KR102605161B1 - Euv 투영 리소그라피를 위한 조명 광학기기 - Google Patents

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Abstract

EUV 투영 리소그라피용 조명 광학 유닛은 필드 패싯 미러와 동공 패싯 미러를 포함한다. 각각의 하나의 조명 채널을 통해, 각각의 사용된 조명 광 부분 빔빔(16i)이 정확히 하나의 필드 패싯과 정확히 하나의 동공 패싯(29)을 통해 광원과 오브젝트 필드 사이에서 안내된다. 정정 동공 패싯으로서 사용할 수 있는 적어도 일부 동공 패싯(29)이, 광원의 이미지가 조명 채널(16i)을 따라 동공 패싯(29)으로부터 거리를 두고 놓인 이미지 위치에서 발생하도록 동공 패싯에 충돌하는 조명 광 부분 빔(16i)의 빔 경로에 배치된다. 변위 액추에이터(31)에 신호 연결되며, 정정 필드 패싯으로서 사용할 수 있는 적어도 일부 필드 패싯의 제어된 변위를 위한 정정 제어 디바이스(32)는, 정정 필드 패싯에 대한 정정 변위 경로가 커서, 조명 광 부분 빔(16i)이 그 전체가 정정 동공 패싯(29)으로부터 오브젝트 필드로 전달되지 않도록 각각의 정정 조명 채널(16i)이 정정 동공 패싯(29)에 의해 마진에서 컷오프되게 구현된다. 조명 광학 유닛을 사용하여, 조명 광학 유닛(4)의 오브젝트 필드의 횡방향 필드 좌표(x)에 대한 조명 광(16)의 최소 조명 세기를 규정하는 방법을 수행할 수 있다.

Description

EUV 투영 리소그라피를 위한 조명 광학기기
본 발명은 독일 특허 출원(DE 10 2015 202 411.3 및 DE 10 2015 208 571.6)을 우선권으로 청구하며, 이 독일 출원의 내용은 본 명세서에 참조로서 인용된다.
본 발명은, 이미징될 오브젝트가 배치될 수 있는 오브젝트 필드를 조명 광으로 조명하기 위한 EUV 투영 리소그라피용 조명 광학 유닛에 관한 것이다. 더 나아가, 본 발명은 그러한 조명 광학 유닛을 포함하는 조명 시스템, 그러한 조명 광학 유닛을 포함하는 광학 시스템, 및 그러한 광학 시스템을 포함하는 투영 노광 장치에 관한 것이다. 더 나아가, 본 발명은, 투영 노광 장치의 오브젝트 필드의 필드 높이에 대한 조명 광 세기의 의도한 분포를 규정하는 방법에 관한 것이다. 더 나아가, 본 발명은, 투영 리소그라피를 위한 조명 광학 유닛의 오브젝트 필드의 횡방향 필드 좌표에 대한 조명 광의 최소 조명 세기를 규정하는 방법에 관한 것이다. 더 나아가, 본 발명은, 그러한 투영 노광 장치를 사용하여 마이크로 구조 또는 나노 구조의 소자를 제조하는 방법, 및 그러한 방법을 사용하여 제조한 마이크로 구조 또는 나노 구조의 소자에 관한 것이다.
기술분야에서 기재한 타입의 조명 광학 유닛은 DE 10 2008 001 511A1, DE 10 2007 047 446A1, US 2011/0001947A1, WO 2009/132 756A1, WO 2009/100 856A1, 및 또한 US 6 438 199B1과 US 6 658 084B2로부터 알려져 있다.
본 발명의 목적은, 조명 파라미터의 융통성있는 필드-의존적 정정을 보장하도록 기술분야에서 기재한 타입의 조명 광학 유닛을 개발하는 것이다.
본 발명에 따르면, 이러한 목적은 청구항 1에 기재한 특성을 포함하는 조명 광학 유닛에 의해 달성한다.
본 발명에 따르면, 조명 광이 충돌하는 동공 패싯과 광원 이미지 사이에 타겟 거리를 도입하여, 조명 파라미터 정정용으로 사용할 수 있는 동공 패싯 상의 조명 광 충돌의 필드-의존적 공간 분포를 초래함을 인식하였다. 정정 동공 패싯과 광원 이미지 사이의 거리는, 그러한 정정 동공 패싯 상에서 발생하는, 정정 동공 패싯에 충돌하는 조명 광 부분 빔의 광 스폿을 초래하며, 그러한 광 스폿은 필드 패싯 에지(edge) 또는 마진 윤곽(contour)과 광원의 소스 마진 윤곽의 컨볼루션(convolution)을 나타낸다. 정정 범위 내로 조명 광 부분 빔을 트리밍(trimming)함으로써, 조명 광은 오브젝트 필드 상의 위치에 따라 이 정정 동공 패싯으로부터 상이한 세기로 오브젝트 필드를 향해 전달된다. 오브젝트 필드 위의 조명각 분포의 필드-의존적 정정은 정정 필드 패싯의 제어되는 변위에 의해 획득할 수 있다. 필드 패싯 미러의 모든 필드 패싯은 정정 필드 패싯을 나타낼 수 있다. 동공 패싯 미러의 모든 동공 패싯은 정정 동공 패싯을 나타낼 수 있다.
정정 제어 디바이스에 의해 초래될 수 있는 제어되는 변위는 제어되는 틸트일 수 있다. 그에 따라, 정정 액추에이터는 정정 틸트 액추에이터일 수 있다. 정정 변위 트래블은 정정 필드 패싯의 정정 틸트각일 수 있으며, 이러한 틸트각은 정정 틸트각 범위에서 커서, 각각의 정정 조명 채널은, 조명 광 부분 빔이 정정 동공 패싯으로부터 오브젝트 필드로 그 전체가 전달되지 않도록 정정 동공 패싯의 에지 또는 마진에 의해 트리밍된다. 틸트 외에, 변위는 또한 병진 또는 그 밖에 디포커스의 타겟 구축일 수 있다.
조명 세팅을 융통성 있게 규정하기 위해, 동공 패싯의 개수는 필드 패싯의 개수보다 많을 수 있으며, 여기서 필드 패싯에 의해, 적절한 틸트 액추에이터의 액추에이션과 이들 필드 패싯의 대응 틸트를 통해 충돌하게 되는 상이한 동공 패싯 사이에는 변화가 있을 수 있다. 변화에 대한 이러한 가능성에도 불구하고, 필드 패싯 각각은 조명 광을, 광원으로부터, 각 경우에, 특정한, 세팅된 조명 기하학적 모영에서의 동공 패싯 중 정확히 하나로 전달된다. 그에 따라, 각각 하나의 조명 채널을 통해, 각각의 조명 광 부분 빔은 정확히 하나의 필드 패싯과 정확히 하나의 동공 패싯을 통해 광원과 오브젝트 필드 사이에서 이러한 조명 상황에서 안내된다. 각각의 필드 패싯을 통해 충돌할 수 있는 여러 동공 패싯 사이의 변화를 야기하는 변화-틸트 액추에이터는 정정 액추에이터와는 독립적인 액추에이터일 수 있다. 대안적으로, 변화-틸트 액추에이터는, "조명 세팅 변화"와 "조명 파라미터 정정"의 두 기능을 충족하도록 설계할 수 있다.
필드 패싯 미러는 필드 평면에 정확히 배치될 필요는 없다. 필드 패싯 미러는 근(near)-필드 방식으로 배치되면 충분하다. 동공 패싯 미러는 동공 평면에 정확히 배치될 필요는 없다. 동공 패싯 미러튼 근-동공 방식으로 배치되면 충분하다.
"근-필드" 및 "근-동공"이라는 이들 용어를 특징화하기 위해, 다음의 파라미터(P)를 사용할 수 있으며, 이러한 파라미터는 WO 2009/024 164A에 또한 설명되어 있다:
P(M)= D(SA)/(D(SA)+D(CR))
여기서:
D(SA)는, 소자(M), 즉 예컨대 필드 패싯 미러 또는 동공 패싯 미러의 빔-형성 표면 상에서 정확히 1개의 필드 점으로부터 유래하는 서브-애퍼쳐, 즉 사용된 조명 광의 부분 빔의 직경이고;
D(CR)은, M의 빔 형성 표면 상에서, 기준 평면(예컨대, 대칭 평면 또는 메리디오널 평면)에서 측정되는, 렌즈에 의해 이미징되는 유효 오브젝트 필드의 주광선의 최대 간격이고;
필드 평면에서, 다음의 적용되며: D(CR)은 0이 아니며 D(SA)=0이므로, P=0;
동공 평면에서 다음의 적용된다: D(CR)=0이며 D(SA)는 0이 아니므로 P=1이다.
"근-동공"은: P가 적어도 0.7, 예컨대 0.75이고, 적어도 0.8, 예컨대 0.85 또는 적어도 0.9, 예컨대 0.95임을 의미한다.
"근-필드"는: P가 최대 0.3, 예컨대 0.25, 최대 0.2, 예컨대 0.15 또는 최대 0.1, 예컨대 0.05임을 의미한다.
파라미터(P)는, 조명 채널을 따라 각각의 정정 동공 패싯과 광원의 이미지의 이미지 위치 사이의 거리를 특징화하는데 사용할 수 도 있다. 이러한 특징화를 위해, 광원 이미지의 이미지 위치는 동공 평면의 위치지정을 규정하는 것으로 한정된다. 이때, 각각의 정정 동공 패싯은 이 이미지 위치에 관해 근-동공 방식으로 놓이지만, 정확히 동공 평면에 놓이지는 않는다. 그에 따라 0.5<P<1이 적용된다. 여기서, 특히, P는 적어도 0.7, 예컨대 0.75, 적어도 0.8, 예컨대 0.85 또는 적어도 0.9, 예컨대 0.95이다. P는 0.995미만, 0.99미만 또는 그 밖에 0.98미만일 수 있다.
특정한 조명 기하학적 구조의 경우에, 조명 광은, 정확히 하나의 필드 패싯을 통해 동시에 복수의 동공 패싯에 전달될 수 도 있다. 그러나 사용된 조명 광은 이 과정에서 하나의 동공 패싯에 정확히 전달된다. 다른 동공 패싯에 아마도 여전히 충돌하고 있는 조명 광은 사용된 조명 광은 아니며, 이들 다른 동공 패싯에 의해 조명 필드를 향해 전달되지 않으며; 대신, 다른 목적으로 사용되거나 제어되는 방식으로 폐기된다.
