DE102022210356A1

DE102022210356A1 - Optisches system, lithographieanlage mit einem optischen system und verfahren zum herstellen eines optischen systems

Info

Publication number: DE102022210356A1
Application number: DE102022210356.4A
Authority: DE
Inventors: Steffen Vaas
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2022-09-29
Filing date: 2022-09-29
Publication date: 2022-11-24

Abstract

Ein optisches System (100) für eine Lithographieanlage (1), wobei in einem bestimmten Bauraum (200) des optischen Systems (100) eine Leiterplattenstruktur (300) angeordnet ist, welche zumindest eine Mehrzahl N von gestapelten Leiterplattenbereichen (310) aufweist, wobei die gestapelten Leiterplattenbereiche (310) zumindest zwei unterschiedliche Querschnitte, zumindest zwei unterschiedliche Formen, zumindest zwei unterschiedliche Grundflächen und/oder zumindest zwei unterschiedliche Größen aufweisen.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein optisches System, eine Lithographieanlage mit einem derartigen optischen System und ein Verfahren zum Herstellen eines derartigen optischen Systems.
Die Mikrolithographie wird zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise, angewendet. Der Mikrolithographieprozess wird mit einer Lithographieanlage durchgeführt, welche ein Beleuchtungssystem und ein Projektionssystem aufweist. Das Bild einer mittels des Beleuchtungssystems beleuchteten Maske (Retikel) wird hierbei mittels des Projektionssystems auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes und in der Bildebene des Projektionssystems angeordnetes Substrat, beispielsweise einen Siliziumwafer, projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen.
Getrieben durch das Streben nach immer kleineren Strukturen bei der Herstellung integrierter Schaltungen werden derzeit EUV-Lithographieanlagen entwickelt, welche Licht mit einer Wellenlänge im Bereich von 0,1 nm bis 30 nm, insbesondere 13,5 nm, verwenden. Da die meisten Materialien Licht dieser Wellenlänge absorbieren, müssen bei solchen EUV-Lithographieanlagen reflektierende Optiken, das heißt Spiegel, anstelle von - wie bisher - brechenden Optiken, das heißt Linsen, eingesetzt werden.
In Lithographieanlagen ist eine Vielzahl von Aktor-/Sensor-Einrichtungen, wie Sensoren und Aktuatoren, verbaut. Im Allgemeinen ist eine Aktor-/Sensor-Einrichtung dazu geeignet, ein der Aktor-/Sensor-Einrichtung zugeordnetes optisches Element, wie beispielsweise einen Spiegel, zu verlagern und/oder einen Parameter des zugeordneten optischen Elements, wie eine Position des zugeordneten optischen Elements oder eine Temperatur des zugeordneten optischen Elements, zu erfassen. Zur Ansteuerung und Auswertung ist eine solche Aktor-/ Sensoreinrichtung mit einer integrierten Schaltung (IC; Integrated Circuit) elektrisch zu verbinden. Integrierte Schaltungen werden auf Leiterplatten (auch Leiterkarten genannt) bestückt, und die bestückten Leiterplatten werden in der Lithographieanlage verbaut. Allerdings ist der Bauraum in einer Lithographieanlage sehr beschränkt, und damit ist auch der Bauraum für die zu verbauende Leiterplatte mit den bestückten ICs beschränkt.
Solche Bauraumbeschränkungen für Leiterplatten herrschen insbesondere bei objektivnaher Elektronik, z.B. im Vakuumbereich von EUV-Lithographieanlagen.
Vor diesem Hintergrund besteht eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, ein verbessertes optisches System bereitzustellen.
Gemäß einem ersten Aspekt wird ein optisches System für eine Lithographieanlage vorgeschlagen, wobei in einem bestimmten Bauraum des optischen Systems eine Leiterplattenstruktur angeordnet ist, welche zumindest eine Mehrzahl N von gestapelten Leiterplattenbereichen aufweist, wobei die gestapelten Leiterplattenbereiche zumindest zwei unterschiedliche Querschnitte, zumindest zwei unterschiedliche Formen, zumindest zwei unterschiedliche Grundflächen und/oder zumindest zwei unterschiedliche Größen aufweisen.
Die Leiterplattenstruktur ist zur Ansteuerung einer Anzahl von Aktor-/SensorEinrichtungen eingerichtet und damit insbesondere mit diesen elektrisch verbunden. Folglich bildet die Leiterplattenstruktur insbesondere eine Ansteuerungselektronik für die Anzahl an Aktor-/Sensor-Einrichtungen aus.
In dem optischen System können beschränkte Bauräume, beschränkt insbesondere hinsichtlich des verfügbaren Volumens des Bauraums, existieren. Je nach dem vorhandenen Volumen des bestimmten Bauraums wird der Stapel von Leiterplattenbereichen so gebildet, dass eine Leiterplattenstruktur entsteht, welche optimal auf den jeweils bestimmten Bauraum angepasst ist. Hierzu haben die gestapelten Leiterplattenbereiche zumindest zwei unterschiedliche Querschnitte, zumindest zwei unterschiedliche Formen, zumindest zwei unterschiedliche Grundflächen und/oder zumindest zwei unterschiedliche Größen.
Insbesondere werden die unterschiedlichen Querschnitte, die unterschiedlichen Formen, die unterschiedlichen Grundflächen und/oder die unterschiedlichen Größen je nach vorhandenem Bauraum gewählt, so dass die Leiterplattenstruktur den vorhandenen Bauraum optimal ausnutzt. Die Grundfläche des jeweiligen Leiterplattenbereichs kann beispielsweise viereckig, sechseckig, achteckig oder zwölfeckig sein.
Wie ausgeführt, ist der bestimmte Bauraum für die Leiterplattenstruktur beschränkt und hat ein bestimmtes Volumen mit einer bestimmten Form. Je nach Applikation sind die Bauräume für unterschiedliche Leiterplattenstrukturen unterschiedlich. Damit bildet der bestimmte Bauraum eine Vorgabe für die Leiterplattenstruktur, insbesondere hinsichtlich der Anzahl der Leiterplattenbereiche des Stapels der Leiterplattenstruktur, deren Querschnitte und die Art der Stapelung. Der Stapel an Leiterplattenbereichen der Leiterplattenstruktur wird insbesondere so gewählt, dass er den vorhandenen Bauraum für die Leiterplattenstruktur optimal nutzt. Aus diesem Grund werden für unterschiedliche Applikationen, welche unterschiedliche Bauräume haben, unterschiedliche Stapel und damit unterschiedliche Leiterplattenstrukturen gebildet. Ein Beispiel ist die Pyramidenform der Leiterplattenstruktur für einen konischen Bauraum.
