DE102022202116A1

DE102022202116A1 - System und projektionsbelichtungsanlage

Info

Publication number: DE102022202116A1
Application number: DE102022202116.9A
Authority: DE
Inventors: Paul Büttner
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2022-03-02
Filing date: 2022-03-02
Publication date: 2023-02-23

Abstract

Ein System (100A, 100B, 100C) für eine Projektionsbelichtungsanlage (1), aufweisend eine feste Welt (104), eine Komponente (102), die mit der festen Welt (104) gekoppelt ist, und eine an der Komponente (102) angebrachte Dämpfungseinrichtung (106A, 106B) zum Dämpfen von Schwingungen der Komponente (102), wobei die Dämpfungseinrichtung (106A, 106B) ein Gehäuse (108) und einen in dem Gehäuse (108) aufgenommenen Füllstoff (112) aufweist.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein System für eine Projektionsbelichtungsanlage und eine Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen System.
Die Mikrolithographie wird zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise, angewendet. Der Mikrolithographieprozess wird mit einer Lithographieanlage durchgeführt, welche ein Beleuchtungssystem und ein Projektionssystem aufweist. Das Bild einer mittels des Beleuchtungssystems beleuchteten Maske (Retikel) wird hierbei mittels des Projektionssystems auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes und in der Bildebene des Projektionssystems angeordnetes Substrat, beispielsweise einen Siliziumwafer, projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen.
Getrieben durch das Streben nach immer kleineren Strukturen bei der Herstellung integrierter Schaltungen werden derzeit EUV-Lithographieanlagen (Engl.: Extreme Ultraviolet, EUV) entwickelt, welche Licht mit einer Wellenlänge im Bereich von 0,1 nm bis 30 nm, insbesondere 13,5 nm, verwenden. Bei solchen EUV-Lithographieanlagen müssen wegen der hohen Absorption der meisten Materialien von Licht dieser Wellenlänge reflektierende Optiken, das heißt Spiegel, anstelle von - wie bisher - brechenden Optiken, das heißt Linsen, eingesetzt werden.
Um die hohen Ansprüche an die geforderten Genauigkeiten in derartigen EUV-Lithographieanlagen gerecht werden zu können, spielt auch das dynamische Verhalten von Subkomponenten der EUV-Lithographieanlage eine große Rolle. Folglich können dynamische Anregungen sich auf angrenzende Komponenten übertragen und dabei schlimmstenfalls kritische Eigenfrequenzen anregen.
Um diese kritischen Eigenfrequenzen zu vermeiden, können unterschiedliche Lösungsansätze, wie beispielsweise Anpassungen der Steifigkeiten, Änderungen der Masse, sogenannte Schwingungstilger (Engl.: Tuned Mass Damper, TMD) oder dergleichen eingesetzt werden.
Je nach Anwendungsfall ist es leichter oder schwerer, eine passende Lösung unter Anbetracht aller vorliegenden Randbedingungen zu finden. Deshalb ist es wünschenswert, den vorhandenen Lösungsraum zu vergrößern, für den Fall, dass keine der bisher gängigen Lösungen angewendet werden kann, oder dadurch keine ausreichende Wirkung erzielt werden kann.
Vor diesem Hintergrund besteht eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, ein verbessertes System für eine Projektionsbelichtungsanlage bereitzustellen.
Demgemäß wird ein System für eine Projektionsbelichtungsanlage vorgeschlagen. Das System umfasst eine feste Welt, eine Komponente, die mit der festen Welt gekoppelt ist, und eine an der Komponente angebrachte Dämpfungseinrichtung zum Dämpfen von Schwingungen der Komponente, wobei die Dämpfungseinrichtung ein Gehäuse und einen in dem Gehäuse aufgenommenen Füllstoff aufweist.
Dadurch, dass die Dämpfungseinrichtung unmittelbar an der Komponente angebracht ist, ist es möglich, Schwingungen der Komponente, die beispielsweise aus einer externen Anregung resultieren, zu dämpfen.
Das System kann ein optisches System sein und somit auch als optisches System bezeichnet werden. Das System kann beispielsweise ein wie zuvor erläutertes Projektionssystem oder eine Projektionsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage, insbesondere einer EUV-Lithographieanlage, sein. Die feste Welt kann beispielsweise ein Tragrahmen (Engl.: Force Frame) der Projektionsoptik sein. Die feste Welt kann jedoch auch ein beliebiges anderes Bauteil der Projektionsbelichtungsanlage sein. Die feste Welt kann auch eine weitere Komponente sein und auch als solche bezeichnet werden. „Fest“ bedeutet in diesem Zusammenhang insbesondere bezüglich der Komponente unbeweglich.
Die Komponente kann beispielsweise ein Spiegel, insbesondere ein Spiegelmodul, ein Facettenträger, eine sogenannte Actuation Sensor Unit (ASU) zur Ausrichtung von Facetten, insbesondere von Feldfacetten, oder ein beliebiges anderes Bauteil der Projektionsbelichtungsanlage sein. Die Komponente kann eine beliebige Geometrie aufweisen. Das System kann mehrere Komponenten aufweisen. Eine der Komponenten kann die zuvor erwähnte feste Welt sein.
Dass die Komponente mit der festen Welt „gekoppelt“ ist, bedeutet vorliegend insbesondere, dass die Komponente direkt mit der festen Welt verbunden sein kann. Alternativ kann die Komponente beispielsweise auch über die Dämpfungseinrichtung selbst an der festen Welt angebunden sein. Die Dämpfungseinrichtung ist dazu eingerichtet, beispielsweise bei einer externen Anregung der Komponente, eine Schwingungsamplitude derselben zu reduzieren. Insbesondere dämpft die Dämpfungseinrichtung Schwingungen der Komponente derart, dass eine Auslenkung der Komponente, nämlich eine Schwingungsamplitude, im Vergleich zu einem System ohne eine derartige Dämpfungseinrichtung verringert wird.
Das Gehäuse ist vorzugsweise fluiddicht. Unter einem „fluiddichten“ Gehäuse ist vorliegend insbesondere zu verstehen, dass weder Gase noch Flüssigkeiten von außen in das Gehäuse eindringen oder von innen aus dem Gehäuse austreten können. Dies hat zur Folge, dass für den Füllstoff auch Werkstoffe eingesetzt werden können, die unter Einwirkung von Beleuchtungsstrahlung, insbesondere EUV-Strahlung, ausgasen würden und so für einen Einsatz unter Beleuchtungsstrahlung grundsätzlich ungeeignet wären. Beispiele für derartige Werkstoffe sind Elastomere oder Flüssigkeiten.
