JP6697108B2 - レーザ装置及び極端紫外光生成システム - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 390
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 123
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 111
- 230000036278 prepulse Effects 0.000 claims description 30
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 13
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 13
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 45
- 230000008859 change Effects 0.000 description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 description 20
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 6
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100456571 Mus musculus Med12 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Description
1.概要
2.用語の説明
3.EUV光生成システムの全体説明
4.マスタオシレータと増幅器を含むレーザ装置の比較例
5.レーザ装置の比較例における課題
6.実施形態1:光路補正機構を含むレーザ装置(光路補正機構のミラー制御)
7.実施形態2:光路補正機構を含むレーザ装置(温度検出)
8.実施形態3:光路補正機構を含むレーザ装置(プロファイル検出)
9.実施形態4:光路補正機構を含むレーザ装置(角度成分補正)
10.実施形態5:光路補正機構を含むレーザ装置(入力側光路補正機構)
11.実施形態6:光路補正機構を含むレーザ装置(結晶スラブ型光増幅器)
12.実施形態7:メインパルスレーザ装置及びプリパルスレーザ装置を含むレーザ装置
LPP方式のEUV光生成システムにおいて使用されるレーザ装置は、パルスレーザ光を出力するパルスレーザ装置でよい。パルスレーザ装置は、短パルスのレーザ光を高繰り返しで出力するマスタオシレータ(MO)と少なくとも1つの光増幅器(PA)とを備えるMOPA方式のレーザ装置であってもよい。光増幅器として、マルチパス増幅が可能なスラブ型光増幅器を使用してもよい。
本開示において使用される用語を以下に説明する。「スラブ型光増幅器」は、スラブ状の光増幅領域を含む光増幅器である。スラブ型光増幅器の媒質は限定されず、気体や固体であり得る。「フリースペース方向」は、光増幅領域においてレーザ光が進行する面に平行な任意の方向である。「ウェーブガイド方向」は、光増幅領域においてレーザ光が進行する面の法線方向であり、いずれのフリースペース方向にも垂直である。「高反射ミラー」は、対象波長の光を所望の反射率で反射し得るミラーである。スラブ型光増幅器の「起動時刻」は、入射レーザ光を増幅し得る状態になった時刻である。
3.1 構成
図1に、例示的なLPP方式のEUV光生成システムの構成を概略的に示す。EUV光生成装置1は、少なくとも1つのレーザ装置3と共に用いられてもよい。本願においては、EUV光生成装置1及びレーザ装置3を含むシステムを、EUV光生成システム11と称する。図1に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、EUV光生成装置1は、チャンバ2、ターゲット供給部26を含んでもよい。
図1を参照すると、レーザ装置3から出力されたパルスレーザ光31は、レーザ光進行方向制御部34を経て、パルスレーザ光32としてウィンドウ21を透過してチャンバ2内に入射してもよい。パルスレーザ光32は、少なくとも1つのレーザ光経路に沿ってチャンバ2内を進み、レーザ光集光ミラー22で反射されて、パルスレーザ光33として少なくとも1つのターゲット27に照射されてもよい。
4.1 レーザ装置の構成
図2は、レーザ装置の比較例を模式的に示している。レーザ装置3は、マスタオシレータ(MO)350と、光増幅器351_1〜351_Nと、を含んでもよい。マスタオシレータ350は、例えば、Qスイッチ、CO2レーザガスの媒質、及び光共振器を含むレーザ発振器であってもよい。または、マスタオシレータ350は、CO2レーザのゲイン領域の波長で発振する量子カスケードレーザであってもよい。マスタオシレータ350から出力されるパルスレーザ光は、直線偏光であってもよい。
光増幅器351_1〜351_Nは、それぞれ、図示しない電源によって電極間に電位を印加し、放電を起こしてもよい。マスタオシレータ350は、所定の繰り返し周波数で、レーザ発振してもよい。
