JP2006140470A - 放射システム、リソグラフィ装置、デバイス製造方法、及び、それらにより製造されたデバイス - Google Patents

Abstract

【課題】大きな生産高を有し、低減された量の帯域外放射、及び、下流の物体をスパッタする可能性がある高速粒子の低減された量を発生できる放射システムを提供すること。
【解決手段】放射を多重化するための放射システムは２つの放射副線源を含む。副線源は各々特定の量の放射を供給する。システムは反射面を備えた部材をさらに含む。面は、面が副線源からの放射を受光し、かつ、この放射を結合する形で配列されている。放射副線源は同時に、又は、交番して動作することができる。面は濾過又は拡大（縮小）などの機能を行なうことができる。
【選択図】図２

Description

本発明は放射システム、リソグラフィ装置、デバイス製造方法、及び、それらにより製造されたデバイスに関する。

リソグラフィ装置は基板の目標部分上に所望のパターンを印加する装置である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に使用することができる。その状況において、マスクなどのパターン形成デバイスはＩＣの個別の層に対応する回路パターンを作成するために使用することができ、このパターンは放射感応材料（レジスト）の層を有する（例えば、シリコン・ウェハなどの）基板上の（例えば、１個又は数個のダイの一部を含む）目標部分上に画像形成することができる。一般に、単一の基板は連続して露光される隣接した目標部分のネットワークを含む。知られているリソグラフィ装置は、１回の工程実行において目標部分上にパターン全体を露光することにより各目標部分が照射されるステッパ、及び、与えられた方向（以下、「走査」方向）において放射のビームを介してパターンを走査する一方、この方向に平行又は逆平行に基板を同期させて走査することにより各目標部分が照射されるスキャナを含む。

上述のリソグラフィ装置は照射システム及び放射源を通常含む。放射源はパターン形成デバイスを照射するための必要な放射を供給する。

現在利用可能である各ＥＵＶ照射システムにおける問題は、高パワーＥＵＶ放射ビームが発生された時に非線形効果が発生することである。これらの知られている照射システムはレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）又は放電生成プラズマ（ＤＰＰ）を備えた放射源を採用している。いくつかの問題は、高パワーが関与する時のレーザ生成プラズマを備えた放射源に関連している。すなわち、ノズルの劣化、ノズルの材料のスパッタ、ノズルの熱負荷、ガスのリサイクル、真空系のガス負荷、低反復速度、低変換効率、不均一発光プロファイル、などである。より高いパワーでの放電生成プラズマに伴う現在の問題は、拡大された線源サイズ、放射源の延長された形状、全てのシステム・パラメータに依存する断面縮小サイズ、低変換効率などである。

本発明の便益のいくつかは、現在利用可能なものよりも、比較的大きな生産高を中でも有し、低減された量の帯域外放射、及び、放射システムの下流に位置決めされた（例えば、光学系などの）物体をスパッタする可能性がある高速粒子の低減された量を発生することができる放射システムが提供されることである。

放射を多重化することは、例えば内容の全体が参照として組み込まれている本出願人の名義における２００３年９月１７日に出願されたヨーロッパ特許出願０３２５５８２５．６に開示されているように可能である。

本発明の１つの態様は放射を多重化するためのシステムに関し、放射システムは放射を供給するように構成された第１の放射源及び放射を供給するように構成された第２の放射源を含む。本発明はＥＵＶ放射源に適するが、それらに限定はされない。

