JP2002319537A - 波長が193nm以下の照明光学系のための集光器 - Google Patents
波長が193nm以下の照明光学系のための集光器Info
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Abstract
の集光器を提供する。 【解決手段】 本発明は、好適にはEUV波長を用いる
照明光学系の集光器に関する。この集光器は、光源から
の光を受容する物側の開口と、この物側の開口の環状開
口要素がそれぞれに割り当てられた、入れ子式の多数の
反射鏡椀形状部とを有している。この集光器は、複数の
環状要素から成る或る平面に、照明すべき領域を有して
いる。そして、各々の複数の環状要素には、上記環状開
口要素が割り当てられている。本発明は、このような集
光器において、上記環状開口要素が重なり合わず、しか
も、上記環状要素が重なり合わずに上記平面で概ね隣り
合わせで連続的につながり、上記反射鏡椀形状部の、回
転軸方向の大きさ、表面パラメータ、および位置が、上
記環状要素での照射強度がそれぞれほぼ同じになるよう
に構成されていることを特徴としている。
Description
以下、好ましくは126nm以下、特に好ましくはEU
V(極短紫外線)領域の波長による照明光学系に用いら
れ、光源から放射される光を受け入れる物側の開口と、
共通の回転軸周りに入れ子式に配設された多数の反射鏡
椀形状部とを有し、各反射鏡椀形状部には、物側の開口
の環状開口要素が一つ一つ対応するように配設されてお
り、上記集光器は、さらに複数の環状要素から成る平面
に照明すべき領域を有し、各環状要素には、上記環状開
口要素が一つ一つ対応するように配設されている集光器
に関するものである。本発明は、さらに、上記のような
集光器を有する照明光学系、本発明による照明光学系を
有する投影露光装置、ならびに微細構造を露光するため
の方法を提供する。
の波長のための入れ子式の集光器は、多くの文献から周
知となっている。
には、X線のためのコリメータが示されている。この発
明では、コリメータが複数の放物面形状の反射鏡を有し
ている。米国特許第5768339号明細書に記載のコ
リメータは、X線光源から等方に放射される光束を平行
な光線にするのに用いられる。
線のための入れ子式の集光器が周知となっている。この
発明は、米国特許第5768339号明細書の場合と同
様に、光源から等方に放射されるX線を平行な光線束に
するために使用される。
ピンチプラズマ光源のための入れ子式の集光器が示され
ている。この集光器は、光源から放射される光線を集
め、光導入器に集束させるものである。
多重経路光学系の複数の構成が示されている。これらの
多重光路光学系は、多重反射によって光源からの光線、
特にX線を一点に集束させるのに用いられる。
特許第5745547号明細書に記載の発明は、楕円形
に形成された反射鏡を提案している。
線リソグラフィーシステムに使用するための、X線光源
とマスクとの間に放物面形状に構成された入れ子式の反
射鏡を有する構成が周知となっている。これらの反射鏡
は、拡散するX線を平行な光束にして出力させるように
配置されている。
載の構成もまた、専らX線によるリソグラフィーのため
に優れた平行光を実現するためにのみ用いられている。
トより周知の入れ子式の反射鏡の構成は、X線近接リソ
グラフィーシステムにおいて光源からの光を再集束さ
せ、光源の虚像を結像させるために用いられる。入れ子
式になった椀形状の鏡は、楕円面の形状を有している。
高エネルギーの光子源のための入れ子式の反射鏡が周知
となっている。この反射鏡は、拡散するX線を平行に進
む光束にするために用いられる。
トには、中性子線を平行にするために使用される入れ子
式の集光器が示されている。
トより周知のX線用の入れ子式の集光器は、個々の椀形
反射鏡の内側の反射面の表面粗度が12Årmsより小さ
いことを特徴としている。国際公開第01/08162
号パンフレットに示される集光器には、多重反射光学
系、特にヴォルター(Wolter)光学系も設けられ、例え
ばX線リソグラフィーに対して要求される高い解像度を
特徴としている。
たは、国際公開第99/57732号パンフレットなど
に記載のEUVリソグラフィーのための照明光学系に対
しては、解像度の他に、均一性もしくは一様性、ならび
にテレセントリックであることに対して高度な要求が課
される。このような光学系の場合、光源の光は、所定の
いくつかの光源用のために集光器によって集められる。
光学系に必要な均一性ならびにテレセントリック性に対
する高い要求を満足するような、193nm以下、好ま
しくは126nm以下、特に好ましくはEUV(極短紫
外線)領域の波長を用いる照明光学系のための集光器を
提供することである。特に、できる限り均一な照明が実
現される必要がある。
明により、光源から放射される光を受け入れるとともに
請求項1に記載の特徴を有する物側の開口を備えた集光
器によって解決される。本発明による集光器は、共通の
回転軸周りに入れ子式に設けられた多数の回転対称な反
射鏡椀形状部を有している。各反射鏡椀形状部には、物
側の開口の環状開口要素が一つ一つ対応している。照明
すべき領域は、或る平面内にあり、複数の環状要素から
構成されている。各環状要素には、環状開口要素が一つ
一つ対応している。これらの複数の環状開口要素、なら
びに、これらに対応している複数の環状要素は、重なり
合わない。そして、上記複数の環状要素は、上記平面に
おいてほぼ連続的に互いにつながっている。本発明によ
れば、反射鏡椀形状部の回転軸方向の大きさおよび表面
パラメータ、さらに反射鏡椀形状部の位置は、個々の環
状要素の照射強度がほぼ同じになるように選択されてい
る。
器を形成することによって、一平面のある領域に非常に
均一な照明が実現できるという知見を得た。特に好まし
いのは、反射鏡椀形状部が楕円面、放物面または双曲面
の環状の一部分である場合である。放物面の場合は、完
全に平行な光束が得られ、従って無限遠の光源像が得ら
れる。例えば米国特許第6198793号明細書に記載
されるように、照明すべき面に設けられた第1の格子素
子を有する第1の光学素子を用いて、第2の光源を作り
出す場合、放物面の環状セグメントとして形成されてい
る反射鏡椀形状部において、個々の格子素子は、集光作
用を有さなければならない。米国特許第6198793
号明細書に開示された内容は、本願に包括的に取り入れ
られている。
ともできる。本発明によるこのような集光器は、楕円面
の一部とされている椀形状部を有しており、これにより
集束する光束が形成されるようになっている。楕円面の
一部とされた椀形状部を有する集光器に、集光作用を持
たせることによって、第1の光学素子の第1の格子素子
を例えば平らな切り子面として形成することができる。
光器を用いると、拡散する光束が得られ、集光器をでき
るだけ小さな寸法で形成する必要がある場合には、特に
有利になる。
て、本発明による集光器の特徴は、異なる椀形状部から
なる反射鏡の回転軸方向の長さが異なる点である。この
特徴によって照明すべき平面において環状の領域に非常
に均一な照明が実現される。反射鏡の寸法と距離を冒頭
部分で引用した従来技術の場合のようにほぼ等しくする
と、平行にされた光線または集束された光線を得ること
はできるが、環状の領域における均一な照明を得ること
はできない。さらに角度による反射損失は、集光器をそ
れに適合させた構成とすることによって補償されるの
で、前記平面において均一な照明が実現される。
において、外側の反射鏡椀形状部の位置は、内側の反射
鏡椀形状部の位置よりも照明すべき平面から離れてい
る。このとき反射鏡椀形状部の位置とは、集光器の回転
軸上に関した、椀形状部の起点と終点との間の中間点の
値を意味するものとする。内側の反射鏡椀形状部とは、
2つの反射鏡椀形状部、すなわち内側および外側の反射
鏡椀形状部のうち回転軸までの距離が小さい反射鏡椀形
状部のことをいう。入れ子式の集光器を用いるとはいっ
ても、専ら離散的な近似においてのみ均一化が得られる
のにすぎないのであるから、集光器はできるだけ多くの
椀形状部を有していることが好ましい。本発明による集
光器は、好適に4個以上、特に好適には7個以上、さら
に好ましくは10個以上の椀形状の反射鏡を有してい
る。
による集光器により、確実に、同じ大きさの角度部分が
同じ大きさの面に写される。さらに、角度に依存した反
射損失は、集光器をそれに合わせて形成することによっ
て補償されるので、照明すべき平面に均一な照明が得ら
れる。
光器によって均一な照明に変換することができる。
の環状要素の半径方向の幅が等しい大きさとされ、内側
の環状要素に対応した、集光器の反射鏡椀形状部の回転
軸方向の長さは、外側の環状要素に対応した、集光器の
反射鏡椀形状部の回転軸方向の長さよりも大きい。内側
の環状要素とは、2つの環状要素、すなわち内側の環状
要素および外側の環状要素のうち、回転軸までの距離が
小さいものをいう。
うに形成されている。すなわち、第1の環状要素の半径
方向の広がりの、この第1の環状要素に対応した環状開
口要素の角度の広がりに対する第1の比と、第2の環状
要素の半径方向の広がりの、この第2の環状要素に対応
した環状開口要素の角度の広がりとの第2の比とから得
られる商の大きさが、第1の環状開口要素に流入する第
1の光度と、第2の環状開口要素に流入する第2の光度
とから得られる商に対して等しくなる。すなわち、以下
の式
一つの反射鏡椀形状部において多重反射が生じるように
入れ子式の反射鏡椀形状部を形成する。
とにより、反射角度を小さく保持することができる。
角度をなして表面すれすれに入射する場合の反射におい
て、モリブデン、ニオブ、ルテニウム、ロジウム、パラ
ジウムまたは金などの材料を用いる場合、反射率は、表
面接線に対する入射角とともに略直線的な振る舞いをす
る。このため、反射損失は、例えば16度での1回の反
射、もしくは、8度での2回の反射では、大体同じにな
る。しかしながら、集光器の最大の開口を得ることがで
きるようにするには、2回以上の反射を用いることが好
ましい。
学系である。2つの反射を有する集光器は、例えば、双
曲面の環状の部分をなす第1の反射鏡椀形状部と、楕円
面の環状の部分をなす第2の反射鏡椀形状部とを有する
入れ子式のヴォルター(Wolter)光学系として形成する
ことができる。
Annalen der Physik 10, 94-114, 1952 などの文献から
周知である。双曲面と楕円面との組み合わせによって形
成され、光線が反射した位置から当該光線が光軸を横切
る位置までの距離が実とされるような、つまり、光源の
中間像を実像として有するようなヴォルター光学系につ
いては、J. Optics, Vol. 15, 270-280, 1984 を参照し
てほしい。
接線に対して20度より小さい入射角での2つの反射を
用いるヴォルター光学系の場合、開口角度80°に対応
して、最大の集光の開口がNAmax〜0.985まで選
択可能とされ、このとき、70%より大きい反射率を有
するような、かすめるようなすれすれの斜入射角のもと
での高い反射率の反射領域が存在することである。
の第1の環状セグメントおよび第2の環状セグメント
は、連続的に互いにつながっておらず、第1の環状セグ
メントと第2の環状セグメントとの間には、反射鏡椀形
状部の使用されない領域、いわゆる間隙が設けられてい
る。
器を有する照明光学系も提供している。照明光学系は、
好ましくは、米国特許第6198793号明細書に示す
ように、第1の格子素子を有する第1の光学素子と、第
2の格子素子を有する第2の光学素子とを備えた2重に
切り子面が形成された照明光学系とされ、この米国特許
第6198793号明細書の開示内容は、包括的に本願
に取り入れられている。
素子は、平らな切り子面とされるか、あるいは、集光作
用ないし拡散作用を有する切り子面とすることができ
る。
を有する第1の光学素子上で、環状の領域のみが照明さ
れる。その場合、第1の格子素子は、このような環状領
域内に設けられることが好ましい。
は、マイクロリソグラフィーのための投影露光装置にお
いて好適に使用される。このような投影露光装置は、P
CT/EP 00/07258に開示され、その開示内
容は、包括的に本願に取り入れられている。投影露光装
置は、照明装置の後方に設けられた投影光学系、例えば
米国特許第6244717号明細書に示されるように4
枚の反射鏡を有する投影光学系を有し、この明細書の開
示内容は、包括的に本願に取り入れられている。
を挙げながら説明する。
lemente der Optik", Hauser-Verlag 1992, p.28-29 に
