JPH10340843A - 照明装置および露光装置 - Google Patents
照明装置および露光装置Info
- Publication number
- JPH10340843A JPH10340843A JP9149700A JP14970097A JPH10340843A JP H10340843 A JPH10340843 A JP H10340843A JP 9149700 A JP9149700 A JP 9149700A JP 14970097 A JP14970097 A JP 14970097A JP H10340843 A JPH10340843 A JP H10340843A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- filter
- rays
- optical system
- light
- membrane
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 機械的強度が高く、しかもX線に対する透過
率が高いフィルターを備えた照明装置と、該照明装置を
照明光学系として用いた露光装置を提供すること 【解決手段】 光源1から出射されたX線31を被照明
物体5に照射する照明装置であり、少なくとも、前記光
源1から出射されたX線31を集光する集光光学系2
と、該集光光学系2の集光位置6に、或いは集光位置6
の近傍に配置されたフィルター3と、該フィルター3を
透過したX線33を前記被照明物体5に照射する照射光
学系4と、を備えたことを特徴とする照明装置
率が高いフィルターを備えた照明装置と、該照明装置を
照明光学系として用いた露光装置を提供すること 【解決手段】 光源1から出射されたX線31を被照明
物体5に照射する照明装置であり、少なくとも、前記光
源1から出射されたX線31を集光する集光光学系2
と、該集光光学系2の集光位置6に、或いは集光位置6
の近傍に配置されたフィルター3と、該フィルター3を
透過したX線33を前記被照明物体5に照射する照射光
学系4と、を備えたことを特徴とする照明装置
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、X線光学系とフィ
ルタ−を有する照明装置と、該照明装置を照明光学系と
して備えた露光装置に関するものであり、露光装置とし
ては特に、X線光学系等のミラープロジェクション方式
により、フォトマスク(マスクまたはレチクル)上の回
路パターンを、投影結像光学系を介して基板(ウエハ
等)上に転写するのに好適な、X線投影露光装置に関す
るものである。
ルタ−を有する照明装置と、該照明装置を照明光学系と
して備えた露光装置に関するものであり、露光装置とし
ては特に、X線光学系等のミラープロジェクション方式
により、フォトマスク(マスクまたはレチクル)上の回
路パターンを、投影結像光学系を介して基板(ウエハ
等)上に転写するのに好適な、X線投影露光装置に関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】半導体製造用の露光装置は、物体面とし
てのフォトマスク(以下、マスクと称する)面上に形成
された回路パターンを、結像光学系を介してウエハ等の
基板上に投影転写する。基板にはレジストが塗布されて
おり、露光することによりレジストが感光し、レジスト
パターンが得られる。
てのフォトマスク(以下、マスクと称する)面上に形成
された回路パターンを、結像光学系を介してウエハ等の
基板上に投影転写する。基板にはレジストが塗布されて
おり、露光することによりレジストが感光し、レジスト
パターンが得られる。
【0003】従来のX線投影露光装置(一例)の構成
(一部)を概念的に図5に示す。露光装置は、X線源
1、該X線源1から出射されたX線31をマスク5上に
照射する照明光学系(照明装置)41、マスク5のステ
ージ8、マスク5からのX線35を受けて、マスク5上
に形成されたパターンをウエハ10上に投影結像する投
影結像光学系9、ウエハ10のステージ11により構成
される。
(一部)を概念的に図5に示す。露光装置は、X線源
1、該X線源1から出射されたX線31をマスク5上に
照射する照明光学系(照明装置)41、マスク5のステ
ージ8、マスク5からのX線35を受けて、マスク5上
に形成されたパターンをウエハ10上に投影結像する投
影結像光学系9、ウエハ10のステージ11により構成
される。
【0004】X線は、従来の光学レンズでは回折させる
ことが困難であり、そのため、照明光学系41及び結像
光学系9は、反射鏡を用いて構成される。また、波長1
3nmの軟X線に対しては、モリブデンとシリコンの交
互多層膜が高い反射率を有するので、波長13nmの軟
X線の場合には、前記交互多層膜を反射鏡の反射面に設
けた多層膜反射鏡を用いることが多い。
ことが困難であり、そのため、照明光学系41及び結像
光学系9は、反射鏡を用いて構成される。また、波長1
3nmの軟X線に対しては、モリブデンとシリコンの交
互多層膜が高い反射率を有するので、波長13nmの軟
X線の場合には、前記交互多層膜を反射鏡の反射面に設
けた多層膜反射鏡を用いることが多い。
【0005】マスク5には、ウエハ10上に描画(投
影)するパターンの等倍パタ−ンまたは拡大パターンが
形成されている。マスクも、やはり反射型とすることが
好ましく、例えば、前記多層膜の上にX線吸収物質を所
望パターンに配置したものを使用するとよい。このよう
にすれば、多層膜が露出した部分ではX線が反射され、
パターン状に配置された吸収物質の部分ではX線が反射
されない。
影)するパターンの等倍パタ−ンまたは拡大パターンが
形成されている。マスクも、やはり反射型とすることが
好ましく、例えば、前記多層膜の上にX線吸収物質を所
望パターンに配置したものを使用するとよい。このよう
にすれば、多層膜が露出した部分ではX線が反射され、
パターン状に配置された吸収物質の部分ではX線が反射
されない。
【0006】X線源1から出射されたX線31は、照明
光学系41を通してマスク5上に照射される。そして、
マスク5で反射されたX線35は、結像光学系9を通し
てウエハ10上に照射される。このようにして、マスク
5上のパターンをウエハ10上に結像するようになって
いる。
光学系41を通してマスク5上に照射される。そして、
マスク5で反射されたX線35は、結像光学系9を通し
てウエハ10上に照射される。このようにして、マスク
5上のパターンをウエハ10上に結像するようになって
いる。
