KR100586288B1 - 무(無)-이미징 광학 요소를 지니는 극자외선(ｅｕｖ) 콘덴서 - Google Patents

무(無)-이미징 광학 요소를 지니는 극자외선(ｅｕｖ) 콘덴서 Download PDF

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Abstract

소오스로부터의 전자 방사선을 집광하고 소망하는 조사 분포를 만들어 내는 제 1 의 무-이미징 광학 요소 및 상기 제 1 의 무-이미징 광학 요소로부터의 전자 방사선을 수광하고 그러한 전자 방사선을 새로운 방향으로 향하게 하여 이를 이미지화하는 제 2 의 무-이미징 광학 요소를 지니는, 포토리소그래피 기법중에서 극자외선 파장 영역에서 사용하기 위한 조명 시스템 및 콘덴서가 개시되어 있다. 상기 제 2 의 무-이미징 광학 요소로부터 사출(射出)되는 전자 방사선은 다른 종래의 광학 표면들에 의해 수광되어 소망하는 각도 분포 및 형상으로 소망하는 조사 분포를 제공하기에 적합하다. 패시트는 소망하는 조사 필드상에 소망하는 조명을 제공하는데 사용된다. 반사성 패시트는 상기 제 2 의 무-이미징 광학 요소상에 배치되어 있다. 상기 콘덴서 및 조명 시스템은 전자 또는 반도체소자의 제조에서 사용되는 반도체 웨이퍼와 같은 감광 기판상에 레티클 또는 마스크의 이미지를 투영하도록 투영 광학 기기와 함께 사용된다. 본 발명의 콘덴서는 소형 패키지로 된 효과적인 콘덴서를 제공하고 0.13 미크론보다 작은 비교적 작은 특징 크기를 이미지화하기 위한 바람직스러운 조명 특성을 제공한다.

Description

무(無)-이미징 광학 요소를 지니는 극자외선(ＥＵＶ) 콘덴서{EUV CONDENSER WITH NON-IMAGING OPTICS}
도 1 은 본 발명의 조명 시스템을 개략적으로 예시한 것이다.
도 2 는 도 1 에 예시된 광학 요소(18)를 개략적으로 예시한 것이다.
도 3 은 투영 광학 기기와 결합되어 있는, 도 1에 예시된 조명 시스템을 개략적으로 예시한 것이다.
도 4A 는 소망하는 조사 분포를 형성하는 데 사용되는 무-이미징 광학 요소의 한 실시예를 개략적으로 예시한 것이다.
도 4B 는 도 4A 에 예시된 무-이미징 광학 요소에 의해 형성되는 소망하는 조사 분포를 그래프로 예시한 평면도이다.
도 5A 는 소망하는 형상을 지니는 조명 필드 또는 부위 및 시준(視準)된 거의 구면 또는 평면인 파면(wavefront)내로 전자 방사선을 다시 향하게 하는 데 사용되는 액시콘(axicon)의 형상을 이루고 있는 무-이미징 광학 요소의 한 실시예를 개략적으로 예시한 것이다.
도 5B 는 도 5A 에 예시된 무-이미징 광학 요소에 의해 형성되는 조명 필드 또는 부위를 지니는 소망하는 조사 및 각도 분포를 그래프로 예시한 평면도이다.
도 5C 는 소망하는 형상을 지니는 조명 필드 또는 부위 및 시준된 구면 또는 평면인 파면내로 전자 방사선을 다시 향하게 하는 데 사용되는 형상을 지니는 무-이미징 광학 요소의 한 실시예를 개략적으로 예시한 것이다.
도 5D 는 기수의 비구면 형상으로 된 베이스 표면 및 프레넬(Fresnel) 패시트를 지니는 무-이미징 광학 요소를 그래프로 예시한 평면도이다.
도 5E 는 무-이미징 광학 요소에 의해 형성되는 소망하는 직사각형의 조명 필드 또는 부위를 지니는 소망하는 조사 및 각도 분포를 그래프로 예시한 사시도이다.
도 6 은 무-이미징 광학 요소의 반사 표면을 계산하는 데 이용되는 파라메타를 그래프로 예시한 것이다.
도 7A 는 포토리소그래피 기법에서 사용되며 4극자(quadrupole)로서 언급되는 소망하는 조사 및 각도 분포를 예시한 평면도이다.
도 7B 는 포토리소그래피 기법에서 사용되며 균일한 것으로서 언급되는 소망하는 조사 및 각도 분포를 예시한 평면도이다.
발명의 분야
본 발명은 일반적으로 기술하면, 반도체 제조에 있어서 포토리소그래피 기법에서 사용되는 바와 같은 감광 기재상에 레티클의 이미지를 투영하는 콘덴서( condenser) 및 조명 시스템에 관한 것이며, 보다 구체적으로 기술하면, 극자외선 (extreme ultraviolet;EUV) 또는 연(軟) X-선 파장에서 사용하기에 적합하며 소망하는 조사(照射) 및 소망하는 각도 분포를 형성하는 무(無)-이미징 광학 요소를 지니는 콘덴서에 관한 것이다.
발명의 배경
포토리소그래피 기법(photolithography)은 많은 디바이스, 특히 전자 또는 반도체소자의 제조에서 종종 사용되고 있다. 포토리소그래피 공정에서, 레티클 또는 마스크의 이미지는 감광 기판상에 투영된다. 감광 기판상에 이미지화되기에 소망하는 요소 또는 특징 크기가 훨씬 더 소형화됨에 따라, 기술적 문제가 종종 생기고 있다. 이들 문제중 하나는 레티클 또는 마스크의 이미지가 감광 기판상에 투영될 수 있도록 레티클 또는 마스크를 조명하고 있다는 것이다. 반도체소자의 요소 또는 특징 크기가 훨씬 더 소형화됨에 따라, 포토리소그래피 시스템이 0.13 마이크로미터보다 작은 분해능을 제공할 필요성이 존재한다. 이러한 비교적 작은 요소 또는 특징 크기의 이미징을 얻기 위하여, 전자(電磁) 방사선의 보다 짧은 파장이 감광 기판상에 레티클 또는 마스크의 이미지를 투영하는 데 사용되어야 한다. 따라서, 포토리소그래피 시스템이 157 나노미터 미만의 극자외선 파장에서, 및 약 1 나노미터의 연 X-선 파장 상태로 동작하는 것이 필요하다. 그 이외에도, 필요한 분해능 및 이미징 능력을 갖는 투영 광학 기기는 링(ring) 필드의 일부의 이용을 종종 초래시킨다. 포토리소그래피 기법에서 사용되는 그러한 투영 광학 시스템중 하나는 명세서 전체 내용이 본원에 참고가 되는, 1998년 9월 29일자로 윌리암슨(Williamson) 명의로 허여된 "개구수가 많은 링 필드 광학 축소 시스템(High Numerical Aperture Ring Field Optical Reduction System)" 이라는 명칭의 미국 특허 제 5,815,310 호에 개시되어 있다. 상기 특허에 개시되어 있는 투영 광학 시스템은 0.03 미크론의 가공 분해능을 얻을 수 있지만, 감광 기판상에 레티클 또는 마스크의 이미지를 투영하기 위해 필요한 조명 특성을 제공할 수 있는 조명 소오스 또는 조명 시스템이 몇 개밖에 존재하지 않는다. 한 조명 시스템은 1994년 8월 16일자 화이트(White) 명의로 허여된 "플라즈마로 유래된 X-선 윤곽을 수반하는 디바이스 제조(Device Fabrication Entailing Plasma-Derived X-Ray Delineation)"이라는 명칭의 미국 특허 제 5,339,346 호에 개시되어 있다. 상기 미국 특허에는 한 축에 대하여 대칭으로 배치되어 있는 쌍으로 이루어진 패시트를 포함하는 패시트형 집광기 렌즈를 지니는 레이저 펌핑형 플라즈마 소오스와 함께 사용하기 위한 콘덴서가 개시되어 있다. 다른 한 조명 시스템은 1997년 10월 14일자 오시노( Oshino) 명의로 허여된 "조명 장치(Illuminating Apparatus)" 이라는 명칭의 미국 특허 제 5,677,939 호에 개시되어 있다. 상기 특허에는 아치형 패턴으로 물체를 조명하는 조명 시스템으로서 자오선(meridional) 방향으로의 임계 조명을 달성하기 위한 반사 표면 및 새지틀(sagittal) 방향으로의 코흘러(Kohler) 조명을 달성하기 위한 반사 표면을 지니는 반사형 광학 집적기내에 파라볼릭-토릭(parabolic -toric) 회전면체를 갖는 반사 거울을 지니는 조명 시스템이 개시되어 있다. 다른 한 조명 시스템은 명세서 전체 내용이 본원에 참고가 되는, 1996년 4월 30일자 스위트( Sweatt) 명의로 허여된 "싱크로트론(Synchrotron) 방사 광으로 링 필드 카메라를 조명하는 콘덴서(Condenser For Illuminating A Ring Field Camera With Synchrotron Emission Light)" 라는 명칭의 미국 특허 제 5,512,759 호에 개시되어 있다. 상기 특허에는 광 빔을 집광하는 요면(concave) 및 철면(convex)의 구면 거울, 광 빔을 수렴시켜 카메라의 실 입사 동공(real entrance pupil)내로 광 빔을 향하게 하는 평면 거울, 및 저항성 마스크를 통해 카메라의 가상 입사 동공( virtual entrance pupil)내로 실 입사 동공을 이미화시키는 구면 거울을 포함하는 콘덴서가 개시되어 있다. 또 다른 한 조명 시스템은 1994년 11월 1일자 스위트( Sweatt) 명의로 허여된 "링 필드를 조명하는 콘덴서(Condenser For Illuminating A Ring Field)" 라는 명칭의 미국 특허 제 5,361,292 호에 개시되어 있다. 상기 특허에는 방사선을 집광하여 후에 다른 거울들에 의해 변환 및 회전되어 모든 아치형 영역이 마스크에서 겹쳐지게 하는 세그먼트형 비구면 거울을 사용하는 콘덴서가 개시되어 있다.
그러나, 이와 같은 선행의 조명 시스템은 소망하는 조명을 제공하지 못하고 비교적 복잡할 수 있다. 그 이외에도, 이들 시스템 대부분은 비교적 크고, 많은 표면을 지님으로써 에너지의 손실을 초래시킨다. 또한, 몇몇 시스템은 정렬하기가 곤란하며 조절을 필요로 할 수 있다.
따라서, 포토리소그래피 기법에서 사용하기에 소망하는 조사 및 각도 분포로 소정의 필드 또는 부위상에 소망하는 조사를 제공하는 극자외선에서 사용하기 위한 개선된 조명 시스템 및 콘덴서에 대한 필요성이 존재한다.
따라서, 본 발명의 한 목적은 소정의 필드 또는 부위상에 소망하는 조사를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 한 목적은 소정의 각도 및 조사 분포를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 한 목적은 전자(電磁) 방사 소오스의 범위를 증가시키는 것이다.
본 발명은 무(無)-이미징 광학 요소를 지니는 콘덴서를 포함하는 조명 시스템에 관한 것이다. 제 1 의 무-이미징 광학 요소는 소오스로부터의 광을 집광하여 바람직하거나 소정의 조사 분포를 만들어 내는 데 사용된다. 제 2 의 무-이미징 광학 요소는 상기 제 1 의 무-이미징 광학 요소로부터의 전자 방사선을 수광하여 시준된 거의 구면 또는 평면인 파면내로 전자 방사선을 다시 향하게 한다. 조명 시스템의 동공(pupil)에 배치된 패시트는 전자 방사선을 형상화하며 소망하는 부위상에 균일한 조명을 제공한다. 패시트는 제 2 의 무-이미징 광학 요소상에 제공될 수 있다. 추가적인 대물 광학 요소는 전자 방사선을 부가적으로 처리하거나 레티클 또는 마스크에서의 소망하는 부위에 전자 방사선을 릴레이(relay)시키는 데 이용될 수 있는 데, 이에 대한 이미지는 감광 기판상에 투영된다.
따라서, 본 발명의 한 목적은 소정의 필드 또는 부위상에 소망하는 조사를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 한 목적은 소정의 각도 및 조사 분포를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 한 목적은 전자(電磁) 방사 소오스의 범위를 증가시키는 것이다.