필드 패싯 및/또는 동공 패싯 중 일부나 모두는 이제 복수의 개별 작은 미러로부터 구성할 수 있다. 특히, 필드 패싯 미러 및/또는 동공 패싯 미러는 MEMS(Micro-ElectroMechanical Mirror) 어레이로 구성할 수 있으며, 필드 패싯 각각과 동공 패싯 각각은 그 후 다수의 작은 MEMS 미러로부터 구성할 수 있다. 그러한 MEMS 구조의 예는 WO 2009/100 856A1에 의해 공급한다.
그러한 MEMS 실시예의 경우에, 타겟 디포커스가, 각각의 필드 패싯의 곡률각의 변화를 규정함으로써, 발생할 수 있는 정정 변위에 대한 옵션으로서 야기될 수 있다.
필드 패싯의 각각의 조명 채널에서 하류에 배열되는 전달 광학 유닛은, 오로지 조명 채널 내에 놓이는 각각의 하류의 동공 패싯에 의해서 형성할 수 있다. 대안적으로, 전달 광학 유닛은 추가 소자, 특히 추가 미러를 여전히 또한 포함할 수 있으며, 이러한 소자, 특히 미러는 각각의 조명 채널의 동공 패싯의 하류에 여전히 배열되며 오브젝트 필드의 상류에 배열된다.
청구항 2에 청구된 변위 액추에이터는 정정될 조명 파라미터의 미세 영향을 촉진한다. 대안적으로, 정정 필드 패싯의 복수의 이산 틸트 상태를 달성할 수 있도록 변위 액추에이터를 설계할 수 있다. 예를 들어, 변위 액추에이터의 그러한 설계는 신뢰할 만하게 재현 가능한 변위 포지션을 보장할 수 있다. 정정 필드 패싯의 연속 변위는 변위 경로의 연속 규정을 초래한다.
청구항 3에 청구된 정정 액추에이터는 정정 필드 패싯의 특히 융통성이 있는 정정 변위들을 촉진한다.
청구항 4 내지 청구항 6에 청구된 조명 광학 유닛의 구성은 융통성이 있는 조명 정정을 촉진하며, 이를 통해, 상이한 필드 의존성에 영향을 미칠 수 있고 및/또는 상이한 필드-의존적 조명 파라미터에 영향을 미칠 수 있다.
청구항 7에 청구된 아치형 필드 패싯을 사용하면, 조명 광 부분 빔의 대응 아치형 광 스폿을 획득할 수 있으며, 이러한 광 스폿은, 광원 구조와의 컨볼루션에 의해 정정 동공 패싯 상에서 발생하며, 정정 동공 패싯의 에지 또는 마진 윤곽은 트림 정정에 특히 적절하며, 이는, 광 스폿의 변위 방향에 따라서, 이러한 윤곽이 정정 동공 패싯의 에지 또는 마진에서 트리밍을 초래하며, 이로 인해 상이한 필드-의존적 조명 파라미터 정정 효과를 초래한다. 대안적으로, 필드 패싯은 또한 직선, 즉 아치형이 아니며 예컨대 직사각형 실시예를 가질 수 도 있다.
청구항 8에 청구된 조명 시스템, 청구항 9에 청구된 광학 시스템, 청구항 10에 청구된 투영 노광 장치, 청구항 11에 청구된 조명 광 세기 규정 방법, 청구항 14에 청구된 제조 방법 및 청구항 15에 청구된 마이크로 구조 또는 나노 구조의 소자의 장점은 본 발명에 따른 조명 광학 유닛을 참조하여 이미 앞서 설명한 것들에 대응한다.
본 발명의 추가 목적은, 투영 리소그라피를 위한 조명 광학 유닛의 오브젝트 필드의 횡방향 필드 좌표에 대한 조명 광의 최소 조명 세기를 규정하는 방법을 명시하는 데 있으며, 이러한 방법은 투영 노광 동안 조명 광 스루풋을 증가시키는데 사용될 수 있다.
본 발명에 따르면, 이러한 목적은 청구항 12에 명시한 특성을 갖는 방법에 의해 달성한다.
본 발명에 따르면, 이 경우에 최소 세기 횡방향 필드 좌표에서 각각 식별되는 조명 채널의 조명 세기를 증가시킴으로써, 최소 세기 횡방향 필드 좌표에 존재하는 최소 전체 조명 세기를 상승시킬 수 있다. 이로 인해, 동일한 조명 세기가 모든 횡방향 필드 좌표에 대해 존재해야 한다는 요건이 있다면, 예컨대 UNICOM 스타일의 필드 세기 규정 디바이스를 사용함으로써 섀도우잉(shadowing)에 의해 미사용으로 남아 있는 조명 광은 적게 된다. 이로 인해, 더 높은 조명 광 스루풋을 초래한다. 규정 방법은 글로벌 세기 최소치로 시작하며, 이 최소치는, 횡방향 필드 좌표에 걸친 모든 조명 광 부분 빔의 조명 세기의 중첩으로부터 야기된다. 2개의 패싯 미러는 필드 패싯 미러와 동공 패싯 미러일 수 있다.
규정 방법이 사용될 때 정렬에 사용될 수 있는 조명 채널은, 본 발명에 따른 조명 광학 유닛의 정정 패싯을 갖는 조명 채널일 수 있다. 본 발명에 따른 규정 방법 동안, 복수의 조명 채널을 식별할 수 있으며 그 제1 패싯은 적절히 정렬할 수 있다. 또한, 그에 따라 모든 조명 채널을 식별하고 정렬할 수 있다. 개별 조명 채널이 측정에 의해 식별되는 정도까지, 이러한 개별 조명 채널은 예컨대 모든 다른 조명 채널을 섀도우잉하고, 횡방향 필드 좌표에 걸쳐서, 남은 조명 채널을 통해 오브젝트 필드에 안내되는 조명 광 세기의 세기를 측정함으로써 식별할 수 있다. 이점은 공간 분해된 센서를 사용하여 수행할 수 있다.
청구항 13에 청구된 방법의 경우에, 각 개별 조명 채널에서의 최소 조명 세기는 횡방향 필드 좌표에 걸쳐서 증가할 수 있으며, 이 좌표에서 이러한 증가는 적절한 트리밍 변경을 통해 가능하다. 적절한 개별 조명 채널 최소치의 횡방향 필드 좌표는 최소 세기 횡방향 필드 좌표일 필요는 없다. 청구항 13에 청구된 방법에서, 복수의 조명 채널을 식별하고 정렬할 수 도 있다. 극단적인 경우에, 모든 조명 채널을 식별하고 정렬할 수 있다.
오브젝트 필드 횡방향 필드 좌표에 대한 조명 광의 최소 조명 세기를 규정할 때, 정렬 목적으로 제1 패싯을 다이나믹하게 틸트시킬 수 있다. 이 방법에서, 패싯을 변위시키는 액추에이터, 특히 정정 액추에이터를 사용할 수 있다. 대안적으로, 제1 패싯은 필드 패싯 미러의 기본 셋업으로 정적으로 정렬할 수 도 있다.
제조 방법의 범위 내에서 실제 조명 세팅을 조정할 때, 필드-의존적 개별 채널 세기 정정을 사용할 수 있다. 필드-의존적 개별 채널 세기 정정은 다음의 방법 단계 시퀀스를 포함할 수 있다.
1. 측정 및/또는 계산에 의해, 정정 목적으로 선택된 적어도 하나의 조명 채널의 조명 광 부분 빔을 결정한다. 측정 동안, 조명 광 부분 빔은, 예컨대 공간적으로 분해되는 세기 검출기를 사용함으로써 규정된 정정 평면에서 측정할 수 있다. 조명 광 부분 빔의 계산은, 예컨대 광학 설계 프로그램을 이용하여, 점 확산 함수의 컴퓨테이셔널 결정에 의해 실현할 수 있다. 이러한 계산은 분석적으로 또는 수치적으로 또는 그 밖에 시뮬레이션에 의해 수행할 수 있다.
2. 정정 정보 아이템, 특히 정정 필드 패싯의 정정 액추에이터의 액추에이터 포지션 세트를 결정한다. 특히, 정정 정보 아이템은 정정 필드 패싯의 틸트각의 세트일 수 있다. 이 정정 정보 아이템을 결정하는 것은, 수치적 컴퓨테이셔널 방법 및/또는 분석적 컴퓨테이셔널 방법에 의해 실현할 수 있다.
3. 정정 필드 패싯의 정정 변위를 위해 정정 정보 아이템을 사용한다. 이것은 정정 액추에이터를 액추에이팅함으로써 수행할 수 있다.
4. 부가적 단계로서 정정 정보 아이템의 효과를 검증한다. 이러한 검증은 측정 및/또는 시뮬레이션에 의해 실현할 수 있다.
필드-의존적 개별 채널 세기 정정 범위 내에서, 앞서 언급한 방법은, 투영 노광 장치의 오브젝트 필드의 필드 높이에 대한 조명 광 세기의 의도한 분포를 규정하는데 사용할 수 있다.
소자는 매우 높은 구조적 분해능으로 제조할 수 있다. 이런 식으로, 매우 높은 집적도나 저장 밀도를 갖는 반도체 칩을 제작할 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예는 도면을 기초로 이하에서 더 상세하게 설명할 것이다.
도 1은, EUV 투영 리소그라피를 위한 투영 노광 장치를 통한 메리디오널 단면을 개략적으로 도시한다.
도 2 및 도 3은, 모놀리식 필드 패싯으로 구현할 수 있지만, 각 경우에 복수의 개별 미러로부터 구성되는 필드 패싯을 또한 가질 수 있는 필드 패싯 미러의 배치 변형을 도시한다.
도 4는, 필드 패싯 미러와 함께, 투영 노광 장치의 조명 광학 유닛의 일부분인 동공 패싯 미러의 평면도를 개략적으로 도시한다.
도 5는, 도 4에 따른 동공 패싯 미러에 사용될 수 있는 동공 패싯의 변형을 도시하며, 조명 광 부분 빔의 에지 또는 마진 윤곽이 동공 패싯 상에 존재하고, 동공 패싯은, 이 조명 광 부분 빔에 의해 규정된 조명 채널과 필드 패싯 중 정확히 하나를 통해 충돌하며, 조명 광 부분 빔은, 조명 광 부분 빔이 동공 패싯에 의해 그 전체가 반사되도록 동공 패싯 상에 충돌한다.