Vorzugsweise ist der Füllstoff beweglich in dem Gehäuse aufgenommen. Dass der Füllstoff in dem Gehäuse „beweglich“ aufgenommen ist, bedeutet vorliegend insbesondere, dass der Füllstoff lose in dem Gehäuse liegt. Bei einer Bewegung des Gehäuses kann sich somit der Füllstoff in dem Gehäuse bewegen. Dies führt beispielsweise dazu, dass sich der Füllstoff bei einer Auslenkung der Komponente aufgrund seiner Massenträgheit zunächst nicht unmittelbar mit der Komponente mitbewegt. Dies resultiert in einer Energieumwandlung und damit zu einer Reduzierung der Schwingungsamplitude.
Der Füllstoff kann beispielsweise ein in dem Gehäuse aufgenommener Zylinder oder dergleichen sein. Der Füllstoff kann jedoch auch eine Vielzahl von Partikeln aufweisen und so als Schüttgut in dem Gehäuse aufgenommen sein. Ferner kann der Füllstoff auch eine Flüssigkeit sein. Der Füllstoff kann in dem Gehäuse auch derart aufgenommen sein, dass dieser keine Bewegung in dem Gehäuse ausführen kann. In diesem Fall ist ein Innenraum des Gehäuses vollständig mit dem Füllstoff ausgefüllt.
Gemäß einer Ausführungsform ist der Füllstoff pulverförmig oder flüssig.
Beispielsweise kann der Füllstoff ein Metallpulver sein. Der Füllstoff kann jedoch auch Sand, insbesondere Quarzsand, Glaskugeln, Gummipartikel, Kunststoffpartikel oder dergleichen umfassen. Der Füllstoff kann beispielsweise auch eine Mischung aus einer Flüssigkeit und einem Feststoff sein. Beispielsweise kann der Füllstoff ein Öl umfassen, in welchem Metallpartikel fein verteilt sind.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist der Füllstoff eine Vielzahl gleichmäßig oder ungleichmäßig geformter Partikel auf.
Der Füllstoff kann auch eine Mischung aus gleichmäßig geformten und ungleichmäßig geformten Partikeln umfassen. Gleichmäßig geformte Partikel umfassen beispielsweise Kugeln, Würfel, Quader, Zylinder oder Pyramiden. Ungleichmäßig geformte Partikel sind beispielsweise Sandkörner.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform sind die Partikel elastisch verformbar.
Hierzu sind die Partikel beispielsweise aus Gummi oder einem anderen geeigneten Elastomer gefertigt. Die Partikel können auch Bleipartikel sein. Durch die elastische Verformbarkeit sind die Partikel selbst geeignet, Energie umzuwandeln.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform umschließt das Gehäuse einen Innenraum, in dem der Füllstoff aufgenommen ist, wobei der Füllstoff maximal 80 %, bevorzugt maximal 70 %, weiter bevorzugt maximal 60 %, weiter bevorzugt maximal 50 %, eines Volumens des Innenraums ausfüllt, oder wobei der Füllstoff den Innenraum vollständig ausfüllt.
Der Innenraum kann gasgefüllt sein, beispielsweise mit Stickstoff. Alternativ kann der Innenraum auch evakuiert sein. Ein Füllgrad des Innenraums kann je nach Anwendungsfall angepasst werden. Für den Fall, dass der Füllstoff den Innenraum vollständig ausfüllt, ist das Gehäuse vollständig mit dem Füllstoff aufgefüllt. Ein Leerraum ist in diesem Fall nicht vorgesehen.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist die Komponente mit Hilfe der Dämpfungseinrichtung mit der festen Welt gekoppelt.
In diesem Fall ist die Dämpfungseinrichtung insbesondere zwischen der Komponente und der festen Welt angeordnet. Beispielsweise ist das Gehäuse der Dämpfungseinrichtung sowohl mit der Komponente als auch mit der festen Welt verbunden. Die Verbindung kann beispielsweise eine Klebverbindung, eine Schweißverbindung, eine Lötverbindung und/oder eine Schraubverbindung sein.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform sind zumindest zwei Dämpfungseinrichtungen vorgesehen, mit deren Hilfe die Komponente mit der festen Welt gekoppelt ist, wobei die Komponente zwischen den beiden Dämpfungseinrichtungen angeordnet ist.
Grundsätzlich ist die Anzahl der Dämpfungseinrichtungen beliebig. Es können beispielsweise auch drei, vier oder mehr als vier Dämpfungseinrichtungen vorgesehen sein. Beispielsweise sind die beiden Dämpfungseinrichtungen und die Komponente derart angeordnet, dass die Komponente zwischen den beiden Dämpfungseinrichtungen platziert ist. In diesem Fall verbindet jede der Dämpfungseinrichtungen die Komponente mit der festen Welt.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist die Komponente mit Hilfe eines Verbindungselements mit der festen Welt gekoppelt, wobei die Komponente zwischen dem Verbindungselement und der Dämpfungseinrichtung angeordnet ist.
Das Verbindungselement kann beispielsweise eine Verschraubung oder eine Schraubverbindung sein, die zwischen der Komponente und der festen Welt vorgesehen ist, um die Komponente mit der festen Welt zu verbinden. Wird die Komponente mit Schwingungen beaufschlagt, wird das Verbindungselement federelastisch verformt. Das Verbindungselement verbindet insbesondere einen ersten Endabschnitt der Komponente mit der festen Welt. An einem zweiten Endabschnitt, der dem ersten Endabschnitt abgewandt ist, ist die Dämpfungseinrichtung vorgesehen. Die Dämpfungseinrichtung ist somit direkt mit dem zweiten Endabschnitt der Komponente verbunden.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist das Gehäuse Teil der festen Welt und/oder der Komponente.
