DE102022204387A1 - Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung einer zu reinigenden Oberfläche, Element für die Lithografie und/oder Halbleiterindustrie und Lithografiesystem - Google Patents

Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung einer zu reinigenden Oberfläche, Element für die Lithografie und/oder Halbleiterindustrie und Lithografiesystem Download PDF

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Volkmar Kupfer
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Abstract

Dier Erfindung betrifft ein Verfahren zur Reinigung einer wenigstens teilweisebeschichteten und/oder strukturierten zu reinigenden Oberfläche (4) eines Elements (5) für die Lithografie und/oder Halbleiterindustrie, insbesondere eines optischen Elements (116, 118, 119, 120, 121, 122, Mi, 207) für die Mikrolithografie, bei dem eine Ablösung der Beschichtung (2) und/oder eine Beschädigung der Strukturierung (3) durch die Reinigung vermieden wird, wobei die zu reinigende Oberfläche (4) des Elements (5) mit wenigstens einem Reinigungsmedium (7) innerhalb eines oder mehrerer Beaufschlagungszeiträume (8) beaufschlagt wird. Erfindungsgemäß wird die zu reinigenden Oberfläche (4) des Elements (5) mit Ultraschallwellen (10) innerhalb eines oder mehrerer Beschallungszeiträume (11) beschallt.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Reinigung einer wenigstens teilweise zuvor beschichteten und/oder strukturierten zu reinigenden Oberfläche eines Elements für die Lithografie und/oder Halbleiterindustrie, insbesondere eines optischen Elements für die Mikrolithografie, bei dem eine Ablösung der Beschichtung und/oder eine Beschädigung der Strukturierung durch die Reinigung vermieden wird, wobei die zu reinigende Oberfläche des Elements mit wenigstens einem Reinigungsmedium innerhalb wenigstens eines Beaufschlagungszeitraums beaufschlagt wird.
  • Die Erfindung betrifft ferner eine Vorrichtung zur Reinigung einer wenigstens teilweise beschichteten und/oder strukturierten zu reinigenden Oberfläche eines Elements für die Lithografie und/oder Halbleiterindustrie, insbesondere eines optischen Elements für die Mikrolithografie, aufweisend eine Beaufschlagungseinrichtung zum Beaufschlagen der zu reinigenden Oberfläche des Elements mit wenigstens einem Reinigungsmedium innerhalb wenigstens eines Beaufschlagungszeitraums.
  • Die Erfindung betrifft zusätzlich ein Element für die Lithografie und/oder Halbleiterindustrie, insbesondere ein optisches Element für die Mikrolithografie, mit einer wenigstens teilweise beschichteten und/oder strukturierten Oberfläche, wobei die Oberfläche durch Beaufschlagung mit wenigstens einem Reinigungsmedium innerhalb wenigstens eines Beaufschlagungszeitraums gereinigt ist.
  • Die Erfindung betrifft auch ein Lithografiesystem, insbesondere eine Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie mit einem Beleuchtungssystem mit einer Strahlungsquelle sowie einer Optik, welche wenigstens ein optisches Element aufweist.
  • In bekannter Weise beeinflussen optische Elemente die Eigenschaften mit ihnen wechselwirkend Lichtwellen. Zur Vermeidung unerwünschter Strukturen der resultierenden Wellenfronten ist eine exakte Ausbildung der Form der Oberflächen der optischen Elemente notwendig. Als optische Elemente sind beispielsweise planare Spiegel, Hohlspiegel, Wölbspiegel, Facettenspiegel, konvexe Linsen, konkave Linsen, konvex-konkave Linsen, plankonvexe Linsen und plankonkave Linsen zu benennen. Als Materialien für optische Elemente, insbesondere Spiegel, sind unter anderem Glas und Silicium bekannt.
  • Lithografiesysteme, insbesondere Projektionsbelichtungsanlagen weisen eine Vielzahl optischer Elemente auf. Insbesondere bei der Verwendung der optischen Elemente in einer mikrolithografischen DUV (Deep Ultraviolet)-Projektionsbelichtungsanlage und ganz besonders bei der Verwendung mit einer mikrolithografischen EUV (Extrem Ultraviolet)-Projektionsbelichtungsanlage ist eine besonders fehlerfreie Form der Oberflächen notwendig, da das durch die optischen Elemente, beispielsweise einen EUV-Spiegel, modulierte Licht zum einen eine sehr kleine Wellenlänge hat und damit die resultierenden Wellenfronten schon durch geringste Beeinträchtigungen der Oberflächenform, beispielsweise Bearbeitungsfehler und/oder Verschmutzungen, am optischen Element gestört werden. Zum anderen sind die abgebildeten Strukturen auf der Projektionsfläche sehr klein und damit ebenfalls anfällig für geringste Bearbeitungsfehler am optischen Element.
  • Nach einer Bearbeitung der Oberflächen der optischen Elemente, beispielsweise einer Beschichtung und/oder Strukturierung, können Fremdkörper auf der betreffenden Oberfläche anhaften. Vor einem Einsatz des betreffenden optischen Elements in einer Projektionsbelichtungsanlage ist es üblich, dass derartige Fremdkörper bzw. Verschmutzungen entfernt und die betreffende Oberfläche des optischen Elements gereinigt wird.
  • Aus der DE 10 2017 221 141 A1 ist ein Verfahren zum Verbessern der Nassreinigung von Komponenten, insbesondere für die EUV-Lithografie bekannt.
  • Aus der DE 10 2019 210 498 A1 ist ferner ein Verfahren zur Reinigung von Gegenständen für den Einsatz in Vakuumlagen und/oder optischen Einrichtungen für die Mikrolithografie bekannt, bei welchem ein in einer Vakuumanlage und/oder optischen Einrichtung für die Mikrolithografie einzusetzender Gegenstand in einem ersten Reinigungsschritt in einem nasschemischen Reinigungsprozess und/oder durch eine Strahlbehandlung gereinigt wird.
  • Nachteilig an den aus dem Stand der Technik bekannten Verfahren zur Reinigung ist ein Mangel an mechanischen Einwirkungen auf die auf der zu reinigenden Oberfläche vorhandenen Fremdkörper bzw. Verschmutzungen. Hierdurch können die Verschmutzungen bzw. Fremdkörper häufig lediglich unvollständig entfernt werden. Dies gilt insbesondere für Verschmutzungen, welche sich durch Lösungsmittel weniger gut von der zu reinigenden Oberfläche ablösen lassen.
  • Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Reinigung einer wenigstens teilweise zuvor beschichteten und/oder strukturierten zu reinigenden Oberfläche zu schaffen, welches die Nachteile des Standes der Technik vermeidet, insbesondere eine Entfernung schwer löslicher Verschmutzungen ermöglicht.
  • Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch ein Verfahren mit den in Anspruch 1 genannten Merkmalen gelöst.
  • Der vorliegenden Erfindung liegt ferner die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung zur Reinigung einer wenigstens teilweise beschichteten und/oder strukturierten zu reinigenden Oberfläche zu schaffen, welche die Nachteile des Standes der Technik vermeidet, insbesondere eine Entfernung schwer löslicher Verschmutzungen ermöglicht.
  • Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch eine Vorrichtung mit den in Anspruch 18 genannten Merkmalen gelöst.
  • Der vorliegenden Erfindung liegt ferner die Aufgabe zugrunde, ein Element, vorzugsweise ein optisches Element für die Mikrolithografie, zu schaffen, welches die Nachteile des Standes der Technik vermeidet, insbesondere eine Oberfläche aufweist, welche zuverlässig von schwer löslichen Verschmutzungen gereinigt ist.
  • Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch ein Element mit den in Anspruch 39 genannten Merkmalen gelöst.
  • Der vorliegenden Erfindung liegt ferner die Aufgabe zugrunde, ein Lithografiesystem, insbesondere eine Projektionsbelichtungsanlage zu schaffen, welche die Nachteile des Standes der Technik vermeidet, wobei wenigstens eines der optischen Elemente eine Oberfläche aufweist, die zuverlässig von schwer löslichen Verschmutzungen gereinigt ist.
  • Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch ein Lithografiesystem mit den in Anspruch 44 genannten Merkmalen gelöst.
  • Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Reinigung einer wenigstens teilweise beschichten und/oder strukturierten zu reinigenden Oberfläche eines Elements für die Lithografie und/oder Halbleiterindustrie, insbesondere eines optischen Elements für die Mikrolithografie ist vorgesehen, dass eine Ablösung der Beschichtung und/oder eine Beschädigung der Strukturierung durch die Reinigung vermieden wird. Ferner wird die zu reinigende Oberfläche des Elements mit wenigstens einem Reinigungsmedium innerhalb eines oder mehrerer Beaufschlagungszeiträume beaufschlagt. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass die zu reinigende Oberfläche des Elements mit Ultraschallwellen innerhalb eines oder mehrerer Beschallungszeiträume beschallt wird.
  • Die Vermeidung der Ablösung der Beschichtung und/oder eine Beschädigung der Strukturierung durch die Reinigung kann beispielsweise bedeuten, dass das Verfahren derart ausgelegt ist, dass die Beschichtung und/oder die Strukturierung nicht abgelöst bzw. beschädigt bzw. entfernt wird. Es handelt sich somit nicht um ein Reinigungsverfahren zur Entfernung und/oder Ablösung einer Beschichtung und/oder zur Beschädigung einer Strukturierung.
  • Im Rahmen der Erfindung ist die Strukturierung der Oberfläche als räumlich-körperliches Merkmal zu verstehen, welches durch einen Vorgang eines Strukturierens erzeugt wird. Im Rahmen der Erfindung ist ferner die Beschichtung der Oberfläche als räumlich-körperliches Merkmal zu verstehen, welches durch einen Vorgang eines Beschichtens erzeugt wird.