본 발명의 한 이점은 소망하는 파장에 대한 효과적인 콘덴서이라는 점이다.
본 발명의 다른 한 이점은 비교적 소형이라는 점이다.
본 발명의 한 특징은 무-이미징 광학 요소가 사용된다는 것이다.
본 발명의 다른 한 특징은 비교적 적은 수의 반사 표면이 이용된다는 것이다.
본 발명의 또 다른 특징은 패시트형 광학 요소가 사용된다는 것이다.
이들 및 다른 목적, 이점, 및 특징은 이하 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 상세한 설명을 고려하여 보면 용이하게 알 수 있을 것이다.
실시예
도 1 은 무-이미징 광학 요소를 이용하는 본 발명의 조명 시스템(10)을 개략적으로 예시한 것이다. 레이저 플라즈마 소오스, 캐필러리(capilary) 방전 튜브 또는 싱크로트론(synchrotron)일 수 있는 극자외선(extreme ultraviolate radiation;EUV) 소오스(12)는 극자외선의 전자 방사선을 무-이미징 광학 요소(14)에 제공한다. 집광기 또는 제 1 의 무-이미징 광학 요소(14)는 상기 소오스로부터의 전자 방사선을 집광하고 상기 조명 시스템(10)의 동공내에서 바람직하거나 소정의 조사 분포를 만들어 낸다. 상기 조사 분포는 균일하거나, 환형이거나, 4극자이거나 또는 기타 공지되어 있거나 소망하는 조사 분포일 수 있다. 여러 가지 조사 분포로써 감광 기판상에 상이한 패턴을 이미지화하는 바람직스러운 특성들이 알려져 왔다. 구배(勾配) 두께 프로파일을 지니는 피막은 반사율을 개선시키도록 상기 제 1 의 무-이미징 광학 요소(14)상에 배치될 수 있다. 상기 제 1 의 무-이미징 광학 요소(14)로부터 반사되는 전자 방사선은 쉐이퍼(shaper) 또는 제 2 의 무-이미징 광학 요소(18)에 의해 집광된다. 상기 조명 시스템(10)의 동공은 상기 제 2 의 무-이미징 광학 요소(18)의 부근이나 근처에 배치되어 있다. 입사 광선(16)은 상기 제 2 의 무-이미징 광학 요소(18)로부터 반사되고 사출(射出; emerging) 광선(20)으로서 사출된다. 상기 무-이미징 광학 요소(18)는 광선(20)으로서 예시되어 있는 전자 방사선을 거의 구면이거나 평면인 파면내로 다시 향하게 하여 이를 시준한다. 이는 종래의 광학 표면의 사용이 상기 조명 시스템(10)의 나머지 부분에서 사용되는 것을 허용한다. 상기 제 2 의 무-이미징 광학 요소(18)는 소망하는 부위 또는 조명 필드상에 균일한 조명을 제공하도록 상부에 배치된 복수 개의 패시트(facet)를 지닐 수 있다. 상기 패시트는 상기 제 2 의 무-이미징 광학 요소(18)에 근접해 있는, 상기 조명 시스템(10)의 동공에 배치되어 있다. 광선 (20)으로 예시되어 있는 전자 방사선은 상기 제 2 의 무-이미징 광학 요소(18)로부터 반사되어 종래의 광학 요소(22)에 의해 수광된다. 광선(24)으로 예시되어 있는 전자 방사선은 광학 요소(22)로부터 반사되어 제 2 의 종래의 광학 요소(26)에 의해 수광되는 데, 이는 다시 광선(28)으로서 반사되어 레티클(30)을 조명한다. 상기 광학 요소(22,26)는 종래의 대물 광학 요소일 수 있다. 예를 들면, 광학 요소(22)는 코마 수차(coma)에 대하여 보정하며 비교적 평면일 수 있다. 광학 요소(26)는 편구면(扁球面;oblate spheroid)일 수 있다. 상기 광학 요소(22,26)는 왜상(歪像; anamorphic)의 비구면인 것이 바람직스러우며 상기 제 2 의 무-이미징 광학 요소에 의해 반사 또는 산란된 광을 레티클상에 및 투영 광학 기기의 입사 동공내로 이미지화하도록 설계되어 있다. 왜상 이탈은 레티클을 가로질러 일정한 원형의 동공을 유지하는 데 사용된다. 광학 요소(22,26)는 투영 광학 기기의 입사 동공에 대한 조명을 릴레이하거나 이미지화할 수 있다.
이러한 조명은 소정의 조사 및 각도 분포로 동공을 충진하는 데, 이는 동공 충진(pupil fill)으로서 언급되어 있다. 본 발명은 동공 충진이 원한다면 레티클상에 패턴을 이미지화하는 것을 향상시키도록 수정되는 것을 허용한다. 대체로, 바람직스러운 동공 충진은 잘 알려져 있으며, 또한 테스트 레티클로 비교적 용이하게 결정될 수 있다. 동공 충진 또는 각도 분포는, 통상적으로 와트/스테라디안(steradian)으로 표기되는 방사 측정 한계면 방사 강도(radiometric term radiant intensity)에 의해 보다 정밀하게 식별될 수 있다. 리소그래피 기술자들은 이러한 양을 묘사하는 데 동공 충진을 종종 사용한다. 그러나, 동공에서의 조사 분포가 때로는 또한 동공 충진으로 불리워지기 때문에 혼동이 생길 수 있다. 레티클 또는 마스크의 각각의 필드 지점으로부터 대면하는 방사 강도가 동공에서의 조사와 반드시 동일한 조사일 필요는 없다는 것을 아는 것이 중요하다. 한가지 예는 조사 분포가 균일하지만, 레티클 또는 마스크의 우측 절반이 한 원의 우측 절반인 방사 강도를 지니고 마스크의 좌측 절반이 한 원의 좌측 절반인 방사 강도를 지닌 경우이다.
그 이외에도, 본 발명은 아치형, 직사각형, 또는 기타 형상의 부위와 같은 소망하는 부위를 레티클 또는 마스크상에 조명하는 것을 가능하게 한다. 또한, 본 발명은 대개는 소망하는 균일 조사 분포로 소망하는 조사 분포를 제공하지만, 원한다면 상이한 프로파일 또는 조사 분포를 제공할 수 있다. 또한, 본 발명은 자체적으로 발광하는 것이 효과적인 조명 부위를 제공한다. 그 이외에도, 조명 영역내의 각각의 지점은, 동일의 소망하는 각도 스펙트럼이 균일하거나, 환형이거나, 4극자 (quadrupole)이거나, 또는 기타 소망하는 분포이든 간에, 동일의 소망하는 각도 스펙트럼에 의해 조명된다. 또한, 본 발명은 조명 영역내의 각각의 지점에 대한 사출 동공이 텔레센트릭성 에러(telecentricity error)를 방지하도록 동일 위치에 있게 한다.
제 1 의 무-이미징 광학 요소(14)는 소오스(12)로부터의 전자 방사선을 집광한다. 제 1 및 제 2 의 무-이미징 광학 요소(14,18)의 결합은 조명 시스템(10) 또는 콘덴서 동공에서 소망하는 조사 분포를 형성하고 소오스(12)의 이미지를 형성한다. 상기 제 2 의 무-이미징 광학 요소(18)는 빔 쉐이퍼로서의 기능을 한다. 조명 시스템(10) 또는 콘덴서의 동공에 배치되어 있는 빔 쉐이퍼는 입사 방사선을 산란시킴으로써 소오스의 이미지가 레티클 또는 마스크(30)의 소망하는 영역을 충진시킨다. 레티클 또는 마스크(30)의 각각의 지점은 동공내의 대다수의 개별 지점으로부터 광 또는 전자 방사선을 수광한다. 개별 지점들은 제 2 의 무-이미징 광학 요소(18)상의 패시트(34)의 크기에 따라 총계가 수 백만개에 달할 수 있다. 소오스 범위가 투영 광학 기기에 의해 허용되는 범위보다 좁기 때문에 동공이 완전히 충진되지는 않지만, 동공 충진은 종래의 세그먼트형 광학 요소를 사용하여 얻어질 수 있는 것보다 균일하다. 종래의 광학 요소는 단지 동공내의 10 개의 지점 또는 라인만으로 충진하도록 콘덴서를 제한한다. 본 발명의 개선된 동공 충진은 리소그래피 기법 및 그레이 스케일 마스크(gray scale mask)를 사용하여 여러 개의 개별적인 패시트로 제 2 의 무-이미징 광학 요소(18)를 제조함으로써 달성된다.
조명 시스템 또는 콘덴서는 레티클 또는 마스크(30)를 가로질러 소망하는 방식으로 광자를 분포시키도록 조리개에 무-이미징 광학 요소(18) 또는 빔 쉐이퍼를 지니는 임계 콘덴서인 것이 효과적이다. 바람직한 실시예에 있어서, 조리개는 제 2 의 무-이미징 광학 요소(18)에 있으며, 이는 동시에 빔 쉐이퍼로서의 기능을 하며 무한대에서 소오스를 재-이미지화하는 기능을 한다. 제 2 의 무-이미징 광학 요소(18)상에서의 이와 같은 2 가지 기능을 결합하면 조명 시스템내에서의 광학 요소의 개수가 감소되며 시스템 처리 능력이 향상된다.
도 2 는 제 2 의 무-이미징 광학 요소(18)를 보다 명확하게 예시한 것이다. 바람직하기로는, 패시트(34)가 베이스(31)의 베이스 표면(32)상에 형성된다. 패시트(34)가 예시를 목적으로 크기 및 경사 면에서 대단히 과장되어 있다는 점을 이해하여야 한다. 패시트는, 도 1 에 예시되어 있는 광학 요소(22,26)에 의해 이미지화되는 경우 상기 무-이미징 광학 요소(18)로부터 반사되는 각도 스펙트럼이 레티클 또는 마스크에서 미리 결정되거나 소망하는 형상 또는 조명 필드를 형성하도록 형상화되고 경사져 있다. 패시트(34)는, 이미지화될 경우 각도 스펙트럼이 아치형 영역을 만들어 내도록 선택된다. 패시트로부터의 회절은 범위를 증가시킨다. 패시트(34)는 레티클 면의 균일성을 제공할 정도로 충분히 작고, 에지 산란 작용을 최소화시킬 정도로 커야 한다. 예를 들면, 120 밀리미터 직경 또는 치수의 무-이미징 광학 요소는 10 마이크로미터 치수의 패시트를 지닐 수 있다. 이는 양호한 균일 조명 및 동공 충진을 제공한다. 패시트는 치수 면에서 최소한 4 마이크로미터까지 감소될 수 있다. 패시트(34)는 프레넬 표면을 형성할 수 있는 것이 바람직스럽다.
빔 쉐이퍼 또는 제 2 의 무-이미징 광학 요소(18)는 집광기 또는 제 1 의 무-이미징 광학 요소(14)로부터의 전자 방사선 또는 광을 수광하고 이를 소망하는 조명 필드상에 다시 향하게 한다. 개념적으로는, 이는 2 가지의 개별 테스크, 즉 베이스 표면(32)에 의해 달성되는 소오스(12)를 재이미지화하는 테스크 및 여러 개의 작은 패시트(34)로 구성되는 산란 표면을 가공함으로써 달성되는 조명 필드상에 소오스 이미지를 흐릿하게 하는 테스크로 나뉘어질 수 있다.
집광기 또는 제 1 의 무-이미징 광학 요소(14) 및 빔 쉐이퍼 또는 제 2 의 무-이미징 광학 요소(18)의 표면들의 결합은 유한 또는 무한의 공역(共役; conjugate)에서 소오스를 재이미지화한다. 쉐이퍼 베이스 표면(32)은 1) 집광기 또는 제 1 의 무-이미징 광학 요소(14)를 한정하는 미분 방정식을 풀고, 2) 빔 쉐이퍼 표면에서의 광선의 입사 각( θ)을 계산하며, 3) 입사 방사선을 유한 또는 무한의 공역으로 다시 향하게 하는 데 필요한 쉐이퍼 표면의 기울기를 계산함으로써 결정된다. 쉐이퍼 표면의 기울기는 표면 프로파일을 제공하도록 적분될 수 있거나 또는 상기 기울기는 광선 추적 소프트웨어내로 직접 합체될 수 있다. 베이스 쉐이퍼 표면은 종래 방식으로 폴리싱 처리될 수 있으며 산란 기능은 베이스 표면상에 적용될 수 있다. 그러나, 소망하는 구현은 산란 작용을 하기에 필요한 동일의 적은, 바람직하기로는 4 내지 10 제곱 미크론인 패시트를 사용하여 프레넬 표면을 제조하는 것이다.