In diesem Fall kann das Gehäuse beispielsweise ein in der festen Welt und/oder in der Komponente vorgesehener Hohlraum sein, der mit Hilfe des Füllstoffs gefüllt ist. Beispielsweise kann die Dämpfungseinrichtung mit Hilfe eines additiven oder generativen Fertigungsverfahrens, wie beispielsweise dem selektiven Lasersintern (Engl.: Selective Laser Melting, SLM), hergestellt werden. Dabei ist es möglich, den Füllstoff in dem Gehäuse ohne unerwünschte Lufteinschlüsse einzuschließen. Auch die feste Welt und/oder die Komponente können in diesem Fall zumindest abschnittsweise mit Hilfe des additiven oder generativen Fertigungsverfahrens hergestellt sein.
Ferner wird eine Projektionsbelichtungsanlage mit zumindest einem derartigen System vorgeschlagen.
Die Projektionsbelichtungsanlage kann eine EUV-Lithographieanlage oder eine DUV-Lithographieanlage sein. EUV steht für „Extreme Ultraviolet“ und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts zwischen 0,1 nm und 30 nm. DUV steht für „Deep Ultraviolet“ und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts zwischen 30 nm und 250 nm.
„Ein“ ist vorliegend nicht zwingend als beschränkend auf genau ein Element zu verstehen. Vielmehr können auch mehrere Elemente, wie beispielsweise zwei, drei oder mehr, vorgesehen sein. Auch jedes andere hier verwendete Zählwort ist nicht dahingehend zu verstehen, dass eine Beschränkung auf genau die genannte Anzahl von Elementen gegeben ist. Vielmehr sind zahlenmäßige Abweichungen nach oben und nach unten möglich, soweit nichts Gegenteiliges angegeben ist.
Die für das System beschriebenen Ausführungsformen und Merkmale gelten für die vorgeschlagene Projektionsbelichtungsanlage entsprechend und umgekehrt.
Weitere mögliche Implementierungen der Erfindung umfassen auch nicht explizit genannte Kombinationen von zuvor oder im Folgenden bezüglich der Ausführungsbeispiele beschriebenen Merkmalen oder Ausführungsformen. Dabei wird der Fachmann auch Einzelaspekte als Verbesserungen oder Ergänzungen zu der jeweiligen Grundform der Erfindung hinzufügen.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen und Aspekte der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche sowie der im Folgenden beschriebenen Ausführungsbeispiele der Erfindung. Im Weiteren wird die Erfindung anhand von bevorzugten Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die beigelegten Figuren näher erläutert.

1 zeigt einen schematischen Meridionalschnitt einer Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Projektionslithographie;
2 zeigt eine schematische Schnittansicht einer Ausführungsform eines Systems für die Projektionsbelichtungsanlage gemäß 1;
3 zeigt eine schematische Schnittansicht einer weiteren Ausführungsform eines Systems für die Projektionsbelichtungsanlage gemäß 1; und
4 zeigt eine schematische Schnittansicht einer weiteren Ausführungsform eines Systems für die Projektionsbelichtungsanlage gemäß 1.

In den Figuren sind gleiche oder funktionsgleiche Elemente mit denselben Bezugszeichen versehen worden, soweit nichts Gegenteiliges angegeben ist. Ferner sollte beachtet werden, dass die Darstellungen in den Figuren nicht notwendigerweise maßstabsgerecht sind.
1 zeigt eine Ausführungsform einer Projektionsbelichtungsanlage 1 (Lithographieanlage), insbesondere einer EUV-Lithographieanlage. Eine Ausführung eines Beleuchtungssystems 2 der Projektionsbelichtungsanlage 1 hat neben einer Licht- beziehungsweise Strahlungsquelle 3 eine Beleuchtungsoptik 4 zur Beleuchtung eines Objektfeldes 5 in einer Objektebene 6. Bei einer alternativen Ausführung kann die Lichtquelle 3 auch als ein zum sonstigen Beleuchtungssystem 2 separates Modul bereitgestellt sein. In diesem Fall umfasst das Beleuchtungssystem 2 die Lichtquelle 3 nicht.
Belichtet wird ein im Objektfeld 5 angeordnetes Retikel 7. Das Retikel 7 ist von einem Retikelhalter 8 gehalten. Der Retikelhalter 8 ist über einen Retikelverlagerungsantrieb 9, insbesondere in einer Scanrichtung, verlagerbar.
In der 1 ist zur Erläuterung ein kartesisches Koordinatensystem mit einer x-Richtung x, einer y-Richtung y und einer z-Richtung z eingezeichnet. Die x-Richtung x verläuft senkrecht in die Zeichenebene hinein. Die y-Richtung y verläuft horizontal und die z-Richtung z verläuft vertikal. Die Scanrichtung verläuft in der 1 längs der y-Richtung y. Die z-Richtung z verläuft senkrecht zur Objektebene 6.
Die Projektionsbelichtungsanlage 1 umfasst eine Projektionsoptik 10. Die Projektionsoptik 10 dient zur Abbildung des Objektfeldes 5 in ein Bildfeld 11 in einer Bildebene 12. Die Bildebene 12 verläuft parallel zur Objektebene 6. Alternativ ist auch ein von 0° verschiedener Winkel zwischen der Objektebene 6 und der Bildebene 12 möglich.
Abgebildet wird eine Struktur auf dem Retikel 7 auf eine lichtempfindliche Schicht eines im Bereich des Bildfeldes 11 in der Bildebene 12 angeordneten Wafers 13. Der Wafer 13 wird von einem Waferhalter 14 gehalten. Der Waferhalter 14 ist über einen Waferverlagerungsantrieb 15 insbesondere längs der y-Richtung y verlagerbar. Die Verlagerung einerseits des Retikels 7 über den Retikelverlagerungsantrieb 9 und andererseits des Wafers 13 über den Waferverlagerungsantrieb 15 kann synchronisiert zueinander erfolgen.
Bei der Lichtquelle 3 handelt es sich um eine EUV-Strahlungsquelle. Die Lichtquelle 3 emittiert insbesondere EUV-Strahlung 16, welche im Folgenden auch als Nutzstrahlung, Beleuchtungsstrahlung oder Beleuchtungslicht bezeichnet wird. Die Nutzstrahlung 16 hat insbesondere eine Wellenlänge im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm. Bei der Lichtquelle 3 kann es sich um eine Plasmaquelle handeln, zum Beispiel um eine LPP-Quelle (Engl.: Laser Produced Plasma, mit Hilfe eines Lasers erzeugtes Plasma) oder um eine DPP-Quelle (Engl.: Gas Discharged Produced Plasma, mittels Gasentladung erzeugtes Plasma). Es kann sich auch um eine synchrotronbasierte Strahlungsquelle handeln. Bei der Lichtquelle 3 kann es sich um einen Freie-Elektronen-Laser (Engl.: Free-Electron-Laser, FEL) handeln.