従って、以下の表に記載された光学技術上の概念を用い
る。 表1:光学技術上の概念
よび中間平面7(平面)を有する光学系の原理が示され
ている。光源1は、一定の光度で空間に光線を放射す
る。この光度は、通常、角度ψ、およびφ(図示されぬ
z軸周りの角度)に依存して、I(ψφ)となる。
る。 I(ψφ)=I(ψ)
れた光が集められ、束ねられる。集光器3によって、光
源1の像が形成されるが、ここで、光源像5は、図1に
示すように、実像であるか、虚像であるかのいずれであ
ってもよい。また、光源1が、すでに或る物理的な光源
の像であっても構わない。集光器3の後方の平面7で
は、いずれの場合も所定の照明9が得られる。この照明
は、集光器の像側の空間での角度ψ´における立体角要
素(Raumwinkel-element)である放射円錐11の光度を
投影したものに相当する。一つの平面7において照明が
均一化されていると、集光器の後方に設けられる他のど
の平面においても、光源1の像5が位置する像面からそ
の平面が十分に離れている限り、おのずと照明は均一化
される。像側の空間における放射円錐11に、物側の空
間における放射円錐13が対応し、この放射円錐13
は、角度ψにおける立体角要素に放射される光源の光度
I(ψ)で満たされている。
或る光源像が形成される。このような光源像は、実像
(すなわち、光の方向に関して集光器3から右側)であ
ってもよいし、虚像(すなわち、光の方向に関して集光
器3から左側)であってもよいし、あるいは無限遠に像
を結ぶものであってもよい。
射特性が変換され、中間像の前方あるいは後方で非常に
均一な照明が得られる。
めに生じる光の損失に比例した減衰因子(ここで、 I
(α)=R(α)・I*(α)を以下において用いること
とする。) である。
については、以下の式が成立する。 式(2.2)
(α)の差が大きい場合、環状開口要素、あるいは平面
7上の環状要素を式(2.3)を満たすように選択しな
ければならない。
性を適合させるという課題は、反射鏡やレンズといった
ような単純な光学素子によって解決することはできな
い。本願で光学系の光軸と同一とされたz軸周りに回転
対称な放射特性であれば、少なくとも離散した領域に対
しては、特殊な種類のフレネル光学系を介して同じ照明
を実現することができる。
実像である場合を例にして説明する。中間像が虚像であ
る場合、または光源像が無限遠に形成される場合につい
ては、当業者によって類似の構成が容易に想到されよ
う。
3つの角度部分、すなわち環状開口要素20,22,2
4を選択する。これらの環状開口要素は、光源1から半
径方向に、それぞれの角度部分、すなわち環状開口要素
に等しい出力で光が放射されるように配設されている。
高密度プラズマ集束光源(Dense Plasma Focus Quell
e)のような等方的に放射する光源1の場合は、同一の
角度変化量dαを選択し、非等方的に放射する光源の場
合は、以下の式が得られるように、角度間隔を対応させ
て適合させる。 式(2.4)
の角度で、dαiはi番目の角度部分の幅である。一般
には異なる値となる角度変化量dαiが式(2.4)に
よって決定される。
が示されている。図に示されているのは、NAminとN
Amaxとの間に、3つの部分20,22,24が配置さ
れる例である。部分22および24は、互いに連続して
いるが、部分20および22の間には、小さな間隙26
が存在している。
0,22,24のそれぞれに対して、環状要素30,3
2,34が照明すべき平面7において対応するように割
り当てられている。環状要素30,32,34は、環状
要素の周辺光線間の距離drが等しい大きさになるよう
に選択される。こうして以下の式が成立する。 式(2.5)
転軸RAからの距離 dr:高さ変化量、すなわち半径方向の広がり r1:任意の開始高さ(入れ子式の集光器の場合には、
明瞭な中央の遮蔽部)である。
する平面7における照明が示されている。
れぞれの楕円形の椀形状部が決定される。中間像が虚像
の場合は、これらの椀形状部は、双曲線形状になり、光
源像が無限遠の場合は、放物線形状になる。このとき、
それぞれの環状開口要素20,22,24において代表
的な光線が1つ選択されている。
し放物線形の椀形状部に対しては、この図で光源1およ
び光源像5に相当する物点および像点と、さらにもう1
点とが与えられれば十分である。ここでは、しかし、2
点、つまり集光器の椀形状部の開始点および終点が与え
られている。すなわち、この問題に対する条件が多すぎ
るのである。けれども、照明の目的で光源を結像させる
ための結像特性は、通常ほとんど気にしなくてもよいた
め、大したことのない若干の焦点ぼけを生じるものの、
例えば楕円または双曲線または放物線に、楔形や円錐台
形の形状をなした円錐部分を付け加えることができる。
別の方法としては、現れる間隙はごく小さく選択できて
しまうことから、わずかな遮蔽部は甘受するというもの
がある。間隙の大きさは、椀形状部の配置ならびに特に
数量により最小化することができる。間隙は、例えば、
前方において、つまり、光源から受け入れられる出力に
おいて生じるように、そして、後方において、つまり、
照明すべき平面には生じないように選択される。
特に、円錐台形のみから集光器を構成することもでき
る。このような構成は、加工上の観点から有利である。
なら、角度部分すなわち環状開口要素20〜24、及
び、面部分すなわち環状要素30〜34のいずれによっ
ても、確実にそれぞれ等しい光束Φが与えられる。
したがって、角度の各部分に依存したこの反射損失は、
それに見合うだけのαiの角度変化量をあてがうことに
よって補償するということも可能である。このとき、本
発明により平面7を非常に均一に照明することを意図し
ているので、等しい変化量を有する環状部分に割り当て
られている環状開口部分は、同じ大きさにはならない。
た楕円面の部分からなる入れ子式の集光器3が示されて
おり、このような集光器3によって平面7が非常に均一
に照明される。z軸周りに回転対称であるので、集光器
3の半分だけが断面視して示されている。
6の一群が示されている。これらの椀形状部40,4
2,44,46は、z軸からほぼ等距離に設けられてい
る。ここで、z軸からの距離は、椀形状部の最大直径に
相当し、この最大直径は、椀形状部の番号iにほぼ比例
している。図4には、さらに光源1、照明すべき平面7
および光源像5が示されている。他の構成要素の符号
は、上述の図において用いられた符号に対応している。
に、椀形状部の長さを減少させた構成も可能である。例
えば最も内側に設けられた角度部分すなわち環状開口要
素20を2つの角度部分すなわち環状開口要素20.1
および20.2に分割することができる。それに応じて
平面7において対応する最も内側の環状要素30も、2
つの環状要素30.1および30.2に分割することが
できる。こうして内側の2つの部分に対して2つの椀形
状部40.1および40.2が形成され、これらは、図
5から明らかなように椀形状部40よりも短くなる。上
述の図に示されたものと同一の構成要素には、同一の符
号を付している。
れる。図6に示す通り、屈折光学系では、上記の入れ子
式の反射鏡椀形状部40,42,44,46を、オフ・
アクシスの円環状のレンズ部分50,52,54,56
に置き換えることができる。
レンズ部分の構成を示している。このような構成によ
り、光源の或る所定の放射特性に対して平面7の均一な
照明が実現される。z軸周りに回転対称に設けられた光
学系は、断面によって半分しか示されていない。異なる
大きさの角度要素が、等しい大きさの高さ部分へと偏向
され、それによって光源の放射が等方的でない場合も均
一な照明が実現される。
央の遮蔽部を有する。つまり、或る所定の開口角NA
minを下回ると、光源の光線は、受け入れられない。従
ってこのような光線は、後続の照明光学系に到達しない
ように、絞りによって遮断されなければならない。絞り
は、例えば集光器の領域に設けられる。
より詳しく説明する。
円群を用いて点から点への結像により実像が得られるも
のとし、このとき、椀形状部の直径は、ほぼ等間隔に選
択されるものとする。
る。 式(3.1)
示されている。この部分は、z軸周りに回転対称である
ので、半分のみが断面で示されている。
による計算に使用された値が示されている。上述の図に
示されるものと同一の構成要素に関しては、同一の符号
が使用されている。図に示すのは、以下の通りである。 v(i):i番目の反射鏡椀形状部のi番目の開始点 x(v(i)):i番目の開始点のx座標 z(v(i)):i番目の開始点のz座標、すなわち回
転軸RAに関する開始点 h(i):i番目の反射鏡椀形状部のi番目の終点 x(h(i)):i番目の終点のx座標 z(h(i)):i番目の終点のz座標,すなわち回転
軸RAに関する終点 m(i):i番目の椀形状部の開始点と終点との間の中
間点 x(m(i)):中間点のx座標 z(m(i)):中間点のz座標、すなわち回転軸RA
に関するi番目の椀形状部の開始点と終点との間の中間
点 a,b:楕円のパラメーター r(i):i番目の椀形状部に対するi番目の環状要素
の、照明すべき平面における回転軸RAからの距離 NA(i):i番目の椀形状部に対するi番目の環状開
口要素の内側の縁を通る光線の開口角の正弦
ターを用いて計算された実施の形態について得られた椀
形状部60,62,64,66,68,70,72,7
4,76,80の楕円群を示している。データは、表2
に記載されている。表2に記載された全ての長さは、m
mによるものである。表面接線に対する入射角は、全て
19°以下である。最大光線の表面接線に対する入射角
は、図8による実施形態では、18.54°である。
(NA´min約0.025) 光源1における最小の開口NAmin:NAmin=0.12 最大の開口:33°に対応してNAmax<0.55 光源1における角度変化量:dαi=2.4°=一定値
(すなわち光源の等方的な放射特性) 表2:楕円群のパラメータ
8および表2に示す実施の形態の横倍率βが、像側の開
口角の関数として示されている。横倍率βは、角度に関
しては一定でなくてもよいが、平面7における最大半径
rmaxに対しては、或る所定の横倍率に設定されなくて
はならない。
lと、離散的な方法で光線を平行にする目的を達成する
実際の横倍率βとが、平面7における半径rとの関係に
おいて示されている。理想的な横倍率からのずれは、例
えば図5に示すように内側の椀形状部をそれぞれ2つに
分けるなどして、椀形状部の数を増大させることによっ
て減少させることができる。このような方法により平面
7において、さらに良好な照明の均一化が達成される。
成部材などを製造するための、本発明を応用することの
できる投影露光装置を原理的に示す図である。投影露光
装置は、光源の中間像ないし光源1を有している。図で
は4本の光線によってのみ代表的に示された光源1から
放射される光は、本発明による入れ子式の集光器3に集
められ、多数の第1の格子素子、いわゆるフィールドハ
ニカムを有する反射鏡102に向けられる。この図にお
いては、第1の格子素子は平坦とされている。反射鏡1
02は、フィールドハニカム反射鏡とも呼ばれる。フィ
ールドハニカム面103における照明は、図12に示す
ように、設定された環状領域で非常に均一に行われる。
フィールド面103は、集光器の光軸に対して正確に垂
直に設けられていないので、図1に示される照明すべき
平面7に正確には対応しない。しかしながら、わずかな
傾斜角があっても、導出に何ら変化を及ぼすものではな
く、照明がわずかに歪むのみで、結局、集光器の光軸に
垂直な平面の場合に得られるであろう均一性から無視で
きる程しか違わない。照明光学系は、米国特許第619
8793号明細書に開示されているような2重に切り子
面が設けられた照明光学系であり、この発明の内容は、
本願に包括的に取り入れられている。従って光学系は、
複数の格子素子104を有する第2の光学素子を備えて
いる。これらの格子素子は、瞳ハニカムと呼ばれる。光
学素子106,108,110(反射鏡)は、主に、物
面114に照明領域となるフィールドを形成するのに用
いられる。物面上のレチクルは、反射型のマスクであ
る。レチクルは、走査型のシステムとして構成されたE
UV投影光学系においては、図に示す方向116に移動
可能とされている。照明光学系の射出瞳は、非常に均一
に照明される。射出瞳は、後方に設けられた投影光学系
の入射瞳と一致している。投影光学系の入射瞳は、図に
示されていない。投影光学系の入射瞳は、レチクルから
反射された主光線と投影光学系の光軸との交点に存在し
ている。
号明細書に記載の6枚の反射鏡128.1,128.
