JP3118933B2 - Ｘ線露光装置 - Google Patents
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70575—Wavelength control, e.g. control of bandwidth, multiple wavelength, selection of wavelength or matching of optical components to wavelength
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
- G03F7/70841—Constructional issues related to vacuum environment, e.g. load-lock chamber
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＸ線リソグラフィーの露
光装置に関するものである。
光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】あるパターンをＸ線でレジストに焼き付
ける場合、大気中で行うとＸ線が減衰してしまう。そこ
で、従来はＸ線源から露光光学系まですべてを真空中に
配置して、この真空内でパターンの焼き付けを行ってい
た。このようなＸ線露光装置の光源としては、シンクロ
トロン等の放射光施設やレーザプラズマＸ線源等が用い
られていた。
ける場合、大気中で行うとＸ線が減衰してしまう。そこ
で、従来はＸ線源から露光光学系まですべてを真空中に
配置して、この真空内でパターンの焼き付けを行ってい
た。このようなＸ線露光装置の光源としては、シンクロ
トロン等の放射光施設やレーザプラズマＸ線源等が用い
られていた。
【０００３】ところが、Ｘ線源にシンクロトロン等の放
射光施設を用いた場合、この放射光施設の真空度は10
ー10 Torrより高い真空状態とする必要があった。ところ
が、露光光学系の真空度を前記放射光施設の真空度まで
上げようとすると、ウエハに塗布されたレジスト等から
ガスが放出されるという問題があった。また、所定の真
空度まで排気するのが困難であったり、排気に時間を要
していた。露光されたウエハを交換する時は、真空の解
除と再排気とが行われるため、排気時間が長いと効率が
大幅に低下してしまう。以上の理由から、従来の露光光
学系の真空度は10 -7Torr程度に設定されていた。そのた
め、Ｘ線源と露光光学系の間に真空度の違いにより生じ
る差圧を保つための差動排気系を設ける必要があった。
射光施設を用いた場合、この放射光施設の真空度は10
ー10 Torrより高い真空状態とする必要があった。ところ
が、露光光学系の真空度を前記放射光施設の真空度まで
上げようとすると、ウエハに塗布されたレジスト等から
ガスが放出されるという問題があった。また、所定の真
空度まで排気するのが困難であったり、排気に時間を要
していた。露光されたウエハを交換する時は、真空の解
除と再排気とが行われるため、排気時間が長いと効率が
大幅に低下してしまう。以上の理由から、従来の露光光
学系の真空度は10 -7Torr程度に設定されていた。そのた
め、Ｘ線源と露光光学系の間に真空度の違いにより生じ
る差圧を保つための差動排気系を設ける必要があった。
【０００４】一方、Ｘ線源にレーザプラズマＸ線源を用
いた場合、このＸ線源部分の真空度は10ー4 Torr 程度で
十分である。逆に、これより高い真空度にすると排気施
設等のコストが上昇するという問題が生じてしまう。ま
た、ターゲットからの飛散粒子を抑えるには真空室の内
部にHeガス等を導入してある程度真空度を低下させる必
要があった。また、露光光学系の真空度をレーザプラズ
マＸ線源と同程度の真空度に設定すると、Ｘ線の透過率
が低下して露光に必要な光量が得られなくなるという問
題が生じる。そのため、Ｘ線源側と露光光学系側とで各
々真空度が異なるように設定し、差圧を保つための差動