Das optische System ist bevorzugt eine Projektionsoptik der Lithographieanlage oder Projektionsbelichtungsanlage. Das optische System kann jedoch auch ein Beleuchtungssystem sein. Die Projektionsbelichtungsanlage kann eine EUV-Lithographieanlage sein. EUV steht für „Extreme Ultraviolet“ und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts zwischen 0,1 nm und 30 nm. Die Projektionsbelichtungsanlage kann auch eine DUV-Lithographieanlage sein. DUV steht für „Deep Ultraviolet“ und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts zwischen 30 nm und 465 nm. Die Leiterplattenstruktur kann auch als Leiterplatte, Leiterkarte oder PCB-Struktur (PCB; Printed Circuit Board) bezeichnet werden.
Gemäß einer Ausführungsform liegen die Schwerpunkte der gestapelten Leiterplattenbereiche auf einer gemeinsamen Achse. In Ausführungsformen ist es auch möglich, dass die Schwerpunkte der verschiedenen gestapelten Leiterplattenbereiche mit unterschiedlichen Querschnitten versetzt zueinander angeordnet sind.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform umfasst die Leiterplattenstruktur N gestapelte starre Leiterplattenbereiche, wobei jeweils zwei der starren Leiterplattenbereiche mittels eines biegsamen Leiterplattenbereichs verbunden sind.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform umfasst die Leiterplattenstruktur N gestapelte starre Leiterplattenbereiche, wobei jeweils zwei der starren Leiterplattenbereiche mittels eines Steckverbinders verbunden sind. Verbunden heißt vorliegend insbesondere mechanisch und elektrisch verbunden.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform umfasst das optische System ein Vakuumgehäuse. Dabei ist der bestimmte Bauraum innerhalb des Vakuumgehäuses angeordnet, gegenüber dem Vakuum des Vakuumgehäuses hermetisch abgeriegelt und steht unter einer Schutzatmosphäre. Folglich liegt der bestimmte Bauraum zwar innerhalb des Vakuumgehäuses, steht aber selbst unter einer Schutzatmosphäre, welche für die Leiterplattenstruktur mit ihren elektronischen Bauteilen optimiert ist. Daher ist der bestimmte Bauraum hermetisch gegenüber dem Vakuum des Vakuumgehäuses abgeriegelt.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist der bestimmte Bauraum ein konischer Bauraum. In Ausführungsformen sind beliebige Volumina für den bestimmten Bauraum möglich. Je nach Volumen des bestimmten Bauraums wird der Stapel an Leiterplattenbereichen gebildet.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist eine Kühlstruktur zwischen zwei der gestapelten Leiterplattenbereiche vorgesehen.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist eine jeweilige Kühlstruktur zwischen zwei jeweiligen gestapelten Leiterplattenbereichen vorgesehen.
Die Kühlstruktur umfasst oder ist gebildet durch eine Wärmeleitpaste oder eine metallbasierte, insbesondere kupferbasierte Struktur. Die Kühlstruktur stellt insbesondere eine thermale Anbindung zwischen mindestens einer elektronischen Komponente der Leiterplattenstruktur und einer Gehäuseaußenseite des bestimmten Bauraums her. Somit kann in oder an der Leiterplattenstruktur entstehende Wärme optimal abgeführt werden.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform hat die Leiterplattenstruktur die Form einer Pyramide. In alternativen Ausführungsformen hat die Leiterplattenstruktur die Form eines Prismas oder eines Kegels.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform umfasst jeder der Mehrzahl N von gestapelten Leiterplattenbereiche eine integrierte Schaltung, einen Logikbaustein, einen Prozessor, einen Analog-Digital-Wandler und/oder einen Digital-Analog-Wandler.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform umfasst zumindest einer der biegsamen Leiterplattenbereiche eine integrierte Schaltung, einen Logikbaustein, einen Prozessor, einen Analog-Digital-Wandler und/oder einen Digital-Analog-Wandler.
Durch die Verwendung des biegsamen Bauteils und insbesondere auch der Anordnung einer integrierten Schaltung (IC; Integrated Circuit) auf dem biegsamen Bereich der Leiterplattenstruktur wird die Flexibilität beim Einbau der integrierten Schaltung in der Lithographieanlage deutlich erhöht. Dies ist von besonderem Vorteil im Lichte der vorherrschenden Bauraumbeschränkungen in Lithographieanlagen.
Der biegsame Bereich der Leiterplattenstruktur kann auch als flexibler Bereich bezeichnet werden. Das biegsame Bauteil kann auch als flexibles Bauteil bezeichnet werden.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform umfasst das optische System ferner eine Anzahl von Aktor-/Sensor-Einrichtungen, wobei die Leiterplattenstruktur unter Verwendung zumindest einer Leiterbahn mit der Anzahl von Aktor-/Sensor-Einrichtungen verbunden ist.
Die jeweilige Aktor-/Sensor-Einrichtung ist beispielsweise ein Aktuator (oder Aktor) zum Aktuieren eines optischen Elements, ein Sensor zum Sensieren eines optischen Elements oder einer Umgebung in dem optischen System oder eine Aktor- und Sensor-Einrichtung zum Aktuieren und Sensieren in dem optischen System. Der Sensor ist beispielsweise ein Temperatursensor. Der Aktuator ist vorzugsweise ein den elektrostriktiven Effekt einsetzender Aktuator oder ein den piezoelektrischen Effekt einsetzender Aktuator, beispielsweise ein PMN-Aktuator (PMN; Blei-Magnesium-Niobate) oder ein PZT-Aktuator (PZT; Blei-Zirkonat-Titanate). Der Aktuator ist insbesondere dazu eingerichtet, ein optisches Element des optischen Systems zu aktuieren. Beispiele für ein solches optisches Element umfassen Linsen, Spiegel und adaptive Spiegel.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform umfasst das optisches System eine Anzahl von verlagerbaren optischen Elementen zur Führung von Strahlung in dem optischen System, wobei dem jeweiligen optischen Element zumindest eine der Aktor-/Sensor-Einrichtungen zugeordnet ist, wobei die jeweilige Aktor-/Sensor-Einrichtung zum Verlagern des zugeordneten optischen Elements und/oder zum Erfassen eines Parameters des zugeordneten optischen Elements, insbesondere einer Position des zugeordneten optischen Elements oder einer Temperatur im Bereich des zugeordneten optischen Elements, eingerichtet ist.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform hat das optische System ein Vakuumgehäuse, in welchem die Anzahl von Aktor-/Sensor-Einrichtungen und die optischen Elemente angeordnet sind, wobei der bestimmte Bauraum innerhalb des Vakuumgehäuses angeordnet ist, gegenüber dem Vakuum des Vakuumgehäuses hermetisch abgeriegelt ist und unter einer Schutzatmosphäre steht.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist das optische System als eine Beleuchtungsoptik oder als eine Projektionsoptik einer Lithographieanlage ausgebildet.