2,128.3,128.4,128.5,128.6
を有する投影光学系126によって、上記レチクルが露
光すべき対象物124に結像される。
光学素子の面における照明の分布と照明の平均値とを示
している。照射強度E(r)が、入れ子式の集光器の回
転軸zからの半径方向の距離rとの関係において示され
ている。均一な照明が離散的にしか得られないことがは
っきりわかる。
す図であり、図11の装置と異なる点は、光源1が中間
像Zとして結像されることである。さらに本図では、第
1の格子素子は、集光作用を有している。光源1の中間
像Zは、集光器3と第1の切り子面反射鏡102との間
に形成される。その他の全ての構成要素は、図11に示
す構成要素と同一であるため、同一の符号を付す。
ォルター光学系として形成された、本発明による入れ子
式の集光器が示されている。
像Zに実像として結像させるために、好ましくは双曲面
と楕円面とを組み合わせたものからなるか、無限遠に結
像するために双曲面と放物面との組み合わせからなるも
のであるが、このヴォルター光学系の特徴は、正弦条件
が広範囲で満たされていること、つまり双曲面と楕円面
との組み合わせによる拡大ないし横倍率が、大きな開口
領域にわたって略一定になっていることである。図9に
示すように、単に楕円面型の椀形状部のみ有する均一照
明のための集光器の場合、横倍率βは、椀形状部内で大
きく変化する。これに対して、ヴォルター光学系の場合
には、横倍率βは、椀形状部内で概ね一定となる。この
様子は、図17における8枚の椀形状部が入れ子式に設
けられた光学系について、図14に示されている。図1
7に示された光学系は、入れ子式の反射鏡椀形状部のそ
れぞれがヴォルター光学系とされ、双曲面の一部とされ
た第1の光学面を有する第1の環状セグメント(環状の
部分)と、楕円面の一部とされた第2の光学面を有する
第2の環状セグメント(環状の部分)を有している。
形状部は、ほとんど一定の横倍率βを有するので、理想
的に平面を均一に照明するためには、物側の開口に間隙
が生ずることが必要である。物側の開口における間隙
は、回転軸までの距離が最大である椀形状部に浅い角度
で入射する場合、回転軸までの距離が最小である椀形状
部よりも反射率が小さくなるという理由からも特に必要
となる。反射鏡の材料としては、好ましくはモリブデ
ン、ニオブ、ルテニウム、ロジウム、パラジウムあるい
は金が想定される。前記のような反射率の違いは、横倍
率を増加させることによって補償しなくてはならない。
従って、均一な照明を行うために、椀形状部ごとに横倍
率を変化させなければならない。このとき集光器に続く
開口を隙間なく満たすか、入れ子式の集光器の後方に設
けられた面7を隙間なく照明したい場合には、物側の開
口には、間隙が生じる。このような間隙は、図1ないし
図13において説明したような、例えば楕円面形の椀形
状部を有する集光器では見られない。というのも、この
ような楕円形の椀形状部を有する集光器においては、横
倍率が椀形状部にわたって変化し、それによって平面7
を均一に隙間なく照明できるばかりでなく、隙間の無い
物側の開口も得ることができるからである。
器から、代表的に3つの椀形状部が示されている。それ
ぞれの反射鏡椀形状部200,202および204は、
第1の光学面200.2,202.2,204.2を有
する第1の環状セグメント200.1,202.1,2
04.1(第1のセグメント)と、第2の光学面20
0.4,202.4,204.4を有する第2の環状セ
グメント200.3,202.3,204.3(第2の
セグメント)とを備えている。それぞれの反射鏡椀形状
部200,202および204は、z軸周りに回転対称
に設けられている。最も内側の椀形状部200の横倍率
は、6.7で、2番目の椀形状部202の横倍率は、
7.0で、最も外側の椀形状部204の横倍率は、7.
5である。図15からわかるように、それぞれの反射鏡
椀形状部200,202および204に割り当てられた
環状開口要素210,212,214は、互いに隣り合
っていない。すなわち図15に示す集光器の物側の開口
は、個々の環状開口要素210,212,214の間に
間隙220,222,224を有している。それぞれの
反射鏡椀形状部200,202および204に割り当て
られた、平面7における環状要素230,232,23
4は、平面7の領域を均一に照明するように、概ね互い
に連続的につながっている。
面200.2,202.2,204.2と第2の光学面
200.4,202.4,204.4も間隙を有さずに
直接につながっている。
が示され、ヴォルター光学系として構成されている反射
鏡椀形状部200,202の2つだけが代表的に示され
ている。図15に示されるのと同一の構成要素には、同
一の符号が付されている。図16に示す実施の形態で
は、第1の光学面200.2,202.2と第2の光学
面200.4,202.4は、直接つながっていない。
光学面の間には、それぞれ間隙または使用されない領域
240,242がある。しかしながら本実施の形態で
は、使用されない領域において、反射鏡椀形状部は、そ
れぞれの反射鏡椀形状部の第1のセグメントおよび第2
のセグメント200.1,202.1,200.3,2
02.3の交点まで延長される。
ない領域を有する構成は、拡がりを持った光源の場合に
好適である。
明の均一性をつきあわせて検討する必要がある。照明す
べき平面7において±15%の均一性のみを実現しよう
とする場合には、図17に示すような8つの椀形状部か
らなる集光器が使用される。このとき符号200,20
2,204,205,206,207,208,209
は、それぞれ2つの反射鏡セグメントを有する反射鏡椀
形状部を表し、それぞれの椀形状部がヴォルター光学系
をなしている。
間像Zとの距離が1500mmであり、物側の開口は約
0.72であり、像側の開口は約0.115である。平
面の接線に対する全体の入射角度は、13°以下であ
る。図17に示す実施の形態において最大光線の、表面
接線に対する入射角度は、11.9°である。
形状部の内側に、絞り180(中央の開口遮蔽部)が示
されている。入れ子式の反射による集光器は、反射鏡椀
形状部の大きさが有限であるため、必然的に中央部が遮
蔽される。すなわち一定の開口角度NAmin以下になる
と、光源の光線が受け入れられない。絞り180は、中
央の椀形状部を通って直接到達してくる光が、後続の照
明光学系に迷光として到達しないよう防止する。
に設けられ、開口遮蔽NAobs約0.19に対応して直
径が30.3mmである。像側の開口遮蔽NA´
obsは、それに対応して約0.0277である。
椀形状部200,202,204,205,206,2
07,208,209に対し、例えば第1の反射鏡椀形
状部200の第1のセグメント200.1および第2の
セグメント200.3の二つのセグメントを有して構成
されたヴォルター光学系を特徴付ける座標が、一例とし
て示されている。ZSは、光源1の位置を基準とした、
曲面の頂点のz位置を示し、ZVおよびZHは、曲面の
頂点の位置ZSを基準とした、双曲面である第1のセグ
メント200.1の開始位置および終了位置を示す。楕
円面である反射鏡椀形状部の第2のセグメント200.
3に関しても、符号ZS、ZVおよびZHが同じような
意味で用いられる。
円錐定数Kと、与えられた定義によって、図17に示す
集光器の構成のデータは、以下の表3のようになる。反
射鏡椀形状部のコーティングとしては、ルテニウムが選
択された。 表3:図17に示す集光器の構成のデータ
ルター光学系の実施の形態においては、全ての椀形状部
がほぼ1つの平面181で終端するように構成されてい
る。これによって全ての椀形状部は、平面181におい
て把持させることができる。絞り180は、この平面ま
たは、その近傍に設けられることが好ましい。
面7の位置で算出される照明の分布が示されている。図
20に示す照明光学系は、光源のすぐ後方に、図17に
示す8つの椀形状部からなる入れ子式の集光器を有して
いる。図19に示す照射強度の計算は、反射鏡椀形状部
をルテニウムでコーティングし、角度に依存する反射率
に基づいて行われた。その他のコーティングを行う場合
には、それに応じて、構成を適するように合わせればよ
い。
蔽されていることがはっきり認められる。中央の遮蔽部
には、符号182が付されている。平面7における強度
の推移は、符号184によって示されている。集光器の
回転軸RAに対して対称な2つの強度のピーク184.