프레넬 표면에 대하여는, 각각의 베이스 패시트 경사가 그러한 패시트에 대한 주 광선(소오스의 중심에서 개시하여 상기 패시트의 중심으로 가는 광선)을 소오스의 이미지로 다시 향하게 한다. 프레넬 패시트 경사는 하기에 기술되는 바와 같이, 그러한 산란 경사에 추가된다. 프레넬 베이스 표면을 사용하면, 기판이 만곡되어 있지 않아서 표준 리소그래피 처리 공정이 사용될 수 있기 때문에 산란 픽셀의 제조가 간단해 진다.
마스크에서의 소망하는 영역을 조명하기 위하여, 동공(즉, 빔 쉐이퍼 표면)은 여러 개의 작은 패시트로 나뉘어 진다. 각각의 패시트는 조명 필드의 상이한 부분으로 광을 향하게 한다. 이와 같이 가공된 산란 표면은 임의로 형성된 영역의 조명을 허용한다. 충분히 작은 패시트의 경우, 조명 필드내의 각각의 지점은 동공상에 무작위로 분포되어 있는 수천 개 또는 수 백만 개의 지점으로부터 광을 수광할 수 있다. 동공내의 무작위 분포는 레티클상의 각각의 지점에서의 방사선 또는 방사 강도의 각도 분포가 실질적으로 동일한 분포이게 한다. 베이스 표면으로부터의 각각의 패시트의 편향은 나머지 종래의 광학 표면의 초점 길이 및 근축(近軸;paraxial) 이미징 방정식에 의해 결정된다.
도 1 및 도 2 를 참조하면, 본 발명의 조명 시스템(10)은 소정의 조명 필드 또는 소망하는 조사 및 소망하는 각도 분포를 지니는 부위의 이미지로 레티클을 조명한다. 이러한 조명은 포토리소그래피 용도에 바람직스럽다. 그 이외에도, 본 발명의 조명 시스템(10)은 조명 필드 또는 아치형 부위상에 이용가능한 전력을 균등하게 분포시킴으로써 전자 방사 소오스의 범위를 증가시킨다. 광학 시스템의 범위는 개구에 의해 집광되는 각도 범위 및 소오스의 단면적과 관련되는 기하학적인 양이다. 레이저 플라즈마 및 캐필러리 방전 소오스는 대체로 약 1 밀리미터보다 작다. 싱크로트론은 작은 각도 범위를 지니는 데, 이러한 각도 범위는 설계 공정에서 고려되어야 한다. 그 결과로써, 소오스의 범위를 증가시키는 것이 종종 필요하다. 본 발명은 소망하는 조명 패턴, 소망하는 각도 분포, 및 고 효율등 소형 패키지에서의 모든 것을 달성한다. 바람직하기로는, 본 발명은 극자외선의 전자 방사선으로 투영 광학 기기의 링 필드 또는 아치형 영역의 일부를 조사하는 데 적용될 수 있다. 그중 하나의 투영 광학 시스템은 명세서 전체 내용이 본원에 참고가 되는 1998년 9월 29일 윌리암슨(Williamson) 명의로 허여된 "많은 개구수의 링 필드 광학 축소 시스템(High Numerical Aperture Ring Field Optical Reduction System)" 이라는 명칭의 미국 특허 제 5,815,310 호에 개시되어 있다.
본 발명의 조명 시스템(10)을 예시하는 도 1 및 도 2 를 참조하면, 레이저 플라즈마 소오스 또는 캐필러리 방전 튜브와 같은 비교적 작은 소오스(12)는 극자외선 영역내의 소망하는 파장으로 전자 방사선을 방출시킨다. 집광기 또는 제 1 의 무-이미징 광학 요소는 에너지 또는 전자 방사선을 집광하여 쉐이퍼 또는 제 2의 무-이미징 광학 요소(18)에 제공되는 소망하는 조사 분포를 형성한다. 상기 무-이미징 광학 요소들의 무-이미징 표면은 미분 방정식에 대한 해이다. 이러한 미분 방정식은 당업자에게 잘 알려져 있으며 쿠쉬(Kusch)에 의해 저술된 "조명 및 조사 디바이스의 컴퓨터 지원 광학 설계(Computer Aided Optical Design of Illumination and Irradiating Devices)" 라는 제목하에서 1993년 모스코바 소재의 아슬란 출판소(Aslan Publishing House)에 의해 출판된 책자에 개시되어 있다. 이러한 책자에 기재되어 있는 방정식을 사용하면, 무-이미징 광학 요소가 회전 대칭인 각도 강도 및 회전 대칭인 동공 충진을 갖는 점 광원에 대하여 용이하게 설계될 수 있다. 유한 크기의 소오스 및 무-회전 대칭 시스템에 대하여는, 보다 일반적인 방정식이 사용될 수 있다. 그러한 방정식들은 당업자에게 잘 알려져 있으며 제이.에스. 쉬루벤(J. S. Schruben)에 의해 저술된 "조명 고정에 대한 반사기-설계 문제의 계통적 서술(Formulation of a Reflector-Design Problem for a Lighting Fixture)" 이라는 제목하에서 1972년 12월 미국 광학 학회(the Optical Society of America)의 저널, Vol. 62, No. 12 에 실린 기사 및 디. 젠킨스(D. Jenkins) 및 알. 윈스톤(R. Winston)에 의해 저술된 "조명에 대한 주문 제작된 반사기(Tailored Reflectors for Illumination)" 라는 제목하에서 1996년 4월 응용 광학(Applied Optics), Vol. 35, No. 10 에 실린 기사에서 찾아 볼 수 있다. 소오스의 각도 강도 분포 및 피막의 반사율 모두는 무-이미징 광학 표면을 설계할 경우에 고려된다. 제 2 의 무-이미징 광학 요소(18)의 베이스 표면은 무-이미징 작용을 하며 나란한 다발로 제 2 의 무-이미징 광학 요소(18)에 의해 반사되도록 제 1 의 무-이미징 광학 요소(14)로부터의 전자 방사선을 시준한다. 제 2 의 무-이미징 광학 요소(18)의 표면(32)상에는, 본 발명의 나머지 종래의 광학 요소(22,26)에 의해 이미지화될 경우에 제 2 의 무-이미징 광학 요소(18)로부터 반사되는 각도 스펙트럼이 레티클 또는 마스크에 소망하는 형상을 형성하도록 형상화되고 경사져 있는 패시트 어레이가 형성되어 있다. 제 2 의 무-이미징 광학 요소(18)는 리소그래피 기법을 사용하여 제조될 수 있다.
도 3 은 미국 특허 제 5,815,310 호에 개시되어 있는 것과 같은 극자외선 투영 광학 기기(36)와 결합되어 있는, 도 1 및 도 2 에 예시된 바와 같은 극자외선 조명 시스템(10)을 예시한 것이다. 조명 시스템(10)은 레티클(30)을 조명하기 위한, 링 필드 또는 원호(arc)의 일부와 같은 소정의 조명 필드내의 소망하는 조사 및 소망하는 각도 분포를 제공한다. 레티클(30)은 반사성 레티클이다. 그 결과, 전자 방사선은 레티클(30)과 수직인 라인에 대하여 약간 축외로 레티클(30)을 타격한다. 전자 방사선은 제 1 거울(38)에 의해 집광되어 반사되고, 상기 제 1 거울(38)에 의해 반사된 전자 방사선은 제 2 거울(40)에 의해 집광되어 반사되며, 상기 제 2 거울(40)에 의해 반사된 전자 방사선은 제 3 거울(42)에 의해 집광되어 반사되고, 상기 제 3 거울(42)에 의해 반사된 전자 방사선은 제 4 거울(44)에 의해 집광되어 반사되며, 상기 제 4 거울(44)에 의해 반사된 전자 방사선은 제 5 거울 (46)에 의해 집광되어 반사되고, 상기 제 5 거울(46)에 의해 반사된 전자 방사선은 제 6 거울(48)에 의해 집광되어 반사되며, 상기 제 6 거울(48)에 의해 반사된 전자 방사선은 감광 기판(50)상에 레티클의 이미지를 투영시킨다. 조명 필드가 감광 기판의 소정의 부위상에 레티클의 이미지를 투영할 정도로 나란한 방향으로 레티클(30) 및 감광 기판(50)이 주사되는 것을 허용하도록 EUV 조명 시스템(10) 및 투영 광학 기기(36)사이에는 충분한 이격(clearance)이 제공된다. 레티클 (30) 및 감광 기판(50)은 나란한 주사를 위해 배치되어 있다. 광학 요소 모두는 레티클(30) 및 감광 기판(50)의 이동에 필요한 어떠한 스테이지도 방해하지 않도록 배치되어 있다. 따라서, 총체적인 시스템, 조명 시스템(10) 및 투영 광학 기기(50)는 레티클(30) 및 기판(50)사이에 총체적으로 배치되어 있는 것이 바람직스럽다.
도 4A 는 집광기 또는 제 1 의 무-이미징 광학 요소(214)의 프로파일을 개략적으로 예시한 것이다. 집광기 또는 제 1 의 무-이미징 광학 요소(214)는 축 대칭일 수 있다. 집광기 또는 무-이미징 광학 요소(214)는 만곡된 반사 표면(215)을 지닌다. 만곡된 반사 표면(215)은 동공에서의 소망하는 조사 분포를 기초로 하여 계산 또는 결정된다. 비교적 작은 EUV 소오소(212)는 무-이미징 광학 요소(214)의 원점에 근접 배치되어 있다. 소오스(212)로부터의 전자 방사선은 제 1 의 무-이미징 광학 요소(214)에 의해 집광되어 반사된다. 반사된 전자 방사선은 소망하는 조사 분포를 형성한다.
도 4B 는 그중 하나의 조사 분포를 그래프로 예시한 것이다. 환형의 조사 분포(52)가 예시되어 있다. 환형의 조사 분포(52)는 포함된 환형 조명(56) 및 암 센터(dark center;58)를 갖는 에워싸는 암 필드(dark field;54)에 의해 특징화된다. 환형 조사 분포(52)가 예시되어 있지만, 소망하는 조사 분포, 예를 들면, 최상층(top hat) 조사 분포, 4극자 조사 분포, 균일한 조사 분포 또는 기타 공지된 소망하는 조사 분포는 무-이미징 광학 요소(214)의 표면(215)의 계산된 프로파일 또는 형상에 의존하여 얻어질 수 있다.
도 5A 는 쉐이퍼 또는 제 2 의 무-이미징 광학 요소(218)를 예시한 것이다. 제 2 의 무-이미징 광학 요소(218)는 도 1 및 도 2 에 예시되어 있는 제 2 의 무-이미징 광학 요소(18)의 다른 한 실시예이다. 제 2 의 무-이미징 광학 요소(218)는 기판 또는 베이스(231)상에 형성되어 있다. 베이스(231)는 한 표면(232)을 지닌다. 그러한 표면(232)은 프레넬 액시콘의 형상을 지닐 수 있다. 도 5A 는 제 2 의 무-이미징 광학 요소(218)를 원뿔형 단면으로서 예시하고 있지만, 액시콘의 원뿔형 표면은 장착을 위해 종래의 원형 렌즈(round lens)상에 배치될 수 있다. 도 5A 가 액시콘을 예시하고는 있지만, 제 2 의 무-이미징 광학 요소(218)는 소오스 및 소망하는 조사 또는 각도 분포에 따라 다른 형상을 지닐 수 있다. 예를 들면, 동공 충진 및 소오스의 각도 분포가 회전 대칭인 경우, 제 2 의 무-이미징 광학 요소는 기수-비구면(odd-asphere)의 형상을 지닌다. 어떠한 회전 대칭도 존재하지 않는 경우, 제 2 의 무-이미징 광학 요소는 특정의 형상을 지니게 된다. 그러한 특정의 형상은 광선을 시준하는 기능을 제공하도록 결정된다. 표면(232)은 상부에 복수 개의 각이 져 있거나 경사져 있는 반사성 패시트를 지닌다. 표면(232)은 복수 개의 패시트(234)와 결합하여 전자 방사선을 형상화시키거나 전자 방사선을 새로운 방향으로 향하게 하여 이를 시준하고 소망하는 조명 부위 또는 필드상에 균일한 조명을 지니는 구면 또는 평면의 파면을 형성한다. 제 2 의 무-이미징 광학 요소(218)는 비교적 많은 반사성 패시트(234)를 지닐 수 있는 데, 각각의 패시트 (234)는 대략 10 내지 4 마이크로미터의 치수를 지닌다. 10 내지 4 마이크로미터는 패시트 크기의 가장 유용한 범위이지만, 보다 작고 보다 큰 패시트들도 또한 이용된다. 각각의 패시트(234)의 각도 또는 경사는 아치형의 조명 부위 또는 필드에 균일한 조명 및 소망하는 조사 분포를 제공하도록 계산된다. 패시트(234)는 에칭 또는 다른 리소그래피 기법으로 만들어질 수 있다. 균일한 조명은 도 1, 도 3, 및 도 4A 에 예시되어 있는 집광기 또는 제 1 의 무-이미징 광학 요소(14 또는 214)에 의해 만들어지는 소망하는 조사 분포를 지닌다.