Gemäß einem zweiten Aspekt wird eine Lithographieanlage vorgeschlagen, welche ein optisches System gemäß dem ersten Aspekt oder gemäß einer der Ausführungsformen des ersten Aspekts aufweist.
Gemäß einem dritten Aspekt wird ein Verfahren zum Herstellen eines optischen Systems für eine Lithographieanlage vorgeschlagen. Das Verfahren umfasst ein Ermitteln einer Mehrzahl N von Leiterplattenbereichen mit unterschiedlichen Querschnitten, mit unterschiedlichen Formen, mit unterschiedlichen Grundflächen und/oder mit unterschiedlichen Größen für eine Leiterplattenstruktur und ein Stapeln der ermittelten N Leiterplattenbereiche zum Herstellen der Leiterplattenstruktur derart, dass die hergestellte Leiterplattenstruktur in einem bestimmten Bauraum des optischen Systems anordenbar ist.
Die für das vorgeschlagene optische System beschriebenen Ausführungsformen gelten für das vorgeschlagene Verfahren entsprechend und umgekehrt. Weiterhin gelten die Definitionen und Erläuterungen zu dem optischen System auch für das vorgeschlagene Verfahren entsprechend.
„Ein“ ist vorliegend nicht zwingend als beschränkend auf genau ein Element zu verstehen. Vielmehr können auch mehrere Elemente, wie beispielsweise zwei, drei oder mehr, vorgesehen sein. Auch jedes andere hier verwendete Zählwort ist nicht dahingehend zu verstehen, dass eine Beschränkung auf genau die genannte Anzahl von Elementen gegeben ist. Vielmehr sind zahlenmäßige Abweichungen nach oben und nach unten möglich, soweit nichts Gegenteiliges angegeben ist.
Weitere mögliche Implementierungen der Erfindung umfassen auch nicht explizit genannte Kombinationen von zuvor oder im Folgenden bezüglich der Ausführungsbeispiele beschriebenen Merkmalen oder Ausführungsformen. Dabei wird der Fachmann auch Einzelaspekte als Verbesserungen oder Ergänzungen zu der jeweiligen Grundform der Erfindung hinzufügen.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen und Aspekte der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche sowie der im Folgenden beschriebenen Ausführungsbeispiele der Erfindung. Im Weiteren wird die Erfindung anhand von bevorzugten Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die beigelegten Figuren näher erläutert.

1 zeigt einen schematischen Meridionalschnitt einer Projektionsbelichtungsanlage für eine EUV-Projektionslithographie;
2 zeigt eine schematische Darstellung einer ersten Ausführungsform einer Leiterplattenstruktur eines optischen Systems;
3 zeigt eine schematische Darstellung einer zweiten Ausführungsform einer Leiterplattenstruktur eines optischen Systems;
4 zeigt eine schematische Darstellung einer dritten Ausführungsform einer Leiterplattenstruktur eines optischen Systems vor dem Stapeln;
5 zeigt eine schematische Darstellung der dritten Ausführungsform nach 4 im gestapelten Zustand, und
6 zeigt eine schematische Darstellung einer Ausführungsform eines optischen Systems mit einer verbauten Leiterplattenstruktur; und
7 zeigt eine schematische Ansicht einer Ausführungsform eines Verfahrens zum Herstellen eines optischen Systems für eine Lithographieanlage.

In den Figuren sind gleiche oder funktionsgleiche Elemente mit denselben Bezugszeichen versehen worden, soweit nichts Gegenteiliges angegeben ist. Ferner sollte beachtet werden, dass die Darstellungen in den Figuren nicht notwendigerweise maßstabsgerecht sind.
1 zeigt eine Ausführungsform einer Projektionsbelichtungsanlage 1 (Lithographieanlage), insbesondere einer EUV-Lithographieanlage. Eine Ausführung eines Beleuchtungssystems 2 der Projektionsbelichtungsanlage 1 hat neben einer Licht- beziehungsweise Strahlungsquelle 3 eine Beleuchtungsoptik 4 zur Beleuchtung eines Objektfeldes 5 in einer Objektebene 6. Bei einer alternativen Ausführung kann die Lichtquelle 3 auch als ein zum sonstigen Beleuchtungssystem 2 separates Modul bereitgestellt sein. In diesem Fall umfasst das Beleuchtungssystem 2 die Lichtquelle 3 nicht.
Belichtet wird ein im Objektfeld 5 angeordnetes Retikel 7. Das Retikel 7 ist von einem Retikelhalter 8 gehalten. Der Retikelhalter 8 ist über einen Retikelverlagerungsantrieb 9, insbesondere in einer Scanrichtung, verlagerbar.
In der 1 ist zur Erläuterung ein kartesisches Koordinatensystem mit einer x-Richtung x, einer y-Richtung y und einer z-Richtung z eingezeichnet. Die x-Richtung x verläuft senkrecht in die Zeichenebene hinein. Die y-Richtung y verläuft horizontal und die z-Richtung z verläuft vertikal. Die Scanrichtung verläuft in der 1 längs der y-Richtung y. Die z-Richtung z verläuft senkrecht zur Objektebene 6.
Die Projektionsbelichtungsanlage 1 umfasst eine Projektionsoptik 10. Die Projektionsoptik 10 dient zur Abbildung des Objektfeldes 5 in ein Bildfeld 11 in einer Bildebene 12. Die Bildebene 12 verläuft parallel zur Objektebene 6. Alternativ ist auch ein von 0° verschiedener Winkel zwischen der Objektebene 6 und der Bildebene 12 möglich.
Abgebildet wird eine Struktur auf dem Retikel 7 auf eine lichtempfindliche Schicht eines im Bereich des Bildfeldes 11 in der Bildebene 12 angeordneten Wafers 13. Der Wafer 13 wird von einem Waferhalter 14 gehalten. Der Waferhalter 14 ist über einen Waferverlagerungsantrieb 15 insbesondere längs der y-Richtung y verlagerbar. Die Verlagerung einerseits des Retikels 7 über den Retikel - verlagerungsantrieb 9 und andererseits des Wafers 13 über den Waferverlagerungsantrieb 15 kann synchronisiert zueinander erfolgen.