１つの実施例における本発明のシステムは、第１の反射面及び第２の反射面を持つ光学部材を含む。第１の反射面は、第１の放射源から第１の量の放射を受光し、かつ、第１の量を反射するように構成され、並びに、第２の反射面は、第２の放射源から第２の量の放射を受光し、かつ、第２の量を反射するように構成されている。より小型の線源を採用することが可能であるため、個別の線源当たりの強く非線形な効果の低減が得られる。加えて、より小型の線源は低いパルス・エネルギー及びピーク・パワーで運転することができる。これらの線源の活動体積はより大型の線源に匹敵する。より小型の線源は、より制御され、かつ、より安定した動作を可能にする。熱放散及び熱の除去、並びに、輸送管理に伴う問題は低減されている。同じことは、ソース・ガスの送達、電力、電極の腐食、及び、システムの汚染に伴う問題に対しても成り立つ。第１の線源及び第２の線源は、パワーの増強の後の１つのより大型の放射源に比較して、粒子を合計でより少なく発生し、かつ、下流の光学構成部分のスパッタをより少なく引き起こす。個別のミラーに比較して、部材に対してはより少ない位置合わせが必要となる。

本発明の実施例において、光学部材は円錐形又は多角形の断面を含む。このような部材は精密作業台を使用して作成することができる。このような部材は、同時に、堅牢でもあり、かつ、単純でもある。

さらなる実施例において、第１の反射面と第２の反射面の少なくとも１つは、それぞれ第１の量及び第２の量とすれすれの入射に位置決めされている。このような配列は、本発明を（Ｅ）ＵＶ放射に関連した使用に対して適したものにしている。

さらなる実施例において、第１の放射源は第２の放射源と実質的に同時に動作されるように構成されている。このことは、放射の空間的多重化、及び、より均一に満たされた開口を可能にする。

さらなる実施例において、第１の放射源は第２の放射源と交番に動作されるように構成されている。このことは、時間においてより安定した出力を供給し、かつ、より高いパルス周波数を効果的に供給する。この実施例は時間領域における放射の多重化を可能にする。

さらなる実施例において、第１の放射源と第２の放射源の少なくとも１つは放電プラズマ、Ｚピンチ放電プラズマ、放電生成プラズマ（ＤＰＰ）、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）及び緻密プラズマ焦点、紫外（ＵＶ）放射源、極紫外（ＥＵＶ）放射源、Ｘ線放射源、粒子ビームを発生する放射源、イオン・ビームを発生する放射源、又は、電子ビームを発生する放射源を含む。これらは直ちに利用可能な（Ｅ）ＵＶ線源である。

さらなる実施例において、第１の反射面と第２の反射面の少なくとも１つはスペクトル純化フィルタ、表面コーティング、格子、又は、特定の吸収及び回折構造を含む。このように、反射面は反射し、かつ、同時に、例えば濾過及び／又は吸収などの他の機能を行なう。

さらなる実施例において、第１の反射面と第２の反射面の少なくとも１つは湾曲している。反射面の曲率は操作、すなわち、個々の線源からの放射ビームの断面の増大又は低減を可能にする。

本発明は上記に説明された如くのシステムを含むリソグラフィ装置にも関する。

本発明は、上記に説明された如くの放射のビームを供給する工程と、放射のビームをパターンを使用して同ビームの断面にパターン形成する工程、パターン形成された放射のビームを基板の目標部分上に投影する工程とを含むデバイス製造方法にも関する。

この状況においては、ＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特定の参照を行なうことができるが、本明細書で説明されているリソグラフィ装置は、集積光システムの製造、磁気ドメイン・メモリに対する誘導及び検出パターン、液晶表示装置（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの他の応用例を有することができることを理解されたい。このような代案応用例の状況において、本明細書における用語「ウェハ」又は「ダイ」のいずれの使用も、それぞれ、より一般的な用語「基板」又は「目標部分」と同義であると考えることができることも理解されたい。本明細書で言及されている基板は、例えばトラック（典型的に、基板にレジストの層を塗布し、かつ、露光されたレジストを現像する器具）、又は、計測具若しくは検査具において、露光の前又は後に処理することができる。適用される場合、本明細書での開示はそのような、及び、他の基板処理器具に適用することができる。さらに、基板は、例えば多層ＩＣを製作するために、２回以上処理することができ、そのため、本明細書で使用されている用語「基板」は多数の処理済層を既に含む基板も指すことができる。