Die Beleuchtungsstrahlung 16, die von der Lichtquelle 3 ausgeht, wird von einem Kollektor 17 gebündelt. Bei dem Kollektor 17 kann es sich um einen Kollektor mit einer oder mit mehreren ellipsoidalen und/oder hyperboloiden Reflexionsflächen handeln. Die mindestens eine Reflexionsfläche des Kollektors 17 kann im streifenden Einfall (Engl.: Grazing Incidence, GI), also mit Einfallswinkeln größer als 45°, oder im normalen Einfall (Engl.: Normal Incidence, NI), also mit Einfallwinkeln kleiner als 45°, mit der Beleuchtungsstrahlung 16 beaufschlagt werden. Der Kollektor 17 kann einerseits zur Optimierung seiner Reflektivität für die Nutzstrahlung und andererseits zur Unterdrückung von Falschlicht strukturiert und/oder beschichtet sein.
Nach dem Kollektor 17 propagiert die Beleuchtungsstrahlung 16 durch einen Zwischenfokus in einer Zwischenfokusebene 18. Die Zwischenfokusebene 18 kann eine Trennung zwischen einem Strahlungsquellenmodul, aufweisend die Lichtquelle 3 und den Kollektor 17, und der Beleuchtungsoptik 4 darstellen.
Die Beleuchtungsoptik 4 umfasst einen Umlenkspiegel 19 und diesem im Strahlengang nachgeordnet einen ersten Facettenspiegel 20. Bei dem Umlenkspiegel 19 kann es sich um einen planen Umlenkspiegel oder alternativ um einen Spiegel mit einer über die reine Umlenkungswirkung hinaus bündelbeeinflussenden Wirkung handeln. Alternativ oder zusätzlich kann der Umlenkspiegel 19 als Spektralfilter ausgeführt sein, der eine Nutzlichtwellenlänge der Beleuchtungsstrahlung 16 von Falschlicht einer hiervon abweichenden Wellenlänge trennt. Sofern der erste Facettenspiegel 20 in einer Ebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet ist, die zur Objektebene 6 als Feldebene optisch konjugiert ist, wird dieser auch als Feldfacettenspiegel bezeichnet. Der erste Facettenspiegel 20 umfasst eine Vielzahl von einzelnen ersten Facetten 21, welche auch als Feldfacetten bezeichnet werden können. Von diesen ersten Facetten 21 sind in der 1 nur beispielhaft einige dargestellt.
Die ersten Facetten 21 können als makroskopische Facetten ausgeführt sein, insbesondere als rechteckige Facetten oder als Facetten mit bogenförmiger oder teilkreisförmiger Randkontur. Die ersten Facetten 21 können als plane Facetten oder alternativ als konvex oder konkav gekrümmte Facetten ausgeführt sein.
Wie beispielsweise aus der DE 10 2008 009 600 A1 bekannt ist, können die ersten Facetten 21 selbst jeweils auch aus einer Vielzahl von Einzelspiegeln, insbesondere einer Vielzahl von Mikrospiegeln, zusammengesetzt sein. Der erste Facettenspiegel 20 kann insbesondere als mikroelektromechanisches System (MEMS-System) ausgebildet sein. Für Details wird auf die DE 10 2008 009 600 A1 verwiesen.
Zwischen dem Kollektor 17 und dem Umlenkspiegel 19 verläuft die Beleuchtungsstrahlung 16 horizontal, also längs der y-Richtung y.
Im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 4 ist dem ersten Facettenspiegel 20 nachgeordnet ein zweiter Facettenspiegel 22. Sofern der zweite Facettenspiegel 22 in einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet ist, wird dieser auch als Pupillenfacettenspiegel bezeichnet. Der zweite Facettenspiegel 22 kann auch beabstandet zu einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet sein. In diesem Fall wird die Kombination aus dem ersten Facettenspiegel 20 und dem zweiten Facettenspiegel 22 auch als spekularer Reflektor bezeichnet. Spekulare Reflektoren sind bekannt aus der US 2006/0132747 A1 , der EP 1 614 008 B1 und der US 6,573,978 .
Der zweite Facettenspiegel 22 umfasst eine Mehrzahl von zweiten Facetten 23. Die zweiten Facetten 23 werden im Falle eines Pupillenfacettenspiegels auch als Pupillenfacetten bezeichnet.
Bei den zweiten Facetten 23 kann es sich ebenfalls um makroskopische Facetten, die beispielsweise rund, rechteckig oder auch hexagonal berandet sein können, oder alternativ um aus Mikrospiegeln zusammengesetzte Facetten handeln. Diesbezüglich wird ebenfalls auf die DE 10 2008 009 600 A1 verwiesen.
Die zweiten Facetten 23 können plane oder alternativ konvex oder konkav gekrümmte Reflexionsflächen aufweisen.
Die Beleuchtungsoptik 4 bildet somit ein doppelt facettiertes System. Dieses grundlegende Prinzip wird auch als Wabenkondensor (Engl.: Fly's Eye Integrator) bezeichnet.
Es kann vorteilhaft sein, den zweiten Facettenspiegel 22 nicht exakt in einer Ebene, welche zu einer Pupillenebene der Projektionsoptik 10 optisch konjugiert ist, anzuordnen. Insbesondere kann der zweite Facettenspiegel 22 gegenüber einer Pupillenebene der Projektionsoptik 10 verkippt angeordnet sein, wie es zum Beispiel in der DE 10 2017 220 586 A1 beschrieben ist.
Mit Hilfe des zweiten Facettenspiegels 22 werden die einzelnen ersten Facetten 21 in das Objektfeld 5 abgebildet. Der zweite Facettenspiegel 22 ist der letzte bündelformende oder auch tatsächlich der letzte Spiegel für die Beleuchtungsstrahlung 16 im Strahlengang vor dem Objektfeld 5.