도 5B 는 아치 형상을 지니는 소망하는 조명 부위 또는 필드를 그래프로 예시한 것이다. 그 이외에도, 환형의 각도 분포(152)가 그래프로 예시되어 있다. 환형의 각도 분포는 환형 조명(156) 및 암 센터(158)를 에워싸는 암 필드(154)를 지닌다. 환형의 각도 분포가 그래프로 예시되어 있지만, 당업자라면 상기 각도 분포가 조명 부위 또는 필드내의 어느 지점으로부터라도 환형처럼 보인다는 것을 이해할 것이다. 그러므로, 조명 부위 또는 필드는 각도 조사 및 각도 분포로 균일하게 조명된다.
도 5C 는 제 2 의 무-이미징 광학 요소의 다른 한 실시예를 예시하는 사시도이다. 이러한 실시예에서, 무-이미징 광학 요소(318)는 베이스(331)를 지니며, 베이스(331)의 상부에는 베이스 표면(332)이 형성되어 있다. 베이스 표면(332)은 특정의 형상을 지닐 수 있다. 특정의 형상은 광선을 시준하는 기능을 제공하도록 결정된다. 반사성 패시트(334)는 베이스 표면(332)상에 형성되어 있다. 패시트 (334)의 위치 및 경사는 소망하는 조명 필드상에 소망하는 조명을 제공하도록 결정된다.
도 5D 는 제 2 의 무-이미징 광학 요소의 다른 한 실시예를 예시하는 측면도이다. 이러한 실시예에서, 제 2 의 무-이미징 광학 요소(418)는 베이스(431)를 지니고 베이스 표면(432)은 기수 비구면을 지닌다. 한 기수 비구면은 정점 평면상에서의 반경 거리,
Figure 112004040760296-pat00022
인 경우에 점들(x, y, z(r))의 궤적의 함수로서 표기될 수 있는 침하(sag) 부분을 갖는 표면이다. 액시콘은 기수 비구면의 특정한 경우이다. 기수 비구면은 그것이 어떠한 공역(共役;conjugate)에서도 점들간에는 이미지화하지 않기 때문에 무-이미징 작용을 한다. 이러한 이유 때문에, 제 1 의 무-이미징 광학 요소 또는 집광기는 또한 기수 비구면일 수도 있다. 베이스 표면(432)상에는 패시트(434)가 배치되어 있다. 패시트는 소망하는 부위 또는 조명 필드상에 소망하는 조명을 제공하도록 배치되어 있다.
도 5E 는 직사각형의 조명 필드(360)를 개략적으로 예시한 사시도이다. 조명 필드 또는 부위(360)는 소망하는 조사 분포 및 소망하는 각도 분포 또는 방사 강도를 지닌다. 조사 분포는 제곱 미터당 와트로 흔히 표기된다. 각각의 필드 지점으로부터 레티클 또는 조명 필드에서 동공으로 되돌아 오는 방사 강도가 반드시 동공내의 조사 분포와 동일한 방사 강도일 필요는 없다. 조명 필드(360)는 균일한 조사 분포(352)로써 그래프로 예시되어 있다. 여러 개의 원뿔(cone)형 조명 부분 (357)이 예시되어 있지만, 균일한 조사 분포(352) 뿐만 아니라 원뿔형 조명 부분(357)은 총체적인 조명 필드(360)를 가로지르고 있다는 점을 이해하여야 한다. 따라서, 소망하는 조사 분포는 조명 필드의 어느 소망하는 형상에서의 소망하는 동공 충진 또는 방사 강도로 얻어질 수 있다.
도 6 은 무-이미징 광학 요소의 표면을 결정하거나 한정하는 데 이용되는 파라메타를 그래프로 예시한 것이다. 점(512)은 소오스를 나타내고, 라인(514)은 반사기 표면을 나타내며, 그리고 라인(519)은 조명 평면을 나타낸다. 무-이미징 광학 요소는 점 광원의 각도 분포를 임의의 출력 조사 분포와 관련시키는 미분 방정식에 의해 한정될 수 있다. 무-이미징이라 함은 광학 요소가 유한 개의 초점도 지니지 않는다는 것을 의미한다. 미분 방정식의 시스템은 상기 표면을 한정한다. 도 1 에 요소(14,18)로서 예시되어 있거나 도 4A, 도 5A, 도 5C, 및 도 5D 에 요소(214,218,318,418)로 예시되어 있는 것과 같은 무-이미징 광학 요소의 표면을 결정하기에 적합한 해는,
Figure 112000001226072-pat00003
Figure 112000001226072-pat00004
와 같은 미분 방정식을 참조함으로써 얻어질 수 있는 데, 상기 식중에서,
E(x) 는 조사(irradiance)이며;
ρ 는 반사율이고;
I( φ) 는 강도이며;
r 은 소오스 및 무-이미징 광학 요소의 반사 표면사이의 반경 거리이고;
φ 는 소오스를 통해 연장하는 조명 평면으로부터의 수직 라인과 반경 거리(r) 사이의 각도이며;
θ 는 조명 평면으로부터의 수직 라인과 무-이미징 광학 요소의 반사 표면으로부터 반사되는 광선사이의 각도이고;
x 는 무-이미징 광학 요소의 반사 표면으로부터 반사되는 광선 및 소오스를 통해 연장하는 수직 라인 및 조명 평면의 교차 부분으로부터 조명 평면을 따르는 거리이며; 그리고
α= ( φ- θ)/2 이다. 그 이외에도, 도 6을 참조하면,
Figure 112000001226072-pat00005
이다.
따라서, 여러 소망하는 회전 대칭의 조사 분포는 상기 미분 방정식에 의해 한정되는 반사 표면의 제조에 의해 달성될 수 있다. 소망하는 조사 분포를 만들어 내도록 결정되는 반사 표면은 제 1 의 무-이미징 광학 요소를 형성한다. 따라서, 무-이미징이라 함은 소오스의 이미지가 무-이미징 광학 요소에 의해 형성되지 않는다는 것을 의미한다. 그러므로, 상기 미분 방정식을 풀므로써, 반사기 또는 집광기는 점 광원이라 가정할 경우, x( φ)가 φ에 따라 증가하는 동안 임의의 조사 분포를 수용할 수 있는 보간(補間) 함수에 의해 설명될 수 있다. 상기 방정식으로부터 알 수 있는 바와 같이, EUV 피막의 반사율은 소망하는 조사 분포를 만들어 내는 데 이용될 수 있다. 도 1 및 도 3 에서의 제 2 의 무-이미징 광학 요소 및 도 5A, 도 5C, 및 도 5D 에서의 제 2 의 무-이미징 광학 요소들(218,318,418)은 나머지 종래의 광학 요소에 의해 이미징되는 경우에 입사 방사선이 조명 부위 또는 필드를 충진시킬 정도로 입사 방사선을 새로운 방향으로 향하게 하는 데 사용된다.
도 7A-7B 는 재생되는 의도된 패턴의 현저한 특징에 따라 포토리소그래피 기법에서 사용하는 데 바람직스러운 여러 가지의 조사 분포들을 예시한 것이다. 도 7A 는 4극자 조사 분포(254)를 그래프로 예시한 것이다. 4극자 조사 분포는 암 필드(254) 및 4 개의 조명 필드(256)를 지닌다. 도 7B 는 균일한 조사 분포(352)를 그래프로 예시한 것이다.
따라서, 본 발명은, 소망하는 조사 분포를 제공하는 제 1 의 무-이미징 광학 요소를, 거의 구면이거나 평면인 파면 또는 시준된 전자 방사선을 제공하는 제 2 의 무-이미징 광학 요소와 결합하여 사용함으로써, 조명 시스템의 잔여 부분으로 이루어지는 종래의 광학 표면의 사용을 허용한다. 이는 소망하는 각도 분포를 갖는 소망하는 조사를 가능하게 한다. 그 이외에도, 동공 또는 조리개에 배치되고 바람직하기로는 제 2 의 무-이미징 광학 요소상에 배치되는 패시트의 사용은 소망하는 조명 필드상에 균일한 조명을 제공한다. 패시트가 투과성이 있을 수 있지만, 그러한 패시트는 반사성이 있으며 제 2 의 무-이미징 광학 요소의 표면상에 배치되는 것이 바람직스럽다. 굴절성 또는 투과성 요소는 EUV 전자 방사선을 과도하게 감쇠시키거나 흡수할 수 있다. 또한, 본 발명은 동공을 마스킹하거나 제 1 및 제 2 의 무-이미징 광학 요소를 변화시킴으로써 개구수의 변화를 허용한다. 이는 시스템에 대한 소망하는 시그마(sigma) 또는 코히어런스(coherence), 개구수의 비율을 제공한다.
그 이외에도, 로부터가 예시되고 기술되어 있지만, 당업자라면 본 발명의 사상 및 범위를 이탈하지 않고서도 여러 가지의 변형이 취해질 수 있다는 점을 알 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명은 소정의 필드 또는 부위상에 소망하는 조사를 제공하고, 소정의 각도 및 조사 분포를 제공하며, 전자(電磁) 방사선 소오스의 범위를 증가시키도록 무-이미징 광학 요소를 사용하고 비교적 적은 수의 반사 표면을 이용하며 또한 패시트형 광학 요소를 사용함으로써 소망하는 파장에 대한 효과적인 콘덴서를 제공할 수 있을 뿐만 아니라 이를 비교적 소형화시킬 수 있다.

Claims (29)

  1. 전자 방사선을 반사하는 제 1 의 무-이미징 광학 요소;
    상기 제 1 의 무-이미징 광학 요소로부터 반사되는 전자 방사선을 수광하도록 배치되어 있는 제 2 의 무-이미징 광학 요소; 및
    콘덴서의 조리개 부근에 배치되어 있는 패시트형 광학 요소;를 포함함으로써, 소오스로부터의 전자 방사선이 소정의 조사 및 각도 분포를 갖는 소망하는 조명 부위 내로 집광되는 것을 특징으로 하는 극자외선 콘덴서.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 패시트형 광학 요소는 상기 제 2 의 무-이미징 광학 요소상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 극자외선 콘덴서.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 의 무-이미징 광학 요소가 가변 반사율을 지니는 것을 특징으로 하는 극자외선 콘덴서.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 패시트형 광학 요소로부터의 전자 방사선을 수광하도록 배치되어 있는 최소한 2 개의 반사성 광학 요소를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 콘덴서.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 최소한 2 개의 반사성 광학 요소는 반사성 레티클상에 소망하는 조명 부위를 이미지화하는 것을 특징으로 하는 극자외선 콘덴서.
  6. 제 4 항에 있어서, 상기 최소한 2 개의 반사성 광학 요소는 왜상(歪像)의(anamorphic) 비구면을 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 콘덴서.
  7. 소오스를 이미지화하지 않으며 소정의 조사 분포를 제공하는 소정의 반사 표면을 지니는 집광기;
    상기 집광기로부터 반사되는 전자 방사선을 수광하고 원하는 형상의 시준된 조명 필드로 전자 방사선을 형상화시키는 쉐이퍼(shaper);
    상기 쉐이퍼상에 형성되는 복수 개의 패시트(facet)로서, 상기 조명 필드내로 원하는 조사(照射)를 제공하는 복수 개의 패시트; 및
    상기 조명 필드의 이미지를 레티클상에 형성하는 대물 광학 요소;를 포함하는 것을 특징으로 하는, 극자외선 파장 영역에서 사용하기 위한 콘덴서.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 쉐이퍼는 무-이미징 광학 요소인 것을 특징으로 하는, 극자외선 파장 영역에서 사용하기 위한 콘덴서.