本明細書で使用されている用語「放射」及び「ビーム」は（例えば、３６５、２４８、１９３、１５７、又は、１２６ｎｍの波長を有する）紫外（ＵＶ）放射及び（例えば、５から２０ｎｍの範囲の波長を有する）極紫外（ＥＵＶ）放射、並びに、Ｘ線放射及びイオン・ビーム又は電子ビームなどの粒子ビームを含む全てのタイプの電磁放射を包含する。

本明細書で使用されている用語「パターン形成デバイス」は、基板の目標部分にパターンを作成するように、放射のビームにパターンを同ビームの断面に与えるために使用することができるデバイスを指すとして広く解釈されるべきである。放射のビームに与えられたパターンは基板の目標部分における所望のパターンに正確には対応しないことがあることに注意されたい。一般に、放射のビームに与えられたパターンは集積回路などの目標部分において作成されているデバイスにおける特定の機能層に対応する。

パターン形成デバイスは透過性又は反射性とすることができる。パターン形成デバイスの例はマスク、プログラム可能ミラー・アレイ、及び、プログラム可能ＬＣＤパネルを含む。マスクはリソグラフィではよく知られており、かつ、２値、交番移相、及び、減衰移相などのマスク・タイプ、並びに、様々な複合マスク・タイプを含む。プログラム可能なミラー・アレイの例は小型ミラーのマトリクス配列を採用し、小型ミラーの各々は、入来放射ビームを異なった方向に反射するように個別に傾けることができる。このようにして、反射されたビームがパターン形成される。

支持部はパターン形成デバイスを支持し、例えば、同デバイスの重量を受ける。支持部は、パターン形成デバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、及び、例えばパターン形成デバイスが真空環境内に保持されているかどうかなどの他の条件に依存した方法でパターン形成デバイスを保持する。支持部は機械的締め付け、真空、又は、例えば真空環境下での静電締め付けなどの他の締め付け技術を使用することができる。支持部は、例えば、必要に応じて固定又は可動とすることができ、かつ、パターン形成デバイスが、例えば投影システムに関して、所望の位置にあることを確実にできるフレーム又はテーブルとすることができる。本明細書での用語「レチクル」又は「マスク」のいずれの使用も、より一般的な用語「パターン形成デバイス」と同義であると考えることができる。

本明細書で使用されている用語「投影システム」は、例えば使用されている露光放射に対して、又は、浸漬液の使用若しくは真空の使用などの他の要因に対して適切な屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系を含む様々なタイプの投影システムを包含すると広義に解釈されるべきである。本明細書での用語「レンズ」のいずれの使用も、より一般的な用語「投影システム」と同義であると考えることができる。

照射システムは、放射の放射のビームを差向け、整形、又は、制御するための屈折性、反射性、及び、反射屈折性光学構成部分を含む様々なタイプの光学構成部分も包含することができ、そのような構成部分は以下にまとめて、又は、単独で「レンズ」とも呼ぶことができる。

リソグラフィ装置は２つ（二連ステージ）以上の基板テーブル（及び／又は、２つ以上のマスク・テーブル）を有するタイプのものとすることができる。そのような「多数ステージ」機において、追加のテーブルを平行に使用することができるか、又は、準備工程を１つ以上のテーブル上で実行することができる一方、１つ以上の他のテーブルが露光のために使用される。

リソグラフィ装置は、投影システムの最後の要素と基板の間の空間を満たすために、例えば水などの比較的高い屈折率を有する液体中に基板が浸されているタイプのものとすることもできる。浸漬液は、例えばマスクと投影システムの最初の要素の間のリソグラフィ装置における別の空間にも適用することができる。浸漬技術は投影システムの開口数を増大させるために当技術分野においてよく知られている。