Bei einer weiteren, nicht dargestellten Ausführung der Beleuchtungsoptik 4 kann im Strahlengang zwischen dem zweiten Facettenspiegel 22 und dem Objektfeld 5 eine Übertragungsoptik angeordnet sein, die insbesondere zur Abbildung der ersten Facetten 21 in das Objektfeld 5 beiträgt. Die Übertragungsoptik kann genau einen Spiegel, alternativ aber auch zwei oder mehr Spiegel aufweisen, welche hintereinander im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet sind. Die Übertragungsoptik kann insbesondere einen oder zwei Spiegel für senkrechten Einfall (NI-Spiegel, Normal Incidence Spiegel) und/oder einen oder zwei Spiegel für streifenden Einfall (GI-Spiegel, Gracing Incidence Spiegel) umfassen.
Die Beleuchtungsoptik 4 hat bei der Ausführung, die in der 1 gezeigt ist, nach dem Kollektor 17 genau drei Spiegel, nämlich den Umlenkspiegel 19, den ersten Facettenspiegel 20 und den zweiten Facettenspiegel 22.
Bei einer weiteren Ausführung der Beleuchtungsoptik 4 kann der Umlenkspiegel 19 auch entfallen, so dass die Beleuchtungsoptik 4 nach dem Kollektor 17 dann genau zwei Spiegel aufweisen kann, nämlich den ersten Facettenspiegel 20 und den zweiten Facettenspiegel 22.
Die Abbildung der ersten Facetten 21 mittels der zweiten Facetten 23 beziehungsweise mit den zweiten Facetten 23 und einer Übertragungsoptik in die Objektebene 6 ist regelmäßig nur eine näherungsweise Abbildung.
Die Projektionsoptik 10 umfasst eine Mehrzahl von Spiegeln Mi, welche gemäß ihrer Anordnung im Strahlengang der Projektionsbelichtungsanlage 1 durchnummeriert sind.
Bei dem in der 1 dargestellten Beispiel umfasst die Projektionsoptik 10 sechs Spiegel M1 bis M6. Alternativen mit vier, acht, zehn, zwölf oder einer anderen Anzahl an Spiegeln Mi sind ebenso möglich. Bei der Projektionsoptik 10 handelt es sich um eine doppelt obskurierte Optik. Der vorletzte Spiegel M5 und der letzte Spiegel M6 haben jeweils eine Durchtrittsöffnung für die Beleuchtungsstrahlung 16. Die Projektionsoptik 10 hat eine bildseitige numerische Apertur, die größer ist als 0,5 und die auch größer sein kann als 0,6 und die beispielsweise 0,7 oder 0,75 betragen kann.
Reflexionsflächen der Spiegel Mi können als Freiformflächen ohne Rotationssymmetrieachse ausgeführt sein. Alternativ können die Reflexionsflächen der Spiegel Mi als asphärische Flächen mit genau einer Rotationssymmetrieachse der Reflexionsflächenform gestaltet sein. Die Spiegel Mi können, genauso wie die Spiegel der Beleuchtungsoptik 4, hochreflektierende Beschichtungen für die Beleuchtungsstrahlung 16 aufweisen. Diese Beschichtungen können als Multilayer-Beschichtungen, insbesondere mit alternierenden Lagen aus Molybdän und Silizium, gestaltet sein.
Die Projektionsoptik 10 hat einen großen Objekt-Bildversatz in der y-Richtung y zwischen einer y-Koordinate eines Zentrums des Objektfeldes 5 und einer y-Koordinate des Zentrums des Bildfeldes 11. Dieser Objekt-Bild-Versatz in der y-Richtung y kann in etwa so groß sein wie ein z-Abstand zwischen der Objektebene 6 und der Bildebene 12.
Die Projektionsoptik 10 kann insbesondere anamorphotisch ausgebildet sein. Sie weist insbesondere unterschiedliche Abbildungsmaßstäbe Bx, By in x- und y-Richtung x, y auf. Die beiden Abbildungsmaßstäbe Bx, By der Projektionsoptik 10 liegen bevorzugt bei (6x, By) = (+/- 0,25, /+- 0,125). Ein positiver Abbildungsmaßstab 6 bedeutet eine Abbildung ohne Bildumkehr. Ein negatives Vorzeichen für den Abbildungsmaßstab B bedeutet eine Abbildung mit Bildumkehr.
Die Projektionsoptik 10 führt somit in x-Richtung x, das heißt in Richtung senkrecht zur Scanrichtung, zu einer Verkleinerung im Verhältnis 4:1.
Die Projektionsoptik 10 führt in y-Richtung y, das heißt in Scanrichtung, zu einer Verkleinerung von 8:1.
Andere Abbildungsmaßstäbe sind ebenso möglich. Auch vorzeichengleiche und absolut gleiche Abbildungsmaßstäbe in x- und y-Richtung x, y, zum Beispiel mit Absolutwerten von 0,125 oder von 0,25, sind möglich.
Die Anzahl von Zwischenbildebenen in der x- und in der y-Richtung x, y im Strahlengang zwischen dem Objektfeld 5 und dem Bildfeld 11 kann gleich sein oder kann, je nach Ausführung der Projektionsoptik 10, unterschiedlich sein. Beispiele für Projektionsoptiken mit unterschiedlichen Anzahlen derartiger Zwischenbilder in x- und y-Richtung x, y sind bekannt aus der US 2018/0074303 A1 .
Jeweils eine der zweiten Facetten 23 ist genau einer der ersten Facetten 21 zur Ausbildung jeweils eines Beleuchtungskanals zur Ausleuchtung des Objektfeldes 5 zugeordnet. Es kann sich hierdurch insbesondere eine Beleuchtung nach dem Köhlerschen Prinzip ergeben. Das Fernfeld wird mit Hilfe der ersten Facetten 21 in eine Vielzahl an Objektfeldern 5 zerlegt. Die ersten Facetten 21 erzeugen eine Mehrzahl von Bildern des Zwischenfokus auf den diesen jeweils zugeordneten zweiten Facetten 23.
Die ersten Facetten 21 werden jeweils von einer zugeordneten zweiten Facette 23 einander überlagernd zur Ausleuchtung des Objektfeldes 5 auf das Retikel 7 abgebildet. Die Ausleuchtung des Objektfeldes 5 ist insbesondere möglichst homogen. Sie weist vorzugsweise einen Uniformitätsfehler von weniger als 2 % auf. Die Felduniformität kann über die Überlagerung unterschiedlicher Beleuchtungskanäle erreicht werden.
