光の一部が入射し得る。
　ＥＵＶコヒーレント光源制御部４８は、分光器１１２の検出結果に基づいて、ＥＵＶ光４０のパルスレーザ光の発振の中心波長λｍを計算してもよい。さらに、分光器１１２の検出結果に基づいて、ＥＵＶ光４０のパルスレーザ光の光量を受光光量Ｅ２として計算してもよい。
　ＥＵＶコヒーレント光源制御部４８は、発振の中心波長λｍと目標波長λｔとの差Δλを、Δλ＝λｍ－λｔの式によって計算してもよい。ＥＵＶコヒーレント光源制御部４８は、Δλが０に近づくように、フェムト秒レーザ装置８０の発振波長を制御してもよい。ＥＵＶコヒーレント光源制御部４８は、｜Δλ｜≦Δλｒの条件を満たした場合、すなわち、Δλの絶対値が許容の範囲内Δλｒに入った場合に、波長制御完了信号を、計測制御部４４に送信してもよい。
　計測制御部４４は、目標波長λｔを所定の範囲、例えば１３．０ｎｍ～１４．０ｎｍの範囲で一定割合ずつ、例えば０．１ｎｍずつ変化させてもよい。計測制御部４４は、波長を変化させて、回転楕円体ミラー５０の回転楕円反射面７１における所望の計測位置において、それぞれの波長に対する反射率を計測してもよい。
　その他の動作は、図２に示した反射率計測装置、及び図１９に示したＥＵＶコヒーレント光源４１Ａ、又は図３に示したＥＵＶコヒーレント光源４１と略同様であってもよい。
（５．３　作用）
　本実施形態のＥＵＶコヒーレント光源４１Ｂを用いた反射率計測装置によれば、ＥＵＶコヒーレント光源４１Ｂから出力されるＥＵＶ光４０のパルスレーザ光の波長を変化させ得る。これにより、所望の計測位置における回転楕円体ミラー５０の回転楕円反射面７１の反射率の波長依存性が計測され得る。その結果、反射率のピーク波長が計測され得る。そして、１３．５ｎｍの波長の反射率とピーク波長とが略一致しているか判定し得る。
　その他の作用は、図２に示した反射率計測装置、及び図１９に示したＥＵＶコヒーレント光源４１Ａ、又は図３に示したＥＵＶコヒーレント光源４１と略同様であってもよい。
（５．４　変形例）
　本実施形態では、波長変換後の高次高調波光の波長を分光器１１２で計測する例を示したが、この例に限定されることはない。例えば、ポンプ用パルスレーザ光の波長λｐを計測して、ＥＵＶ光４０の波長λEUVを、λEUV＝λｐ／５９の式によって計算してもよい。その計算された波長λEUVを、ＥＵＶ光４０のパルスレーザ光の発振の中心波長λｍとみなしてもよい。
［６．フィルタ部のバリエーション］
　次に、ＥＵＶコヒーレント光源におけるフィルタ部８５のバリエーションを説明する。
　なお、以下では上記第１ないし第３の実施形態におけるＥＵＶコヒーレント光源４１，４１Ａ，４１Ｂの構成要素と略同じ部分については、同一符号を付し、適宜説明を省略する。
　図２１は、ＥＵＶコヒーレント光源におけるフィルタ部８５の一変形例を概略的に示している。上記第１ないし第３の実施形態におけるＥＵＶコヒーレント光源４１，４１Ａ，４１Ｂのフィルタ部８５を、図２１に示したフィルタ部８５Ａの構成にしてもよい。
　フィルタ部８５Ａは、第２ないし第５のピンホール９２～９５に代えて、第１及び第２の多層膜ミラー１１３，１１４を含んでもよい。第１及び第２の多層膜ミラー１１３，１１４は、波長約１３．５ｎｍのＥＵＶ光４０を高反射するＭｏ／Ｓｉの多層膜が形成されたミラーであってもよい。
　第２ないし第５のピンホール９２～９５を用いたフィルタ部８５の場合、波長約１３．５ｎｍの５９次以外の高次高調波光の通過を抑制できない場合があり得る。そこで、フィルタ部８５Ａにおいて、第１及び第２の多層膜ミラー１１３，１１４を配置して、それらのミラー間で高次高調波光を繰り返し反射させることによって、５９次以外の高次高調波光の反射が抑制され得る。そして、最後に、バンドパスフィルタ９６によって、波長約１３．５ｎｍのＥＵＶ光４０を通過させてもよい。
［７．フェムト秒レーザ装置］