ここで、対応する参照記号が対応する部分を示す添付の概略図を参照して、本発明の実施例が例の方法によってのみ説明される。

図１は本発明の特定の実施例によるリソグラフィ装置の概略を示す。装置は放射（例えば、ＵＶ又はＥＵＶ放射）の放射のビームＰＢを供給するように構成された照明システム（照明器）ＩＬを含む。支持部（例えば、マスク・テーブル）ＭＴはパターン形成デバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ、投影システムＰＳに関してパターン形成デバイスを正確に位置決めする第１の位置決めデバイスＰＭに接続されている。基板テーブル（例えば、ウェハ・テーブル）ＷＴは基板（例えば、レジスト塗布済ウェハ）Ｗを保持するように構成され、かつ、投影システムＰＳに関して基板を正確に位置決めする第２の位置決めデバイスＰＷに接続されている。投影システム（例えば、反射性投影レンズ）ＰＳは、基板Ｗの（例えば、１つ又は複数のダイを含む）目標部分Ｃ上にパターン形成デバイスＭＡにより放射のビームＰＢに与えられたパターンを画像形成するように構成されている。

同図に示されたように、装置は（例えば、上記に言及された如くのタイプの反射性マスク又はプログラム可能なミラー・アレイを採用した）反射タイプのものである。代案として、装置は（例えば、透過性マスクを採用した）透過タイプのものとすることもできる。

照明器ＩＬは放射源ＳＯからの放射を受光する。線源及びリソグラフィ装置は、例えば線源がプラズマ放電線源である時に、分離された物体とすることができる。このような場合、線源はリソグラフィ装置の一部を形成しているとは考えられず、放射は、例えば適した集光ミラー及び／又はスペクトル純化フィルタなどを含む放射集光器の支援を得て、一般に線源ＳＯから照明器ＩＬに通過される。他の場合、線源は、例えば線源が水銀ランプである時に装置を構成する部分とすることができる。線源ＳＯ及び照明器ＩＬは放射システムと呼ぶことができる。

照明器ＩＬはビームの角度上の強度分布を調整するための調整デバイスを含むことができる。一般に、照明器の瞳孔平面内の強度分布の少なくとも（それぞれ一般にσ−外部及びσ−内部と呼ばれる）外部及び／又は内部の放射の程度を調整することができる。照明器は、放射のビームＰＢの断面における所望の均一度及び強度分布を有する条件調整された放射のビームＰＢを供給する。

放射のビームＰＢはマスク・テーブルＭＴ上に保持されたマスクＭＡに入射する。マスクＭＡにより反射されて、放射のビームＰＢは基板Ｗの目標部分Ｃ上にビームを合焦させる投影システムＰＳを通過する。第２の位置決めデバイスＰＷ及び（例えば、干渉計デバイスなどの）位置決めセンサＩＦ２の支援を得て、基板テーブルＷＴは、例えばビームＰＢの経路内に異なった目標部分Ｃを位置決めするために、正確に移動させることができる。同様に、第１の位置決めデバイスＰＭ及び（例えば、干渉計デバイスなどの）位置決めセンサＩＦ１は、例えばマスク・ライブラリからの機械的な取出しの後、又は、走査中に、ビームＰＢの経路に関してマスクＭＡを正確に位置決めするために使用することができる。一般に、物体テーブルＭＴ及びＷＴの移動は、位置決めデバイスＰＭ及びＰＷの一部を形成している長行程モジュール（粗い位置決め）及び短行程モジュール（細かい位置決め）の支援を得て実現される。しかし、スキャナと対立するものとしてのステッパの場合、マスク・テーブルＭＴは短行程作動器のみに接続することができるか、又は、固定することができる。マスクＭＡ及び基板Ｗはマスク位置合わせマークＭ１、Ｍ２及び基板位置合わせマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。