도 6은, 필드 높이(x) 상의, 즉 오브젝트 변위 방향에 수직인 차원 또는 좌표 상의 오브젝트 필드의 조명 광 충돌의 채널 세기(Ik)의 세기 의존도를 도표로 도시하며, 정확히 하나의 조명 채널에 대해 나타낸 세기(Ik)는 스캔-집적 방식으로 나타내며, x-방향으로의 동공 패싯 상의 조명 광 부분 빔의 트림과 변위의 효과를 제시한다.
도 7은 +x-방향으로의 동공 패싯 상의 조명 광 부분 빔의 변위의, 채널 세기(Ik(x))의 필드 높이 의존도에 대한 효과를 도 6과 유사한 예시로 도시한다.
도 8은, +y-방향으로의 동공 패싯 상의 조명 광 부분 빔의 변위의, 채널 세기(Ik(x))의 필드 높이 의존도에 대한 효과를 도 6과 유사한 예시로 도시한다.
도 9는, -y-방향으로의 동공 패싯 상의 조명 광 부분 빔의 변위의, 채널 세기(Ik(x))의 필드 높이 의존도에 대한 효과를 도 6과 유사한 예시로 도시한다.
도 10은, +x-방향으로의 도 5에 따른 동공 패싯의 스타일로 정정 동공 패싯 상의 조명 광 부분 빔의 타겟 변위에 의한 정정 전에 높이 필드(x)에 대한 x-텔레센트리서티(Tx)의 의존도를 도표로 개략적으로 도시한다.
도 11은, x-텔레센트리서티의 정정 전에 위치(x=xmax)에서 오브젝트 필드 지점에 대한 조명 광학 유닛의 동공에 대한 세기 분포를 개략적으로 도시하며, 이때, 도 7에 따른 +x-변위가 초래되는 정정 동공 패싯으로서 적절한 동공 패싯에 의해 조명되는 동공 스폿은 하이라이트되어 있다.
도 12는, 필드 높이(x)에 따라, 조명 광의 세기를 포착하기 위한 센서 유닛과 오브젝트 필드를 개략적으로 도시한다.
도 13은, 필드 높이(x)에 대한, 즉 오브젝트 필드의 횡방향 필드 좌표에 대한 조명 광의 최소 조명 세기를 규정하는 방법의 흐름도를 매우 개략적으로 도시한다.
도 14는, 도 13에 따른 규정 방법을 수행하기 전 필드 높이에 따라, 그 각각의 조명 채널을 통해 안내되는 모든 조명 광 부분 빔의 전체 조명 세기의 의존도를 도표로 도시한다.
도 15는, 도 13에 따른 규정 방법을 수행한 후 필드 높이에 대한 전체 조명 세기의 의존도를 도 14와 유사한 예시로 도시한다.
도 1은 메리디오널 단면으로 마이크로리소그라픽 투영 노광 장치(1)를 개략적으로 도시한다. 투영 노광 장치(1)는 광 또는 방사원(2)을 포함한다. 투영 노광 장치(1)의 조명 시스템(3)은, 오브젝트 평면(6)에서의 오브젝트 필드(5)와 일치하는 조명을 필드를 노광하는 조명 광학 유닛(4)을 갖는다. 조명 필드는 또한 오브젝트 필드(5)보다 더 클 수 있다. 이 경우, 오브젝트 필드(5)에 배치된 레티클(7)의 형태의 오브젝트 - 이 레티클은 오브젝트 또는 레티클 홀더(8)에 의해 홀딩됨 - 가 노광된다. 레티클(7)은 또한 리소그라피 마스크로서 지칭된다. 오브젝트 홀더(8)는 오브젝트 변위 드라이브(9)에 의해 오브젝트 변위 방향을 따라 변위할 수 있다. 투영 광학 유닛(10)은 오브젝트 필드(5)를 이미지 평면(12)의 이미지 필드(11)에 이미징하는데 기여한다. 레티클(7) 상의 구조가, 이미지 평면(12)의 이미지 필드(11)의 영역에 배치되는 웨이퍼(13)의 감광 층 상에 이미징된다. 웨이퍼(13)는 웨이퍼 홀더(14)에 의해 홀딩된다. 웨이퍼 변위 드라이브(15)에 의해, 웨이퍼 홀더(14)는 오브젝트 홀더(8)와 동기화되는 방식으로 오브젝트 변위 방향에 평행하게 변위할 수 있다.
방사원(2)은, 5nm와 30nm 사이의 범위로 방출된 사용 방사선을 갖는 EUV 방사원이다. 이것은 예컨대 GDPP(Gas Discharge-Produced Plasma) 소스나 LPP(Laser-Produced Plasma) 소스와 같은 플라즈마 소스일 수 있다. 싱크로트론 또는 자유 전자 레이저(FEL)에 기초한 방사선원이 또한 방사원(2)에 사용될 수 있다. 그러한 방사원에 대한 정보는 예컨대 US 6,859,515B2로부터 당업자가 알게 될 수 있다. 방사원(2)으로부터 유래한 EUV 방사선(16), 특히 오브젝트 필드(5)를 조명하는 사용 조명 광은 집광기(17)에 의해 집속된다. 대응하는 집광기가 EP 1 225 481A로부터 알려져 있다. 집광기(17)의 하류에, EUV 방사선(16)은, 필드 패싯 미러(19)에 입사되기 전 중간 초점 평면(18)을 통과한다. 필드 패싯 미러(19)는 조명 광학 유닛(4)의 제1 패싯 미러이다. 필드 패싯 미러(19)는, 도 1에 도시하지는 않은 복수의 반사 필드 패싯을 포함한다. 필드 패싯 미러(19)는, 오브젝트 평면(6)에 대해 광학적으로 켤레 관계인 조명 광학 유닛(4)의 필드 평면에 배치된다.
EUV 방사선(16)은 또한 조명 광 또는 이미징 광으로 이후 지칭한다.
필드 패싯 미러(19)의 하류에, EUV 방사선(16)이 동공 패싯 미러(20)에 의해 반사된다. 동공 패싯 미러(20)는 조명 광학 유닛(4)의 제2 패싯 미러이다. 동공 패싯 미러(20)는 조명 광학 유닛(4)의 동공 평면에 배치되며, 이러한 동공 평면은 중간 초점 평면(18)에 대해 그리고 조명 광학 유닛(4)의 동공 평면에 대해 그리고 투영 광학 유닛(10)에 대해 광학적으로 켤레 관계이거나 이 동공 평면에 일치한다. 동공 패싯 미러(20)는, 도 1에 도시하지는 않은 복수의 반사 동공 패싯을 갖는다. 필드 패싯 미러(19)의 필드 패싯은, 빔 경로 순으로 22, 23 및 24로 표시된 미러를 갖는 전달 광학 유닛(21)의 형태로 동공 패싯 미러(20)의 동공 패싯 및 그 하류의 이미징 광학 조립체를 이용하여 오브젝트 필드(5)에 서로와 중첩되어 이미징된다. 전달 광학 유닛(21)의 마지막 미러(24)는 그레이징 입사 미러이다.
위치 관계의 기재를 간략히 하기 위해, 도 1은, 오브젝트 평면(6)과 이미지 평면(12) 사이에서 투영 노광 장치(1)의 소자의 위치 관계의 기재를 위한 글로벌 좌표 시스템으로서 직교 xyz-좌표계를 나타낸다. x-축은 도 1에서 도면의 평면 내로 이에 수직으로 연장한다. 도 1에서, y-축은 오브젝트 홀더(8)와 웨이퍼 홀더(14)의 변위 방향에 우측으로 이에 평행하게 연장한다. z-축은 도 1의 아래 방향, 즉 오브젝트 평면(6)과 이미지 평면(12)에 수직으로 연장한다.
오브젝트 필드(5)나 이미지 필드(11)에 대한 x-차원을 또한 필드 높이라고 한다. 오브젝트 변위 방향은 y-축에 평행하게 연장한다.
국부적인 직교 xyz-좌표계를 추가 도면에 나타낸다. 국부적인 좌표계의 x-축은 도 1에 따른 글로벌 좌표계의 x-축에 평행하게 연장한다. 국부적인 좌표계의 xy-평면은 도면에서 각각 제공된 소자의 배치 평면을 표시한다. 국부적인 좌표계의 y- 및 z-축은 그에 따라 특정 각도까지 각 x-축에 대해 틸트되어 있다.
도 2 및 도 3은 필드 패싯 미러(19)에 대한 상이한 패싯 배치의 예를 도시한다. 여기에 제시된 필드 패싯(25) 각각은, 예컨대 WO 2009/100 856A1으로부터 알려져 있는 바와 같이, 복수의 개별 미러로부터의 개별 미러 그룹으로서 구성할 수 있다. 개별-미러 그룹 중 각각의 하나는 이때 US 6,438,199B1 또는 US 6,658,084B2에 개시한 바와 같은 필드 패싯 미러의 패싯의 기능을 갖는다.
도 2에 따른 필드 패싯 미러(19)는 아치형 실시예를 가진 다수의 필드 패싯(25)을 포함한다. 이들은, 필드 패싯 캐리어(27) 상에서 필드 패싯 블록(26)으로 그룹지어 배치된다. 전체적으로, 도 2에 따른 필드 패싯 미러(19)는 26개의 필드 패싯 블록(26)을 포함하며, 여기서 필드 패싯(25) 중 3개, 5개, 10개가 그룹지어 결합되어 있다.
간극(28)이 필드 패싯 블록(26) 사이에 존재한다.
도 3에 따른 필드 패싯 미러(19)는 직사각형 필드 패싯(25)을 포함하며, 이들 패싯은 다시 한번 그룹지어 배치되어 필드 패싯 블록(26)을 형성하며, 블록 사이에 공극(28)이 존재한다.
도 4는 동공 패싯 미러(20)의 평면도를 개략적으로 도시한다. 동공 패싯 미러(20)의 동공 패싯(29)이 조명 광학 유닛(4)의 조명 동공의 영역에 배치된다. 실제로, 동공 패싯(29)의 개수는 도 4에 제시된 것보다 훨씬 많다. 동공 패싯(29)은 동공 패싯 미러(20)의 동공 패싯 캐리어 상에 배치된다. 조명 동공 내에서 필드 패싯(25)을 통해 조명 광(16)과 충돌하는 동공 패싯(29)의 분포는, 오브젝트 필드(5)의 실제 조명각 분포를 규정한다.