Bei der Lichtquelle 3 handelt es sich um eine EUV-Strahlungsquelle. Die Lichtquelle 3 emittiert insbesondere EUV-Strahlung 16, welche im Folgenden auch als Nutzstrahlung, Beleuchtungsstrahlung oder Beleuchtungslicht bezeichnet wird. Die Nutzstrahlung 16 hat insbesondere eine Wellenlänge im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm. Bei der Lichtquelle 3 kann es sich um eine Plasmaquelle handeln, zum Beispiel um eine LPP-Quelle (Engl.: Laser Produced Plasma, mit Hilfe eines Lasers erzeugtes Plasma) oder um eine DPP-Quelle (Engl.: Gas Discharged Produced Plasma, mittels Gasentladung erzeugtes Plasma). Es kann sich auch um eine synchrotronbasierte Strahlungsquelle handeln. Bei der Lichtquelle 3 kann es sich um einen Freie-Elektronen-Laser (Engl.: Free-Electron-Laser, FEL) handeln.
Die Beleuchtungsstrahlung 16, die von der Lichtquelle 3 ausgeht, wird von einem Kollektor 17 gebündelt. Bei dem Kollektor 17 kann es sich um einen Kollektor mit einer oder mit mehreren ellipsoidalen und/oder hyperboloiden Reflexionsflächen handeln. Die mindestens eine Reflexionsfläche des Kollektors 17 kann im streifenden Einfall (Engl.: Grazing Incidence, GI), also mit Einfallswinkeln größer als 45°, oder im normalen Einfall (Engl.: Normal Incidence, NI), also mit Einfallwinkeln kleiner als 45°, mit der Beleuchtungsstrahlung 16 beaufschlagt werden. Der Kollektor 17 kann einerseits zur Optimierung seiner Reflektivität für die Nutzstrahlung und andererseits zur Unterdrückung von Falschlicht strukturiert und/oder beschichtet sein.
Nach dem Kollektor 17 propagiert die Beleuchtungsstrahlung 16 durch einen Zwischenfokus in einer Zwischenfokusebene 18. Die Zwischenfokusebene 18 kann eine Trennung zwischen einem Strahlungsquellenmodul, aufweisend die Lichtquelle 3 und den Kollektor 17, und der Beleuchtungsoptik 4 darstellen.
Die Beleuchtungsoptik 4 umfasst einen Umlenkspiegel 19 und diesem im Strahlengang nachgeordnet einen ersten Facettenspiegel 20. Bei dem Umlenkspiegel 19 kann es sich um einen planen Umlenkspiegel oder alternativ um einen Spiegel mit einer über die reine Umlenkungswirkung hinaus bündelbeeinflussenden Wirkung handeln. Alternativ oder zusätzlich kann der Umlenkspiegel 19 als Spektralfilter ausgeführt sein, der eine Nutzlichtwellenlänge der Beleuchtungsstrahlung 16 von Falschlicht einer hiervon abweichenden Wellenlänge trennt. Sofern der erste Facettenspiegel 20 in einer Ebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet ist, die zur Objektebene 6 als Feldebene optisch konjugiert ist, wird dieser auch als Feldfacettenspiegel bezeichnet. Der erste Facettenspiegel 20 umfasst eine Vielzahl von einzelnen ersten Facetten 21, welche auch als Feldfacetten bezeichnet werden können. Von diesen ersten Facetten 21 sind in der 1 nur beispielhaft einige dargestellt.
Die ersten Facetten 21 können als makroskopische Facetten ausgeführt sein, insbesondere als rechteckige Facetten oder als Facetten mit bogenförmiger oder teilkreisförmiger Randkontur. Die ersten Facetten 21 können als plane Facetten oder alternativ als konvex oder konkav gekrümmte Facetten ausgeführt sein.
Wie beispielsweise aus der DE 10 2008 009 600 A1 bekannt ist, können die ersten Facetten 21 selbst jeweils auch aus einer Vielzahl von Einzelspiegeln, insbesondere einer Vielzahl von Mikrospiegeln, zusammengesetzt sein. Der erste Facettenspiegel 20 kann insbesondere als mikroelektromechanisches System (MEMS-System) ausgebildet sein. Für Details wird auf die DE 10 2008 009 600 A1 verwiesen.
Zwischen dem Kollektor 17 und dem Umlenkspiegel 19 verläuft die Beleuchtungsstrahlung 16 horizontal, also längs der y-Richtung y.
Im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 4 ist dem ersten Facettenspiegel 20 nachgeordnet ein zweiter Facettenspiegel 22. Sofern der zweite Facettenspiegel 22 in einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet ist, wird dieser auch als Pupillenfacettenspiegel bezeichnet. Der zweite Facettenspiegel 22 kann auch beabstandet zu einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet sein. In diesem Fall wird die Kombination aus dem ersten Facettenspiegel 20 und dem zweiten Facettenspiegel 22 auch als spekularer Reflektor bezeichnet. Spekulare Reflektoren sind bekannt aus der US 2006/0132747 A1 , der EP 1 614 008 B1 und der US 6,573,978 .
Der zweite Facettenspiegel 22 umfasst eine Mehrzahl von zweiten Facetten 23. Die zweiten Facetten 23 werden im Falle eines Pupillenfacettenspiegels auch als Pupillenfacetten bezeichnet.
Bei den zweiten Facetten 23 kann es sich ebenfalls um makroskopische Facetten, die beispielsweise rund, rechteckig oder auch hexagonal berandet sein können, oder alternativ um aus Mikrospiegeln zusammengesetzte Facetten handeln. Diesbezüglich wird ebenfalls auf die DE 10 2008 009 600 A1 verwiesen.
Die zweiten Facetten 23 können plane oder alternativ konvex oder konkav gekrümmte Reflexionsflächen aufweisen.
Die Beleuchtungsoptik 4 bildet somit ein doppelt facettiertes System. Dieses grundlegende Prinzip wird auch als Wabenkondensor (Engl.: Fly's Eye Integrator) bezeichnet.
Es kann vorteilhaft sein, den zweiten Facettenspiegel 22 nicht exakt in einer Ebene, welche zu einer Pupillenebene der Projektionsoptik 10 optisch konjugiert ist, anzuordnen. Insbesondere kann der zweite Facettenspiegel 22 gegenüber einer Pupillenebene der Projektionsoptik 10 verkippt angeordnet sein, wie es zum Beispiel in der DE 10 2017 220 586 A1 beschrieben ist.