　次に、ＥＵＶコヒーレント光源におけるフェムト秒レーザ装置８０の具体的な構成例を説明する。
（７．１　構成）
　図２２は、フェムト秒レーザ装置８０の具体的な構成例を示している。上記第１ないし第３の実施形態におけるＥＵＶコヒーレント光源４１，４１Ａ，４１Ｂのフェムト秒レーザ装置８０を、図２２に示した構成にしてもよい。
　フェムト秒レーザ装置８０は、モードロックレーザ１２１と、高反射ミラー１２２，１２３と、パルス伸張器１２４と、増幅器１２５と、パルス圧縮器１２６とを含んでいてもよい。
　モードロックレーザ１２１は、励起用レーザ装置１２０と、可飽和吸収ミラー１３１と、高反射ミラー１３２Ａ，１３２Ｂ，１３２Ｃと、チタンサファイヤ結晶１３３とを含んでもよい。モードロックレーザ１２１はさらに、プリズム１３４Ａ，１３４Ｂ，１３４Ｃ，１３４Ｄと、スリット１３５と、１軸ステージ１３６と、出力結合ミラー１３７とを含んでもよい。
　モードロックレーザ１２１において、可飽和吸収ミラー１３１と出力結合ミラー１３７とで光共振器が構成されてもよい。光共振器の光路上には、高反射ミラー１３２Ａと、チタンサファイヤ結晶１３３と、高反射ミラー１３２Ｂ，１３２Ｃと、プリズム１３４Ａ，１３４Ｂと、スリット１３５と、プリズム１３４Ｃ，１３４Ｄとが順番に配置されていてもよい。プリズム１３４Ａ，１３４Ｂ，１３４Ｃ，１３４Ｄの頂角は、光の入射角度と出射角度とが略ブリュースタ角度となるような角度であってもよい。
　プリズム１３４Ａとプリズム１３４Ｂは、光を互いに分散方向が逆になるようにブリュースタ角で入射して、ブリュースタ角で出射するように配置されていてもよい。プリズム１３４Ｃとプリズム１３４Ｄは、光を互いに分散方向が逆になるようにブリュースタ角で入射して、ブリュースタ角で出射するように配置されていてもよい。
　スリット１３５は、開口部がプリズム１３４Ｂとプリズム１３４Ｃとの間の光路上に配置されていてもよい。スリット１３５は、図２２に示した矢印の移動方向１３８、例えば光路軸に対して略垂直方向に移動するように、図示しないホルダを介して１軸ステージ１３６に固定されていてもよい。
　高反射ミラー１２２，１２３は、モードロックレーザ１２１から出力されたパルスレーザ光がパルス伸張器１２４に入射するように配置してもよい。
　パルス伸張器１２４は、グレーティング１４１，１４２と、集光レンズ１４３，１４４、高反射ミラー１４５，１４６とを含んでいてもよい。グレーティング１４１，１４２と、集光レンズ１４３，１４４、は入射したパルスレーザ光のパルス時間幅が伸張するように、配置してもよい。
　パルス伸張器１２４から出力されたパルスレーザ光が、増幅するように増幅器１２５を配置してもよい。増幅器１２５は、チタンサファイヤ結晶１５１を含む再生増幅器１５０と、チタンサファイヤ結晶１５２を含む増幅器とを含んでいてもよい。チタンサファイヤ結晶１５２を含む増幅器は、図示しない励起用レーザ装置を含んでもよい。
　再生増幅器１５０は、高反射ミラー１５３と、λ／４板１５４と、ＥＯ（Electro Optical）ポッケルスセル１５５と、偏光子１５６と、チタンサファイヤ結晶１５１と、高反射ミラー１５７と、図示しない励起用レーザ装置とを含んでいてもよい。
　パルス圧縮器１２６は、増幅器１２５から出力されたパルスレーザ光の光路上に配置されたグレーティング１６１，１６２を含んでいてもよい。
（７．２　動作）
　モードロックレーザ１２１では、スリット１３５の開口を通過する波長領域で、モードロックされてレーザ発振し、パルス時間幅がフェムト秒のパルスレーザ光が出力結合ミラー１３７から出力され得る。このパルスレーザ光は、パルス伸張器１２４により、パルス時間幅が伸張され、所望の繰り返し周波数で、パルスレーザ光が、再生増幅器１５０によって増幅され得る。そして、この増幅されたパルスレーザ光は、増幅器１５２によって、さらに増幅され得る。