示された装置は以下の好ましいモードで使用することができる。
１．ステップ・モードにおいて、マスク・テーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴは基本的に静止に保たれる一方、放射のビームに与えられたパターン全体が１度に目標部分Ｃ上に投影される（すなわち、単一の静止露光）。続いて、基板テーブルＷＴはＸ及び／又はＹの方向にずらされ、そのため、異なった目標部分Ｃを露光することができる。ステップ・モードにおいて、露光領域の最大サイズは単一の静止露光で画像形成される目標部分Ｃのサイズを制限する。
２．走査モードにおいて、マスク・テーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴが同期して走査される一方、放射のビームに与えられたパターンは目標部分Ｃ上に投影される（すなわち、単一の動的露光）。マスク・テーブルＭＴを基準とした基板テーブルＷＴの速度及び方向は投影システムＰＬの拡大（縮小）及び画像反転の特性により決定される。スキャン・モードにおいて、露光領域の最大サイズは単一の動的露光において目標部分の（非走査方向における）幅を制限するのに対し、走査の動きの長さは目標部分の（走査方向における）高さを決定する。
３．他のモードにおいて、マスク・テーブルＭＴは基本的に静止に保たれ、プログラム可能なパターン形成デバイスを保持し、基板テーブルＷＴは、放射のビームに与えられたパターンが目標部分Ｃ上に投影される間、移動又は走査される。このモードにおいて、一般に、パルス化された線源が採用され、プログラム可能なパターン形成デバイスは基板テーブルＷＴの各移動の後、又は、走査中の連続した放射パルス間に必要に応じて更新される。このモードの動作は、上記に言及した如くのタイプのプログラム可能なミラー・アレイなどのプログラム可能なパターン形成デバイスを利用するマスクレス・リソグラフィに直ちに適用することができる。

図２を参照すると、放射は線源ＳＯにおいて多重化される。放射副線源の放射は１つの複合放射ビームに結合される。従って、線源ＳＯはいくつかの放射副線源を含む。図２においては、例示の目的のために、放射副線源３及び放射副線源５のみが示されている。しかし、本発明は２つのみの放射副線源を備えた線源ＳＯには限定されない。放射副線源３の近辺に集光器７が存在する。放射副線源５の近辺には集光器９が存在する。図２に示された如くの集光器７及び集光器９は放物線状である。放射副線源３及び放射副線源５は個々の集光器７及び９の焦点にそれぞれ位置させることができる。この場合、個々の放射副線源３及び５の放射の形は、この放射が個々の集光器７及び９に当たっている限り平行に現れる。実施例として、集光器９に当たっていないビーム１８が図２に示されている。このビーム１８の放射のパワーは、以下に検討されるように、結合された複合ビームの放射パワーの量には寄与していない。例えば楕円形、円形、又は、その他の異なった形状の集光器も可能であることを理解されたい。放射、特に極紫外（ＥＵＶ）放射は放射副線源３から、及び、放射副線源５から発散する。線源ＳＯはそれぞれ２つの反射面１７、１９を備えた部材１５をさらに含む。２つの副線源３、５より多い副線源がある時には、一般に、２つの反射面１７、１９より多い反射面があることに注意されたい。反射面１７から上流の放射副線源３により生成された放射のビーム１１は参照番号１１ａで言及され、反射面１７から下流の放射副線源３により生成された放射のビーム１１は参照番号１１ｂで言及される。反射面１９から上流の放射副線源５により生成された放射のビーム１３は参照番号１３ａで言及され、反射面１９から下流の放射副線源５により生成された放射のビーム１３は参照番号１３ｂで言及される。ビーム１１ｂ、１３ｂは光学系２１に当たることができる。

この実施例による線源ＳＯは以下の形で機能する。放射副線源３及び放射副線源５は、それぞれ、放物線状集光器７及び９それぞれに発散する放射を差向ける。もし放射副線源３及び５が、それぞれ、放物線状集光器７及び９それぞれの焦点に位置されていれば、放射の少なくとも幾分かの部分はそれぞれ平行な放射のビーム１１ａ及び１３ａとして反射面１７及び１９からそれぞれ現れる。ビーム１１ａ及び１３ａは、それぞれ、反射面１７及び１９によりそれぞれ反射され、２つの相互に平行なビーム１１ｂ及び１３ｂが結果となる。ビーム１１ｂ及び１３ｂの結合されたパワーは、その後、下流の光学系２１に供給される。そのような光学系２１は、パターン形成デバイス上のパターンを基板に投影するために単一の放射ビームが形成され、かつ、使用される積分機能を有する積分器とすることができる。代案として、ビームが照明器ＩＬに進入する前に均一な放射密度が時間及び空間において得られるように、個別の副線源３及び５の線特性を混合するために、フライ・アイ・スクランブラが光学系２１として存在することができる。

この実施例は放射の平行ビーム１１ｂ及び１３ｂに対して説明されたが、この実施例は、ビーム１１ｂ及び１３ｂが反射性部材１５からの反射の後に平行ではなくなる場合、例えば焦点に収斂するビームも網羅している。同様に、放射源３及び５の１つ又は双方は放物線状集光器７又は９の焦点に位置しなくてもよい。また、放射のビーム１１ａ及び／又は１３ａは状況に合わせて発散及び／又は収斂するものとなる。この実施例はこれらの場合も網羅している。

反射性部材１５は円錐形のものとすることができる。長所は、このような円錐形の物体が機械的な作業台により容易に生産されることである。加えて、部材１５は多角形の断面も含むことができる。

線源ＳＯは全てのタイプの電磁放射と共に使用することができる。この線源ＳＯが電磁スペクトルのＥＵＶの範囲における放射と共に使用されると、放射のビーム１１ａ及び１３ａに、すれすれの入射のもとで反射面１７、１９に当たらせることが推奨される。このことは、面１７、１９に関した角度が可能な限り小さいことを意味する。この場合の反射は最大となり、吸収は最小となる。通常は、放射源３及び５が非コヒーレントである。しかし、放射源がコヒーレントであると、双方のピーク値及び合焦が干渉により増強される。

図３は開口３１を満たす放射の結合ビームの図２の線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿った様子である。結合ビームはず２に示されたビーム１１ｂ及び１３ｂを含む。追加のビーム３３及び追加のビーム３４が存在することができる。これらの追加のビーム３３、３４は図３においてダッシュ線で描かれている。これらの追加のビーム３３、３４は（図示されない）他の放射源により供給される。様々な放射源を同時に動作させることにより、独立した放射源の結合されたパワーが開口３１に与えられる。

ＥＵＶ放射を供給する放射源は一般にパルス化されている。上記に説明された実施例への代案として、上昇された周波数を持つ複合放射源が、１つずつを基本として各放射源を動作させることにより得ることができる。この場合、例えば、放射のビーム１３ｂ、３３、１１ｂ、及び、３４を供給する放射源は時間において１つずつ動作される。このことは、時間におけるいずれの瞬間においても部分的には満たされているが、上昇された周波数での開口３１を与える。そこで、光学系２１は開口３１にわたり光学的パワーを攪拌するように構成されたスクランブラとすることができる。

本発明において使用されている放射源は、例えば、放電プラズマ、Ｚピンチ放電プラズマ、放電生成プラズマ（ＤＰＰ）、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）、及び、緻密プラズマ焦点などの常時入手可能であるいくつかのプラズマ系放射源のいずれかとすることができる。

図２に示された反射面１７及び１９は、光学的パワーを結合することを別にすれば、追加の機能を同時に行なう。以前の要点を例示すると、加えて、反射面１７は、例として、反射面１７に入射する放射から特定の波長（範囲）を濾過し出す物質でコーティングすることができる。同様の配慮は、当然、反射面１９、及び、反射性部材１５上に存在することができるさらなる反射面に対しても成立する。スペクトル純化フィルタに加えて、表面コーティング、格子、又は、特定の吸収及び回折構造も部材１５上に存在することができる。濾過性反射面は、例えば、内容が参照として組み込まれている本出願人の名義における２００３年１１月６日に出願されたヨーロッパ特許出願第０３０７８４９５．３号明細書に説明されている。

反射面１７及び１９が湾曲されていることも可能である。このように、これらの面上に当たる放射のビームは、これらの反射面１７、１９上での反射の後、状況に合わせて（凹面１７、１９に対して）より収斂するか、又は、個々の表面の特定の曲率に依存して（凸面１７、１９に対して）より発散する。

線源ＳＯは放射の結合ビームを線源ＳＯの下流に位置するさらなる光学系２１に差向けることができる。上記に説明されたように、この光学系２１はスクランブラ又は積分器とすることができる。

本発明は（極）紫外放射の使用に関連して上記に説明されたが、本発明はこのタイプの放射の使用に限定されない。他のタイプの放射も考慮することができる。例えば、可視放射若しくは赤外（ＩＲ）若しくはＸ線放射、又は、粒子ビームを含む放射を使用することができる。

上記に説明された使用のモード又は完全に異なった使用のモードに対する組み合わせ及び／又は変形も採用することができる。

本発明の実施例によるリソグラフィ装置を示す図である。 本発明の実施例による放射を多重化するためのシステムを示す図である。 図２に示された線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿った断面を示す図である。

符号の説明

Ｃ 目標部分
ＰＭ、ＰＷ 位置決めデバイス
ＩＦ１、ＩＦ２ 位置決めセンサ
ＩＬ 照明器
ＭＡ マスク
ＭＴ マスク・テーブル
ＰＢ 放射のビーム
ＰＳ 投影システム
ＳＯ 線源
Ｗ 基板
ＷＴ 基板テーブル
３、５ 放射副線源
７、９ 集光器
１１、１１ａ、１１ｂ、１３、１３ａ、１３ｂ、１８、３３、３４ ビーム
１７、１９ 反射面
２１ 光学系
３１ 開口
Ｍ１、Ｍ２ マスク位置合わせマーク
Ｐ１、Ｐ２ 基板位置合わせマーク
ＰＬ 投影システム
１５ 部材

Claims (22)