Mit Hilfe des zweiten Facettenspiegels 22 werden die einzelnen ersten Facetten 21 in das Objektfeld 5 abgebildet. Der zweite Facettenspiegel 22 ist der letzte bündelformende oder auch tatsächlich der letzte Spiegel für die Beleuchtungsstrahlung 16 im Strahlengang vor dem Objektfeld 5.
Bei einer weiteren, nicht dargestellten Ausführung der Beleuchtungsoptik 4 kann im Strahlengang zwischen dem zweiten Facettenspiegel 22 und dem Objektfeld 5 eine Übertragungsoptik angeordnet sein, die insbesondere zur Abbildung der ersten Facetten 21 in das Objektfeld 5 beiträgt. Die Übertragungsoptik kann genau einen Spiegel, alternativ aber auch zwei oder mehr Spiegel aufweisen, welche hintereinander im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet sind. Die Übertragungsoptik kann insbesondere einen oder zwei Spiegel für senkrechten Einfall (NI-Spiegel, Normal Incidence Spiegel) und/oder einen oder zwei Spiegel für streifenden Einfall (GI-Spiegel, Grazing Incidence Spiegel) umfassen.
Die Beleuchtungsoptik 4 hat bei der Ausführung, die in der 1 gezeigt ist, nach dem Kollektor 17 genau drei Spiegel, nämlich den Umlenkspiegel 19, den ersten Facettenspiegel 20 und den zweiten Facettenspiegel 22.
Bei einer weiteren Ausführung der Beleuchtungsoptik 4 kann der Umlenkspiegel 19 auch entfallen, so dass die Beleuchtungsoptik 4 nach dem Kollektor 17 dann genau zwei Spiegel aufweisen kann, nämlich den ersten Facettenspiegel 20 und den zweiten Facettenspiegel 22.
Die Abbildung der ersten Facetten 21 mittels der zweiten Facetten 23 beziehungsweise mit den zweiten Facetten 23 und einer Übertragungsoptik in die Objektebene 6 ist regelmäßig nur eine näherungsweise Abbildung.
Die Projektionsoptik 10 umfasst eine Mehrzahl von Spiegeln Mi, welche gemäß ihrer Anordnung im Strahlengang der Projektionsbelichtungsanlage 1 durchnummeriert sind.
Bei dem in der 1 dargestellten Beispiel umfasst die Projektionsoptik 10 sechs Spiegel M1 bis M6. Alternativen mit vier, acht, zehn, zwölf oder einer anderen Anzahl an Spiegeln Mi sind ebenso möglich. Bei der Projektionsoptik 10 handelt es sich um eine doppelt obskurierte Optik. Der vorletzte Spiegel M5 und der letzte Spiegel M6 haben jeweils eine Durchtrittsöffnung für die Beleuchtungsstrahlung 16. Die Projektionsoptik 10 hat eine bildseitige numerische Apertur, die größer ist als 0,5 und die auch größer sein kann als 0,6 und die beispielsweise 0,7 oder 0,75 betragen kann.
Reflexionsflächen der Spiegel Mi können als Freiformflächen ohne Rotationssymmetrieachse ausgeführt sein. Alternativ können die Reflexionsflächen der Spiegel Mi als asphärische Flächen mit genau einer Rotationssymmetrieachse der Reflexionsflächenform gestaltet sein. Die Spiegel Mi können, genauso wie die Spiegel der Beleuchtungsoptik 4, hochreflektierende Beschichtungen für die Beleuchtungsstrahlung 16 aufweisen. Diese Beschichtungen können als Multilayer-Beschichtungen, insbesondere mit alternierenden Lagen aus Molybdän und Silizium, gestaltet sein.
Die Projektionsoptik 10 hat einen großen Objekt-Bildversatz in der y-Richtung y zwischen einer y-Koordinate eines Zentrums des Objektfeldes 5 und einer y-Koordinate des Zentrums des Bildfeldes 11. Dieser Objekt-Bild-Versatz in der y-Richtung y kann in etwa so groß sein wie ein z-Abstand zwischen der Objektebene 6 und der Bildebene 12.
Die Projektionsoptik 10 kann insbesondere anamorphotisch ausgebildet sein. Sie weist insbesondere unterschiedliche Abbildungsmaßstäbe βx, βy in x- und y-Richtung x, y auf. Die beiden Abbildungsmaßstäbe βx, βy der Projektionsoptik 10 liegen bevorzugt bei (ßx, ßy) = (+/- 0,25, /+- 0,125). Ein positiver Abbildungsmaßstab β bedeutet eine Abbildung ohne Bildumkehr. Ein negatives Vorzeichen für den Abbildungsmaßstab 6 bedeutet eine Abbildung mit Bildumkehr.
Die Projektionsoptik 10 führt somit in x-Richtung x, das heißt in Richtung senkrecht zur Scanrichtung, zu einer Verkleinerung im Verhältnis 4:1.
Die Projektionsoptik 10 führt in y-Richtung y, das heißt in Scanrichtung, zu einer Verkleinerung von 8:1.
Andere Abbildungsmaßstäbe sind ebenso möglich. Auch vorzeichengleiche und absolut gleiche Abbildungsmaßstäbe in x- und y-Richtung x, y, zum Beispiel mit Absolutwerten von 0,125 oder von 0,25, sind möglich.
Die Anzahl von Zwischenbildebenen in der x- und in der y-Richtung x, y im Strahlengang zwischen dem Objektfeld 5 und dem Bildfeld 11 kann gleich sein oder kann, je nach Ausführung der Projektionsoptik 10, unterschiedlich sein. Beispiele für Projektionsoptiken mit unterschiedlichen Anzahlen derartiger Zwischenbilder in x- und y-Richtung x, y sind bekannt aus der US 2018/0074303 A1 .
Jeweils eine der zweiten Facetten 23 ist genau einer der ersten Facetten 21 zur Ausbildung jeweils eines Beleuchtungskanals zur Ausleuchtung des Objektfeldes 5 zugeordnet. Es kann sich hierdurch insbesondere eine Beleuchtung nach dem Köhlerschen Prinzip ergeben. Das Fernfeld wird mit Hilfe der ersten Facetten 21 in eine Vielzahl an Objektfeldern 5 zerlegt. Die ersten Facetten 21 erzeugen eine Mehrzahl von Bildern des Zwischenfokus auf den diesen jeweils zugeordneten zweiten Facetten 23.