1,184.2が明瞭に認められ、これらのピークが平
面7では、環状の照明として現れる。破線で示された曲
線186は、図20に示す照明光学系の第1の光学素子
102上の第1の格子素子が設けられている領域を示し
ている。
影露光装置の光学素子、およびいくつかの光線の経路が
図20に示されている。図11に示す投影露光装置の場
合と同一の構成要素には、同一の符号が付されている。
の照明光学系は、「X」字型に折り畳まれておらず、コ
ンパクトな組み立てスペースに合っている。また光学系
の長さを減少させるために、図17のような構造を有す
る入れ子式の集光器3の像側の開口をNA=0.115
に増大させており、そのためには、ヴォルター光学系と
して構成することがとりわけ有利となる。物側の開口
は、NA約0.71である。ウェーハステージが設けら
れている物面114に、機械的および電気的な構成部材
を組み立てるためのスペースを用意するため、集光器3
の後方には、平面鏡200が光学系を折り畳むのにさら
に挿入されている。光学系全体の長さは3mより短く、
高さは1.75mより低い。
回折型の分光フィルターとして形成されたものである。
つまり格子から形成されている。光源の中間像Zの近く
に絞り202を設けることと相俟って、所望の波長、本
図の場合は、13.5nmよりもはるかに大きい波長を
有するような、望ましくない光線が、絞り202の後方
に設けられた照明光学系の部分に入射することが防止さ
れる。
集光器3、および格子として形成された平面鏡200を
有する空間204を、後続の照明光学系206から空間
的に分離することにも用いられる。中間焦点Zの近くに
バルブを設けることによって2つの空間を分離する場合
には、さらに圧力的に分離することも可能となる。空間
的ないし圧力的に空間を分離することによって、光源か
ら発生する汚れが絞り202の後方に設けられた照明光
学系に到達することが防止される。
表3に示す8枚の椀形状部を有する入れ子式の集光器3
を有している。図20に示す構成の平面反射鏡200
は、0次と、用いられた回折次数との間に、回折角2°
を有する分光フィルターとして形成されている。第1の
光学素子102は、それぞれが54mm×2.75mm
の大きさを有する122個の第1の格子素子を有してい
る。第2の光学素子104は、それぞれ10mmの直径
を有し、上記122個の複数の第1の格子素子に対応さ
せるように割り当てられた122個の第2の格子素子を
有している。表4に記載された光学素子の場所の指定
は、全て物面114における基準座標系に基づいてい
る。それぞれの光学素子に割り当てられた局所的な座標
系の、局所的なx軸周りの角度αの回転は、基準座標系
を局所的な座標系の場所に並進移動させることによって
求められる。図20に示す照明光学系の光学素子のパラ
メータは、表4に与えられている。表4では、物面11
4に対する個々の光学素子の光軸との交点の位置が示さ
れ、x軸を中心とした座標系の回転角αが記載されてい
る。また、右手系の座標系と時計回りの回転に基づいて
いる。光学素子の局所的な座標系の他に、中間焦点Zと
入射瞳Eの局所的な座標系も挙げられている。フィール
ドを形成する反射鏡110は、回転双曲面の軸の外側の
一部分からまる。表4には、図20に示す照明光学系の
光学素子が示され、そのうち、入れ子式の集光器3を除
く全ての素子に対しての座標系が図21に示されてい
る。全ての光学素子には、図20の場合と同一の符号が
付されている。
クルにおける照明開口がNA=0.03125となる場
合に、フィールド半径130mmが得られるように構成
されている。これは、露光すべき対象物の面124で開
口NA=0.25を有する後続の4:1投影光学系の入
射瞳Eにおいて、シグマ値(充填度)がσ=0.5とな
ることに対応するものである。 表4:図20に示す光学系の構成のデータ
同様、ヴォルター光学系の椀形状部も成型技術を用いて
簡単に製造することができる。
面7に設けられた第1の光学素子102および局所的な
x−y座標系が示されている。122個の第1の格子素
子150が配設されているのが明らかに分かる。
た10個のブロック152.1,152.2,152.
3,152.4,152.5,152.6,152.
7,152.8,152.9,152.10に分けて配
設されている。平面7において集光器3の中央の遮蔽部
154によって照明されない領域には、第1の格子素子
150が設けられていない。個々の第1の格子素子15
0の間の照射強度の差は、図17に示す入れ子式の集光
器を用いると、最大でも±15%を下回る。
れた第2の格子素子156を示している。第2の格子素
子156の像は、照明光学系の射出瞳を連続的に所定の
シグマ値(充填度)σ=0.5に至るまで充填する。射
出瞳における充填度の定義に関しては、国際公開第01
/09684号パンフレットを参照してほしい。この明
細書の開示内容は、本願に包括的に取り入れられてい
る。
形成する集光器が初めて示された。光源像は、実像、虚
像となるか、または無限遠にある場合がある。任意の光
源の放射特性は、中間像の前方または後方の面において
非常に均一な照明が得られるように変換される。
す図である。
ら成る入れ子式の集光器を示す図である。
示すである。
器の楕円群を示す図である。
口角との関係において示す図である。
におけるx方向の半径rとの関係において示す図であ
る。
影露光装置を示す図である。
子の平面における環状要素の照明分布(照射強度)を、
光学系の回転軸までの半径方向の距離zとの関係で示す
図である。
影露光装置を示す図である。
子式のヴォルター光学系の横倍率βを示す図である。
形状部を取り出して示す図である。
形状部を取り出して示す図である。
ター光学系を示す図である。
構成された集光器の椀形状部の座標を説明するための概
略図である。
光学系の第1の格子素子の平面内の環状要素の照明分布
(照射強度)を示す図である。
投影露光装置を示す図である。
のEUV投影露光装置の全ての反射鏡の座標系を示す図
である。
系の第1の光学素子の図である。
系の第2の光学素子の図である。
8,70,72,74,78,80,200,202,
204,205,206,207,208,209・・
・反射鏡椀形状部 30,32,34,230,232,234・・・環状
要素 20,22,24;210,212,214・・・環状
開口要素 102・・・切り子面反射鏡(第1の光学素子) 106,108,110・・・反射鏡(光学素子) 126・・・投影光学系 150・・・第1の格子素子 200.1,202.1,204.1・・・第1の環状
セグメント(第1のセグメント) 200.2,202.2,204.2・・・第1の光学
面 200.3,202.3,204.3・・・第2の環状
セグメント(第2のセグメント) 200.4,202.4,204.4・・・第2の光学
面 Z・・・中間像
Claims (25)
- 【請求項1】 波長が193nm以下、好ましくは12
6nm以下、特に好ましくはEUV波長を用いる照明光
学系のための集光器であって、 光源(1)から放射される光を受け入れる物側の開口
と、 共通の回転軸周りに入れ子式に設けられた多数の反射鏡
椀形状部(40,42,44,46;60,62,6
4,66,68,70,72,74,78,80;20
0,202,204,205,206,207,20
8,209)と、平面(7)に環状要素(30,32,
34;230,232,234)から成る照明すべき領
域とを有し、 多数の前記反射鏡椀形状部の各々には、物側の開口の環
状開口要素(20,22,24;210,212,21
4)が割り当てられ、 かつ、前記環状要素(30,32,34;230,23
2,234)の各々には、前記環状開口要素(20,2
2,24;210,212,214)が割り当てられて
いる集光器において、 複数の前記環状開口要素(20,22,24;210,
212,214)が重なり合わず、 複数の前記環状要素(30,32,34;230,23
2,234)が重なり合わずに前記平面(7)で略連続
的に隣り合ってつながり、 前記反射鏡椀形状部(40,42,44,46;60,
62,64,66,68,70,72,74,78,8
0;200,202,204,205,206,20
7,208,209)の、前記回転軸方向の大きさ、表
面パラメータ、および位置は、前記平面(7)における
前記個々の環状要素(30,32,34;230,23
2,234)の照射強度が略同じになるように構成され
ていることを特徴とする集光器。 - 【請求項2】 前記反射鏡椀形状部(40,42,4
4,46;60,62,64,66,68,70,7
2,74,78,80)の大きさは、前記回転軸方向に
おいて異なっていることを特徴とする請求項1に記載の
集光器。 - 【請求項3】 前記反射鏡椀形状部(40,42,4
4,46;60,62,64,66,68,70,7
2,74,78,80;200,202,204,20
5,206,207,208,209)の、前記回転軸
に関する開始点と終点との間の中間点により、前記反射
鏡椀形状部の位置が指定され、外側の前記反射鏡椀形状
部の位置は、内側の前記反射鏡椀形状部の位置よりも前
記平面(7)から離れていることを特徴とする請求項1
または2に記載の集光器。 - 【請求項4】 第1の前記環状要素の半径方向の広がり
の、この第1の環状要素に割り当てられた前記環状開口
要素の角度の大きさに対する第1の比と、 第2の前記環状要素の半径方向の広がりの、この第2の
環状要素に割り当てられた前記環状開口要素の角度の大
きさに対する第2の比とから得られる商が、 前記第1の環状開口要素に流入し、第1の前記反射鏡椀
形状部の反射率損失分だけ減少している第1の光度と、 前記第2の環状開口要素に流入し、第2の前記反射鏡椀
形状部の反射率損失分だけ減少している第2の光度とか
ら得られる商にほぼ等しくなるように構成されているこ
とを特徴とする請求項項1から3のいずれか1項に記載
の集光器。 - 【請求項5】 前記光源(1)が等方的に光を放射し、 かつ、第1の前記環状要素の半径方向の広がりの、この
第1の環状要素に割り当てられた前記環状開口要素の角
度の大きさに対する第1の比が、 第2の前記環状要素の半径方向の広がりの、この第2の
環状要素に割り当てられた前記環状開口要素の角度の大
きさに対する第2の比にほぼ等しくなるように構成され
ていることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項
に記載の集光器。 - 【請求項6】 少なくとも2つの前記環状要素(30,
32,34)の半径方向の大きさが等しい大きさとされ
るとともに、内側にある前記環状要素(30)に割り当
てられた前記反射鏡椀形状部(40;60)の回転軸方
向の大きさが、外側にある前記環状要素(32)に割り
当てられた前記反射鏡椀形状部(42;62)の回転軸
方向の大きさよりも大きく形成されていることを特徴と
する請求項1から5のいずれか1項に記載の集光器。 - 【請求項7】 前記反射鏡椀形状部(40,42,4
4,46;60,62,64,66,68,70,7
2,74,78,80)が、非球面の環状の一部分とさ
れていることを特徴とする請求項1から6のいずれか1
項に記載の集光器。 - 【請求項8】 前記反射鏡椀形状部(40,42,4
4,46;60,62,64,66,68,70,7
2,74,78,80)が、楕円面、または放物面、ま
たは双曲面の環状の一部分とされていることを特徴とす
る請求7に記載の集光器。 - 【請求項9】 少なくとも1つの前記反射鏡椀形状部
(200,202,204,205,206,207,
208,209)が、第1の光学面(200.2,20
2.2,204.2)を有する第1のセグメント(20
0.1,202.1,204.1)と、第2の光学面
(200.4,202.4,204.4)を有する第2
のセグメント(200.3,202.3,204.3)
とを有していることを特徴とする請求項1から5のいず
れか1項に記載の集光器。 - 【請求項10】 前記第1の環状セグメント(200.
1,202.1,204.1)は、双曲面の一部分とさ
れ、前記第2の環状セグメント(200.3,202.
3,204.3)は、楕円面の一部分とされていること
を特徴とする請求項9に記載の集光器。 - 【請求項11】 前記第1の環状セグメント(200.
1,202.1,204.1)は、双曲面の一部分とさ
れ、前記第2の環状セグメント(200.3,202.