  • Durch die Verwendung von Ultraschall werden schwer lösliche Verschmutzungen, d. h. solche Verschmutzungen, welche in dem wenigstens einen Reinigungsmedium eine geringe Löslichkeit aufweisen, durch die Beschallung mit Ultraschallwellen derartiger mechanischer Beanspruchung ausgesetzt, dass sich die Verschmutzungen von der zu reinigenden Oberfläche wenigstens teilweise lösen. Hierdurch kann das wenigstens eine Reinigungsmedium in hierdurch freiwerdende Zwischenräume eindringen, wodurch eine Oberfläche der Verschmutzung vergrößert wird und damit eine Ablösung bzw. ein Lösen in dem Reinigungsmedium erleichtert wird.
  • Entgegen der im Stand der Technik vertretenen Meinung, dass komplexe Strukturierungen und/oder Beschichtungen mit einer Ultraschallreinigung unverträglich seien, hat die Erfinderin festgestellt, dass eine derartige Ultraschallbehandlung auch komplexe Beschichtungen und/oder Strukturierungen unbeschädigt lassen kann und gleichzeitig einen Reinigungseffekt überproportional stark erhöhen kann.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich in besonderer Weise, wenn die zu reinigende Oberfläche vor der Reinigung vollflächig beschichtet und/oder strukturiert ist.
  • Von besonderem Vorteil ist das geschilderte Verfahren bei zu reinigenden Oberflächen, welche vollflächig beschichtet und/oder strukturiert sind.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich in besonderer Weise, wenn auf der zu reinigenden Oberfläche dreidimensionale Strukturen ausgebildet sind.
  • Dreidimensionale Strukturen bzw. Strukturierungen profitieren im besonderen Maße von einer möglichst vollständigen und zuverlässigen Reinigung, wie sie durch das beschriebene Verfahren ermöglicht wird. Eine dreidimensionale Strukturierung ist besonders anfällig für Beschädigungen bei einem Reinigungsprozess und zugleich besonders anfällig für das Vorhandensein schwer zu entfernender Verschmutzungen. Demnach ist hierbei eine multifaktorielle Reinigung in der beschriebenen Weise besonders vorteilhaft.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich in besonderer Weise, wenn die zu reinigende Oberfläche wenigstens teilweise aus Oxiden und/oder Metalloxiden ausgebildet und/oder vor der Reinigung wenigstens teilweise mit Oxiden und/oder Metalloxiden beschichtet ist.
  • Ist die zu reinigende Oberfläche wenigstens teilweise aus Oxiden und/oder Metalloxiden ausgebildet, so kann die Verwendung besonders aggressiver Reinigungsmedien eingeschränkt sein, was wiederum eine Beschallung mit Ultraschallwellen besonders vorteilhaft macht.
  • In einer vorteilhaften Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens kann vorgesehen sein, dass die zu reinigende Oberfläche mit weichen Ultraschallwellen beschallt wird.
  • Eine Verwendung von weichen Ultraschallwellen hat den Vorteil, dass ein Risiko einer Schädigung der zu reinigenden Oberfläche, insbesondere der auf der Oberfläche befindlichen Strukturierung und/oder Beschichtung minimiert wird. Hierbei sind Parameter und/oder Eigenschaften der weichen Ultraschallwellen derart ausgewählt, dass durch die durch die Ultraschallwellen bedingten Druckschwankungen die Verschmutzungen bzw. Fremdkörper auf der zu reinigenden Oberfläche ausreichend strapazieren, um eine Ablösung zu ermöglichen, andererseits jedoch durch die Ultraschallwellen die Strukturierungen und/oder Beschichtungen der Oberfläche nicht geschädigt und/oder nachhaltig verändert werden.
  • Die dreidimensionale Strukturierung ist besonders anfällig für Beschädigungen bei einem Reinigungsprozess und zugleich besonders anfällig für das Vorhandensein schwer zu entfernender Verschmutzungen. Demnach ist hierbei eine Beschallung mit weichem Ultraschall besonders vorteilhaft.
  • In einer vorteilhaften Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens kann vorgesehen sein, dass die Ultraschallwellen mit einer Frequenz von 20 kHz bis 500 kHz, vorzugsweise 30 kHz bis 400 kHz, besonders bevorzugt 100 kHz bis 140 kHz, besonders bevorzugt 120 kHz schwingen.
  • Die vorgenannten Parameter der Ultraschallwellen haben sich im Rahmen der Erfindung als besonders vorteilhafte Werte herausgestellt. Dies ist insbesondere insofern überraschend, da eine Schwingungsfrequenz von 20 kHz bis 500 kHz einen Übergangsbereich von noch weichen Ultraschallwellen zu bereits harten Ultraschallwellen darstellt.
  • In einer vorteilhaften Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens kann vorgesehen sein, dass die Ultraschallwellen auf die zu reinigende Oberfläche mit einem Schalldruck von 2 kPa bis 200 kPa, vorzugsweise 10 kPa bis 40 kPa, besonders bevorzugt 18 kPa bis 22 kPa, ganz besonders bevorzugt 20 kPa einwirken.
  • Im Rahmen der Erfindung hat sich der genannte Schalldruck als besonders vorteilhaft erwiesen, um den geschilderten Kompromiss zwischen Ablösung der Fremdkörper und/oder Verschmutzungen und gleichzeitiger Schonung der Strukturierung und/oder Beschichtung der Oberfläche zu erreichen.
  • Insbesondere überraschend ist eine besonders gute Wirksamkeit der genannten Parameter der Ultraschallwellen hinsichtlich Schalldruck und Schwingungsfrequenz in einer Kombination der genannten Werteintervalle. Da bereits die Festlegung eines der beiden Parameter auf die jeweils genannten Intervalle ein vorteilhaftes Ergebnis des Verfahrens ermöglicht, ergeben sich bei einer Kombination der genannten Parameterbereiche, d. h. bei einem Schalldruck, welcher in dem angegebenen Parameterbereich liegt sowie einer Schwingungsfrequenz, welche in dem angegebenen Parameterintervall liegt, überraschend deutlich verbesserte Gesamtergebnisse. Offensichtlich kann die Effizienz und gleichzeitig vorhandene Oberflächenschonung der Beschallung dadurch überproportional verbessert werden, dass beide Parameter in den genannten Bereichen gehalten werden.
  • In einer vorteilhaften Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens kann vorgesehen sein, dass der wenigstens eine Beaufschlagungszeitraum den wenigstens einen Beschallungszeitraum wenigstens annähernd vollständig umfasst und/oder die zu reinigende Oberfläche beaufschlagt und gleichzeitig beschallt wird.
  • Von Vorteil ist es, wenn sich der Beschallungszeitraum wenigstens teilweise, vorzugsweise überwiegend, besonders bevorzugt vollständig mit dem Beaufschlagungszeitraum überschneidet bzw. gleichzeitig stattfindet.
  • Von besonderem Vorteil ist es, wenn die Oberfläche wenigstens zeitweise beschallt wird, während sie mit dem Reinigungsmedium beaufschlagt ist. Dies ermöglicht ein instantanes Eindringen des Reinigungsmediums in durch die Ultraschalwellen geschaffene Risse bzw. Zwischenräume in der Verschmutzung.
  • Ist das wenigstens eine Reinigungsmedium ferner ein flüssiges Medium, so können sich die Ultraschallwellen in dem flüssigen Reinigungsmedium besonders vorteilhaft ausbreiten und in eine besonders vorteilhaft hohe mechanische Wirkung entfalten.
  • In einer vorteilhaften Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens kann vorgesehen sein, dass innerhalb des wenigstens einen Beaufschlagungszeitraums das wenigstens eine Reinigungsmedium die zu reinigende Oberfläche wenigstens annähernd vollständig bedeckt.
  • Neben einer Besprühung der zu reinigenden Oberfläche mit dem Reinigungsmedium ist es von besonderem Vorteil, wenn die zu reinigende Oberfläche mit dem Reinigungsmedium vollständig bedeckt wird. Wie bereits geschildert, können sich hierdurch die Ultraschallwellen besonders effizient in Richtung der zu reinigenden Oberfläche ausbreiten und auf dieser eine besonders homogene und gleichmäßige Wirkung entfalten.
  • In einer vorteilhaften Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens kann vorgesehen sein, dass das wenigstens eine Reinigungsmedium neben unvermeidbaren Verunreinigungen aus einem oder mehreren der folgenden Medien ausgebildet wird:
    • - ein oder mehrere Tensidmedien, welche Tenside enthalten;
    • - ein oder mehrere Basenmedien, welche alkalisch reagieren;
    • - ein oder mehrere Oxidationsmedien, welche Oxidationsmittel enthalten;
    • - ein oder mehrere Lösungsmittel, welche vorzugsweise polar sind.
  • Enthält das wenigstens eine Reinigungsmedium die vorgenannten Medien, so ergibt sich eine vorteilhaft hohe Löslichkeit der Verschmutzung in dem wenigstens einen Reinigungsmedium. Eine derartige vorteilhafte hohe Löslichkeit ergibt sich aus der Verwendung der verschiedenen Medien mit verschiedenen Lösungsmitteln. Hierdurch können Verschmutzungen mit verschiedenen chemischen Zusammensetzungen adressiert bzw. beseitigt werden.
  • Bei einem polaren Lösungsmittel kann es sich insbesondere um Wasser handeln.
  • Ferner kann vorgesehen sein, dass das wenigstens eine Reinigungsmedium die oben genannten Bestandteile lediglich aufweist und/oder weitere Bestandteile beinhaltet.
  • In einer vorteilhaften Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens kann vorgesehen sein, dass
    • - das wenigstens eine Tensidmedium 1 Vol.-% bis 3 Vol.-% Tenside enthält; und/oder
    • - das wenigstens eine Basenmedium einen pH-Wert von 9 bis 11,3 ausbildet; und/oder
    • - das wenigstens eine Oxidationsmedium 1 Vol.-% bis 5 Vol.-% Oxidationsmittel enthält; und/oder
    • - das wenigstens eine Lösungsmittel aus vollentsalztem Wasser mit einem Leitwert kleiner als 0,1 µS/cm und/oder Reinstwasser mit einem Leitwert kleiner als 0,1 µS/cm sowie unvermeidbaren Verunreinigungen ausgebildet wird.