　増幅器１２５によって増幅されたパルスレーザ光は、パルス圧縮器１２６によって、再びパルス時間幅がフェムト秒のパルスレーザ光となり得る。ここで、スリット１３５の開口部の位置を、図２２に示した矢印の移動方向１３８に移動させることによって、フェムト秒のパルスレーザ光の中心波長を変化させ得る。
　図２２に示したフェムト秒レーザ装置８０を用いることにより、上記第１ないし第３の実施形態におけるＥＵＶコヒーレント光源４１，４１Ａ，４１Ｂは、ＥＵＶ光４０の中心波長λｍを変化させる波長調節部を含む構成となり得る。この場合、波長調節部は、スリット１３５と１軸ステージ１３６とを含んでもよい。ＥＵＶコヒーレント光源制御部４８は、１軸ステージ１３６を制御してスリット１３５の開口部の位置を移動させることによって、ＥＵＶ光４０の中心波長λｍを変化させ得る。
［８．分光器］
　次に、図２０に示した分光器１１２の具体的な構成例を説明する。
（８．１　構成）
　図２３は、分光器１１２の具体的な構成例を示している。図２３には、分光器１１２を、斜入射型分光器とした場合の構成例を模式的に示している。分光器１１２は、入射スリット１７０と、分光器チャンバ１７１と、凹面グレーティング１７２と、マルチチャンネル検出器１７３とを含んでいてもよい。
　凹面グレーティング１７２とマルチチャンネル検出器１７３は、入射スリット１７０に入射した波長約１３．５ｎｍのＥＵＶ光４０の１次光の回折像１７４が、マルチチャンネル検出器１７３の受光面に結像するように配置されてもよい。
　凹面グレーティング１７２は、球面であって、金がコートされたグレーティングであってもよい。マルチチャンネル検出器１７３は、マルチチャンネルプレートと蛍光面とを含むイメージインテンシファイアと、１次元のダイオードアレイとを含んでいてもよい。
（８．２　動作）
　入射スリット１７０には、バンドパスフィルタ９８の通過光１７５が入射し得る。バンドパスフィルタ９８の通過光１７５は、波長約１３．５ｎｍのＥＵＶ光４０の一部であり得る。ＥＵＶコヒーレント光源制御部４８は、回折像１７４の位置を示す値から、ＥＵＶコヒーレント光源４１Ｂの発振の中心波長λｍを求めてもよい。ここで、回折像１７４の位置は、回折像１７４の重心位置や、ピーク波長であってもよい。また、ＥＵＶコヒーレント光源制御部４８は、回折像１７４の積分光量を示す値から受光光量Ｅ２を求めてもよい。
［９．制御部のハードウエア環境］
　当業者は、汎用コンピュータ又はプログラマブルコントローラにプログラムモジュール又はソフトウエアアプリケーションを組み合わせて、ここに述べられる主題が実行されることを理解するだろう。一般的に、プログラムモジュールは、本開示に記載されるプロセスを実行できるルーチン、プログラム、コンポーネント、データストラクチャーなどを含む。
　図２４は、開示される主題の様々な側面が実行され得る例示的なハードウエア環境を示すブロック図である。図２４の例示的なハードウエア環境１００は、処理ユニット１０００と、ストレージユニット１００５と、ユーザインターフェイス１０１０と、パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０と、シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０と、Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０とを含んでもよいが、ハードウエア環境１００の構成は、これに限定されない。
　処理ユニット１０００は、中央処理ユニット（ＣＰＵ）１００１と、メモリ１００２と、タイマ１００３と、画像処理ユニット（ＧＰＵ）１００４とを含んでもよい。メモリ１００２は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）とリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）とを含んでもよい。ＣＰＵ１００１は、市販のプロセッサのいずれでもよい。デュアルマイクロプロセッサや他のマルチプロセッサアーキテクチャが、ＣＰＵ１００１として使用されてもよい。
　図２４におけるこれらの構成物は、本開示において記載されるプロセスを実行するために、相互に接続されていてもよい。
　動作において、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５に保存されたプログラムを読み込んで、実行してもよい。また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５からプログラムと一緒にデータを読み込んでもよい。また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５にデータを書き込んでもよい。ＣＰＵ１００１は、ストレージユニット１００５から読み込んだプログラムを実行してもよい。メモリ１００２は、ＣＰＵ１００１によって実行されるプログラム及びＣＰＵ１００１の動作に使用されるデータを、一時的に保管する作業領域であってもよい。タイマ１００３は、時間間隔を計測して、プログラムの実行に従ってＣＰＵ１００１に計測結果を出力してもよい。ＧＰＵ１００４は、ストレージユニット１００５から読み込まれるプログラムに従って、画像データを処理し、処理結果をＣＰＵ１００１に出力してもよい。
　パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０は、計測制御部４４、及びＥＵＶコヒーレント光源制御部４８等の、処理ユニット１０００と通信可能なパラレルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらパラレルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０は、第１の回転ステージ６１、及び第２の回転ステージ６２等の、処理ユニット１０００と通信可能な複数のシリアルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれら複数のシリアルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０は、アナログポートを介して、各種センサ、例えば第１の光センサ６３、第２の光センサ６４、及び圧力センサ９０や、希ガス供給部８２及び排気装置８４等のアナログデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらアナログデバイスとの間の通信を制御したり、通信内容のＡ／Ｄ、Ｄ／Ａ変換を行ってもよい。
　ユーザインターフェイス１０１０は、操作者が処理ユニット１０００にプログラムの停止や、割込みルーチンの実行を指示できるように、処理ユニット１０００によって実行されるプログラムの進捗を操作者に表示してもよい。
　例示的なハードウエア環境１００は、本開示におけるＥＵＶ光生成制御部５、及び計測制御部４４等の構成に適用されてもよい。当業者は、それらのコントローラが分散コンピューティング環境、すなわち、通信ネットワークを介して繋がっている処理ユニットによってタスクが実行される環境において実現されてもよいことを理解するだろう。本開示において、ＥＵＶ光生成制御部５、及び計測制御部４４等は、イーサネット（登録商標）やインターネットといった通信ネットワークを介して互いに接続されてもよい。分散コンピューティング環境において、プログラムモジュールは、ローカル及びリモート両方のメモリストレージデバイスに保存されてもよい。
［１０．その他］
　上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
　本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。

Claims (11)

  1. 　回転楕円反射面を含む回転楕円体ミラーに向けて、ＥＵＶ光を出力するＥＵＶ光源と、
    　前記ＥＵＶ光を前記回転楕円体ミラーの第１の焦点位置を通過させた後、前記回転楕円反射面に入射させる光学系と、
    　前記回転楕円体ミラーの第２の焦点位置に配置され、前記第１の焦点位置を通過した後、前記回転楕円反射面で反射した前記ＥＵＶ光を検出する第１の光センサと
    　を備えるＥＵＶ光用回転楕円体ミラーの反射率計測装置。
  2. 　前記回転楕円体ミラーの回転対称軸を中心に前記回転楕円体ミラーを回転させる第１の回転ステージ、をさらに備える
    　請求項１に記載のＥＵＶ光用回転楕円体ミラーの反射率計測装置。
  3. 　前記光学系は、前記回転楕円体ミラーの回転対称軸に垂直であって前記第１の焦点位置において前記回転対称軸と交わる所定の軸を含むように配置されて前記ＥＵＶ光を反射する反射面、を含む可動ミラーを含み、
    　前記可動ミラーを前記所定の軸を回転中心にして回転させる第２の回転ステージ、をさらに備える
    　請求項１に記載のＥＵＶ光用回転楕円体ミラーの反射率計測装置。
  4. 　前記第２の回転ステージは、前記可動ミラーが前記ＥＵＶ光源から入射してきた前記ＥＵＶ光を前記第１の光センサに向けて直接反射させ得る角度位置にまで、前記可動ミラーを回転可能である
    　請求項３に記載のＥＵＶ光用回転楕円体ミラーの反射率計測装置。
  5. 　前記光学系は、前記回転楕円体ミラーの回転対称軸に垂直であって前記第１の焦点位置において前記回転対称軸と交わる所定の軸を含むように配置されて前記ＥＵＶ光を反射する反射面、を含む可動ミラーを含み、
    　前記可動ミラーを前記所定の軸を回転中心にして回転させる第２の回転ステージ、をさらに備える
    　請求項２に記載のＥＵＶ光用回転楕円体ミラーの反射率計測装置。
  6. 　前記第１の回転ステージと前記第２の回転ステージとを回転制御し、前記第１の光センサの検出結果に基づいて、前記回転楕円反射面における複数の位置の前記回転楕円反射面の反射率を計測する計測制御部、をさらに備える
    　請求項５に記載のＥＵＶ光用回転楕円体ミラーの反射率計測装置。
  7. 　前記回転楕円反射面に対して、前記ＥＵＶ光が互いに異なる第１の偏光方向及び第２の偏光方向のうちいずれか一方の直線偏光として入射するように、前記ＥＵＶ光の偏光方向を選択的に変化させる偏光方向可変部、をさらに備える。
    　請求項１に記載のＥＵＶ光用回転楕円体ミラーの反射率計測装置。
  8. 　前記ＥＵＶ光源は、前記ＥＵＶ光の中心波長を変化させる波長調節部を含む
    　請求項１に記載のＥＵＶ光用回転楕円体ミラーの反射率計測装置。
  9. 　前記ＥＵＶ光源から出力された前記ＥＵＶ光の一部を検出する第２の光センサ、をさらに備える
    　請求項１に記載のＥＵＶ光用回転楕円体ミラーの反射率計測装置。
  10. 　前記ＥＵＶ光は、コヒーレント光である
    　請求項１に記載のＥＵＶ光用回転楕円体ミラーの反射率計測装置。
  11. 　前記ＥＵＶ光源は、
    　希ガスを収容する希ガスチャンバと、
    　前記希ガスチャンバに向けて、前記希ガスを励起するフェムト秒のパルス幅のポンプレーザ光を出力するフェムト秒レーザ装置と、
    　励起された前記希ガスの非線形効果によって発生した高調波光に含まれる前記ＥＵＶ光を選択的に通過させるフィルタ部と
    　を含む
    　請求項１に記載のＥＵＶ光用回転楕円体ミラーの反射率計測装置。
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