【0007】ウエハ10の表面にはレジストが塗布して
あり、レジストは照射されたX線により感光する。そし
て、レジストを現像することにより、前記マスクのパタ
−ンに応じたレジストパターンを得ることができる。X
線源1には、放射光光源またはレーザープラズマX線源
が用いられる。いずれの場合も、X線源1からは露光に
使用するX線(以後、露光X線という)とともに、露光
に使用しない紫外線や可視光等が出射される。
あり、レジストは照射されたX線により感光する。そし
て、レジストを現像することにより、前記マスクのパタ
−ンに応じたレジストパターンを得ることができる。X
線源1には、放射光光源またはレーザープラズマX線源
が用いられる。いずれの場合も、X線源1からは露光に
使用するX線(以後、露光X線という)とともに、露光
に使用しない紫外線や可視光等が出射される。
【0008】紫外線や可視光等の長波長光の一部は、多
層膜反射鏡の表面で反射されてウエハに達し、レジスト
を感光させてレジストパターンの形状を劣化させるおそ
れがある。そのため、露光X線以外の光(特に、多層膜
反射鏡で反射される長波長の光)をフィルター等を用い
て除去する必要があった。
層膜反射鏡の表面で反射されてウエハに達し、レジスト
を感光させてレジストパターンの形状を劣化させるおそ
れがある。そのため、露光X線以外の光(特に、多層膜
反射鏡で反射される長波長の光)をフィルター等を用い
て除去する必要があった。
【0009】従来のX線投影露光装置における照明光学
系として用いられている照明装置の一例を図6に示す。
照明装置は、フィルター42と照射光学系43により構
成され、光源1から出射されたX線31をマスク5上の
所望領域に照射する。この際、マスク5上に到達するX
線の強度が高いと、露光装置のスループットが高くなる
ので好ましい。
系として用いられている照明装置の一例を図6に示す。
照明装置は、フィルター42と照射光学系43により構
成され、光源1から出射されたX線31をマスク5上の
所望領域に照射する。この際、マスク5上に到達するX
線の強度が高いと、露光装置のスループットが高くなる
ので好ましい。
【0010】さらに、照明光学系(照明装置)は、露光
X線以外の長波長光(紫外線や可視光等)を除去するこ
とが好ましい。そのため、従来の照明光学系(照明装
置)には、光源1とマスク5との間にフィルター42が
配置され、このフィルター42により、紫外線や可視光
等の長波長光を除去していた。
X線以外の長波長光(紫外線や可視光等)を除去するこ
とが好ましい。そのため、従来の照明光学系(照明装
置)には、光源1とマスク5との間にフィルター42が
配置され、このフィルター42により、紫外線や可視光
等の長波長光を除去していた。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】フィルターは、露光X
線に対する透過率が高いものが好ましい。ところが、X
線に対する物質の透過率は低いため、フィルターのフィ
ルタ−機能部分を厚さの薄い部材(メンブレン)により
構成する必要があった。しかしながら、高い透過率を得
るためにメンブレンの厚さをうすくすると、メンブレン
の機械的強度が低下して、破壊されやすくなるという問
題点があった。
線に対する透過率が高いものが好ましい。ところが、X
線に対する物質の透過率は低いため、フィルターのフィ
ルタ−機能部分を厚さの薄い部材(メンブレン)により
構成する必要があった。しかしながら、高い透過率を得
るためにメンブレンの厚さをうすくすると、メンブレン
の機械的強度が低下して、破壊されやすくなるという問
題点があった。
【0012】ここで、従来のフィルター(一例)の断面
を図7に示す。従来のフィルターはメンブレン44の周
囲を補強材45により保持することで、メンブレン44
の機械的強度を補強していた。X線はメンブレン44を
透過するが、補強材45を透過しないので、フィルター
の透過率を高めるためには、照明に寄与する全てのX線
がメンブレン44を透過するように、或いは補強材45
が露光X線をけらないように、メンブレン44の面積を
十分大きなものにする必要がある。
を図7に示す。従来のフィルターはメンブレン44の周
囲を補強材45により保持することで、メンブレン44
の機械的強度を補強していた。X線はメンブレン44を
透過するが、補強材45を透過しないので、フィルター
の透過率を高めるためには、照明に寄与する全てのX線
がメンブレン44を透過するように、或いは補強材45
が露光X線をけらないように、メンブレン44の面積を
十分大きなものにする必要がある。
【0013】しかし、メンブレンの面積を大きくする
と、補強材45による補強効果が小さくなり、その結
果、メンブレンの機械的強度が低下するという問題点が
あった。また、メンブレンの機械的強度を増大させるた
めに、厚さを大きくするとX線の透過率が低下するとい
う問題点があった。さらに、メンブレンの機械的強度を
増大させるために、メンブレンの面積を小さくすると、
照明に寄与する全てのX線がメンブレン44を透過する
ように、或いは補強材45が露光X線をけらないように
することができなくなり、その結果、露光X線の透過率
(使用効率)が低下するという問題点があった。
と、補強材45による補強効果が小さくなり、その結
果、メンブレンの機械的強度が低下するという問題点が
あった。また、メンブレンの機械的強度を増大させるた
めに、厚さを大きくするとX線の透過率が低下するとい
う問題点があった。さらに、メンブレンの機械的強度を
増大させるために、メンブレンの面積を小さくすると、
照明に寄与する全てのX線がメンブレン44を透過する
ように、或いは補強材45が露光X線をけらないように
することができなくなり、その結果、露光X線の透過率
(使用効率)が低下するという問題点があった。
【0014】即ち、従来の照明装置に用いられるフィル
ターには、高い機械的強度とX線に対する高い透過率と
を同時に満たすことが困難であるという問題点があっ
た。また、レーザープラズマ光源(X線源)のように、
X線源が点光源である場合には、X線源の近傍にフィル
ターを配置すれば、面積が小さいメンブレンとその補強
材を備えたフィルターを用いても、補強材が露光X線を
けらないようにすることは容易である。
ターには、高い機械的強度とX線に対する高い透過率と
を同時に満たすことが困難であるという問題点があっ
た。また、レーザープラズマ光源(X線源)のように、
X線源が点光源である場合には、X線源の近傍にフィル
ターを配置すれば、面積が小さいメンブレンとその補強