  • Es kann vorgesehen sein, dass das Oxidationsmittel vollständig oder teilweise aus Ozon und/oder Peroxiden und/oder Perboraten, insbesondere Natriumperborat, und/oder Percarbonaten, insbesondere Natriumpercarbonat, und/oder Peressigsäure und/oder Wasserstoffperoxid und/oder Hypochloriten, insbesondere Natrium- und/oder Kaliumhypochlorit ausgebildet wird.
  • Im Rahmen der Erfindung haben sich die vorgenannten Medien als besonders vorteilhaft zur Reinigung von Oberflächen bei simultaner Beschallung herausgestellt.
  • In einer vorteilhaften Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens kann vorgesehen sein, dass chronologisch die folgenden Reinigungsschritte umfasst:
    • - während eines ersten Beaufschlagungszeitraums wird die zu reinigende Oberfläche mit dem wenigstens einen Tensidmedium und/oder dem wenigstens einen Basenmedium beaufschlagt; und/oder
    • - während eines ersten Spülzeitraums wird die zu reinigende Oberfläche mit einem ersten Lösungsmittel beaufschlagt, vorzugsweise besprüht; und/oder
    • - während eines zweiten Beaufschlagungszeitraums wird die zu reinigende Oberfläche mit dem wenigstens einen Oxidationsmittel beaufschlagt; und/oder
    • - während eines zweiten Spülzeitraums wird die zu reinigende Oberfläche mit einem zweiten Lösungsmittel beaufschlagt, vorzugsweise besprüht; und/oder
    • - während eines dritten Beaufschlagungszeitraums wird die zu reinigende Oberfläche mit dem wenigstens einen Tensidmedium und/oder dem wenigstens einen Basenmedium beaufschlagt;
    • - während eines dritten Spülzeitraums wird die zu reinigende Oberfläche mit einem dritten Lösungsmittel beaufschlagt, vorzugsweise besprüht; und/oder
    • - während eines Entnahmezeitraums das Element und/oder die zu reinigende Oberfläche in eine Gasatmosphäre überführt wird; und/oder
    • - während eines Trocknungszeitraums wird wenigstens die zu reinigende Oberfläche, vorzugsweise mittels Infrarotstrahlung, getrocknet.
  • Im Rahmen der Erfindung haben sich die vorgenannten Medien in der beschriebenen Abfolge als besonders vorteilhaft zur Reinigung von Oberflächen bei simultaner Beschallung herausgestellt.
  • Es kann vorgesehen sein, dass jeder der Beaufschlagungszeiträume jeweils einen oder mehrere Beschallungszeiträume teilweise und/oder vollständig umfasst.
  • In einer vorteilhaften Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens kann vorgesehen sein, dass
    • - der wenigstens eine Beaufschlagungszeitraum 1 min bis 5 min, vorzugsweise 2 min bis 4 min, besonders bevorzugt 3 min andauert; und/oder
    • - der wenigstens eine Beschallungszeitraum 1 min bis 5 min, vorzugsweise 2 min bis 4 min, besonders bevorzugt 3 min andauert.
  • Im Rahmen der Erfindung haben sich die genannten Zeiträume zur Beaufschlagung und/oder Beschallung zur Erzielung eines besonders vorteilhaften Kompromisses zwischen einer Entfernung der Verschmutzungen und gleichzeitiger Vermeidung von Beschädigungen der Oberfläche erwiesen.
  • In einer vorteilhaften Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens kann vorgesehen sein, dass an der zu reinigenden Oberfläche und/oder in dem wenigstens einen Reinigungsmedium eine Temperatur von 30°C bis 44°C eingestellt wird.
  • Im Rahmen der Erfindung haben sich die genannten Temperaturintervalle als besonders vorteilhaft herausgestellt. An den genannten Temperaturintervallen wird gleichzeitig eine gute Lösung der Verschmutzungen in den verwendeten Lösungsmitteln bzw. Reinigungsmedien sowie eine geringe Beeinträchtigung der zu reinigenden Oberfläche erzielt.
  • Es kann vorgesehen sein, dass das wenigstens eine Reinigungsmedium eine Temperatur von 30°C bis 44°C aufweist, wenn es die zu reinigende Oberfläche bedeckt und/oder wenn es auf die zu reinigende Oberfläche aufgebracht wird.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich in besonderer Weise, wenn das Element nicht gefasst ist und/oder in einer Fassung verklemmt ist.
  • Insbesondere kann vorgesehen sein, dass das Element in einer Fassung verklebt ist.
  • Ein Element, welches nicht gefasst ist und/oder in einer Fassung verklemmt ist, hat den besonderen Vorteil, dass durch das beschriebene Reinigungsverfahren allfällige Klebstoffe nicht angegriffen werden können. Hierdurch können die vorbeschriebenen Parameter des Reinigungsverfahrens besonders vorteilhaft präzise auf eine Entfernung der Verschmutzungen bei gleichzeitiger Schonung der Oberfläche eingestellt werden, ohne Rücksicht auf eine Schonung einer Verklebung in einer Fassung nehmen zu müssen.
  • In einer vorteilhaften Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens kann vorgesehen sein, dass zunächst eine Beschaffenheit der zu reinigenden Oberfläche bestimmt wird und nachfolgend ein für die Beschaffenheit der Oberfläche geeignetes Reinigungsmedium bestimmt wird und/oder für die Beschaffenheit der Oberfläche geeignete Parameter für die Beschallung bestimmt werden.
  • Eine Bestimmung der Beschaffenheit der zu reinigenden Oberfläche kann hierbei eine Bestimmung der Art und Form der Beschichtung und/oder Strukturierung sowie eine Bestimmung der auf der Oberfläche vorhandenen Verschmutzungen umfassen. Wird das verwendete Reinigungsmedium auf die hierdurch erlangten Informationen gestimmt, so kann ein entsprechend höherer Reinigungserfolg erzielt werden. Desgleichen gilt für eine Einstellung der Parameter für die Beschallung.
  • Zur Bestimmung der Beschaffenheit der zu reinigenden Oberfläche kann beispielsweise eine optische Mikroskopiemethode verwendet werden. Insbesondere zur Bestimmung der Natur der Verschmutzungen kann beispielsweise eine Massenspektroskopie verwendet werden. Ferner kann vorgesehen sein, dass durch Rasterkraftmikroskopie, vorzugsweise auf einem Teilbereich der zu reinigenden Oberfläche, exemplarisch eine dreidimensionale Form der Strukturierung sowie ein Vorkommen und eine Ausprägung von Verschmutzungen festgestellt wird.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich in besonderer Weise, wenn die vor der Reinigung aufgebrachte Beschichtung eine EUV-Strahlung reflektierend und/oder widerstandsfähig gegen Schwingungen in einer Ultraschallfrequenz ausgebildet ist.
  • Einen besonderen Vorteil hat das beschriebene Verfahren, wenn die Beschichtung des Elements EUV-Strahlung reflektierend ausgebildet ist. Derartige Beschichtungen weisen häufig eine hohe Komplexität auf, während eine mögliche Anwendung bei der Reflexion von EUV-Strahlung besonders anfällig für Fehler ist, welche durch eine Verschmutzung der Oberfläche bedingt sein können.
  • Es kann vorgesehen sein, dass die vor der Reinigung ausgebildete Beschichtung widerstandsfähig gegen Schwingungen in einer Ultraschallfrequenz ausgebildet ist.
  • Ferner ist es von besonderem Vorteil, wenn die Beschichtung derart ausgebildet ist, dass sie eine, wenigstens teilweise, Widerstandsfähigkeit gegen mechanische Schwingungen in einer Ultraschallfrequenz aufweist. Vorzugsweise ist die besagte Widerstandsfähigkeit in einem Frequenzbereich ausgebildet, welche vorzugsweise für Ultraschallwellen in dem beschriebenen Verfahren verwendet werden.
  • Besonders vorteilhaft ist es, wenn die Beschichtung des Elements derart ausgelegt ist, dass sie sowohl EUV-Strahlung reflektiert, als auch widerstandsfähig gegen Schwingungen in einer Ultraschallfrequenz ist. Hierdurch können besonders saubere optische Elemente für EUV-Projektionsbelichtungsanlagen zur Verfügung gestellt werden. Wie bereits beschrieben, profitieren optische Elemente von EUV-Projektionsbelichtungsanlagen in besonderem Maße von einem hohen Maß an Sauberkeit.
  • Die Erfindung betrifft ferner eine Vorrichtung zur Reinigung einer wenigstens teilweise beschichteten und/oder strukturierten zu reinigenden Oberfläche mit den in Anspruch 18 genannten Merkmalen.
  • Die erfindungsgemäße Vorrichtung zur Reinigung einer wenigstens teilweise beschichteten und/oder strukturierten zu reinigenden Oberfläche eines Elements für die Lithografie und/oder Halbleiterindustrie, insbesondere eines optischen Elements für die Mikrolithografie, weist wenigstens ein Reinigungsmedium und eine Beaufschlagungseinrichtung zum Beaufschlagen der zu reinigenden Oberfläche des Elements mit dem wenigstens einen Reinigungsmedium innerhalb wenigstens eines Beaufschlagungszeitraums auf. Erfindungsgemäß ist eine Ultraschalleinrichtung zur Beschallung der zu reinigenden Oberfläche des Elements mit Ultraschallwellen innerhalb wenigstens eines Beschallungszeitraums vorgesehen.
  • Zur Vermeidung einer Ablösung der Beschichtung und/oder eine Beschädigung der Strukturierung durch die Reinigung kann beispielsweise vorgesehen sein, dass das Verfahren derart ausgelegt ist, dass die Beschichtung und/oder die Strukturierung nicht abgelöst bzw. beschädigt bzw. entfernt wird. Es handelt sich somit nicht um ein Reinigungsverfahren zur Entfernung und/oder Ablösung einer Beschichtung und/oder zur Beschädigung einer Strukturierung.
