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Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Grundkörpers, insbesondere für ein optisches Element für die Halbleiterlithografie und einen Grundkörper mit einer Leichtbaustruktur und/oder einem Hohlraum und/oder einem Hinterschnitt und/oder einem Baumkerbendesign, insbesondere für ein optisches Element für die Halbleiterlithographie, sowie eine Projektionsbelichtungsanlage.
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Projektionsbelichtungsanlagen für die Halbleiterlithografie werden zur Erzeugung feinster Strukturen, insbesondere auf Halbleiterbauelementen oder anderen mikrostrukturierten Bauteilen, verwendet. Das Funktionsprinzip der genannten Anlagen beruht dabei darauf, mittels einer in der Regel verkleinernden Abbildung von Strukturen auf einer Maske, mit einem sogenannten Retikel, auf einem mit fotosensitivem Material versehenen zu strukturierenden Element, wie beispielsweise einem Wafer, feinste Strukturen bis in den Nanometerbereich zu erzeugen. Die minimalen Abmessungen der erzeugten Strukturen hängen dabei direkt von der Wellenlänge des verwendeten Lichtes, dem sogenannten Nutzlicht, ab. Die verwendeten Lichtquellen weisen in einem als DUV-Bereich bezeichneten Emissionswellenlängenbereich von 100nm bis 300nm auf, wobei in jüngerer Zeit vermehrt Lichtquellen mit einer Emissionswellenlänge im Bereich weniger Nanometer, beispielsweise zwischen 1 nm und 120 nm, insbesondere im Bereich von 13,5 nm verwendet werden. Der beschriebene Emissionswellenlängenbereich wird auch als EUV-Bereich bezeichnet.
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Weiterhin hängen die minimalen Abmessungen der erzeugten Strukturen von der numerischen Apertur, also vom Brechungsindex des umgebenden Mediums und dem Öffnungswinkel der zur Abbildung verwendeten optischen Systems ab. In diesem werden zur Beleuchtung der Strukturen und insbesondere zu deren Abbildung optische Elemente wie beispielsweise Linsen, aber auch (vor allem im Bereich der EUV-Lithografie) Spiegel verwendet, deren sogenannte optische Wirkflächen während des üblichen Betriebes der zugehörigen Anlage mit Nutzstrahlung, also zur Abbildung und Belichtung verwendeter Strahlung, beaufschlagt werden. Dabei wirken sich Abweichungen der Position der optischen Elemente von einer optimalen Sollposition massiv auf die Qualität der Abbildung und damit auf die Qualität der hergestellten Bauteile ab. Die durch die höheren Anforderungen an die Auflösung von Generation zu Generation größer werdende numerische Apertur führt zu einer Vergrößerung der optischen Elemente, welche dadurch auch schwerer werden. Mit zunehmendem Gewicht können die hohen Anforderungen an die Positionierung der optischen Elemente nicht mehr sichergestellt werden.
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Allgemein sind optische Elemente mit Leichtbaustrukturen bekannt, wobei diese den Nachteil haben, dass die Herstellung mit bekannten Herstellungsverfahren sehr aufwendig und/oder die Gestaltung der optischen Elemente mit den bekannten Verfahren limitiert ist.
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Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren zur Herstellung eines Grundkörpers für ein optisches Element bereitzustellen und einen Grundkörper mit einer Leichtbaustruktur anzugeben, welches bzw. welcher die oben erläuterten Nachteile beseitigt. Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist es, eine entsprechend ausgestattete Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie anzugeben.
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Diese Aufgabe wird gelöst durch das Verfahren und die Vorrichtungen mit den Merkmalen der unabhängigen Ansprüche. Die Unteransprüche betreffen vorteilhafte Weiterbildungen und Varianten der Erfindung.
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Ein erfindungsgemäßes Verfahren zur Herstellung eines Grundkörpers für ein optisches Element umfasst folgende Verfahrensschritte:
- - Herstellung mindestens eines Teils des Grundkörpers mit einem additiven Verfahren. Dabei umfasst das zur Herstellung des Grundkörpers verwendete Materialgemisch ein Trägermaterial mit mindestens einem Monomer und/oder Oligomer, wobei das Monomer bzw. Oligomer polymerisiert, und ein Strukturmaterial mit einem Glaspulver. Gleichzeitig wird mindestens ein weiterer Hilfsstoff für die Herstellung des Teils des Grundkörpers eingebracht.
- - Entfernen des Hilfsstoffes aus dem im vorangegangenen Verfahrensschritt polymerisierten Teil des Grundkörpers.
- - Erwärmung des im vorangegangenen Verfahrensschritt polymerisierten Teils des Grundkörpers zum thermischen Verbinden der Glaspulverbestandteile und zur Verbrennung des im ersten Verfahrensschritt erzeugten Polymers.
- - Sintern des Teils des Grundkörpers.
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Insbesondere kann das additive Verfahren als Polyjetverfahren realisiert sein. Unter einem Polyjetverfahren versteht man ein 3D-Druckverfahren, bei welchem während des Drucks ein Druckkopf winzig kleine Tröpfchen eines Photopolymers auf eine Plattform aufträgt, welches sofort mittels UV-Licht polymerisiert und damit ausgehärtet wird. Das Verfahren ermöglicht es, nahezu beliebige Geometrien herzustellen, wobei typischerweise im Endprodukt keine Übergänge zwischen den beim Drucken der Struktur erzeugten Schichten mehr nachweisbar sind. Das Verfahren zeichnet sich auch dadurch aus, dass es mindestens zwei unterschiedliche Materialgemische und/oder Materialien gleichzeitig, also ohne den additiven Prozess zu unterbrechen, drucken kann.
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Zweckmäßigerweise sind sowohl das zur Herstellung des Teils des Grundkörpers verwendete Materialgemisch als auch der Hilfsstoff polymerisierbar, so dass diese unter dem bereitgestellten UV-Licht unmittelbar aushärten, wobei auch jeder andere Stoff, welcher beispielsweise durch Kontakt mit Luft unmittelbar aushärtet, in dem Verfahren Anwendung finden kann.
