JP2005129936A - リソグラフィ機器で使用するミラー上での上部層の使用、リソグラフィ機器で使用するミラー、このようなミラーを備えるリソグラフィ機器、及びデバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この機器は、例えばEUVなどの所望の波長の放射を提供する放射源SOを有する。この放射源SOは、望ましくない金属粒子流を生成し、これらの金属粒子がミラー上に被着して、比較的小さい核及び比較的大きい核が形成される。上部層8は、所定の温度範囲で金属被着物の核と相互拡散し得る。そのため、これらの金属粒子と上部層8の金属の追加の合金層14が形成される。この追加の合金層は、金属粒子だけを含む層よりも反射率が高い。
【選択図】図4c
Description
−放射投影ビーム(例えば、UV又はEUV放射)PBを提供する照明システム(照明器)ILと、
−パターン化手段(例えば、マスク)MAを支持し、要素PLに対してパターン化手段を正確に位置決めする第1位置決め手段PMに連結された第1支持構造(例えば、マスク・テーブル)MTと、
−基板(例えば、レジストを塗布したウエハ)Wを保持し、要素PLに対して基板を正確に位置決めする第2位置決め手段PWに連結された基板テーブル(例えば、ウエハ・テーブル)WTと、
−基板Wの(例えば、1つ又は複数のダイを含む)目標部分Cに、パターン化手段MAによって投影ビームPBに付与されたパターンを結像する投影システム(例えば、反射型投影レンズ)PLとを備える。
1.ステップ・モードでは、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTは本質的に固定したまま、投影ビームに付与されたパターン全体を目標部分Cに1回で投影する(すなわち、1回の静止露光)。次いで、基板テーブルWTをX方向及び/又はY方向に移動して、異なる目標部分Cを露光することができる。ステップ・モードでは、露光領域の最大サイズが、1回の静止露光で画像形成される目標部分Cのサイズを制限する。
2.スキャン・モードでは、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTを同期して走査し、投影ビームに付与されたパターンを目標部分Cに投影する(すなわち、1回の動的な露光)。マスク・テーブルMTに対する相対的な基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPLの倍率(縮小率)及び像の反転特性によって決まる。スキャン・モードでは、露光領域の最大サイズが、1回の動的な露光における目標部分の(非走査方向の)幅を制限し、走査移動長により、目標部分の(走査方向の)高さが決まる。
3.別のモードでは、プログラム可能なパターン化手段を保持するマスク・テーブルMTを本質的に固定したまま、基板テーブルWTを移動すなわち走査し、投影ビームに付与されたパターンを目標部分Cに投影する。一般に、このモードでは、パルス化された放射源を用い、基板テーブルWTの各移動動作後に、或いは走査中に連続放射パルス間で、プログラム可能なパターン化手段が必要に応じて更新される。この動作モードは、上記で言及したタイプのプログラム可能なミラー・アレイなどのプログラム可能なパターン化手段を利用するマスクなしリソグラフィに容易に適用し得る。
1.小さな核が形成される核生成段階。図5aを参照すると、Ru層4上にこれらの小さなSnの核18が示されている。これらの核18は、それらが互いに接触するまで成長を続ける。このような接触は、一般に飽和密度と称する密度で生じる。この核生成は、欠陥により誘起されることもあるし、ランダムに生じることもある。
2.図5bに示すように、接触する核が単一のより大きな核20に転化して、表面自由エネルギーが減少する凝集段階。より大きな核20は継続して成長する。この移動機構は主に表面拡散によるものである。
3.これらのより大きな核20が個々に、凝集プロセス時よりも速く成長し、それによって、空隙及び粒界を伴うより連続的なチャネル22が生成されるチャネル段階。図5cを参照されたい。
4.図5dに示すように、連続被膜6で全域が覆われる連続被膜段階(図5dは、図3の上面図である)。この被膜は、粒界によって結合した結晶粒からなる。
2 層、Ni層
3 ミラー
4 上部層、Ru層
5 Snの被着
6 連続被膜、Sn層
8 上部被覆、Au層
10 Snの薄い層
12 Au原子の拡散
14 合金被膜、Au/Sn層
16 Sn蒸気
18 小さな核
20 大きい核
22 連続チャネル
24 保護被覆
26 被着部位
28 成長部位
29 ポンプ
30(1) 第1ミラー
30(2) 第2ミラー
31 結合部分
32 光が入射しない区域
33 冷却ユニット
34 光が入射しない区域
35 EUV放射
36 スルー・ホール
37 熱
38 加熱源
39 キャピラリ・トレンチ
40 コントローラ
42 放射システム
44 照明光学ユニット
47 放射源チャンバ
48 集光器チャンバ
49 ガス障壁構造、汚染物トラップ
50 放射集光器
51 グレーティング型スペクトル・フィルタ
52 仮想放射源点
53 垂直入射反射器
54 垂直入射反射器
56 投影ビーム
57 パターン化されたビーム
58 反射要素
59 反射要素
C 目標部分
IF1 位置センサ
IF2 位置センサ
IL 照明システム、照明器
MA パターン化手段
MT 第1支持構造
M1 マスク位置合わせマーク
M2 マスク位置合わせマーク
O 光軸
PB 放射投影ビーム
PL 投影システム、レンズ
PM 第1位置決め手段
PW 第2位置決め手段
P1 基板位置合わせマーク