材を備えたフィルターを用いても、補強材が露光X線を
けらないようにすることは容易である。
【0015】しかし、レーザープラズマ光源の場合に
は、X線源から飛散粒子(デブリ)が発生するので、フ
ィルターをX線源の近傍に配置すると、X線を透過しに
くい飛散粒子がフィルターに付着しやすくなる。即ち、
レーザープラズマ光源(X線源)の近傍に、面積が小さ
いメンブレンとその補強材を備えたフィルターを配置す
ると、補強材が露光X線をけらないようにすることは容
易であるが、飛散粒子がメンブレンに付着することによ
り、メンブレンの透過率が低下するという問題点があっ
た。
は、X線源から飛散粒子(デブリ)が発生するので、フ
ィルターをX線源の近傍に配置すると、X線を透過しに
くい飛散粒子がフィルターに付着しやすくなる。即ち、
レーザープラズマ光源(X線源)の近傍に、面積が小さ
いメンブレンとその補強材を備えたフィルターを配置す
ると、補強材が露光X線をけらないようにすることは容
易であるが、飛散粒子がメンブレンに付着することによ
り、メンブレンの透過率が低下するという問題点があっ
た。
【0016】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
ものであり、機械的強度が高く、しかもX線に対する透
過率が高いフィルターを備えた照明装置と、該照明装置
を照明光学系として用いた露光装置を提供することを目
的としている。
ものであり、機械的強度が高く、しかもX線に対する透
過率が高いフィルターを備えた照明装置と、該照明装置
を照明光学系として用いた露光装置を提供することを目
的としている。
【0017】
【課題を解決するための手段】そのため、本発明は第一
に「光源から出射されたX線を被照明物体に照射する照
明装置であり、少なくとも、前記光源から出射されたX
線を集光する集光光学系と、該集光光学系の集光位置
に、或いは集光位置の近傍に配置されたフィルターと、
該フィルターを透過したX線を前記被照明物体に照射す
る照射光学系と、を備えたことを特徴とする照明装置
(請求項1)」を提供する。
に「光源から出射されたX線を被照明物体に照射する照
明装置であり、少なくとも、前記光源から出射されたX
線を集光する集光光学系と、該集光光学系の集光位置
に、或いは集光位置の近傍に配置されたフィルターと、
該フィルターを透過したX線を前記被照明物体に照射す
る照射光学系と、を備えたことを特徴とする照明装置
(請求項1)」を提供する。
【0018】また、本発明は第二に「前記フィルターは
少なくとも、X線を透過しやすく、かつ紫外線及び可視
光を透過しにくいメンブレンを有することを特徴とする
請求項1記載の照明装置(請求項2)」を提供する。ま
た、本発明は第三に「前記メンブレンは少なくとも、ベ
リリウム、ケイ素、ホウ素または炭素により、或いはこ
れらの化合物により、構成されることを特徴とする請求
項2記載の照明装置(請求項3)」を提供する。
少なくとも、X線を透過しやすく、かつ紫外線及び可視
光を透過しにくいメンブレンを有することを特徴とする
請求項1記載の照明装置(請求項2)」を提供する。ま
た、本発明は第三に「前記メンブレンは少なくとも、ベ
リリウム、ケイ素、ホウ素または炭素により、或いはこ
れらの化合物により、構成されることを特徴とする請求
項2記載の照明装置(請求項3)」を提供する。
【0019】また、本発明は第四に「前記集光光学系
は、1枚の回転楕円ミラーまたは回転放物ミラーを有す
ることを特徴とする請求項1〜3記載の照明装置(請求
項4)」を提供する。また、本発明は第五に「前記フィ
ルターに冷却機構を設けたことを特徴とする請求項1〜
4記載の照明装置(請求項5)」を提供する。
は、1枚の回転楕円ミラーまたは回転放物ミラーを有す
ることを特徴とする請求項1〜3記載の照明装置(請求
項4)」を提供する。また、本発明は第五に「前記フィ
ルターに冷却機構を設けたことを特徴とする請求項1〜
4記載の照明装置(請求項5)」を提供する。
【0020】また、本発明は第六に「請求項1〜5記載
の照明装置を具備したことを特徴とする露光装置(請求
項6)」を提供する。
の照明装置を具備したことを特徴とする露光装置(請求
項6)」を提供する。
【0021】
【発明の実施の形態】本発明(請求項1〜5)にかかる
照明装置は、光源から出射されたX線を集光する集光光
学系の集光位置に、或いは集光位置の近傍にフィルタ−
を配置しているので、機械的強度が高く、しかもX線に
対する透過率が高いフィルターを用いることができる。
照明装置は、光源から出射されたX線を集光する集光光
学系の集光位置に、或いは集光位置の近傍にフィルタ−
を配置しているので、機械的強度が高く、しかもX線に
対する透過率が高いフィルターを用いることができる。
【0022】例えば図1に示すように、フィルター3を
集光光学系2の集光位置6に、或いは集光位置の近傍に
配置すると、フィルター3に入射するX線32の断面積
が小さくなる。そのため、フィルター機能部分(例えば
メンブレン)の大きさを、集光光学系2により集光され
るX線の集光サイズ(フィルター3に入射するX線32
の断面積)程度にまで小さくすることが可能となる。
集光光学系2の集光位置6に、或いは集光位置の近傍に
配置すると、フィルター3に入射するX線32の断面積
が小さくなる。そのため、フィルター機能部分(例えば
メンブレン)の大きさを、集光光学系2により集光され
るX線の集光サイズ(フィルター3に入射するX線32
の断面積)程度にまで小さくすることが可能となる。
【0023】従って、従来のフィルターに比べて面積の
小さなフィルター機能部分(例えばメンブレン)を用い
ても、フィルター機能部分の補強材によりX線がけられ
ることはない。この様に、本発明にかかる照明装置によ
れば、フィルター機能部分(例えばメンブレン)の面積
を小さくすることができるので、X線の透過率を高くす
べくその厚さをうすくしても、フィルター機能部分は十
分な強度を保つことができる。
小さなフィルター機能部分(例えばメンブレン)を用い
ても、フィルター機能部分の補強材によりX線がけられ
ることはない。この様に、本発明にかかる照明装置によ
れば、フィルター機能部分(例えばメンブレン)の面積
を小さくすることができるので、X線の透過率を高くす
べくその厚さをうすくしても、フィルター機能部分は十
分な強度を保つことができる。
【0024】即ち、本発明(請求項1〜5)にかかる照
明装置によれば、機械的強度が高く、しかもX線に対す
る透過率が高いフィルターを用いることができる。本発
