TWI398194B - 用以在極紫外線光源中遞送驅動雷射光束之系統與方法 - Google Patents

用以在極紫外線光源中遞送驅動雷射光束之系統與方法 Download PDF

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Description

用以在極紫外線光源中遞送驅動雷射光束之系統與方法
本申請案主張美國臨時專利申請案序列號第61/200,222號案，申請於2008年11月24日，名稱為SYSTEMS AND METHODS FOR DRIVE LASER BEAM DELIVERY IN AN EUV LIGHT SOURCE，代理人案號2008-0012-01的優先權，且亦主張美國專利申請案序列號第12/_________號案申請於2009年11月18日，名稱為SYSTEMS AND METHODS FOR DRIVE LASER BEAM DELIVERY IN AN EUV LIGHT SOURCE，代理人案號2008-0012-02的優先權，其全部內容在此併入本案以為參考資料。
發明領域
本申請案有關於極紫外線(「EUV」)光源，其提供來自由一源材料產生的一電漿的EUV光，該EUV光被收集且指向在該EUV光源腔室外的一焦點(focus)以供利用，例如，針對半導體積體電路製造微影術，例如，大約是100nm之波長及其以下波長。
 發明背景
極紫外線(「EUV」)光，例如，具有大約5-100nm的波長或更小波長的電磁發射(有時還稱之為軟X射線)，且包括一波長大約13nm的光，其可在微影製程中使用以在基板內產生極小的特徵，例如，矽晶圓。
產生EUV光的方法包括，但不一定局限於，利用在該EUV範圍內的一發射譜線將一材料轉化為一電漿狀態，該電漿狀態具有一元素，例如，氙、鋰或錫。在一個這樣的方法中，時常稱為雷射產生電漿(「LPP」)，其可藉由以一雷射光束(藉由一所謂的「驅動雷射」而產生)照射一目標材料而產生所需電漿，例如，以一滴、成束或成群形式的材料。
針對此製程，該電漿通常在一密封容器內產生，例如，真空腔室，且使用各種類型的度量設備來監測。除產生EUV發射之外，此等電漿製程通常還在該電漿腔室內產生不合需要的副產品，該等副產品可包括帶外發射、高能量離子及碎片，例如，該目標材料之微粒及/或塊/微滴。
此等電漿形成之副產品可能加熱、損害或降低各種電漿腔室光學元件的操作效率，該等電漿腔室光學元件包括但不限於：包括可反射正入射及/或掠入射的EUV之多層鏡(MLM’s)的集光鏡、度量偵測器之表面、用以成像該電漿形成過程的窗，及雷射輸入窗。該等被加熱的、高能量離子及/或碎片可以多種方式損害該等光學元件，包括以一層會降低光透射率的材料覆蓋它們，滲透進入它們及，例如，損害結構的完整性及/或光學性質，例如，一鏡反射EUV波長的光的能力，腐蝕它們或侵蝕它們及/或滲透進入它們。因此，典型可取的是將電漿產生碎片之數量及/或影響最小化。
如上所示，產生EUV光的一項技術包含照射一目標材料。在這點上，二氧化碳(CO2 )雷射，例如，輸出紅外線波長的光，例如9.3μm或10.6μm，作為在一LPP製程中照射一目標材料的一驅動雷射，可呈現某些優勢。尤其是針對某些目標材料，例如，包含錫的材料。例如，一個優勢可包括產生在該驅動雷射輸入功率與輸出EUV功率之間的一相對較高的轉化效率的能力。CO2 驅動雷射的另一個優勢可包括從一相對較粗糙的表面，諸如已被碎片污染或覆蓋的表面強力反射相當長波長的光(例如，與193nm的深紫外線(deep UV)或1.06μm的銣釔鋁石榴石(Nd:YAG)相比較)的能力。
另一值得思考的因素是與用一脈衝雷射光束在相當高的重複率下持續且精確地撞擊一系列相當小的、快速移動的小滴相關的困難。例如，一些高容量EUV光源可能需要小滴的照射，該等小滴具有大約5-50μm的直徑且在重複率超過30kHz時以大約50-100m/s的速度移動。儘管LPP系統設計的一個目標可能是為了提供一持續的、精確計時的一連串目標材料小滴，但是其必須克服小滴穩定性的不足，可藉由快速地操控、聚焦且在某些情況下改變照射雷射光束的焦度。此外，將該光束精確地聚焦至具有最小光行差的一相當小的聚焦點也是可取的。當該雷射是一高功率、多模式的雷射時，可能是特別具有挑戰性的。
記住如上所述，申請人揭露用以在EUV光源中遞送驅動雷射光束之系統與方法。
 發明概要
在一第一層面，本文所描述的一EUV光源裝置可包含一雷射光束，其沿一光束路徑傳播，該光束路徑的至少一部分沿一線性軸對齊；一材料，其用以與在一照射位置上的該雷射光束相互作用以產生一EUV光發射電漿；一第一反射體，其具有一焦點，該第一反射體被定位以使該焦點在該線性軸上，該第一反射體接收沿該光束路徑的雷射光；及一第二反射體，其接收由該第一反射體反射的雷射光且將該雷射光指向該照射位置。
在本文所描述的一實施例中，該光源可進一步包含一容器，該照射位置可在該容器內且該第一反射體可被定位於該容器內並暢通地與該照射位置傳遞(in fluid communication)。
在本文所描述的一特定的實施例中，該EUV光源可進一步包含具有一在該照射位置上的第一焦點及一第二焦點的一EUV反射鏡，該EUV反射鏡可沿該線性軸被定位以將該EUV反射鏡置於該第一反射體與該照射位置之間。
在此層面的一配置中，該EUV光源可進一步包含產生該雷射光束的一雷射裝置，該雷射裝置包含至少一反射光學元件，該反射光學元件建立通過該照射位置的一光束路徑且其中當該材料在該照射位置時，該材料與該光學元件協作以在其間建立一光學空腔，且其中該雷射裝置進一步包含一增益介質，其可受激以在該空腔內建立超過光學損失的光學增益以產生照射該材料的一雷射光束。
在一設定中，該反射光學元件可傳播一波長λ的光，且該EUV光源可進一步包含一透過該反射光學元件傳遞具有一波長λ的一對準雷射光束的對準雷射，及接收從該第二反射體反射後的該對準雷射光束的一監測器。
在本文所描述的一實施例中，該第二反射體可被安裝於一傾斜致動器上。
在本文所描述的一特定的實施例中，該第一反射體可具有一校正過的抛物線形。
在此層面的一配置中，該第二反射體可由一平面的反射面形成，且在另一配置中，該第二反射體可由一曲面的反射面形成。
在一設定中，該雷射裝置可具有包含CO2 的一增益介質且該材料可包含錫。
在本文所描述的一實施例中，該EUV光源可進一步包含一可適性光學元件，其可調整以選擇性地改變在該第一反射體上的該光束之光束寬度及散度。
在另一層面中，本文所描述的一EUV光源裝置可包含一光學元件，其用以反射波長λ1 的光，且傳播波長λ2 的光，其中λ1 ≠λ2 ；一材料，當該材料在一照射位置時，其與該光學元件協作以在其間建立一光學空腔；一增益介質，其可受激以在該空腔內建立超過光學損失的光學增益以產生照射該材料的一雷射光束以產生一EUV光發射；一對準雷射，其被定位以透過該反射光學元件傳遞具有一波長λ2 的一對準雷射光束；一監測器，其接收該對準雷射光束以驗證該空腔內至少一光學元件的一對準。
在本文所描述的一特定的實施例中，該材料可以是一液滴。
在此層面的一配置中，該EUV光源可被配置有λ1 >5μm且λ2 <1μm。
在另一層面中，本文所描述的一EUV光源裝置可包含一雷射光束，其沿一光束路徑傳播；一光學元件，其將該雷射光束聚焦於該光束路徑上的一照射位置；一材料，其用以與在該照射位置上的該雷射光束相互作用以產生一EUV光發射電漿；一監測器，其量測一光束參數且輸出表示它的一信號；及一可適性光學元件，其響應該信號以修改該雷射光束以使其在該聚焦光學元件上具有一預選的光束散度及光束寬度。
在此層面的一實施例中，該可適性光學元件包含第一與第二光學元件，其中該第一光學元件相對於該第二光學元件是可移動的。
在此層面的一特定的實施例中，該可適性光學元件包含至少一可變形的光學元件。
在此層面的一特定的配置中，該光束參數可以是散度。
在此層面的一設定中，該光束參數可以是波前。
在此層面的一特定的配置中，該光束參數可以是光束寬度。
圖式簡單說明
第1圖依據本揭露的一層面，顯示一雷射產生電漿EUV光源的一簡化的示意圖；第2圖顯示一EUV光源的簡化部分示意圖，其具有一主振盪器功率放大器(MOPA)驅動雷射、一離軸抛物面聚焦鏡及一光束成形子系統；第3圖顯示一EUV光源的簡化部分示意圖，其具有一自定標驅動雷射、一離軸抛物面聚焦鏡及一光束成形子系統；第4圖顯示一EUV光源的簡化部分示意圖，其具有一自定標驅動雷射及一卡塞格林(Cassegrainian)聚焦子系統；第5圖顯示一卡塞格林聚焦子系統的一部分詳細圖；第6圖顯示用以將一光束供給(present)具有諸如光束寬度或散度的一預選的光束參數的一聚焦子系統的一控制迴路的一實施例；第7-11圖顯示適於作為一光束成形子系統使用的各種光學組態；第12圖說明一第一系統設備，其中一光束聚焦子系統沿該光束路徑與該光束成形系統距離D1 分隔開；第13圖說明一第二系統設備，其中一光束聚焦子系統沿該光束路徑與該光束成形系統距離D2 分隔開；及第14圖是一流程圖，顯示離一光束成形子系統不同距離D上使用一共用的校正聚焦光學元件的一方法。
 較佳實施例之詳細說明
首先參考第1圖，其顯示一EUV光源的一示意圖，例如，一雷射產生電漿，依據一實施例的一層面的EUV光源10。如第1圖中所示，且如以下進一步的細節中所述，該EUV光源10可包括用以產生一光脈衝列且將其遞送至一照射位置14的一系統12。如圖所示，該系統12可包括用以產生脈衝(在某些情況下可包括一個或多個主脈衝及一個或多個預脈衝(pre-pulse))的一裝置16。例如，該裝置16可包括一增益介質，諸如包括CO2 的一氣體，及一激發系統。
第1圖中還顯示，該系統12還可包括一個或多個光束處理子系統(以虛線顯示，以代表可取捨的元件)，其可包括一光束成形子系統18，例如，以選擇性地改變光束散度、光束寬度、波前等、一光束操控子系統20及/或一光束聚焦子系統22。儘管在第1圖中以分離的子系統來顯示此等系統且以相對於該裝置16的一特定的順序來顯示該等子系統，應了解的是，一個或多個光學元件可在兩個或多個子系統中起作用，例如，一面鏡既可起操控作用又可起聚焦作用，該子系統順序可以改變，例如，該光束可於操控之前先被聚焦等，且針對一些應用，一個或多個該等子系統18、20、22可被去除，例如，光束成形可能是不必要的。諸如一隔離器(未顯示)的其他元件可被提供以將該系統12的一部分或該系統12的全部與至少一些下游反射隔離。針對該EUV光源10，一光脈衝可從該系統12沿一光束路徑傳播且進入腔室24以照射在一照射位置14上的一各自的目標小滴26，例如，在鏡28的一焦點上或在其附近。
裝置14可包括一個或多個雷射及/或燈，該等雷射及燈用以提供一個或多個主脈衝，且在某些情況下提供一個或多個預脈衝。第1圖中顯示的適於在該裝置14中使用的雷射可包括一脈衝雷射裝置，例如，產生9.3μm或10.6μm發射的一脈衝式氣體放電CO2 雷射裝置，例如，利用直流(DC)或射頻(RF)激發，在相當高功率下操作，例如，10kW或更高，且在高脈衝重複率下操作，例如，50kHz或更多。在一特定的實施態樣中，該雷射可以是一射頻幫浦CO2 雷射，其具有一多階放大MOPA組態且具有一種子脈衝，其藉由一具有低能量及高重複率的Q切換主振盪器(MO)啟動，例如，可在100kHz下操作。從該主振盪器(MO)，該雷射脈衝可接著被放大，例如，使用RF幫浦式快軸向流的CO2 放大器。以下提供關於一特定的MOPA配置的細節。可選擇地，該雷射可被組配為一所謂的「自定標」雷射系統，其中該小滴作為該光學空腔的一面鏡。在一些「自定標」配置中，一主振盪器可能不是必需的。以下提供關於一特定的自定標配置的細節。
取決於應用，其他類型的雷射可能也是適用的，例如，在高功率及高脈衝重複率操作的一準分子或分子氟雷射。範例包括，一固態雷射，例如，具有一光纖或碟形的增益介質、一MOPA組配準分子雷射系統，例如，如美國專利第6,625,191號案、第6,549,551號案及第6,567,450號案中所示，一準分子雷射具有一個或多個腔室，例如，一個振盪器腔室及一個或多個放大器腔室(該等放大器腔室平行或串聯)、一主振盪器/功率振盪器(MOPO)配置、一功率振盪器/功率放大器(POPA)配置，或播種一個或多個準分子或分子氟放大器或振盪器腔室的一固態雷射，也可能是適用的。其他設計也是可能的。
如第1圖中進一步所示，該EUV光源10還可包括一目標材料遞送系統30，例如，將一目標材料之小滴26遞送進一腔室24的內部以至該照射位置14，該等小滴將在該照射位置14上與一個或多個光脈衝，例如，零個、一個或多個預脈衝相互作用且之後與一個或多個主脈衝相互作用，以最終產生一電漿且產生一EUV發射。該目標材料可包括，但不一定局限於，包括錫、鋰、氙或其組合的一材料。該EUV發射元素，例如，錫、鋰、氙等，可以是液滴形式及/或液滴內包含的固態微粒形式。例如，該元素錫可作為純錫使用，作為一錫化合物使用，例如，SnBr4 、SnBr2 、SnH4 ，作為一錫合金使用，例如，錫-鎵合金、錫-銦合金、錫-銦-鎵合金，或作為其組合使用。取決於使用的材料，該目標材料可在各種溫度下出現在該照射位置14，包括室溫或接近室溫(例如，錫合金、SnBr4 )或一高溫，(例如，純錫)或低於室溫的溫度，(例如，SnH4 )，且在某些情況下，可以是相當揮發性的，例如，SnBr4 。在共同審查中美國專利申請案序列號第11/406,216號案申請於2006年4月17日，名稱為ALTERNATIVE FUELS FOR EUV LIGHT SOURCE，代理人案號2006-0003-01中提供更多關於一LPP EUV光源中的此等材料使用的細節，其內容在此併入本案以為參考資料。
繼續參見第1圖，該EUV光源10還可包括一鏡28，例如，一截斷長橢球體形式的一集光鏡，其具有，例如，以鉬與矽的交替層塗佈的一階段性多層。第1圖顯示該鏡28由一孔徑而形成，以允許藉由該系統12產生的該等光脈衝通過且到達該照射位置14。如圖所示，該鏡28可以是，例如，一長橢球體鏡，其具有在該照射位置14內或在該照射位置14附近的一第一焦點及在一所謂的中間區域40上的一第二焦點，在該中間區域40上，該EUV光可從該EUV光源10輸出且輸入至可利用EUV光的一裝置，例如，一積體電路微影術工具(未顯示)。應了解的是，其他光學元件也可替代該長橢球體鏡使用，用以收集光且將其指向用以隨後將其遞送至一可利用EUV光的裝置的一中間位置，例如，該光學元件可以是抛物面的或可被組配以將具有一環狀橫截面的光束遞送至一中間位置，請參見共同審查中美國專利申請案序列號第11/505,177號案申請於2006年8月16日，名稱為EUV OPTICS，代理人案號2006-0027-01，其內容在此併入本案以為參考資料。
繼續參見第1圖，該EUV光源10還可包括一EUV控制器60，其還可包括一引發控制系統65，其用以在該系統12中觸發一或多個燈及/或雷射裝置以由此產生用以遞送進入該腔室24內的光脈衝。該EUV光源10還可包括一小滴位置偵測系統，其可包括一個或多個小滴成像器70，該等小滴成像器70提供指示一個或多個小滴之位置的輸出，例如，相對於該照射位置14。該(等)成像器70可為一小滴位置偵測回饋系統62提供此輸出，例如，其可計算一小滴位置及軌跡，由此可計算一小滴誤差，例如，藉由逐小滴的基礎或平均值來計算。該小滴誤差可接著作為一輸入提供給該控制器60，例如，其可將一位置、方向及/或時序校正信號提供給該系統12以控制一光源時序電路及/或控制一光束成形子系統18及/或光束操控子系統20，例如，以改變被遞送至該腔室24中的該照射位置14的該等光脈衝的位置及/或焦度(focal power)。
該EUV光源10可包括一個或多個EUV度量儀器，其用以量測由該光源10產生的該EUV光的各種性質。此等性質可包括，例如，強度(例如，總強度或一特定的光譜帶中的強度)、光譜頻寬、偏極化、光束位置、指向、角分佈等。針對該EUV光源10，該(等)儀器可被組配以當下游工具，例如，微影術掃描器在線上時操作，例如，藉由取樣該EUV輸出的一部分，例如，使用一折返鏡(pickoff mirror)或取樣「未被收集的」EUV光，及/或可在該下游工具，例如，微影術掃描器離線時操作，例如，藉由量測該EUV光源10的全部EUV輸出。
如第1圖中進一步所示，該EUV光源10可包括一小滴控制系統90，可響應來自該控制器60的一信號而操作(在一些實施態樣中可包括上述的該小滴誤差，或一些由此獲得的量)，例如，以修改來自一小滴源92的該目標材料的釋放的點及/或修改小滴形成時序，以針對該等小滴到達所期望的照射位置14的誤差而校正及/或使小滴的產生與該脈衝雷射系統12同步。
關於各種小滴分配器組態及其相關優勢的更多細節可在下列文獻中找到：共同審查中美國專利申請案序列號第11/827,803號案申請於2007年7月13日，名稱為LASER PRODUCED PLASMA EUV LIGHT SOURCE HAVING A DROPLET STREAM PRODUCED USING A MODULATED DISTURBANCE WAVE，代理人案號2007-0030-01，共同審查中美國專利申請案序列號第11/358,988號案申請於2006年2月21日，名稱為LASER PRODUCED PLASMA EUV LIGHT SOURCE WITH PRE-PULSE，代理人案號2005-0085-01，共同審查中美國專利申請案序列號第11/067,124號案申請於2005年2月25日，名稱為METHOD AND APPARATUS FOR EUV PLASMA SOURCE TARGET DELIVERY，代理人案號2004-0008-01及共同審查中美國專利申請案序列號第11/174,443號案申請於2005年6月29日，名稱為LPP EUV PLASMA SOURCE MATERIAL TARGET DELIVERY SYSTEM，代理人案號2005-0003-01，各該共同審查中美國專利申請案的內容在此併入本案以為參考資料。
第2圖顯示一系統12’的一特定的實施例，該系統12’用以產生一光脈衝列且將其遞送至一照射位置14’。如下所示，該系統12’可包括產生脈衝的一裝置16’，一光束成形子系統18，一光束操控子系統及一光束聚焦子系統。參見特定的實施例進一步如下所示，該光束成形子系統18可包括一個或多個光學元件，其用以改變光束形狀，諸如光束寬度W，或散度θ，且可以是固定的，可調的或響應一控制信號而為可調的(如下所述，一所謂的可適性光學配置)。如圖所示，該裝置16’可包括一振盪器200，其播種具有沿一光束路徑208串聯配置的一放大器腔室鏈206a-c的一放大器，每個腔室具有其自身增益介質及激發源，例如，激升電極(pumping electrode)。針對該裝置16’，該振盪器200/放大器206a-c的結合可用以產生一波長λ1 ，諸如10.6μm的一脈衝列。
例如，該振盪器200可以是一傾腔(cavity-dumped)或一Q切換的脈衝式CO2 主振盪器(MO)，其具有相對低能量與較高重複率，例如，可在100kHz下操作。針對該裝置16’，該多腔室光學放大器206a、b、c可具有一增益介質，該增益介質可光學放大9.3-10.6μm範圍內的一個或多個波長，例如，一高增益(且在某些情況下)連續波(CW)幫浦的CO2 雷射放大器。儘管顯示三個放大器腔室206a-c，應了解的是，多於三個且少至一個放大器腔室也可在第4圖中顯示的該實施例中使用。關於具有一個振盪器與三個放大器(O-PA1-PA2-PA3組態)的一適用的CO2 雷射裝置的進一步細節在美國專利申請案序列號第11/174,299號案申請於2005年6月29日，且名稱為，LPP EUV LIGHT SOURCE DRIVE LASER SYSTEM，代理人案號2005-0044-01中被揭露，其全部內容在此併入本案以為參考資料。
第2圖還顯示該系統12’包括具有一聚焦光學元件208的一光束聚焦子系統，如圖所示，可被配置於該腔室24’中且暴露於電漿產生的碎片，且可包括被配置以將一光束聚焦於在該照射位置14’上的一聚焦點的一或多個鏡子、棱鏡、透鏡等。針對該系統12’，如圖所示，該光學元件208可以是一離軸抛物面鏡。如下進一步所示，該離軸抛物面鏡可被校正(即根據具有一均勻反射率的一完美抛物線來修改)以縮小具有一預選的光束散度θ，且/或光束寬度W的入射光的光行差。
繼續參見第2圖，可看到，該系統12’還可包括具有三面操控鏡210、212、214的一光束操控子系統。儘管顯示了三面鏡，應了解的是，多於三面或少至一面操控鏡也可用以操控該光束。此外，儘管顯示了多面鏡，應了解的是，其他諸如棱鏡的光學元件也可被使用且一個或多個該等操控元件可被定位於該腔室24內且暴露於電漿產生的碎片中。請參見範例，美國專利申請案序列號第11/358,992號案申請於2006年2月21日，且名稱為LASER PRODUCED PLASMA EUV LIGHT SOURCE，代理人案號2005-0081-01，其全部內容在此併入本案以為參考資料。針對顯示的該實施例，每一平面鏡210、212、214可被固定於一各自的傾斜致動器216、218、220上，該傾斜致動器216、218、220可在二維內獨立的移動每面鏡210、212、214。
第3圖顯示一系統12”的另一特定的實施例，該系統12”用以產生一光脈衝列且將其遞送至一照射位置14”。如下所示，該系統12”可包括產生脈衝的一裝置16”，一光束成形子系統18’，一光束操控子系統及一光束聚焦子系統。
參見特定的實施例如下進一步所示，該光束成形子系統18’可包括一個或多個光學元件，該等光學元件用以改變諸如光束寬度W，或散度θ的光束形狀，且可以是固定的，可調的或響應一控制信號而為可調的(如下所述，一所謂的可適性光學配置)。
如圖所示，該裝置16”可包括具有沿該光束路徑302串聯配置的一放大器腔室鏈300a-c的一放大器，每個腔室具有其自身增益介質及激發源，例如，激升電極。針對該裝置16”，該放大器16”可包括一個或多個放大器腔室，例如，RF幫浦且快軸向流的CO2 放大器腔室(如上所述)，具有一組合的單次增益，例如1,000-10,000，用以放大一波長λ1 的光，例如10.6μm。
在第3圖中可進一步看到，一光學元件304可被配置於該光束路徑302上以沿著該光束路徑304將該等放大器腔室300a-c置於該照射位置14”與光學元件302之間。如圖所示，該系統12”還可包括一對準雷射源306，該對準雷射源306產生一對準雷射光束，該對準雷射光束具有一波長λ2 ，例如<1μm，且在可見光譜中更典型地是例如300-900nm。該對準雷射源306可被定位以透過該光學元件304指向其雷射光束且到該光束路徑302上。針對該系統12”，該光學元件302可被組配以針對具有一波長λ1 的光呈高度反射，且針對具有一波長λ2 的光呈高度透射。如圖所示，一監測器308可被定位以接收該對準雷射光束，在此實例中為來自雷射輸入窗310的一反射，以驗證沿該光束路徑302被定位於該光學元件304與窗310之間的該等光學元件的對準。
第3圖進一步顯示一小滴產生器92’，其可被定位以遞送在與該光束路徑302相交的一路徑上移動的一系列小滴26’。在此相交期間，來自該小滴產生器的一小滴可反射沿該光束路徑302的光，與該光學元件304協作以建立通過該等放大器腔室300a-c的一光學空腔。尤其是該配置被組配以使當該增益介質受激產生用以照射該小滴26’的一雷射光束，產生一電漿且產生一EUV光發射時，該小滴的反射率足以使該空腔內的光學增益超過光學損失。利用此配置，該光學元件304、放大器300a-c及小滴26’組合以形成一所謂的「自定標」雷射系統，其中該小滴作為該光學空腔的一面鏡(一所謂的電漿鏡或機械q切換)。自定標雷射系統在美國專利申請案序列號第11/580,414號案申請於2006年10月13日，名稱為DRIVE LASER DELIVERY SYSTEMS FOR EUV LIGHT SOURCE，代理人案號2006-0025-01中被揭露且被請求，其全部內容在此併入本案以為參考資料。
第3圖還顯示該系統12”可包括一光束聚焦子系統，該光束聚焦子系統具有一聚焦光學元件208，例如，如上所述的離軸抛物面鏡。還可看到的是，該系統12”可包括具有三面操控鏡210、212、214的一光束操控子系統，如上所述，每一操控鏡210、212、214被固定於一各自的傾斜致動器216、218、220上。
第4圖顯示一系統12’’’的另一特定的實施例，該系統12’’’用以產生一光脈衝列且將其遞送至一照射位置14’’’，系統12’’’具有與第2圖與第3圖中顯示的該等實施例一樣的一個或多個元件。如圖所示，該系統12’’’可包括產生脈衝的一裝置16”、一光束成形子系統18a、一光束操控子系統及一光束聚焦子系統22’。
第4圖顯示一光束成形子系統18a的一第一特定的實施例，該光束成形子系統18a具有正透鏡398、400，該等正透鏡398、400沿該光束路徑302被分開且被配置以將該光束聚焦於該等透鏡398、400之間的一腰部。利用此配置，該光束形狀可被改變使得一預選的光束寬度W及/或散度θ可在該子系統18a的下游的一預選的距離(沿該光束路徑302量測)上獲得。更特別地，該等透鏡398、400之間沿該路徑的距離決定在一預選的下游位置上的該光束寬度W及/或散度θ。針對該系統12”，透鏡398、400之間的距離可以是固定的、可調的或響應一控制信號而為可調的(如下所述，一所謂的可適性光學配置)。例如，該等透鏡中的一個或兩個可被固定於一致動器上，例如，步進馬達及/或壓電致動器。
如第4圖中所示，該裝置16”可包括一放大器，該放大器具有一放大器腔室鏈300a-c，該放大器腔室鏈300a-c沿該光束路徑302串聯配置，每個腔室具有其自身增益介質及激發源，例如，RF幫浦式的快軸向流CO2 放大器腔室(如上所述)，具有一組合的單次增益，例如，1,000-10,000，用以放大一波長λ1 的光，例如，10.6μm。
在第4圖中可進一步看到，一光學元件304可被提供，如上所述，例如，被組配以針對具有一波長λ1 的光呈高度反射，且針對具有一波長λ2 的光呈高度透射。如圖所示，該系統12”還可包括一對準雷射源306’，該對準雷射源306產生一對準雷射光束，該對準雷射光束具有一波長λ2 ，例如<1μm且在可見光譜中更典型地是例如300-900nm。該對準雷射源306’可被定位以透過該光學元件304指向其雷射光束且到該光束路徑302上。如圖所示，一監測器308’，如上所述，可被定位以接收該對準雷射光束，在此實例中為來自反射體402的一表面的一反射，以驗證沿該光束路徑302被定位於該光學元件304與反射體402之間的該等光學元件的對準。
第4圖進一步顯示一小滴產生器92’，其可被定位以遞送在與該光束路徑302相交的一路徑上移動的一系列小滴26’。在此相交期間，來自該小滴產生器的一小滴可沿該光束路徑302反射光，與該光學元件304協作以建立通過該等放大器腔室300a-c的一光學空腔。如上所述，利用此配置，組合該光學元件304、放大器300a-c及小滴26’以形成一所謂的「自定標」雷射系統。
第4圖還顯示該系統12’’’可包括一光束操控子系統，該光束操控子系統具有被固定於如上所述的一傾斜致動器216’上的操控鏡210’、一轉鏡(turning mirror)404及具有一反射體402及反射體406的一光束聚焦子系統22’。如圖所示，轉鏡404將該光束指向沿線性軸408對齊的光束路徑302的一部分上。
第5圖顯示該光束聚焦子系統22’的更詳細的細節。如此處所見，該聚焦子系統22’可包括具有一焦點410的反射體406。針對該子系統22’，該反射體406被定位以使焦點410在該線性軸408上，且該反射體402被定位以接收來自該反射體406的光並將該雷射光指向該照射位置14’’’。此光學配置及其變化，有時稱為所謂的「卡塞格林系統(Cassegrainian system)」。
針對該子系統22’，該光學元件208可以是將入射平行光彙集至一聚焦點的抛物面鏡，且可被校正(即根據具有一均勻反射率的一完美抛物線來修改)以縮小具有一預選的光束散度θ及/或光束寬度W的入射光的光行差。第5圖顯示該等反射體402、406中的一個或兩個可被定位於該腔室24’內，以流暢地與該照射位置14’’’傳遞且可被暴露於電漿產生的碎片中。如上所示，諸如使用9.3μm或10.6μm的相當長波長的光，可允許自塗佈諸如錫的電漿源材料的表面的相當強反射。如第5圖中所示，該EUV反射鏡28’可沿該線性軸被定位於該反射體406與該照射位置14’’’之間。反射體402可具有一平面或曲面412，其也可被校正以縮小該子系統22’內的光行差。此外，該反射體402既可在適當的位置及/或方向固定，又可在適當的位置及/方向移動或如圖所示，還可耦接至一傾斜致動器414(可以或可以不用配置於該腔室24’內)而操作，該傾斜致動器414用以在二維內移動獨立的該反射體402，例如，響應一控制信號。另一致動器(未顯示)可用以沿該線性軸408選擇性地移動該反射體402。儘管該聚焦子系統22’被顯示與第4圖中的該「自定標」雷射源16”組合使用，應了解的是，其也可與包括在第3圖中顯示的該MOPA源16”的其他源組合使用。
針對第4圖中顯示的該配置，一單一窗416可用以將該腔室26’的接近真空的環境與該增益介質分隔，例如，該腔室300c內含有CO2 的氣體。這允許從該裝置16”至該照射位置14’’’的所有該等光學元件在接近真空的環境內。可選擇地，一雷射輸入窗可被置於該鏡210’、子系統18a或鏡404的下游。
針對一些應用，在第4圖中顯示的該配置與第3圖中顯示的該配置相比，可能是有優勢的，其優勢在於可降低最終聚焦光學元件的光行差敏感度，而第3圖中顯示的該離軸抛物面聚焦鏡對輸入角的光行差具有極大敏感度。此外，在某些實例中，第3圖中顯示的該實施例可能需要一有些繁複的巢套迴圈控制系統以恰當地操控該光束，而在第4圖中顯示的該配置，在某些實例中，可能無需該鏡210’與該反射體402之間的巢套迴圈控制而被實施(即僅利用該反射體的移動即可實現指向控制)。第5圖中顯示針對該配置的一附加的優勢，其中該對準雷射涉及該光學元件304與反射體402之間的所有光學元件而第3圖中的該對準雷射僅涉及該雷射輸入窗308的光學元件。此外，第4圖的該卡塞格林配置迫使該裝置16”在具有圓環或環形橫截面的一光束上操作，在某些實例中可使增益擷取更佳。記住以上所述，應了解的是，其他因素/考慮可使第3圖的該實施例在一些應用中為較佳的。
針對光束成形、脈衝成形、聚焦、操控及/或調整該脈衝焦度(focal power of pulse)的其他配置在共同審查中美國專利申請案序列號第11/358,992號案申請於2006年2月21日，名稱為LASER PRODUCED PLASMA EUV LIGHT SOURCE，代理人案號2005-0081-01中被揭露，其內容在此併入本案以為參考資料。
第6圖顯示一實施例，該實施例具有將一雷射光束輸出至一光束路徑450上的一裝置16及沿該光束路徑450被配置的一光束成形子系統18。如圖所示，一光學元件452，例如，折返鏡(pickoff mirror)或分光鏡，可被定位於用以將該光束的一些或全部指向一監測器454的該光束成形子系統18的下游(在某些實例中，該光學元件452可被置於靠近或接近該聚焦子系統22的上游)。利用此配置，一個或多個光束參數可被量測且若有必要可調整該聚焦子系統22的上游。例如，該監測器454可量測光束寬度，(例如，該光束的直徑，其中具高斯強度分佈的光束之強度已降至1/e)，波前及/或散度，例如，針對具有環形橫截面一光束可藉由下列算式計算：
θ=2arctan((W f -W i )/2l )
其中W i ,W f 是兩分離點上的該光束寬度且(l )是此等點之間的距離。針對此等目的而言，該監測器454可包括諸如一哈特曼-夏克(Hartman-Shack)監測器的一監測器，其用以量測散度或波長，用以量測散度的一光學機構，例如具有一干涉儀等。可選擇地，多重分光鏡/監測器可用以沿該光束路徑量測兩個位置上的該光束寬度以計算散度。一旦被量測，該監測器454可產生表示該被量測的光束參數的一信號且經由線458將該信號傳遞至一控制器456。控制器456可接著使用該信號(單獨或與一個或多個先前信號及/或一控制演算法一起)以產生接著經由線460傳遞至該光束成形子系統18的一控制信號。儘管作為分離元件顯示，應了解的是，該監測器454與控制器456可整合於一共用的單元內，共享共用的電路板、輸入/輸出(I/O)等。響應該控制信號，光束成形子系統18可改變以調整一個或多個光束參數，使得一預選的光束寬度、散度、波前等被供給該聚焦子系統18。
第4、7-11圖顯示光學組態的範例(由18a-f表示)，其可作為第6圖中的該光束成形子系統18而使用(也注意到，每一個此等組態18a-f可用以第1-6圖及第7-8圖中顯示的該實施例中(如下所述))。如上所示，第4圖中顯示的該光束成形子系統18a可包括一對正透鏡398、400，在其間產生一光腰，其間距離可響應一控制信號來修改，以改變離開該子系統18a的該光束之光束散度及/或光束寬度。
第7圖顯示一光束成形子系統18b，其可包括沿一光束路徑460與一正透鏡464相隔的一負透鏡462，響應一控制信號其間距離可被修改(例如，藉由在箭頭466方向移動透鏡464)以改變離開該子系統18b的該光束之光束散度及/或光束寬度。針對該子系統18b，透鏡462、464中的任一個透鏡還可作為該電漿腔室24的一雷射輸入窗使用或作為維持該腔室內的該雷射增益介質的一雷射腔室輸出窗使用。
第8圖顯示一光束成形子系統18c，其可包括沿一光束路徑被定位的可選擇性變形的一鏡470(例如，藉由改變該反射面的凹度)，其響應一控制信號以改變離開該光束子系統18c的光束之光束散度及/或光束寬度。針對該子系統18c，該鏡470可包括一可機械變形或熱變形的撓性件，或該鏡470可包括藉由一各自的致動器可被獨立移動以改變該反射面的多個小平面。
第9圖顯示一光束成形子系統18d，其可包括兩面分隔開的棱鏡480、482，該等棱鏡480、482沿一光束路徑被定位，一面棱鏡或兩面棱鏡在該光束路徑上是可旋轉的，其可響應一控制信號以改變離開該子系統18d的光束之光束散度及/或光束寬度。
第10圖顯示一光束成形子系統18e，其可包括一光學元件490，例如，該光學元件490可以是沿一光束路徑被定位的一棱鏡(如圖所示)或一透鏡(未顯示)，其可藉由一溫度控制單元492被加熱/冷卻，例如，加熱器，其響應一控制信號以改變該光學材料的折射率且由此改變離開該子系統18e的光束之光束散度及/或光束寬度。
第11圖顯示一光束成形子系統18f，其可包括一光學元件494，例如，該光學元件494可以是一透鏡(如圖所示)，其沿一光束路徑被定位，其可變形，例如，機械變形及/或被加熱/冷卻變形以改變該等光學材料的折射率，其響應一控制信號以由此改變該子系統18f的光束之光束散度及/或光束寬度。如圖所示，該光學元件還可作為一雷射腔室496的一輸出窗。
第12圖顯示一第一系統12a的一第一設備，其用以產生一光脈衝列且將其遞送至一照射位置14a，該第一系統12a具有產生脈衝的一裝置16a、一光束成形子系統18a及一沿該光束路徑498a與該光束成形子系統18a分離距離D1 =a+b的光束聚焦子系統22a。
第13圖顯示一第二系統12b的一第二設備，其用以產生一光脈衝列且將其遞送至一照射位置14b，該第二系統12b具有產生脈衝的一裝置16b、一光束成形子系統18b及一沿該光束路徑498b與該光束成形子系統18b分離距離D2 =c+d(其中D1 ≠D2 )的一光束聚焦子系統22b。此等不同設備可能事實上是由於設計及不同製造位置的平面圖中的變化而產生的。針對該等兩個系統，該等光束成形子系統18a、b的一單一的、共同的設定將產生到達該等各自的光束聚焦子系統22a、b的不同光束參數的光束，例如，光束寬度、散度、波前等，取決於自由空間光束傳播及擴展的不同量。但是，如上所示，該等光束聚焦子系統22a、b中的光學元件可以是，例如，一卡塞格林配置中的近抛物面反射體(請參見第5圖)或可被校正的一離軸拋物面(請參見第2圖及第3圖)(即根據具有一均勻反射率的一完美拋物線來修改)以縮小具有一預選的光束散度θ，且/或光束寬度W的入射光的光行差。一解決方案將為每個設備提供具有一唯一校正的一反射體。申請人提出一更簡單，成本更低的解決方案。
如第14圖中所示，用於使用自一光束成形子系統的在不同距離D上的相同校正聚焦光學元件的一方法可包括測定步驟，例如，在沿該雷射光束路徑的一第一位置(例如，第12圖)量測一個或多個光束參數諸如散度θ及/或光束寬度W，且該第一位置在一第一光學路徑長度距離D1 (方框500)。下一步，設計且產生適於在該第一位置使用的一校正反射聚焦光學元件(即當聚焦具有散度θ1 及寬度W1 的光時，最佳化以將光行差最小化)(方框502)。一旦設計及產生了，該相同的光學元件組態可被使用在沿該雷射光束路徑的一第二位置，該第二位置在一第二光學路徑長度距離D2 (方框504)，藉由修改該雷射光束使得該光束在該第二位置具有散度θ1 及光束寬度W1 (方框506)。
如此處使用，術語「光學元件」及其衍生詞包括，但不一定局限於，一個或多個反射及/或透射及/或在入射光上操作的元件且包括，但不限於，一個或多個透鏡、窗、濾波器、楔(wedge)、棱鏡、棱鏡與光柵的組合體(grism)、光柵、傳輸光纖、法布里-珀羅干涉儀、漫射體、均質機、偵測器及其他儀器元件、輸入孔徑、旋轉三稜鏡及/或包括多層鏡、近正入射鏡、掠入射鏡、鏡面反射體及漫射反射體的鏡。此外，除非特別指出，本文使用的術語「光學元件」及其衍生詞均不意味著限於單獨操作的元件或在一個或多個特定的波長範圍內具有優勢，諸如，在該EUV輸出光波長、該照射雷射波長、適於度量的一波長或其他波長。
被要求以滿足35 U.S.C. §112的本申請案中所詳細描述及說明的該(等)特定的實施例充分具有獲得一個或多個上述該等目的的能力，該等目的針對解決的問題，或針對任何其他原因或上述該(等)實施例的目的，熟於此技術領域者應了解的是，上述該(等)實施例僅為示範性的、說明性的及代表性的藉由本申請案廣泛地考量的標的。在以下申請專利範圍內涉及的單數的一元件並不欲意味著或不應意味著將此申請專利範圍元件解譯為「一個且僅一個」除非明確表示，否則解譯為「一個或多個」。被該技藝中具有通常知識者已知的或未來將被此等該技藝中具有通常知識者所知的所有結構性與功能性等效於上述該(等)實施例的任何元件被明確地在此併入本案以為參考資料且欲藉由本申請專利範圍被包含在內。在說明書及/或在申請專利範圍中使用的任何用語且在本申請案中的說明書及/或專利申請範圍中給定明確意義的任何用語應具有此意義，不管任何字典中使用的針對此用語的意義或其他通常使用的針對此用語的意義。針對在說明書中論述的一裝置或方法不欲或不必將其作為用以處理或解決此申請案中論述的每一個問題的一實施例，因為其藉由本申請案被包含在內。本揭露中的元件、組件，或方法步驟不欲貢獻給公眾，不管該元件、組件，或方法步驟是否在申請專利範圍中被明確列舉(recite)。後附申請專利範圍中的所請元件沒有要根據法條35 U.S.C. §112第6段被解讀，除非明確使用「用以…的裝置(mean for)」來列舉，或針對一方法請求項而言，將該元件列舉為一「步驟(step)」，而不是一個「動作(act)」。
10．．．EUV光源/光源
12、12’、12”、12’’’．．．系統
12．．．系統/脈衝雷射系統
12a．．．第一系統
12b．．．第二系統
14、14’、14”、14’’’、14a、14b．．．照射位置
16、16’、16”、16a、16b．．．裝置
16”．．．裝置/MOPA源/自定標雷射源
18、18’、18a、18b、18d、18e、18f．．．光束成形子系統/子系統
20．．．光束操控子系統/子系統
22、22’、22a、22b．．．光束聚焦子系統/子系統
24．．．腔室/電漿腔室
24、24’．．．腔室
26．．．目標小滴
26’．．．小滴
28、470．．．鏡
28’．．．EUV反射鏡
40．．．中間區域
60．．．EUV控制器/控制器
62．．．小滴位置偵測回饋系統
65．．．引發控制系統
70．．．小滴成像器/成像器
90．．．小滴控制系統
92．．．小滴源
92’．．．小滴產生器
200．．．振盪器
200a、200b、200c．．．放大器腔室
208．．．光束路徑/聚焦光學元件
210、212、214．．．操控鏡/平面鏡/鏡
210’．．．操控鏡/鏡
216、218、220、216’、414．．．傾斜致動器
300a、300b、300c．．．放大器腔室/放大器
300c．．．腔室
302、450、498a、498b．．．光束路徑
304、452、490、494．．．光學元件
306、306’．．．對準雷射源
308．．．監測器/雷射輸入窗
310．．．雷射輸入窗/窗
398、400、464．．．正透鏡/透鏡
402、406．．．反射體
404．．．轉鏡/鏡
408．．．線性軸
410．．．焦點
412．．．平面或曲面
416．．．單一窗
308’、454．．．監測器
456．．．控制器
458、460．．．線
462．．．負透鏡/透鏡
466．．．箭頭
480、482．．．棱鏡
492．．．溫度控制單元
496．．．雷射腔室
500、502、504、506．．．方框
D1、D2、D．．．距離
D1．．．距離/第一光學路徑長度距離61
D2．．．距離/第二光學路徑長度距離
第1圖依據本揭露的一層面，顯示一雷射產生電漿EUV光源的一簡化的示意圖；
第2圖顯示一EUV光源的簡化部分示意圖，其具有一主振盪器功率放大器(MOPA)驅動雷射、一離軸抛物面聚焦鏡及一光束成形子系統；
第3圖顯示一EUV光源的簡化部分示意圖，其具有一自定標驅動雷射、一離軸抛物面聚焦鏡及一光束成形子系統；
第4圖顯示一EUV光源的簡化部分示意圖，其具有一自定標驅動雷射及一卡塞格林(Cassegrainian)聚焦子系統；
第5圖顯示一卡塞格林聚焦子系統的一部分詳細圖；
第6圖顯示用以將一光束供給(present)具有諸如光束寬度或散度的一預選的光束參數的一聚焦子系統的一控制迴路的一實施例；
第7-11圖顯示適於作為一光束成形子系統使用的各種光學組態；
第12圖說明一第一系統設備，其中一光束聚焦子系統沿該光束路徑與該光束成形系統距離D1 分隔開；
第13圖說明一第二系統設備，其中一光束聚焦子系統沿該光束路徑與該光束成形系統距離D2 分隔開；及
第14圖是一流程圖，顯示離一光束成形子系統不同距離D上使用一共用的校正聚焦光學元件的一方法。
10．．．EUV光源/光源
12．．．系統/脈衝雷射系統
14．．．照射位置
16．．．裝置
18．．．光束成形子系統/子系統
20．．．光束操控子系統/子系統
22．．．光束聚焦子系統/子系統
24．．．腔室
26．．．目標小滴
28．．．鏡
40．．．中間區域
60．．．EUV控制器/控制器
62．．．小滴位置偵測回饋系統
65．．．引發控制系統
70．．．小滴成像器/成像器
90．．．小滴控制系統
92．．．小滴源

Claims (28)