排気系を設ける必要があった。
いた場合、このＸ線源部分の真空度は10ー4 Torr 程度で
十分である。逆に、これより高い真空度にすると排気施
設等のコストが上昇するという問題が生じてしまう。ま
た、ターゲットからの飛散粒子を抑えるには真空室の内
部にHeガス等を導入してある程度真空度を低下させる必
要があった。また、露光光学系の真空度をレーザプラズ
マＸ線源と同程度の真空度に設定すると、Ｘ線の透過率
が低下して露光に必要な光量が得られなくなるという問
題が生じる。そのため、Ｘ線源側と露光光学系側とで各
々真空度が異なるように設定し、差圧を保つための差動
排気系を設ける必要があった。
【０００５】しかし、差動排気系を設けると、露光装置
の構造が複雑化する、差動排気系を用いる際は光源と露
光光学系との距離を長くとる必要があるため装置が大型
化する、という問題が生じてしまう。そこで、Ｘ線源と
露光光学系の間のＸ線の光路上に真空を分離するフィル
タを配置し、該フィルタの両側をそれぞれ所望の真空度
に設定していた。
の構造が複雑化する、差動排気系を用いる際は光源と露
光光学系との距離を長くとる必要があるため装置が大型
化する、という問題が生じてしまう。そこで、Ｘ線源と
露光光学系の間のＸ線の光路上に真空を分離するフィル
タを配置し、該フィルタの両側をそれぞれ所望の真空度
に設定していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、Ｘ線源として
放射光施設を用いた場合、この施設から発する放射光は
露光に利用する波長域とは異なる波長域の光も含んでい
た。前記フィルタは、露光に利用するＸ線は透過するよ
うに設定してあるが、それ以外の光はフィルタ自身で吸
収（反射もあり得る）することによって透過しないよう
にしていた。そのため、光を吸収することで前記フィル
タに大きな熱負荷が生じ、この熱負荷によってフィルタ
が破損する恐れがあった。そこで、熱負荷に耐えられる
ようフィルタを厚くすることが考えられるが、そうする
とＸ線の透過率が低くなるという問題があった。また、
仮に前記フィルタが破損した場合、Ｘ線源と縮小投影光
学系の間の差圧が維持できなくなってしまうため、露光
装置の信頼性を向上させることが困難であった。
放射光施設を用いた場合、この施設から発する放射光は
露光に利用する波長域とは異なる波長域の光も含んでい
た。前記フィルタは、露光に利用するＸ線は透過するよ
うに設定してあるが、それ以外の光はフィルタ自身で吸
収（反射もあり得る）することによって透過しないよう
にしていた。そのため、光を吸収することで前記フィル
タに大きな熱負荷が生じ、この熱負荷によってフィルタ
が破損する恐れがあった。そこで、熱負荷に耐えられる
ようフィルタを厚くすることが考えられるが、そうする
とＸ線の透過率が低くなるという問題があった。また、
仮に前記フィルタが破損した場合、Ｘ線源と縮小投影光
学系の間の差圧が維持できなくなってしまうため、露光
装置の信頼性を向上させることが困難であった。
【０００７】一方、フィルタに冷却手段を設けることも
考えられるが、このフィルタは真空を分離する機能を持
たせているので密閉状態良く設ける必要があり、新たに
冷却手段を設けるとフィルタ付近の構造が複雑化すると
いう問題が生じる。本発明は、上記課題を解決すること
を目的とする。
考えられるが、このフィルタは真空を分離する機能を持
たせているので密閉状態良く設ける必要があり、新たに
冷却手段を設けるとフィルタ付近の構造が複雑化すると
いう問題が生じる。本発明は、上記課題を解決すること
を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、Ｘ線源と、該Ｘ線源から発するＸ線を
マスク上に照射するための前置光学系と、前記マスク上
のパターンをウエハに投影するための縮小投影光学系
と、該Ｘ線源からウエハまでのＸ線の光路を真空空間中
に維持する真空容器とＸ線が透過可能な物質で形成さ
れ、該Ｘ線源と縮小投影光学系の間のＸ線の光路上に設