3,204.3)は、方物面の一部分とされていること
を特徴とする請求項9に記載の集光器。 - 【請求項12】 少なくとも2つの隣り合う前記環状開
口要素が互いに不連続に離間されて形成されていること
を特徴とする請求項1から11のいずれか1項に記載の
集光器。 - 【請求項13】 該集光器(3)の最も内側の前記環状
開口要素は、中央に開口遮蔽部を有し、前記開口遮蔽部
の開口数NAminは、最大0.30、好ましくは、最大
0.20、特に好ましくは、最大0.1とされているこ
とを特徴とする請求項1から12のいずれか1項に記載
の集光器。 - 【請求項14】 該集光器(3)の最も内側の前記環状
開口要素の内部に絞り(180)が設けられていること
を特徴とする請求項13に記載の集光器。 - 【請求項15】 物側の開口の開口数NAmaxは、少な
くとも0.4、好ましくは少なくとも0.5,特に好ま
しくは少なくとも0.7とされていることを特徴とする
請求項1から14のいずれか1項に記載の集光器。 - 【請求項16】 前記反射鏡椀形状部を少なくとも3
個、好ましくは、6個以上、特に好ましくは、10個以
上有していることを特徴とする請求項1から15のいず
れか1項に記載の集光器。 - 【請求項17】 前記光源(1)から放射される光束の
光線は、前記反射鏡椀形状部(40,42,44,4
6;60,62,64,66,68,70,72,7
4,78,80;200,202,204,205,2
06,207,208,209)の表面接線に対して2
0°より小さい入射角をなして入射するように構成され
ていることを特徴とする請求項1から16のいずれか1
項に記載の集光器。 - 【請求項18】 193nm以下、好ましくは、126
nm以下、特に好ましくは、EUV領域の波長用の照明
光学系であって、 光源(1)と、 少なくとも1つの集光器(3)と、 照明すべき平面(7;103)とを有してなる照明光学
系において、 前記集光器は、請求項1から18のいずれか1項に記載
の集光器(3)とされていることを特徴とする照明光学
系。 - 【請求項19】 193nm以下、好ましくは、126
nm以下、特に好ましくは、EUV領域の波長用の、請
求項18に記載の照明光学系であって、 複数の第1の格子素子(150)を有する第1の光学素
子(102)をさらに有していることを特徴とする照明
光学系。 - 【請求項20】 193nm以下、好ましくは、126
nm以下、特に好ましくは、EUV領域の波長用の、請
求項18または19に記載の照明光学系であって、 前記集光器(3)が前記照明すべき平面(7;103)
において環状の領域を照明するよう構成され、 かつ、前記第1の光学素子(102)が前記照明すべき
平面(7;103)に設けられて、前記第1の光学素子
(102)の前記第1の格子素子(150)がほぼ前記
環状の領域の内部に配設されていることを特徴とする照
明光学系。 - 【請求項21】 193nm以下、好ましくは126n
m以下、特に好ましくはEUV領域の波長用の、請求項
19または20に記載の照明光学系であって、 結像させるための、及び/又は、フィールドを形成する
ための光学素子(106,108,110)をさらに有
していることを特徴とする照明光学系。 - 【請求項22】 193nm以下、好ましくは、126
nm以下、特に好ましくは、EUV領域の波長用の、請
求項19から21のいずれか1項に記載の照明光学系で
あって、 前記集光器(3)と前記照明すべき平面(103)との
間に前記光源(1)に共役な面を有し、この面に前記光
源(1)の中間像(Z)が結像されるように構成されて
いることを特徴とする照明光学系。 - 【請求項23】 193nm以下、好ましくは、126
nm以下、特に好ましくは、EUV領域の波長用の、請
求項19から22のいずれか1項に記載の照明光学系で
あって、 前記中間像(Z)において、または、前記中間像(Z)
の近くにおいて、絞り(202)が設けられ、該絞り
は、少なくとも前記光源(1)および前記集光器(3)
を有する空間を、空間的及び/又は圧力的に、後方に設
けられた照明光学系から分離するように設けられている
ことを特徴とする照明光学系。 - 【請求項24】 請求項19から23のいずれか1項に
記載の照明光学系と、 該照明光学系により照明されるマスクと、 感光性の対象物に前記マスクを結像させるための投影光
学系(126)とを有してなるEUV投影露光装置。 - 【請求項25】 請求項24に記載のEUV投影露光装
置を用いて、マイクロエレクトロニクス構成部材、特に
半導体構成素子を製造する方法。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005129936A (ja) * | 2003-10-20 | 2005-05-19 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ機器で使用するミラー上での上部層の使用、リソグラフィ機器で使用するミラー、このようなミラーを備えるリソグラフィ機器、及びデバイスの製造方法 |
JP2005347757A (ja) * | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Asml Netherlands Bv | かすめ入射ミラー、かすめ入射ミラーを含むリソグラフィ装置、かすめ入射ミラーを提供する方法、かすめ入射ミラーのeuv反射を強化する方法、デバイス製造方法およびそれによって製造したデバイス |
JP2006511070A (ja) * | 2002-12-19 | 2006-03-30 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 効率的な集光器光学系を有する照明システム |
JP2006140470A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-06-01 | Asml Netherlands Bv | 放射システム、リソグラフィ装置、デバイス製造方法、及び、それらにより製造されたデバイス |
JP2006332654A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-12-07 | Asml Netherlands Bv | 放射システム及びリソグラフィ装置 |
JP2007201466A (ja) * | 2006-01-24 | 2007-08-09 | Xtreme Technologies Gmbh | 高平均出力のeuv放射線を発生する装置及び方法 |
JP2010524231A (ja) * | 2007-04-03 | 2010-07-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | パターニングデバイスを照明するための照明システム、および照明システムを製造する方法 |
JP2016502136A (ja) * | 2012-11-09 | 2016-01-21 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Euvコレクター |
Families Citing this family (225)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7329886B2 (en) * | 1998-05-05 | 2008-02-12 | Carl Zeiss Smt Ag | EUV illumination system having a plurality of light sources for illuminating an optical element |
DE10138313A1 (de) * | 2001-01-23 | 2002-07-25 | Zeiss Carl | Kollektor für Beleuchtugnssysteme mit einer Wellenlänge < 193 nm |
DE10329141B4 (de) * | 2003-06-27 | 2008-10-23 | Carl Zeiss Smt Ag | Faltungsgeometrien für EUV-Beleuchtungssysteme |
US7180081B2 (en) * | 2000-06-09 | 2007-02-20 | Cymer, Inc. | Discharge produced plasma EUV light source |
US7843632B2 (en) * | 2006-08-16 | 2010-11-30 | Cymer, Inc. | EUV optics |
AU2002325359A1 (en) * | 2001-08-10 | 2003-02-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Collector with fastening devices for fastening mirror shells |
DE10208854A1 (de) | 2002-03-01 | 2003-09-04 | Zeiss Carl Semiconductor Mfg | Beleuchtungssystem mit genestetem Kollektor zur annularen Ausleuchtung einer Austrittspupille |
DE10214259A1 (de) * | 2002-03-28 | 2003-10-23 | Zeiss Carl Semiconductor Mfg | Kollektoreinheit für Beleuchtungssysteme mit einer Wellenlänge <193 nm |
US7084412B2 (en) | 2002-03-28 | 2006-08-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Collector unit with a reflective element for illumination systems with a wavelength of smaller than 193 nm |
DE10219514A1 (de) * | 2002-04-30 | 2003-11-13 | Zeiss Carl Smt Ag | Beleuchtungssystem, insbesondere für die EUV-Lithographie |
EP1389747B1 (en) * | 2002-08-15 | 2008-10-15 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and reflector asembly for use in said apparatus |
DE60312871T2 (de) | 2002-08-26 | 2007-12-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Gitter basierter spektraler filter zur unterdrückung von strahlung ausserhalb des nutzbandes in einem extrem-ultraviolett lithographiesystem |
SG129254A1 (en) * | 2002-08-27 | 2007-02-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic projection apparatus and reflector assembly for use in said apparatus |
EP1394612B1 (en) * | 2002-08-27 | 2008-10-08 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and reflector assembly for use in said apparatus |
DE10240002A1 (de) * | 2002-08-27 | 2004-03-11 | Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag | Optisches Teilsystem insbesondere für eine Projektionsbelichtungsanlage mit mindestens einem in mindestens zwei Stellungen verbringbaren optischen Element |
WO2004031854A2 (de) | 2002-09-30 | 2004-04-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungssystem für eine wellenlänge ≤ 193 nm mit sensoren zur bestimmung der ausleuchtung |
US7034320B2 (en) * | 2003-03-20 | 2006-04-25 | Intel Corporation | Dual hemispherical collectors |
DE10317667A1 (de) * | 2003-04-17 | 2004-11-18 | Carl Zeiss Smt Ag | Optisches Element für ein Beleuchtungssystem |
US7075713B2 (en) * | 2003-05-05 | 2006-07-11 | University Of Central Florida Research Foundation | High efficiency collector for laser plasma EUV source |
JP5026788B2 (ja) | 2003-07-30 | 2012-09-19 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィの照明システム |
US7781750B2 (en) * | 2003-08-27 | 2010-08-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Oblique mirror-type normal-incidence collector system for light sources, particularly EUV plasma discharge sources |
US7098994B2 (en) * | 2004-01-16 | 2006-08-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
US7481544B2 (en) | 2004-03-05 | 2009-01-27 | Optical Research Associates | Grazing incidence relays |
US7483223B2 (en) | 2004-05-06 | 2009-01-27 | Carl Zeiss Smt Ag | Optical component having an improved transient thermal behavior and method for improving the transient thermal behavior of an optical component |
EP1782128A2 (en) * | 2004-08-23 | 2007-05-09 | Carl Zeiss SMT AG | Illumination system of a microlithographic exposure apparatus |
TWI289210B (en) * | 2004-10-21 | 2007-11-01 | Sony Corp | Projection optical system and projection type image display device |
EP1814147A4 (en) * | 2004-11-17 | 2010-06-02 | Nikon Corp | LIGHTING APPARATUS, EXPOSURE APPARATUS, AND METHOD FOR MANUFACTURING MICRO DEVICE |
DE102005042005A1 (de) | 2004-12-23 | 2006-07-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Hochaperturiges Objektiv mit obskurierter Pupille |
US7405871B2 (en) * | 2005-02-08 | 2008-07-29 | Intel Corporation | Efficient EUV collector designs |
EP1872176A2 (en) | 2005-04-20 | 2008-01-02 | Carl Zeiss SMT AG | Projection exposure system, method for manufacturing a micro-structured structural member by the aid of such a projection exposure system and polarization-optical element adapted for use in such a system |
DE102005020521B4 (de) * | 2005-04-29 | 2013-05-02 | Xtreme Technologies Gmbh | Verfahren und Anordnung zur Unterdrückung von Debris bei der Erzeugung kurzwelliger Strahlung auf Basis eines Plasmas |
US7973908B2 (en) | 2005-05-13 | 2011-07-05 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Six-mirror EUV projection system with low incidence angles |
EP1894063A1 (en) * | 2005-06-21 | 2008-03-05 | Carl Zeiss SMT AG | A double-facetted illumination system with attenuator elements on the pupil facet mirror |
CN103076723A (zh) | 2005-09-13 | 2013-05-01 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 微光刻投影光学系统 |
EP1938150B1 (de) | 2005-10-18 | 2011-03-23 | Carl Zeiss SMT GmbH | Kollektor für beleuchtungssysteme mit einer wellenlänge </= 193 nm |
US7470916B2 (en) | 2005-10-19 | 2008-12-30 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and radiation collector |
US7462841B2 (en) * | 2005-10-19 | 2008-12-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and use of a radiation collector |
JP2007150295A (ja) | 2005-11-10 | 2007-06-14 | Carl Zeiss Smt Ag | ラスタ要素を有する光学装置、及びこの光学装置を有する照射システム |
US7462850B2 (en) * | 2005-12-08 | 2008-12-09 | Asml Netherlands B.V. | Radical cleaning arrangement for a lithographic apparatus |
JP5068271B2 (ja) | 2006-02-17 | 2012-11-07 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ照明システム、及びこの種の照明システムを含む投影露光装置 |
DE102006014380A1 (de) | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv und Projektionsbelichtungsanlage mit negativer Schnittweite der Eintrittspupille |
DE102006017336B4 (de) * | 2006-04-11 | 2011-07-28 | Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 | Beleuchtungssystem mit Zoomobjektiv |
US7910900B2 (en) | 2006-07-20 | 2011-03-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Collector for an illumination system |
US20080073592A1 (en) * | 2006-07-21 | 2008-03-27 | Panning Eric M | Reflective optical illumination collector |
EP1882984B1 (en) * | 2006-07-28 | 2011-10-12 | Media Lario s.r.l. | Multi-reflection optical systems and their fabrication |
US7714306B2 (en) * | 2006-08-30 | 2010-05-11 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1901126B1 (en) * | 2006-09-15 | 2011-10-12 | Media Lario s.r.l. | A collector optical system |
DE102006059024A1 (de) | 2006-12-14 | 2008-06-19 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie, Beleuchtungsoptik für eine derartige Projektionsbelichtungsanlage, Verfahren zum Betrieb einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage, Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils sowie durch das Verfahren hergestelltes mikrostrukturiertes Bauteil |
DE102007023411A1 (de) | 2006-12-28 | 2008-07-03 | Carl Zeiss Smt Ag | Optisches Element, Beleuchtungsoptik für die Mikrolithographie mit mindestens einem derartigen optischen Element sowie Beleuchtungssystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik |
WO2008101664A1 (en) * | 2007-02-20 | 2008-08-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Optical element with multiple primary light sources |
EP2155932A2 (de) * | 2007-05-31 | 2010-02-24 | Carl Zeiss SMT AG | Verfahren zur herstellung eines optischen elementes mit hilfe von abformung, optisches element hergestellt nach diesem verfahren, kollektor und beleuchtungssystem |