Durch eine Anordnung der zweiten Facetten 23 kann geometrisch die Ausleuchtung der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 definiert werden. Durch Auswahl der Beleuchtungskanäle, insbesondere der Teilmenge der zweiten Facetten 23, die Licht führen, kann die Intensitätsverteilung in der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 eingestellt werden. Diese Intensitätsverteilung wird auch als Beleuchtungssetting oder Beleuchtungspupillenfüllung bezeichnet.
Eine ebenfalls bevorzugte Pupillenuniformität im Bereich definiert ausgeleuchteter Abschnitte einer Beleuchtungspupille der Beleuchtungsoptik 4 kann durch eine Umverteilung der Beleuchtungskanäle erreicht werden.
Im Folgenden werden weitere Aspekte und Details der Ausleuchtung des Objektfeldes 5 sowie insbesondere der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 beschrieben.
Die Projektionsoptik 10 kann insbesondere eine homozentrische Eintrittspupille aufweisen. Diese kann zugänglich sein. Sie kann auch unzugänglich sein.
Die Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 lässt sich regelmäßig mit dem zweiten Facettenspiegel 22 nicht exakt ausleuchten. Bei einer Abbildung der Projektionsoptik 10, welche das Zentrum des zweiten Facettenspiegels 22 telezentrisch auf den Wafer 13 abbildet, schneiden sich die Aperturstrahlen oftmals nicht in einem einzigen Punkt. Es lässt sich jedoch eine Fläche finden, in welcher der paarweise bestimmte Abstand der Aperturstrahlen minimal wird. Diese Fläche stellt die Eintrittspupille oder eine zu ihr konjugierte Fläche im Ortsraum dar. Insbesondere zeigt diese Fläche eine endliche Krümmung.
Es kann sein, dass die Projektionsoptik 10 unterschiedliche Lagen der Eintrittspupille für den tangentialen und für den sagittalen Strahlengang aufweist. In diesem Fall sollte ein abbildendes Element, insbesondere ein optisches Bauelement der Übertragungsoptik, zwischen dem zweiten Facettenspiegel 22 und dem Retikel 7 bereitgestellt werden. Mit Hilfe dieses optischen Elements kann die unterschiedliche Lage der tangentialen Eintrittspupille und der sagittalen Eintrittspupille berücksichtigt werden.
Bei der in der 1 dargestellten Anordnung der Komponenten der Beleuchtungsoptik 4 ist der zweite Facettenspiegel 22 in einer zur Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 konjugierten Fläche angeordnet. Der erste Facettenspiegel 20 ist verkippt zur Objektebene 6 angeordnet. Der erste Facettenspiegel 20 ist verkippt zu einer Anordnungsebene angeordnet, die vom Umlenkspiegel 19 definiert ist. Der erste Facettenspiegel 20 ist verkippt zu einer Anordnungsebene angeordnet, die vom zweiten Facettenspiegel 22 definiert ist.
2 zeigt eine schematische Schnittansicht einer Ausführungsform eines Systems 100A. Das System 100A kann ein optisches System sein oder als solches bezeichnet werden. Das System 100A kann eine Beleuchtungsoptik 4 oder eine Projektionsoptik 10 beziehungsweise Teil einer Beleuchtungsoptik 4 oder einer Projektionsoptik 10 sein. Das System 100A ist Teil der Projektionsbelichtungsanlage 1. Die Projektionsbelichtungsanlage 1 kann mehrere Systeme 100A umfassen.
Das System 100A umfasst eine Komponente 102 einer wie zuvor erläuterten Projektionsbelichtungsanlage 1. Die Komponente 102 kann beispielsweise einer der Spiegel 19, 20, 22, M1 bis M6, insbesondere ein Spiegelmodul, ein Facettenträger, eine sogenannte Actuation Sensor Unit (ASU) zur Ausrichtung von wie zuvor erwähnten Facetten 21, 22, insbesondere von Feldfacetten, oder ein beliebiges anderes Bauteil der Projektionsbelichtungsanlage 1 sein. Die Komponente 102 kann eine beliebige Geometrie aufweisen. In der 2 ist die Komponente 102 sehr stark schematisiert dargestellt. Die Komponente 102 kann aus mehreren Subkomponenten oder Bauteilen aufgebaut sein.
Dem System 100A ist eine feste Welt 104 zugeordnet. „Fest“ bedeutet in diesem Zusammenhang unbeweglich bezüglich der Komponente 102. Die feste Welt 104 kann beispielsweise ein Tragrahmen (Engl.: Force Frame) der Projektionsoptik 10 sein. Die feste Welt 104 kann jedoch auch ein beliebiges anderes Bauteil der Projektionsbelichtungsanlage 1 sein. Die Komponente 102 ist mit Hilfe einer Dämpfungseinrichtung 106A an die feste Welt 104 angebunden. Die Dämpfungseinrichtung 106A ist somit zwischen der festen Welt 104 und der Komponente 102 angeordnet. Die feste Welt 104 kann auch eine wie zuvor erwähnte Komponente 102 sein.
Es können mehrere Dämpfungseinrichtungen 106A vorgesehen sein. Das heißt, dass die Komponente 102 mit Hilfe mehrerer Dämpfungseinrichtungen 106A an die feste Welt 104 angebunden sein kann. Nachfolgend wird jedoch auf nur eine Dämpfungseinrichtung 106A eingegangen. Die Komponente 102 kann fest mit der Dämpfungseinrichtung 106A verbunden sein, welche wiederum fest mit der festen Welt 104 verbunden ist.
Die Dämpfungseinrichtung 106A umfasst ein fluiddichtes Gehäuse 108. Unter „fluiddicht“ ist vorliegend zu verstehen, dass weder Gase oder Flüssigkeiten in das Gehäuse 108 eindringen noch aus diesem austreten können. Das Gehäuse 108 ist bevorzugt zylinderförmig. Das Gehäuse 108 kann jedoch auch kugelförmig, quaderförmig oder würfelförmig sein. Das Gehäuse 108 kann grundsätzlich jede beliebige Geometrie aufweisen.
Das Gehäuse 108 ist mit der festen Welt 104 und der Komponente 102 verbunden und koppelt so die Komponente 102 an die feste Welt 104. Beispielsweise ist das Gehäuse 108 mit der festen Welt 104 und/oder der Komponente 102 verlötet, verschweißt, verklebt und/oder verschraubt.