けられてＸ線が入射する側の真空空間とＸ線が出射する
側の真空空間とを分離するための第１のフィルタと、か
らなるＸ線露光装置において、該Ｘ線源と該第１のフィ
ルタとの間のＸ線光路上に、Ｘ線は透過し可視光は透過
しない第２のフィルタと、該第２のフィルタによるＸ線
の反射光量あるいは透過光量を検出する光検出器と、を
備えるようにしている。これにより、Ｘ線源からの第２
のフィルタの状態ををモニタすることができ、第２のフ
ィルタの破損による第１のフィルタの損傷を防止でき
る。また、第２のフィルタの交換時期もはっきりする。
本発明では、他に、前記Ｘ線露光装置において、前記第
２のフィルタが、前記Ｘ線の光路に対して着脱、または
交換可能に前記真空容器内に複数設置されていることと
した。このことによって、第２のフィルタを交換する際
に真空を破らずにフィルタを交換する事が出来る。本発
明では、他に、前記Ｘ線露光装置において、前記第２の
フィルタを交換する手段と、前記光検出器で検出された
光量に応じて前記第２のフィルタを交換する手段を制御
する制御手段と、を有することとした。このことによっ
て、常に、第２のフィルタの異常から第１のフィルタを
保護でき、更に第２のフィルタを通過し、第１のフィル
タに達するＸ線量の安定化が図れる。本発明では、他
に、前記いずれかのＸ線露光装置において、前記第２の
フィルタが該Ｘ線源と前記前置光学系との間に設置され
ていることとした。このことにより、前置光学系を熱的
な負荷が低減される。さらに、Ｘ線源がレーザプラズマ
Ｘ線源である露光装置においては、レーザプラズから生
じるターゲットからの飛散粒子が前置光学系に及ぼす悪
影響を防止出来る。
に、本発明では、Ｘ線源と、該Ｘ線源から発するＸ線を
マスク上に照射するための前置光学系と、前記マスク上
のパターンをウエハに投影するための縮小投影光学系
と、該Ｘ線源からウエハまでのＸ線の光路を真空空間中
に維持する真空容器とＸ線が透過可能な物質で形成さ
れ、該Ｘ線源と縮小投影光学系の間のＸ線の光路上に設
けられてＸ線が入射する側の真空空間とＸ線が出射する
側の真空空間とを分離するための第１のフィルタと、か
らなるＸ線露光装置において、該Ｘ線源と該第１のフィ
ルタとの間のＸ線光路上に、Ｘ線は透過し可視光は透過
しない第２のフィルタと、該第２のフィルタによるＸ線
の反射光量あるいは透過光量を検出する光検出器と、を
備えるようにしている。これにより、Ｘ線源からの第２
のフィルタの状態ををモニタすることができ、第２のフ
ィルタの破損による第１のフィルタの損傷を防止でき
る。また、第２のフィルタの交換時期もはっきりする。
本発明では、他に、前記Ｘ線露光装置において、前記第
２のフィルタが、前記Ｘ線の光路に対して着脱、または
交換可能に前記真空容器内に複数設置されていることと
した。このことによって、第２のフィルタを交換する際
に真空を破らずにフィルタを交換する事が出来る。本発
明では、他に、前記Ｘ線露光装置において、前記第２の
フィルタを交換する手段と、前記光検出器で検出された
光量に応じて前記第２のフィルタを交換する手段を制御
する制御手段と、を有することとした。このことによっ
て、常に、第２のフィルタの異常から第１のフィルタを
保護でき、更に第２のフィルタを通過し、第１のフィル
タに達するＸ線量の安定化が図れる。本発明では、他
に、前記いずれかのＸ線露光装置において、前記第２の
フィルタが該Ｘ線源と前記前置光学系との間に設置され
ていることとした。このことにより、前置光学系を熱的
な負荷が低減される。さらに、Ｘ線源がレーザプラズマ
Ｘ線源である露光装置においては、レーザプラズから生
じるターゲットからの飛散粒子が前置光学系に及ぼす悪
影響を防止出来る。
【０００９】
【作用】本発明によれば、真空を分離する第１のフィル
タと熱負荷を吸収する第２のフィルタとを別々に設けた
ため、第２のフィルタが破損しても、第１のフィルタに
よりＸ線源側と露光光学系を構成している縮小投影光学
系側との差圧を維持することができ、装置の信頼性を向