필드 패싯(25) 각각은 조명 광(16)의 일부분, 즉 조명 광 부분 빔(16i)을 광원(2)으로부터 동공 패싯(29) 중 하나를 향해 전달하는 역할을 한다.
그에 따라, 각 경우에 필드 패싯(25)은 조명 광(16)의 빔 경로에서 조명 광학 유닛(4)의 제1 패싯이다. 그에 따라, 동공 패싯(29)은 조명 광(16)의 빔 경로에서 조명 광학 유닛(4)의 제2 패싯이다.
아래에서, 조명 광 부분 빔(16i)의 설명에서, 관련 필드 패싯(25)은 각 경우에 최대 한도로, 즉 그 전체 반사 표면에 대해 조명된다고 가정한다. 이 경우, 조명 광 부분 빔(16i)의 에지 또는 마진 윤곽은 조명 채널의 에지 또는 마진 윤곽과 일치하며, 이런 이유로 아래에서 조명 채널도 16i로 표기한다. 각각의 조명 채널(16i)은, 조명 광학 유닛(4)의 추가 소자를 통해, 관련 필드 패싯(25)을 최대 한도로 조명하는 조명 광 부분 빔(16i)의 가능 광 경로를 나타낸다.
각 조명 채널(16i)의 경우, 전달 광학 유닛(21)은 각각, 조명 광 부분 빔(16i)을 필드 패싯(25)으로부터 오브젝트 필드(5)를 향해 전달하기 위해 동공 패싯(29) 중 하나를 포함한다.
2개의 조명 광 부분 빔(16i)(i=1,...,N; N은 필드 패싯의 수)이 도 1에 개략적으로 제시되어 있으며 그 중 각각의 하나의 조명 광 부분 빔(16i)은 각각 하나의 조명 채널을 통해 필드 패싯(25) 중 정확히 하나와 동공 패싯(29) 중 정확히 하나를 통해 광원(2)과 오브젝트 필드(5) 사이에서 안내된다.
동공 패싯(29) 중 적어도 일부, 고려된 예시적인 실시예에서의 동공 패싯 미러(20)의 동공 패싯(29) 모두는 정정 동공 패싯으로서 사용될 수 있다. 이들 정정 동공 패싯은, 조명 채널(16i)을 따라 동공 패싯(29)으로부터 거리를 두고 놓이는 이미지 위치에 광원(2)의 이미지(2')가 발생하도록 이들 정정 동공 패싯 상에 충돌하는 조명 광 부분 빔(16i)의 빔 경로에 배치된다. 도 1에서, a는 각각의 이미지(2')와 할당된 동공 패싯 사이의 거리를 표시한다. 이하에서, 이 거리(a)는 또한 디포커싱 거리로 지칭한다.
도 1은 광원 이미지(2')의 그러한 배치의 2개의 변형을 개략적으로 나타낸다. 제1 광원 이미지(2'1)가, 동공 패싯 미러(20)의 동공 패싯(29)에서의 반사 전에 관련 조명 광 부분 빔(16i)의 빔 경로에 자리한 이미지 위치에 배치된다. 도 1에서, a1은 광원 이미지(2'1)와 관련 동공 패싯(29) 사이의 거리를 표시한다. 제2 광원 이미지(2'2)가, 동공 패싯 미러(20)의 동공 패싯에서의 반사 전에 이미지 위치에서 추가 조명 광 부분 빔(16i)의 빔 경로에 배치된다. 도 1에서, a2는 광원 이미지(2'2)와 관련 동공 패싯(29) 사이의 거리를 표시한다.
게다가, 도 1에서, BIF는 중간 초점 평면(18)에서의 광원 이미지(IF), 즉 중간 초점의 통상적인 크기, 즉 통상 직경을 표시한다. 도 1에서, Bif는 각각의 동공 패싯(29) 상의 중간 초점(IF)의 이미지의 통상 크기를 표시한다. 또한 Bf는, 도 2 및 도 3에서 각각의 필드 패싯(25)의 x-범위, 즉 필드 패싯(25)의 통상 크기를 표시한다.
필드 패싯(25)의 적어도 일부, 제시된 예시적인 실시예에서의 모든 필드 패싯(25)은, 조명 채널(16i) 중 하나를 통해 각각의 정정 동공 패싯(29)에 각각 할당되는 정정 필드 패싯으로서 사용될 수 있다. 정정 필드 패싯(25)은 틸트 액추에이터(31)의 형태의 정정 또는 변위 액추에이터에 연결되며, 그 중 단지 소수의 변위 액추에이터(31)가 도 2에 개략적으로 제시된다. 변위 액추에이터(31)는 정정 필드 패싯(25)의 연속 변위, 즉 연속 틸트를 위해 구현된다. 변위 액추에이터(31)는, 예컨대 정정 필드 패싯(25)의 반사 표면의 각각의 센트로이드를 통해 또는 각각의 센터를 통해, x-축 및 y-축에 평행하게 연장하는 2개의 상호 수직인 축에 대해 정정 필드 패싯(25)을 틸트하기 위해 구현된다.
변위 액추에이터(31)는 여기 제시하지 않은 신호 연결을 통해 투영 노광 장치(1)의 정정 제어 디바이스(32)에 신호 연결된다(도 1과 비교). 정정 제어 디바이스(32)는 정정 필드 패싯(25)의 제어된 틸트에 역할을 한다.
정정 제어 디바이스(32)와 변위 액추에이터(31)는, 정정 변위 범위에서 - 즉 정정 틸트각 범위에서 - 정정 필드 패싯(25)의 정정 변위 트래블 - 즉 정정 틸트각 - 이 커서 각각의 정정 조명 채널(16i)이 조명 광 부분 빔(16i)이 정정 동공 패싯(29)으로부터 오브젝트 필드(5)에 전체가 전달되지 않도록 관련 정정 동공 패싯(29)의 에지 또는 마진에 의해 트리밍되도록 구현된다. 이러한 구성은 도 5 및 그 이후를 참조하여 이하에서 더 상세하게 설명할 것이다.
도 5는, 동공 패싯 미러(20)에 사용할 수 있는 동공 패싯(29) 중 하나를 도시한다. 도 5에 따른 동공 패싯(29)은 도 4에 제시한 것과 같이 원형 에지 또는 마진 윤곽을 갖기 보다는, 오히려 라운디드-오프 코너를 가진 거의 정사각형 에지 또는 마진 윤곽을 갖는다. 그러한 에지 또는 마진 윤곽은, 라운디드-오프 코너가 없이, 즉 정사각형 또는 직사각형 방식으로 설계할 수 도 있어서, 동공 패싯 캐리어(30)에는 동공 패싯(29)이 상대적으로 밀집되게 점유될 수 있다.
도 5에 따른 동공 패싯(29)은 도 2에 따른 필드 패싯 미러(19)의 호형 필드 패싯(25)으로부터 조명 광 부분 빔(16i)이 충돌한다.
도 5는, 조명 정정이 발생하지 않는 이러한 동공 패싯(29)에 할당되는 필드 패싯(25)의 틸트각 포지션에서, 동공 패싯(29)에 의해 반사되는 조명 광 부분 빔(16i)의 위치를 도시한다. 도 5에 제시한 이러한 배치에서, 조명 광 부분 빔(16i)의 전체 횡단면은 동공 패싯(29) 상에 놓이며, 따라서 조명 광 부분 빔(16i)의 에지 또는 마진은 동공 패싯(29)의 에지 또는 마진에 의해 컷오프 또는 트리밍되지 않는다. 동공 패싯(29) 상의 조명 광 부분 빔(16i)의 횡단면의 에지 또는 마진 윤곽은 대략 호형의 콩 형상 또는 콩팥 형상의 형태를 가지며, 도 2에 따른 호형 필드 패싯(25)(도 5의 실선("25B")과 비교)의 이미지의 광원(2)의 둥근 소스 구역과의 컨볼루션인 것으로 이해될 수 있다. 이러한 컨볼루션은, 앞서 이미 설명한 바와 같이, 광원(2)의 이미지(2')가, 동공 패싯(29)으로부터 거리를 두고 조명 채널(16i)을 따라, 즉 빔 경로에서 동공 패싯(29)의 상류나 하류에 놓이는 이미지 위치에서 발생한다.
동공 패싯(29) 상의 조명 광 부분 빔(16i)의 호형 에지 또는 마진 윤곽은 조명 광 부분 빔(16i)의 광 스폿을 표시한다.
이들 서브-빔(16i 1, 16i 2 및 16i 3)은 동공 패싯(29) 상의 조명 광 부분 빔(16i)의 에지 또는 마진 윤곽에서 점선을 사용하여 나타낸다. 조명 광 부분 빔(16i)은 다수의 그러한 서브-빔(16i j)으로 구성된다. 조명의 광학 파라미터를 알게 되는 한, 조명 광 부분 빔(16i)은, 예컨대 광학 설계 프로그램을 이용하여 계산할 수 있으며 본 명세서에서는 "포인트 확산 펑션"으로도 지칭된다.
이들 서브-빔(16i 1 내지 16i 3)의 조명 광(16)은 관련 필드 패싯(25)의 왼쪽 에지 또는 마진 지점(251)으로부터, 중앙 지점(252)으로부터 그리고 오른쪽 에지 또는 마진 지점(253)으로부터 진행한다. 도 2에서, 이들 초기 지점(251 내지 253)은 필드 패싯(25) 중 하나 상에 예시적인 방식으로 나타낸다.
도 5에서, r은 서브-빔(16i j)의 반경(직경의 절반)을 표시한다. 도 5에서, xf는 동공 패싯(29) 상의 필드 패싯 이미지(25B)의 x-차원, 즉 동공 패싯(29) 상의 잔류 필드 소자의 x-범위를 표시한다.
도 5에 따라 동공 패싯(29)과 충돌하는 필드 패싯(25)의 정정 틸트를 수행함으로써, 오브젝트 필드(5)에 대한 조명각 분포의 필드 의존적 정정을 달성할 수 있다.
그러한 필드 의존적 정정을 가능케 하기 위해, 다음의 조건이 디포커스 거리(a)에 대해 만족해야 한다:
a= k Bif ff/Bf
여기서, k는 크기(xf)와 r 사이, 즉 잔류 필드 성분(25B)의 통상 범위(xf)와 서브-빔(16i j)의 반경(r) 사이의 비를 특징화한다.