  • Die erfindungsgemäße Vorrichtung bietet den Vorteil, dass die zu reinigende Oberfläche sowohl eine Reinigung mittels des Reinigungsmediums, beispielsweise mittels eines nasschemischen Reinigungsmediums, sowie eine Beschallung der zu reinigenden Oberfläche mit Ultraschallwellen ermöglicht.
  • In einer vorteilhaften Weiterbildung der erfindungsgemäßen Vorrichtung kann vorgesehen sein, dass die zu reinigende Oberfläche vollflächig beschichtet und/oder wenigstens teilweise strukturiert ist.
  • In besonderem Maße eignet sich die Vorrichtung für vollflächig beschichtete und/oder wenigstens teilweise strukturierte zu reinigenden Oberflächen, da derartige Oberflächen in besonderem Maße von einer gründlichen Reinigung profitieren.
  • In einer vorteilhaften Weiterbildung der erfindungsgemäßen Vorrichtung kann vorgesehen sein, dass die zu reinigende Oberfläche wenigstens teilweise aus Oxiden und/oder Metalloxiden ausgebildet und/oder mit Oxiden und/oder Metalloxiden beschichtet ist.
  • Eine Beschichtung der zu reinigenden Oberfläche aus Oxiden und/oder Metalloxiden kann eine Verwendung von Reinigungsmedien unter Umständen einschränken, was eine gründliche Reinigung der zu reinigenden Oberfläche erschwert. In diesem Fall profitiert eine Reinigung des zu reinigenden Elements besonders von der Möglichkeit einer ultraschallgestützten Reinigung.
  • In einer vorteilhaften Weiterbildung der erfindungsgemäßen Vorrichtung kann vorgesehen sein, dass die Ultraschalleinrichtung eingerichtet ist, weiche Ultraschallwellen auszubilden.
  • Weiche Ultraschallwellen haben den Vorteil, dass durch sie ein besonders guter Kompromiss zwischen einer gründlichen Reinigung und einer ultraschallgestützten mechanischen Zerstörung der Verschmutzungen auf der zu reinigenden Oberfläche bei gleichzeitiger Schonung der zugrundeliegenden zu reinigenden Oberfläche, insbesondere bei Beschichtungen und/oder Strukturierungen, erzielt werden kann.
  • In einer vorteilhaften Weiterbildung der erfindungsgemäßen Vorrichtung kann vorgesehen sein, dass die Ultraschalleinrichtung eingerichtet ist, Ultraschallwellen mit einer Frequenz von 20 kHz bis 500 kHz, vorzugsweise 30 kHz bis 400 kHz, besonders bevorzugt 100 kHz bis 140 kHz, besonders bevorzugt 120 kHz auszubilden.
  • Die vorgenannten Parameter der Ultraschallwellen haben sich im Rahmen der Erfindung als besonders vorteilhafte Werte herausgestellt. Dies ist insbesondere insofern überraschend, da eine Schwingungsfrequenz von 20 kHz bis 500 kHz einen Übergangsbereich von noch weichen Ultraschallwellen zu bereits harten Ultraschallwellen darstellt.
  • In einer vorteilhaften Weiterbildung der erfindungsgemäßen Vorrichtung kann vorgesehen sein, dass die Ultraschalleinrichtung eingerichtet und angeordnet ist, die Ultraschallwellen derart auszubilden, dass diese auf die zu reinigende Oberfläche mit einem Schalldruck von 2 kPa bis 200 kPa, vorzugsweise 10 kPa bis 40 kPa, besonders bevorzugt 18 kPa bis 22 kPa, ganz besonders bevorzugt 20 kPa einwirken.
  • Im Rahmen der Erfindung hat sich der genannte Schalldruck als besonders vorteilhaft erwiesen, um den geschilderten Kompromiss zwischen Ablösung der Fremdkörper und/oder Verschmutzungen und gleichzeitiger Schonung der Strukturierung und/oder Beschichtung der Oberfläche zu erreichen.
  • In einer vorteilhaften Weiterbildung der erfindungsgemäßen Vorrichtung kann vorgesehen sein, dass die Ultraschalleinrichtung eingerichtet und angeordnet ist, die Ultraschallwellen derart auszubilden, dass diese innerhalb des wenigstens einen Reinigungsmediums propagieren.
  • Ist das Reinigungsmedium ferner ein flüssiges Medium, so können sich die Ultraschallwellen in dem flüssigen Reinigungsmedium besonders vorteilhaft ausbreiten und in eine besonders vorteilhaft hohe mechanische Wirkung entfalten.
  • In einer vorteilhaften Weiterbildung der erfindungsgemäßen Vorrichtung kann vorgesehen sein, dass die Beaufschlagungseinrichtung eingerichtet ist, die zu reinigende Oberfläche wenigstens annähern vollständig mit dem wenigstens einen Reinigungsmedium zu bedecken.
  • Durch eine ausreichend große Auslegung der Beaufschlagungseinrichtung kann dafür gesorgt werden, dass das Element in der Beaufschlagungseinrichtung wenigstens annähernd vollständig aufgenommen werden kann und ferner ausreichend Reinigungsmedium vorgehalten werden kann, um die zu reinigende Oberfläche wenigstens annähernd vollständig zu bedecken. Hierdurch kann eine vorteilhaft lückenlose Reinigung der zu reinigenden Oberfläche erzielt werden.
  • In einer vorteilhaften Weiterbildung der erfindungsgemäßen Vorrichtung kann vorgesehen sein, dass eine Umwälzeinrichtung vorgesehen ist, um das wenigstens eine Reinigungsmedium während des Beaufschlagungszeitraums umzuwälzen.
  • Eine Umwälzung des Reinigungsmediums hat den Vorteil, dass die zu reinigende Oberfläche stets in Kontakt mit ausgetauschtem Reinigungsmedium steht. Hierdurch wird ein Auflösungsprozess der Verschmutzungen unterstützt und beschleunigt. Ferner kann eine Reinigung der Oberfläche durch die durch die Umwälzung bedingte Strömung und der damit verbundenen mechanischen Einwirkungen auf die Verschmutzungen unterstützt werden.
  • In einer vorteilhaften Weiterbildung der erfindungsgemäßen Vorrichtung kann vorgesehen sein, dass die Umwälzungseinrichtung wenigstens eine Filtereinrichtung aufweist, welche eingerichtet ist, das wenigstens eine Reinigungsmedium zu filtrieren.
  • Durch die Filtereinrichtung können in dem Reinigungsmedium vorliegende Verschmutzungen, welche beispielsweise von der zu reinigenden Oberfläche bereits abgelöst sind, dem Reinigungsmedium entnommen werden. Hierdurch kann sichergestellt werden, dass die zu reinigende Oberfläche mit sauberem Reinigungsmedium beaufschlagt wird. Ferner kann hierdurch das Reinigungsmedium mehrfach verwendet werden und muss nicht nach einem einzelnen Durchlauf entsorgt werden, was eine Einsparung von Kosten ermöglicht.
  • In einer vorteilhaften Weiterbildung der erfindungsgemäßen Vorrichtung kann vorgesehen sein, dass die Beaufschlagungseinrichtung eine Austauscheinrichtung aufweist, welche eingerichtet ist, die zu reinigende Oberfläche mit mehreren Reinigungsmedien als Gemisch und/oder sequentiell zu beaufschlagen.
  • Die Austauscheinrichtung hat den Vorteil, dass verschiedene Reinigungsmedien im Gemisch und/oder sequentiell der zu reinigenden Oberfläche zugeführt werden können. Hierdurch ist es möglich beispielsweise untereinander unverträgliche Reinigungsmittel nacheinander der Oberfläche zuzuführen. Es kann also vorgesehen sein, dass ein erstes Reinigungsmedium aus der Beaufschlagungseinrichtung entnommen wird und hiernach ein zweites Reinigungsmedium der Beaufschlagungseinrichtung zugeführt wird und die zu reinigende Oberfläche mit dem zweiten Reinigungsmedium beaufschlagt wird.
  • In einer vorteilhaften Weiterbildung der erfindungsgemäßen Vorrichtung kann vorgesehen sein, dass die Austauscheinrichtung eingerichtet ist, die zu reinigende Oberfläche
    • - während eines ersten Beaufschlagungszeitraums mit einem ersten Reinigungsmedium zu beaufschlagen, welches vorzugsweise Tenside enthält und/oder alkalisch reagiert; und/oder
    • - während eines zweiten Beaufschlagungszeitraums mit einem zweiten Reinigungsmedium zu beaufschlagen, welches vorzugsweise wenigstens ein Oxidationsmittel enthält.
  • In einer vorteilhaften Weiterbildung der erfindungsgemäßen Vorrichtung kann vorgesehen sein, dass das wenigstens eine Reinigungsmedium neben unvermeidbaren Verunreinigungen aus einem oder mehreren der folgenden Medien besteht:
    • - einem oder mehreren Tensidmedien, welche Tenside enthalten;
    • - einem oder mehreren Basenmedien, welche alkalisch reagieren;
    • - einem oder mehreren Oxidationsmedien, welche Oxidationsmittel enthalten;
    • - einem oder mehreren Lösungsmittel, welche vorzugsweise polar sind.
  • In einer vorteilhaften Weiterbildung der erfindungsgemäßen Vorrichtung kann vorgesehen sein, dass
    • - das wenigstens eine Tensidmedium 1 Vol.-% bis 3 Vol.-% Tenside enthält; und/oder
    • - das wenigstens eine Basenmedium einen pH-Wert von 9 bis 11,3 ausbildet; und/oder
    • - das wenigstens eine Oxidationsmedium 1 Vol.-% bis 5 Vol.-% Oxidationsmittel enthält; und/oder
    • - das wenigstens eine Lösungsmittel aus vollentsalztem Wasser mit einem Leitwert kleiner als 0,1 µS/cm und/oder Reinstwasser mit einem Leitwert kleiner als 0,1 µS/cm sowie unvermeidbaren Verunreinigungen besteht.