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In einer ersten Ausführungsform der Erfindung kann mittels des Hilfsstoffs eine Hilfsstruktur zur Herstellung des Teils des Grundkörpers geschaffen werden. Die Hilfsstruktur kann als Stützstruktur zum Abstützen von überhängenden Geometrien, wie beispielsweise Schrägen, ausgebildet sein. Weiterhin kann die Hilfsstruktur als Platzhalter ausgebildet sein, durch welchen während des Druckprozesses ein Bereich ausgebildet wird, welche später als Hohlraum ausgeführt ist.
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Insbesondere kann der Hilfsstoff durch ein thermisches Verfahren entfernt werden. Dabei wird der Hilfsstoff aus dem Grundkörper nach dem Drucken, in dem auch als Braunling bezeichneten Zustand, durch Erwärmen entfernt. Der Braunling zeichnet sich dadurch aus, dass die spätere Form des Grundkörpers durch das polymerisierte Trägermaterial bereits ausgebildet ist, die Glaspulverbestandteile aber noch keine Verbindung untereinander eingegangen sind. Der Hilfsstoff kann dabei derart ausgebildet sein, dass dieser bei einer niedrigeren Temperatur als das Trägermaterial verdampft oder verbrennt, so dass dieser vor der Entfernung des Trägermaterials und dem Verbinden der Glaspulverbestandteile entfernt werden kann.
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Alternativ kann der Hilfsstoff auch durch ein auflösendes Verfahren entfernt werden, also beispielsweise als wasserlösliches Material ausgebildet sein. Der Braunling des Grundkörpers kann nach dem Drucken beispielsweise in Wasser getaucht werden, wodurch der Hilfsstoff im Wasser gelöst und dadurch aus dem Grundkörper entfernt werden kann.
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In einer weiteren Ausführungsform kann der Hilfsstoff ein Treibmittel umfassen. Dieses kann durch das Polyjet-Verfahren gezielt in vorbestimmten Bereichen des Grundkörpers in das Trägermaterial eingedruckt werden. Das Treibmittel kann im nachfolgenden Verfahrensschritt durch eine Erwärmung aktiviert werden, wodurch das feste Treibmittel in einen gasförmigen Zustand übergeht, sich ausdehnt und dadurch Hohlräume im Grundkörper ausgebildet werden. Über die zur Aktivierung des Treibmittels notwendige Temperatur kann die Steifigkeit des Trägermaterials, also die Verformungsfähigkeit, und damit die Größe der durch das Treibmittel bewirkten Hohlräume bestimmt werden. Das Treibmittel kann bei der Verbrennung des Trägermaterials mit diesem durch die in diesem Zustand noch offenporige Struktur des Grundkörpers entweichen. Grundsätzlich können auch in einem Druckverfahren sowohl Hilfsstrukturen als auch Bereiche mit eingebettetem Treibmittel hergestellt werden, wobei diese auch unterschiedliche Hilfsstoffe aufweisen können. Weiterhin können die Hilfsstrukturen und das Treibmittel in einem Verfahrensschritt entfernt werden oder in zwei aufeinander folgenden Verfahrensschritten entfernt werden.
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Insbesondere können die Verfahrensschritte zum Entfernen der Hilfsstoffe aus dem Teil des Grundkörpers und zur Erwärmung des im vorangegangenen Verfahrensschritt polymerisierten Teil des Grundkörpers zum thermischen Verbinden der Glaspulverbestandteile und zur Verbrennung des im ersten Verfahrensschritt erzeugten Polymers gleichzeitig ausgeführt werden. Dies ist insbesondere dann von Vorteil, wenn die Hilfsstoffe dem Trägermaterial des Materialgemisches entsprechen.
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In einer weiteren Ausführungsform kann der restliche Grundkörper mittels eines herkömmlichen Fertigungsverfahrens hergestellt werden. Der über das Polyjetverfahren hergestellte Teil des Grundkörpers kann beispielsweise über ein Bondingverfahren mit dem herkömmlich hergestellten restlichen Teil des Grundkörpers verbunden werden, so dass beide Teile mit den für die Geometrie und Gestaltung optimalen Herstellungsverfahren hergestellt werden können.
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In einer weiteren Ausführungsform können mit Unterstützung der Hilfsstoffe Leichtbaustrukturen in einem Bereich des Teils des Grundkörpers hergestellt werden. Die Hilfsstoffe können dabei, wie weiter oben bereits erläutert, als Stützstrukturen und als Treibmittel Anwendung finden. Die Stützstrukturen können beispielsweise bei der Herstellung von geordneten Leichtbaustrukturen, wie beispielsweise Wabenstrukturen oder einem Fachwerk Anwendung finden. Insbesondere zur Herstellung von topologieoptimierten Leichtbaustrukturen, also Strukturen, welche lediglich das Material aufweisen, welches bei einem gegebenen Lastfall einen Beitrag zur Stabilität aufweist, wie beispielsweise bei einem Fahrradrahmen, kann eine Stützstruktur die Leichtbaustruktur beim Druck stabilisieren, welche häufig erst ihre Stabilität erhält, wenn sie vollständig hergestellt ist. Das Treibmittel kann zur Herstellung von ungeordneten Leichtbaustrukturen, zu welchen beispielsweise Schäume gezählt werden, dienen, wobei das Treibmittel durch das verwendete Polyjetverfahren auch eine Struktur mit geordneten Hohlräumen möglich machen kann.
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In einer weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens kann mit Unterstützung der Hilfsstoffe mindestens ein Hohlraum in einem Bereich des Teils des Grundkörpers hergestellt werden. Damit bildet der Hohlraum beispielsweise eine einfache Grundlage für eine Kanalstruktur, insbesondere eine Kühlkanalstruktur, des späteren Grundkörpers.
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In einer weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens kann mit Unterstützung der Hilfsstoffe ein Hinterschnitt und/oder ein Baumkerbendesign in einem Bereich des Teils des Grundkörpers hergestellt werden.