  9. 제 7 항에 있어서, 상기 쉐이퍼는 기수 비구면 형상의 표면을 지니는 것을 특징으로 하는, 극자외선 파장 영역에서 사용하기 위한 콘덴서.
  10. 제 7 항에 있어서, 상기 쉐이퍼는 프레넬 액시콘(fresnel axicon)인 것을 특징으로 하는, 극자외선 파장 영역에서 사용하기 위한 콘덴서.
  11. 제 7 항에 있어서, 상기 복수 개의 패시트 각각은 반사성이 있는 것을 특징으로 하는, 극자외선 파장 영역에서 사용하기 위한 콘덴서.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 복수 개의 패시트 각각은 최소한 4 마이크로미터의 표면 치수를 지니는 것을 특징으로 하는, 극자외선 파장 영역에서 사용하기 위한 콘덴서.
  13. 제 7 항에 있어서, 상기 대물 광학 요소는 왜상의 비구면을 포함하는 것을 특징으로 하는, 극자외선 파장 영역에서 사용하기 위한 콘덴서.
  14. 제 7 항에 있어서, 상기 집광기는 가변 반사율을 지니는 것을 특징으로 하는, 극자외선 파장 영역에서 사용하기 위한 콘덴서.
  15. 소오스로부터의 전자 방사선을 집광하고 원하는 조사 분포를 형성하는 무-이미징 수단;
    상기 무-이미징 수단으로부터의 전자 방사선을 수광하여, 전자 방사선을 시준하고 원하는 형상을 지니는 조명 필드를 형성하도록 배치되어 있는 쉐이퍼 수단; 및
    상기 원하는 조명 필드상에 균일한 조명을 형성하도록 상기 쉐이퍼 수단과 결합되어 있는 패시트 수단;을 포함하는 것을 특징으로 하는, 극자외선 조명 시스템에서 사용하기 위한 콘덴서.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 패시트 수단으로부터의 전자 방사선을 수광하여, 상기 원하는 조명 필드를 레티클상에 이미지화하도록 배치되어 있는 대물 수단을 부가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는, 극자외선 조명 시스템에서 사용하기 위한 콘덴서.
  17. 제 15 항에 있어서, 상기 쉐이퍼 수단은 기수 비구면의 형상을 갖는 표면을 지니는 것을 특징으로 하는, 극자외선 조명 시스템에서 사용하기 위한 콘덴서.
  18. 제 15 항에 있어서, 상기 쉐이퍼 수단은 액시콘을 포함하는 것을 특징으로 하는, 극자외선 조명 시스템에서 사용하기 위한 콘덴서.
  19. 제 18 항에 있어서, 상기 액시콘은 프레넬 액시콘을 포함하는 것을 특징으로 하는, 극자외선 조명 시스템에서 사용하기 위한 콘덴서.
  20. 제 15 항에 있어서, 상기 패시트 수단은 상기 쉐이퍼 수단상에 형성된 복수 개의 반사성 패시트를 포함하는 것을 특징으로 하는, 극자외선 조명 시스템에서 사용하기 위한 콘덴서.
  21. 소정의 조사 분포를 제공하는 소정의 반사 표면을 지니는 집광기로서,
    Figure 112004040760296-pat00023
    Figure 112004040760296-pat00024
    와 같은 미분 방정식에 의해 정의되는 소정의 반사 표면을 지니고, 상기 식중,
    E(x) 는 조사(irradiance)이며,
    ρ 는 반사율이고,
    I( φ) 는 강도이며,
    r 은 소오스 및 무-이미징 광학 요소의 반사 표면사이의 반경 거리이고,
    φ 는 소오스를 통해 연장하는 조명 평면으로부터의 수직 라인과 반경 거리(r) 사이의 각도이며,
    θ 는 조명 평면으로부터의 수직 라인과 무-이미징 광학 요소의 반사 표면으로부터 반사되는 광선사이의 각도이고,
    x 는 무-이미징 광학 요소의 반사 표면으로부터 반사되는 광선 및 소오스를 통해 연장하는 수직 라인 및 조명 평면의 교차 부분으로부터 조명 평면을 따르는 거리이며, 그리고
    α= ( φ- θ)/2 인 집광기;
    상기 집광기로부터 반사되는 전자 방사선을 수광하고 원하는 형상을 지니는 조명 필드내로 전자 방사선을 형상화하여 이를 시준하는 쉐이퍼;
    상기 쉐이퍼상에 형성되어 있는 복수 개의 패시트로서, 상기 조명 필드내에 원하는 조사를 제공하는 복수 개의 패시트; 및
    상기 원하는 조명 필드의 이미지를 레티클상에 형성하는 대물 광학 요소;를 포함하는 것을 특징으로 하는, 극자외선 파장 영역에서 사용하기 위한 콘덴서.
  22. 제 21 항에 있어서, 상기 쉐이퍼는 원뿔형 표면을 지니는 액시콘이며 상기 복수 개의 패시트는 상기 원뿔형 표면상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 극자외선 파장 영역에서 사용하기 위한 콘덴서.
  23. 제 22 항에 있어서, 상기 복수 개의 패시트 각각은 최소한 4 마이크로미터의 표면 치수를 지니는 것을 특징으로 하는, 극자외선 파장 영역에서 사용하기 위한 콘덴서.
  24. 제 21 항에 있어서, 상기 대물 광학 요소는 실질적으로 평면인 반사성 광학 요소 및 편구면(扁球面)인 반사성 광학 요소를 포함하는 것을 특징으로 하는, 극자 외선 파장 영역에서 사용하기 위한 콘덴서.
  25. 제 21 항에 있어서, 상기 대물 광학 요소는 왜상의 비구면을 포함하는 것을 특징으로 하는, 극자외선 파장 영역에서 사용하기 위한 콘덴서.
  26. 전자 방사선이 200 나노미터보다 짧은 파장을 지니는 전자 방사 소오스;
    상기 소오스로부터의 전자 방사선을 수광하도록 배치되어 있는 무-이미징 집광기로서, 전자 방사선을 반사시켜 소정의 조사 분포를 만들어 내는 형상화된 반사 표면을 지니는 무-이미징 집광기;
    상기 무-이미징 집광기로부터 반사되는 전자 방사선을 수광하도록 배치되어 있는 쉐이퍼로서, 전자 방사선을 시준하고 소정의 형상을 갖는 조명 필드를 형성하는 쉐이퍼; 및
    상기 쉐이퍼로부터의 전자 방사선을 수광하도록 배치되어 있는 대물 광학 요소로서, 원하는 각도 분포로 원하는 조사를 형성하는 조명 필드를 이미지화하는 대물 광학 요소;를 포함하여, 레티클의 이미지가 감광 기판상에 투영되는 것을 특징으로 하는, 극자외선 파장 영역의 전자 방사선을 사용하는 포토리소그래피 기법에서 사용하기 위한 콘덴서.
  27. 제 26 항에 있어서, 상기 쉐이퍼는 원뿔형 표면을 지니는 액시콘을 포함하며 상기 원뿔형 표면상에는 복수 개의 반사성 패시트가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 극자외선 파장 영역의 전자 방사선을 사용하는 포토리소그래피 기법에서 사용하기 위한 콘덴서.
  28. 극자외선의 전자 방사선으로 레티클을 조명하는 방법에 있어서,
    반사성의 무-이미징 광학 요소로 전자 방사선의 원하는 조사 분포를 형성하는 단계;
    상기 반사성의 무-이미징 광학 요소로부터 반사되는 전자 방사선을 집광하는 단계;
    상기 반사성의 무-이미징 광학 요소로부터 집광된 전자 방사선을 새로운 방향으로 향하게 하여 시준된 전자 방사선을 형성하는 단계; 및
    이미지화되는 경우 원하는 각도 분포를 지니는 균일한 조명이 원하는 형상을 갖는 조명 필드상에 형성되도록 전자 방사선을 형상화시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는, 극자외선 파장 영역의 전자 방사선으로 레티클을 조명하는 방법.
  29. 제 28 항에 있어서, 상기 조명 필드를 반사성 레티클상에 이미지화하는 단계를 부가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는, 극자외선 파장 영역의 전자 방사선으로 레티클을 조명하는 방법.
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Families Citing this family (277)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4238390B2 (ja) 1998-02-27 2009-03-18 株式会社ニコン 照明装置、該照明装置を備えた露光装置および該露光装置を用いて半導体デバイスを製造する方法
US6833904B1 (en) 1998-02-27 2004-12-21 Nikon Corporation Exposure apparatus and method of fabricating a micro-device using the exposure apparatus
US20070030948A1 (en) * 1998-05-05 2007-02-08 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system with field mirrors for producing uniform scanning energy
DE10053587A1 (de) * 2000-10-27 2002-05-02 Zeiss Carl Beleuchtungssystem mit variabler Einstellung der Ausleuchtung
US7006595B2 (en) 1998-05-05 2006-02-28 Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag Illumination system particularly for microlithography
US20050002090A1 (en) * 1998-05-05 2005-01-06 Carl Zeiss Smt Ag EUV illumination system having a folding geometry
US7142285B2 (en) * 1998-05-05 2006-11-28 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system particularly for microlithography
US7329886B2 (en) * 1998-05-05 2008-02-12 Carl Zeiss Smt Ag EUV illumination system having a plurality of light sources for illuminating an optical element
US6737662B2 (en) * 2001-06-01 2004-05-18 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, device manufactured thereby, control system, computer program, and computer program product
US6859263B2 (en) * 2001-08-30 2005-02-22 Euv Llc Apparatus for generating partially coherent radiation
KR100576750B1 (ko) * 2002-03-18 2006-05-03 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피장치 및 디바이스제조방법
US7333178B2 (en) * 2002-03-18 2008-02-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7170587B2 (en) * 2002-03-18 2007-01-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6801298B2 (en) * 2002-07-25 2004-10-05 Intel Corporation Light condenser
DE10317667A1 (de) * 2003-04-17 2004-11-18 Carl Zeiss Smt Ag Optisches Element für ein Beleuchtungssystem
EP1649324B1 (en) * 2003-07-30 2011-03-16 Carl Zeiss SMT GmbH An illumination system for microlithography
WO2005076935A2 (en) * 2004-02-05 2005-08-25 Northern Illinois University Wavelength filtering in nanolithography
US8134687B2 (en) * 2004-08-23 2012-03-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination system of a microlithographic exposure apparatus
US7508488B2 (en) * 2004-10-13 2009-03-24 Carl Zeiss Smt Ag Projection exposure system and method of manufacturing a miniaturized device
US7405871B2 (en) * 2005-02-08 2008-07-29 Intel Corporation Efficient EUV collector designs
US7369320B2 (en) * 2005-12-30 2008-05-06 3M Innovative Properties Company Projection system with beam homogenizer
US7717599B2 (en) * 2006-07-31 2010-05-18 3M Innovative Properties Company Integrating light source module
US8075140B2 (en) * 2006-07-31 2011-12-13 3M Innovative Properties Company LED illumination system with polarization recycling
EP2049947A1 (en) 2006-07-31 2009-04-22 3M Innovative Properties Company Optical projection subsystem
JP2009545894A (ja) * 2006-07-31 2009-12-24 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 中空集光レンズを有するｌｅｄ源
US20080036972A1 (en) * 2006-07-31 2008-02-14 3M Innovative Properties Company Led mosaic
WO2008082703A2 (en) * 2006-07-31 2008-07-10 3M Innovative Properties Company Combination camera/projector system
DE102006056035A1 (de) 2006-11-28 2008-05-29 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektions-Mikrolithographie, Beleuchtungssystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik, Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen Beleuchtungssystem, Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils sowie durch das Verfahren hergestelltes mikrostrukturiertes Bauteil
US20090040493A1 (en) * 2007-08-09 2009-02-12 Hideki Komatsuda Illumination optical system, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
WO2009022506A1 (ja) * 2007-08-10 2009-02-19 Nikon Corporation 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法
DE102008002403A1 (de) * 2008-06-12 2009-12-17 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zum Herstellen einer Mehrlagen-Beschichtung, optisches Element und optische Anordnung
DE102008049586A1 (de) * 2008-09-30 2010-04-08 Carl Zeiss Smt Ag Feldfacettenspiegel zum Einsatz in einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Mikrolithographie
DE102009030501A1 (de) 2009-06-24 2011-01-05 Carl Zeiss Smt Ag Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Beleuchtungsoptik zur Ausleuchtung eines Objektfeldes
US8274734B2 (en) * 2010-10-08 2012-09-25 Raytheon Company Anamorphic relayed imager having multiple rotationally symmetric powered mirrors
DE102010040811A1 (de) 2010-09-15 2012-03-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik
DE102011078928A1 (de) * 2011-07-11 2013-01-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithografie
CN104246617B (zh) 2012-03-09 2018-09-25 卡尔蔡司Smt有限责任公司 Euv投射光刻的照明光学单元及包含该照明光学单元的光学系统
DE102012010093A1 (de) * 2012-05-23 2013-11-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel
DE102013204443A1 (de) * 2013-03-14 2014-10-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Baugruppe zur Lichtleitwerterhöhung
US9599697B2 (en) 2014-04-15 2017-03-21 The Johns Hopkins University Non-contact fiber optic localization and tracking system
WO2016139055A2 (en) 2015-03-02 2016-09-09 Asml Netherlands B.V. Radiation system
DE102016225563A1 (de) 2016-12-20 2018-06-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Hohlwellenleiter zur Führung von EUV-Licht mit einer Nutzwellenlänge
DE102019212017A1 (de) 2019-08-09 2021-02-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Beleuchtungssystem zur Führung von EUV-Strahlung
DE102020208665A1 (de) 2020-07-10 2022-01-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Beleuchtungssystem zur Führung von EUV-Strahlung
DE102020210771A1 (de) 2020-08-26 2021-08-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel für eine projektionsbelichtungsanlage und projektionsbelichtungsanlage mit entsprechendem facettenspiegel sowie verfahren zum betrieb derselben
DE102020210829A1 (de) 2020-08-27 2022-03-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Pupillenfacettenspiegel für eine Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage
DE102020211096A1 (de) 2020-09-02 2022-03-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Feldfacette für einen Feldfacettenspiegel einer Projektionsbelichtungsanlage
DE102020212229B3 (de) 2020-09-29 2022-01-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Blenden-Vorrichtung zur Begrenzung eines Strahlengangs zwischen einer Lichtquelle und einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithographie
DE102020212367A1 (de) 2020-09-30 2022-03-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Komponente
DE102020212351A1 (de) 2020-09-30 2022-03-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Mikrospiegel-Array für eine beleuchtungsoptische Komponente einer Projektionsbelichtungsanlage
DE102020212569A1 (de) 2020-10-06 2021-12-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie
DE102020212927A1 (de) 2020-10-14 2022-04-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Abstützung eines optischen elements
DE102020213416A1 (de) 2020-10-23 2021-10-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage mit einer Heizvorrichtung und einem Polarisator
DE102020213837A1 (de) 2020-11-04 2021-08-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel-Vorrichtung
DE102020215906A1 (de) 2020-12-15 2022-06-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Dämpfungseinrichtung, optische Baugruppe und Projektionsbelichtungsanlage
DE102021200114A1 (de) 2021-01-08 2021-12-30 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegelprojektionsoptik, Verfahren zur Überprüfung eines optischen Elements, optisches Element und Lithografiesystem
DE102021212993A1 (de) 2021-01-08 2022-07-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Messung einer Absorption einer elektromagnetischen Strahlung durch ein optisches Element, Vorrichtung zur Messung einer Umformungseigenschaft eines optischen Elements und Lithografiesystem
DE102021200113A1 (de) 2021-01-08 2022-07-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Vorrichtung, Verfahren zur Steuerung einer optischen Vorrichtung, Computerprogrammprodukt und Lithografiesystem
DE102021101523B3 (de) 2021-01-25 2021-10-14 Carl Zeiss IQS Deutschland GmbH Vorrichtung zur Herstellung einer klebenden Verbindung zwischen Bauteilen eines Lithografiesytems, Verfahren zur Herstellung einer klebenden Verbindung zwischen Bauteilen eines Lithografiesystems und Lithografiesystem
DE102021213096A1 (de) 2021-01-28 2022-07-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum herstellen eines mechanischen systems für eine lithographieanlage
DE102021201001A1 (de) 2021-02-03 2022-08-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optischen Elements, Vorrichtung zur Herstellung eines optischen Elements, optisches Element und Lithografiesystem