1. 放射を多重化するための放射システムであって、
   放射を供給するように構成された第１の放射源と、
   放射を供給するように構成された第２の放射源と、
   第１の反射面及び第２の反射面を持つ光学部材を含み、
   前記第１の反射面は第１の放射源から第１の量の放射を受光し、かつ、前記第１の量を反射するように構成され、前記第２の反射面は第２の放射源から第２の量の放射を受光し、かつ、前記第２の量を反射するように構成されている放射システム。
2. 前記光学部材は円錐形又は多角形の断面を含む請求項１に記載の放射システム。
3. 前記第１の反射面及び前記第２の反射面の少なくとも１つはそれぞれ前記第１の量及び前記第２の量にすれすれの入射に位置決めされている請求項１に記載の放射システム。
4. 前記第１の放射源は前記第２の放射源と実質的に同時に動作するように構成されている請求項１に記載の放射システム。
5. 前記第１の放射源は前記第２の放射源と交番して動作するように構成されている請求項１に記載の放射システム。
6. 前記第１の放射源及び前記第２の放射源の少なくとも１つは放電プラズマ、Ｚピンチ放電プラズマ、放電生成プラズマ（ＤＰＰ）、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）及び緻密プラズマ焦点、紫外（ＵＶ）放射源、極紫外（ＥＵＶ）放射源、Ｘ線放射源、粒子ビームを発生する放射源、イオン・ビームを発生する放射源、又は、電子ビームを発生する放射源を含む請求項１に記載の放射システム。
7. 前記第１の反射面及び前記第２の反射面の少なくとも１つはスペクトル純化フィルタ、表面コーティング、格子、特定の吸収、又は、回折構造を含む請求項１に記載の放射システム。
8. 前記第１の反射面及び前記第２の反射面の少なくとも１つは湾曲されている請求項１に記載の放射システム。
9. 前記さらなる第１の方向から前記第１の量を、及び、前記さらなる第２の方向から前記第２の量を受光するように構成された光学系をさらに含む請求項１に記載の放射システム。
10. 前記光学系は積分器又はスクランブラを含む請求項９に記載の放射システム。
11. 前記第１の量及び前記第２の量は互いに平行に反射される請求項１０に記載の放射システム。
12. リソグラフィ装置であって、
    放射のビームを供給するように構成された照明システムと、
    パターン形成デバイスを支持するように構成された支持部であって、前記パターン形成デバイスは前記放射のビームの断面において前記放射のビームにパターンを与えるように構成されている支持部と、
    基板を保持するように構成された基板テーブルと、
    前記基板の目標部分上に前記パターン形成されたビームを投影するように構成された投影システムと、
    放射を多重化するための放射システムであって、
    放射を供給するように構成された第１の放射源と、
    放射を供給するように構成された第２の放射源と、
    第１の反射面及び第２の反射面を備えた光学部材と、を含む放射システムを含み、
    前記第１の反射面は前記第１の放射源から第１の量の放射を受光し、かつ、前記第１の量を反射するように構成され、並びに、前記第２の反射面は前記第２の放射源から第２の量の放射を受光し、かつ、前記第２の量を反射するように構成されているリソグラフィ装置。
13. 前記光学部材は円錐形又は多角形の断面を含む請求項１２に記載のリソグラフィ装置。
14. 前記第１の反射面及び前記第２の反射面の少なくとも１つはそれぞれ前記第１の量及び前記第２の量にすれすれの入射に位置決めされている請求項１２に記載のリソグラフィ装置。
15. 前記第１の放射源は前記第２の放射源と実質的に同時に動作するように構成されている請求項１２に記載のリソグラフィ装置。
16. 前記第１の放射源は前記第２の放射源と交番して動作するように構成されている請求項１２に記載のリソグラフィ装置。
17. 前記第１の放射源及び前記第２の放射源の少なくとも１つは放電プラズマ、Ｚピンチ放電プラズマ、放電生成プラズマ（ＤＰＰ）、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）及び緻密プラズマ焦点、紫外（ＵＶ）放射源、極紫外（ＥＵＶ）放射源、Ｘ線放射源、粒子ビームを発生する放射源、イオン・ビームを発生する放射源、又は、電子ビームを発生する放射源を含む請求項１２に記載のリソグラフィ装置。
18. 前記第１の反射面及び前記第２の反射面の少なくとも１つはスペクトル純化フィルタ、表面コーティング、格子、特定の吸収、又は、回折構造を含む請求項１２に記載のリソグラフィ装置。
19. 前記第１の反射面及び前記第２の反射面の少なくとも１つは湾曲されている請求項１２に記載のリソグラフィ装置。
20. デバイス製造方法であって、
    第１の量の放射を供給する工程と
    第２の量の放射を供給する工程と
    前記第１の量の放射を反射する工程と、
    前記第２の量の放射を反射する工程と、
    による放射のビームを供給する工程と、
    前記放射のビームの断面において前記放射のビームをパターンでパターン形成する工程と、
    基板の目標部分上に前記パターン形成された放射のビームを投影する工程と、を含むデバイス製造方法。
21. 請求項２０に記載の方法により製造されたデバイス。
22. 放射を多重化するための放射システムであって、
    放射を供給するように構成された第１の放射源と、
    放射を供給するように構成された第２の放射源と、
    第１の反射面及び第２の反射面を備えた反射器構造体と、を含み、
    前記第１の反射面は前記第１の放射源から第１の量の放射を受光するように構成され、並びに、前記第２の反射面は前記第２の放射源から第２の量の放射を受光し、かつ、前記第２の量を反射するように構成されている放射システム。
    

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