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Ein erfindungsgemäßer Grundkörper für ein optischen Element zeichnet sich dadurch aus, dass der Grundkörper mindestens eine zumindest teilweise mit einem additiven Verfahren, insbesondere einem Polyjetverfahren, hergestellte Leichtbaustruktur und/oder einen derart hergestellten Hohlraum und/oder einen derart hergestellten Hinterschnitt und/oder ein derart hergestelltes Baumkerbendesign aufweist. Das Polyjetverfahren ermöglicht, wie weiter oben bereits erläutert, zusätzlich zu der Möglichkeit einer nahezu freien Gestaltung der Form des Grundkörpers, auch den Vorteil, dass mehrere Materialgemische und/oder Materialien in einem Verfahrensschritt gedruckt werden können. Dadurch werden insbesondere Stützstrukturen ermöglicht, welche mit einem Verfahren entfernt werden können, welche das Materialgemisch und/oder Material der herzustellenden Struktur nicht oder nahezu nicht beschädigt oder beeinträchtigt, also keinen Einfluss auf physikalische Eigenschaften, wie Steifigkeit oder Härte hat.
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Insbesondere kann die Leichtbaustruktur als eine geordnete Struktur ausgebildet sein. Diese definiert sich, wie weiter oben bereits erläutert, über wiederkehrende geordnete Strukturelemente, wie beispielsweise Waben oder Fachwerkstreben.
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Weiterhin kann die Leichtbaustruktur als eine ungeordnete Struktur ausgebildet sein. Diese weist im Gegensatz zur geordneten Struktur eine eher zufällige und dadurch ungeordnete Struktur auf, wie es beispielweise bei durch Treibmittel aufgeschäumte Bereiche des Teils des Grundkörpers der Fall sein kann, also generell bei offenen oder geschlossenen Schäumen.
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Daneben kann die Leichtbaustruktur als eine topologieoptimierte Struktur ausgebildet sein. Diese kann insbesondere dann von Vorteil sein, wenn eine Struktur mit vorbestimmten Lastfällen, insbesondere nur mit einem Lastfall belastet wird. Beispielsweise können mit einer statischen Lagerung gelagerte optische Elemente auf die durch die Gewichtskraft wirkenden Belastungen vorteilhaft optimiert werden.
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Insbesondere kann der Grundkörper innerhalb der Leichtbaustruktur einen Hinterschnitt und/oder ein Baumkerbendesign aufweisen. Dies kann durch die unabhängig vom Material des Grundkörpers herstellbaren und entfernbaren Hilfsstoffe, welche für die Herstellung der Hinterschnitte und/oder des Baumkerbendesigns notwendig sein können, vorteilhaft realisiert werden. Das Baumkerbendesign zeichnet sich durch einen sanften spannungsarmen Übergang im Bereich von Ecken und Abzweigungen aus und ist aus der Natur, insbesondere der Ausbildung von Astgabelungen bei Bäumen, übernommen. Dies kann beispielsweise bei der Herstellung von Fachwerken vorteilhaft Anwendung finden.
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In einer weiteren Ausführungsform kann der restliche Grundkörper durch ein herkömmliches Fertigungsverfahren hergestellt sein. Dies kann beispielweise eine Kombination von einem mit herkömmlichen Fertigungsverfahren hergestellten Teil des Grundkörpers, welcher die optische Wirkfläche des optischen Elementes aufweist, mit dem bei minimalem Gewicht hohe Stabilität gebenden erfindungsgemäßen Teil des Grundkörper ermöglichen, wodurch die Vorteile von bekannten und dem erfindungsgemäßen Teil des Grundkörpers vorteilhaft kombiniert werden können. Es können weiterhin mehr als zwei Teile zu einem Grundkörper verbunden werden und neben den Leichtbaustrukturen noch weitere Funktionselemente, wie beispielsweise Kühlkanäle oder Anbindungsgeometrien im Grundkörper ausgebildet sein.
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Eine erfindungsgemäße Projektionsbelichtungsanlage umfasst eine Grundkörper nach einem der weiter oben erläuterten Ausführungsform.
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Nachfolgend werden Ausführungsbeispiele und Varianten der Erfindung anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen
- 1 schematisch im Meridionalschnitt eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Projektionslithografie,
- 2 schematisch im Meridionalschnitt eine Projektionsbelichtungsanlage für die DUV-Projektionslithografie,
- 3a-c eine erste Ausführungsform zur Erläuterung des erfindungsgemäßen Verfahrens,
- 4a-c ein weitere Ausführungsform zur Erläuterung des erfindungsgemäßen Verfahrens, und
- 5 eine Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Grundkörpers.
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Im Folgenden werden zunächst unter Bezugnahme auf die 1 exemplarisch die wesentlichen Bestandteile einer Projektionsbelichtungsanlage 1 für die Mikrolithografie beschrieben. Die Beschreibung des grundsätzlichen Aufbaus der Projektionsbelichtungsanlage 1 sowie deren Bestandteile sind hierbei nicht einschränkend verstanden.
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Eine Ausführung eines Beleuchtungssystems 2 der Projektionsbelichtungsanlage 1 hat neben einer Strahlungsquelle 3 eine Beleuchtungsoptik 4 zur Beleuchtung eines Objektfeldes 5 in einer Objektebene 6. Bei einer alternativen Ausführung kann die Lichtquelle 3 auch als ein zum sonstigen Beleuchtungssystem separates Modul bereitgestellt sein. In diesem Fall umfasst das Beleuchtungssystem die Lichtquelle 3 nicht.
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Beleuchtet wird ein im Objektfeld 5 angeordnetes Retikel 7. Das Retikel 7 ist von einem Retikelhalter 8 gehalten. Der Retikelhalter 8 ist über einen Retikelverlagerungsantrieb 9 insbesondere in einer Scanrichtung verlagerbar.
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In der 1 ist zur Erläuterung ein kartesisches xyz-Koordinatensystem eingezeichnet. Die x-Richtung verläuft senkrecht zur Zeichenebene hinein. Die y-Richtung verläuft horizontal und die z-Richtung verläuft vertikal. Die Scanrichtung verläuft in der 1 längs der y-Richtung. Die z-Richtung verläuft senkrecht zur Objektebene 6.
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Die Projektionsbelichtungsanlage 1 umfasst eine Projektionsoptik 10. Die Projektionsoptik 10 dient zur Abbildung des Objektfeldes 5 in ein Bildfeld 11 in einer Bildebene 12. Die Bildebene 12 verläuft parallel zur Objektebene 6. Alternativ ist auch ein von 0° verschiedener Winkel zwischen der Objektebene 6 und der Bildebene 12 möglich.