上させることができる。そして、露光に使用する波長域
以外の光の大部分が前記第２のフィルタに吸収されるの
で、前記第１のフィルタに生じる熱負荷は小さくて済
む。
タと熱負荷を吸収する第２のフィルタとを別々に設けた
ため、第２のフィルタが破損しても、第１のフィルタに
よりＸ線源側と露光光学系を構成している縮小投影光学
系側との差圧を維持することができ、装置の信頼性を向
上させることができる。そして、露光に使用する波長域
以外の光の大部分が前記第２のフィルタに吸収されるの
で、前記第１のフィルタに生じる熱負荷は小さくて済
む。
【００１０】そのため、第１のフィルタを十分薄くする
ことができ、このフィルタを透過する際のＸ線の減衰は
小さくできる。その結果、露光に使用するＸ線の光量が
増加しスループットが向上する。また、第２のフィルタ
は気密性を考慮することなくＸ線の光路上に設置するだ
けでよいため、簡単な構造で済む。
ことができ、このフィルタを透過する際のＸ線の減衰は
小さくできる。その結果、露光に使用するＸ線の光量が
増加しスループットが向上する。また、第２のフィルタ
は気密性を考慮することなくＸ線の光路上に設置するだ
けでよいため、簡単な構造で済む。
【００１１】なお、第２のフィルタをＸ線源と前置光学
系の間に設置すれば、前置光学系の各光学素子の熱負荷
も軽減され、その寿命が延びる。さらに、第２のフィル
タによる反射ないし透過光量をモニタする手段を設ける
ことで、該第２のフィルタに生じた異常を検知して正常
なフィルタに容易に交換することができる。この場合、
第２のフィルタが破損する前に交換することができるの
で、第１のフィルタにかかる負担を抑えることが可能と
なる。
系の間に設置すれば、前置光学系の各光学素子の熱負荷
も軽減され、その寿命が延びる。さらに、第２のフィル
タによる反射ないし透過光量をモニタする手段を設ける
ことで、該第２のフィルタに生じた異常を検知して正常
なフィルタに容易に交換することができる。この場合、
第２のフィルタが破損する前に交換することができるの
で、第１のフィルタにかかる負担を抑えることが可能と
なる。
【００１２】
【実施例１】図１は、本発明の第１の実施例を示す概略
構成図である。本実施例のＸ線露光装置においては、Ｘ
線源である放射光光源１から発したＸ線（露光光）は、
Ｘ線フィルタ２、真空分離フィルタ３、および前置光学
系４を経てマスク５に導かれる。マスク５で反射したＸ
線は、４枚の反射鏡からなる縮小投影光学系６によって
レジストが塗布されたウエハ７にマスク５の縮小パター
ンを投影する。なお、本実施例では露光光の波長を13nm
としてある。
構成図である。本実施例のＸ線露光装置においては、Ｘ
線源である放射光光源１から発したＸ線（露光光）は、
Ｘ線フィルタ２、真空分離フィルタ３、および前置光学
系４を経てマスク５に導かれる。マスク５で反射したＸ
線は、４枚の反射鏡からなる縮小投影光学系６によって
レジストが塗布されたウエハ７にマスク５の縮小パター
ンを投影する。なお、本実施例では露光光の波長を13nm
としてある。
【００１３】前置光学系４は、放射光光源１からのＸ線
を拡大、収束あるいは分光してマスク５に照射するため
のものである。本実施例では、Ｘ線の収束と短波長光を
カットする分光機能を兼ねた反射鏡を用いるようにし
た。この反射鏡は、石英等の基板それ自体、またはニッ
ケル等をコートした鏡からなり、光（Ｘ線）が斜入射す
るように配置してある。
を拡大、収束あるいは分光してマスク５に照射するため
のものである。本実施例では、Ｘ線の収束と短波長光を
カットする分光機能を兼ねた反射鏡を用いるようにし
た。この反射鏡は、石英等の基板それ自体、またはニッ
ケル等をコートした鏡からなり、光（Ｘ線）が斜入射す
るように配置してある。
【００１４】縮小投影光学系６は、光（Ｘ線）が直入射
するような配置をとっている。縮小投影光学系６で使用
する反射鏡は、反射面側に多層膜をコートして特定の波
長を有するＸ線の反射率が高くなるようにしてある。例
えば、本実施例では露光光（Ｘ線）の中心波長（13nm）