明にかかるフィルターとしては、X線を透過しやすく、
かつ紫外線及び可視光を透過しにくいフィルター機能部
分として、例えばメンブレンを有するものが使用できる
(請求項2)。
明装置によれば、機械的強度が高く、しかもX線に対す
る透過率が高いフィルターを用いることができる。本発
明にかかるフィルターとしては、X線を透過しやすく、
かつ紫外線及び可視光を透過しにくいフィルター機能部
分として、例えばメンブレンを有するものが使用できる
(請求項2)。
【0025】また、前記メンブレンとしては、例えば、
ベリリウム、ケイ素、ホウ素または炭素を用いたもの
が、或いはこれらの化合物を用いたものが使用できる
(請求項3)。即ち、前記メンブレンとしては、露光X
線を透過しやすく、しかも露光X線よりも長波長の光
(紫外線や可視光等)を透過しにくい材料を用いたもの
が好ましい。
ベリリウム、ケイ素、ホウ素または炭素を用いたもの
が、或いはこれらの化合物を用いたものが使用できる
(請求項3)。即ち、前記メンブレンとしては、露光X
線を透過しやすく、しかも露光X線よりも長波長の光
(紫外線や可視光等)を透過しにくい材料を用いたもの
が好ましい。
【0026】例えば、波長13nm付近のX線に対して
は、X線透過率が高いベリリウムまたは珪素等を用いた
ものが、或いは、これらの化合物を用いたものが好まし
い。また、波長7nm付近のX線に対しては、X線透過
率が高いホウ素等を用いたものが、或いは、その化合物
を用いたものが好ましい。さらに、波長5nm付近のX
線に対しては、X線透過率が高い炭素等を用いたもの
が、或いは、その化合物を用いたものが好ましい。
は、X線透過率が高いベリリウムまたは珪素等を用いた
ものが、或いは、これらの化合物を用いたものが好まし
い。また、波長7nm付近のX線に対しては、X線透過
率が高いホウ素等を用いたものが、或いは、その化合物
を用いたものが好ましい。さらに、波長5nm付近のX
線に対しては、X線透過率が高い炭素等を用いたもの
が、或いは、その化合物を用いたものが好ましい。
【0027】本発明にかかる集光光学系は、1枚の回転
楕円ミラーまたは回転放物ミラーを有するものが好まし
い(請求項4)。即ち、X線の反射鏡による反射率は10
0 %に満たないため、反射鏡の枚数はX線の損失を防ぐ
観点から、なるべく少くすることが好ましい。例えば、
レーザープラズマ光源のような点光源を用いる場合は、
集光光学系2を少なくとも1枚の回転楕円ミラーにより
構成すると、X線を微小な点に集光することができる。
楕円ミラーまたは回転放物ミラーを有するものが好まし
い(請求項4)。即ち、X線の反射鏡による反射率は10
0 %に満たないため、反射鏡の枚数はX線の損失を防ぐ
観点から、なるべく少くすることが好ましい。例えば、
レーザープラズマ光源のような点光源を用いる場合は、
集光光学系2を少なくとも1枚の回転楕円ミラーにより
構成すると、X線を微小な点に集光することができる。
【0028】図2は、集光光学系をわずか1枚の回転楕
円ミラー21により構成した例を示している。回転楕円
ミラー21の二つの焦点位置のうち、一方の焦点位置に
光源を配置すると、もう一方の焦点位置にX線が集光す
る。この様に、レーザープラズマ光源のような点光源を
用いる場合は、集光光学系2をわずか1枚のミラーによ
り構成することができる。
円ミラー21により構成した例を示している。回転楕円
ミラー21の二つの焦点位置のうち、一方の焦点位置に
光源を配置すると、もう一方の焦点位置にX線が集光す
る。この様に、レーザープラズマ光源のような点光源を
用いる場合は、集光光学系2をわずか1枚のミラーによ
り構成することができる。
【0029】また、シンクロトロン放射光のような平行
光束のX線を出射する光源を用いる場合は、集光光学系
2を少なくとも1枚の回転放物ミラーにより構成する
と、X線を微小な点に集光することができる。図3は、
集光光学系をわずか1枚の回転放物ミラー22により構
成した例を示している。回転放物ミラーの回転軸がX線
31の光軸と平行になるように、回転放物ミラーを配置
することで、回転軸上にX線が集光する。
光束のX線を出射する光源を用いる場合は、集光光学系
2を少なくとも1枚の回転放物ミラーにより構成する
と、X線を微小な点に集光することができる。図3は、
集光光学系をわずか1枚の回転放物ミラー22により構
成した例を示している。回転放物ミラーの回転軸がX線
31の光軸と平行になるように、回転放物ミラーを配置
することで、回転軸上にX線が集光する。
【0030】この様に、シンクロトロン放射光のような
平行光束のX線を出射する光源を用いる場合も、集光光
学系22をわずか1枚のミラーにより構成することができ
る。また、本発明にかかるフィルターには、冷却機構を
設けることが好ましい(請求項5)。即ち、フィルター
に入射する光(X線や紫外線等)の強度が大きい場合
は、フィルターに、冷却機構を設けることが好ましい。
冷却機構を設けることにより、フィルターの温度上昇に
よる破損が起こりにくくなる。
平行光束のX線を出射する光源を用いる場合も、集光光
学系22をわずか1枚のミラーにより構成することができ
る。また、本発明にかかるフィルターには、冷却機構を
設けることが好ましい(請求項5)。即ち、フィルター
に入射する光(X線や紫外線等)の強度が大きい場合
は、フィルターに、冷却機構を設けることが好ましい。
冷却機構を設けることにより、フィルターの温度上昇に
よる破損が起こりにくくなる。
【0031】冷却機構としては、例えば、フィルター機
能部分の周辺(例えば補強材)を液体またはガス等の冷
媒により冷却する機構が使用できる。或いは、補強材を
熱伝導率の高い部材で構成することで、熱伝導により冷
却するようにしてもよい。本発明にかかるフィルター
は、フィルター機能部分の面積が小さいので、フィルタ
ー機能部分の熱容量も小さい。そのため、補強材を熱伝
導率の高い部材で構成することで、熱伝導によりフィル
ター機能部分が容易に冷却される。
能部分の周辺(例えば補強材)を液体またはガス等の冷
媒により冷却する機構が使用できる。或いは、補強材を
熱伝導率の高い部材で構成することで、熱伝導により冷
却するようにしてもよい。本発明にかかるフィルター
は、フィルター機能部分の面積が小さいので、フィルタ
ー機能部分の熱容量も小さい。そのため、補強材を熱伝
導率の高い部材で構成することで、熱伝導によりフィル
ター機能部分が容易に冷却される。
【0032】或いは、フィルターを集光位置から光軸方
向に少しずらすことで、フィルターに照射される光(X