図3A、図3Bは、スラブ型光増幅器の構成例を模式的に示している。スラブ型光増幅器は、対向する反射面間で反射を繰り返すことで、スラブ状の増幅領域を繰り返し通過するマルチパスを形成するレーザ光を増幅してもよい。
図3B(a)において、レーザ光は、スラブ型光増幅器351_1へ光路311で入射し、放電領域514内で増幅されてもよい。スラブ型光増幅器351_1は、増幅されたレーザ光を光路312において出力し得る。スラブ型光増幅器351_1は、一対の電極512、513の間にRF電源525によって電圧を印加してもよい。電極512、513の間で放電が生じ、放電によってCO2レーザガスが励起され得る。
RF電源525によって電極512、513の間に放電を発生し続けると、放電による熱を受けてチャンバ511が変形し得る。発明者らは、チャンバ511の変形によって、出射光の光路312がフリースペース方向において大きく移動し得ることを見出した。特に、フリースペース方向における平行移動成分が大きくなり得ることが分かった。
6.1 レーザ装置の構成
図5は、実施形態1のレーザ装置3の一部構成を模式的に示している。本実施形態のレーザ装置3は、図2に示すレーザ装置構成において、図5に示す構成を含んでもよい。レーザ装置3は、スラブ型光増幅器351_1から出力されるレーザ光の光路上に配置された光路補正機構450と、光路補正機構450の下流側に配置された高反射ミラー481と、を含んでもよい。高反射ミラー481の位置及び姿勢は固定されてよく、高反射ミラー481は省略されてもよい。
上述のように、スラブ型光増幅器351_1における光路は、放電によるスラブ型光増幅器351_1の熱変形により移動し得る。そこで、コントローラ526は、放電開始からの経過時間に基づいて、高反射ミラー451を移動してもよい。放電開始時刻は、起動時刻であり得る。
図6A、6Bは、光路補正機構450の構成を模式的に示している。図6Aは上面図、図6Bは斜視図である。光路補正機構450は、高反射ミラー451、ミラーホルダ452、1軸ステージ458、直動アクチュエータ455を含んでもよい。1軸ステージ458は、固定される設置部453と、設置部453上に移動可能に配置されている移動部454とを含んでもよい。移動部454は、設置部453上において、1軸に沿って双方向に移動可能でよい。
図7A、図7Bは、光路補正機構450による高反射ミラー451の移動方法の例を示している。図7C、図7Dは、高反射ミラー451に代えて、高反射ミラー481を移動する方法の例を示している。
以下において、実施形態2のレーザ装置を説明する。本実施形態においては、実施形態1との相違点を主に説明する。
図8は、本実施形態のレーザ装置3の一部構成を模式的に示している。レーザ装置3は、スラブ型光増幅器351_1の温度を測定する温度センサ527を含んでもよい。温度センサ527は、例えば、チャンバ511の外面又は内面に固定されてもよい。
温度センサ527はチャンバ511の壁面温度を検出してコントローラ526に出力してもよい。コントローラ526は温度センサ527による検出温度に基づいて、光路補正機構450に高反射ミラー451の移動位置を指令してもよい。
コントローラ526は、温度センサ527を用いることなく、RF電源525の動作パラメータから、チャンバ511の温度を推定してもよい。動作パラメータは、例えば、RF電圧又はDutyでもよい。コントローラ526はRF電源525に電気的に接続され、RF電源525から動作パラメータの値を取得してもよい。
以下において、実施形態3のレーザ装置を説明する。本実施形態においては、実施形態1との相違点を主に説明する。
図9は、本実施形態のレーザ装置3の一部構成を模式的に示している。レーザ装置3は、光路補正機構450の下流側に配置されたビームサンプラ483を含んでもよい。ビームサンプラ483は、光路補正機構450と高反射ミラー481との間の光路上に配置されてよく、高反射ミラー481より下流側に配置されてもよい。ビームサンプラ483は、高反射ミラー451に反射されたレーザ光の一部をサンプル光として反射し、他の成分を透過させてもよい。
コントローラ526は、スラブ型光増幅器351_1における正常光路のビーム位置を予め記憶してもよい。例えば、コントローラ526は、スラブ型光増幅器351_1が放電していない状態でマスタオシレータ350から出力されたレーザ光について、ビームプロファイラ485から、ビームプロファイルを示す画像データを取得してもよい。コントローラ526は、取得したビームプロファイルを、正常光路のビームプロファイルとし記憶してもよい。
以下において、実施形態4のレーザ装置を説明する。本実施形態においては、実施形態3との相違点を主に説明する。
本実施形態の光路補正機構は、フリースペース方向における光路の平行移動変化及び角度変化を補正し得る。本実施形態の光路補正機構は、スラブ型光増幅器における光路の変化を補正するため、高反射ミラーを平行移動させ、さらに、高反射ミラーの角度を調整してもよい。
図11A、11Bは、光路補正機構650の構成を模式的に示している。図11Aは上面図、図11Bは側面図である。光路補正機構650は、高反射ミラー451、ミラーホルダ452、1軸ステージ458、直動アクチュエータ455、回動ステージ459、直動アクチュエータ463を含んでもよい。
コントローラ526は、ビームプロファイラ485、486のそれぞれについて、スラブ型光増幅器351_1における正常光路のビーム位置を予め記憶してもよい。図12Aは、ビームプロファイラ485、486の正常光路の観測画像811、812及びビームプロファイル821、822を示している。
D2−D1=(L2−L1)tanθ・・・・式(1)
式(1)から、下記式(2)が導出され得る。
θ=tan−1((D2−D1)/(L2−L1))・・・・式(2)
図14は、本実施形態における光路補正機構の変形例を模式的に示している。レーザ装置3は、光路補正機構650に代えて、光路補正機構750を含んでもよい。レーザ装置3は、さらに、光路補正機構750とビームサンプラ483との間の光路上に配置された高反射ミラー487を含んでもよい。
以下において、実施形態5のレーザ装置を説明する。本実施形態において、実施形態3との相違点を主に説明する。本実施形態において、光路補正機構は、スラブ型光増幅器の上流側に配置されてもよい。
11.1 結晶スラブ型光増幅器の構成
図16A、16Bは、結晶スラブ型光増幅器の構成例を示している。結晶スラブ型光増幅器は、スラブ型光増幅器の一種である。図16Aは斜視図、図16Bは上面図を示している。結晶スラブ型光増幅器911は、結晶スラブ614、シリンドリカル凹面ミラー615、シリンドリカル凸面ミラー616、ダイオードレーザスタック612、613を含み、これらがベースプレート617に載置されてもよい。
不図示の電源から電力が供給されると、ダイオードレーザスタック612、613が励起され、励起用レーザ光が結晶スラブ614内部に放射され得る。これにより、結晶スラブ614は励起され得る。励起用レーザ光の放射開始時刻は、起動時刻であり得る。
ダイオードレーザスタック612、613からの励起用レーザと、増幅するレーザ光が結晶スラブ614に入射することによる熱によって結晶スラブ614が加熱され、結晶スラブを載置するベースプレート617が膨張し得る。これに伴ってベースプレート617に固定されたシリンドリカル凹面ミラー615と、シリンドリカル凸面ミラー616との距離が拡張し得る。
図17は、結晶スラブ型光増幅器における光路変化を補正する補正機構を含むレーザ装置372の構成例の一部を模式的に示している。レーザ装置372は、結晶スラブ型光増幅器911、光路補正機構920、高反射ミラー931、933、ビームサンプラ932、ビームプロファイラ922、コントローラ950を含んでもよい。破線矢印は変化前の光路を示し、実線矢印は変化後の光路を示す。
12.1 レーザ装置の構成
図18は、本実施形態のレーザ装置3の構成を模式的に示している。レーザ装置3は、メインパルスレーザ装置371、プリパルスレーザ装置372、ビームコンバイナ951、及びレーザ装置コントローラ373を含んでもよい。メインパルスレーザ装置371、プリパルスレーザ装置372は、それぞれ、スラブ型光増幅器における光路変化を補正するための光路補正機構を含んでもよい。
レーザ装置コントローラ373は、プリパルスマスタオシレータ901をレーザ発振させてもよい。プリパルスマスタオシレータ901から出力されたプリパルスレーザ光は、結晶スラブ型光増幅器911で増幅されてもよい。光路補正機構920は、結晶スラブ型光増幅器911における光路の変化を補正してもよい。光路補正機構920の動作は、図17を参照して説明した通りでもよい。
Claims (4)
- レーザ光を出力するオシレータと、
前記オシレータから出力されたレーザ光を、スラブ状の光増幅領域を通過させることで増幅して出力するスラブ型光増幅器と、
前記スラブ型光増幅器に入力されるレーザ光又は前記スラブ型光増幅器から出力されるレーザ光の光路上に配置されたミラーと、
前記ミラーを調整して光路を補正する光路補正機構と、
前記光路補正機構を制御するコントローラと、を含み、
前記コントローラは、前記スラブ型光増幅器の起動からの経過時間に基づいて前記ミラーの調整量を決定する、レーザ装置。 - 請求項1に記載のレーザ装置であって、
前記スラブ型光増幅器は電源を含み、
前記起動からの経過時間は、前記電源からの放電開始の信号を検出した時からの経過をタイマにより計測した時間である、レーザ装置。 - チャンバと、
前記チャンバにターゲットを供給するターゲット供給部と、
前記チャンバ内において前記ターゲットに照射するパルスレーザ光を出力する請求項1に記載のレーザ装置と、を含む極端紫外光生成システム。 - 請求項3に記載の極端紫外光生成システムであって、
前記レーザ装置は、プリパルスレーザ装置とメインパルスレーザ装置とを含み、
前記メインパルスレーザ装置は、前記スラブ型光増幅器と前記ミラーとを含む、極端紫外光生成システム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019080910A JP6697108B2 (ja) | 2019-04-22 | 2019-04-22 | レーザ装置及び極端紫外光生成システム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019080910A JP6697108B2 (ja) | 2019-04-22 | 2019-04-22 | レーザ装置及び極端紫外光生成システム |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015561139A Division JP6521870B2 (ja) | 2014-02-10 | 2014-02-10 | レーザ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019135788A JP2019135788A (ja) | 2019-08-15 |
JP6697108B2 true JP6697108B2 (ja) | 2020-05-20 |
Family
ID=67624143
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019080910A Active JP6697108B2 (ja) | 2019-04-22 | 2019-04-22 | レーザ装置及び極端紫外光生成システム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6697108B2 (ja) |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55142307A (en) * | 1979-04-24 | 1980-11-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Optical axis position correcting device |
JPS574393A (en) * | 1980-06-10 | 1982-01-09 | Kawasaki Steel Corp | Optical axis adjusting device of laser beam for laser welding machine |
JPH11179579A (ja) * | 1997-12-22 | 1999-07-06 | Sony Corp | 光軸補正方法、装置及びそれを利用した露光加工装置 |
JP2001062580A (ja) * | 1999-08-30 | 2001-03-13 | Keyence Corp | レーザマーカ |
JP4184288B2 (ja) * | 2004-01-20 | 2008-11-19 | 日立ビアメカニクス株式会社 | レーザ加工機 |
US20080225261A1 (en) * | 2007-03-13 | 2008-09-18 | Noriyuki Hirayanagi | Exposure apparatus and device manufacturing method |
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JP5368261B2 (ja) * | 2008-11-06 | 2013-12-18 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置の制御方法 |
JP5430488B2 (ja) * | 2010-05-11 | 2014-02-26 | 株式会社日本製鋼所 | レーザアニール処理装置、レーザアニール処理体の製造方法およびレーザアニール処理プログラム |
JP2012109417A (ja) * | 2010-11-17 | 2012-06-07 | Komatsu Ltd | スラブ型増幅装置、レーザ装置および極端紫外光源装置 |
JP5816440B2 (ja) * | 2011-02-23 | 2015-11-18 | ギガフォトン株式会社 | 光学装置、レーザ装置および極端紫外光生成装置 |
JP2013201388A (ja) * | 2012-03-26 | 2013-10-03 | Gigaphoton Inc | レーザシステム及び極端紫外光生成システム |
-
2019
- 2019-04-22 JP JP2019080910A patent/JP6697108B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2019135788A (ja) | 2019-08-15 |
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Date | Code | Title | Description |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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