にあわせて、モリブデンとシリコンの組合せの多層膜を
用いている。
するような配置をとっている。縮小投影光学系６で使用
する反射鏡は、反射面側に多層膜をコートして特定の波
長を有するＸ線の反射率が高くなるようにしてある。例
えば、本実施例では露光光（Ｘ線）の中心波長（13nm）
にあわせて、モリブデンとシリコンの組合せの多層膜を
用いている。
【００１５】そして、光源１からウエハ７に至るまでの
Ｘ線の光路がすべて真空中を通過するように、上記構成
部品はすべて真空容器８内部に設けてある。なお、図１
において、通常用いられている排気装置やバルブ類は図
示せず、省略してある。本実施例で用いたＸ線フィルタ
２および真空分離フィルタ３は、共にベリリウムの膜に
より形成されている。露光光として用いた波長13nmのＸ
線のベリリウムにおける透過率は、膜厚が１μｍの場合
20％程度である。また、ベリリウムの代わりにボロンや
窒化シリコン等を用いてもよい。Ｘ線の透過率は、膜厚
を薄くするほど高くなるので、膜をより薄くして金属メ
ッシュ等で補強するようにしても構わない。この場合、
メッシュのパターンの影がマスク上で現れないようにし
ておく必要がある。
Ｘ線の光路がすべて真空中を通過するように、上記構成
部品はすべて真空容器８内部に設けてある。なお、図１
において、通常用いられている排気装置やバルブ類は図
示せず、省略してある。本実施例で用いたＸ線フィルタ
２および真空分離フィルタ３は、共にベリリウムの膜に
より形成されている。露光光として用いた波長13nmのＸ
線のベリリウムにおける透過率は、膜厚が１μｍの場合
20％程度である。また、ベリリウムの代わりにボロンや
窒化シリコン等を用いてもよい。Ｘ線の透過率は、膜厚
を薄くするほど高くなるので、膜をより薄くして金属メ
ッシュ等で補強するようにしても構わない。この場合、
メッシュのパターンの影がマスク上で現れないようにし
ておく必要がある。
【００１６】Ｘ線フィルタ２および真空分離フィルタ３
は、可視光をカットするためのフィルタとしても機能さ
せることができる。各フィルタを形成する物質が可視光
領域の波長に対して透過率が高い場合には、その物質に
厚さ0.2 μｍ程度の金属をコートすればよい。図４は、
光源１から発する放射光の分光分布にあわせて、ベリリ
ウムにより形成されたフィルタを用いた時の透過光の分
光分布を示す図である。放射光の臨界波長を１nmとし、
放射光の分光分布を実線で示し、厚さ１μｍのベリリウ
ムからなる膜をＸ線フィルタとして用いた時の透過分布
を点線で示した。図から判るように、波長が３nmより長
波長側の光は、露光に用いる13nm付近の波長域を除いて
Ｘ線フィルタにより大幅に除去されている。そのため、
真空分離フィルタでの吸収光子数は１桁以上減少する。
これにより真空分離フィルタの熱負荷も減少し、フィル
タを薄くしてＸ線の透過率を上げることができる。
は、可視光をカットするためのフィルタとしても機能さ
せることができる。各フィルタを形成する物質が可視光
領域の波長に対して透過率が高い場合には、その物質に
厚さ0.2 μｍ程度の金属をコートすればよい。図４は、
光源１から発する放射光の分光分布にあわせて、ベリリ
ウムにより形成されたフィルタを用いた時の透過光の分
光分布を示す図である。放射光の臨界波長を１nmとし、
放射光の分光分布を実線で示し、厚さ１μｍのベリリウ
ムからなる膜をＸ線フィルタとして用いた時の透過分布
を点線で示した。図から判るように、波長が３nmより長
波長側の光は、露光に用いる13nm付近の波長域を除いて
Ｘ線フィルタにより大幅に除去されている。そのため、
真空分離フィルタでの吸収光子数は１桁以上減少する。
これにより真空分離フィルタの熱負荷も減少し、フィル
タを薄くしてＸ線の透過率を上げることができる。
【００１７】その結果、従来のＸ線フィルタを用いない
装置では、真空分離フィルタとして厚さ５μｍ以上のベ
リリウムを用いていたが、本実施例では厚さ１μｍのＸ
線フィルタを設けることで真空分離フィルタの厚さを2.