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Abgebildet wird eine Struktur auf dem Retikel 7 auf eine lichtempfindliche Schicht eines im Bereich des Bildfeldes 11 in der Bildebene 12 angeordneten Wafers 13. Der Wafer 13 wird von einem Waferhalter 14 gehalten. Der Waferhalter 14 ist über einen Waferverlagerungsantrieb 15 insbesondere längs der y-Richtung verlagerbar. Die Verlagerung einerseits des Retikels 7 über den Retikelverlagerungsantrieb 9 und andererseits des Wafers 13 über den Waferverlagerungsantrieb 15 kann synchronisiert zueinander erfolgen.
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Bei der Strahlungsquelle 3 handelt es sich um eine EUV-Strahlungsquelle. Die Strahlungsquelle 3 emittiert insbesondere EUV-Strahlung 16, welche im Folgenden auch als Nutzstrahlung, Beleuchtungsstrahlung oder Beleuchtungslicht bezeichnet wird. Die Nutzstrahlung hat insbesondere eine Wellenlänge im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm. Bei der Strahlungsquelle 3 kann es sich um eine Plasmaquelle handeln, zum Beispiel um eine LPP-Quelle (Laser Produced Plasma, mithilfe eines Lasers erzeugtes Plasma) oder um eine DPP-Quelle (Gas Discharged Produced Plasma, mittels Gasentladung erzeugtes Plasma). Es kann sich auch um eine synchrotronbasierte Strahlungsquelle handeln. Bei der Strahlungsquelle 3 kann es sich um einen Freie-Elektronen-Laser (Free-Electron-Laser, FEL) handeln.
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Die Beleuchtungsstrahlung 16, die von der Strahlungsquelle 3 ausgeht, wird von einem Kollektor 17 gebündelt. Bei dem Kollektor 17 kann es sich um einen Kollektor mit einer oder mit mehreren ellipsoidalen und/oder hyperboloiden Reflexionsflächen handeln. Die mindestens eine Reflexionsfläche des Kollektors 17 kann im streifenden Einfall (Grazing Incidence, GI), also mit Einfallswinkeln größer als 45° gegenüber der Normalenrichtung der Spiegeloberfläche, oder im normalen Einfall (Normal Incidence, NI), also mit Einfallwinkeln kleiner als 45°, mit der Beleuchtungsstrahlung 16 beaufschlagt werden. Der Kollektor 17 kann einerseits zur Optimierung seiner Reflektivität für die Nutzstrahlung und andererseits zur Unterdrückung von Falschlicht strukturiert und/oder beschichtet sein.
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Nach dem Kollektor 17 propagiert die Beleuchtungsstrahlung 16 durch einen Zwischenfokus in einer Zwischenfokusebene 18. Die Zwischenfokusebene 18 kann eine Trennung zwischen einem Strahlungsquellenmodul, aufweisend die Strahlungsquelle 3 und den Kollektor 17, und der Beleuchtungsoptik 4 darstellen.
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Die Beleuchtungsoptik 4 umfasst einen Umlenkspiegel 19 und diesem im Strahlengang nachgeordnet einen ersten Facettenspiegel 20. Bei dem Umlenkspiegel 19 kann es sich um einen planen Umlenkspiegel oder alternativ um einen Spiegel mit einer über die reine Umlenkungswirkung hinaus bündelbeeinflussenden Wirkung handeln. Alternativ oder zusätzlich kann der Umlenkspiegel 19 als Spektralfilter ausgeführt sein, der eine Nutzlichtwellenlänge der Beleuchtungsstrahlung 16 von Falschlicht einer hiervon abweichenden Wellenlänge trennt. Sofern der erste Facettenspiegel 20 in einer Ebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet ist, die zur Objektebene 6 als Feldebene optisch konjugiert ist, wird dieser auch als Feldfacettenspiegel bezeichnet. Der erste Facettenspiegel 20 umfasst eine Vielzahl von einzelnen ersten Facetten 21, welche im Folgenden auch als Feldfacetten bezeichnet werden. Von diesen Facetten 21 sind in der 1 nur beispielhaft einige dargestellt.
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Die ersten Facetten 21 können als makroskopische Facetten ausgeführt sein, insbesondere als rechteckige Facetten oder als Facetten mit bogenförmiger oder teilkreisförmiger Randkontur. Die ersten Facetten 21 können als plane Facetten oder alternativ als konvex oder konkav gekrümmte Facetten ausgeführt sein.
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Wie beispielsweise aus der
DE 10 2008 009 600 A1 bekannt ist, können die ersten Facetten 21 selbst jeweils auch aus einer Vielzahl von Einzelspiegeln, insbesondere einer Vielzahl von Mikrospiegeln, zusammengesetzt sein. Der erste Facettenspiegel 20 kann insbesondere als mikroelektromechanisches System (MEMS-System) ausgebildet sein. Für Details wird auf die
DE 10 2008 009 600 A1 verwiesen.
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Zwischen dem Kollektor 17 und dem Umlenkspiegel 19 verläuft die Beleuchtungsstrahlung 16 horizontal, also längs der y-Richtung.
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Im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 4 ist dem ersten Facettenspiegel 20 nachgeordnet ein zweiter Facettenspiegel 22. Sofern der zweite Facettenspiegel 22 in einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet ist, wird dieser auch als Pupillenfacettenspiegel bezeichnet. Der zweite Facettenspiegel 22 kann auch beabstandet zu einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet sein. In diesem Fall wird die Kombination aus dem ersten Facettenspiegel 20 und dem zweiten Facettenspiegel 22 auch als spekularer Reflektor bezeichnet. Spekulare Reflektoren sind bekannt aus der
US 2006/0132747 A1 , der
EP 1 614 008 B1 und der
US 6,573,978 .
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Der zweite Facettenspiegel 22 umfasst eine Mehrzahl von zweiten Facetten 23. Die zweiten Facetten 23 werden im Falle eines Pupillenfacettenspiegels auch als Pupillenfacetten bezeichnet.
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Bei den zweiten Facetten 23 kann es sich ebenfalls um makroskopische Facetten, die beispielsweise rund, rechteckig oder auch hexagonal berandet sein können, oder alternativ um aus Mikrospiegeln zusammengesetzte Facetten handeln. Diesbezüglich wird ebenfalls auf die
DE 10 2008 009 600 A1 verwiesen.
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Die zweiten Facetten 23 können plane oder alternativ konvex oder konkav gekrümmte Reflexionsflächen aufweisen.