DE102008033341A1 (de) | 2007-07-24 | 2009-01-29 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv |
DE102007041004A1 (de) | 2007-08-29 | 2009-03-05 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungsoptik für die EUV-Mikrolithografie |
DE102007047446A1 (de) | 2007-10-04 | 2009-04-09 | Carl Zeiss Smt Ag | Optisches Element mit wenigstens einem elektrisch leitenden Bereich und Beleuchtungssystem mit einem solchen Element |
DE102008041593A1 (de) | 2007-10-09 | 2009-04-16 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungsoptik für die Mikrolithographie |
EP2083327B1 (en) * | 2008-01-28 | 2017-11-29 | Media Lario s.r.l. | Improved grazing incidence collector optical systems for EUV and X-ray applications |
DE102009000099A1 (de) | 2009-01-09 | 2010-07-22 | Carl Zeiss Smt Ag | Mikrospiegelarray mit Doppelbiegebalken Anordnung und elektronischer Aktorik |
JP5487118B2 (ja) | 2008-02-15 | 2014-05-07 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィのための投影露光装置に使用するファセットミラー |
DE102008009600A1 (de) | 2008-02-15 | 2009-08-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Facettenspiegel zum Einsatz in einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikro-Lithographie |
DE102009007111A1 (de) | 2008-03-06 | 2009-09-10 | Carl Zeiss Smt Ag | Optische Baugruppe |
DE102008000788A1 (de) * | 2008-03-20 | 2009-09-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage |
CN102819196B (zh) * | 2008-03-20 | 2016-03-09 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 用于微光刻的投射物镜 |
DE102008000967B4 (de) | 2008-04-03 | 2015-04-09 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Mikrolithographie |
NL1036771A1 (nl) * | 2008-04-22 | 2009-10-26 | Asml Netherlands Bv | Illumination System and Lithographic Method. |
DE102008001511A1 (de) | 2008-04-30 | 2009-11-05 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungsoptik für die EUV-Mikrolithografie sowie Beleuchtungssystem und Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Beleuchtungsoptik |
DE102008001694A1 (de) | 2008-05-09 | 2009-11-12 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsoptik für die Mikrolithografie |
DE102008028868A1 (de) | 2008-06-19 | 2009-12-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Optische Baugruppe |
DE102008002749A1 (de) | 2008-06-27 | 2009-12-31 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungsoptik für die Mikrolithografie |
US8309944B1 (en) * | 2008-09-29 | 2012-11-13 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Grazing incidence neutron optics |
DE102009032194A1 (de) | 2008-10-16 | 2010-04-22 | Carl Zeiss Smt Ag | Optischer Spiegel mit einer Mehrzahl benachbarter Spiegelelemente und Verfahren zur Herstellung eines derartigen Spiegels |
DE102009034502A1 (de) | 2009-07-24 | 2011-01-27 | Carl Zeiss Smt Ag | Optische Baugruppe zur Führung eines EUV-Strahlungsbündels |
KR101769157B1 (ko) | 2008-10-20 | 2017-08-17 | 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 | 방사선 빔 안내를 위한 광학 모듈 |
DE102009009568A1 (de) | 2008-10-20 | 2010-04-29 | Carl Zeiss Smt Ag | Optische Baugruppe zur Führung eines EUV-Strahlungsbündels |
DE102009025664A1 (de) | 2008-11-18 | 2010-05-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Facettenelement zum Aufbau eines Facettenspiegels |
CN102422225B (zh) | 2009-03-06 | 2014-07-09 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 用于微光刻的照明光学系统与光学系统 |
JP6041304B2 (ja) | 2009-03-27 | 2016-12-07 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Euvマイクロリソグラフィ用の照明光学系、この種の照明光学系用のeuv減衰器、及びこの種の照明光学系を有する照明系及び投影露光装置 |
DE102009014701A1 (de) | 2009-03-27 | 2010-09-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Optische Baugruppe |
DE102009054869B4 (de) | 2009-04-09 | 2022-02-17 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel zur Führung eines Strahlungsbündels, Vorrichtungen mit einem derartigen Spiegel sowie Verfahren zur Herstellung mikro- oder nanostrukturierter Bauelemente |
US8050380B2 (en) * | 2009-05-05 | 2011-11-01 | Media Lario, S.R.L. | Zone-optimized mirrors and optical systems using same |
CN102483576A (zh) | 2009-09-08 | 2012-05-30 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 低表面外形变形的光学元件 |
DE102009045491A1 (de) | 2009-10-08 | 2010-11-25 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungsoptik |
DE102009045694B4 (de) | 2009-10-14 | 2012-03-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für die Mikrolithographie sowie Beleuchtungssystem und Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Beleuchtungsoptik |
DE102009047316A1 (de) | 2009-11-30 | 2010-12-23 | Carl Zeiss Smt Ag | Optische reflektierende Komponente zum Einsatz in einer Beleuchtungsoptik für eine Projektionsbelichtungsanlage der EUV-Mikrolithographie |
DE102010001388A1 (de) | 2010-01-29 | 2011-08-04 | Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 | Facettenspiegel zum Einsatz in der Mikrolithografie |
US8276866B2 (en) * | 2010-03-08 | 2012-10-02 | Media Lario, S.R.L. | Adjustable clips for grazing-incidence collectors |
JP5093267B2 (ja) * | 2010-03-11 | 2012-12-12 | ウシオ電機株式会社 | 集光鏡アッセンブリおよびこの集光鏡アッセンブリを用いた極端紫外光光源装置 |
DE102010002822A1 (de) | 2010-03-12 | 2011-09-15 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage |
DE102011004615A1 (de) | 2010-03-17 | 2011-09-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für die Projektionslithografie |
US8587768B2 (en) | 2010-04-05 | 2013-11-19 | Media Lario S.R.L. | EUV collector system with enhanced EUV radiation collection |
DE102010028655A1 (de) | 2010-05-06 | 2011-11-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | EUV-Kollektor |
DE102010029765A1 (de) | 2010-06-08 | 2011-12-08 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie |
KR102002269B1 (ko) | 2010-07-30 | 2019-07-19 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | Euv 노광 장치 |
DE102011085132A1 (de) | 2010-11-24 | 2012-05-24 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optische Baugruppe für die Projektionslithografie |
DE102011003928B4 (de) | 2011-02-10 | 2012-10-31 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie |
US8251527B1 (en) * | 2011-02-11 | 2012-08-28 | 3M Innovative Properties Company | Light duct bend |
DE102011005881A1 (de) | 2011-03-22 | 2012-05-03 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Einstellung eines Beleuchtungssystems einer Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithographie |
DE102011006100A1 (de) | 2011-03-25 | 2012-09-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel-Array |
US9372413B2 (en) | 2011-04-15 | 2016-06-21 | Asml Netherlands B.V. | Optical apparatus for conditioning a radiation beam for use by an object, lithography apparatus and method of manufacturing devices |
DE102011076145B4 (de) | 2011-05-19 | 2013-04-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Zuordnen einer Pupillenfacette eines Pupillenfacettenspiegels einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage zu einer Feldfacette eines Feldfacettenspiegels der Beleuchtungsoptik |
DE102011076658A1 (de) | 2011-05-30 | 2012-05-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie |
DE102011081914A1 (de) | 2011-08-31 | 2012-09-06 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik zur Beleuchtung eines in einem Objektfeld anordenbaren, strukturierten Objektes |
DE102011082065A1 (de) | 2011-09-02 | 2012-09-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel-Array |
DE102011084266A1 (de) | 2011-10-11 | 2013-04-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Kollektor |
DE102011086328A1 (de) | 2011-11-15 | 2013-05-16 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel zum Einsatz zur Führung von Beleuchtungs- und Abbildungslicht in der EUV-Projektionslithografie |
DE102011086944B4 (de) | 2011-11-23 | 2015-07-23 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Korrekturvorrichtung zur Beeinflussung einer Intensität eines Beleuchtungslicht-Bündels |
DE102011086949A1 (de) | 2011-11-23 | 2013-05-23 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungs- und Verlagerungsvorrichtung für eine Projektionsbelichtungsanlage |
DE102012201235B4 (de) | 2012-01-30 | 2013-08-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Einstellen einer Beleuchtungsgeometrie für eine Be-leuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie |
DE102012201497A1 (de) * | 2012-02-02 | 2013-01-17 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Kollektor mit einem Beugungsgitter |
DE102013002064A1 (de) | 2012-02-11 | 2013-08-14 | Media Lario S.R.L. | Quell-kollektor-module für euv-lithographie unter verwendung eines gic-spiegels und einer lpp-quelle |
DE102013201506A1 (de) | 2012-02-17 | 2013-08-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches Bauelement |
DE102013201509A1 (de) | 2012-02-17 | 2013-08-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches Bauelement |
KR102291997B1 (ko) | 2012-03-09 | 2021-08-23 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | Euv 투영 리소그래피용 조명 옵틱스 및 이러한 조명 옵틱스를 갖는 광학 시스템 |
DE102012203716A1 (de) | 2012-03-09 | 2013-09-12 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie sowie optisches System mit einer derartigen Beleuchtungsoptik |
DE102012203950A1 (de) | 2012-03-14 | 2013-09-19 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für eine Projektionsbelichtungsanlage |
DE102012204273B4 (de) | 2012-03-19 | 2015-08-13 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie |
DE102012205886A1 (de) | 2012-04-11 | 2013-10-17 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsintensitäts-Korrekturvorrichtung zur Vorgabe einer Beleuchtungsintensität über ein Beleuchtungsfeld einer lithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
DE102012206612A1 (de) | 2012-04-23 | 2013-10-24 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches Bauelement zur Führung eines Strahlungsbündels |
DE102012206609B4 (de) | 2012-04-23 | 2023-08-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Strahlführungsoptik für ein Vielstrahlsystem sowie Verfahren |
DE102012207048A1 (de) | 2012-04-27 | 2013-04-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer optischen Baugruppe |
DE102012207377A1 (de) | 2012-05-03 | 2013-11-07 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik sowie optisches System für die EUV-Projektionslithographie |
DE102012207511A1 (de) | 2012-05-07 | 2013-05-08 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Facettenspiegel |
DE102012207572A1 (de) | 2012-05-08 | 2013-05-08 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik |
DE102012207866A1 (de) | 2012-05-11 | 2013-11-14 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Baugruppe für eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Projektionslithografie |
DE102012208064A1 (de) | 2012-05-15 | 2013-11-21 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie |
DE102012208521A1 (de) | 2012-05-22 | 2013-06-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithographie |
DE102012010093A1 (de) | 2012-05-23 | 2013-11-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Facettenspiegel |
DE102012209132A1 (de) | 2012-05-31 | 2013-12-05 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie |
DE102012210174A1 (de) | 2012-06-18 | 2013-06-06 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches Bauelement |