Die ersten Facetten 21 werden jeweils von einer zugeordneten zweiten Facette 23 einander überlagernd zur Ausleuchtung des Objektfeldes 5 auf das Retikel 7 abgebildet. Die Ausleuchtung des Objektfeldes 5 ist insbesondere möglichst homogen. Sie weist vorzugsweise einen Uniformitätsfehler von weniger als 2 % auf. Die Felduniformität kann über die Überlagerung unterschiedlicher Beleuchtungskanäle erreicht werden.
Durch eine Anordnung der zweiten Facetten 23 kann geometrisch die Ausleuchtung der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 definiert werden. Durch Auswahl der Beleuchtungskanäle, insbesondere der Teilmenge der zweiten Facetten 23, die Licht führen, kann die Intensitätsverteilung in der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 eingestellt werden. Diese Intensitätsverteilung wird auch als Beleuchtungssetting oder Beleuchtungspupillenfüllung bezeichnet.
Eine ebenfalls bevorzugte Pupillenuniformität im Bereich definiert ausgeleuchteter Abschnitte einer Beleuchtungspupille der Beleuchtungsoptik 4 kann durch eine Umverteilung der Beleuchtungskanäle erreicht werden.
Im Folgenden werden weitere Aspekte und Details der Ausleuchtung des Objektfeldes 5 sowie insbesondere der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 beschrieben.
Die Projektionsoptik 10 kann insbesondere eine homozentrische Eintrittspupille aufweisen. Diese kann zugänglich sein. Sie kann auch unzugänglich sein.
Die Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 lässt sich regelmäßig mit dem zweiten Facettenspiegel 22 nicht exakt ausleuchten. Bei einer Abbildung der Projektionsoptik 10, welche das Zentrum des zweiten Facettenspiegels 22 telezentrisch auf den Wafer 13 abbildet, schneiden sich die Aperturstrahlen oftmals nicht in einem einzigen Punkt. Es lässt sich jedoch eine Fläche finden, in welcher der paarweise bestimmte Abstand der Aperturstrahlen minimal wird. Diese Fläche stellt die Eintrittspupille oder eine zu ihr konjugierte Fläche im Ortsraum dar. Insbesondere zeigt diese Fläche eine endliche Krümmung.
Es kann sein, dass die Projektionsoptik 10 unterschiedliche Lagen der Eintrittspupille für den tangentialen und für den sagittalen Strahlengang aufweist. In diesem Fall sollte ein abbildendes Element, insbesondere ein optisches Bauelement der Übertragungsoptik, zwischen dem zweiten Facettenspiegel 22 und dem Retikel 7 bereitgestellt werden. Mit Hilfe dieses optischen Elements kann die unterschiedliche Lage der tangentialen Eintrittspupille und der sagittalen Eintrittspupille berücksichtigt werden.
Bei der in der 1 dargestellten Anordnung der Komponenten der Beleuchtungsoptik 4 ist der zweite Facettenspiegel 22 in einer zur Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 konjugierten Fläche angeordnet. Der erste Facettenspiegel 20 ist verkippt zur Objektebene 6 angeordnet. Der erste Facettenspiegel 20 ist verkippt zu einer Anordnungsebene angeordnet, die vom Umlenkspiegel 19 definiert ist. Der erste Facettenspiegel 20 ist verkippt zu einer Anordnungsebene angeordnet, die vom zweiten Facettenspiegel 22 definiert ist.
2 zeigt eine schematische Darstellung einer ersten Ausführungsform einer Leiterplattenstruktur 300 eines optischen Systems 100 für eine Lithographieanlage oder Projektionsbelichtungsanlage 1, wie sie beispielsweise in 1 gezeigt ist. Außerdem kann die Leiterplattenstruktur 300 beispielweise auch in einer DUV-Lithographieanlage eingesetzt werden. Die Leiterplattenstruktur 300 bildet insbesondere eine Ansteuervorrichtung oder eine Ansteuerungselektronik zur Ansteuerung einer Anzahl von Aktor-/Sensor-Einrichtungen (siehe hierzu 6).
Die Leiterplattenstruktur 300 kann auch als Leiterplatte, Leiterkarte oder PCB-Struktur (PCB; Printed Circuit Board) bezeichnet werden. Die Leiterplattenstruktur 300 nach 2 umfasst eine Mehrzahl N von gestapelten Leiterplattenbereichen 310. Die gestapelten Leiterplattenbereiche 310 haben unterschiedliche Querschnitte. In der Ausführungsform nach 2 sind die Leiterplattenbereiche 310 derart gestapelt, dass sie die Form einer Pyramide bilden. Eine solche Pyramide als Leiterplattenstruktur 300 ist beispielsweise besonders geeignet, in einem konischen Bauraum 200 eingesetzt zu werden (siehe 6). In Ausführungsformen können die Leiterplattenbereiche 310 zusätzlich oder alternativ zumindest zwei unterschiedliche Formen, zumindest zwei unterschiedliche Grundflächen und/oder zumindest zwei unterschiedliche Größen haben.
In einem optischen System 100 können beschränkte Bauräume 200, beschränkt insbesondere hinsichtlich des verfügbaren Volumens des Bauraums 200, existieren, wie beispielsweise ein konischen Bauraum 200. Je nach dem vorhandenen Volumen des jeweiligen bestimmten Bauraums 200 kann der Stapel von Leiterplattenbereichen 310 derart gebildet werden, so dass eine Leiterplattenstruktur 300 entsteht, welche optimal auf den jeweils bestimmten Bauraum 200 angepasst ist. Ohne Einschränkung der Allgemeinheit ist N = 3 in 2. Auch deutlich größere Werte für N sind denkbar. In dem Beispiel der 2 liegen die Schwerpunkte der drei Leiterplattenbereiche 310 auf einer gemeinsamen Achse. In Ausführungsformen ist es auch möglich, dass die Schwerpunkte der verschiedenen Leiterplattenbereiche 310 mit unterschiedlichen Querschnitten versetzt zueinander angeordnet sind.
Der bestimmte Bauraum 200 für die Leiterplattenstruktur 300 ist beschränkt und hat ein bestimmtes Volumen mit einer bestimmten Form. Je nach Applikation sind die Bauräume 200 für unterschiedliche Leiterplattenstrukturen 300 unterschiedlich. Damit bildet der bestimmte Bauraum 200 eine Vorgabe für die Leiterplattenstruktur 300, insbesondere hinsichtlich der Anzahl der Leiterplattenbereiche 310 der Leiterplattenstruktur 300, deren Querschnitte und die Art der Stapelung. Der Stapel an Leiterplattenbereichen 310 der Leiterplattenstruktur 300 wird insbesondere so gewählt, dass er den vorhandenen Bauraum 200 für die Leiterplattenstruktur 300 optimal nutzt. Aus diesem Grund werden für unterschiedliche Applikationen, welche unterschiedliche Bauräume 200 haben, unterschiedliche Stapel und damit unterschiedliche Leiterplattenstrukturen 300 gebildet. Ein Beispiel ist die Pyramidenform der Leiterplattenstruktur 300 für einen konischen Bauraum 200.