Das Gehäuse 108 kann beispielsweise aus Stahl, insbesondere aus Edelstahl, oder aus einer Aluminiumlegierung gefertigt sein. Das Gehäuse 108 kann auch Teil der Komponente 102 oder der festen Welt 104 sein. Das Gehäuse 108 umschließt einen Innenraum 110. Der Innenraum 110 kann gasgefüllt sein, beispielsweise mit Stickstoff. Der Innenraum 110 kann jedoch auch evakuiert sein.
Der Innenraum 110 ist bevorzugt vollständig mit einem Füllstoff 112 gefüllt. „Vollständig gefüllt“ ist hierbei insbesondere derart zu verstehen, dass der gesamte Innenraum 110 mit dem Füllstoff 112 ausgefüllt ist. Zur vereinfachten Darstellung ist der Innenraum 110 in der 2 jedoch abweichend davon nur teilweise mit dem Füllstoff 112 gefüllt. Der Füllstoff 112 kann eine Vielzahl von Partikeln 114, 116 umfassen, von denen in der 2 nur zwei mit einem Bezugszeichen versehen sind.
Die Partikel 114, 116 können beispielsweise Sandkörner, Glaskugeln, Metallpartikel, Kunststoffpartikel, Bleipartikel, Gummipartikel oder dergleichen sein. Die Partikel 114, 116 können unregelmäßig oder regelmäßig geformt sein. Beispielsweise können die Partikel 114, 116 würfelförmig, kugelförmig, pyramidenförmig oder triangelförmig sein. Die Partikel 114, 116 können duktil sein. In diesem Fall sind die Partikel 114, 116 beispielsweise Gummipartikel. Der Füllstoff 112 ist staubförmig oder pulverförmig.
Der Füllstoff 112 kann jedoch auch flüssig oder pastös sein. Der Füllstoff 112 kann auch eine Suspension, das heißt ein Gemisch aus einer Flüssigkeit mit fein in der Flüssigkeit verteilten Festkörpern sein. Beispielsweise ist der Füllstoff 112 ein Gemisch aus einem Öl und einem Metallpulver. Der Füllstoff 112 kann auch blockförmig, beispielsweise in Form eines Gummizylinders oder Kunststoffzylinders, sein.
Im Betrieb des Systems 100A kann die Komponente 102 mit Schwingungen beaufschlagt sein. Dies ist in der 2 mit Hilfe eines Doppelpfeils 118 angedeutet. Die Dämpfungseinrichtung 106A ist dazu eingerichtet, diese Schwingungen zu dämpfen.
Wie zuvor erwähnt, ist das Gehäuse 108 mit dem Füllstoff 112 in Form eines Pulvers, wie beispielsweise Sand, Metallpulver oder anderen Materialien mit einer möglichst geringen Viskosität und somit einer hohen internen Reibung befüllt. Diese Reibung in dem Füllstoff 112 führt zu einer mechanischen Dämpfung der Schwingungen der Komponente 102. Am effektivsten ist diese Art der Dämpfung, wenn diese dort angewandt wird, wo die größten Biegungen auftreten, eben beispielsweise zwischen der schwingenden Komponente 102 und der festen Welt 104.
Diese Dämpfung funktioniert am besten, wenn der das Gehäuse 108 möglichst vollständig gefüllt ist. Als Herstellungsverfahren zum Herstellen der Dämpfungseinrichtung 106A eignen sich daher bevorzugt additive oder generative Fertigungsverfahren, wie beispielsweise das selektive Lasersintern (Engl.: Selective Laser Melting, SLM), weil dabei der Füllstoff 112 in dem Gehäuse 108 ohne unerwünschte Lufteinschlüsse eingeschlossen werden kann. Der Füllstoff 112 kann somit dicht gepackt in dem Gehäuse 108 aufgenommen sein.
Des Weiteren ist es bei der Anwendung eines additiven Herstellungsverfahrens auch möglich, das Gehäuse 108 und den Füllstoff 112 aus demselben Material zu fertigen. Der Füllstoff 112 weist dann den gleichen Wärmeausdehnungskoeffizienten wie das umhüllende Gehäuse 108 auf. Dadurch können thermalbedingte Belastungen auch bei Temperaturschwankungen geringgehalten werden.
3 zeigt eine schematische Schnittansicht einer weiteren Ausführungsform eines Systems 100B. Das System 100B unterscheidet sich von dem System 100A dadurch, dass bei dem System 100B die feste Welt 104 derart angeordnet ist, dass die Komponente 102 zwischen zwei Dämpfungseinrichtungen 106A platziert ist, welche wiederum die Komponente 102 an die feste Welt 104 ankoppeln.
4 zeigt eine schematische Schnittansicht einer weiteren Ausführungsform eines Systems 100C. Das System 100C unterscheidet sich von dem System 100A dadurch, dass bei dem System 100C die Komponente 102 nicht mit Hilfe einer wie zuvor erwähnten Dämpfungseinrichtung 106A, sondern mit Hilfe eines Verbindungselements 120 an die feste Welt 104 angebunden ist. Das Verbindungselement 120 ist somit zwischen der Komponente 102 und der festen Welt 104 angeordnet und verbindet die Komponente 102 mit der festen Welt 104.
Das Verbindungselement 120 weist einen geringeren Querschnitt als die Komponente 102 auf. Das heißt, dass das Verbindungselement 120 im Vergleich zu der Komponente 102 dünnwandiger ist. Das Verbindungselement 120 erfährt eine elastische Verformung, sobald die Komponente 102 mit Schwingungen beaufschlagt wird. Das Verbindungselement 120 kann eine Verschraubung oder eine Schraubverbindung sein. Das Verbindungselement 120 ist an einem ersten Endabschnitt 122 der Komponente 102 vorgesehen und verbindet den ersten Endabschnitt 122 mit der festen Welt 104.
An einem dem ersten Endabschnitt 122 abgewandten zweiten Endabschnitt 124 ist eine Dämpfungseinrichtung 106B angebracht. Die Komponente 102 ist somit zwischen dem Verbindungselement 120 und der Dämpfungseinrichtung 106B platziert. Es können mehrere Dämpfungseinrichtungen 106B vorgesehen sein.