Bif는 각각의 동공 패싯(29) 상의 중간 초점(IF)의 이미지의 통상 크기이다. ff는 관련된 필드 패싯(25)의 초점 거리, 즉 각각의 조명 광 부분 빔(16i)이 관련된 필드 패싯(25)에 의해 이미징되는 초점 거리이다. Bf는 필드 패싯(25)의 통상 범위이다.
그에 따라, 비(K= xf/r), 즉 동공 패싯(29) 상의 잔류 필드 성분(xf)의 크기의 서브-빔(16i j)의 통상 치수(r)에 대한 비는 특히 디포커스 값(a)에 결정적이다. 다음이 사실이다: 2r=Bif. 필드 의존적 정정이 가능하여, 다음이 추가로 적용되어야 한다:
k≥ 0.5
특히, k≥1을 적용할 수 있다. 즉 잔류 필드 성분(xf)은 서브-빔(16i j)의 반경보다 큰 통상 크기를 갖는다. 앞서 기재한 정정의 필드 의존성은 k가 증가함에 따라 개선된다. k는 1.5보다 클 수 있고, 2보다 클 수 있고, 3보다 클 수 있고, 4보다 클 수 있고, 5보다 클 수 있으며 또한 그 보다 더 클 수 있다.
서브-빔(16i j)의 통상 직경(Bif)이 필드 성분의 통상 치수(xf)보다 훨씬 더 크자마자, 도 5에 따른 동공 패싯(29)에 충돌하는 필드 패싯(25)의 정정 틸트에 의한 유용한 필드 의존성은 없다. 이때 나타나는 모든 것은 조명 광 부분 빔(16i)의 세기의 필드-독립적 감소이다.
그에 따라, Bif가 증가함에 따라, 디포커스 거리(a)는 증가하여, 정정에 필요한 필드 의존성은 필드 패싯(25)의 정정 틸트 동안 유지된다.
도 6은, 조명 채널(16i) 중 하나가 오브젝트 필드(5)를 조명하는데 기여하는 주사-적분 세기(IK)의 필드 높이(x)에 대한 의존성을 도시한다. 주사 적분은 오브젝트 필드(5)의 y-좌표에 따른 조명 세기의 적분을 의미한다.
전체 조명 광 부분 빔(16i)이 동공 패싯(29)으로부터 오브젝트 필드(5)를 향해 반사된다면 나타나는 공칭 필드 프로파일을 점선을 사용하여 나타낸다.
도 6의 실선은, 조명 광 부분 빔(16i)이 -x-방향으로 관련 정정 필드 패싯(25)의 정정 액추에이터(31)를 틸팅함으로써 동공 패싯(29) 상에서 변위되어 관련 정정 조명 채널(16i) - 그에 따라 또한 조명 광 부분 빔(16i) - 이 정정 동공 패싯(29)의 에지 또는 마진에 의해 컷오프 또는 트리밍될 때 발생하는 채널 세기(IK)의 필드 프로파일을 표시한다. 조명 광 부분 빔(16i)의, 도 5 및 도 6에서의 이 에지, 왼쪽 에지는 이제 더 이상 오브젝트 필드(5)를 조명하는데 기여하지 않으며, 그에 따라 도 6에서의 실선으로 나타낸 필드 프로파일이 나타나며, 여기서 작은 필드 높이 값(x)인 경우에 채널 세기(IK)는 점선의 공칭 필드 프로파일보다 0의 값으로 더 빠르게 하강한다. 결국, 이 조명 채널을 통한 이 동공 패싯(29)에 대한 조명의 필드 의존적 곡선, 즉 관련 조명각의 세기의 필드 의존적 곡선이 있다. 도 6에 따른 정정 틸트 위치에서, x-값(xmin)에서의 오브젝트 필드 지점은 동공 패싯(29)의 방향으로부터 조명 광(16)을 실제로 "보지" 않으며, 이는 조명 채널(16i)의 관련 필드 패싯으로부터의 이 필드 높이(xmin)에 대응하는 원래의 이미지로부터 입사하는 조명 광(16)은 동공 패싯(29)에 의해 반사되지 않기 때문이다. 제한 필드 높이(xG)를 초과하여, 채널 세기(IK)의 정정 필드 프로파일은 공칭 필드 프로파일로 다시 합병된다.
도 7은, 조명 광 부분 빔(16i)이 정정 동공 패싯(29) 상에서 양의 x-방향으로 변위되며 정정 동공 패싯(29)의 에지 또는 마진만큼 컷오프 또는 트리밍되도록 틸트 액추에이터(31)가 정정 필드 패싯(25)을 틸팅할 때의 정정 효과를 그에 따라 도시한다. 점선을 사용하여 제시되는 공칭 필드 프로파일과 비교하여, 실선으로 다시 한 번 제시되는 것은, 변위가 발생한 후 필드 높이(x)에 대한 채널 세기(IK)의 곡선이다. 그 후, 오브젝트 필드 지점은 최대 필드 높이(xmax)의 영역에서 관련 정정 동공 패싯(29)으로부터 입사하는 조명 광을 실제로 보지 않는다. 제한된 필드 높이(xG) 미만에서, 도 7에 따라, 실선을 사용하여 표시하는 정정 필드 프로파일은, 점선을 사용하여 표시하는 공칭 필드 프로파일로 다시 합병된다.
+/-x-방향으로 조명 광 부분 빔(16i)을 변위하기 위해, 관련 정정 필드 패싯(25)은, 도 2에서 y-축에 평행한 축에 대해 관련 틸트 액추에이터에 의해 틸팅된다.
그에 따라, 조명 채널(16i)을 통해 조명 광(16)을 안내하는 배치의 기하학적 구조는, 정정 동공 패싯(29) 상의 조명 채널(16i)의 횡단면이, 정정 틸트각의 크기에 의해, 오브젝트 변위 방향(y)에 수직인 방향(+/-x)으로 횡단면의 마진 컷오프 또는 트리밍을 설정 또는 규정할 수 있는 에지 또는 마진 윤곽을 갖게 한다.
도 8은, x-축에 평행한 축에 대해 관련 정정 필드 패싯(25)의 대응 정정 틸트에 의해 초래되는, 양의 y-방향으로 도 5에 따른 정정 동공 패싯(29) 상의 조명 광 부분 빔(16i)의 정정 변위의 결과를 도시한다. 정정 동공 패싯(29) 상의 조명 광 부분 빔(16i)의 호형 형태로 인해, +y-방향으로 이어지고 있는 조명 광 부분 빔(16i)의 에지는 이 +y-변위로 인한 정정 동공 패싯(29)의 에지 또는 마진에 의해 서브-빔(16i 2)의 영역에서 먼저 트리밍된다. 이로 인해, 중앙 필드 높이(x0)의 영역에서 채널 세기(IK)는 감소 또는 낮아진다. 필드 높이(x0+xA2) 초과 및 필드 높이(x0-xA1) 미만에서, 실선을 사용하여 도 8에 표시하는 채널 세기(IK)의 정정 필드 프로파일은 점선을 사용하여 표시하는 공칭 필드 프로파일에 다시 합병된다.
도 9는, x-축에 평행한 축에 대한 관련 정정 필드 패싯(25)의 틸트에 의해 초래되는, 음의 y-방향으로 도 5에 따른 조명 광 부분 빔(16i)의 변위에 의한 정정 효과를 도시한다. 서브-빔(16i 1 및 16i 3)의 영역에서 조명 광 부분 빔(16i)의 호형 형태의 두 단부의 트리밍으로 인해, 두 필드 높이 에지 또는 마진에서, 즉 필드 높이(xmin 및 xmax)의 영역에서 동시에 채널 세기(IK)는 하락한다. 중앙의 필드 높이(x0)의 영역에서, 실선을 사용하여 도 9에 표시하는 정정된 필드 프로파일은, 점선을 사용하여 표시하는 채널 세기(IK)의 공칭 필드 프로파일에 다시 합병된다.
그에 따라, 조명 채널(16i)을 통해 조명 광(16)을 안내하는 배치의 기하학적 구조는, 정정 동공 패싯(29) 상의 조명 채널(16i)의 횡단면이, 정정 틸트각의 크기에 의해, 오브젝트 변위 방향(y)을 따라 또는 그에 평행한 방향(+/-y)으로의 횡단면의 마진 트리밍 또는 컷오프를 규정할 수 있는 에지 또는 마진 윤곽을 갖게 한다.
그에 따라, 정정 틸트각의 방향(+/-y)에 의해, 트리밍된 또는 컷오프된 에지 또는 마진(+/-y)에 수직인 차원(x)에서 보게 되는 바와 같이, 조명 채널(16i)의 횡단면이 중앙에서(즉, 구역(x0) 또는 마진에서(즉, 영역(xmin 및 xmax)에서) 트리밍되는지를 규정할 수 있다.
조명 광 부분 빔(16i)을 트리밍 또는 컷오프하여, 조명 광(16)은, 오브젝트 필드(5) 상의 위치에 따라, 상이한 세기로 이 정정 동공 패싯(29)으로부터 오브젝트 필드(5)를 향해 전달된다. 그에 따라, 오브젝트 필드(5)에 대한 조명 세기 분포의 필드 의존적 정정은 정정 필드 패싯(25)의 틸팅을 제어함으로써 획득할 수 있다.
대응하여 트리밍된 조명 채널(16i)은 정정 조명 채널을 표시한다.
양의 또는 음의 x-방향으로의 조명 광 부분 빔(16i)의 정정 변위는 음의 또는 양의 y-방향으로의 정정 변위와 결합할 수 있다. 이것은, 대응 정정 틸트각까지 y-축에 대해 그리고 x-축에 대해 고려된 정정 동공 패싯(29)에 할당되는 정정 필드 패싯(25)의 동시 틸트에 의해 실현될 수 있다. 채널 세기(IK)의 발생하는 정정 필드 프로파일은 예컨대 도 6 및 도 8에 따른, 도 6 및 도 9에 따른, 도 7 및 도 8에 따른 또는 도 7 및 도 9에 따른 정정 필드 프로파일의 중첩으로서 드러난다. 이런 식으로, 상대적으로 복잡한 정정 필드 프로파일을 발생시킬 수 도 있다.
앞서 설명한 조명 광학 유닛(4)의 특정 정정 적용은 도 10 및 도 11을 기초로 이하에서 예를 들어 설명할 것이다.
도 10은 x-텔레센트리서티(Tx)의, 정정될 필드 프로파일을 도시한다.
다음이 사실이다:
여기서, x는 필드 지점이고, K는 공칭화 팩터이며, Ic(x, ρx, ρy)는 필드 지점(x)의 위치(ρx, ρy)에서의 c-번째 채널의 동공의 세기를 나타낸다.