Wie oben ausgeführt, umfassen die gestapelten Leiterplattenbereiche 310 zumindest zwei unterschiedliche Querschnitte, zumindest zwei unterschiedliche Formen, zumindest zwei unterschiedliche Grundflächen und/oder zumindest zwei unterschiedliche Größen. Wie bereits ausgeführt, werden die unterschiedlichen Querschnitte, die unterschiedlichen Formen, die unterschiedlichen Grundflächen und/oder die unterschiedlichen Größen je nach vorhandenem Bauraum 200 gewählt, so dass die Leiterplattenstruktur 300 den vorhandenen Bauraum 200 optimal ausnutzen kann.
Beispielsweise hat die Leiterplattenstruktur 300 N gestapelte starre Leiterplattenbereiche 310. Dabei sind beispielsweise jeweils zwei der starren Leiterplattenbereiche 310 mittels eines Steckverbinders (nicht gezeigt) verbunden. Verbunden heißt vorliegend insbesondere mechanisch und elektrisch verbunden. Vorzugsweise umfasst jeder der gestapelten Leiterplattenbereiche 310 eine integrierte Schaltung (IC; Integrated Circuit), einen Logikbaustein, einen Prozessor, einen Analog-Digital-Wandler und/oder einen Digital-Analog-Wandler.
3 zeigt eine schematische Darstellung einer zweiten Ausführungsform einer Leiterplattenstruktur 300 eines optischen Systems 100 für eine Lithographieanlage oder Projektionsbelichtungsanlage 1, wie sie beispielsweise in 1 gezeigt ist.
Die zweite Ausführungsform nach 3 umfasst alle Merkmale der ersten Ausführungsform nach 2. Darüber hinaus hat die Leiterplattenstruktur 300 nach 3 eine jeweilige Kühlstruktur 330 zwischen zwei jeweiligen gestapelten Leiterplattenbereichen 310. Mit anderen Worten ist insbesondere über einem jeden Leiterplattenbereich 310 der Leiterplattenstruktur 300 eine Kühlstruktur 330 vorgesehen. Die Kühlstruktur ist zur Wärmeableitung geeignet und umfasst oder ist gebildet durch eine Wärmeleitpaste oder eine metallbasierte Struktur. Beispielsweise ist die metallbasierte Struktur eine kupferbasierte Struktur.
Ferner zeigen die 4 und 5 schematische Darstellungen einer dritten Ausführungsform einer Leiterplattenstruktur 300 eines optischen Systems 100. Dabei zeigt die 4 die Leiterplattenstruktur 300 vor dem Stapeln, und die 5 zeigt die Leiterplattenstruktur 300 nach dem Stapeln, also im gestapelten Zustand. Wie die 4 und 5 illustrieren, hat die Leiterplattenstruktur 300 vier starre Leiterplattenbereiche 310, wobei jeweils zwei der starren Leiterplattenbereiche 310 mittels eines biegsamen Leiterplattenbereichs 320 verbunden sind. So hat die Leiterplattenstruktur 300 nach den 4 und 5 drei biegsame Leiterplattenbereiche 320. Wie die 4 illustriert, hat der jeweilige biegsame Leiterplattenbereich 320 eine deutlich geringere Dicke als der jeweilige starre Leiterplattenbereich 320, was dessen Biegsamkeit bewerkstelligt bzw. deutlich verbessert. Die Leiterplattenstruktur 300 nach 4 wird gestapelt, so dass sich die Leiterplattenstruktur 300 im gestapelten Zustand gemäß 5 ergibt. Die gestapelte Leiterplattenstruktur 300 nach 5 kann dann in einem optischen System 100 verbaut werden.
Hierzu zeigt die 6 eine schematische Darstellung einer Ausführungsform eines optischen Systems 100 mit einer verbauten Leiterplattenstruktur 300. Die Leiterplattenstruktur 300 der 6 umfasst fünf gestapelte Leiterplattenbereiche 310 (mit N = 5). Dabei illustriert der mit dem Bezugszeichen 400 versehene strichlierte Bereich in 6 einen Teil des Inneren des Vakuumgehäuses des optischen Systems 100, welches unter Vakuum steht und zumindest teilweise von anderen Bauteilen, beispielsweise Aktor-/Sensoreinrichtungen, belegt ist. Dabei zeigt die 6 deutlich die Beschränktheit des Bauraums 200, und darüber hinaus die optimale Anpassung der Leiterplattenstruktur 300 an diesen beschränkten Bauraum 200. Auch die Ausführungsformen der Leiterplattenstruktur 300 nach den 2 bis 5 können in dem beschränkten Bauraum 200 der 6 verbaut werden.
In 7 ist eine schematische Ansicht einer Ausführungsform eines Verfahrens zum Herstellen eines optischen Systems 100 für eine Lithographieanlage 1 dargestellt. Ein Beispiel für eine solche Lithographieanlage 1 ist in 1 gezeigt, ein Beispiel für ein solches optisches System 100 ist in 6 gezeigt und Beispiele für Leiterplattenstrukturen 300 für ein solches optisches System 100 sind in den 2 bis 5 dargestellt.
Das optische System 100 hat einen beschränkten Bauraum 200, in dem eine Leiterplattenstruktur 300, zum Beispiel zur Ansteuerung einer Aktor-/Sensoreinrichtung, verbaut werden soll. In Abhängigkeit des beschränkten und damit bestimmten Bauraums 200 wird gemäß Schritt 701 eine Mehrzahl N von Leiterplattenbereichen 310 mit unterschiedlichen Querschnitten, mit unterschiedlichen Formen, mit unterschiedlichen Grundflächen und/oder mit unterschiedlichen Größen für die Leiterplattenstruktur 300 ermittelt. Mit anderen Worten wird in Abhängigkeit des bestimmten Bauraums 200 ermittelt, wie viele Leiterplattenbereiche 310 verwendet werden und welche Querschnitte, Formen, Grundflächen und/oder Größen diese Leiterplattenbereiche 310 haben sollen. Mit unterschiedlichen Querschnitten ist insbesondere auch gemeint, dass die unterschiedlichen Leiterplattenbereiche 310 unterschiedliche Formen, unterschiedliche Grundflächen und/oder unterschiedliche Größen haben können.