DE102021201203A1 (de) 2021-02-09 2022-08-11 Carl Zeiss Smt Gmbh System und projektionsbelichtungsanlage
DE102021201257A1 (de) 2021-02-10 2021-12-30 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung eines Spektrums einer Strahlung, Computerprogrammprodukt und Lithografiesystem
DE102021201396A1 (de) 2021-02-15 2022-08-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Herstellung eines mehrteiligen Spiegels einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie
DE102021201689A1 (de) 2021-02-23 2022-08-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Baugruppe, Verfahren zur Deformation eines optischen Elements und Projektionsbelichtungsanlage
DE102021202502B4 (de) 2021-03-15 2023-01-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Verändern einer Form einer Oberfläche eines Objekts
DE102021202769A1 (de) 2021-03-22 2022-09-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Baugruppe sowie Verfahren zu deren Herstellung, Verfahren zur Deformation eines optischen Elements und Projektionsbelichtungsanlage
DE102021202770A1 (de) 2021-03-22 2022-03-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Erzeugung eines Plasmas und Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie
DE102021202802B3 (de) 2021-03-23 2022-03-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage mit einer Vorrichtung zur Bestimmung der Konzentration von atomarem Wasserstoff
DE102021202849A1 (de) 2021-03-24 2022-01-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie
DE102021202909A1 (de) 2021-03-25 2022-09-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Messvorrichtung zum interferometrischen Vermessen einer Oberflächenform
DE102021202911A1 (de) 2021-03-25 2022-09-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Messvorrichtung zum interferometrischen Vermessen einer Oberflächenform
DE102021203475A1 (de) 2021-04-08 2022-10-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Spiegels einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie
DE102021203721A1 (de) 2021-04-15 2022-10-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Aktuator-sensor-vorrichtung und lithographieanlage
DE102021203723A1 (de) 2021-04-15 2022-04-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Verbindungsanordnung, projektionsbelichtungsanlage und verfahren
DE102022108541A1 (de) 2021-04-23 2022-10-27 Carl Zeiss Jena Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Beprobungselementes und Beprobungselement
DE102022200726A1 (de) 2021-04-23 2022-10-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Bestimmung einer Reflexionseigenschaft eines zu untersuchenden optischen Elements, Vorrichtung zur Bestimmung einer Reflexionseigenschaft eines zu untersuchenden optischen Elements, Computerprogrammprodukt und Lithografiesystem
DE102021204265A1 (de) 2021-04-29 2022-11-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zu Reinigung einer Oberfläche eines Elementes und Reinigungsvorrichtung
DE102021204582B3 (de) 2021-05-06 2022-07-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system und projektionsbelichtungsanlage
DE102021205104A1 (de) 2021-05-19 2022-03-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage mit deformierbarem Element und Verfahren zur Herstellung eines Elements
DE102021205149B3 (de) 2021-05-20 2022-07-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Qualifizierung eines Facettenspiegels
DE102021205278B4 (de) 2021-05-21 2023-05-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Einstellbarer Abstandshalter, Optisches System, Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren
DE102021205425A1 (de) 2021-05-27 2022-12-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Optikvorrichtung, Verfahren zur Einstellung einer Soll-Deformation und Lithografiesystem
DE102021205426A1 (de) 2021-05-27 2022-12-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Optikvorrichtung, Verfahren zur Einstellung einer Soll-Deformation und Lithografiesystem
DE102021205368A1 (de) 2021-05-27 2022-12-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Komponente für eine Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie und Verfahren zur Auslegung der Komponente
DE102021205809B3 (de) 2021-06-09 2022-08-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Verschraubung eines Aktuator-Sensor-Moduls einer Projektionsbelichtungsanlage
DE102022203929A1 (de) 2021-06-16 2022-12-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung zur Positionierung einer ersten Komponente eines optischen Systems, Komponente eines optischen Systems, optische Einrichtung und Lithografiesystem
DE102021206427A1 (de) 2021-06-22 2022-12-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie
DE102022115356A1 (de) 2021-06-24 2022-12-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung zur Temperierung eines Bauteils
DE102022204833A1 (de) 2021-07-02 2023-01-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, lithographieanlage und verfahren zum herstellen eines optischen systems
DE102021206953A1 (de) 2021-07-02 2022-06-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, lithographieanlage und verfahren zum betreiben eines optischen systems
DE102021207522A1 (de) 2021-07-15 2023-01-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Beschichtung einer Komponente für eine Projektionsbelichtungsanlage und Komponente einer Projektionsbelichtungsanlage
DE102021208562A1 (de) 2021-08-06 2023-02-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Temperaturmessvorrichtung, lithographieanlage und verfahren zum messen einer temperatur
DE102021208563A1 (de) 2021-08-06 2022-09-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und verfahren zum bestimmen einer temperatur in einer lithographieanlage
DE102021208628A1 (de) 2021-08-09 2023-02-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Abstützung eines optischen elements
DE102021208664A1 (de) 2021-08-10 2023-02-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel für eine Projektionsbelichtungsanlage der Mikrolithographie
DE102021120747A1 (de) 2021-08-10 2023-02-16 Carl Zeiss Sms Ltd. Verfahren zur Entfernung eines Partikels von einem Maskensystem
DE102021208801B3 (de) 2021-08-11 2022-08-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zur Auslegung einer Klebstoffschicht
DE102021208843A1 (de) 2021-08-12 2023-02-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie mit einem Verbindungselement
DE102021208879A1 (de) 2021-08-13 2023-02-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches element, projektionsoptik und projektionsbelichtungsanlage
DE102021209099A1 (de) 2021-08-19 2023-02-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system und projektionsbelichtungsanlage
DE102021209098A1 (de) 2021-08-19 2022-05-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Schutzschlauch und projektionsbelichtungsanlage
DE102022121000B4 (de) 2021-08-23 2024-03-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegelanordnung für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage mit einer Schutzvorrichtung zum Schutz der optischen Wirkfläche und EUV-Projektionsbelichtungsanlage
DE102022204387A1 (de) 2021-08-24 2023-03-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung einer zu reinigenden Oberfläche, Element für die Lithografie und/oder Halbleiterindustrie und Lithografiesystem
DE102021210103B3 (de) 2021-09-14 2023-03-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren, optisches system und projektionsbelichtungsanlage
DE102021210104A1 (de) 2021-09-14 2022-07-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, projektionsbelichtungsanlage und verfahren
DE102021210470B3 (de) 2021-09-21 2023-01-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie
DE102021210577A1 (de) 2021-09-23 2023-03-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, projektionsbelichtungsanlage und verfahren
DE102021210708A1 (de) 2021-09-24 2022-11-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Dosiervorrichtung und verfahren zum herstellen einer lithographieanlage
DE102022205758A1 (de) 2021-10-07 2023-04-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system und verfahren
DE102021211626A1 (de) 2021-10-14 2023-04-20 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Mehrfachspiegelanordnung
DE102021211619A1 (de) 2021-10-14 2023-04-20 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV- Mehrfachspiegelanordnung
DE102021212394A1 (de) 2021-11-03 2023-05-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, lithographieanlage und verfahren
DE102021212553A1 (de) 2021-11-08 2023-05-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, lithographieanlage und verfahren
DE102022210796A1 (de) 2021-11-11 2023-05-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Initialisierung einer Komponente einer Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie
DE102021212971A1 (de) 2021-11-18 2023-05-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, projektionsbelichtungsanlage und verfahren
DE102021213168A1 (de) 2021-11-23 2023-05-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren
DE102021213441A1 (de) 2021-11-29 2022-09-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum herstellen eines optischen systems
DE102021213458A1 (de) 2021-11-30 2022-08-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie
DE102021213610A1 (de) 2021-12-01 2023-06-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren, optisches system, testgerät und anordnung
DE102021213612A1 (de) 2021-12-01 2023-06-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, testgerät, lithographieanlage, anordnung und verfahren
DE102021213864A1 (de) 2021-12-07 2022-07-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Schutz einer Klebstoffverbindung
DE102021214139A1 (de) 2021-12-10 2023-06-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage mit einem Korrekturermittlungsmodul
DE102021214665A1 (de) 2021-12-20 2022-12-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie mit einer Temperierstruktur
DE102021214981A1 (de) 2021-12-23 2023-06-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und trockenvorrichtung
DE102022200205B3 (de) 2022-01-11 2022-11-24 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zur Entfernung von Fremdkörpern
DE102022200264A1 (de) 2022-01-12 2022-12-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung zur Verkippung eines Spiegels, optisches Bauelement, optische Baugruppe, Verfahren zur Verkippung eines Spiegels, Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung zur Verkippung eines Spiegels und EUV-Projektionsbelichtungsanlage
DE102022200277A1 (de) 2022-01-13 2023-01-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren, Vorrichtung, Präparationsverfahren und Präparationsvorrichtung zur Herstellung eines Grundkörpers, Grundkörper, optisches Element und Lithografiesystem
DE102022213100A1 (de) 2022-01-13 2023-07-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Aktuator-/sensor-vorrichtung, optikmodul und lithographieanlage
DE102022200400A1 (de) 2022-01-14 2022-06-30 Carl Zeiss Smt Gmbh Verbindung von komponenten einer optischen einrichtung
DE102022213113A1 (de) 2022-01-18 2023-07-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Überwachung einer Justageeinstellung, interferometrische Messvorrichtung, Hologrammvorrichtung und Lithografiesystem
DE102022212378A1 (de) 2022-01-24 2023-07-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung zur Aufnahme und Kühlung eines Optikkörpers, Verfahren zur Herstellung eines Optikkörpers, Kühlverfahren zur Kühlung eines Optikkörpers, optisches Element und Lithografiesystem
DE102022211909A1 (de) 2022-01-25 2023-07-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, lithographieanlage und verfahren zum betreiben eines optischen systems
DE102022201007A1 (de) 2022-01-31 2022-11-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung zur Verbindung wenigstens einer ersten und einer zweiten Modulkomponente, Modul eines Lithografiesystems, optisches Element und Lithografiesystem
DE102022200976A1 (de) 2022-01-31 2023-01-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Kalibrierkörper und Verfahren zur Kalibrierung
DE102023200212A1 (de) 2022-02-01 2023-08-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zur Manipulation von Schwingungen
DE102022201304A1 (de) 2022-02-08 2023-01-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Bestimmung des Endes einer Aufwärmphase eines optischen Elementes
DE102022201301A1 (de) 2022-02-08 2023-08-10 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Projektionsbelichtungsanlage mit einer Heizvorrichtung
DE102023200336A1 (de) 2022-02-08 2023-08-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie mit einem Verbindungselement
DE102022212721A1 (de) 2022-02-16 2023-08-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren
DE102023201200A1 (de) 2022-03-01 2023-09-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie
DE102022202116A1 (de) 2022-03-02 2023-02-23 Carl Zeiss Smt Gmbh System und projektionsbelichtungsanlage
DE102022202241A1 (de) 2022-03-04 2023-03-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system und projektionsbelichtungsanlage
DE102022202355A1 (de) 2022-03-09 2023-02-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Mikrospiegelbaugruppe, Herstellungsverfahren zur Herstellung einer Mikrospiegelbaugruppe und Verfahren zum Verkippen einer Spiegelfläche
DE102023201812A1 (de) 2022-03-09 2023-09-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Lösen einer Klebstoffverbindung
DE102022202424A1 (de) 2022-03-10 2023-03-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Prüfsystem zur Analyse von Dichtungssystemen
DE102023201828A1 (de) 2022-03-14 2023-09-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Steckeraufnahme, Heizvorrichtung und Projektionsbelichtungsanlage
DE102023201560A1 (de) 2022-03-21 2023-09-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Bauteil und projektionsbelichtungsanlage
DE102022202938A1 (de) 2022-03-24 2023-09-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Anordnung und projektionsbelichtungsanlage
DE102022202989A1 (de) 2022-03-25 2023-09-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Optikvorrichtung, Verfahren zur Messung einer Ist-Verkippung einer optischen Oberfläche eines optischen Elements und Lithografiesystem
DE102022203150A1 (de) 2022-03-31 2023-01-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Optikvorrichtung, Verfahren zur Erfassung einer Temperaturverteilung und Lithografiesystem
DE102022203298A1 (de) 2022-04-01 2023-10-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur chemischen Bearbeitung einer Oberfläche
DE102022203257A1 (de) 2022-04-01 2023-10-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Ansteuervorrichtung, optisches system, lithographieanlage und verfahren
DE102022203254B3 (de) 2022-04-01 2023-03-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Wasserführendes system, projektionsbelichtungsanlage und messvorrichtung
DE102022203299A1 (de) 2022-04-01 2023-10-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Überprüfung der Qualität einer Verschraubung
DE102022203255A1 (de) 2022-04-01 2023-10-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Ansteuervorrichtung, optisches system und lithographieanlage
DE102022203369A1 (de) 2022-04-05 2023-10-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Anordnung, Verfahren und Computerprogrammprodukt zur Kalibrierung von Facettenspiegeln
WO2023194220A1 (en) 2022-04-06 2023-10-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Device and method for aligning two components
DE102022203393A1 (de) 2022-04-06 2023-10-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Ausrichtung von zwei Komponenten
DE102022208738A1 (de) 2022-08-24 2024-02-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Ausrichtung von zwei Komponenten
DE102022203433A1 (de) 2022-04-06 2023-10-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Verbindung von komponenten einer optischen einrichtung
DE102022203438B4 (de) 2022-04-06 2023-12-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Anordnung, optisches Modul, optische Abbildungseinrichtung und -verfahren, Verfahren zum Abstützen eines optischen Elements, mit aktiv verkippbarem optischem Element
DE102022203758A1 (de) 2022-04-13 2023-10-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Verbindung von komponenten einer optischen einrichtung
DE102022203745A1 (de) 2022-04-13 2022-09-15 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Kollektor für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage
DE102022203881A1 (de) 2022-04-20 2023-04-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Leiterplatte für ein optisches system, optisches system, lithographieanlage und verfahren zum herstellen einer leiterplatte für ein optisches system
DE102022203999A1 (de) 2022-04-26 2022-07-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Kalibrierung einer diffraktiven Messstruktur, Vorrichtung zur Kalibrierung einer diffraktiven Messstruktur und Lithografiesystem
DE102022204098A1 (de) 2022-04-27 2023-11-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithografie
DE102022204095A1 (de) 2022-04-27 2023-11-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Vermessen einer Beleuchtungswinkelverteilung auf einem Objektfeld sowie Beleuchtungsoptik mit einer hierüber vorgegebenen Beleuchtungskanal-Zuordnung
DE102022204044A1 (de) 2022-04-27 2023-11-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Abstützung von komponenten einer optischen einrichtung
DE102022204268A1 (de) 2022-04-29 2023-11-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Bauteil für eine Lithographieanlage
DE102022204580A1 (de) 2022-05-11 2023-04-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum herstellen oder betreiben eines spiegels in einer lithographieanlage
DE102022204643A1 (de) 2022-05-12 2023-11-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, lithographieanlage mit einem optischen system und verfahren zum herstellen eines optischen systems
DE102022205227A1 (de) 2022-05-25 2023-04-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Optikvorrichtung, Verfahren zur Ermittlung einer Ist-Deformation, Verfahren zur Einstellung einer Solldeformation und Lithografiesystem
DE102023203580A1 (de) 2022-05-31 2023-11-30 Carl Zeiss Smt Gmbh Kühlmittelleitung zur Bereitstellung eines Fluids zur Temperierung von Bauteilen
DE102022214283A1 (de) 2022-06-07 2023-12-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System für eine Lithographieanlage und Lithographieanlage
DE102022205815A1 (de) 2022-06-08 2023-12-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Komponente für eine Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie und Projektionsbelichtungsanlage
DE102022206065B3 (de) 2022-06-15 2023-02-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, projektionsbelichtungsanlage und verfahren
DE102022206038A1 (de) 2022-06-15 2023-12-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Kompensation von Aktuatoreffekten von Aktuatoren
DE102022206110A1 (de) 2022-06-20 2023-12-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende EUV-Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld
DE102022206126A1 (de) 2022-06-20 2023-03-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Bauteil zum Einsatz in einer Projektionsbelichtungsanlage
DE102022206124A1 (de) 2022-06-20 2023-12-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und verfahren zum bearbeiten einer oberfläche eines optischen elements einer lithographieanlage
DE102022206112A1 (de) 2022-06-20 2023-12-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende EUV-Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld
DE102022206198A1 (de) 2022-06-21 2022-09-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Qualifizierung einer Komponente einer Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie
DE102023204960A1 (de) 2022-06-30 2024-01-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Betrieb eines Lithografiesystems und Lithografiesystem
DE102022116693A1 (de) 2022-07-05 2024-01-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Element mit schwingungsmindernden Abschnitten von Fluidleitungen und Verfahren zur Herstellung eines Grundkörpers eines optischen Elementes sowie Projektionsbelichtungsanlage
DE102022116695A1 (de) 2022-07-05 2024-01-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Grundkörper für ein optisches Element und Verfahren zur Herstellung eines Grundkörpers für ein optisches Element sowie Projektionsbelichtungsanlage
DE102022116694A1 (de) 2022-07-05 2024-01-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Grundkörpers eines optischen Elementes, Grundkörper sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie
DE102022116699A1 (de) 2022-07-05 2024-01-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Element und Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie
DE102022208286A1 (de) 2022-08-09 2024-02-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Grundkörpers für die Halbleiterlithografie, optisches Element und Projektionsbelichtungsanlage
DE102022116698B3 (de) 2022-07-05 2023-09-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie
DE102022116696A1 (de) 2022-07-05 2024-01-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Grundkörper für ein optisches Element mit einer Anbindungsgeometrie und Verfahren zur Herstellung eines Grundkörpers eines optischen Elementes sowie Projektionsbelichtungsanlage
WO2024008676A1 (de) 2022-07-05 2024-01-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur herstellung eines grundkörpers eines optischen elementes für die halbleiterlithografie, grundkörper, optisches element und projektionsbelichtungsanlage
DE102022206832A1 (de) 2022-07-05 2024-01-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum regeln einer position einer optischen komponente einer lithographieanlage
DE102022116700A1 (de) 2022-07-05 2024-01-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Baugruppe, Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie und Verfahren
DE102022207027A1 (de) 2022-07-11 2024-01-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und verfahren zur bereitstellung von sensordaten eines optischen systems, optisches system und lithographieanlage mit einem optischen system
DE102023206334A1 (de) 2022-07-11 2024-01-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Steuervorrichtung und optisches system
DE102022207123A1 (de) 2022-07-12 2024-01-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Zapfen für ein Spannsystem
DE102022207148A1 (de) 2022-07-13 2024-01-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie
DE102022207312A1 (de) 2022-07-18 2024-01-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system und projektionsbelichtungsanlage
DE102022207348A1 (de) 2022-07-19 2022-09-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und justierelementsatz
DE102023205175A1 (de) 2022-07-22 2024-01-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Bestimmen eines Gesamtschwerpunkts einer Verteilung von Lichtintensitäten
DE102022207545A1 (de) 2022-07-25 2023-04-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Komponente
DE102022207546B3 (de) 2022-07-25 2023-10-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel-Baugruppe, Beleuchtungsoptik, optisches System, Projektionsbelichtungsanlage, Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils sowie Bauteil
DE102022207555A1 (de) 2022-07-25 2024-01-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, lithographieanlage mit einem optischen system und verfahren zum herstellen eines optischen systems
DE102022207689A1 (de) 2022-07-27 2022-09-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren, Vorrichtung und Computerprogrammprodukt zur Identifikation von Kontaminationen bei Komponenten einer EUV-Lithografie-Anlage
DE102022207687A1 (de) 2022-07-27 2024-02-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Inspektion eines Bauteils, computerimplementiertes Verfahren und Lithografiesystem
DE102022207884B4 (de) 2022-07-29 2024-02-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Messvorrichtung, Verfahren zur interferometrischen Vermessung, Bearbeitungsverfahren, optisches Element und Lithografiesystem
DE102022208010A1 (de) 2022-08-03 2024-02-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Aufbringung eines Fluids und Komponente
DE102022208231B3 (de) 2022-08-08 2023-06-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Ansteuervorrichtung, optisches system und lithographieanlage
DE102022208204A1 (de) 2022-08-08 2023-08-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Kompensation von Abbildungsfehlern einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage
DE102022208206A1 (de) 2022-08-08 2024-02-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Stabilisierung einer Klebstoffverbindung einer optischen Baugruppe
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DE102023203506A1 (de) 2022-09-12 2024-03-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Vakuumkammer für Komponenten für die Halbleiterlithografie und Verfahren zur automatisierten Reinigung der Vakuumkammer
WO2024056600A1 (en) 2022-09-13 2024-03-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Method to adjust an illumination beam path within an illumination optics and illumination optics having an adjustment system
DE102023206503A1 (de) 2022-09-14 2024-03-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik
DE102022209852A1 (de) 2022-09-19 2022-11-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Thermische aktuatoranordnung