5 μｍにできた。従って、Ｘ線が透過する膜厚はＸ線フ
ィルタ２と真空分離フィルタ３とを合わせても3.5 μｍ
で済み従来よりも少なくなった。これにより、Ｘ線の減
衰が減り露光光量を１桁以上増加させることができた。
装置では、真空分離フィルタとして厚さ５μｍ以上のベ
リリウムを用いていたが、本実施例では厚さ１μｍのＸ
線フィルタを設けることで真空分離フィルタの厚さを2.
5 μｍにできた。従って、Ｘ線が透過する膜厚はＸ線フ
ィルタ２と真空分離フィルタ３とを合わせても3.5 μｍ
で済み従来よりも少なくなった。これにより、Ｘ線の減
衰が減り露光光量を１桁以上増加させることができた。
【００１８】
【実施例２】図２は、本発明の第２の実施例を示す概略
構成図である。図２において、図１と同一機能を有する
構成部品は同一符号を付してその説明を省略する。本実
施例では、真空分離フィルタ３を前置光学系４の後ろに
配置し、Ｘ線フィルタ２をＸ線源１と前置光学系４との
間に設置してある。
構成図である。図２において、図１と同一機能を有する
構成部品は同一符号を付してその説明を省略する。本実
施例では、真空分離フィルタ３を前置光学系４の後ろに
配置し、Ｘ線フィルタ２をＸ線源１と前置光学系４との
間に設置してある。
【００１９】Ｘ線フィルタ２がない場合、真空分離フィ
ルタ３は前置光学系４で反射した長波長域の光がすべて
入射するが、Ｘ線フィルタ２によりこの波長域の光はほ
とんどこのフィルタ２に吸収される。そのため、真空分
離フィルタ３の熱負荷は大幅に減少する。また、前置光
学系４の熱負荷も減少させることができる。
ルタ３は前置光学系４で反射した長波長域の光がすべて
入射するが、Ｘ線フィルタ２によりこの波長域の光はほ
とんどこのフィルタ２に吸収される。そのため、真空分
離フィルタ３の熱負荷は大幅に減少する。また、前置光
学系４の熱負荷も減少させることができる。
【００２０】
【実施例３】図３は、本発明の第３の実施例を示す概略
図である。本実施例のＸ線露光装置は、Ｘ線フィルタ２
が複数枚取り付けられた保持板９と、この保持板９を回
転させるためのモータ１０および伝達機構１３とを有し
ている。そして、保持板９を回転させることでＸ線が照
射されるＸ線フィルタを交換できるようになっている。
また、Ｘ線フィルタ２は、入射する光束に対して少し傾
くように設置してあり、このフィルタ２での反射光の進
行方向にこの反射光の光量をモニタする光検出器１１を
配置してある。制御手段１２は、光検出器１１でモニタ
された光量の変化を検出するとともに、モータ１０を制
御して保持板９を回転させるものである。なお、Ｘ線フ
ィルタ２を入射する光束に対して少し傾くように設置し
ても、透過するＸ線の方向は変わらない。
図である。本実施例のＸ線露光装置は、Ｘ線フィルタ２
が複数枚取り付けられた保持板９と、この保持板９を回
転させるためのモータ１０および伝達機構１３とを有し
ている。そして、保持板９を回転させることでＸ線が照
射されるＸ線フィルタを交換できるようになっている。
また、Ｘ線フィルタ２は、入射する光束に対して少し傾
くように設置してあり、このフィルタ２での反射光の進
行方向にこの反射光の光量をモニタする光検出器１１を
配置してある。制御手段１２は、光検出器１１でモニタ
された光量の変化を検出するとともに、モータ１０を制
御して保持板９を回転させるものである。なお、Ｘ線フ
ィルタ２を入射する光束に対して少し傾くように設置し
ても、透過するＸ線の方向は変わらない。
【００２１】本実施例のＸ線露光装置では、Ｘ線フィル
タ２に破損などの異常が発生すると光検出器１１でモニ
タされる反射光量が変化する。制御機器１２はこの変化
を検出してモータ１０によって保持板９を回転させ、正
常なＸ線フィルタ２にＸ線が照射するようにする。これ
により、Ｘ線フィルタ２に異常が生じても真空分離フィ
ルタ３に余分な熱負荷がかからないようにすることが可
能である。
タ２に破損などの異常が発生すると光検出器１１でモニ
タされる反射光量が変化する。制御機器１２はこの変化
を検出してモータ１０によって保持板９を回転させ、正
常なＸ線フィルタ２にＸ線が照射するようにする。これ
により、Ｘ線フィルタ２に異常が生じても真空分離フィ
ルタ３に余分な熱負荷がかからないようにすることが可
能である。
【００２２】なお、Ｘ線フィルタ２の異常の検出は、透
過光の光量の変化を検出することで行うことも可能であ
る。以上の各実施例ではＸ線（露光光）の波長を13nmと
したが、本発明は露光光として使用するＸ線の波長を限
定するものではない。使用する波長に対して透過率の高
い物質をフィルタとして用い、反射鏡にはその波長で高
い反射率を示す多層膜をコートすればよい。
過光の光量の変化を検出することで行うことも可能であ
る。以上の各実施例ではＸ線（露光光）の波長を13nmと
したが、本発明は露光光として使用するＸ線の波長を限
定するものではない。使用する波長に対して透過率の高
い物質をフィルタとして用い、反射鏡にはその波長で高
い反射率を示す多層膜をコートすればよい。
【００２３】また、Ｘ線源は放射光光源に限定されるも
のではなく、レーザプラズマＸ線源等、これと異なる光
源を用いても構わない。
のではなく、レーザプラズマＸ線源等、これと異なる光
源を用いても構わない。
【００２４】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば真空分離
フィルタで吸収される光量が大幅に減少するため、この
真空分離フィルタに生じる熱負荷を軽くすることができ
る。そして、真空を分離するフィルタと熱負荷を吸収す
るフィルタとを別々に設けたため、露光装置の信頼性が
向上する。
フィルタで吸収される光量が大幅に減少するため、この
真空分離フィルタに生じる熱負荷を軽くすることができ
る。そして、真空を分離するフィルタと熱負荷を吸収す
るフィルタとを別々に設けたため、露光装置の信頼性が
向上する。
【００２５】また、真空分離フィルタを薄くして露光に
使うＸ線の透過率を向上させることが可能となり、露光
光量が増加してスループットが向上する。
使うＸ線の透過率を向上させることが可能となり、露光
光量が増加してスループットが向上する。
【図１】は、本発明の第１の実施例を示す概略構成図で
ある。
ある。
【図２】は、本発明の第２の実施例を示す概略構成図で
ある。
ある。
【図３】は、本発明の第３の実施例を示す概略図であ
る。
る。
【図４】は、ベリリウムのフィルタを用いた時の放射光
の透過光の分光分布を示す図である。
の透過光の分光分布を示す図である。
１ 放射光光源 ２ Ｘ線フィルタ ３ 真空分離フィルタ ４ 前置光学系 ５ マスク ６ 縮小投影光学系 ７ ウエハ ８ 真空容器 ９ フィルタ保持板 １０ モータ １１ 光検出器 １２ 制御手段 １３ 伝達手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−17300（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−107200（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−9930（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−61912（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−198400（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−35299（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/20 503 G03F 7/20 521
Claims (4)
- 【請求項１】 Ｘ線源と、該Ｘ線源から発するＸ線をマ
スク上に照射するための前置光学系と、前記マスク上の
パターンをウエハに投影するための縮小投影光学系と、
該Ｘ線源からウエハまでのＸ線の光路を真空空間中に維
持する真空容器と、Ｘ線が透過可能な物質で形成され、
該Ｘ線源と縮小投影光学系の間のＸ線の光路上に設けら
れてＸ線が入射する側の真空空間とＸ線が出射する側の
真空空間とを分離するための第１のフィルタと、からな
るＸ線露光装置において、 該Ｘ線源と該第１のフィルタとの間のＸ線光路上に、Ｘ
線は透過し可視光は透過しない第２のフィルタと、該第
２のフィルタによるＸ線の反射光量あるいは透過光量を
検出する光検出器と、を有することを特徴とするＸ線露
光装置。 - 【請求項２】 前記第２のフィルタが、前記Ｘ線の光路