WO2014000763A1 (en) | 2012-06-25 | 2014-01-03 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method for designing an illumination optics and illumination optics |
DE102012210961A1 (de) | 2012-06-27 | 2013-06-06 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Baugruppe für eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Projektionslithografie |
DE102012212664A1 (de) | 2012-07-19 | 2014-01-23 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Einstellen eines Beleuchtungssettings |
DE102012213368A1 (de) | 2012-07-30 | 2013-12-05 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie |
DE102012213937A1 (de) | 2012-08-07 | 2013-05-08 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel-Austauscharray |
DE102012218219A1 (de) | 2012-10-05 | 2014-04-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Regelung der Verkippung eines Spiegelelements |
DE102012219936A1 (de) | 2012-10-31 | 2014-04-30 | Carl Zeiss Smt Gmbh | EUV-Lichtquelle zur Erzeugung eines Nutz-Ausgabestrahls für eine Projektionsbelichtungsanlage |
DE102012220597A1 (de) | 2012-11-13 | 2014-05-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie |
DE102012220596A1 (de) | 2012-11-13 | 2014-05-15 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Zuordnen einer Pupillenfacette eines Pupillenfacettenspiegels einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage zu einer Feldfacette eines Feldfacettenspiegels der Beleuchtungsoptik |
DE102013202590A1 (de) | 2013-02-19 | 2014-09-04 | Carl Zeiss Smt Gmbh | EUV-Lichtquelle zur Erzeugung eines Nutz-Ausgabestrahls für eine Projektionsbelichtungsanlage |
WO2014139814A1 (en) | 2013-03-14 | 2014-09-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Illumination optical unit for projection lithography |
JP6453251B2 (ja) | 2013-03-14 | 2019-01-16 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 投影リソグラフィのための照明光学ユニット |
DE102014204388A1 (de) | 2013-03-14 | 2014-09-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie |
DE102013204546A1 (de) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches Bauteil |
DE102013206529A1 (de) | 2013-04-12 | 2014-04-24 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Mikroaktuator |
DE102013206531A1 (de) | 2013-04-12 | 2014-05-08 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Vorrichtung zur Verlagerung eines Spiegelelements |
DE102013208446A1 (de) | 2013-05-08 | 2014-06-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optische Baugruppe |
DE102013209442A1 (de) | 2013-05-22 | 2014-11-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches Bauelement |
DE102013218748A1 (de) | 2013-09-18 | 2014-10-02 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches Bauelement |
DE102013211268B4 (de) | 2013-06-17 | 2014-11-20 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtunsoptik für die lithografische Projektionsbelichtung |
DE102013211269A1 (de) | 2013-06-17 | 2014-04-30 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik zur Beleuchtung eines in einem Objektfeld anordenbaren, strukturierten Objektes sowie Metrologiesystem für die Untersuchung eines strukturierten Objektes |
DE102013213842A1 (de) | 2013-07-16 | 2015-01-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches Bauelement |
DE102013217146A1 (de) | 2013-08-28 | 2015-03-05 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches Bauelement |
DE102013217269A1 (de) | 2013-08-29 | 2015-03-05 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Mikrospiegel-Array |
DE102013218128A1 (de) | 2013-09-11 | 2015-03-12 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungssystem |
DE102013218132A1 (de) * | 2013-09-11 | 2015-03-12 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Kollektor |
DE102013218749A1 (de) | 2013-09-18 | 2015-03-19 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungssystem sowie Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie |
EP2687906A3 (de) | 2013-11-21 | 2015-12-02 | Carl Zeiss SMT GmbH | Einrichtung und Verfahren zur Steuerung der Positionierung eines verlagerbaren Einzelspiegels |
DE102013223935A1 (de) * | 2013-11-22 | 2015-05-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungssystem für die EUV-Belichtungslithographie |
DE102015200281A1 (de) | 2014-01-23 | 2015-07-23 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Kühlen einer Komponente einer Projektionsbelichtungsanlage |
DE102014202755A1 (de) | 2014-02-14 | 2015-08-20 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Verlagerung mindestens eines optischen Bauelements |
DE102014203188A1 (de) | 2014-02-21 | 2015-08-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Beleuchtung eines Objektfeldes einer Projektionsbelichtungsanlage |
DE102014203189A1 (de) | 2014-02-21 | 2015-08-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel-Array |
DE102014203187A1 (de) | 2014-02-21 | 2015-08-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für die Projektionslithografie |
DE102014207866A1 (de) | 2014-04-25 | 2015-10-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Regelung der Positionierung einer Vielzahl von verstellbaren Spiegel-Elementen einer Vielspiegel-Anordnung |
DE102014217608A1 (de) | 2014-09-03 | 2014-11-20 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Zuordnen einer zweiten Facette eines im Strahlengang zweiten facettierten Elements einer Beleuchtungsoptik |
DE102014223326B4 (de) | 2014-11-14 | 2018-08-16 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Vorhersage mindestens eines Beleuchtungsparameters zur Bewertung eines Beleuchtungssettings und Verfahren zur Optimierung eines Beleuchtungssettings |
DE102014226272A1 (de) | 2014-12-17 | 2016-06-23 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel-Einrichtung |
KR102605161B1 (ko) | 2015-02-11 | 2023-11-23 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | Euv 투영 리소그라피를 위한 조명 광학기기 |
DE102015208571A1 (de) | 2015-05-08 | 2016-11-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie |
DE102015202411A1 (de) | 2015-02-11 | 2016-08-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie |
DE102015204874A1 (de) | 2015-03-18 | 2016-09-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Einrichtung zur Verschwenkung eines Spiegel-Elements mit zwei Schwenk-Freiheitsgraden |
DE102015205404A1 (de) | 2015-03-25 | 2016-09-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Vielspiegel-Anordnung |
DE102016202736A1 (de) | 2015-04-17 | 2016-05-25 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für eine Projektionsbelichtungsanlage |
DE102015208514A1 (de) | 2015-05-07 | 2016-11-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Facettenspiegel für die EUV-Projektionslithografie sowie Beleuchtungsoptik mit einem derartigen Facettenspiegel |
DE102015209176A1 (de) | 2015-05-20 | 2016-11-24 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie |
DE102015209175A1 (de) | 2015-05-20 | 2016-11-24 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Pupillenfacettenspiegel |
DE102016201317A1 (de) | 2015-05-20 | 2016-11-24 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie |
DE102015209453A1 (de) | 2015-05-22 | 2016-11-24 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Pupillenfacettenspiegel |
DE102015215213A1 (de) | 2015-08-10 | 2016-07-21 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches Bauelement |
DE102015220018A1 (de) | 2015-10-15 | 2016-10-06 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines mikroelektromechanischen Bauelements mit mindestens einem beweglichen Bestandteil |
DE102015223980A1 (de) | 2015-12-02 | 2016-10-20 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optische Baugruppe |
DE102015225535A1 (de) | 2015-12-17 | 2016-10-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Vielspiegel-Anordnung mit einer Vielzahl von verlagerbaren Einzelspiegeln |
DE102016205624B4 (de) | 2016-04-05 | 2017-12-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie, Beleuchtungssystem, Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zur Projektionsbelichtung |
DE102017204312A1 (de) | 2016-05-30 | 2017-11-30 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optische Wellenlängen-Filterkomponente für ein Lichtbündel |
DE102017204381A1 (de) | 2016-05-31 | 2017-11-30 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Facettenspiegel |
DE102016213026A1 (de) | 2016-07-18 | 2018-01-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Sensor-Einrichtung |
DE102016216188A1 (de) | 2016-08-29 | 2018-03-01 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Steuereinrichtung |
DE102016222033A1 (de) | 2016-11-10 | 2016-12-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Zuordnung von Feldfacetten zu Pupillenfacetten zur Schaffung von Beleuchtungslicht-Ausleuchtungskanälen in einem Be-leuchtungssystem in einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage |
US9875774B1 (en) | 2016-11-29 | 2018-01-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Memory device and method of operating same |
DE102017200658A1 (de) | 2017-01-17 | 2017-03-02 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für eine Projektionsbelichtungsanlage |
DE102017200663A1 (de) | 2017-01-17 | 2017-03-02 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Zuordnung von Ausgangs-Kippwinkeln von kippbaren Feldfacetten eines Feldfacettenspiegels für eine Projektionsbelich-tungsanlage für die Projektionslithografie |
DE102017200775A1 (de) | 2017-01-19 | 2018-07-19 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Bauelement für eine Projektionsbelichtungsanlage |
DE102017202930A1 (de) | 2017-02-23 | 2017-04-13 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Regelung einer Beleuchtungsdosis einer Beleuchtung eines Objekt-feldes einer Projektionsbelichtungsanlage sowie Projektionsbelichtungsanlage zur Durchführung des Verfahrens |
DE102017212352A1 (de) | 2017-07-19 | 2018-07-26 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Reinigungsmodul und Verfahren zur in situ Reinigung einer Quellkammer einer EUV-Strahlungsquelle, Strahlungsquellenmodul und Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage sowie Projektionsbelichtungsanlage |
DE102017212351A1 (de) | 2017-07-19 | 2018-07-26 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Reinigungsmodul zur in-situ-Reinigung einer Quellkammer einer EUV-Strahlungsquelle, Strahlungsquellenmodul und Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage sowie Projektionsbelichtungsanlage |
DE102017220265A1 (de) | 2017-11-14 | 2019-05-16 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsintensitäts-Korrekturvorrichtung zur Vorgabe einer Beleuchtungsintensität über ein Beleuchtungsfeld einer lithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
DE102018200167A1 (de) | 2018-01-08 | 2019-07-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Pupillenfacettenspiegel, Beleuchtungsoptik und optisches System für eine Projektionsbelichtungsanlage |
DE102018201457A1 (de) | 2018-01-31 | 2019-08-01 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie |
DE102018208710A1 (de) | 2018-06-04 | 2019-12-05 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Blende zur Anordnung in einer Engstelle eines EUV-Beleuchtungsbündels |