Die Dämpfungseinrichtung 106B weist ein wie zuvor erwähntes Gehäuse 108 mit einem Innenraum 110 auf. Das Gehäuse 108 ist fest mit dem zweiten Endabschnitt 124 verbunden. Der Innenraum 110 ist teilweise mit einem wie zuvor erwähnten Füllstoff 112 gefüllt.
Die Dämpfungseinrichtung 106B unterscheidet sich von der Dämpfungseinrichtung 106A jedoch dadurch, dass der Füllstoff 112 den Innenraum 110 nicht vollständig ausfüllt. Beispielsweise nimmt der Füllstoff 112 maximal 80 %, bevorzugt maximal 70 %, weiter bevorzugt maximal 60 %, weiter bevorzugt maximal 50 %, eines Volumens des Innenraums 110 ein. Der Füllstoff 112 kann sich somit frei in dem Innenraum 110 bewegen. Es ergibt sich somit ein Leerraum in dem Gehäuse 108, um eine Verzögerung des vorzugsweise pulverförmigen Füllstoffs 112 bei einer schwingungsinduzierten Beschleunigung zu ermöglichen.
Mit Hilfe der Dämpfungseinrichtung 106B ist es möglich, die Eigenfrequenz der Komponente 102 zu beeinflussen. Dadurch, dass das Gehäuse 108 nicht vollständig mit dem Füllstoff 112 gefüllt ist, kann der Füllstoff 112 bei dynamischen Schwingungen eine Art verzögerten Impuls verursachen und dadurch destruktiv wirken. So können die Eigenmoden gedämpft und/oder verschoben werden. Durch die teilweise Füllung des Gehäuses 108 mit dem Füllstoff 112 ist es möglich, einen gegenüber der Schwingung zeitlich verschobenen Impuls zu erhalten.
Die Dämpfungseinrichtung 106B zeigt ihre größte Wirkung, wenn sie dort angebracht wird, wo für die kritischen Frequenzen die größten Amplituden auftreten. Durch die Masse, den Füllgrad, die Körnung des Füllstoffs 112 oder dergleichen können die Dämpfungseigenschaften beeinflusst werden. Da bei der Dämpfungseinrichtung 106B keine vollständige Füllung des Gehäuses 108 mit dem Füllstoff 112 erforderlich ist, können viele unterschiedliche Verfahren genutzt werden, um das Gehäuse 108 mit dem Füllstoff 112 zu befüllen und zu verschließen.
Obwohl die vorliegende Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen beschrieben wurde, ist sie vielfältig modifizierbar.
Bezugszeichenliste

1: Projektionsbelichtungsanlage
2: Beleuchtungssystem
3: Lichtquelle
4: Beleuchtungsoptik
5: Objektfeld
6: Objektebene
7: Retikel
8: Retikelhalter
9: Retikelverlagerungsantrieb
10: Projektionsoptik
11: Bildfeld
12: Bildebene
13: Wafer
14: Waferhalter
15: Waferverlagerungsantrieb
16: Beleuchtungsstrahlung
17: Kollektor
18: Zwischenfokusebene
19: Umlenkspiegel
20: erster Facettenspiegel
21: erste Facette
22: zweiter Facettenspiegel
23: zweite Facette
100A: System
100B: System
100C: System
102: Komponente
104: feste Welt
106A: Dämpfungseinrichtung
106B: Dämpfungseinrichtung
108: Gehäuse
110: Innenraum
112: Füllstoff
114: Partikel
116: Partikel
118: Doppelpfeil
120: Verbindungselement
122: Endabschnitt
124: Endabschnitt
M1: Spiegel
M2: Spiegel
M3: Spiegel
M4: Spiegel
M5: Spiegel
M6: Spiegel

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

DE 102008009600 A1 [0049, 0053]
US 20060132747 A1 [0051]
EP 1614008 B1 [0051]
US 6573978 [0051]
DE 102017220586 A1 [0056]
US 20180074303 A1 [0070]

Claims

System (100A, 100B, 100C) für eine Projektionsbelichtungsanlage (1), aufweisend eine feste Welt (104), eine Komponente (102), die mit der festen Welt (104) gekoppelt ist, und eine an der Komponente (102) angebrachte Dämpfungseinrichtung (106A, 106B) zum Dämpfen von Schwingungen der Komponente (102), wobei die Dämpfungseinrichtung (106A, 106B) ein Gehäuse (108) und einen in dem Gehäuse (108) aufgenommenen Füllstoff (112) aufweist.
System nach Anspruch 1, wobei der Füllstoff (112) pulverförmig oder flüssig ist.
System nach Anspruch 1 oder 2, wobei der Füllstoff (112) eine Vielzahl gleichmäßig oder ungleichmäßig geformter Partikel (114, 116) aufweist.
System nach Anspruch 3, wobei die Partikel (114, 116) elastisch verformbar sind.
System nach einem der Ansprüche 1-4, wobei das Gehäuse (108) einen Innenraum (110) umschließt, in dem der Füllstoff (112) aufgenommen ist, wobei der Füllstoff (112) maximal 80 %, bevorzugt maximal 70 %, weiter bevorzugt maximal 60 %, weiter bevorzugt maximal 50 %, eines Volumens des Innenraums (110) ausfüllt, oder wobei der Füllstoff (112) den Innenraum (110) vollständig ausfüllt.
System nach einem der Ansprüche 1-5, wobei die Komponente (102) mit Hilfe der Dämpfungseinrichtung (106A) mit der festen Welt (104) gekoppelt ist.
System nach Anspruch 6, wobei zumindest zwei Dämpfungseinrichtungen (106A) vorgesehen sind, mit deren Hilfe die Komponente (102) mit der festen Welt (104) gekoppelt ist, und wobei die Komponente (102) zwischen den beiden Dämpfungseinrichtungen (106A) angeordnet ist.
System nach einem der Ansprüche 1-5, wobei die Komponente (102) mit Hilfe eines Verbindungselements (120) mit der festen Welt (104) gekoppelt ist, und wobei die Komponente (102) zwischen dem Verbindungselement (120) und der Dämpfungseinrichtung (106B) angeordnet ist.
System nach einem der Ansprüche 1-8, wobei das Gehäuse (108) Teil der festen Welt (104) und/oder der Komponente (102) ist.
Projektionsbelichtungsanlage (1) mit einem System (100A, 100B, 100C) nach einem der Ansprüche 1-9.