線や紫外線等)の照射面積をわずかに増大させてもよ
い。このようにすれば、フィルター機能部分における単
位面積当たりの照射強度が小さくなるので、フィルター
機能部分の温度上昇を抑制することができる。図1は、
本発明にかかる照明装置(一例)の構成(一部)を示す
概念図であり、この照明装置は、X線源1から出射され
たX線31を集光する集光光学系2、フィルター3、該
フィルター3を透過したX線33をマスク5上に照射す
る照明光学系4を有する。
向に少しずらすことで、フィルターに照射される光(X
線や紫外線等)の照射面積をわずかに増大させてもよ
い。このようにすれば、フィルター機能部分における単
位面積当たりの照射強度が小さくなるので、フィルター
機能部分の温度上昇を抑制することができる。図1は、
本発明にかかる照明装置(一例)の構成(一部)を示す
概念図であり、この照明装置は、X線源1から出射され
たX線31を集光する集光光学系2、フィルター3、該
フィルター3を透過したX線33をマスク5上に照射す
る照明光学系4を有する。
【0033】集光光学系2は、X線源1からのX線31
を集光点6に集光する。集光光学系2は、反射鏡により
構成することが好ましく、特に多層膜反射鏡や全反射鏡
により構成すると、X線反射率が高くなるので好まし
い。フィルター3は、露光X線を透過しやすく、しかも
紫外線等の露光X線よりも長波長の光を透過しにくい材
料を用いて、そのフィルタ−機能部分を構成すると、照
明装置を照明光学系として用いた露光装置の解像度が高
くなり、さらに該露光装置のスループットも高くなるの
で好ましい。
を集光点6に集光する。集光光学系2は、反射鏡により
構成することが好ましく、特に多層膜反射鏡や全反射鏡
により構成すると、X線反射率が高くなるので好まし
い。フィルター3は、露光X線を透過しやすく、しかも
紫外線等の露光X線よりも長波長の光を透過しにくい材
料を用いて、そのフィルタ−機能部分を構成すると、照
明装置を照明光学系として用いた露光装置の解像度が高
くなり、さらに該露光装置のスループットも高くなるの
で好ましい。
【0034】フィルター3は、露光X線の透過率を高め
るために、そのフィルタ−機能部分を厚さの薄い部材
(メンブレン)により構成することが好ましく、またメ
ンブレン中をX線32が透過する距離が小さくなるよう
に、フィルターを配置することが好ましい。さらに、フ
ィルター3は図1に示すように、集光光学系2の集光位
置6近傍に配置するのが好ましい。
るために、そのフィルタ−機能部分を厚さの薄い部材
(メンブレン)により構成することが好ましく、またメ
ンブレン中をX線32が透過する距離が小さくなるよう
に、フィルターを配置することが好ましい。さらに、フ
ィルター3は図1に示すように、集光光学系2の集光位
置6近傍に配置するのが好ましい。
【0035】この様に配置することで、フィルター3に
入射するX線32の断面積が小さくなり、その結果、従
来フィルターのメンブレンに比べて面積の小さなメンブ
レンを用いても、補強材によってX線がけられることは
ない。フィルターのメンブレンの大きさは、集光光学系
2により集光されるX線の集光サイズ程度にまで小さく
することが可能である。
入射するX線32の断面積が小さくなり、その結果、従
来フィルターのメンブレンに比べて面積の小さなメンブ
レンを用いても、補強材によってX線がけられることは
ない。フィルターのメンブレンの大きさは、集光光学系
2により集光されるX線の集光サイズ程度にまで小さく
することが可能である。
【0036】この様に、図1の照明装置は、メンブレン
の面積を小さくすることができる。そのため、X線の透
過率を高くすべくメンブレンの厚さをうすくしても、十
分な強度を保つことができる。図4は、本発明(請求項
6)にかかる露光装置(一例)の構成(一部)を示す概
念図である。
の面積を小さくすることができる。そのため、X線の透
過率を高くすべくメンブレンの厚さをうすくしても、十
分な強度を保つことができる。図4は、本発明(請求項
6)にかかる露光装置(一例)の構成(一部)を示す概
念図である。
【0037】この露光装置は、X線源1、該X線源1か
らのX線31をマスク5上に照射する照明光学系(照明
装置)7、マスク5のステージ8、マスク5からのX線
35を受けて、マスク5上に形成されたパターンをウエ
ハ10上に投影結像する投影結像光学系9、ウエハ10
のステージ11を有する。そして、本露光装置の照明光
学系7には、機械的強度が高く、しかもX線に対する透
過率が高いフィルターを備えた本発明(請求項1〜5)
にかかる照明装置を使用している。
らのX線31をマスク5上に照射する照明光学系(照明
装置)7、マスク5のステージ8、マスク5からのX線
35を受けて、マスク5上に形成されたパターンをウエ
ハ10上に投影結像する投影結像光学系9、ウエハ10
のステージ11を有する。そして、本露光装置の照明光
学系7には、機械的強度が高く、しかもX線に対する透
過率が高いフィルターを備えた本発明(請求項1〜5)
にかかる照明装置を使用している。
【0038】本露光装置では、X線に対する透過率が高
いフィルターを備えた照明光学系7からマスク上に高強
度のX線が照射されるため、ウエハに達するX線の強度
も大きくなり、高いスループットで露光することができ
る。また、光源から出射された長波長の光(紫外線や可
視光等)は、照明光学系7においてフィルタ−により除
去されている。そのため、マスク上のパターンは高い転
写精度でウエハ上に転写されて、所望のレジストパター
ンが得られる。
いフィルターを備えた照明光学系7からマスク上に高強
度のX線が照射されるため、ウエハに達するX線の強度
も大きくなり、高いスループットで露光することができ
る。また、光源から出射された長波長の光(紫外線や可
視光等)は、照明光学系7においてフィルタ−により除
去されている。そのため、マスク上のパターンは高い転
写精度でウエハ上に転写されて、所望のレジストパター
ンが得られる。
【0039】以下、本発明を実施例によりさらに詳細に
説明するが、本発明はこれらの例に限定されるものでは
ない。
説明するが、本発明はこれらの例に限定されるものでは
ない。
【0040】
【実施例1】図2は、本実施例にかかる照明装置(一
例)の構成(一部)を示す概念図である。この照明装置
は、X線源1からのX線31を集光する集光光学系2
1、フィルター3、該フィルター3を透過したX線33
をマスク5上に照射する照明光学系4を有する。
例)の構成(一部)を示す概念図である。この照明装置
は、X線源1からのX線31を集光する集光光学系2
1、フィルター3、該フィルター3を透過したX線33
をマスク5上に照射する照明光学系4を有する。
【0041】本照明装置により、X線源1であるレーザ
ープラズマ光源から出射された波長13nmのX線をマ
スク5上に照射した。集光光学系21は、回転楕円ミラ
ーにより構成し、ミラーの表面にはモリブデンと珪素か
らなる交互多層膜を形成した。こうすることで、光源1
からのX線31を効率よく、集光点6に集光させること
ができた。そして、X線の集光サイズは直径約0.8 mm
であった。
ープラズマ光源から出射された波長13nmのX線をマ
スク5上に照射した。集光光学系21は、回転楕円ミラ
ーにより構成し、ミラーの表面にはモリブデンと珪素か
らなる交互多層膜を形成した。こうすることで、光源1
からのX線31を効率よく、集光点6に集光させること
ができた。そして、X線の集光サイズは直径約0.8 mm
であった。
【0042】フィルター3は、厚さ0.1 μmの珪素製メ
ンブレンと保持(補強)部材により構成した。メンブレ
ンの大きさは1mm 角とした。メンブレンは厚さがうすい
ものの、サイズが小さいので十分な機械的強度を有し
た。さらに、従来よりも薄い珪素のメンブレンを用いる
ことにより、波長13nm付近のX線対して高い透過率
が得られた。また、長波長光(紫外線や可視光等)の透
過率は、無視できるほど十分小さな値であった。
ンブレンと保持(補強)部材により構成した。メンブレ
ンの大きさは1mm 角とした。メンブレンは厚さがうすい
ものの、サイズが小さいので十分な機械的強度を有し
た。さらに、従来よりも薄い珪素のメンブレンを用いる
ことにより、波長13nm付近のX線対して高い透過率
が得られた。また、長波長光(紫外線や可視光等)の透
過率は、無視できるほど十分小さな値であった。
【0043】珪素のメンブレンは、シリコンウエハ表面
にホウ素をイオン注入でドープした後、裏面をウエット
エッチングすることにより作製した。フィルター3は図
2に示すように、集光光学系21の集光位置6の近傍に
配置した。フィルターは、X線がけられないように配置
した。また、フィルターには水冷機構を設けて、保持
(補強)部材のうちメンブレンに近接する部分を水冷し
た。このようにすることで、フィルターの温度は一定に
保たれた。
にホウ素をイオン注入でドープした後、裏面をウエット
エッチングすることにより作製した。フィルター3は図
2に示すように、集光光学系21の集光位置6の近傍に
配置した。フィルターは、X線がけられないように配置
した。また、フィルターには水冷機構を設けて、保持
(補強)部材のうちメンブレンに近接する部分を水冷し
た。このようにすることで、フィルターの温度は一定に
保たれた。
【0044】図4は、本実施例の照明装置を照明光学系
として具備した露光装置(一例)の構成(一部)を示す
概念図である。本露光装置は、X線源1、該X線源1か
ら発生するX線31をマスク5上に照射する照明光学系
(照明装置)7、マスク5のステージ8、マスク5から
のX線35を受けて、マスク5上に形成されたパターン
をウエハ10上に投影結像する投影結像光学系9、ウエ
ハ10のステージ11を有する。
として具備した露光装置(一例)の構成(一部)を示す
概念図である。本露光装置は、X線源1、該X線源1か
ら発生するX線31をマスク5上に照射する照明光学系
(照明装置)7、マスク5のステージ8、マスク5から
のX線35を受けて、マスク5上に形成されたパターン
をウエハ10上に投影結像する投影結像光学系9、ウエ
ハ10のステージ11を有する。
【0045】投影結像光学系9は、輪帯状の視野を有す
る縮小光学系を用いた。本露光装置による露光を行った
結果、所望のレジストパターンを高いスループットで得
ることができた。スループットは、従来の露光装置の約
2倍であった。また、従来の露光装置の場合には、露光
中にフィルターが破損することがあったが、本実施例に
かかる露光装置は、露光中もフィルターが破損すること
はなかった。
る縮小光学系を用いた。本露光装置による露光を行った
結果、所望のレジストパターンを高いスループットで得
ることができた。スループットは、従来の露光装置の約
2倍であった。また、従来の露光装置の場合には、露光
中にフィルターが破損することがあったが、本実施例に
かかる露光装置は、露光中もフィルターが破損すること
はなかった。
【0046】
【実施例2】図3は、本実施例にかかる照明装置(一
例)の構成(一部)を示す概念図である。本照明装置
は、X線源1からのX線31を集光する集光光学系2
2、フィルター3、該フィルター3を透過したX線32
をマスク5上に照射する照明光学系4を有する。
例)の構成(一部)を示す概念図である。本照明装置
は、X線源1からのX線31を集光する集光光学系2
2、フィルター3、該フィルター3を透過したX線32
をマスク5上に照射する照明光学系4を有する。
【0047】本照明装置により、X線源1である放射光
光源から出射された波長4.5 nmのX線をマスク5上に
照射した。集光光学系22は、1枚の回転放物ミラーに
より構成し、ミラーの表面にはニッケルと炭素からなる
交互多層膜を形成した。こうすることで、光源1からの
X線31を効率よく、集光点6に集光させることができ
た。そして、X線の集光サイズは、直径約1mmであっ
た。
光源から出射された波長4.5 nmのX線をマスク5上に
照射した。集光光学系22は、1枚の回転放物ミラーに
より構成し、ミラーの表面にはニッケルと炭素からなる
交互多層膜を形成した。こうすることで、光源1からの
X線31を効率よく、集光点6に集光させることができ
た。そして、X線の集光サイズは、直径約1mmであっ
た。
【0048】フィルターは、厚さ0.1 μmの炭素製メン
ブレンと保持(補強)部材により構成した。メンブレン
の大きさは、1.2mm 角とした。メンブレンは厚さがうす
いものの、サイズが小さいので十分な機械的強度を有し
た。さらに、従来よりも薄い炭素のメンブレンを用いる
ことにより、波長4.5 nm付近のX線対して、高い透過
率が得られた。また、長波長光(紫外線や可視光等)の
透過率は、無視できるほど十分小さな値であった。
ブレンと保持(補強)部材により構成した。メンブレン
の大きさは、1.2mm 角とした。メンブレンは厚さがうす
いものの、サイズが小さいので十分な機械的強度を有し
た。さらに、従来よりも薄い炭素のメンブレンを用いる
ことにより、波長4.5 nm付近のX線対して、高い透過
率が得られた。また、長波長光(紫外線や可視光等)の
透過率は、無視できるほど十分小さな値であった。
【0049】図4は、本実施例の照明装置を照明光学系
として具備した露光装置(一例)の構成(一部)を示す
概念図である。本露光装置は、X線源1、該X線源1か
らのX線31をマスク5上に照射する照明光学系(照明
装置)7、マスク5のステージ8、マスク5からのX線
35を受けて、マスク5上に形成されたパターンをウエ
ハ10上に投影結像する投影結像光学系9、ウエハ10
のステージ11を有する。
として具備した露光装置(一例)の構成(一部)を示す
概念図である。本露光装置は、X線源1、該X線源1か
らのX線31をマスク5上に照射する照明光学系(照明
装置)7、マスク5のステージ8、マスク5からのX線
35を受けて、マスク5上に形成されたパターンをウエ
ハ10上に投影結像する投影結像光学系9、ウエハ10
のステージ11を有する。
【0050】投影結像光学系9は、輪帯状の視野を有す
る縮小光学系を用いた。本露光装置による露光を行った
結果、所望のレジストパターンを高いスループットで得
ることができた。スループットは、従来の露光装置の約
2倍であった。また、従来の露光装置の場合には、露光
中にフィルターが破損することがあったが、本実施例に
かかる露光装置は、露光中もフィルターが破損すること
はなかった。
る縮小光学系を用いた。本露光装置による露光を行った
結果、所望のレジストパターンを高いスループットで得
ることができた。スループットは、従来の露光装置の約
2倍であった。また、従来の露光装置の場合には、露光
中にフィルターが破損することがあったが、本実施例に
かかる露光装置は、露光中もフィルターが破損すること
はなかった。
【0051】
【発明の効果】以上説明したように、本発明(請求項1
〜5)によれば、機械的強度が高く、しかもX線に対す
る透過率が高いフィルターを備えた照明装置を提供する
ことができる。また、本発明(請求項6)の露光装置に
おいては、X線に対する透過率が高いフィルターを備え
た照明光学系からマスク上に高強度のX線が照射される
ため、ウエハに達するX線の強度が大きく、高いスルー
プットで露光を行うことができる。
〜5)によれば、機械的強度が高く、しかもX線に対す
る透過率が高いフィルターを備えた照明装置を提供する
ことができる。また、本発明(請求項6)の露光装置に
おいては、X線に対する透過率が高いフィルターを備え
た照明光学系からマスク上に高強度のX線が照射される
ため、ウエハに達するX線の強度が大きく、高いスルー
プットで露光を行うことができる。
【0052】また、光源から出射された長波長の光(紫
外線や可視光等)は、照明光学系においてフィルタ−に
より除去されている。そのため、マスク上のパターンは
高い転写精度でウエハ上に転写されて、所望のレジスト
パターンが得られる。さらに、フィルタ−の機械的強度
が高いので、露光中にフィルターが破損することは、非
常に起こりにくい。
外線や可視光等)は、照明光学系においてフィルタ−に
より除去されている。そのため、マスク上のパターンは
高い転写精度でウエハ上に転写されて、所望のレジスト
パターンが得られる。さらに、フィルタ−の機械的強度
が高いので、露光中にフィルターが破損することは、非
常に起こりにくい。
【図1】は、本発明にかかる照明装置(一例)の構成
(一部)を示す概略図である。
(一部)を示す概略図である。
【図2】は実施例1の照明装置の構成(一部)を示す概
略図である。
略図である。
【図3】は、実施例2の照明装置の構成(一部)を示す
概略図である。
概略図である。
【図4】は、本発明にかかる露光装置(一例)の構成
(一部)を示す概略図である。
(一部)を示す概略図である。
【図5】は、従来の露光装置(一例)の構成(一部)を
示す概略図である。
示す概略図である。
【図6】は、従来の照明装置(一例)の構成(一部)を
示す概略図である。
示す概略図である。
【図7】は、従来のフィルターの断面を示す概略図であ
る。
る。
1...X線源 2...集光光学系 3...フィルター 4...照明光学系 5...マスク 6...集光光学系の集光位置 7...照明装置(露光装置の照明光学系) 8...マスクステージ 9...結像光学系 10...ウエハ 11...ウエハステージ 21...回転楕円ミラーで構成した集光光学系 22...回転放物ミラーで構成した集光光学系 31〜36...X線 41...従来の照明装置(露光装置の照明光学系) 42...従来のフィルター 43...従来の照明装置の照射(照明)光学系 44...メンブレン 45...補強材 以上
Claims (6)
- 【請求項1】 光源から出射されたX線を被照明物体に
照射する照明装置であり、 少なくとも、前記光源から出射されたX線を集光する集
光光学系と、該集光光学系の集光位置に、或いは集光位
置の近傍に配置されたフィルターと、該フィルターを透
過したX線を前記被照明物体に照射する照射光学系と、
を備えたことを特徴とする照明装置。 - 【請求項2】 前記フィルターは少なくとも、X線を透
過しやすく、かつ紫外線及び可視光を透過しにくいメン
ブレンを有することを特徴とする請求項1記載の照明装
置。 - 【請求項3】 前記メンブレンは少なくとも、ベリリウ
ム、ケイ素、ホウ素または炭素により、或いはこれらの
化合物により、構成されることを特徴とする請求項2記
載の照明装置。 - 【請求項4】 前記集光光学系は、1枚の回転楕円ミラ
ーまたは回転放物ミラーを有することを特徴とする請求
項1〜3記載の照明装置。 - 【請求項5】 前記フィルターに冷却機構を設けたこと
を特徴とする請求項1〜4記載の照明装置。 - 【請求項6】 請求項1〜5記載の照明装置を具備した
ことを特徴とする露光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9149700A JPH10340843A (ja) | 1997-06-06 | 1997-06-06 | 照明装置および露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9149700A JPH10340843A (ja) | 1997-06-06 | 1997-06-06 | 照明装置および露光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10340843A true JPH10340843A (ja) | 1998-12-22 |
Family
ID=15480914
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9149700A Pending JPH10340843A (ja) | 1997-06-06 | 1997-06-06 | 照明装置および露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10340843A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004027842A1 (ja) * | 2002-09-09 | 2004-04-01 | Nikon Corporation | X線発生装置、x線露光装置及びx線フィルター |
WO2004068564A1 (ja) * | 2002-12-26 | 2004-08-12 | Nikon Corporation | 照明光学系、照明装置、投影露光装置、及び露光方法 |
JP2013503463A (ja) * | 2009-08-27 | 2013-01-31 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | スペクトル純度フィルタ、リソグラフィ装置、及びスペクトル純度フィルタを製造する方法 |
JP2014211426A (ja) * | 2013-04-02 | 2014-11-13 | リソテック ジャパン株式会社 | 光透過度測定方法 |
WO2023067739A1 (ja) * | 2021-10-20 | 2023-04-27 | 日本碍子株式会社 | Euv透過膜 |
-
1997
- 1997-06-06 JP JP9149700A patent/JPH10340843A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004027842A1 (ja) * | 2002-09-09 | 2004-04-01 | Nikon Corporation | X線発生装置、x線露光装置及びx線フィルター |
WO2004068564A1 (ja) * | 2002-12-26 | 2004-08-12 | Nikon Corporation | 照明光学系、照明装置、投影露光装置、及び露光方法 |
JP2013503463A (ja) * | 2009-08-27 | 2013-01-31 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | スペクトル純度フィルタ、リソグラフィ装置、及びスペクトル純度フィルタを製造する方法 |
JP2014211426A (ja) * | 2013-04-02 | 2014-11-13 | リソテック ジャパン株式会社 | 光透過度測定方法 |
WO2023067739A1 (ja) * | 2021-10-20 | 2023-04-27 | 日本碍子株式会社 | Euv透過膜 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7501641B2 (en) | Dual hemispherical collectors | |
US5848119A (en) | Illumination system and exposure apparatus having the same | |
TWI287236B (en) | Soft X-ray light source apparatus, EUV exposure apparatus, and illumination method | |
JP6221159B2 (ja) | コレクター | |
US7433447B2 (en) | X-ray generator and exposure apparatus | |
CN1495528A (zh) | 光刻投射装置及用于所述装置中的反射器组件 | |
JP2009518853A (ja) | 放射システムおよびリソグラフィ装置 | |
TWI257533B (en) | Lithographic projection apparatus with collector including concave and convex mirrors | |
JP2000091220A (ja) | 投影露光装置及び投影露光方法 | |
US20110199600A1 (en) | Collector assembly, radiation source, lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP2005317611A (ja) | 露光方法及び装置 | |
EP1116072A1 (en) | Low thermal distortion extreme-uv lithography reticle | |
JP2002198309A (ja) | 熱的な負荷の少ない照明系 | |
JP5220136B2 (ja) | 照明光学系、露光装置およびデバイス製造方法 | |
JPH06349715A (ja) | X線マスク検査装置 | |
JP2005141158A (ja) | 照明光学系及び露光装置 | |
JP2004246343A (ja) | 反射光学系及び露光装置 | |
JPH10340843A (ja) | 照明装置および露光装置 | |
JP2005093693A (ja) | 露光装置 | |
JPH05291117A (ja) | 投影露光方法およびその装置 | |
US20120050703A1 (en) | Euv collector | |
JP2001110713A (ja) | 反射型光学素子及び該光学素子を備える照明光学装置、投影露光装置、デバイス製造方法 | |
JP3371510B2 (ja) | 照明装置及び露光装置 | |
JP2005093692A (ja) | 照明光学系及び露光装置 | |
JP3371511B2 (ja) | 照明装置及び投影露光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040531 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050513 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050607 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060131 |