텔레센트리서티 값(Tx)은 필드 높이(xmin)에서의 최소값(Tx,min)에서부터 최대 필드 높이(xmax)에서의 값(Tx,max)까지 단조적으로 상승한다.
x-텔레센트리서티(Tx)의 곡선을 도 10에서 33인 실선으로 표시한다.
도 11은, 최대 필드 높이(xmax)에서 오브젝트 필드(5)의 지점에 의해 보게되는 조명 광학 유닛(4)의 조명 동공을 도시한다. x-다이폴 조명 설정을 개략적으로 제시하며 실제 축적은 아니다. 이 다이폴 조명 설정의 왼편 극(34)은, 대응 동공 패싯(29)으로 이 필드 높이(xmax)를 충돌함으로써 발생되는 세기 기여 또는 동공 스폿(35)에 의해 형성된다. 이러한 세기 기여(35)는 상대적으로 약하며, 이점은, 이들 세기 기여(35)의 작은 반경에 의해 도 11에서 설명하고 있다.
도 11에 따른 다이폴 조명 설정의 오른편 극(36)은, 동공 패싯 미러(20)의 대응 동공 패싯(29)으로부터 진행하는 세기 기여 또는 동공 스폿(37)을 포함한다. 세기 기여(37)는 세기 기여(35)보다 더 강하며, 이점은, 이들 세기 기여(37)의 대응하게 더 큰 반경에 의해 도 11에서 명백히 하고 있다. 더 강한 세기 기여(37)로 인해, 극(36)에 대한 적분된 조명 세기는 극(34)에 대한 적분된 조명 세기보다 커서, 위치(xmax)에서 양의 x-텔레센트리서티 값(Tx,max)을 초래한다.
그에 따라, 도 11에서 점선 경계에 의해 강조한 세기 기여(37)는 이제 관련 동공 패싯(29)을 정정 동공 패싯으로서 선택함으로써 정정할 수 있다. 즉, 이들 기여는 그 세기 면에서 감소할 수 있다. 이들 관련된 동공 패싯(29)에서, 양의 x-방향으로의 조명 광 부분 빔(16i)의 변위가 있어서, 도 7에 따른 필드 정정을 얻게 된다. 조명 극(36)에 대한 적분된 세기와, 그에 따른 값(Tx,max)은 그러므로 감소할 수 있다.
도 11은, 동공 좌표(σx, σy)에 대해 나타낸 필드 좌표(x)의 이러한 주사-적분된 조명 동공을 도시한다.
투영 노광 장치(1)를 이용한 투영 노광 동안, 규정된 조명 설정을 먼저 설정하고, 그 조명 파라미터에 관하여 측정한다. 후속하여, 정정 동공 패싯을 선택하고, 할당된 정정 필드 패싯의 대응 정정 틸트각의 제어되는 규정에 의해, 유지될 수 없는 조명 파라미터의 규정 값은 조명 파라미터의 규정된 의도 값 주위의 규정 공차 한계 내에 있을 때까지 정정된다.
더 나아가, 조명 광학 유닛(4)은, 필드 높이(x)에 따라, 즉 오브젝트 필드(5)의 횡방향 필드 좌표(x)에 따라 조명 광(16)의 세기를 포착하기 위한 센서 유닛(40)(도 1 및 도 12 비교)을 포함한다. 센서 유닛(40)은, 공간 분해 방식으로 측정하는 센서(42)와 상류 광학 유닛(41)을 포함한다.
도 12에 개략적으로 제시한 상류 광학 유닛(41)은 전체 오브젝트 필드(5)를 커버하는 포착 영역(43)을 포함한다. 상류 광학 유닛(41)은 오브젝트 필드(5)를 센서(42) 상에 이미징한다. 센서(42)는, 개별 조명 감광성 센서 픽셀로 만들어진 라인 어레이 또는 라인 및 컬럼 어레이일 수 있다. 특히, 센서(42)는 CCD 어레이이다. 예컨대 신틸레이션(scintillation) 코팅을 이용하는 것과 같은 적절한 파장 변환 디바이스를 이용하여, EUV 파장은, 필드 높이(x)에 관한 조명 광 세기 의존성을 측정할 목적으로, 센서(42)가 민감한 검출 파장으로 변환된다. 대안적으로, 필드 높이(x)에 관한 조명 광 세기의 의존성을 측정할 목적으로 측정 광원에 의해 EUV 광원(2)을 시뮬레이트할 수 있으며, 그러한 측정 광원의 방출 특징은 EUV 광원의 방출 특징에 대응하지만, 그러한 측정 광원은 센서(42)가 민감한 측정 파장을 방출한다.
센서 유닛(40), 중앙 제어 디바이스(32) 및 틸트 액추에이터(31)를 이용하여, 필드 높이(x)에 대한 최소 조명 세기(Imin)(도 14 및 도 15와 비교)를 규정하기 위해 후술할 방법을 수행할 수 있으며, 이것은 특히 도 13을 기초로 이하에서 더 상세하게 또한 기재할 것이다.
이를 위해, 조명 채널(16i)을 통해 안내되는 조명 광 부분 빔(16i)의 전체 조명 세기(IGes,0)가 최소가 되는 최소 세기 횡방향 필드 좌표(xmin)가 먼저 식별 단계(44)에서 식별된다. 이러한 식별은, 필드 패싯 미러(19)의 틸트 액추에이터(31)의 제1 세트의 틸트 포지션의 경우, 센서 유닛(40)을 이용하여 필드 높이(x)에 대한 전체 조명 세기(IGes)를 측정함으로써 수행된다. 이러한 측정의 예시적인 결과를 도 14에 제시한다. 오브젝트 필드(5)의 오른쪽 필드 에지 또는 마진에서의 최소 세기 횡방향 필드 좌표(xmin)가 드러난다. 관련된 세기(I(xmin))는 Imin이다.
후속하여, 조명 채널 식별 단계(45)에서, 적어도 하나의 조명 채널(16i)이 식별되며, 여기서 각각의 동공 패싯(29)에서, 그 위에 안내되는 조명 광 부분 빔(16i)의 마진 트리밍 또는 컷오프의 변형이 최소 세기 횡방향 필드 좌표(xmin)에서 조명 세기(I(xmin))의 증가를 초래한다. 이 조명 채널 식별은 조명 채널(16i)에 속한 필드 패싯(25)의 틸트 액추에이터(31)를 액추에이팅할 때 각 조명 채널(16i)의 각각의 I(x) 변형을 측정함으로써 수행할 수 있으며, 이러한 측정은, 계측 관점에서 모든 조명 채널(16i)에 대해 원칙적으로 수행될 수 있다.
그렇게 함으로써, 개별 조명 채널(16i)을 측정할 수 있으며, 이때 모든 다른 조명 채널(16i)은 섀도우잉된다. 대안적으로, 대응하는 I(x) 변형은 또한, 조명 채널(16i)에 대한 각각의 조명 광 부분 빔(16i)의 광 안내 좌표를 시뮬레이트함으로써 실현될 수 있다.
조명 채널 식별 단계(45)가 성공적이었던 조명 채널(16i)에 대해, 후속하여, 정렬 단계(46)에서, 최소 세기 횡방향 필드 좌표(xmin)에서 관련 조명 광 부분 빔(16i)의 조명 세기를 증가시킬 목적으로, 식별된 조명 채널(16i)의 각 필드 패싯(25)의 정렬이 있게 된다. 정렬은, 적어도 하나의 식별된 조명 채널(16i)의 틸트 액추에이터(31)의 적절한 액추에이션에 의해 수행한다.
단계(44 내지 46)를 갖는 이러한 규정 방법의 결과를 예시적인 방식으로 도 15에 도시한다. 결국, 초기 최소 조명 세기(Imin)(도 14와 비교)와 비교할 때 최소 조명 세기(Imin,k)는 상승한다. Imin,k는 Imin보다 1퍼센트, 2퍼센트, 3퍼센트, 5퍼센트 또는 그 이상만큼 클 수 있다.
정렬 단계(46)에서 필드 패싯(25)의 새로운 정렬로 인해, 필드 높이(x)에 대한 전체 조명 광(16)의 조명 세기(IGes,k)의 의존성은 원래의 세기 분포(IGes,0)와 비교하여 변화하여, 도 15의 예에서는, 규정된 최소 조명 세기(Imin,k)는 이제 오른쪽 필드 에지 또는 마진에서, 즉 최소 세기 횡방향 필드 좌표(xmin)에서 뿐만 아니라, 왼쪽 필드 에지 또는 마진에서도 존재한다.
앞서 기재한 방법에서, 필드 높이(x)에 대한 글로벌 세기 최소치에서 시작되며, 이러한 최소치는, 필드 높이(x)에 대해, 즉 횡방향 필드 좌표에 대해 조명 광 부분 빔(16i)의 조명 세기의 중첩으로부터 드러난다.
규정 방법에서, 정확히 하나의 조명 채널(16i)을 식별할 수 있거나, 다수의 조명 채널(16i)을 식별할 수 있다. 동공 패싯(29)에서 그 위에 안내되는 조명 광 부분 빔(16i)의 마진 트리밍 또는 컷오프를 변경함으로써 최소 세기 횡방향 필드 좌표(xmin)에서의 원하는 조명 광 세기 증가가 드러나는 모든 조명 채널(16i)을 식별할 수 있다.
추가로, 앞서 설명한 규정 방법 동안 추가 조명 채널 식별 단계와 추가 패싯 정렬 단계를 수행할 수 도 있다. 이들 추가 식별 및 정렬 단계는 앞서 설명한 식별 및 정렬 단계와 병렬로 또는 그에 후속하여 수행할 수 있다.
추가 조명 채널 식별 단계에서, 적어도 하나의 조명 채널(16i)이 식별되며, 여기서 동공 패싯(29)에서 그 위에 안내되는 조명 광 부분 빔(16i)의 마진 트리밍 또는 컷오프의 변형은, 횡방향 필드 좌표에 대한, 즉 필드 높이(x)에 대한 이 조명 광 부분 빔(16i)의 최소 조명 세기(Imin,i)의 증가를 초래한다. 도 14에서 그리고 점선을 사용하여, 그에 따라 식별된 조명 채널(16i)의 조명 세기의 세기 곡선(Ii)의 의존성은 상대 세기 단위로 나타낸다. 이 식별은 센서 유닛(40)을 이용한 측정에 의해 다시 한번 수행되며, 이러한 측정의 범위 내에서 모든 다른 조명 채널(16i)은 섀도우잉되어 있다.