DE102022209791B3 (de) 2022-09-19 2023-07-06 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Kollektor für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage
DE102022209854A1 (de) 2022-09-20 2022-11-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Verbindungsanordnung
DE102023208854A1 (de) 2022-09-20 2024-03-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Kühlvorrichtung zum kühlen einer positionssensitiven komponente einer lithographieanlage
DE102022209868A1 (de) 2022-09-20 2024-03-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische baugruppe, optisches system und projektionsbelichtungsanlage
DE102022209922A1 (de) 2022-09-21 2023-09-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Reflektometervorrichtung, messanordnung, verfahren zum herstellen eines optischen referenzelements und verfahren zum vermessen einer probe einer lithographieanlage
DE102022210024A1 (de) 2022-09-22 2023-09-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Qualifizierung eines Computergenerierten Hologramms, Regularisierungsverfahren und Lithografiesystem
DE102022210035A1 (de) 2022-09-23 2024-03-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Führung von komponenten einer optischen einrichtung
DE102022210037A1 (de) 2022-09-23 2024-03-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Anordnung zum Tempern mindestens eines Teilbereichs eines optischen Elementes
DE102022210158A1 (de) 2022-09-26 2024-03-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Anordnung, Verfahren und Computerprogrammprodukt zur Kalibrierung von Facettenspiegeln
DE102022210132A1 (de) 2022-09-26 2022-12-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Komponente für eine Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie und Verfahren zur Herstellung der Komponente
DE102022210171A1 (de) 2022-09-27 2024-03-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches element, optisches system und projektionsbelichtungsanlage
DE102022210229A1 (de) 2022-09-27 2022-11-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Magnetsystem und Verfahren zur reibungsreduzierten Lagerung und/oder Lagebeeinflussung eines optischen Elements
DE102022210289A1 (de) 2022-09-28 2022-12-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Positionierung eines optischen Elements, Messvorrichtung zur Vermessung einer optischen Oberfläche und Lithografiesystem
DE102022210274A1 (de) 2022-09-28 2024-03-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Messvorrichtung und messverfahren zum messen einer in einem optischen system abfallenden spannung, optisches system und lithographieanlage
DE102022210356A1 (de) 2022-09-29 2022-11-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, lithographieanlage mit einem optischen system und verfahren zum herstellen eines optischen systems
DE102022125354A1 (de) 2022-09-30 2024-04-04 Asml Netherlands B.V. Kühlvorrichtung zum Kühlen einer positionssensitiven Komponente einer Lithographieanlage
DE102022211226A1 (de) 2022-10-24 2024-04-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie und Verfahren
DE102022211334A1 (de) 2022-10-26 2023-09-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Ansteuerung eines Aktuators und Aktuator
DE102023207047A1 (de) 2022-10-27 2024-05-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Kühlleitungsvorrichtung für eine lithographieanlage, lithographieanlage und verfahren zum steuern eines drucks einer kühlflüssigkeit in einer kühlleitung einer lithographieanlage
DE102023208302A1 (de) 2022-11-02 2024-05-02 Carl Zeiss Smt Gmbh System für eine lithographieanlage und lithographieanlage
DE102023208848A1 (de) 2022-11-07 2024-05-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem für eine lithographieanlage, lithographieanlage und verfahren zum betreiben eines beleuchtungssystems einer lithographieanlage
DE102022211696A1 (de) 2022-11-07 2024-05-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system und lithographieanlage mit einem optischen system
DE102022211799A1 (de) 2022-11-08 2022-12-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Manipulator, optisches system, projektionsbelichtungsanlage und verfahren
DE102023208851A1 (de) 2022-11-08 2024-05-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system und projektionsbelichtungsanlage
DE102022211875A1 (de) 2022-11-09 2024-05-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Korrektur lokaler Oberflächenerhebungen auf spiegelnden Oberflächen
DE102022212120A1 (de) 2022-11-15 2023-11-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und fasereinblasvorrichtung
DE102022212136A1 (de) 2022-11-15 2023-01-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Ermittlung von Bildfehlern hochauflösender Abbildungssysteme per Wellenfrontmessung
DE102022212167A1 (de) 2022-11-16 2023-09-14 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Quellen-Modul für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage
DE102022212168A1 (de) 2022-11-16 2024-05-16 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Optik-Modul für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage
DE102022212257A1 (de) 2022-11-17 2023-11-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Grundkörpers und Grundkörper mit einer Leichtbaustruktur sowie Projektionsbelichtungsanlage
DE102022212377A1 (de) 2022-11-21 2023-10-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Dichtungsvorrichtung, verfahren und verwendung
DE102022212463A1 (de) 2022-11-22 2024-05-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, lithographieanlage und verfahren zum betreiben eines optischen systems einer lithographieanlage
DE102022212537A1 (de) 2022-11-24 2024-05-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system, lithographieanlage mit einem optischen system und anordnung mit einem optischen system
WO2024120941A1 (en) 2022-12-09 2024-06-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Mirror socket, optical system and projection exposure apparatus
US20240192605A1 (en) 2022-12-13 2024-06-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Method for producing a mirror of a microlithographic projection exposure apparatus
DE102022213681A1 (de) 2022-12-15 2024-06-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Kühlvorrichtung für eine lithographieanlage
DE102022213752A1 (de) 2022-12-16 2023-02-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Interferometervorrichtung zur Vermessung einer Oberfläche, Verfahren zur interferometrischen Vermessung einer Oberfläche und Lithografiesystem
DE102022213810A1 (de) 2022-12-16 2023-02-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Überwachung einer Linse eines Lithografiesystems, Optikvorrichtung für ein Lithografiesystem und Lithografiesystem
DE102022213987A1 (de) 2022-12-20 2023-12-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Montage einer optischen Baugruppe, optische Baugruppe und Projektionsbelichtungsanlage
DE102022214184A1 (de) 2022-12-21 2024-06-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system und projektionsbelichtungsanlage
DE102023200146A1 (de) 2023-01-11 2023-03-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und justagesystem zur justage einer position eines facettenspiegels einer lithographieanlage
DE102023200329B3 (de) 2023-01-17 2024-05-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Baugruppe, Verfahren zur Montage der optischen Baugruppe und Projektionsbelichtungsanlage
DE102023200423A1 (de) 2023-01-20 2023-12-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Kühlvorrichtung für eine lithographieanlage, lithographieanlage und verfahren zum dämpfen einer druckschwankung einer flüssigkeit in einer flüssigkeitsleitung einer kühlvorrichtung einer lithographieanlage
DE102023201137A1 (de) 2023-02-13 2024-01-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Anordnung und Verfahren zum Schutz einer Klebstoffverbindung
DE102023201546B3 (de) 2023-02-22 2024-01-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Entschichten einer optischen Oberfläche, Vorrichtung zum Entschichten einer optischen Oberfläche und Lithografiesystem
DE102023201860A1 (de) 2023-03-01 2023-04-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Baugruppe und Verfahren zur Verbindung zweier Bauteile
DE102023201840A1 (de) 2023-03-01 2024-02-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Baugruppe für die Halbleitertechnik und Projektionsbelichtungsanlage
DE102023203830A1 (de) 2023-04-25 2024-03-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Distanzvorrichtung, optisches system, lithographieanlage und verfahren
DE102023203832A1 (de) 2023-04-25 2024-04-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system und projektionsbelichtungsanlage
DE102023203897A1 (de) 2023-04-27 2024-04-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum herstellen einer komponente einer lithographieanlage, komponente und lithographieanlage
DE102023204394A1 (de) 2023-05-11 2024-05-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Minimierung von Druckschwankungen und Projektionsbelichtungsanlage
DE102023205426A1 (de) 2023-06-12 2024-05-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Modul mit zwei Fügepartnern für eine Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie, Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren
DE102023205570A1 (de) 2023-06-14 2024-06-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system und projektionsbelichtungsanlage
DE102023205587A1 (de) 2023-06-15 2023-07-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Bauelement für die Halbleiterlithografie, Verfahren zum Herstellen eines Gelenkkörpers für einen Sensor eines Lithografiesystems und Lithografiesystem
DE102023116899A1 (de) 2023-06-27 2024-06-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Modul und Projektionsbelichtungsanlage
DE102023116898A1 (de) 2023-06-27 2024-06-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Modul und Projektionsbelichtungsanlage
DE102023206344A1 (de) 2023-07-04 2024-06-06 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches system und projektionsbelichtungsanlage
DE102023206565A1 (de) 2023-07-11 2024-05-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Wasserführendes system und projektionsbelichtungsanlage
DE102024200329A1 (de) 2024-01-15 2024-05-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Filtration eines Kühlschmiermittels, Bearbeitungseinrichtung sowie Lithografiesystem

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5237170A (en) * 1991-07-03 1993-08-17 Shatz Narkis E I Method and apparatus for non-imaging concentration and projection of electromagnetic radiation
US5430634A (en) * 1992-08-03 1995-07-04 Cogent Light Technologies, Inc. Concentrating and collecting optical system using concave toroidal reflectors
US5581605A (en) * 1993-02-10 1996-12-03 Nikon Corporation Optical element, production method of optical element, optical system, and optical apparatus
US5361292A (en) 1993-05-11 1994-11-01 The United States Of America As Represented By The Department Of Energy Condenser for illuminating a ring field
US5339346A (en) 1993-05-20 1994-08-16 At&T Bell Laboratories Device fabrication entailing plasma-derived x-ray delineation
US5677939A (en) 1994-02-23 1997-10-14 Nikon Corporation Illuminating apparatus
US5631721A (en) 1995-05-24 1997-05-20 Svg Lithography Systems, Inc. Hybrid illumination system for use in photolithography
US5512759A (en) 1995-06-06 1996-04-30 Sweatt; William C. Condenser for illuminating a ringfield camera with synchrotron emission light
US6007963A (en) * 1995-09-21 1999-12-28 Sandia Corporation Method for extreme ultraviolet lithography
US5815310A (en) 1995-12-12 1998-09-29 Svg Lithography Systems, Inc. High numerical aperture ring field optical reduction system
JP4238390B2 (ja) 1998-02-27 2009-03-18 株式会社ニコン 照明装置、該照明装置を備えた露光装置および該露光装置を用いて半導体デバイスを製造する方法
EP0955641B1 (de) 1998-05-05 2004-04-28 Carl Zeiss Beleuchtungssystem insbesondere für die EUV-Lithographie
US6118577A (en) * 1998-08-06 2000-09-12 Euv, L.L.C Diffractive element in extreme-UV lithography condenser
US6186632B1 (en) * 1998-12-31 2001-02-13 The Regents Of The University Of California Condenser for ring-field deep-ultraviolet and extreme-ultraviolet lithography
US6195201B1 (en) * 1999-01-27 2001-02-27 Svg Lithography Systems, Inc. Reflective fly's eye condenser for EUV lithography

Also Published As

Publication number Publication date
US7046338B2 (en) 2006-05-16
CA2296926A1 (en) 2000-07-26
US6573978B1 (en) 2003-06-03
KR20000071280A (ko) 2000-11-25
US20050008870A1 (en) 2005-01-13
US20030142283A1 (en) 2003-07-31
US6760095B2 (en) 2004-07-06
EP1024408A2 (en) 2000-08-02
EP1024408A3 (en) 2004-11-24
JP2000221406A (ja) 2000-08-11

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