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Die Beleuchtungsoptik 4 bildet somit ein doppelt facettiertes System. Dieses grundlegende Prinzip wird auch als Wabenkondensor (Fly's Eye Integrator) bezeichnet.
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Es kann vorteilhaft sein, den zweiten Facettenspiegel 22 nicht exakt in einer Ebene, welche zu einer Pupillenebene der Projektionsoptik 10 optisch konjugiert ist, anzuordnen. Insbesondere kann der Pupillenfacettenspiegel 22 gegenüber einer Pupillenebene der Projektionsoptik 10 verkippt angeordnet sein, wie es zum Beispiel in der
DE 10 2017 220 586 A1 beschrieben ist.
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Mit Hilfe des zweiten Facettenspiegels 22 werden die einzelnen ersten Facetten 21 in das Objektfeld 5 abgebildet. Der zweite Facettenspiegel 22 ist der letzte bündelformende oder auch tatsächlich der letzte Spiegel für die Beleuchtungsstrahlung 16 im Strahlengang vor dem Objektfeld 5.
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Bei einer weiteren, nicht dargestellten Ausführung der Beleuchtungsoptik 4 kann im Strahlengang zwischen dem zweiten Facettenspiegel 22 und dem Objektfeld 5 eine Übertragungsoptik angeordnet sein, die insbesondere zur Abbildung der ersten Facetten 21 in das Objektfeld 5 beiträgt. Die Übertragungsoptik kann genau einen Spiegel, alternativ aber auch zwei oder mehr Spiegel aufweisen, welche hintereinander im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet sind. Die Übertragungsoptik kann insbesondere einen oder zwei Spiegel für senkrechten Einfall (NI-Spiegel, Normal Incidence Spiegel) und/oder einen oder zwei Spiegel für streifenden Einfall (Gl-Spiegel, Gracing Incidence Spiegel) umfassen.
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Die Beleuchtungsoptik 4 hat bei der Ausführung, die in der 1 gezeigt ist, nach dem Kollektor 17 genau drei Spiegel, nämlich den Umlenkspiegel 19, den Feldfacettenspiegel 20 und den Pupillenfacettenspiegel 22.
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Bei einer weiteren Ausführung der Beleuchtungsoptik 4 kann der Umlenkspiegel 19 auch entfallen, so dass die Beleuchtungsoptik 4 nach dem Kollektor 17 dann genau zwei Spiegel aufweisen kann, nämlich den ersten Facettenspiegel 20 und den zweiten Facettenspiegel 22.
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Die Abbildung der ersten Facetten 21 mittels der zweiten Facetten 23 beziehungsweise mit den zweiten Facetten 23 und einer Übertragungsoptik in die Objektebene 6 ist regelmäßig nur eine näherungsweise Abbildung.
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Die Projektionsoptik 10 umfasst eine Mehrzahl von Spiegeln Mi, welche gemäß ihrer Anordnung im Strahlengang der Projektionsbelichtungsanlage 1 durchnummeriert sind.
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Bei dem in der 1 dargestellten Beispiel umfasst die Projektionsoptik 10 sechs Spiegel M1 bis M6. Alternativen mit vier, acht, zehn, zwölf oder einer anderen Anzahl an Spiegeln Mi sind ebenso möglich. Der vorletzte Spiegel M5 und der letzte Spiegel M6 haben jeweils eine Durchtrittsöffnung für die Beleuchtungsstrahlung 16. Bei der Projektionsoptik 10 handelt es sich um eine doppelt obskurierte Optik. Die Projektionsoptik 10 hat eine bildseitige numerische Apertur, die größer ist als 0,5 und die auch größer sein kann als 0,6 und die beispielsweise 0,7 oder 0,75 betragen kann.
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Reflexionsflächen der Spiegel Mi können als Freiformflächen ohne Rotationssymmetrieachse ausgeführt sein. Alternativ können die Reflexionsflächen der Spiegel Mi als asphärische Flächen mit genau einer Rotationssymmetrieachse der Reflexionsflächenform gestaltet sein. Die Spiegel Mi können, genauso wie die Spiegel der Beleuchtungsoptik 4, hoch reflektierende Beschichtungen für die Beleuchtungsstrahlung 16 aufweisen. Diese Beschichtungen können als Multilayer-Beschichtungen, insbesondere mit alternierenden Lagen aus Molybdän und Silizium, gestaltet sein.
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Die Projektionsoptik 10 hat einen großen Objekt-Bildversatz in der y-Richtung zwischen einer y-Koordinate eines Zentrums des Objektfeldes 5 und einer y-Koordinate des Zentrums des Bildfeldes 11. Dieser Objekt-Bild-Versatz in der y-Richtung kann in etwa so groß sein wie ein z-Abstand zwischen der Objektebene 6 und der Bildebene 12.
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Die Projektionsoptik 10 kann insbesondere anamorphotisch ausgebildet sein. Sie weist insbesondere unterschiedliche Abbildungsmaßstäbe βx, βy in x- und y-Richtung auf. Die beiden Abbildungsmaßstäbe βx, βy der Projektionsoptik 10 liegen bevorzugt bei (βx, βy) = (+/- 0,25, +/- 0,125). Ein positiver Abbildungsmaßstab β bedeutet eine Abbildung ohne Bildumkehr. Ein negatives Vorzeichen für den Abbildungsmaßstab β bedeutet eine Abbildung mit Bildumkehr.
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Die Projektionsoptik 10 führt somit in x-Richtung, das heißt in Richtung senkrecht zur Scanrichtung, zu einer Verkleinerung im Verhältnis 4:1.
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Die Projektionsoptik 10 führt in y-Richtung, das heißt in Scanrichtung, zu einer Verkleinerung von 8:1.
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Andere Abbildungsmaßstäbe sind ebenso möglich. Auch vorzeichengleiche und absolut gleiche Abbildungsmaßstäbe in x- und y-Richtung, zum Beispiel mit Absolutwerten von 0,125 oder von 0,25, sind möglich.
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Die Anzahl von Zwischenbildebenen in der x- und in der y-Richtung im Strahlengang zwischen dem Objektfeld 5 und dem Bildfeld 11 kann gleich sein oder kann, je nach Ausführung der Projektionsoptik 10, unterschiedlich sein. Beispiele für Projektionsoptiken mit unterschiedlichen Anzahlen derartiger Zwischenbilder in x- und y-Richtung sind bekannt aus der
US 2018/0074303 A1 .
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Jeweils eine der Pupillenfacetten 23 ist genau einer der Feldfacetten 21 zur Ausbildung jeweils eines Beleuchtungskanals zur Ausleuchtung des Objektfeldes 5 zugeordnet. Es kann sich hierdurch insbesondere eine Beleuchtung nach dem Köhlerschen Prinzip ergeben. Das Fernfeld wird mit Hilfe der Feldfacetten 21 in eine Vielzahl an Objektfeldern 5 zerlegt. Die Feldfacetten 21 erzeugen eine Mehrzahl von Bildern des Zwischenfokus auf den diesen jeweils zugeordneten Pupillenfacetten 23.
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Die Feldfacetten 21 werden jeweils von einer zugeordneten Pupillenfacette 23 einander überlagernd zur Ausleuchtung des Objektfeldes 5 auf das Retikel 7 abgebildet. Die Ausleuchtung des Objektfeldes 5 ist insbesondere möglichst homogen. Sie weist vorzugsweise einen Uniformitätsfehler von weniger als 2 % auf. Die Felduniformität kann über die Überlagerung unterschiedlicher Beleuchtungskanäle erreicht werden.
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Durch eine Anordnung der Pupillenfacetten kann geometrisch die Ausleuchtung der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 definiert werden. Durch Auswahl der Beleuchtungskanäle, insbesondere der Teilmenge der Pupillenfacetten, die Licht führen, kann die Intensitätsverteilung in der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 eingestellt werden. Diese Intensitätsverteilung wird auch als Beleuchtungssetting bezeichnet.
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Eine ebenfalls bevorzugte Pupillenuniformität im Bereich definiert ausgeleuchteter Abschnitte einer Beleuchtungspupille der Beleuchtungsoptik 4 kann durch eine Umverteilung der Beleuchtungskanäle erreicht werden.
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Im Folgenden werden weitere Aspekte und Details der Ausleuchtung des Objektfeldes 5 sowie insbesondere der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 beschrieben.
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Die Projektionsoptik 10 kann insbesondere eine homozentrische Eintrittspupille aufweisen. Diese kann zugänglich sein. Sie kann auch unzugänglich sein.
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Die Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 lässt sich regelmäßig mit dem Pupillenfacettenspiegel 22 nicht exakt ausleuchten. Bei einer Abbildung der Projektionsoptik 10, welche das Zentrum des Pupillenfacettenspiegels 22 telezentrisch auf den Wafer 13 abbildet, schneiden sich die Aperturstrahlen oftmals nicht in einem einzigen Punkt. Es lässt sich jedoch eine Fläche finden, in welcher der paarweise bestimmte Abstand der Aperturstrahlen minimal wird. Diese Fläche stellt die Eintrittspupille oder eine zu ihr konjugierte Fläche im Ortsraum dar. Insbesondere zeigt diese Fläche eine endliche Krümmung.
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Es kann sein, dass die Projektionsoptik 10 unterschiedliche Lagen der Eintrittspupille für den tangentialen und für den sagittalen Strahlengang aufweist. In diesem Fall sollte ein abbildendes Element, insbesondere ein optisches Bauelement der Übertragungsoptik, zwischen dem zweiten Facettenspiegel 22 und dem Retikel 7 bereitgestellt werden. Mit Hilfe dieses optischen Elements kann die unterschiedliche Lage der tangentialen Eintrittspupille und der sagittalen Eintrittspupille berücksichtigt werden.
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Bei der in der 1 dargestellten Anordnung der Komponenten der Beleuchtungsoptik 4 ist der Pupillenfacettenspiegel 22 in einer zur Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 konjugierten Fläche angeordnet. Der Feldfacettenspiegel 20 ist verkippt zur Objektebene 6 angeordnet. Der erste Facettenspiegel 20 ist verkippt zu einer Anordnungsebene angeordnet, die vom Umlenkspiegel 19 definiert ist.
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Der erste Facettenspiegel 20 ist verkippt zu einer Anordnungsebene angeordnet, die vom zweiten Facettenspiegel 22 definiert ist.
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2 zeigt schematisch im Meridionalschnitt eine weitere Projektionsbelichtungsanlage 101 für die DUV-Projektionslithografie, in welcher die Erfindung eben-falls zur Anwendung kommen kann.
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Der Aufbau der Projektionsbelichtungsanlage 101 und das Prinzip der Abbildung ist vergleichbar mit dem in 1 beschriebenen Aufbau und Vorgehen. Gleiche Bauteile sind mit einem um 100 gegenüber 1 erhöhten Bezugszeichen bezeichnet, die Bezugszeichen in 2 beginnen also mit 101.
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Im Unterschied zu einer wie in 1 beschriebenen EUV-Projektionsbelichtungsanlage 1 können auf Grund der größeren Wellenlänge der als Nutzlicht verwendeten DUV-Strahlung 116 im Bereich von 100 nm bis 300 nm, insbesondere von 193 nm, in der DUV-Projektionsbelichtungsanlage 101 zur Abbildung beziehungsweise zur Beleuchtung refraktive, diffraktive und/oder reflexive optische Elementen 117, wie beispielsweise Linsen, Spiegeln, Prismen, Abschlussplatten und dergleichen verwendet werden. Die Projektionsbelichtungsanlage 101 umfasst dabei im Wesentlichen ein Beleuchtungssystem 102, einen Retikelhalter 108 zur Aufnahme und exakten Positionierung eines mit einer Struktur versehenen Retikels 107, durch welches die späteren Strukturen auf einem Wafer 113 bestimmt werden, einen Waferhalter 114 zur Halterung, Bewegung und exakten Positionierung eben dieses Wafers 113 und einem Projektionsobjektiv 110, mit mehreren optischen Elementen 117, die über Fassungen 118 in einem Objektivgehäuse 119 des Projektionsobjektives 110 gehalten sind.
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Das Beleuchtungssystem 102 stellt eine für die Abbildung des Retikels 107 auf dem Wafer 113 benötigte DUV-Strahlung 116 bereit. Als Quelle für diese Strahlung 116 kann ein Laser, eine Plasmaquelle oder dergleichen Verwendung finden. Die Strahlung 116 wird in dem Beleuchtungssystem 102 über optische Elemente derart geformt, dass die DUV-Strahlung 116 beim Auftreffen auf das Retikel 107 die gewünschten Eigenschaften hinsichtlich Durchmesser, Polarisation, Form der Wellenfront und dergleichen aufweist.
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Der Aufbau der nachfolgenden Projektionsoptik 101 mit dem Objektivgehäuse 119 unterscheidet sich außer durch den zusätzlichen Einsatz von refraktiven optischen Elementen 117 wie Linsen, Prismen, Abschlussplatten prinzipiell nicht von dem in 1 beschriebenen Aufbau und wird daher nicht weiter beschrieben.
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Die 3a zeigt eine stark vereinfachte schematische Darstellung eines Grundkörpers 30 für ein optisches Element, wie es beispielsweise in einer in der 1 und in der 2 erläuterten Projektionsbelichtungsanlage 1, 101 als Spiegel Mx, 117 eingesetzt wird, in einem Zwischenzustand eines erfindungsgemäßen Verfahrens. Der Zwischenzustand umfasst einen auf einer Basisplatte 40 ausgebildeten in einem Schnitt dargestellten als Braunling 44 bezeichneten Körper, welcher den Grundkörper 30 und für dessen Herstellung verwendete als Stützstruktur 41 und als Platzhalter 42 ausgebildete Hilfsstrukturen aufweist. Der Braunling 44 wird durch das Drucken eines Materialgemischs 31 für den Grundkörper 30 und das Drucken der Stützstruktur 41 und des Platzhalters 42 aus einem als für die Herstellung geeignetes Material 35 ausgebildeten Hilfsstoff hergestellt. Ein Hilfsstoff ist im Sinne der Erfindung dadurch definiert, dass dieser lediglich zur Herstellung der inneren und/oder äußeren Geometrie und Struktur Anwendung findet und in keinem Zustand Teil des späteren Grundkörpers 30 ist.
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Die Stützstruktur 41 stützt für die Zeit des Drucks, in welcher die Struktur des Braunlings 44 noch keine ausreichende Stabilität hat, eine Schräge 37 des Grundkörpers 30 ab. Der Platzhalter 42 ist im Inneren des Braunlings 44 angeordnet, so dass sich nach dem Entfernen des Platzhalters 42, welches im Folgenden noch näher erläutert wird, ein Hohlraum 36 ausbildet. Dieser weist ein Entlüftungsöffnung 39 auf, welche für den nachfolgenden Verfahrensschritt notwendig ist und dort näher erläutert wird.
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Das zur Herstellung angewandte Polyjet-Verfahren kann mindestens zwei unterschiedliche Materialgemische 31 und/oder Materialien 35 drucken und umfasst eine UV-Quelle, welche die gedruckten Strukturen 41, 42, 44 unmittelbar nach dem Aufbringen polymerisiert. Das Materialgemisch 31 umfasst dabei ein mindestens einen Monomer und/oder einen Oligomer umfassendes Trägermaterial 32, welches durch die Polymerisation eine Matrix 43 ausbildet, welche im Braunling 44 die Form des späteren Grundkörper 30 bildet und ein Glaspulver 34 eines Strukturmaterials, welches im Braunling 44 in der Matrix 43 eingebettet ist und am Ende des Verfahrens, welches im Weiteren noch erläutert wird, den Grundkörper 30 bildet. Das Material 35 der Hilfsstrukturen 41, 42 ist in der in der 3a erläuterten Ausführungsform polymerisierbar, wobei dieses zweckmäßigerweise bei geringeren Temperaturen als das Trägermaterial 32 in die Gasphase übergeht.
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Die 3b zeigt den Braunling 44 des Grundkörpers 30 in einem weiteren Zwischenzustand, in welchem nach dem Entfernen der Grundplatte 40 die Hilfsstrukturen 41, 42 entfernt werden. Diese werden in der in der 3b gezeigten Ausführungsform bis zu einer Temperatur erwärmt, bei welcher das Material 35 anfängt sich zu verflüchtigen. Das gasförmige Material 35 kann im Fall der Stützstruktur 41 direkt entweichen und im Fall des Platzhalters 42 durch die Entlüftungsöffnung 39 entweichen, was in der 3b durch Pfeile dargestellt ist. Alternativ kann das Material 35 des Hilfsstoffes auch durch ein auflösendes Verfahren entfernt werden, also beispielsweise als wasserlösliches Material ausgebildet sein.
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Die 3c zeigt den Braunling des Grundkörpers 30 in einem weiteren Zwischenzustand nach dem Entfernen der Hilfsstrukturen 41, 42. Die Form des Hohlraums 36 und der Schräge 37 bleibt auch ohne die bereits entfernten Hilfsstrukturen 41, 42 erhalten. Damit bildet der Hohlraum 36 beispielsweise die Grundlage für eine Kanalstruktur, insbesondere eine Kühlkanalstruktur, des späteren Grundkörpers 30. Dieser Zwischenzustand ist Ausgangspunkt für den nachfolgenden Verfahrensschritt, welcher die Entfernung der Matrix 43 und die gleichzeitige mindestens punktuelle Verbindung des Glaspulvers 34 umfasst, so dass die durch die Matrix 43 gebildete Form des späteren Grundkörpers 30 erhalten bleibt. Dazu wird der Braunling 44 in dem in der 3c dargestellten Zwischenzustand auf die Verbrennungstemperatur der Matrix 43 erwärmt, welche derart gewählt ist, dass auch eine punktuelle Verbindung des Glaspulvers 34 sichergestellt ist. In einem nachfolgenden weiteren Verfahrensschritt wird der nun als Grünling bezeichnete Grundkörper 30 gesintert, also zur Minimierung der durch den punktuellen Kontakt zwischen den einzelnen Partikeln des Glaspulver 34 ausgebildeten Poren im Grundkörper 30 bis kurz unterhalb des Schmelzpunktes des Glaspulvers 34 erwärmt und unter Druck weiter komprimiert, wobei Druck und Temperatur bevorzugt gleichzeitig auf den Grundkörper 30 einwirken. Die Festigkeit des Grundkörpers beruht dabei auf in dem Verfahrensschritt gebildeten Sinterhälsen, die durch Oberflächendiffusion zwischen den Partikeln des Glaspulvers 34 entstehen. Der anhand der 3b erläuterte Verfahrensschritt der Entfernung der Hilfsstrukturen 41, 42 kann alternativ auch mit der Entfernung der Matrix 43 zusammenfallen. Dies ist insbesondere dann zweckmäßig, wenn das Material 35 für die Hilfsstrukturen 41, 42 dem Trägermaterial 32 der Matrix 43 entspricht.
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4a bis 4c zeigen einen Ausschnitt eines Braunlings 44 eines späteren Grundkörpers 30 in den gleichen Zwischenzuständen, wie sie bereits in den 3a bis 3c erläutert wurden. Der Hilfsstoff ist dabei als Treibmittel 45 ausgebildet.
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4a zeigt einen Braunling 44 in dem Zwischenzustand nach dem Drucken, in welchem das Treibmittel 45, beispielsweise Titanhydrid, in der Matrix 43 eingebettet ist. Das Polyjet-Verfahren ermöglicht eine gezielte Anordnung des Treibmittels 45 in der Matrix 43, so dass Bereiche, welche bei einem Ausdehnen des Treibmittels 45, wie in 4b erläutert wird, möglicherweise Deformationen in der Oberfläche des späteren Grundkörpers 30 ausbilden könnten, gezielt ausgespart werden können.
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Die 4b zeigt den Braunling 44 beim Erwärmen desselben auf eine Aktivierungstemperatur des Treibmittels 45, welche zweckmäßigerweise deutlich unterhalb der Schmelztemperatur der Matrix 43 liegt. Dadurch wird das Treibmittel 45 gasförmig und dehnt sich aus, wobei gezielte Gasblasen in der Matrix 43 ausgebildet werden. Durch die Temperatur der Matrix 43 und der damit verbundenen wählbaren Steifigkeit kann die Größe der durch das gasförmige Treibmittel erzeigten Hohlräume 38 (4c) eingestellt werden.
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Die 4c zeigt den Braunling 44 vor der Entfernung der Matrix 43 durch Verbrennung und der mindestens punktuellen Verbindung der Glaspulverbestandteile 34. In diesem nachfolgenden Verfahrensschritt 43 wird der Braunling 44 durch die in die Gasphase übergehende Matrix 43 und die noch vorhandenen Poren zwischen den Glaspulverpartikeln 34 porös, so dass das gasförmige Treibmittel 45 entweichen kann. Die durch das Treibmittel 45 gebildeten Hohlräume 38 verbleiben in dem Grünling des Grundkörpers 30, der im Bereich der Hohlräume 38 somit je nach Anordnung des Treibmittels 45 eine ungeordnete oder geordnete Leichtbaustruktur aufweist. Das weitere Verfahren ist wie weiter oben bereits erläutert.
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5 zeigt eine durch 3D-Druck-Verfahren hergestellte Leichtbauplatte 50, welche eine untere Platte 51, eine obere Platte 52 und eine zwischen den beiden Platten 51, 52 als Wabenstruktur 53 ausgebildete geordnete Leichtbaustruktur aufweist. Die Wabenstruktur 53 ist in der in der 5 dargestellten Ausführungsform ohne Hilfsstrukturen 41, 42 hergestellt, wobei alternativ je nach Geometrie auch Hilfsstrukturen 41, 42 für die Herstellung von Leichtbaustrukturen 53 Anwendung finden können. Unabhängig von der Verwendung von Hilfsstrukturen 41, 42 sind zum Entweichen der bei der Verbrennung der Matrix 43 bewirkten Gase zu jedem eingeschlossenen Volumen 55 in der Leichtbaustruktur 53 Entlüftungslöcher 54 ausgebildet. Das zur Herstellung der Leichtbaustruktur 53 und der Platten 51, 52 verwendete Material oder Materialgemisch kann identisch aber auch für jedes Bauteil 51, 52, 53 unterschiedlich ausgebildet sein. Neben der in der 5 erläuterten geordneten Leichtbaustruktur 53 können auch ungeordnete Leichtbaustrukturen, wie beispielsweise offenporige oder geschlossenporige Schäume, oder topologieoptimierte Leichtbaustrukturen hergestellt werden.
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Bezugszeichenliste
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- 1
- Projektionsbelichtungsanlage
- 2
- Beleuchtungssystem
- 3
- Strahlungsquelle
- 4
- Beleuchtungsoptik
- 5
- Objektfeld
- 6
- Objektebene
- 7
- Retikel
- 8
- Retikelhalter
- 9
- Retikelverlagerungsantrieb
- 10
- Projektionsoptik
- 11
- Bildfeld
- 12
- Bildebene
- 13
- Wafer
- 14
- Waferhalter
- 15
- Waferverlagerungsantrieb
- 16
- EUV-Strahlung
- 17
- Kollektor
- 18
- Zwischenfokusebene
- 19
- Umlenkspiegel
- 20
- Facettenspiegel
- 21
- Facetten
- 22
- Facettenspiegel
- 23
- Facetten
- 30
- Grundkörper
- 31
- Materialgemisch
- 32
- Trägermaterial
- 34
- Glaspulver
- 35
- Material Hilfsstruktur
- 36
- Hohlraum
- 37
- Schräge
- 38
- Hohlraum
- 39
- Entlüftungsöffnung
- 40
- Basisplatte
- 41
- Hilfsstruktur
- 42
- Platzhalter
- 43
- Matrix
- 44
- Braunling
- 45
- Treibmittel
- 50
- Leichtbauplatte
- 51
- Untere Platte
- 52
- Obere Platte
- 53
- Wabenstruktur
- 54
- Entlüftungslöcher
- 55
- Volumen
- 101
- Projektionsbelichtungsanlage
- 102
- Beleuchtungssystem
- 107
- Retikel
- 108
- Retikelhalter
- 110
- Projektionsoptik
- 113
- Wafer
- 114
- Waferhalter
- 116
- DUV-Strahlung
- 117
- optisches Element
- 118
- Fassungen
- 119
- Objektivgehäuse
- M1-M6
- Spiegel
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- DE 102008009600 A1 [0038, 0042]
- US 2006/0132747 A1 [0040]
- EP 1614008 B1 [0040]
- US 6573978 [0040]
- DE 102017220586 A1 [0045]
- US 2018/0074303 A1 [0059]