필드 높이(x)에 대한 세기 곡선(Ii)의 경우에, 조명 채널 세기(Ii)는 최소 세기 횡방향 필드 좌표(xmin)에서는 최소가 아니며 오히려 다른 왼쪽 필드 에지 또는 마진에서, 즉 좌표(xmin,i)에서 최소이다. 개별 최소 좌표(xmin,i)에서의 이 조명 채널(16i)의 최소 세기는 도 14에서 Imin,i로 표시한다. 실제로, Imin,i는 당연히 Imin보다 많은 크기 차수만큼 더 작다. 그러나, 앞서 이미 언급한 바와 같이, 곡선(Ii)은 설명을 목적으로 도 14에 상대 세기 단위로 나타내고 있다.
이 추가 조명 채널 식별 단계 후, 조명 채널(16i)의 관련된 동공 패싯(29)에서 설정된 대응 트리밍 변경에 의해 이 조명 채널(16i)의 최소 조명 세기(Imin,i)를 증가시킬 목적으로 추가 패싯 할당 단계에는 이 조명 채널(16i)과 관련된 필드 패싯(25)의 할당이 있다.
할당 단계에서의 정렬은, 앞서 설명한 예시적인 실시예에 따른 틸트나 정정 액추에이터(31)에 의해 수행된다. 그에 따라, 필드 패싯(25)은 정렬을 목적으로 다이나믹하게 틸팅될 수 있다. 대안적으로, 그러한 정렬은 필드 패싯 미러(19)의 기본 설계에서 정적으로 이미 또한 실현될 수 있어서, 틸트 액추에이터에 의해 틸팅 가능한 필드 패싯(25)은 앞서 설명한 방법을 수행하는데 필수가 아니다.
추가 조명 채널 식별 단계와, 또한 추가 정렬 단계의 결과는 최소 세기 횡방향 필드 좌표(xmin)의 영역에서뿐만 아니라 그 가능하게 낮은 조명 세기 면에서 중요할 수 있는 다른 필드 좌표의 영역, 즉 도 14 및 도 15에 제시된 예에서의 최소 세기 횡방향 필드 좌표(xmin)에 반대로 놓이는 횡방향 필드 좌표(xmin,i)의 영역에서의 조명 세기의 증가이다. 그에 따라, 추가 조명 채널 식별과 패싯 정렬 단계를 수행하면, 앞서 설명한 단계(44 내지 46)를 이용하여 최소 세기 횡방향 필드 좌표(xmin)에서 조명 세기를 세기(Imin,k)로 상승시킬 때, 조명 세기가 다른 필드 좌표에서 Imin,k보다 원치 않게도 더 낮게 되지 않게 한다.
투영 노광 장치(1)를 이용한 투영 노광 동안, 조명 기하학적 구조는 앞서 설명한 설정 방법을 이용하여 먼저 설정된다. 그 후, 오브젝트 필드(5)의 레티클(7)의 적어도 일부분은, 예컨대 마이크로칩과 같은 특히 반도체 소자의 마이크로 구조 또는 나노 구조의 소자의 리소그라피 제조를 위해 이미지 필드(11)의 웨이퍼(13) 상에 감광 층의 영역 상에 이미징된다. 이 경우에, 레티클(7)과 웨이퍼(13)는 연속해서 스캐너 동작에서 y-방향으로 시간적으로 동기화된 방식으로 움직인다.

Claims (15)

  1. 이미징될 오브젝트(7)가 배치될 수 있는 오브젝트 필드(5)를 조명하기 위한 EUV 투영 리소그라피용 조명 광학 유닛(4)으로서,
    - 상기 조명 광학 유닛(4)의 필드 평면의 영역에 배치되는, 복수의 필드 패싯(25)을 갖는 필드 패싯 미러(19)를 포함하고,
    - 상기 조명 광학 유닛(4)의 동공 평면의 영역에 배치되는, 복수의 동공 패싯(29)을 갖는 동공 패싯 미러(20)를 포함하며,
    - 상기 필드 패싯들(25) 각각은 사용된 조명 광(16)을 광원(2)으로부터 상기 동공 패싯들(29) 중 각각의 하나에 전달하는 역할을 하고,
    - 각각의 하나의 조명 채널을 통해, 각각의 사용된 조명 광 부분 빔(16i)이 정확히 하나의 필드 패싯(25)과 정확히 하나의 동공 패싯(29)을 통해 상기 광원(2)과 상기 오브젝트 필드(5) 사이에서 안내되고,
    - 각각의 조명 채널(16i)에서 상기 필드 패싯(25)의 하류에 배열되는 전달 광학 유닛(21)이 상기 필드 패싯들(25)의 상기 오브젝트 필드(5)로의 중첩된 이미징을 위해 구현되고,
    - 각각의 조명 채널(16i)에 대해, 상기 전달 광학 유닛(21)은 상기 조명 광 부분 빔(16i)을 상기 필드 패싯(25)으로부터 상기 오브젝트 필드(5)를 향해 전달하기 위해 상기 동공 패싯들(29) 중 하나를 각각 포함하고,
    - 정정 동공 패싯들로서 사용할 수 있는 적어도 일부 동공 패싯들(29)이, 상기 광원(2)의 이미지(2')가, 상기 조명 채널(16i)을 따라 상기 동공 패싯(29)으로부터 거리를 두고 놓이는 이미지 위치에서 발생하도록, 상기 적어도 일부 동공 패싯들 위에 충돌하는 상기 조명 광 부분 빔(16i)의 빔 경로에 배치되고,
    - 상기 조명 광학 유닛(4)은, 각각의 조명 채널들(16i)을 통해 상기 정정 동공 패싯들(29)에 할당되며, 정정 필드 패싯들에 연결되는 정정 액추에이터들(31)에 의해 상기 정정 필드 패싯들로서 사용할 수 있는 적어도 일부의 상기 필드 패싯들(25)의 제어되는 변위를 위한 정정 제어 디바이스(32)를 포함하며,
    - 상기 정정 제어 디바이스(32)와 상기 정정 액추에이터들(31)이, 정정 변위 범위에서의 상기 정정 필드 패싯들의 정정 변위 트래블(travel)이 커서, 상기 조명 광 부분 빔(16i)은 그 전체가 상기 정정 동공 패싯(29)으로부터 상기 오브젝트 필드(5)에 전달되지 않도록 각각의 정정 조명 채널(16i)이 상기 정정 동공 패싯(29)의 에지에 의해 컷오프되도록 구현되는, 조명 광학 유닛.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 정정 액추에이터들(31)이 상기 정정 필드 패싯들의 연속 변위를 위해 구현되는 것을 특징으로 하는 조명 광학 유닛.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 정정 액추에이터들(31)이 2개의 상호 수직인 축(x, y)에 대해 상기 정정 필드 패싯들을 변위하도록 구현되는 것을 특징으로 하는 조명 광학 유닛.
  4. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 오브젝트(7)가 오브젝트 변위 방향(y)을 따라 변위될 수 있고, 상기 조명 채널들(16i)을 통해 상기 조명 광(16)을 안내하는 배치 기하학적 구조가, 다양한 정정 변위 경로에 대해(over a variable of the correction displacement path), 상기 오브젝트 변위 방향(y)에 수직인 방향(+/-x)에서의 횡단면의 마진 트리밍 또는 컷오프(marginal trimming or cut off)을 규정할 수 있도록 상기 정정 동공 패싯들(29) 상의 각각의 조명 채널(16i)의 횡단면이 마진 윤곽을 가지도록 되어 있는 것을 특징으로 하는 조명 광학 유닛.
  5. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 오브젝트(7)가 오브젝트 변위 방향(y)을 따라 변위될 수 있고, 상기 조명 채널들(16i)을 통해 상기 조명 광(16)을 안내하는 배치 기하학적 구조가, 다양한 정정 변위 경로에 대해, 상기 오브젝트 변위 방향(y)에 평행한 방향(+/-y)에서의 횡단면의 마진 트리밍 또는 컷오프를 규정할 수 있도록 상기 정정 동공 패싯들(29) 상의 각각의 조명 채널(16i)의 횡단면이 마진 윤곽을 가지도록 되어 있는 것을 특징으로 하는 조명 광학 유닛.
  6. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 정정 변위 경로의 방향(+/-y)에 의해, 상기 조명 채널(16i)의 횡단면의 트리밍이, 트리밍 또는 컷오프된 에지 또는 마진에 수직인 차원(x)에서 볼 때, 중심에서(x0) 또는 마진에서(xmin, xmax) 수행되는지를 규정할 수 있는 것을 특징으로 하는 조명 광학 유닛.
  7. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 호형 필드 패싯들(25)을 특징으로 하는 조명 광학 유닛.
  8. 청구항 1 또는 청구항 2에 기재된 조명 광학 유닛(4)과, 조명 광(16)을 생성하기 위한 광원(2)을 포함하는 조명 시스템(3).
  9. 청구항 1 또는 청구항 2에 기재된 조명 광학 유닛(4)과, 오브젝트 필드(5)를 이미지 필드(11)에 이미징하기 위한 투영 광학 유닛(10)을 포함하는 광학 시스템.
  10. 청구항 9에 기재된 광학 시스템과, 조명 광(16)을 생성하기 위한 광원(2)을 포함하는 투영 노광 장치(1)로서,
    - 오브젝트 변위 방향(y)을 따라 오브젝트(7)를 변위하기 위한 오브젝트 변이 드라이브(9)를 포함하는 오브젝트 홀더(8)를 포함하고,
    - 상기 오브젝트 변위 드라이브(9)와 동기화되는 방식으로 웨이퍼(13)를 변위하기 위한 웨이퍼 변위 드라이브(15)를 포함하는 웨이퍼 홀더(14)를 포함하는, 투영 노광 장치(1).
  11. 투영 노광 장치의 오브젝트 필드의 필드 높이(x)에 대한 조명 광 세기의 의도한 분포를 규정하는 방법으로서, 상기 투영 노광 장치는, 오브젝트 변위 방향(y)으로 상기 필드 높이(x)에 횡방향으로 변위될 수 있는, 이미징될 오브젝트(7)가 배치될 수 있는 오브젝트 필드(5)를 조명하기 위한 조명 광학 유닛(4)을 포함하며, 상기 조명 광학 유닛(4)은,
    - 상기 조명 광학 유닛(4)의 필드 평면의 영역에 배치되는, 복수의 필드 패싯(25)을 갖는 필드 패싯 미러(19)를 포함하고,
    - 상기 조명 광학 유닛(4)의 동공 평면의 영역에 배치되는, 복수의 동공 패싯(29)을 갖는 동공 패싯 미러(20)를 포함하며,
    - 상기 필드 패싯들(25) 각각은 사용된 조명 광(16)을 광원(2)으로부터 상기 동공 패싯들(29) 중 각각의 하나에 전달하는 역할을 하고,
    - 각각의 하나의 조명 채널을 통해, 각각의 사용된 조명 광 부분 빔(16i)이 정확히 하나의 필드 패싯(25)과 정확히 하나의 동공 패싯(29)을 통해 상기 광원(2)과 상기 오브젝트 필드(5) 사이에서 안내되고,
    - 각각의 조명 채널(16i)에서 상기 필드 패싯(25)의 하류에 배열되는 전달 광학 유닛(21)이 상기 필드 패싯들(25)의 상기 오브젝트 필드(5)로의 중첩된 이미징을 위해 구현되고,
    - 각각의 조명 채널(16i)에 대해, 상기 전달 광학 유닛(21)은 상기 조명 광 부분 빔(16i)을 상기 필드 패싯(25)으로부터 상기 오브젝트 필드(5)를 향해 전달하기 위해 상기 동공 패싯들(29) 중 하나를 각각 포함하고,
    상기 방법은 다음의 단계:
    - 정정 동공 패싯들로서 적어도 일부 동공 패싯들(29)을 사용하는 단계로서, 상기 적어도 일부 동공 패싯들(29)은, 상기 광원(2)의 이미지(2')가, 상기 조명 채널(16i)을 따라 상기 동공 패싯(29)으로부터 거리를 두고 놓이는 이미지 위치에서 발생하도록, 상기 적어도 일부 동공 패싯들 위에 충돌하는 상기 조명 광 부분 빔(16i)의 빔 경로에 배치되는, 상기 사용 단계와,
    - 각각의 조명 채널들(16i)을 통해 정정 동공 패싯들(29)에 할당되는, 정정 필드 패싯들로서의 적어도 일부의 상기 필드 패싯들(25)을, 상기 정정 필드 패싯들에 연결되는 정정 액추에이터들(31)에 의해 정정 제어 디바이스(32)로 제어되는 방식으로 변위시키는 단계와,
    - 상기 조명 광 부분 빔(16i)이 그 전체가 상기 정정 동공 패싯(29)으로부터 상기 오브젝트 필드(5)에 전달되지 않도록 각각의 정정 조명 채널(16i)이 상기 정정 동공 패싯(29)의 에지에 의해 컷오프되게, 정정 변위 범위 내에서 상기 정정 필드 패싯들의 정정 변위 트래블을 선택하는 단계를 포함하는, 규정 방법.
  12. 투영 리소그라피용 조명 광학 유닛(4)의 오브젝트 필드(5)의 횡방향 필드 좌표(x)에 대한 조명 광(16)의 최소 조명 세기(Imin,k)를 규정하는 방법으로서,
    - 이미징될 오브젝트(7)가 상기 오브젝트 필드(5)에 배치될 수 있고,
    - 상기 횡방향 필드 좌표(x)는 오브젝트 변위 방향(y)에 횡방향으로 연장하고, 상기 오브젝트 변위 방향(y)을 따라 상기 오브젝트(7)가 변위될 수 있고,
    - 상기 조명 광학 유닛(4)은, 각각의 하나의 조명 채널(16i)을 통해, 각각의 사용된 조명 광 부분 빔(16i)이 제1 패싯 미러(19)의 정확히 하나의 패싯(25)과 제2 패싯 미러(20)의 정확히 하나의 패싯(29)을 통해 광원(2)과 상기 오브젝트 필드(5) 사이에서 안내되도록, 상기 조명 광(16)의 빔 경로에서 연속해서 배치되는 2개의 패싯 미러(19, 20)를 포함하며,
    상기 방법은 다음의 단계:
    - 모든 조명 채널(16i)을 통해 안내되는 조명 광 부분 빔들(16i)의 전체 조명 세기(IGes,0)가 최소인 최소 세기 횡방향 필드 좌표(xmin)를 식별하는 단계(44),
    - 상기 패싯(29)에서 그 위에 안내되는 상기 조명 광 부분 빔(16i)의 마진 트리밍 또는 컷오프의 변경이 상기 최소 세기 횡방향 필드 좌표(xmin)에서의 상기 조명 광 부분 빔(16i)의 조명 세기의 증가를 초래하는 적어도 하나의 조명 채널(16i)을 식별하는 단계(45), 및
    - 상기 최소 세기 횡방향 필드 좌표(xmin)에서의 조명 세기(Imin,k)를 증가시키기 위해 상기 조명 채널(16i)의 제1 패싯(25)을 정렬하는 단계(46)를 포함하는, 규정 방법.
  13. 청구항 12에 있어서, 다음의 추가 단계:
    - 상기 패싯(29)에서 그 위에 안내되는 상기 조명 광 부분 빔(16i)의 마진 트리밍 또는 컷오프의 변경이 상기 횡방향 필드 좌표(x)에 대한 상기 조명 광 부분 빔(16i)의 최소 조명 세기(Imin,i)의 증가를 초래하는 적어도 하나의 조명 채널(16i)을 식별하는 단계, 및
    - 상기 최소 조명 세기(Imin,i)를 증가시키기 위해 상기 조명 채널(16i)의 제1 패싯(25)을 정렬하는 단계를 특징으로 하는, 규정 방법.
  14. 마이크로 구조, 또는 나노 구조, 또는 마이크로 구조 및 나노 구조의 소자를 제조하는 방법으로서,
    다음의 단계:
    - 청구항 10에 기재된 투영 노광 장치(1)를 제공하는 단계,
    - 정정 제어 디바이스(32)에 의해, 선택된 정정 필드 패싯들에 대한 대응 정정 변위 경로들을 규정함으로써, 규정된 공차 제한치 내에서, 의도한 조명 설정에 따라 상기 오브젝트 필드(5)에 대한 조명각 분포의 실제 조명 설정을 설정하는 단계,
    - 웨이퍼(13)를 제공하는 단계,
    - 리소그라피 마스크(7)를 제공하는 단계,
    - 상기 투영 노광 장치(1)의 투영 광학 유닛(10)을 이용하여 상기 웨이퍼(13)의 감광층의 영역 상에 상기 리소그라피 마스크(7)의 적어도 일부분을 투영하는 단계를 포함하는, 제조 방법.
  15. 삭제
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102018201457A1 (de) * 2018-01-31 2019-08-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie
DE102018220625A1 (de) 2018-11-29 2020-06-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Beleuchtungssystem für Projektionslithographie
DE102020214798A1 (de) * 2020-11-25 2022-05-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Feldfacettensystem und lithographieanlage
EP4336263A1 (en) * 2022-09-09 2024-03-13 ASML Netherlands B.V. Euv radiation beam power reduction
DE102022210158A1 (de) * 2022-09-26 2024-03-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Anordnung, Verfahren und Computerprogrammprodukt zur Kalibrierung von Facettenspiegeln
DE102023203095A1 (de) 2023-04-04 2023-05-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Vorgeben einer Soll-Verteilung einer Beleuchtungs-Intensität über eine Feldhöhe eines Feldes einer Projektionsbelichtungsanlage

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080278704A1 (en) 2006-08-02 2008-11-13 Carl Zeiss Smt Ag ILLUMINATION SYSTEM FOR A PROJECTION EXPOSURE APPARATUS WITH WAVELENGTHS LESS THAN OR EQUAL TO 193 nm
JP2011519172A (ja) 2008-04-30 2011-06-30 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Ｅｕｖマイクロリソグラフィ用の照明光学系及びこの種の照明光学系を含む照明系並びに投影露光装置
JP2013540350A (ja) * 2010-09-29 2013-10-31 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Ｅｕｖ投影露光系のためのミラー、光学系、及び構成要素を生成する方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6438199B1 (en) 1998-05-05 2002-08-20 Carl-Zeiss-Stiftung Illumination system particularly for microlithography
DE10138313A1 (de) 2001-01-23 2002-07-25 Zeiss Carl Kollektor für Beleuchtugnssysteme mit einer Wellenlänge < 193 nm
US6859515B2 (en) 1998-05-05 2005-02-22 Carl-Zeiss-Stiftung Trading Illumination system, particularly for EUV lithography
DE10053587A1 (de) 2000-10-27 2002-05-02 Zeiss Carl Beleuchtungssystem mit variabler Einstellung der Ausleuchtung
KR101393999B1 (ko) 2007-08-20 2014-05-14 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 반사 코팅을 갖는 미러 소자들을 구비하는 투영 대물렌즈
DE102007047446A1 (de) 2007-10-04 2009-04-09 Carl Zeiss Smt Ag Optisches Element mit wenigstens einem elektrisch leitenden Bereich und Beleuchtungssystem mit einem solchen Element
JP5487118B2 (ja) 2008-02-15 2014-05-07 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィのための投影露光装置に使用するファセットミラー
DE102009054540B4 (de) * 2009-12-11 2011-11-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Mikrolithographie
DE102011004615A1 (de) * 2010-03-17 2011-09-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithografie
DE102012204273B4 (de) * 2012-03-19 2015-08-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie
DE102012207377A1 (de) * 2012-05-03 2013-11-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik sowie optisches System für die EUV-Projektionslithographie
DE102012210073A1 (de) 2012-06-15 2013-04-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV- Projektionslithographie
NL2013905A (en) * 2014-01-13 2015-07-16 Asml Netherlands Bv Actuation mechanism, optical apparatus, lithography apparatus and method of manufacturing devices.

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080278704A1 (en) 2006-08-02 2008-11-13 Carl Zeiss Smt Ag ILLUMINATION SYSTEM FOR A PROJECTION EXPOSURE APPARATUS WITH WAVELENGTHS LESS THAN OR EQUAL TO 193 nm
JP2011519172A (ja) 2008-04-30 2011-06-30 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Ｅｕｖマイクロリソグラフィ用の照明光学系及びこの種の照明光学系を含む照明系並びに投影露光装置
JP2013540350A (ja) * 2010-09-29 2013-10-31 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Ｅｕｖ投影露光系のためのミラー、光学系、及び構成要素を生成する方法

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