In Schritt 702 werden dann die ermittelten N Leiterplattenbereiche 310 zum Herstellen der Leiterplattenstruktur 300 derart gestapelt, dass die dann hergestellte Leiterplattenstruktur 300 in dem bestimmten Bauraum 200 des optischen Systems 100 anordenbar ist. Anordenbar bedeutet in diesem Zusammenhang insbesondere, dass die hergestellte Leiterplattenstruktur 300 in dem beschränkten Bauraum 200 verbaut werden kann.
Obwohl die vorliegende Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen beschrieben wurde, ist sie vielfältig modifizierbar.
Bezugszeichenliste

1: Projektionsbelichtungsanlage
2: Beleuchtungssystem
3: Lichtquelle
4: Beleuchtungsoptik
5: Objektfeld
6: Objektebene
7: Retikel
8: Retikelhalter
9: Retikelverlagerungsantrieb
10: Projektionsoptik
11: Bildfeld
12: Bildebene
13: Wafer
14: Waferhalter
15: Waferverlagerungsantrieb
16: Beleuchtungsstrahlung
17: Kollektor
18: Zwischenfokusebene
19: Umlenkspiegel
20: erster Facettenspiegel
21: erste Facette
22: zweiter Facettenspiegel
23: zweite Facette
100: optisches System
200: Bauraum
300: Leiterplattenstruktur
310: Leiterplattenbereich
320: biegsamer Leiterplattenbereich
330: Kühlstruktur
400: Vakuumgehäuse
701: Verfahrensschritt
702: Verfahrensschritt
M1: Spiegel
M2: Spiegel
M3: Spiegel
M4: Spiegel
M5: Spiegel
M6: Spiegel

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

DE 102008009600 A1 [0048, 0052]
US 2006/0132747 A1 [0050]
EP 1614008 B1 [0050]
US 6573978 [0050]
DE 102017220586 A1 [0055]
US 2018/0074303 A1 [0069]

Claims

Optisches System (100) für eine Lithographieanlage (1), wobei in einem bestimmten Bauraum (200) des optischen Systems (100) eine Leiterplattenstruktur (300) angeordnet ist, welche zumindest eine Mehrzahl N von gestapelten Leiterplattenbereichen (310) aufweist, wobei die gestapelten Leiterplattenbereiche (310) zumindest zwei unterschiedliche Querschnitte, zumindest zwei unterschiedliche Formen, zumindest zwei unterschiedliche Grundflächen und/oder zumindest zwei unterschiedliche Größen aufweisen.
Optisches System nach Anspruch 1, wobei die Leiterplattenstruktur (300) N gestapelte starre Leiterplattenbereiche (310) aufweist, wobei jeweils zwei der starren Leiterplattenbereiche (310) mittels eines biegsamen Leiterplattenbereichs (320) verbunden sind.
Optisches System nach Anspruch 1, wobei die Leiterplattenstruktur (300) N gestapelte starre Leiterplattenbereiche (310) aufweist, wobei jeweils zwei der starren Leiterplattenbereiche (310) mittels eines Steckverbinders verbunden sind.
Optisches System nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei das optische System (100) ein Vakuumgehäuse (400) aufweist, wobei der bestimmte Bauraum (200) innerhalb des Vakuumgehäuses (400) angeordnet ist, gegenüber dem Vakuum des Vakuumgehäuses (400) hermetisch abgeriegelt ist und unter einer Schutzatmosphäre steht.
Optisches System nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei der bestimmte Bauraum (200) ein konischer Bauraum ist.
Optisches System nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei eine Kühlstruktur (330) zwischen zwei der gestapelten Leiterplattenbereiche (310) vorgesehen ist, wobei vorzugsweise eine jeweilige Kühlstruktur (330) zwischen zwei jeweiligen gestapelten Leiterplattenbereichen (310) vorgesehen ist.
Optisches System nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die Leiterplattenstruktur (300) die Form einer Pyramide aufweist.
Optisches System nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei jeder der Mehrzahl N von gestapelten Leiterplattenbereichen (310) eine integrierte Schaltung, einen Logikbaustein, einen Prozessor, einen Analog-Digital-Wandler und/oder einen Digital-Analog-Wandler umfasst.
Optisches System nach Anspruch 3, wobei zumindest einer der biegsamen Leiterplattenbereiche (320) eine integrierte Schaltung, einen Logikbaustein, einen Prozessor, einen Analog-Digital-Wandler und/oder einen Digital-Analog-Wandler umfasst.
Optisches System nach einem der Ansprüche 1 bis 9, ferner umfassend: eine Anzahl von Aktor-/Sensor-Einrichtungen, wobei die Leiterplattenstruktur (300) unter Verwendung zumindest einer Leiterbahn mit der Anzahl von Aktor-/Sensor-Einrichtungen verbunden ist.
Optisches System nach Anspruch 10, ferner umfassend: eine Anzahl von verlagerbaren optischen Elementen zur Führung von Strahlung in dem optischen System (100), wobei dem jeweiligen optischen Element zumindest eine der Aktor-/Sensor-Einrichtungen zugeordnet ist, wobei die jeweilige Aktor-/Sensor-Einrichtung zum Verlagern des zugeordneten optischen Elements und/oder zum Erfassen eines Parameters des zugeordneten optischen Elements, insbesondere einer Position des zugeordneten optischen Elements oder einer Temperatur im Bereich des zugeordneten optischen Elements, eingerichtet ist.
Optisches System nach einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei das optische System (100) ein Vakuumgehäuse (400) aufweist, in welchem die Anzahl von Aktor-/Sensor-Einrichtungen und die optischen Elemente angeordnet sind, wobei der bestimmte Bauraum (200) innerhalb des Vakuumgehäuses (400) angeordnet ist, gegenüber dem Vakuum des Vakuumgehäuses (400) hermetisch abgeriegelt ist und unter einer Schutzatmosphäre steht.
Lithographieanlage (1) mit einem optischen System (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 12.
Verfahren zum Herstellen eines optischen Systems (100) für eine Lithographieanlage (1), umfassend: Ermitteln (701) einer Mehrzahl N von Leiterplattenbereichen (310) mit unterschiedlichen Querschnitten, mit unterschiedlichen Formen, mit unterschiedlichen Grundflächen und/oder mit unterschiedlichen Größen für eine Leiterplattenstruktur (300) und Stapeln der ermittelten N Leiterplattenbereiche (310) zum Herstellen der Leiterplattenstruktur (300) derart, dass die hergestellte Leiterplattenstruktur (300) in einem bestimmten Bauraum (200) des optischen Systems (100) anordenbar ist.