  • Es kann vorgesehen sein, dass das Oxidationsmittel vollständig oder teilweise aus Ozon und/oder Peroxiden und/oder Perboraten, insbesondere Natriumperborat, und/oder Percarbonaten, insbesondere Natriumpercarbonat, und/oder Peressigsäure und/oder Wasserstoffperoxid und/oder Hypochloriten, insbesondere Natrium- und/oder Kaliumhypochlorit ausgebildet ist.
  • In einer vorteilhaften Weiterbildung der erfindungsgemäßen Vorrichtung kann vorgesehen sein, dass die Beaufschlagungseinrichtung eine Temperierungseinrichtung aufweist, welche eingerichtet ist, wenigstens die zu reinigende Oberfläche und/oder das wenigstens eine Reinigungsmedium auf eine Temperatur von 30°C bis 44°C zu bringen und/oder zu halten.
  • Es kann vorgesehen sein, dass das wenigstens eine Reinigungsmedium eine Temperatur von 30°C bis 44°C aufweist, wenn es die zu reinigende Oberfläche bedeckt und/oder wenn es auf die zu reinigende Oberfläche aufgebracht wird.
  • Im Rahmen der Erfindung haben sich die genannten Temperaturintervalle als besonders vorteilhaft herausgestellt. An den genannten Temperaturintervallen wird gleichzeitig eine gute Lösung der Verschmutzungen in den verwendeten Lösungsmitteln bzw. Reinigungsmedien sowie eine geringe Beeinträchtigung der zu reinigenden Oberfläche erzielt.
  • In einer vorteilhaften Weiterbildung der erfindungsgemäßen Vorrichtung kann vorgesehen sein, dass
    • - ein erster Beaufschlagungsraum vorgesehen ist, in welchem die zu reinigende Oberfläche mit dem wenigstens einen Tensidmedium und/oder dem wenigstens einen Basenmedium beaufschlagbar ist; und/oder
    • - ein erster Spülraum vorgesehen ist, in welchem die zu reinigende Oberfläche mit einem ersten Lösungsmittel beaufschlagbar, vorzugsweise besprühbar, ist und/oder ein zweiter Beaufschlagungsraum vorgesehen ist, in welchem die zu reinigende Oberfläche mit dem wenigstens einen Oxidationsmedium beaufschlagt wird; und/oder
    • - ein zweiter Spülraum vorgesehen ist, in welchem die zu reinigende Oberfläche mit einem zweiten Lösungsmittel beaufschlagbar, vorzugsweise besprühbar, ist; und/oder
    • - ein dritter Beaufschlagungsraum vorgesehen ist, in welchem die zu reinigende Oberfläche mit dem wenigstens einen Tensidmedium und/oder dem wenigstens einen Basenmedium beaufschlagbar ist;und/oder
    • - ein dritter Spülraum vorgesehen ist, in welchem die zu reinigende Oberfläche mit einem dritten Lösungsmittel beaufschlagbar, vorzugsweise besprühbar, ist; und/oder
    • - ein Entnahmeraum vorgesehen ist, in welchem das Element und/oder die zu reinigende Oberfläche mittels einer Entnahmeeinrichtung in eine Gasatmosphäre überführbar ist; und/oder
    • - ein Trocknungsraum vorgesehen ist, in welchem wenigstens die zu reinigende Oberfläche mittels einer Trocknungseinrichtung, vorzugsweise mittels einer Infrarotstrahlung einer Infraroteinrichtung, trockenbar ist.
  • Die vorbeschriebene Konfiguration der Vorrichtung mit mehreren Beaufschlagungsräumen und Spülräumen sowie dem Entnahmeraum und dem Trocknungsraum ermöglicht einen Aufbau der Vorrichtung in der Art einer Reinigungsstraße. Hierdurch ist es möglich, das Element an einem Beginn der Reinigungsstraße bzw. der Vorrichtung in diese zu verbringen. Das zu reinigende Element durchläuft anschließend die verschiedenen Räume bzw. Stationen der Reinigungsstraße bzw. Vorrichtung und kann an einem Ende der Reinigungsstraße bzw. Vorrichtung wenigstens annähernd vollständig gereinigt entnommen und einer weiteren Verwendung zugeführt werden.
  • Insbesondere ist die Vorrichtung dazu eingerichtet, dass das Element die Beaufschlagungsräume in der genannten Reihenfolge durchläuft.
  • Möglich ist es dabei auch, dass einzelne Räume entfallen. Die Nummerierung der Räume bedeutet nicht zwingend, dass zum Beispiel vor dem dritten Spülraum ein zweiter Spülraum vorhanden ist.
  • Ferner können die genannten Räume auch identisch sein. Hierbei kann vorgesehen sein, dass ein einzelner Raum oder mehrere Räume die Funktionalitäten der vorgenannten Räume auf sich vereinigt.
  • Eine Trocknung der zu reinigenden Oberfläche mittels der Infrarotstrahlung der Infraroteinrichtung hat den Vorteil, dass auf diese Weise die zu reinigende Oberfläche kontrolliert erwärmt werden kann, wodurch das Reinigungsmedium, vorzugsweise reines Wasser und/oder weitere rückstandsfrei verdampfbare Reinigungsmedien vollständig von der Oberfläche entnommen werden kann, ohne ein Risiko eines Eintrags weiterer Verschmutzungen durch den Reinigungsprozess in Kauf nehmen zu müssen.
  • Das Vorhandensein eines Entnahmeraums mit einer kontrollierten Gasatmosphäre hat den Vorteil, dass nach einer Entnahme aus dem Reinigungsmedium die zu reinigende Oberfläche lediglich mit einer kontrollierten Atmosphäre in Kontakt kommt, wodurch eine Veränderung der Oberfläche und/oder eine Verschmutzung der zu reinigenden Oberfläche minimiert wird.
  • Die Anzahl von drei Beaufschlagungsräumen hat den Vorteil, dass drei als vorteilhaft erkannte Reinigungsmedien, insbesondere das Tensidmedium, das Oxidationsmittel und/oder das Basenmedium räumlich und funktional getrennt voneinander verwendet werden kann, während gleichzeitig nicht unnötig viele Beaufschlagungsräume und Spülräume vorgehalten werden müssen.
  • In einer vorteilhaften Weiterbildung der erfindungsgemäßen Vorrichtung kann vorgesehen sein, dass die wenigstens eine Ultraschalleinrichtung eingerichtet und angeordnet ist, die Ultraschallwellen derart auszubilden, dass diese, vorzugsweise innerhalb des wenigstens einen Reinigungsmediums, innerhalb des ersten, zweiten und/oder dritten Beaufschlagungsraums zu der zu reinigenden Oberfläche propagieren.
  • Eine Propagation der Ultraschallwellen innerhalb des Reinigungsmediums, vorzugsweise zu der vollständig mit Reinigungsmedium bedeckten zu reinigenden Oberfläche hin, hat den Vorteil, dass eine Propagation im Reinigungsmedium besonders verlustarm und effizient von statten geht, während die Schwingungen der Druckschwankungen der Ultraschallwellen an der zu reinigenden Oberfläche eine besonders gute mechanische Einwirkung auf die Verschmutzungen der zu reinigenden Oberfläche ermöglicht.
  • In einer vorteilhaften Weiterbildung der erfindungsgemäßen Vorrichtung kann vorgesehen sein, dass auf der zu reinigenden Oberfläche dreidimensionale Strukturen ausgebildet sind.
  • In einer vorteilhaften Weiterbildung der erfindungsgemäßen Vorrichtung kann vorgesehen sein, dass die dreidimensionalen Strukturen parallel zu der zu reinigenden Oberfläche wenigstens abschnittsweise charakteristische Ausdehnungen von 50 nm bis 1000 nm, vorzugsweise 100 nm bis 500 nm, aufweisen und/oder senkrecht zu der zu reinigenden Oberfläche wenigstens abschnittsweise charakteristische Ausdehnungen von 50 nm bis 1000 nm, vorzugsweise 100 nm bis 800 nm, aufweisen.
  • Unter der charakteristischen Ausdehnung ist im Rahmen der Erfindung diejenige Ausdehnung zu verstehen, welche den dreidimensionalen Strukturen ihre jeweilige wesentliche Charakteristik verleiht. Eine senkrecht zu der zu reinigenden Oberfläche ausgebildete charakteristische Ausdehnung kann beispielsweise eine Steghöhe bezeichnen und beispielsweise zu lokalen Abweichungen von dieser Steghöhe, welche die Charakteristik der dreidimensionalen Struktur nicht wesentlich beeinflussen abgrenzen.
  • In einer vorteilhaften Weiterbildung der erfindungsgemäßen Vorrichtung kann vorgesehen sein, dass die dreidimensionalen Strukturen
    • - Stege aufweisen, welche eine Stegbreite von 100 nm bis 500 nm, vorzugsweise 240 nm bis 410 nm, und/oder einen Füllfaktor von 0,3 bis 06, vorzugsweise 0,5 aufweisen; und/oder
    • - Säulen aufweisen, welche vorzugsweise quadratisch in einem hexagonalen Gitter ausgebildet sind und welche eine Punktgröße von 100 nm bis 300 nm, vorzugsweise 140 nm bis 260 nm, und/oder einen Füllfaktor von 0,1 bis 0,2 vorzugsweise 0,125 aufweisen.
  • Die dreidimensionalen Strukturen mit vorgenannten Dimensionen sind besonders geeignet zur Verwendung bei optischen Elementen. Insbesondere können derartige dreidimensionale Strukturierungen bei der Ausbildung eines computergenerierten Hologramms (CGH) verwendet werden.
  • In einer vorteilhaften Weiterbildung der erfindungsgemäßen Vorrichtung kann vorgesehen sein, dass das Element keine organischen Bestandteile aufweist.
  • Weist das Element keine organischen Bestandteile auf, so kann eine Wahl der zu verwendenden Reinigungsmedien auf eine Entfernung der Verschmutzungen der zu reinigenden Oberfläche optimiert werden. Es muss demnach keine Rücksicht auf eventuelle organische Bestandteile des Elements genommen werden. Dies ist insbesondere von Vorteil, da Verschmutzungen der zu reinigenden Oberfläche häufig organische Bestandteile aufweisen.
  • Die Erfindung betrifft ferner ein Element mit den in Anspruch 39 genannten Merkmalen.
  • Das erfindungsgemäße Element für die Lithografie und/oder Halbleiterindustrie, insbesondere ein optisches Element für die Mikrolithografie weist eine wenigstens teilweise beschichtete und/oder strukturierte Oberfläche auf. Die Oberfläche ist hierbei durch Beaufschlagung mit dem wenigstens einem Reinigungsmedium unter Vermeidung einer Ablösung der Beschichtung und/oder einer Beschädigung der Strukturierung innerhalb wenigstens eines Beaufschlagungszeitraums gereinigt. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass die Oberfläche ferner durch Beschallung mit Ultraschallwellen innerhalb wenigstens eines Beschallungszeitraums gereinigt ist.
  • Das erfindungsgemäße Element hat den Vorteil, dass es durch eine Kombination zweier Reinigungsmethoden besonders zuverlässig und präzise gereinigt ist. Insbesondere bilden die Reinigungsverfahren der Beaufschlagung mit einem Reinigungsmedium und der Beschallung mit Ultraschallwellen einen besonderen Synergieeffekt aus, da das Reinigungsmedium bei einer Beschallung mit Ultraschallwellen besonders gut in Verschmutzungen der Oberfläche eindringen und diese auflösen kann. Außerdem können die Ultraschallwellen ihre Wirkung in einem Reinigungsmedium, insbesondere flüssigem Reinigungsmedium besonders gut entfalten. Die Beschichtung und/oder die Strukturierung der Oberfläche ist durch den Reinigungsprozess hierbei nicht beeinträchtigt.
  • In einer vorteilhaften Weiterbildung des erfindungsgemäßen Elements kann vorgesehen sein, dass die Oberfläche wenigstens teilweise aus Oxiden und/oder Metalloxiden ausgebildet und/oder vor der Reinigung mit Oxiden und/oder Metalloxiden beschichtet ist.
  • Eine aus Oxiden oder Metalloxiden ausgebildete Oberfläche hat zum einen den Vorteil, dass diese sich besonders gut zu Anwendungen des Elements in der Mikrolithografie eignet. Zum anderen profitiert eine derartige Oberfläche besonders von einer Reinigung mit einem Reinigungsmedium und Ultraschallwellen. Ferner verleiht eine Beschichtung mit Oxiden oder Metalloxiden der zu reinigenden Oberfläche eine zusätzliche Widerstandsfähigkeit gegenüber Ultraschallwellen.
  • In einer vorteilhaften Weiterbildung des erfindungsgemäßen Elements kann vorgesehen sein, dass auf der Oberfläche dreidimensionale Strukturen ausgebildet sind.
  • Dreidimensionale Strukturen ermöglichen den Einsatz des Elements beispielsweise als optisches Element, insbesondere als computergeneriertes Hologramm, sind jedoch zugleich besonders anfällig für Veränderungen durch Verschmutzungen. Demnach profitiert ein derartiges Element in besonderem Maße von der wie vorbeschrieben gereinigten Oberfläche.
  • In einer vorteilhaften Weiterbildung des erfindungsgemäßen Elements kann vorgesehen sein, dass
    • - die dreidimensionalen Strukturen parallel zu der Oberfläche wenigstens abschnittsweise charakteristische Ausdehnungen von 50 nm bis 1000 nm, vorzugsweise 100 nm bis 500 nm, aufweisen und/oder
    • - senkrecht zu der zu reinigenden Oberfläche wenigstens abschnittsweise charakteristische Ausdehnungen von 50 nm bis 1000 nm, vorzugsweise 100 nm bis 800 nm, aufweisen.
  • In einer vorteilhaften Weiterbildung des erfindungsgemäßen Elements kann vorgesehen sein, dass die Beschichtung eine EUV-Strahlung reflektierend und/oder widerstandsfähig gegen Schwingungen in einer Ultraschallfrequenz ausgebildet ist.
  • Die Erfindung betrifft ferner ein Lithografiesystem mit den in Anspruch 44 genannten Merkmalen.
  • Das erfindungsgemäße Lithografiesystem, insbesondere eine Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie weist ein Beleuchtungssystem mit einer Strahlungsquelle sowie einer Optik auf, welche wenigstens ein optisches Element aufweist. Hierbei ist wenigstens eines der optischen Elemente zumindest teilweise mit dem erfindungsgemäßen Verfahren gereinigt und/oder wenigstens eines der optischen Elemente ist unter Verwendung einer erfindungsgemäßen Vorrichtung gereinigt und/oder wenigstens eines der optischen Elemente ist ein erfindungsgemäßes Element.
  • Ein derartiges Lithografiesystem hat den Vorteil, dass es zuverlässig gereinigte und damit funktionsfähige optische Elemente aufweist.
  • Merkmale, die im Zusammenhang mit einem der Gegenstände der Erfindung, namentlich gegeben durch das erfindungsgemäße Verfahren, die erfindungsgemäße Vorrichtung, das erfindungsgemäße Element und das erfindungsgemäße Lithografiesystem beschrieben wurden, sind auch für die anderen Gegenstände der Erfindung vorteilhaft umsetzbar. Ebenso können Vorteile, die im Zusammenhang mit einem der Gegenstände der Erfindung genannt wurden, auch auf die anderen Gegenstände der Erfindung bezogen verstanden werden.
  • Ergänzend sei darauf hingewiesen, dass Begriffe wie „umfassend“, „aufweisend“ oder „mit“ keine anderen Merkmale oder Schritte ausschließen. Ferner schließen Begriffe wie „ein“ oder „das“, die auf eine Einzahl von Schritten oder Merkmalen hinweisen, keine Mehrzahl von Merkmalen oder Schritten aus - und umgekehrt.
  • In einer puristischen Ausführungsform der Erfindung kann allerdings auch vorgesehen sein, dass die in der Erfindung mit den Begriffen „umfassend“, „aufweisend“ oder „mit“ eingeführten Merkmale abschließend aufgezählt sind. Dementsprechend kann eine oder können mehrere Aufzählungen von Merkmalen im Rahmen der Erfindung als abgeschlossen betrachtet werden, beispielsweise jeweils für jeden Anspruch betrachtet. Die Erfindung kann beispielsweise ausschließlich aus den in Anspruch 1 genannten Merkmalen bestehen.
  • Es sei erwähnt, dass Bezeichnungen wie „erstes“ oder „zweites“ etc. vornehmlich aus Gründen der Unterscheidbarkeit von jeweiligen Vorrichtungs- oder Verfahrensmerkmalen verwendet werden und nicht unbedingt andeuten sollen, dass sich Merkmale gegenseitig bedingen oder miteinander in Beziehung stehen.
  • Nachfolgend werden Ausführungsbeispiele der Erfindung anhand der Zeichnung näher beschrieben.
  • Die Figuren zeigen jeweils bevorzugte Ausführungsbeispiele, in denen einzelne Merkmale der vorliegenden Erfindung in Kombination miteinander dargestellt sind. Merkmale eines Ausführungsbeispiels sind auch losgelöst von den anderen Merkmalen des gleichen Ausführungsbeispiels umsetzbar und können dementsprechend von einem Fachmann ohne Weiteres zu weiteren sinnvollen Kombinationen und Unterkombinationen mit Merkmalen anderer Ausführungsbeispiele verbunden werden.
  • In den Figuren sind funktionsgleiche Elemente mit denselben Bezugszeichen versehen.
  • Es zeigen:
    • 1 eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage im Meridionalschnitt;
    • 2 eine DUV-Projektionsbelichtungsanlage;
    • 3 eine schematische Darstellung der einer möglichen Ausführungsform der erfindungsgemäßen Vorrichtung;
    • 4 eine schematische Darstellung eines Teils einer weiteren möglichen Ausführungsform der erfindungsgemäßen Vorrichtung;
    • 5 eine schematische Darstellung einer weiteren möglichen Ausführungsform der erfindungsgemäßen Vorrichtung;
    • 6 eine schematische Darstellung einer möglichen Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Elements;
    • 7 eine schematische Darstellung einer weiteren möglichen Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Elements;
    • 8 eine schematische Darstellung einer weiteren möglichen Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Elements;
    • 9 eine schematische Darstellung einer weiteren möglichen Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Elements;
    • 10 eine blockdiagrammäßige Darstellung einer möglichen Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens;
    • 11 eine blockdiagrammäßige Darstellung einer weiteren möglichen Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens; und
    • 12 eine schematische Darstellung eines Beschichtungs- und Strukturierungsverfahrens einer Oberfläche.
  • Im Folgenden werden zunächst unter Bezugnahme auf 1 exemplarisch die wesentlichen Bestandteile einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage 100 für die Mikrolithografie als Beispiel für ein Lithografiesystem beschrieben. Die Beschreibung des grundsätzlichen Aufbaus der EUV-Projektionsbelichtungsanlage 100 sowie deren Bestandteile sei hierbei nicht einschränkend verstanden.
  • Ein Beleuchtungssystem 101 der EUV-Projektionsbelichtungsanlage 100 weist neben einer Strahlungsquelle 102 eine Beleuchtungsoptik 103 zur Beleuchtung eines Objektfeldes 104 in einer Objektebene 105 auf. Belichtet wird hierbei ein im Objektfeld 104 angeordnetes Retikel 106. Das Retikel 106 ist von einem Retikelhalter 107 gehalten. Der Retikelhalter 107 ist über einen Retikelverlagerungsantrieb 108 insbesondere in einer Scanrichtung verlagerbar.
  • In 1 ist zur Erläuterung ein kartesisches xyz-Koordinatensystem eingezeichnet. Die x-Richtung verläuft senkrecht in die Zeichenebene hinein. Die y-Richtung verläuft horizontal und die z-Richtung verläuft vertikal. Die Scanrichtung verläuft in 1 längs der y-Richtung. Die z-Richtung verläuft senkrecht zur Objektebene 105.
  • Die EUV-Projektionsbelichtungsanlage 100 umfasst eine Projektionsoptik 109. Die Projektionsoptik 109 dient zur Abbildung des Objektfeldes 104 in ein Bildfeld 110 in einer Bildebene 111. Die Bildebene 111 verläuft parallel zur Objektebene 105. Alternativ ist auch ein von 0° verschiedener Winkel zwischen der Objektebene 105 und der Bildebene 111 möglich.
  • Abgebildet wird eine Struktur auf dem Retikel 106 auf eine lichtempfindliche Schicht eines im Bereich des Bildfeldes 110 in der Bildebene 111 angeordneten Wafers 112. Der Wafer 112 wird von einem Waferhalter 113 gehalten. Der Waferhalter 113 ist über einen Waferverlagerungsantrieb 114 insbesondere längs der y-Richtung verlagerbar. Die Verlagerung einerseits des Retikels 106 über den Retikelverlagerungsantrieb 108 und andererseits des Wafers 112 über den Waferverlagerungsantrieb 114 kann synchronisiert zueinander erfolgen.
  • Bei der Strahlungsquelle 102 handelt es sich um eine EUV-Strahlungsquelle. Die Strahlungsquelle 102 emittiert insbesondere EUV-Strahlung 115, welche im Folgen-den auch als Nutzstrahlung oder Beleuchtungsstrahlung bezeichnet wird. Die Nutzstrahlung 115 hat insbesondere eine Wellenlänge im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm. Bei der Strahlungsquelle 102 kann es sich um eine Plasmaquelle handeln, zum Beispiel um eine LPP-Quelle („Laser Produced Plasma“, mithilfe eines Lasers erzeugtes Plasma) oder um eine DPP-Quelle („Gas Discharged Produced Plasma“, mittels Gasentladung erzeugtes Plasma). Es kann sich auch um eine synchrotronbasierte Strahlungsquelle handeln. Bei der Strahlungsquelle 102 kann es sich um einen Freie-Elektronen-Laser („Free-Electron-Laser“, FEL) handeln.
  • Die Beleuchtungsstrahlung 115, die von der Strahlungsquelle 102 ausgeht, wird von einem Kollektor 116 gebündelt. Bei dem Kollektor 116 kann es sich um einen Kollektor mit einer oder mit mehreren ellipsoidalen und/oder hyperboloiden Reflexionsflächen handeln. Die mindestens eine Reflexionsfläche des Kollektors 116 kann im streifenden Einfall („Grazing Incidence“, GI), also mit Einfallswinkeln größer als 45°, oder im normalen Einfall („Normal Incidence“, NI), also mit Einfallwinkeln kleiner als 45°, mit der Beleuchtungsstrahlung 115 beaufschlagt werden. Der Kollektor 116 kann einerseits zur Optimierung seiner Reflektivität für die Nutzstrahlung 115 und andererseits zur Unterdrückung von Falschlicht strukturiert und/oder beschichtet sein.
  • Nach dem Kollektor 116 propagiert die Beleuchtungsstrahlung 115 durch einen Zwischenfokus in einer Zwischenfokusebene 117. Die Zwischenfokusebene 117 kann eine Trennung zwischen einem Strahlungsquellenmodul, aufweisend die Strahlungsquelle 102 und den Kollektor 116, und der Beleuchtungsoptik 103 darstellen.
  • Die Beleuchtungsoptik 103 umfasst einen Umlenkspiegel 118 und diesem im Strahlengang nachgeordnet einen ersten Facettenspiegel 119. Bei dem Umlenkspiegel 118 kann es sich um einen planen Umlenkspiegel oder alternativ um einen Spiegel mit einer über die reine Umlenkungswirkung hinaus bündelbeeinflussenden Wirkung handeln. Alternativ oder zusätzlich kann der Umlenkspiegel 118 als Spektralfilter ausgeführt sein, der eine Nutzlichtwellenlänge der Beleuchtungsstrahlung 115 von Falschlicht einer hiervon abweichenden Wellenlänge trennt. Sofern der erste Facettenspiegel 119 in einer Ebene der Beleuchtungsoptik 103 angeordnet ist, die zur Objektebene 105 als Feldebene optisch konjugiert ist, wird dieser auch als Feldfacettenspiegel bezeichnet. Der erste Facettenspiegel 119 umfasst eine Vielzahl von einzelnen ersten Facetten 120, welche im Folgenden auch als Feldfacetten bezeichnet werden. Von diesen Facetten 120 sind in der 1 nur beispielhaft einige dargestellt.
  • Die ersten Facetten 120 können als makroskopische Facetten ausgeführt sein, insbesondere als rechteckige Facetten oder als Facetten mit bogenförmiger oder teilkreisförmiger Randkontur. Die ersten Facetten 120 können als plane Facetten oder alternativ als konvex oder konkav gekrümmte Facetten ausgeführt sein.
  • Wie beispielsweise aus der DE 10 2008 009 600 A1 bekannt ist, können die ersten Facetten 120 selbst jeweils auch aus einer Vielzahl von Einzelspiegeln, insbesondere einer Vielzahl von Mikrospiegeln, zusammengesetzt sein. Der erste Facettenspiegel 119 kann insbesondere als mikroelektromechanisches System (MEMS-System) ausgebildet sein. Für Details wird auf die DE 10 2008 009 600 A1 verwiesen.
  • Zwischen dem Kollektor 116 und dem Umlenkspiegel 118 verläuft die Beleuchtungsstrahlung 115 horizontal, also längs der y-Richtung.
  • Im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 103 ist dem ersten Facettenspiegel 119 nachgeordnet ein zweiter Facettenspiegel 121. Sofern der zweite Facettenspiegel 121 in einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 103 angeordnet ist, wird dieser auch als Pupillenfacettenspiegel bezeichnet. Der zweite Facettenspiegel 121 kann auch beabstandet zu einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 103 angeordnet sein. In diesem Fall wird die Kombination aus dem ersten Facettenspiegel 119 und dem zweiten Facettenspiegel 121 auch als spekularer Reflektor bezeichnet. Spekulare Reflektoren sind bekannt aus der US 2006/0132747 A1 , der EP 1 614 008 B1 und der US 6,573,978 .
  • Der zweite Facettenspiegel 121 umfasst eine Mehrzahl von zweiten Facetten 122. Die zweiten Facetten 122 werden im Falle eines Pupillenfacettenspiegels auch als Pupillenfacetten bezeichnet.
  • Bei den zweiten Facetten 122 kann es sich ebenfalls um makroskopische Facetten, die beispielsweise rund, rechteckig oder auch hexagonal berandet sein können, oder alternativ um aus Mikrospiegeln zusammengesetzte Facetten handeln. Diesbezüglich wird ebenfalls auf die DE 10 2008 009 600 A1 verwiesen.
  • Die zweiten Facetten 122 können plane oder alternativ konvex oder konkav gekrümmte Reflexionsflächen aufweisen.
  • Die Beleuchtungsoptik 103 bildet somit ein doppelt facettiertes System. Dieses grundlegende Prinzip wird auch als Fliegenaugeintegrator („Fly's Eye Integrator“) bezeichnet.
  • Es kann vorteilhaft sein, den zweiten Facettenspiegel 121 nicht exakt in einer Ebene, welche zu einer Pupillenebene der Projektionsoptik 109 optisch konjugiert ist, anzuordnen.
  • Mit Hilfe des zweiten Facettenspiegels 121 werden die einzelnen ersten Facetten 120 in das Objektfeld 104 abgebildet. Der zweite Facettenspiegel 121 ist der letzte bündelformende oder auch tatsächlich der letzte Spiegel für die Beleuchtungsstrahlung 115 im Strahlengang vor dem Objektfeld 104.
  • Bei einer weiteren, nicht dargestellten Ausführung der Beleuchtungsoptik 103 kann im Strahlengang zwischen dem zweiten Facettenspiegel 121 und dem Objektfeld 104 eine Übertragungsoptik angeordnet sein, die insbesondere zur Abbildung der ersten Facetten 120 in das Objektfeld 104 beiträgt. Die Übertragungsoptik kann genau einen Spiegel, alternativ aber auch zwei oder mehr Spiegel aufweisen, welche hintereinander im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 103 angeordnet sind. Die Übertragungsoptik kann insbesondere einen oder zwei Spiegel für senkrechten Einfall (NI-Spiegel, „Normal Incidence“-Spiegel) und/oder einen oder zwei Spiegel für streifenden Einfall (GI-Spiegel, „Gracing Incidence“-Spiegel) umfassen.
  • Die Beleuchtungsoptik 103 hat bei der Ausführung, die in der 1 gezeigt ist, nach dem Kollektor 116 genau drei Spiegel, nämlich den Umlenkspiegel 118, den Feldfacettenspiegel 119 und den Pupillenfacettenspiegel 121.
  • Bei einer weiteren Ausführung der Beleuchtungsoptik 103 kann der Umlenkspiegel 118 auch entfallen, so dass die Beleuchtungsoptik 103 nach dem Kollektor 116 dann genau zwei Spiegel aufweisen kann, nämlich den ersten Facettenspiegel 119 und den zweiten Facettenspiegel 121.
  • Die Abbildung der ersten Facetten 120 mittels der zweiten Facetten 122 beziehungsweise mit den zweiten Facetten 122 und einer Übertragungsoptik in die Objektebene 105 ist regelmäßig nur eine näherungsweise Abbildung.
  • Die Projektionsoptik 109 umfasst eine Mehrzahl von Spiegeln Mi, welche gemäß ihrer Anordnung im Strahlengang der EUV-Projektionsbelichtungsanlage 100 durchnummeriert sind.
  • Bei dem in der 1 dargestellten Beispiel umfasst die Projektionsoptik 109 sechs Spiegel M1 bis M6. Alternativen mit vier, acht, zehn, zwölf oder einer anderen Anzahl an Spiegeln Mi sind ebenso möglich. Der vorletzte Spiegel M5 und der letzte Spiegel M6 haben jeweils eine Durchtrittsöffnung für die Beleuchtungsstrahlung 115. Bei der Projektionsoptik 109 handelt es sich um eine doppelt obskurierte Optik. Die Projektionsoptik 109 hat eine bildseitige numerische Apertur, die größer ist als 0,5 und die auch größer sein kann als 0,6 und die beispielsweise 0,7 oder 0,75 betragen kann.
  • Reflexionsflächen der Spiegel Mi können als Freiformflächen ohne Rotationssymmetrieachse ausgeführt sein. Alternativ können die Reflexionsflächen der Spiegel Mi als asphärische Flächen mit genau einer Rotationssymmetrieachse der Reflexionsflächenform gestaltet sein. Die Spiegel Mi können, genauso wie die Spiegel der Beleuchtungsoptik 103, hoch reflektierende Beschichtungen für die Beleuchtungsstrahlung 115 aufweisen. Diese Beschichtungen können als Multilayer-Beschichtungen, insbesondere mit alternierenden Lagen aus Molybdän und Silizium, gestaltet sein.
  • Die Projektionsoptik 109 hat einen großen Objekt-Bildversatz in der y-Richtung zwischen einer y-Koordinate eines Zentrums des Objektfeldes 104 und einer y-Koordinate des Zentrums des Bildfeldes 110. Dieser Objekt-Bild-Versatz in der y-Richtung kann in etwa so groß sein wie ein z-Abstand zwischen der Objektebene 105 und der Bildebene 111.
  • Die Projektionsoptik 109 kann insbesondere anamorphotisch ausgebildet sein. Sie weist insbesondere unterschiedliche Abbildungsmaßstäbe βx, βy in x- und y-Richtung auf. Die beiden Abbildungsmaßstäbe βx, βy der Projektionsoptik 109 liegen bevorzugt bei (βx, βy) = (+/- 0,25, +/- 0,125). Ein positiver Abbildungsmaßstab β bedeutet eine Abbildung ohne Bildumkehr. Ein negatives Vorzeichen für den Abbildungsmaßstab β bedeutet eine Abbildung mit Bildumkehr.
  • Die Projektionsoptik 109 führt somit in x-Richtung, das heißt in Richtung senkrecht zur Scanrichtung, zu einer Verkleinerung im Verhältnis 4:1.
  • Die Projektionsoptik 109 führt in y-Richtung, das heißt in Scanrichtung, zu einer Verkleinerung von 8:1.
  • Andere Abbildungsmaßstäbe sind ebenso möglich. Auch vorzeichengleiche und absolut gleiche Abbildungsmaßstäbe in x- und y-Richtung, zum Beispiel mit Absolutwerten von 0,125 oder von 0,25, sind möglich.
  • Die Anzahl von Zwischenbildebenen in der x- und in der y-Richtung im Strahlengang zwischen dem Objektfeld 104 und dem Bildfeld 110 kann gleich sein oder kann, je nach Ausführung der Projektionsoptik 109, unterschiedlich sein. Beispiele für Projektionsoptiken mit unterschiedlichen Anzahlen derartiger Zwischenbilder in x- und y-Richtung sind bekannt aus der US 2018/0074303 A1 .
  • Jeweils eine der Pupillenfacetten 122 ist genau einer der Feldfacetten 120 zur Ausbildung jeweils eines Beleuchtungskanals zur Ausleuchtung des Objektfeldes 104 zugeordnet. Es kann sich hierdurch insbesondere eine Beleuchtung nach dem Köhlerschen Prinzip ergeben. Das Fernfeld wird mit Hilfe der Feldfacetten 120 in eine Vielzahl an Objektfeldern 104 zerlegt. Die Feldfacetten 120 erzeugen eine Mehrzahl von Bildern des Zwischenfokus auf den diesen jeweils zugeordneten Pupillenfacetten 122.
  • Die Feldfacetten 120 werden jeweils von einer zugeordneten Pupillenfacette 122 einander überlagernd zur Ausleuchtung des Objektfeldes 104 auf das Retikel 106 abgebildet. Die Ausleuchtung des Objektfeldes 104 ist insbesondere möglichst homogen. Sie weist vorzugsweise einen Uniformitätsfehler von weniger als 2% auf. Die Felduniformität kann über die Überlagerung unterschiedlicher Beleuchtungskanäle erreicht werden.
  • Durch eine Anordnung der Pupillenfacetten kann geometrisch die Ausleuchtung der Eintrittspupille der Projektionsoptik 109 definiert werden. Durch Auswahl der Beleuchtungskanäle, insbesondere der Teilmenge der Pupillenfacetten, die Licht führen, kann die Intensitätsverteilung in der Eintrittspupille der Projektionsoptik 109 eingestellt werden. Diese Intensitätsverteilung wird auch als Beleuchtungssetting bezeichnet.
  • Eine ebenfalls bevorzugte Pupillenuniformität im Bereich definiert ausgeleuchteter Abschnitte einer Beleuchtungspupille der Beleuchtungsoptik 103 kann durch eine Umverteilung der Beleuchtungskanäle erreicht werden.
  • Im Folgenden werden weitere Aspekte und Details der Ausleuchtung des Objektfeldes 104 sowie insbesondere der Eintrittspupille der Projektionsoptik 109 beschrieben.
  • Die Projektionsoptik 109 kann insbesondere eine homozentrische Eintrittspupille aufweisen. Diese kann zugänglich sein. Sie kann auch unzugänglich sein.
  • Die Eintrittspupille der Projektionsoptik 109 lässt sich regelmäßig mit dem Pupillenfacettenspiegel 121 nicht exakt ausleuchten. Bei einer Abbildung der Projektionsoptik 109, welche das Zentrum des Pupillenfacettenspiegels 121 telezentrisch auf den Wafer 112 abbildet, schneiden sich die Aperturstrahlen oftmals nicht in einem einzigen Punkt. Es lässt sich jedoch eine Fläche finden, in welcher der paarweise bestimmte Abstand der Aperturstrahlen minimal wird. Diese Fläche stellt die Eintrittspupille oder eine zu ihr konjugierte Fläche im Ortsraum dar. Insbesondere zeigt diese Fläche eine endliche Krümmung.
  • Es kann sein, dass die Projektionsoptik 109 unterschiedliche Lagen der Eintrittspupille für den tangentialen und für den sagittalen Strahlengang aufweist. In diesem Fall sollte ein abbildendes Element, insbesondere ein optisches Bauelement der Übertragungsoptik, zwischen dem zweiten Facettenspiegel 121 und dem Retikel 106 bereitgestellt werden. Mit Hilfe dieses optischen Bauelements kann die unterschiedliche Lage der tangentialen Eintrittspupille und der sagittalen Eintrittspupille berücksichtigt werden.
  • Bei der in der 1 dargestellten Anordnung der Komponenten der Beleuchtungsoptik 103 ist der Pupillenfacettenspiegel 121 in einer zur Eintrittspupille der Projektionsoptik 109 konjugierten Fläche angeordnet. Der erste Feldfacettenspiegel 119 ist verkippt zur Objektebene 105 angeordnet. Der erste Facettenspiegel 119 ist verkippt zu einer Anordnungsebene angeordnet, die vom Umlenkspiegel 118 definiert ist.
  • Der erste Facettenspiegel 119 ist verkippt zu einer Anordnungsebene angeordnet, die vom zweiten Facettenspiegel 121 definiert ist.
  • In 2 ist eine beispielhafte DUV-Projektionsbelichtungsanlage 200 dargestellt. Die DUV-Projektionsbelichtungsanlage 200 weist ein Beleuchtungssystem 201, eine Retikelstage 202 genannten Einrichtung zur Aufnahme und exakten Positionierung eines Retikels 203, durch welches die späteren Strukturen auf einem Wafer 204 bestimmt werden, einen Waferhalter 205 zur Halterung, Bewegung und exakten Positionierung des Wafers 204 und eine Abbildungseinrichtung, nämlich eine Projektionsoptik 206, mit mehreren optischen Elementen, insbesondere Linsen 207, die über Fassungen 208 in einem Objektivgehäuse 209 der Projektionsoptik 206 gehalten sind, auf.
  • Alternativ oder ergänzend zu den dargestellten Linsen 207 können diverse refraktive, diffraktive und/oder reflexive optische Elemente, unter anderem auch Spiegel, Prismen, Abschlussplatten und dergleichen, vorgesehen sein.
  • Das grundsätzliche Funktionsprinzip der DUV-Projektionsbelichtungsanlage 200 sieht vor, dass die in das Retikel 203 eingebrachten Strukturen auf den Wafer 204 abgebildet werden.
  • Das Beleuchtungssystem 201 stellt einen für die Abbildung des Retikels 203 auf den Wafer 204 benötigten Projektionsstrahl 210 in Form elektromagnetischer Strahlung bereit. Als Quelle für diese Strahlung kann ein Laser, eine Plasmaquelle oder dergleichen Verwendung finden. Die Strahlung wird in dem Beleuchtungssystem 201 über optische Elemente so geformt, dass der Projektionsstrahl 210 beim Auftreffen auf das Retikel 203 die gewünschten Eigenschaften hinsichtlich Durchmesser, Polarisation, Form der Wellenfront und dergleichen aufweist.
  • Mittels des Projektionsstrahls 210 wird ein Bild des Retikels 203 erzeugt und von der Projektionsoptik 206 entsprechend verkleinert auf den Wafer 204 übertragen. Dabei können das Retikel 203 und der Wafer 204 synchron verfahren werden, so dass praktisch kontinuierlich während eines sogenannten Scanvorganges Bereiche des Retikels 203 auf entsprechende Bereiche des Wafers 204 abgebildet werden.
  • Optional kann ein Luftspalt zwischen der letzten Linse 207 und dem Wafer 204 durch ein flüssiges Medium ersetzt sein, welches einen Brechungsindex größer 1,0 aufweist. Das flüssige Medium kann beispielsweise hochreines Wasser sein. Ein solcher Aufbau wird auch als Immersionslithographie bezeichnet und weist eine erhöhte photolithographische Auflösung auf.
  • