JP7123323B2 - レーザシステム - Google Patents
レーザシステム Download PDFInfo
- Publication number
- JP7123323B2 JP7123323B2 JP2020501905A JP2020501905A JP7123323B2 JP 7123323 B2 JP7123323 B2 JP 7123323B2 JP 2020501905 A JP2020501905 A JP 2020501905A JP 2020501905 A JP2020501905 A JP 2020501905A JP 7123323 B2 JP7123323 B2 JP 7123323B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- rare gas
- pressure
- light
- pulsed laser
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 55
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 8
- 239000012510 hollow fiber Substances 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 92
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 16
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 16
- 230000006870 function Effects 0.000 description 13
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 10
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 9
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 8
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 8
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 4
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 3
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 2
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 230000009022 nonlinear effect Effects 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N azanylidyneniobium Chemical compound [Nb]#N CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- -1 tungsten (W) Chemical class 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/008—Production of X-ray radiation generated from plasma involving an energy-carrying beam in the process of plasma generation
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01M—TESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01M11/00—Testing of optical apparatus; Testing structures by optical methods not otherwise provided for
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—Production of X-ray radiation generated from plasma the plasma being generated from a material in a liquid or gas state
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Lasers (AREA)
Description
A.パルスレーザ光を出力するレーザ装置;
B.希ガスを収容する希ガスチャンバ;
C.レーザ装置から出力されたパルスレーザ光を希ガスチャンバ内に集光して希ガスを励起させる集光光学系;
D.希ガスチャンバ内で発生する高調波光に含まれるEUV光を選択的に通過させるフィルタチャンバ;
E.フィルタチャンバに接続された排気装置;
F.希ガスチャンバとフィルタチャンバとの間であって、パルスレーザ光の光路上に配置された少なくとも1つの貫通孔;
G.希ガスチャンバ内に希ガスを供給する希ガス供給部;
H.希ガス供給部から希ガスチャンバに流れる希ガスの流量を制御する流量制御バルブ;
I.希ガスチャンバ内の希ガスの圧力を検出する第1の圧力センサ;
J.第1の圧力センサの検出圧力が基準範囲内となるように流量制御バルブを制御する第1の制御部;及び
K.少なくとも第1の圧力センサの検出圧力に基づいて、レーザ装置から出力されるパルスレーザ光のパルスエネルギを制御する第2の制御部。
1.EUV光生成システムの全体説明
1.1 構成
1.2 動作
2.比較例に係るレーザシステム
2.1 構成
2.2 動作
2.3 課題
3.第1の実施形態
3.1 構成
3.2 動作
3.2.1 準備及び発振開始動作
3.2.2 EUV光のパルスエネルギの変動量の算出
3.2.3 基本波光のパルスエネルギの設定値の算出
3.3 効果
4.第2の実施形態
4.1 構成
4.2 動作
4.2.1 集光位置の圧力の算出
4.2.2 EUV光のパルスエネルギの変動量の算出
4.3 効果
5.第3の実施形態
5.1 構成
5.2 動作
5.3 効果
6.第4の実施形態
6.1 構成
6.2 動作
7.フェムト秒レーザ装置
7.1 構成
7.2 動作
7.3 効果
1.1 構成
図1に、例示的なLPP式のEUV光生成システムの構成を概略的に示す。EUV光生成装置1は、少なくとも1つのレーザ装置3と共に用いられる場合がある。本願においては、EUV光生成装置1及びレーザ装置3を含むシステムを、EUV光生成システム11と称する。
図1を参照して、例示的なLPP式のEUV光生成システムの動作を説明する。レーザ装置3から出力されたパルスレーザ光31は、レーザ光伝送装置34を経て、パルスレーザ光32としてウインドウ21を透過してチャンバ2内に入射する。パルスレーザ光32は、少なくとも1つのレーザ光経路に沿ってチャンバ2内を進み、レーザ光集光ミラー22で反射されて、パルスレーザ光33として少なくとも1つのターゲット27に照射される。
次に、比較例に係るレーザシステムについて説明する。本比較例に係るレーザシステムは、たとえば、図1に示したEUV光生成装置1におけるEUV集光ミラー23の反射率を測定するための反射率測定装置に用いられる検査光源としてのEUVコヒーレント光源である。
図2に、本開示の比較例に係る検査光源としてのレーザシステム40の構成を概略的に示す。レーザシステム40は、フェムト秒レーザ装置41と、集光光学系42と、希ガスチャンバ43と、希ガス供給部44と、第1の圧力センサ45と、フィルタチャンバ46と、排気装置47と、第2の圧力センサ48と、を含む。
次に、比較例に係るレーザシステム40の動作について説明する。まず、準備動作として、排気装置47の運転を開始させ、第2の圧力センサ48の検出圧力P2が真空に近い圧力となるまで低下させる。検出圧力P2が真空に近い圧力となると、流量制御バルブ44aを開き、希ガスチャンバ43内への希ガスの供給を開始する。そして、第1の圧力センサ45の検出圧力P1が所定の目標圧力PT1となるように流量制御バルブ44aを調整する。この目標圧力PT1は、10k~100kPaの範囲内の値であり、たとえば約17kPaである。
反射率測定装置においては、1枚のEUV集光ミラー23の反射率を測定するために8時間程度の時間が要される。このため、測定精度の向上および測定時間の短縮には、検査光源としてのレーザシステム40からのEUV光60の出力を長時間安定化させることが課題である。
次に、本開示の第1の実施形態に係るレーザシステム40aについて説明する。なお、以下では、上記比較例に係るレーザシステム40の構成要素と略同じ部分については、同一の符号を付し、適宜説明を省略する。
図4に、本開示の第1の実施形態に係るレーザシステム40aの構成を概略的に示す。第1の実施形態に係るレーザシステム40aは、比較例に係るレーザシステム40の構成要素に加えて、主制御部61と、レーザ出力制御部62と、を含む。主制御部61は、第1の圧力センサ45、第2の圧力センサ48、及び流量制御バルブ44aと、それぞれ信号線を介して接続されている。レーザ出力制御部62は、主制御部61及びフェムト秒レーザ装置41と、それぞれ信号線を介して接続されている。
次に、第1の実施形態に係るレーザシステム40aの動作について説明する。図5は、主制御部61によって行われるレーザシステム40aの制御フローを示す。まず、主制御部61は、準備動作として、排気装置47の運転と、希ガスチャンバ43内への希ガスの供給とを開始させた後、フェムト秒レーザ装置41の発振動作を開始させる(ステップS100)。
次に、図5のフローチャートにおけるステップS100の詳細を説明する。図6は、ステップS100のサブルーチンを示す。このサブルーチンにおいて、まず、第1の制御部61aは、排気装置47の運転を開始させる(ステップS101)。第1の制御部61aは、排気装置47の運転が開始すると、第2の圧力センサ48の検出圧力P2をモニタリングし(ステップS102)、検出圧力P2が真空に近づいたか否か判定する(ステップS103)。具体的には、第1の制御部61aは、検出圧力P2が、P2≦Aを満たすか否かを判定する。たとえば、A=10-2Paである。第1の制御部61aは、P2>Aであれば(ステップS103でNo)、処理をステップS102に戻す。第1の制御部61aは、P2≦Aとなれば、流量制御バルブ44aを制御し、希ガスチャンバ43内への希ガスの供給を開始させる(ステップS104)。
次に、図5のフローチャートにおけるステップS320の詳細を説明する。図7は、ステップS320のサブルーチンを示す。このサブルーチンにおいて、まず、第2の制御部61bは、基本波光のパルスエネルギが初期値Efstの場合における希ガスチャンバ43内の希ガスの圧力と、EUV光60のパルスエネルギEEUVとの関係を表す第1のデータ(図8参照)を呼び出す(ステップS321)。この第1のデータは、第2の制御部61b内、若しくは、図示しない記憶装置に記憶されている。
次に、図5のフローチャートにおけるステップS330の詳細を説明する。図9は、ステップS330のサブルーチンを示す。このサブルーチンにおいて、まず、第2の制御部61bは、EUV光60のパルスエネルギEEUVと、基本波光のパルスエネルギとの関係を表す第2のデータ(図10参照)を呼び出す(ステップS331)。この第2のデータは、第2の制御部61b内、若しくは、図示しない記憶装置に記憶されている。
本実施形態によれば、希ガスチャンバ43内の希ガスの圧力が変化した場合に、第1の制御部61aによる流量制御バルブ44aのPID制御と並行して、フェムト秒レーザ装置41の入力パルスエネルギEfが高速に制御される。したがって、本実施形態によれば、アブレーションにより貫通孔51のサイズが変化し、希ガスチャンバ43内の希ガスの圧力が変化することによるEUV光60の出力の変動を抑制することができ、長時間安定したEUV光60を出力させることができる。
第1の実施形態では、第1の圧力センサ45の検出圧力P1に基づいてEUV光60のパルスエネルギEEUVの変動量ΔEEUVを算出しているが、集光位置Cpの希ガスの圧力が検出圧力P1と異なり得る。集光位置Cpの希ガスの圧力と検出圧力P1とが異なる場合には、変動量ΔEEUVが正確に求まらない可能性がある。
図11に、本開示の第2の実施形態に係るレーザシステム40bの構成を概略的に示す。本実施形態に係るレーザシステム40bは、第1の実施形態に係るレーザシステム40aの構成要素に加えて、撮影装置70を含む。撮影装置70は、フィルタチャンバ46内に、貫通孔51を含む隔壁52を撮影するように配置されている。撮影装置70により撮影された画像データは、第2の制御部61bに送信される。
次に、第2の実施形態に係るレーザシステム40bの動作について説明する。図12は、主制御部61によって行われるレーザシステム40bの制御フローを示す。まず、主制御部61は、準備動作として、排気装置47の運転と、希ガスチャンバ43内への希ガスの供給とを開始させた後、フェムト秒レーザ装置41の発振動作を開始させる(ステップS100)。このステップS100は、第1の実施形態と同一である。
次に、図12のフローチャートにおけるステップS420の詳細を説明する。図13は、ステップS420のサブルーチンを示す。このサブルーチンにおいて、まず、第2の制御部61bは、面積Spin、圧力P1,P2、及び集光位置Cpの希ガスの圧力P’の関係を表す第3のデータ(図14参照)を呼び出す(ステップS421)。この第3のデータは、第2の制御部61b内、若しくは、図示しない記憶装置に記憶されている。
次に、図12のフローチャートにおけるステップS430の詳細を説明する。図15は、ステップS430のサブルーチンを示す。このサブルーチンにおいて、まず、第2の制御部61bは、希ガスチャンバ43内の希ガスの圧力と、EUV光60のパルスエネルギEEUVとの関係を表す第1のデータを呼び出す(ステップS431)。この第1のデータは、第1の実施形態において図8に示した第1のデータと同一である。この第1のデータは、第2の制御部61b内、若しくは、図示しない記憶装置に記憶されている。
本実施形態によれば、貫通孔51の面積Spinの計測値に基づいて、集光位置Cpの希ガスの圧力P’を算出し、この圧力P’に基づいて変動量ΔEEUVを算出するので、変動量ΔEEUVの算出精度が向上する。これにより、EUV光60の出力を長時間安定化させることができる。
第1及び第2の実施形態では、希ガスチャンバ43内の圧力に基づいてEUV光60の出力を制御しているが、フィルタチャンバ46内のビームセパレータ等の光学素子の劣化によりEUV光60の出力が変化することが考えられる。
図17に、本開示の第3の実施形態に係るレーザシステム40cの構成を概略的に示す。本実施形態に係るレーザシステム40cは、第1の実施形態に係るレーザシステム40aの構成要素に加えて、ビームスプリッタ71と、光センサ72と、を含む。ビームスプリッタ71及び光センサ72は、フィルタチャンバ46内に配置されている。
次に、第3の実施形態に係るレーザシステム40cの動作について説明する。図18は、主制御部61によって行われるレーザシステム40cの制御フローを示す。まず、主制御部61は、準備動作として、排気装置47の運転と、希ガスチャンバ43内への希ガスの供給とを開始させた後、フェムト秒レーザ装置41の発振動作を開始させる(ステップS100)。このステップS100は、第1の実施形態と同一である。
ΔEREUV=EtEUV-EREUV ・・・(1)
ΔESUMEUV=ΔEEUV+ΔEREUV ・・・(2)
本実施形態によれば、定期的にEUV光60のパルスエネルギを計測して、検出圧力P1により求めた変動量ΔEEUVを補正し、補正後の変動量ΔESUMEUVに基づいて基本波光のパルスエネルギの設定値Efsを算出する。このため、フィルタチャンバ46内の光学素子に劣化が生じ、フィルタチャンバ46から出力されるEUV光60のパルスエネルギが変化した場合に、この変化を補正して安定化することができる。
第1~第3の実施形態では、希ガスチャンバ43を、貫通孔51が形成された隔壁52を介してフィルタチャンバ46に接続しているが、レーザシステムの構成はこれに限られない。
図20に、本開示の第4の実施形態に係るレーザシステム40dの構成を概略的に示す。第4の実施形態に係るレーザシステム40dは、フェムト秒レーザ装置41と、集光光学系42と、キャピラリファイバ80と、希ガス供給部44と、第1の圧力センサ45と、フィルタチャンバ90と、排気装置47と、第2の圧力センサ48と、撮影装置70と、を含む。
図21は、主制御部61によって行われるレーザシステム40dの制御フローを示す。この制御フローは、図12に示した第2の実施形態における制御フローと同様であるので、説明は省略する。なお、本実施形態では、第2の制御部61bは、第1の貫通孔81aの面積Spinaが規定値より大きくなった場合に、キャピラリファイバ80の交換を促す信号を、図示しないディスプレイまたは外部装置に送信し(ステップS670)。
次に、フェムト秒レーザ装置41の具体的な構成及び動作を説明する。
図22に、フェムト秒レーザ装置41の構成例を示す。フェムト秒レーザ装置41は、モードロックレーザ装置121と、高反射ミラー122,123と、パルス伸張器124と、増幅器125と、パルス圧縮器126と、アッテネータ127と、を含む。
モードロックレーザ装置121では、スリット135の開口を通過する波長領域で、モードロックされてレーザ発振し、パルス時間幅がフェムト秒のパルスレーザ光が出力結合ミラー137から出力される。このパルスレーザ光は、パルス伸張器124により、パルス時間幅が伸張され、再生増幅器150によって増幅される。そして、この増幅されたパルスレーザ光は、増幅器152によって、さらに増幅される。ここで、再生増幅器150のEOポッケルスセル155を制御することによって、増幅するパルスを選択し、所定の繰返し周波数で増幅することができる。
以上の構成のフェムト秒レーザ装置41は、出力する基本波光のパルスエネルギをアッテネータ127によって制御することによって、パルスエネルギを変化させても、アッテネータ127よりも上流の素子に対する熱負荷等を変化させることはない。このため、アッテネータ127よりも上流のチタンサファイヤ結晶やその他光学素子の熱負荷の変化が抑制される。この結果、フェムト秒レーザ装置41を安定して動作させることができる。
Claims (9)
- レーザシステムであって、以下を備える:
A.パルスレーザ光を出力するレーザ装置;
B.希ガスを収容する希ガスチャンバ;
C.前記レーザ装置から出力された前記パルスレーザ光を前記希ガスチャンバ内に集光して前記希ガスを励起させる集光光学系;
D.前記希ガスチャンバ内で発生する高調波光に含まれるEUV光を選択的に通過させるフィルタチャンバ;
E.前記フィルタチャンバに接続された排気装置;
F.前記希ガスチャンバと前記フィルタチャンバとの間であって、前記パルスレーザ光の光路上に配置された少なくとも1つの貫通孔;
G.前記希ガスチャンバ内に前記希ガスを供給する希ガス供給部;
H.前記希ガス供給部から前記希ガスチャンバに流れる前記希ガスの流量を制御する流量制御バルブ;
I.前記希ガスチャンバ内の前記希ガスの圧力を検出する第1の圧力センサ;
J.前記第1の圧力センサの検出圧力が基準範囲内となるように前記流量制御バルブを制御する第1の制御部;
K.少なくとも前記第1の圧力センサの検出圧力に基づいて、前記レーザ装置から出力される前記パルスレーザ光のパルスエネルギを制御する第2の制御部;及び
L.前記貫通孔を含む領域を撮影して画像データを出力する撮影装置;
ここで、前記第2の制御部は、前記希ガスチャンバ内の前記希ガスの圧力と前記EUV光のパルスエネルギとの関係に基づいて、前記EUV光のパルスエネルギの最大値からの変動量を算出し、この変動量に基づいて算出される前記パルスレーザ光のパルスエネルギの設定値に基づいて前記レーザ装置を制御し、さらに、
前記第2の制御部は、前記画像データに基づいて前記貫通孔の面積を算出し、
前記面積と、前記第1の圧力センサの検出圧力とに基づいて、前記レーザ装置から出力される前記パルスレーザ光のパルスエネルギを制御する。 - 請求項1に記載のレーザシステムであって、
前記第2の制御部は、前記面積と、前記第1の圧力センサの検出圧力とに基づいて、前記パルスレーザ光の集光位置における前記希ガスの圧力を算出し、この集光位置における前記希ガスの圧力に基づいて、前記レーザ装置から出力される前記パルスレーザ光のパルスエネルギを制御する。 - 請求項1に記載のレーザシステムであって、
前記撮影装置は、前記フィルタチャンバ内に配置されている。 - レーザシステムであって、以下を備える:
A.パルスレーザ光を出力するレーザ装置;
B.希ガスを収容する希ガスチャンバ;
C.前記レーザ装置から出力された前記パルスレーザ光を前記希ガスチャンバ内に集光して前記希ガスを励起させる集光光学系;
D.前記希ガスチャンバ内で発生する高調波光に含まれるEUV光を選択的に通過させるフィルタチャンバ;
E.前記フィルタチャンバに接続された排気装置;
F.前記希ガスチャンバと前記フィルタチャンバとの間であって、前記パルスレーザ光の光路上に配置された少なくとも1つの貫通孔;
G.前記希ガスチャンバ内に前記希ガスを供給する希ガス供給部;
H.前記希ガス供給部から前記希ガスチャンバに流れる前記希ガスの流量を制御する流量制御バルブ;
I.前記希ガスチャンバ内の前記希ガスの圧力を検出する第1の圧力センサ;
J.前記第1の圧力センサの検出圧力が基準範囲内となるように前記流量制御バルブを制御する第1の制御部;
K.少なくとも前記第1の圧力センサの検出圧力に基づいて、前記レーザ装置から出力される前記パルスレーザ光のパルスエネルギを制御する第2の制御部;
M.前記貫通孔を含む領域を撮影して画像データを出力する撮影装置;及び
N.前記フィルタチャンバ内の圧力を検出する第2の圧力センサ;
ここで、前記第2の制御部は、前記希ガスチャンバ内の前記希ガスの圧力と前記EUV光のパルスエネルギとの関係に基づいて、前記EUV光のパルスエネルギの最大値からの変動量を算出し、この変動量に基づいて算出される前記パルスレーザ光のパルスエネルギの設定値に基づいて前記レーザ装置を制御し、さらに、
前記第2の制御部は、前記画像データに基づいて前記貫通孔の面積を算出し、前記面積と、前記第1の圧力センサの検出圧力と、前記第2の圧力センサの検出圧力とに基づいて、前記レーザ装置から出力される前記パルスレーザ光のパルスエネルギを制御する。 - 請求項4に記載のレーザシステムであって、
前記第2の制御部は、前記面積と、前記第1の圧力センサの検出圧力と、前記第2の圧力センサの検出圧力とに基づいて、前記パルスレーザ光の集光位置における前記希ガスの圧力を算出し、この集光位置における前記希ガスの圧力に基づいて、前記レーザ装置から出力される前記パルスレーザ光のパルスエネルギを制御する。 - 請求項4に記載のレーザシステムであって、
前記撮影装置は、前記フィルタチャンバ内に配置されている。 - レーザシステムであって、以下を備える:
A.パルスレーザ光を出力するレーザ装置;
B.希ガスを収容する希ガスチャンバ;
C.前記レーザ装置から出力された前記パルスレーザ光を前記希ガスチャンバ内に集光して前記希ガスを励起させる集光光学系;
D.前記希ガスチャンバ内で発生する高調波光に含まれるEUV光を選択的に通過させるフィルタチャンバ;
E.前記フィルタチャンバに接続された排気装置;
F.前記希ガスチャンバと前記フィルタチャンバとの間であって、前記パルスレーザ光の光路上に配置された少なくとも1つの貫通孔;
G.前記希ガスチャンバ内に前記希ガスを供給する希ガス供給部;
H.前記希ガス供給部から前記希ガスチャンバに流れる前記希ガスの流量を制御する流量制御バルブ;
I.前記希ガスチャンバ内の前記希ガスの圧力を検出する第1の圧力センサ;
J.前記第1の圧力センサの検出圧力が基準範囲内となるように前記流量制御バルブを制御する第1の制御部;及び
K.少なくとも前記第1の圧力センサの検出圧力に基づいて、前記レーザ装置から出力される前記パルスレーザ光のパルスエネルギを制御する第2の制御部;
ここで、前記希ガスチャンバは、中空ファイバであって、前記フィルタチャンバ内に配置されている。 - 請求項7に記載のレーザシステムであって、
前記貫通孔は、前記パルスレーザ光が入射する前記中空ファイバの入射側の端部に位置する第1の貫通孔と、前記パルスレーザ光が出射される前記中空ファイバの出射側の端部に位置する第2の貫通孔とを含む。 - 請求項8に記載のレーザシステムであって、以下をさらに備える:
Q.前記第1の貫通孔を含む領域を撮影して画像データを出力する撮影装置;
ここで、前記第2の制御部は、前記画像データに基づいて前記第1の貫通孔の面積を算
出し、前記面積と、前記第1の圧力センサの検出圧力とに基づいて、前記レーザ装置から出力される前記パルスレーザ光のパルスエネルギを制御する。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2018/006278 WO2019163029A1 (ja) | 2018-02-21 | 2018-02-21 | レーザシステム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2019163029A1 JPWO2019163029A1 (ja) | 2021-03-11 |
JP7123323B2 true JP7123323B2 (ja) | 2022-08-23 |
Family
ID=67688164
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020501905A Active JP7123323B2 (ja) | 2018-02-21 | 2018-02-21 | レーザシステム |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11350515B2 (ja) |
JP (1) | JP7123323B2 (ja) |
WO (1) | WO2019163029A1 (ja) |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003124554A (ja) | 2001-10-09 | 2003-04-25 | Gigaphoton Inc | レーザ装置及び露光装置 |
JP2006226790A (ja) | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Research Foundation For Opto-Science & Technology | 放射性同位体生成装置 |
JP2013175434A (ja) | 2012-01-23 | 2013-09-05 | Gigaphoton Inc | ターゲット生成条件判定装置及びターゲット生成システム |
WO2014147901A1 (ja) | 2013-03-21 | 2014-09-25 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置及び極端紫外光の生成方法、並びにパルスレーザ光の集光ビーム計測装置及び集光ビーム計測方法 |
JP2015026668A (ja) | 2013-07-25 | 2015-02-05 | ギガフォトン株式会社 | レーザシステム、極端紫外光生成及びレーザ装置の制御方法 |
WO2016151682A1 (ja) | 2015-03-20 | 2016-09-29 | 国立大学法人 東京大学 | Euv光用回転楕円体ミラーの反射率計測装置 |
US20160353561A1 (en) | 2014-02-13 | 2016-12-01 | Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh | Protecting a Vacuum Environment from Leakage |
WO2017072879A1 (ja) | 2015-10-28 | 2017-05-04 | ギガフォトン株式会社 | 狭帯域化エキシマレーザ装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100759023B1 (ko) | 2003-03-06 | 2007-09-17 | 한국과학기술원 | 고차 조화파 엑스선 발생장치 및 방법, 그리고 고차조화파 엑스선을 이용한 바늘구멍 에돌이 간섭계 |
JP6031659B2 (ja) | 2012-03-16 | 2016-11-24 | 公立大学法人兵庫県立大学 | 短波長コヒーレント光源及び透過型の減光機構 |
US9627844B2 (en) | 2013-09-04 | 2017-04-18 | The Regents Of The University Of Colorado, A Body | Generation of VUV, EUV, and X-ray light using VUV-UV-VIS lasers |
-
2018
- 2018-02-21 WO PCT/JP2018/006278 patent/WO2019163029A1/ja active Application Filing
- 2018-02-21 JP JP2020501905A patent/JP7123323B2/ja active Active
-
2020
- 2020-07-02 US US16/919,216 patent/US11350515B2/en active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003124554A (ja) | 2001-10-09 | 2003-04-25 | Gigaphoton Inc | レーザ装置及び露光装置 |
JP2006226790A (ja) | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Research Foundation For Opto-Science & Technology | 放射性同位体生成装置 |
JP2013175434A (ja) | 2012-01-23 | 2013-09-05 | Gigaphoton Inc | ターゲット生成条件判定装置及びターゲット生成システム |
WO2014147901A1 (ja) | 2013-03-21 | 2014-09-25 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置及び極端紫外光の生成方法、並びにパルスレーザ光の集光ビーム計測装置及び集光ビーム計測方法 |
JP2015026668A (ja) | 2013-07-25 | 2015-02-05 | ギガフォトン株式会社 | レーザシステム、極端紫外光生成及びレーザ装置の制御方法 |
US20160353561A1 (en) | 2014-02-13 | 2016-12-01 | Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh | Protecting a Vacuum Environment from Leakage |
WO2016151682A1 (ja) | 2015-03-20 | 2016-09-29 | 国立大学法人 東京大学 | Euv光用回転楕円体ミラーの反射率計測装置 |
WO2017072879A1 (ja) | 2015-10-28 | 2017-05-04 | ギガフォトン株式会社 | 狭帯域化エキシマレーザ装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2019163029A1 (ja) | 2019-08-29 |
US20200337145A1 (en) | 2020-10-22 |
US11350515B2 (en) | 2022-05-31 |
JPWO2019163029A1 (ja) | 2021-03-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5952274B2 (ja) | 光源焦点のアラインメント | |
TWI398194B (zh) | 用以在極紫外線光源中遞送驅動雷射光束之系統與方法 | |
US8692220B2 (en) | Extreme ultraviolet light source device and control method for extreme ultraviolet light source device | |
JP5373814B2 (ja) | Euv光源用の駆動レーザ | |
JP6521870B2 (ja) | レーザ装置 | |
JP4932592B2 (ja) | 極端紫外光源装置 | |
US9128391B2 (en) | Optical device including wavefront correction parts and beam direction parts, laser apparatus including the optical device, and extreme ultraviolet light generation system including the laser apparatus | |
JP5534910B2 (ja) | 極端紫外光源装置 | |
JP2012216768A (ja) | レーザシステム、極端紫外光生成システム、およびレーザ光生成方法 | |
TW201143537A (en) | Metrology for extreme ultraviolet light source | |
JP2012523705A (ja) | アライメント用レーザ | |
US8675697B2 (en) | Master oscillator system and laser apparatus | |
JP2015525475A (ja) | レーザ源からの主パルス及びプレパルスビームを分離するためのシステム及び方法 | |
JP2007206452A (ja) | 深紫外光源及び、その深紫外光源を用いたマスク検査装置及び露光装置 | |
JP3269231B2 (ja) | 露光方法、光源装置、及び露光装置 | |
WO2016151682A1 (ja) | Euv光用回転楕円体ミラーの反射率計測装置 | |
JP2012147022A (ja) | 極端紫外光源装置 | |
JP2014041828A (ja) | 極端紫外光生成装置 | |
US20190289707A1 (en) | Extreme ultraviolet light generation system | |
JP7123323B2 (ja) | レーザシステム | |
JP6533464B2 (ja) | レーザ増幅器、及びレーザ装置、並びに極端紫外光生成システム | |
WO2018061210A1 (ja) | レーザ装置 | |
US20200119514A1 (en) | Laser system, extreme ultraviolet light generation apparatus, and extreme ultraviolet light generation method | |
JP6697108B2 (ja) | レーザ装置及び極端紫外光生成システム | |
JPH07170010A (ja) | 光源装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210104 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220202 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20220204 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220519 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220704 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220729 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7123323 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |