JP6533464B2 - レーザ増幅器、及びレーザ装置、並びに極端紫外光生成システム - Google Patents
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Description
[1.概要]
[2.EUV光生成装置の全体説明]
2.1 構成
2.2 動作
[3.マスタオシレータとレーザ増幅器とを含むレーザ装置]
3.1 構成
3.2 動作
3.3 課題
[4.ミラーに波長選択膜が設けられたレーザ増幅器](第1の実施形態)
4.1 構成
4.1.1 レーザ増幅器(スラブ型増幅器)の構成
4.1.2 ミラーの構成
4.1.3 波長選択膜の材料、及びミラーの基板材料
4.2 動作
4.3 作用
4.4 分光反射率特性の組み合わせの例
[5.ウインドウに波長選択膜が設けられたレーザ増幅器](第2の実施形態)
[6.レーザ増幅器の変形例](第3の実施形態)
6.1 レーザ光路が交差しないタイプのスラブ型増幅器
6.2 同軸型スラブ増幅器
6.3 高速軸流型増幅器
6.4 3枚以上のミラーを含むレーザ増幅器に適用可能な波長選択膜の分光反射率特性の組み合わせの例
6.5 3軸直交型増幅器
6.6 再生増幅器
6.6.1 構成
6.6.2 動作
6.6.3 効果
[7.その他]
本開示は、ターゲットにレーザ光を照射することによってEUV光を生成するEUV光生成装置に用いられるレーザ装置を構成するレーザ増幅器に関する。また、少なくとも1つの波長の光の伝搬を抑制する波長選択膜が設けられた光学素子を含むレーザ増幅器に関する。
(2.1 構成)
図1に、例示的なLPP式のEUV光生成システムの構成を概略的に示す。EUV光生成装置1は、少なくとも1つのレーザ装置3と共に用いられてもよい。本願においては、EUV光生成装置1及びレーザ装置3を含むシステムを、EUV光生成システム11と称する。図1に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、EUV光生成装置1は、チャンバ2、及びターゲット供給装置として例えばターゲット供給部26を含んでもよい。チャンバ2は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給部26は、例えば、チャンバ2の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給部26から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか2つ以上の組み合わせを含んでもよいが、これらに限定されない。
図1を参照に、レーザ装置3から出力されたパルスレーザ光31は、レーザ光進行方向制御部34を経て、パルスレーザ光32としてウインドウ21を透過してチャンバ2内に入射してもよい。パルスレーザ光32は、少なくとも1つのレーザ光の経路に沿ってチャンバ2内に進み、レーザ光集光ミラー22で反射されて、パルスレーザ光33として少なくとも1つのターゲット27に照射されてもよい。
(3.1 構成)
図2を参照して、LPP式のEUV光生成装置に用いられるレーザ装置3の一構成例について説明する。LPP式のEUV光生成装置では、レーザ装置3として、CO2レーザ装置を含むものが用いられてもよい。レーザ装置3として用いられるCO2レーザ装置は、高いパルスエネルギのパルスレーザ光を高い繰り返し周波数で出力することが求められてもよい。このため、レーザ装置3は、高い繰り返し周波数でパルスレーザ光31mを出力するマスタオシレータ(MO:master oscillator)110と、パルスレーザ光31mを増幅する少なくとも1つのレーザ増幅器とを備えてもよい。例えば図2に示したように、レーザ増幅器として、複数の増幅器PA1,PA2,…PAk,…PAnを含んでもよい。
複数の増幅器PA1,PA2,…PAk,…PAnはそれぞれ、図示しない各々の電源によって一対の電極62a,62b間に電圧を印加し、放電させてもよい。マスタオシレータ110のQスイッチを所定の繰り返し周波数で動作させてもよい。その結果、マスタオシレータ110から所定の繰り返し周波数で、パルスレーザ光31mが出力され得る。
マスタオシレータ110と、少なくとも1つのレーザ増幅器とを組み合わせたCO2レーザ装置は、マスタオシレータ110から出力されたパルスレーザ光31mと関係なく、少なくとも1つのレーザ増幅器から出力される自然放出(ASE:Amplified Spontaneous Emission)光36によって自励発振する可能性がある。本願発明者は、そのような自励発振する光として、シード光となる波長10.59μmの光だけでなく、波長9.27μm、波長9.59μm、及び波長10.24μmのASE光36が出力され得ることを発見した。シード光以外のASE光36が他のレーザ増幅器に入射すると、ASE光36が入射したレーザ増幅器はシード光以外のASE光36を増幅してしまうことがある。この結果、シード光を増幅する際の増幅率が低下し得る。よって、波長9.27μm、波長9.59μm、及び波長10.24μmのASE光36による自励発振を抑制することが求められる。なお、シード光とは、レーザ増幅器による増幅対象のレーザ光のことであってもよい。例えば図2において、1番目の増幅器PA1では、マスタオシレータ110から出力されたパルスレーザ光31mがシード光になり得る。2番目の増幅器PA2では、1番目の増幅器PA1によって増幅され、出力されたパルスレーザ光がシード光になり得る。
(4.1 構成)
4.1.1 レーザ増幅器(スラブ型増幅器)の構成
図5を参照して、本開示の第1の実施形態に係るレーザ増幅器の構成を説明する。図5は、レーザ増幅器の一例としてスラブ型増幅器の構成例を示している。図5において上段はレーザ増幅器を側面方向から見た断面構成、下段はレーザ増幅器を上面方向から見た断面構成を示す。図2における複数の増幅器PA1,PA2,…PAk,…PAnの少なくとも1つに、図5に示したスラブ型増幅器を適用してもよい。
第1のミラー63aと第2のミラー63bとにそれぞれ波長選択膜を設ける場合、それぞれの波長選択膜は互いに波長の選択特性が異なっていてもよい。それぞれの波長選択膜は抑制対象波長の光に比べて所望の波長の光に対して高い反射率を持っていてもよい。また、所望の波長以外の波長に対して反射率を低く設定してもよい。
図8は、波長選択膜が設けられた第1のミラー63aまたは第2のミラー63bの一構成例を示している。図8に示したように、基板71上に波長選択膜70をコーティングし、波長選択膜70の表面を反射面75としてもよい。
RF電源65から一対の電極62a,62bにRF電圧を供給している状態で、入力ウインドウ61aからシード光35aとなるレーザ光を増幅チャンバ60の内部に入射させてもよい。入射されたレーザ光は増幅チャンバ60の内部で第1のミラー63aと第2のミラー63bとによって反射されながら、一対の電極62a,62b間で励起されたレーザ媒質中を通過することで増幅され、出力ウインドウ61bから増幅レーザ光35bとして出力され得る。レーザ光は第1のミラー63aと第2のミラー63bとの間で複数回反射されてもよい。このとき、図6及び図7に示したような分光反射率特性M1,M2を持つ波長選択膜が設けられていることにより、第1のミラー63aと第2のミラー63bとで反射される所望の波長以外の波長のレーザ光は、反射損失が大きいため、増幅が抑制され得る。この結果、所望の波長のレーザ光は増幅される一方、所望の波長以外の光による自励発振が抑制され得る。
この第1の実施形態によれば、増幅したいレーザ光の波長以外の波長による自励発振が抑制され得る。このため、レーザ増幅器の増幅率が低下せず、高い増幅効率でレーザ光を増幅し得る。図2に示したレーザ装置に適用した場合に、マスタオシレータ110の光学部品が自励発振光による損傷を受けにくい。結果として、レーザ出力の変動が抑制され安定した増幅動作が得られ得る。
図9は、第1及び第2のミラー63a,63bの波長選択膜として適用可能な分光反射率特性M1,M2の組み合わせの第1の例を示している。図10は、第1及び第2のミラー63a,63bの波長選択膜として適用可能な分光反射率特性M1,M2の組み合わせの第2の例を示している。第1のミラー63aの波長選択膜の分光反射率特性M1、及び第2のミラー63bの波長選択膜の分光反射率特性M2のいずれかが、所望の波長における反射率が、他の波長における反射率よりも高い反射率特性を有していてもよい。例えば図9に示したように、第1のミラー63aの波長選択膜の分光反射率特性M1を、所望の波長λ1における反射率が他の波長における反射率よりも高い反射率特性となるように設定してもよい。また例えば図10に示したように、第2のミラー63bの波長選択膜の分光反射率特性M2を、所望の波長λ1における反射率が他の波長における反射率よりも高い反射率特性となるように設定してもよい。
図14を参照して、本開示の第2の実施形態に係るレーザ増幅器の構成を説明する。図14に示したレーザ増幅器は、図5に示したレーザ増幅器と略同様のスラブ型増幅器の構成を有しているが、波長選択膜が設けられた部位が異なっている。図2における複数の増幅器PA1,PA2,…PAk,…PAnの少なくとも1つに、図14に示したスラブ型増幅器を適用してもよい。
上記第1及び第2の実施形態では、レーザ増幅器としてスラブ型増幅器の構成例を示したが、それとは異なるタイプのスラブ型増幅器におけるミラーまたはウインドウに波長選択膜を設けた構成であってもよい。または、スラブ型以外のタイプのレーザ増幅器におけるミラーまたはウインドウに波長選択膜を設けた構成であってもよい。また、いずれのタイプであっても、ミラー及びウインドウの双方に波長選択膜を設けてもよい。
図16及び図17は、上記第1及び第2の実施形態におけるスラブ型増幅器とは異なるタイプのスラブ型増幅器の一構成例を示している。図16はスラブ型増幅器を側面方向から見た断面構成、図17は図16に示したスラブ型増幅器をY1−Y1’線方向から見た断面構成を示している。図2における複数の増幅器PA1,PA2,…PAk,…PAnの少なくとも1つに、図16及び図17に示したスラブ型増幅器を適用してもよいが、図17ではk番目の増幅器PAkに適用した例を示している。
図18及び図19は、上記第1及び第2の実施形態におけるスラブ型増幅器とは異なるタイプのスラブ型増幅器である同軸型スラブ増幅器の構成例を示している。図19は、図18に示した同軸型スラブ増幅器を図18におけるZ方向から見た一構成例を示している。図2における複数の増幅器PA1,PA2,…PAk,…PAnの少なくとも1つに、図18及び図19に示した同軸型スラブ増幅器を適用してもよい。
図20ないし図22は、スラブ型以外のタイプのレーザ増幅器である高速軸流型増幅器の構成例を示している。図21は、図20に示した高速軸流型増幅器を図20におけるX1−X1’線方向から見た断面構成例を示している。図22は、図20に示した高速軸流型増幅器の全体構成の一例を概略的に示している。
上記した同軸型スラブ増幅器及び高速軸流型増幅器のように、3枚以上のミラーを含むレーザ増幅器には、例えば図23に示したような分光反射率特性M1,M2,M3を持つ3種類の波長選択膜を適用してもよい。さらに分光反射率特性M4を加えた4種類の波長選択膜を適用してもよい。
図26は、レーザ増幅器のさらに他の例として、3軸直交型増幅器の構成例を示している。図27は、図26に示した3軸直交型増幅器をZ1−Z1’線方向から見た断面構成例を示している。
6.6.1 構成
図28は、レーザ増幅器の他の例として、再生増幅器200を示している。再生増幅器200におけるミラー及びウインドウの少なくとも1つに波長選択膜を設けてもよい。図2における複数の増幅器PA1,PA2,…PAk,…PAnの少なくとも1つに、図28に示した再生増幅器200を適用してもよい。
再生増幅器200では、図示しない電源によって電位を印加することにより第1のEOポッケルスセル202aを動作させてもよい。マスタオシレータ110は、例えば図28の紙面に対して垂直な偏光方向のレーザ光を出力してもよい。マスタオシレータ110からのレーザ光は、第1の偏光子203aによって反射され、電位の印加された第1のEOポッケルスセル202aを透過してもよい。レーザ光は、第1の偏光子203aによって反射され、第1のEOポッケルスセル202aに入射し、第1のEOポッケルスセル202aを透過することによって円偏光に変換され得る。その後、レーザ光は、第1の共振器ミラー201aによって反射され、再び第1のEOポッケルスセル202aを透過することで、図28の紙面に対して平行な方向の偏光に変換され得る。
再生増幅器200では、第1及び第2の共振器ミラー201a,201bで反射される所望の波長以外の波長の光の増幅が抑制され得る。この結果、所望の波長のレーザ光は増幅される一方、所望の波長以外の光による自励発振が抑制され得る。再生増幅器200では、増幅器190が上述の第1または第2の実施形態と同様の波長選択膜を備えることが可能である他、第1及び第2の共振器ミラー201a,201bにも同様の波長選択膜を適用し得る。さらに、第1及び第2の偏光子203a,203bにも、同様の波長選択膜が設けられたミラーの機能を付加し得る。このため、所望の波長以外の光による自励発振がさらに抑制され得る。
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
Claims (13)
- レーザ媒質を収容するチャンバと、
前記チャンバに設けられ、外部から所望波長のレーザ光を前記チャンバの内部に入射させる第1のウインドウと、
前記チャンバの内部に入射された前記レーザ光を、前記レーザ媒質を励起することによって増幅する励起装置と、
前記チャンバに設けられ、前記励起装置によって増幅された前記レーザ光を前記チャンバの外部に出力させる第2のウインドウと、
前記第1のウインドウと前記第2のウインドウとの間のレーザ光路上に設けられた第1及び第2のミラーと、
前記第1のウインドウまたは前記第1のミラーに設けられ、前記所望波長とは異なる抑制対象波長の光の伝搬を抑制する第1の波長選択膜と、
前記第2のウインドウまたは前記第2のミラーに設けられ、前記第1の波長選択膜とは波長の選択特性が異なり、前記抑制対象波長の光の伝搬を抑制する第2の波長選択膜と
を備え、
前記第1のウインドウ及び前記第2のウインドウの組と前記第1のミラー及び前記第2のミラーの組とのいずれか1組に、前記第1の波長選択膜及び前記第2の波長選択膜が設けられている
レーザ増幅器。 - 前記励起装置によって励起された前記レーザ媒質は、前記所望波長の光と前記抑制対象波長の光とを増幅可能である
請求項1に記載のレーザ増幅器。 - 前記レーザ媒質は、CO2レーザガスである
請求項2に記載のレーザ増幅器。 - 前記第1の波長選択膜が前記第1のミラーに設けられ、
前記第2の波長選択膜が前記第2のミラーに設けられ、
前記第1の波長選択膜及び前記第2の波長選択膜はそれぞれ、前記抑制対象波長の光に比べて前記所望波長の光に対して高い反射率を持つ
請求項1に記載のレーザ増幅器。 - 前記第1の波長選択膜及び前記第2の波長選択膜はそれぞれ、高屈折率材料と低屈折率材料とが交互に積層されたコーティング膜によって構成され、
前記高屈折率材料はZnSe及びZnSのうちのいずれかであり、
前記低屈折率材料はThF4及びPbF2のうちのいずれかである
請求項4に記載のレーザ増幅器。 - 前記第1のミラー及び前記第2のミラーの少なくとも一方は、前記第1の波長選択膜または前記第2の波長選択膜がコーティングされた基板を備え、
前記基板の材料は、Si、GaAs、ZnSeまたはダイヤモンドを含む
請求項4に記載のレーザ増幅器。 - 前記第1のミラー及び前記第2のミラーの少なくとも一方は、前記第1の波長選択膜または前記第2の波長選択膜がコーティングされた基板を備え、
前記基板は温度調節機構を備え、
前記温度調節機構は、前記基板に形成された温度調節媒体通路と温度調節器と温度調節媒体循環装置とを含む
請求項4に記載のレーザ増幅器。 - 前記第1の波長選択膜が、前記第1のウインドウに設けられ、
前記第2の波長選択膜が、前記第2のウインドウに設けられ、
前記第1の波長選択膜及び前記第2の波長選択膜はそれぞれ、前記抑制対象波長の光に比べて前記所望波長の光に対して高い透過率を持つ
請求項1に記載のレーザ増幅器。 - 前記第1の波長選択膜および前記第2の波長選択膜はそれぞれ、薄膜ポラライザである
請求項8に記載のレーザ増幅器。 - 前記第1の波長選択膜および前記第2の波長選択膜はそれぞれ、高屈折率材料と低屈折率材料とが交互に積層されたコーティング膜によって構成され、
前記高屈折率材料はZnSe及びZnSのうちのいずれかであり、
前記低屈折率材料はThF4及びPbF2のうちのいずれかである
請求項8に記載のレーザ増幅器。 - 前記第1のウインドウ及び前記第2のウインドウの少なくとも一方は、前記第1の波長選択膜または前記第2の波長選択膜がコーティングされた基板を備え、
前記基板の材料は、ZnSeまたはダイヤモンドを含む
請求項8に記載のレーザ増幅器。 - 所望波長のレーザ光を出力するマスタオシレータと、
前記マスタオシレータからの前記レーザ光を増幅する少なくとも1つのレーザ増幅器と
を含み、
前記少なくとも1つのレーザ増幅器のうち、少なくとも1つは、
レーザ媒質を収容するチャンバと、
前記チャンバに設けられ、外部からのレーザ光を前記チャンバの内部に入射させる第1のウインドウと、
前記チャンバの内部に入射された前記レーザ光を、前記レーザ媒質を励起することによって増幅する励起装置と、
前記チャンバに設けられ、前記励起装置によって増幅された前記レーザ光を前記チャンバの外部に出力させる第2のウインドウと、
前記第1のウインドウと前記第2のウインドウとの間のレーザ光路上に設けられた第1及び第2のミラーと、
前記第1のウインドウまたは前記第1のミラーに設けられ、前記所望波長とは異なる抑制対象波長の光の伝搬を抑制する第1の波長選択膜と、
前記第2のウインドウまたは前記第2のミラーに設けられ、前記第1の波長選択膜とは波長の選択特性が異なり、前記抑制対象波長の光の伝搬を抑制する第2の波長選択膜と
を備え、
前記第1のウインドウ及び前記第2のウインドウの組と前記第1のミラー及び前記第2のミラーの組とのいずれか1組に、前記第1の波長選択膜及び前記第2の波長選択膜が設けられている
レーザ装置。 - EUV光が生成されるプラズマチャンバと、パルスレーザ光を前記プラズマチャンバの内部に供給するレーザ装置とを備え、
前記レーザ装置は、
前記パルスレーザ光のシードとなる所望波長のレーザ光を出力するマスタオシレータと、
前記マスタオシレータからの前記レーザ光を増幅する少なくとも1つのレーザ増幅器と
を含み、
前記少なくとも1つのレーザ増幅器のうち、少なくとも1つは、
レーザ媒質を収容する増幅チャンバと、
前記増幅チャンバに設けられ、外部からのレーザ光を前記増幅チャンバの内部に入射させる第1のウインドウと、
前記増幅チャンバの内部に入射された前記レーザ光を、前記レーザ媒質を励起することによって増幅する励起装置と、
前記増幅チャンバに設けられ、前記励起装置によって増幅された前記レーザ光を前記増幅チャンバの外部に出力させる第2のウインドウと、
前記第1のウインドウと前記第2のウインドウとの間のレーザ光路上に設けられた第1及び第2のミラーと、
前記第1のウインドウまたは前記第1のミラーに設けられ、前記所望波長とは異なる抑制対象波長の光の伝搬を抑制する第1の波長選択膜と、
前記第2のウインドウまたは前記第2のミラーに設けられ、前記第1の波長選択膜とは波長の選択特性が異なり、前記抑制対象波長の光の伝搬を抑制する第2の波長選択膜と
を備え、
前記第1のウインドウ及び前記第2のウインドウの組と前記第1のミラー及び前記第2のミラーの組とのいずれか1組に、前記第1の波長選択膜及び前記第2の波長選択膜が設けられている
極端紫外光生成システム。
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