  1. 一種極紫外線(EUV)光源，其包含：一雷射光束，其沿一光束路徑行進，該光束路徑的至少一部分沿一線性軸對齊；一材料，其用以與在一照射位置上的該雷射光束相互作用以產生一EUV光發射電漿；一第一反射體，其具有一焦點，該第一反射體被定位以使該焦點在該線性軸上，該第一反射體接收沿該光束路徑的雷射光；一第二反射體，其接收由該第一反射體反射的雷射光且將該雷射光導向該照射位置；以及一可適性光學元件，其可調整以選擇性地改變在該第一反射體的該雷射光束之光束寬度及散度。
  2. 如申請專利範圍第1項中所述的EUV光源，其中該光源進一步包含一容器，該照射位置在該容器內，且該第一反射體被定位於該容器中並與該照射位置呈流體連通。
  3. 如申請專利範圍第1項中所述的EUV光源，其進一步包含具有一在該照射位置的第一焦點及一第二焦點的一EUV反射鏡，該EUV反射鏡沿該線性軸被定位以將該EUV反射鏡置於該第一反射體與該照射位置之間。
  4. 如申請專利範圍第1項中所述的EUV光源，其進一步包含產生該雷射光束的一雷射裝置，該雷射裝置包含至少一反射光學元件，該反射光學元件建立一通過該照射位置的光束路徑，且其中當該材料在該照射位置時，該材 料與該光學元件協作以在其間建立一光學空腔，且其中該雷射裝置進一步包含一增益介質，該增益介質可受激以在該空腔中建立超過光學損失的光學增益，以產生用於照射該材料的一雷射光束。
  5. 如申請專利範圍第4項中所述的EUV光源，其中該反射光學元件傳播一波長λ的光，且該EUV光源進一步包含一傳遞具有一波長λ的一對準雷射光束通過該反射光學元件的對準雷射，及一接收從該第二反射體反射後的該對準雷射光束的監測器。
  6. 如申請專利範圍第1項中所述的EUV光源，其中該第二反射體被安裝於一傾/斜(tip/tilt)致動器上。
  7. 如申請專利範圍第1項中所述的EUV光源，其中該第一反射體具有一校正過的抛物線形狀。
  8. 如申請專利範圍第1項中所述的EUV光源，其中該第二反射體形成有一平面反射面。
  9. 如申請專利範圍第1項中所述的EUV光源，其中該第二反射體形成有一曲面反射面。
  10. 如申請專利範圍第1項中所述的EUV光源，其中該雷射裝置具有一包含CO2 的增益介質且該材料包含錫。
  11. 一種EUV光源，其包含：一光學元件，其用以反射波長λ1 的光，且傳播波長λ2 的光，其中λ1 ≠λ2 ；一材料，當該材料在一照射位置時，該材料與該光學元件協作以在其間建立一光學空腔； 一增益介質，其可受激以在該空腔中建立超過光學損失的光學增益，以產生用於照射該材料的一雷射光束以產生一EUV光發射；一對準雷射，其被定位以將具有一波長λ2 的一對準雷射光束通過該反射光學元件；及一監測器，其接收該對準雷射光束以驗證該空腔中至少一光學元件的對準。
  12. 如申請專利範圍第11項中所述的EUV光源，其中該材料是一液態微滴。
  13. 如申請專利範圍第11項中所述的EUV光源，其中λ1 >5 μm且λ2 <1 μm。
  14. 一種EUV光源，其包含：一雷射光束，其沿一光束路徑行進；一光學元件，其將該雷射光束聚焦於該光束路徑上的一照射位置；一材料，其用以與在該照射位置上的該雷射光束相互作用以產生一EUV光發射電漿；一監測器，其量測一光束參數且輸出表示該光束參數的一信號；及一可適性光學元件，其可響應該信號以修改該雷射光束以使其在該聚焦光學元件具有一預選的光束散度及光束寬度。
  15. 如申請專利範圍第14項中所述的EUV光源，其中該可適性光學元件包含第一與第二光學元件，其中該第一光學 元件相對於該第二光學元件是可移動的。
  16. 如申請專利範圍第14項中所述的EUV光源，其中該可適性光學元件包含至少一可變形的光學元件。
  17. 如申請專利範圍第14項中所述的EUV光源，其中該光束參數是散度。
  18. 如申請專利範圍第14項中所述的EUV光源，其中該光束參數是波前。
  19. 如申請專利範圍第14項中所述的EUV光源，其中該光束參數是光束寬度。
  20. 一種EUV光源，其包含：一雷射光束，其沿一光束路徑行進，該光束路徑的至少一部分沿一線性軸對齊；一材料，其用以與在一照射位置上的該雷射光束相互作用以產生一EUV光發射電漿；一第一反射體，其具有一焦點，該第一反射體被定位以使該焦點在該線性軸上，該第一反射體接收沿該光束路徑的雷射光；一第二反射體，其接收由該第一反射體反射的雷射光且將該雷射光導向該照射位置；以及一雷射裝置，其產生該雷射光束，該雷射裝置包含至少一反射光學元件，該反射光學元件建立一通過該照射位置的光束路徑，且其中當該材料在該照射位置時，該材料與該光學元件協作以在其間建立一光學空腔，且其中該雷射裝置進一步包含一增益介質，該增益介質可 受激以在該空腔中建立超過光學損失的光學增益，以產生用於照射該材料的一雷射光束，其中該反射光學元件傳播一波長λ的光，且該EUV光源進一步包含一傳遞具有一波長λ的一對準雷射光束通過該反射光學元件的對準雷射，及一接收從該第二反射體反射後的該對準雷射光束的監測器。
  21. 如申請專利範圍第20項中所述的EUV光源，其中該光源進一步包含一容器，該照射位置在該容器內，且該第一反射體被定位於該容器中並與該照射位置呈流體連通。
  22. 如申請專利範圍第20項中所述的EUV光源，其進一步包含具有一在該照射位置的第一焦點及一第二焦點的一EUV反射鏡，該EUV反射鏡沿該線性軸被定位以將該EUV反射鏡置於該第一反射體與該照射位置之間。
  23. 如申請專利範圍第20項中所述的EUV光源，其中該第二反射體被安裝於一傾/斜致動器上。
  24. 如申請專利範圍第20項中所述的EUV光源，其中該第一反射體具有一校正過的抛物線形狀。
  25. 如申請專利範圍第20項中所述的EUV光源，其中該第二反射體形成有一平面反射面。
  26. 如申請專利範圍第20項中所述的EUV光源，其中該第二反射體形成有一曲面反射面。
  27. 如申請專利範圍第20項中所述的EUV光源，其中該雷射裝置具有一包含CO2 的增益介質且該材料包含錫。
  28. 如申請專利範圍第20項中所述的EUV光源，其進一步包 含一可適性光學元件，其可調整以選擇性地改變在該第一反射體的該雷射光束之光束寬度及散度。
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