P2 基板位置合わせマーク
SO 放射源
W 基板
WT 基板テーブル
Claims (25)
- 所望の波長の放射を提供する放射源(SO)を備えるリソグラフィ機器において、動作中の前記放射源により生成される望ましくない金属粒子流によってミラー上に形成される金属被着物を減少させるための、前記リソグラフィ機器で使用するミラー上での所定の金属の上部層(8)の使用であって、前記所定の金属が、前記リソグラフィ機器が動作しているときに、前記所定の金属と前記金属被着物が所定の温度範囲で相互拡散するように選択される、ミラー上での所定の金属の上部層(8)の使用。
- 前記所定の温度範囲が300〜2800Kである、請求項1に記載の、ミラー上での所定の金属の上部層(8)の使用。
- 前記所定の金属が、Au又はPdなど、Ib族の元素の少なくとも1つである、請求項1又は2に記載の、ミラー上での所定の金属の上部層(8)の使用。
- 前記望ましくない金属粒子がSn及びLiのうちの1つである、請求項3に記載の、ミラー上での所定の金属の上部層(8)の使用。
- 所望の波長の放射を提供する放射源(SO)を備えるリソグラフィ機器で使用するミラー上での1つ又は複数の所定の材料の上部層(24)の使用であって、前記放射源が、動作時に望ましくない金属粒子流を生成し、それによって前記ミラー上に金属被着物が形成されて前記金属被着物の核生成段階での核の寿命が延び、前記核が、前記リソグラフィ機器が動作しているときに、前記金属粒子が前記上部層に被着するときに形成される、ミラー上での1つ又は複数の所定の材料の上部層(24)の使用。
- 前記1つ又は複数の所定の材料が非ぬれ性材料を含み、前記非ぬれ性材料をCとし得る、請求項5に記載の、ミラー上での1つ又は複数の所定の材料の上部層(24)の使用。
- 所望の波長の放射を提供し、かつ動作時に望ましくない金属粒子流を生成して前記ミラー上に金属被着物が形成される放射源(SO)を備えるリソグラフィ機器で使用するミラーであって、前記ミラーが、少なくとも部分的に1つ又は複数の所定の材料の上部層(28)で覆われ、前記1つ又は複数の所定の材料が、前記上部層(28)の所定の区域上でのみ前記金属被着物のぬれ性を増強するように選択される、ミラー。
- 前記1つ又は複数の所定の材料が、例えばAg又はCuなどのぬれ性材料を含み、ドット及びラインの少なくとも1つからなるパターンで配置される、請求項7に記載のミラー。
- 所望の波長の放射を提供し、かつ動作時に望ましくない金属粒子流を生成する放射源(SO)を備えるリソグラフィ機器で使用するミラーであって、前記ミラーが、前記リソグラフィ機器が動作しているときに前記金属粒子が前記ミラー上に被着すると、キャピラリ作用によって前記金属粒子を集め、かつ除去する構造を有するミラー。
- 前記構造が、前記ミラー中に、ぬれ性材料を被覆し得るキャピラリ・トレンチ(39)及びスルー・ホール(36)を少なくとも1つ備える、請求項9に記載のミラー。
- 放射投影ビームを提供する照明システムと、
前記投影ビームの横断面にパターンを付与する働きをするパターン化手段を支持する支持構造と、
基板を保持する基板テーブルと、
前記基板の目標部分に前記パターン化されたビームを投影する投影システムとを備えるリソグラフィ機器であって、
前記照明システムが、請求項7から10までのいずれかに記載の少なくとも1つのミラー、或いは、請求項1から6までのいずれかに従って用いられる上部層を備えた少なくとも1つのミラーを備えることを特徴とする、リソグラフィ機器。 - 所望の波長の放射を提供し、かつ動作時に望ましくない金属粒子流を生成する放射源(SO)を備える、請求項11に記載のリソグラフィ機器。
- 前記所望の波長がEUVの範囲内である、請求項12に記載のリソグラフィ機器。
- 前記金属粒子がSn及びLiの1つを含む、請求項12又は13に記載のリソグラフィ機器。
- 前記ミラーが放射集光器(50)の一部である、請求項11から14までのいずれかに記載のリソグラフィ機器。
- 汚染物トラップ(49)を備える、請求項11から15までのいずれかに記載のリソグラフィ機器。
- 前記ミラーを加熱し、前記ミラー上で前記望ましくない金属粒子の表面移動度を増加させるための加熱源(38)を備える、請求項11から16までのいずれかに記載のリソグラフィ機器。
- 前記ミラーの表面に所定のハロゲン・ガスを供給するように構成される、請求項11から17までのいずれかに記載のリソグラフィ機器。
- 基板を提供するステップと、
照明システムを使用して放射投影ビームを提供するステップと、
パターン化手段を使用して前記投影ビームの横断面にパターンを付与するステップと、
前記基板の目標部分に前記パターン化された放射ビームを投影するステップとを含むデバイスの製造方法であって、
前記照明システム内で、請求項7から10までのいずれかに記載のミラー、或いは、請求項1から6までのいずれかに従って用いられる上部層を備えたミラーを使用することを特徴とする、方法。 - 放射投影ビームを提供する照明システムと、
前記投影ビームの横断面にパターンを付与する働きをするパターン化手段を支持する支持構造と、
基板を保持する基板テーブルと、
前記基板の目標部分に前記パターン化されたビームを投影する投影システムとを備えるリソグラフィ機器であって、
前記リソグラフィ機器が、所望の波長の放射を提供し、かつ動作時に望ましくない金属粒子流を生成する放射源(SO)を備え、前記照明システムが、前記リソグラフィ機器が動作しているときに、前記望ましくない金属粒子の少なくとも一部を受け取るように配置されたミラーを備え、前記リソグラフィ機器が、前記ミラーを加熱し、前記ミラー上で前記金属粒子の表面移動度を増加させるための加熱源をさらに備えることを特徴とする、リソグラフィ機器。 - 前記ミラーが、請求項7から10までのいずれかに記載のミラーであるか、或いは、前記ミラーが、請求項1から6までのいずれかに従って用いられる上部層を備える、請求項20に記載のリソグラフィ機器。
- 前記ミラーから蒸発した望ましくない金属蒸気を吸い出すポンプ(29)を備える、請求項20又は21に記載のリソグラフィ機器。
- 前記リソグラフィ機器が、放射集光器として配置された複数のミラーを備え、少なくとも1つのミラーが、別のミラーの前面に面する裏面を備え、前記少なくとも1つのミラーの前記裏面が、前記別のミラーの前記前面から蒸発した金属粒子を受け取り、かつ凝結面として動作するように配置される、請求項20、21、又は22に記載のリソグラフィ機器。
- 前記ミラーの表面に所定のハロゲン・ガスを供給するように構成される、請求項20から23までのいずれかに記載のリソグラフィ機器。
- 基板を提供するステップと、
照明システムを使用して放射投影ビームを提供するステップと、
パターン化手段を使用して前記投影ビームの横断面にパターンを付与するステップと、
前記基板の目標部分に前記パターン化された放射ビームを投影するステップとを含むデバイスの製造方法であって、
前記投影ビームを生成するために所望の波長の放射を提供し、かつ動作時に望ましくない金属粒子流を生成する放射源(SO)を提供することと、前記照明システム内で、前記望ましくない金属粒子の少なくとも一部を受け取るように配置されたミラーを提供することと、前記ミラーを加熱し、前記ミラー上で前記金属粒子の表面移動度を増加させることとを特徴とする、方法。
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Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006332654A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-12-07 | Asml Netherlands Bv | 放射システム及びリソグラフィ装置 |
JP2007110107A (ja) * | 2005-09-27 | 2007-04-26 | Asml Netherlands Bv | 光学要素上の堆積物の装置外での除去 |
JP2007165874A (ja) * | 2005-12-08 | 2007-06-28 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置のためのラジカルクリーニング構成 |
JP2007208239A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-08-16 | Asml Netherlands Bv | リソグフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2008177558A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-31 | Asml Netherlands Bv | デブリ軽減システムおよびリソグラフィ装置 |
JP2009515326A (ja) * | 2005-11-02 | 2009-04-09 | ユニバーシティ・カレッジ・ダブリン,ナショナル・ユニバーシティ・オブ・アイルランド,ダブリン | 高出力euvランプシステム |
JP2009517880A (ja) * | 2005-12-02 | 2009-04-30 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 洗浄デバイスを含むリソグラフィ装置、および光学エレメントを洗浄するための方法 |
JP2010505261A (ja) * | 2006-09-27 | 2010-02-18 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 放射システムおよびこれを含むリソグラフィ装置 |
JP2010506224A (ja) * | 2006-10-13 | 2010-02-25 | メディア ラリオ ソシエタ ア レスポンサビリタ リミタータ | コーティングされたミラー及びその製造 |
JP2011528498A (ja) * | 2008-07-18 | 2011-11-17 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 汚染物捕獲体を含む極紫外線放射生成装置 |
JP2017526007A (ja) * | 2014-08-15 | 2017-09-07 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 反射光学素子 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI237733B (en) * | 2003-06-27 | 2005-08-11 | Asml Netherlands Bv | Laser produced plasma radiation system with foil trap |
US7145641B2 (en) | 2003-12-31 | 2006-12-05 | Asml Netherlands, B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
US7696492B2 (en) * | 2006-12-13 | 2010-04-13 | Asml Netherlands B.V. | Radiation system and lithographic apparatus |
US7772570B2 (en) | 2006-12-22 | 2010-08-10 | Asml Netherlands B.V. | Assembly for blocking a beam of radiation and method of blocking a beam of radiation |
US20080218709A1 (en) * | 2007-03-07 | 2008-09-11 | Asml Netherlands B.V. | Removal of deposition on an element of a lithographic apparatus |
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EP2157481A3 (en) * | 2008-08-14 | 2012-06-13 | ASML Netherlands B.V. | Radiation source, lithographic apparatus, and device manufacturing method |
EP2161725B1 (en) | 2008-09-04 | 2015-07-08 | ASML Netherlands B.V. | Radiation source and related method |
JP5534910B2 (ja) * | 2009-04-23 | 2014-07-02 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置 |
US8587768B2 (en) | 2010-04-05 | 2013-11-19 | Media Lario S.R.L. | EUV collector system with enhanced EUV radiation collection |
KR102002269B1 (ko) * | 2010-07-30 | 2019-07-19 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | Euv 노광 장치 |
CN102621815B (zh) | 2011-01-26 | 2016-12-21 | Asml荷兰有限公司 | 用于光刻设备的反射光学部件及器件制造方法 |
CA2835073A1 (en) * | 2011-05-04 | 2012-11-08 | The University Of Akron | Suppression of dewetting of polymer films via inexpensive soft lithography |
NL2009359A (en) * | 2011-09-23 | 2013-03-26 | Asml Netherlands Bv | Radiation source. |
DE102013002064A1 (de) | 2012-02-11 | 2013-08-14 | Media Lario S.R.L. | Quell-kollektor-module für euv-lithographie unter verwendung eines gic-spiegels und einer lpp-quelle |
US9753383B2 (en) | 2012-06-22 | 2017-09-05 | Asml Netherlands B.V. | Radiation source and lithographic apparatus |
US9846365B2 (en) | 2013-08-02 | 2017-12-19 | Asml Netherlands B.V. | Component for a radiation source, associated radiation source and lithographic apparatus |
JP6869242B2 (ja) * | 2015-11-19 | 2021-05-12 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置のためのeuvソースチャンバーおよびガス流れ様式、多層ミラー、およびリソグラフィ装置 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08236292A (ja) * | 1995-02-27 | 1996-09-13 | Hitachi Ltd | レーザプラズマx線発生装置 |
WO1999063790A1 (fr) * | 1998-05-29 | 1999-12-09 | Nikon Corporation | Source lumineuse plasmatique excitee au laser, appareil d'exposition et son procede de fabrication, et procede de fabrication d'un dispositif |
JP2001523007A (ja) * | 1997-11-10 | 2001-11-20 | ザ、リージェンツ、オブ、ザ、ユニバーシティ、オブ、カリフォルニア | 極紫外リソグラフィー用の多重層反射性コーティング用不動態化オーバーコート二重層 |
JP2002319537A (ja) * | 2001-01-23 | 2002-10-31 | Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag | 波長が193nm以下の照明光学系のための集光器 |
JP2003516643A (ja) * | 1999-12-08 | 2003-05-13 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | 極短紫外領域の放射の光源を用いるリソグラフィ装置、およびこの領域内で広いスペクトル帯域を有する多層膜反射鏡 |
JP2003142296A (ja) * | 2001-11-05 | 2003-05-16 | Canon Inc | X線発生装置 |
EP1348984A1 (en) * | 2002-03-27 | 2003-10-01 | Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag | Optical broad band element and process for its production |
WO2003087867A2 (en) * | 2002-04-10 | 2003-10-23 | Cymer, Inc. | Extreme ultraviolet light source |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4465820A (en) * | 1983-06-03 | 1984-08-14 | General Electric Company | Copolyestercarbonates |
US6566667B1 (en) * | 1997-05-12 | 2003-05-20 | Cymer, Inc. | Plasma focus light source with improved pulse power system |
US6541786B1 (en) * | 1997-05-12 | 2003-04-01 | Cymer, Inc. | Plasma pinch high energy with debris collector |
TW561279B (en) | 1999-07-02 | 2003-11-11 | Asml Netherlands Bv | Reflector for reflecting radiation in a desired wavelength range, lithographic projection apparatus containing the same and method for their preparation |
US6285737B1 (en) * | 2000-01-21 | 2001-09-04 | Euv Llc | Condenser for extreme-UV lithography with discharge source |
EP1333323A3 (en) * | 2002-02-01 | 2004-10-06 | Nikon Corporation | Self-cleaning reflective optical elements for use in x-ray optical systems, and optical systems and microlithography systems comprising same |
JP2004037295A (ja) * | 2002-07-04 | 2004-02-05 | Nikon Corp | 多層膜反射鏡、その製造方法、多層膜反射鏡の反射率回復方法、軟x線光学系及び軟x線露光装置 |
US6968850B2 (en) * | 2002-07-15 | 2005-11-29 | Intel Corporation | In-situ cleaning of light source collector optics |
JP2004093483A (ja) * | 2002-09-03 | 2004-03-25 | Nikon Corp | 多層膜反射鏡及び露光装置 |
US8945310B2 (en) * | 2003-05-22 | 2015-02-03 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and device for cleaning at least one optical component |
-
2003
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2008
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08236292A (ja) * | 1995-02-27 | 1996-09-13 | Hitachi Ltd | レーザプラズマx線発生装置 |
JP2001523007A (ja) * | 1997-11-10 | 2001-11-20 | ザ、リージェンツ、オブ、ザ、ユニバーシティ、オブ、カリフォルニア | 極紫外リソグラフィー用の多重層反射性コーティング用不動態化オーバーコート二重層 |
WO1999063790A1 (fr) * | 1998-05-29 | 1999-12-09 | Nikon Corporation | Source lumineuse plasmatique excitee au laser, appareil d'exposition et son procede de fabrication, et procede de fabrication d'un dispositif |
JP2003516643A (ja) * | 1999-12-08 | 2003-05-13 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | 極短紫外領域の放射の光源を用いるリソグラフィ装置、およびこの領域内で広いスペクトル帯域を有する多層膜反射鏡 |
JP2002319537A (ja) * | 2001-01-23 | 2002-10-31 | Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag | 波長が193nm以下の照明光学系のための集光器 |
JP2003142296A (ja) * | 2001-11-05 | 2003-05-16 | Canon Inc | X線発生装置 |
EP1348984A1 (en) * | 2002-03-27 | 2003-10-01 | Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag | Optical broad band element and process for its production |
WO2003087867A2 (en) * | 2002-04-10 | 2003-10-23 | Cymer, Inc. | Extreme ultraviolet light source |
JP2005522839A (ja) * | 2002-04-10 | 2005-07-28 | サイマー インコーポレイテッド | 極紫外線光源 |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006332654A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-12-07 | Asml Netherlands Bv | 放射システム及びリソグラフィ装置 |
JP2007110107A (ja) * | 2005-09-27 | 2007-04-26 | Asml Netherlands Bv | 光学要素上の堆積物の装置外での除去 |
JP2009515326A (ja) * | 2005-11-02 | 2009-04-09 | ユニバーシティ・カレッジ・ダブリン,ナショナル・ユニバーシティ・オブ・アイルランド,ダブリン | 高出力euvランプシステム |
JP2009517880A (ja) * | 2005-12-02 | 2009-04-30 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 洗浄デバイスを含むリソグラフィ装置、および光学エレメントを洗浄するための方法 |
JP2007165874A (ja) * | 2005-12-08 | 2007-06-28 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置のためのラジカルクリーニング構成 |
JP2007208239A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-08-16 | Asml Netherlands Bv | リソグフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP4567659B2 (ja) * | 2005-12-28 | 2010-10-20 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2010505261A (ja) * | 2006-09-27 | 2010-02-18 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 放射システムおよびこれを含むリソグラフィ装置 |
JP2011228742A (ja) * | 2006-09-27 | 2011-11-10 | Asml Netherlands Bv | 光センサ装置及びeuv放射を検出する方法 |
JP2010506224A (ja) * | 2006-10-13 | 2010-02-25 | メディア ラリオ ソシエタ ア レスポンサビリタ リミタータ | コーティングされたミラー及びその製造 |
JP2008177558A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-31 | Asml Netherlands Bv | デブリ軽減システムおよびリソグラフィ装置 |
JP4637164B2 (ja) * | 2006-12-27 | 2011-02-23 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | デブリ軽減システムおよびリソグラフィ装置 |
JP2011528498A (ja) * | 2008-07-18 | 2011-11-17 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 汚染物捕獲体を含む極紫外線放射生成装置 |
JP2017526007A (ja) * | 2014-08-15 | 2017-09-07 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 反射光学素子 |
JP2019500652A (ja) * | 2015-12-16 | 2019-01-10 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 反射光学素子 |
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