DE102018216870A1 (de) | 2018-10-01 | 2020-04-02 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines Beleuchtungssystems für eine EUV-Anlage |
DE102018217707A1 (de) | 2018-10-16 | 2018-12-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Feldfacettenspiegel zum Einsatz in einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Projektonslithographie |
DE102018218850A1 (de) | 2018-11-06 | 2018-12-20 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie |
DE102018220629A1 (de) | 2018-11-29 | 2020-06-04 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel für eine Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage mit einem Spektralfilter in Form einer Gitterstruktur und Verfahren zur Herstellung eines Spektralfilters in Form einer Gitterstruktur auf einem Spiegel |
DE102018220625A1 (de) | 2018-11-29 | 2020-06-04 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches Beleuchtungssystem für Projektionslithographie |
DE102018221128A1 (de) | 2018-12-06 | 2020-06-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Tauschen eines Spiegels in einer Projektionsbelichtungsanlage sowie Lagedaten-Messeinrichtung zum Durchführen des Verfahrens |
DE102019217507A1 (de) | 2019-02-04 | 2020-08-06 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Facettenspiegel und Verfahren zu dessen Herstellung |
JP2022530217A (ja) | 2019-04-29 | 2022-06-28 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 照明光をeuvリソグラフィのための投影露光システムの物体視野内へ案内するための測定照明光学ユニット |
DE102019206057A1 (de) | 2019-04-29 | 2019-06-19 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Mess-Beleuchtungsoptik zur Führung von Beleuchtungslicht in ein Objektfeld einer Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Lithografie |
DE102019206869A1 (de) | 2019-05-13 | 2019-08-08 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Strahlungsquellen-Modul |
DE102019206867A1 (de) | 2019-05-13 | 2019-07-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches Element für eine Projektionsbelichtungsanlage |
DE102019206868A1 (de) | 2019-05-13 | 2019-07-04 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Feldfacettenspiegel für eine Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage |
CN110749377B (zh) * | 2019-10-11 | 2021-10-29 | 湖州中科光电技术有限公司 | 一种高精度光通量测量方法 |
DE102020200158A1 (de) | 2020-01-09 | 2021-07-15 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie |
DE102020201558A1 (de) * | 2020-02-07 | 2021-03-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Vorrichtung zur Reinigung einer Plasma-Strahlungsquelle |
DE102020205123A1 (de) | 2020-04-23 | 2021-10-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Facetten-Baugruppe für einen Facettenspiegel |
DE102020207807A1 (de) | 2020-06-24 | 2021-12-30 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches Element für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage |
CN112704449B (zh) * | 2020-12-31 | 2022-04-15 | 佛山市顺德区美的洗涤电器制造有限公司 | 用于洗碗机的清洗方法、装置及洗碗机 |
DE102022213753A1 (de) | 2022-05-04 | 2023-11-09 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Vorrichtung zum Schutz einer Oberfläche vor Schädigung durch auftreffende Ionen |
DE102023204477A1 (de) | 2022-05-12 | 2023-11-16 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Mikroelektromechanisches System (MEMS) |
DE102022207052A1 (de) | 2022-07-11 | 2024-01-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel für eine Projektionsbelichtungsanlage |
WO2024037916A1 (en) | 2022-08-16 | 2024-02-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Micro-optical element |
DE102022208658A1 (de) | 2022-08-22 | 2024-02-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Zwischenprodukt zur Herstellung eines optischen Elements für eine Projektionsbelichtungsanlage, optisches Element für eine Projektionsbelichtungsanlage, Verfahren zur Herstellung eines Zwischenprodukts und Verfahren zur Herstellung eines optischen Elements |
DE102022209214A1 (de) | 2022-09-05 | 2024-03-07 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Einzelspiegel eines Pupillenfacettenspiegels und Pupillenfacettenspiegel für eine Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage |
DE102022209935A1 (de) | 2022-09-21 | 2024-03-21 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Vorrichtung zur stressreduzierten Lagerung von MEMS-basierten Mikrospiegeln |
DE102022212904A1 (de) | 2022-11-30 | 2023-10-12 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Einzelspiegel eines Facettenspiegels einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage |
DE102023203095A1 (de) | 2023-04-04 | 2023-05-25 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Vorgeben einer Soll-Verteilung einer Beleuchtungs-Intensität über eine Feldhöhe eines Feldes einer Projektionsbelichtungsanlage |
Family Cites Families (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US804996A (en) | 1905-03-10 | 1905-11-21 | Charles Brock | Telescopy. |
US1085795A (en) | 1912-10-11 | 1914-02-03 | Boylite Concentrator Inc | Projection instrument. |
US1865441A (en) | 1923-08-04 | 1932-07-05 | Wappler Electric Company Inc | Method of and apparatus for controlling the direction of x-rays |
US2198014A (en) | 1937-07-22 | 1940-04-23 | Harry G Ott | Optical system |
US4015120A (en) * | 1961-02-21 | 1977-03-29 | American Optical Corporation | Optical systems and associated detecting means |
US3148834A (en) | 1961-11-22 | 1964-09-15 | Sperry Rand Corp | Illumination system |
FR91427E (fr) | 1964-02-18 | 1968-06-07 | Anciens Ets Barbier | Dispositifs condenseurs de rayonnement perfectionnés |
US3318184A (en) | 1964-11-02 | 1967-05-09 | James G Jackson | Light projection optical apparatus |
US3689760A (en) | 1971-01-25 | 1972-09-05 | Mattel Inc | Efficient reflector for a projector |
JPS5455177A (en) * | 1977-10-11 | 1979-05-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Soft x-ray condensing apparatus for soft x-ray exposure |
US4242588A (en) | 1979-08-13 | 1980-12-30 | American Science And Engineering, Inc. | X-ray lithography system having collimating optics |
US4525853A (en) * | 1983-10-17 | 1985-06-25 | Energy Conversion Devices, Inc. | Point source X-ray focusing device |
JPH01307221A (ja) * | 1988-06-06 | 1989-12-12 | Toshiba Corp | X線露光装置 |
US5002379A (en) * | 1989-04-12 | 1991-03-26 | Murtha R Michael | Bypass mirrors |
AU6294690A (en) * | 1989-08-21 | 1991-04-03 | Carl R. Amos | Methods of and apparatus for manipulating electromagnetic phenomenon |
JP2921038B2 (ja) * | 1990-06-01 | 1999-07-19 | キヤノン株式会社 | X線を用いた観察装置 |
US5192869A (en) * | 1990-10-31 | 1993-03-09 | X-Ray Optical Systems, Inc. | Device for controlling beams of particles, X-ray and gamma quanta |
US5439781A (en) * | 1993-05-10 | 1995-08-08 | At&T Corp. | Device fabrication entailing synchrotron radiation |
EP0723272B1 (en) * | 1994-07-08 | 2001-04-25 | Muradin Abubekirovich Kumakhov | Method of guiding beams of neutral and charged particles and a device for implementing said method |
US5745547A (en) | 1995-08-04 | 1998-04-28 | X-Ray Optical Systems, Inc. | Multiple channel optic |
US5682415A (en) * | 1995-10-13 | 1997-10-28 | O'hara; David B. | Collimator for x-ray spectroscopy |
US6064072A (en) * | 1997-05-12 | 2000-05-16 | Cymer, Inc. | Plasma focus high energy photon source |
US5763930A (en) | 1997-05-12 | 1998-06-09 | Cymer, Inc. | Plasma focus high energy photon source |
AU1053199A (en) | 1997-11-14 | 1999-06-07 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method of manufacturing the same, and exposure method |
JPH11243052A (ja) * | 1997-11-14 | 1999-09-07 | Nikon Corp | 露光装置 |
JPH11219900A (ja) * | 1997-11-14 | 1999-08-10 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法 |
US6108397A (en) * | 1997-11-24 | 2000-08-22 | Focused X-Rays, Llc | Collimator for x-ray proximity lithography |
JP4238390B2 (ja) * | 1998-02-27 | 2009-03-18 | 株式会社ニコン | 照明装置、該照明装置を備えた露光装置および該露光装置を用いて半導体デバイスを製造する方法 |
DE19903807A1 (de) * | 1998-05-05 | 1999-11-11 | Zeiss Carl Fa | Beleuchtungssystem insbesondere für die EUV-Lithographie |
EP0955641B1 (de) | 1998-05-05 | 2004-04-28 | Carl Zeiss | Beleuchtungssystem insbesondere für die EUV-Lithographie |
DE10138313A1 (de) * | 2001-01-23 | 2002-07-25 | Zeiss Carl | Kollektor für Beleuchtugnssysteme mit einer Wellenlänge < 193 nm |
DE19923609A1 (de) | 1998-05-30 | 1999-12-02 | Zeiss Carl Fa | Ringfeld-4-Spiegelsysteme mit konvexem Primärspiegel für die EUV-Lithographie |
US6469827B1 (en) * | 1998-08-06 | 2002-10-22 | Euv Llc | Diffraction spectral filter for use in extreme-UV lithography condenser |
US6186632B1 (en) * | 1998-12-31 | 2001-02-13 | The Regents Of The University Of California | Condenser for ring-field deep-ultraviolet and extreme-ultraviolet lithography |
SE514835C2 (sv) * | 1999-01-21 | 2001-04-30 | Micronic Laser Systems Ab | System och metod för mikrolitografiskt skrivande |
GB9909052D0 (en) | 1999-04-20 | 1999-06-16 | Council Cent Lab Res Councils | Neutron lens |
WO2000072330A1 (en) * | 1999-05-24 | 2000-11-30 | Jmar Research, Inc. | Parallel x-ray nanotomography |
JP2001013297A (ja) * | 1999-06-30 | 2001-01-19 | Nikon Corp | 反射光学素子および露光装置 |
US6278764B1 (en) | 1999-07-22 | 2001-08-21 | The Regents Of The Unviersity Of California | High efficiency replicated x-ray optics and fabrication method |
WO2001009684A1 (de) | 1999-07-30 | 2001-02-08 | Carl Zeiss | Steuerung der beleuchtungsverteilung in der austrittspupille eines euv-beleuchtungssystems |
US6285737B1 (en) * | 2000-01-21 | 2001-09-04 | Euv Llc | Condenser for extreme-UV lithography with discharge source |
SG115575A1 (en) * | 2002-10-18 | 2005-10-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic projection apparatus comprising a secondary electron removal unit |
-
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Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006511070A (ja) * | 2002-12-19 | 2006-03-30 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 効率的な集光器光学系を有する照明システム |
JP2005129936A (ja) * | 2003-10-20 | 2005-05-19 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ機器で使用するミラー上での上部層の使用、リソグラフィ機器で使用するミラー、このようなミラーを備えるリソグラフィ機器、及びデバイスの製造方法 |
JP2009055064A (ja) * | 2003-10-20 | 2009-03-12 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ機器で使用するミラー上での上部層、リソグラフィ機器で使用するミラー、このようなミラーを備えるリソグラフィ機器及びデバイスの製造方法 |
JP2005347757A (ja) * | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Asml Netherlands Bv | かすめ入射ミラー、かすめ入射ミラーを含むリソグラフィ装置、かすめ入射ミラーを提供する方法、かすめ入射ミラーのeuv反射を強化する方法、デバイス製造方法およびそれによって製造したデバイス |
JP2006140470A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-06-01 | Asml Netherlands Bv | 放射システム、リソグラフィ装置、デバイス製造方法、及び、それらにより製造されたデバイス |
JP2006332654A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-12-07 | Asml Netherlands Bv | 放射システム及びリソグラフィ装置 |
JP2007201466A (ja) * | 2006-01-24 | 2007-08-09 | Xtreme Technologies Gmbh | 高平均出力のeuv放射線を発生する装置及び方法 |
JP2010524231A (ja) * | 2007-04-03 | 2010-07-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | パターニングデバイスを照明するための照明システム、および照明システムを製造する方法 |
JP2016502136A (ja) * | 2012-11-09 | 2016-01-21 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Euvコレクター |
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