に対して着脱、または交換可能に前記真空容器内に複数
設置されていることを特徴とする請求項１に記載のＸ線
露光装置。 - 【請求項３】 請求項２記載のＸ線露光装置であって、
前記第２のフィルタを交換する手段と、前記光検出器で
検出された光量に応じて前記第２のフィルタを交換する
手段を制御する制御手段と、を有することを特徴とする
Ｘ線露光装置。 - 【請求項４】 前記第２のフィルタが該Ｘ線源と前記前
置光学系との間に設置されていることを特徴とする請求
項１乃至３のいずれかに記載のＸ線露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04019138A JP3118933B2 (ja) | 1992-02-04 | 1992-02-04 | Ｘ線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04019138A JP3118933B2 (ja) | 1992-02-04 | 1992-02-04 | Ｘ線露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05217857A JPH05217857A (ja) | 1993-08-27 |
| JP3118933B2 true JP3118933B2 (ja) | 2000-12-18 |
Family
ID=11991096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04019138A Expired - Fee Related JP3118933B2 (ja) | 1992-02-04 | 1992-02-04 | Ｘ線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3118933B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004103773A (ja) * | 2002-09-09 | 2004-04-02 | Nikon Corp | Ｘ線発生装置、ｘ線露光装置及びｘ線フィルター |
| EP2326990B1 (en) | 2008-07-11 | 2013-03-13 | ASML Netherlands BV | Spectral purity filter, radiation source, lithographic apparatus, and device manufacturing method |
| JP5689059B2 (ja) * | 2008-08-14 | 2015-03-25 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | スペクトル純度フィルタ、放射源モジュール、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
| JP5534910B2 (ja) | 2009-04-23 | 2014-07-02 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置 |
| JP5234091B2 (ja) * | 2010-11-30 | 2013-07-10 | ウシオ電機株式会社 | 光照射装置 |
| WO2021175797A1 (en) * | 2020-03-05 | 2021-09-10 | Asml Holding N.V. | End-of-life monitoring of dynamic gas lock membranes and pupil facet mirrors and detection of membrane rupture in lithographic apparatuses |
-
1992
- 1992-02-04 JP JP04019138A patent/JP3118933B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05217857A (ja) | 1993-08-27 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |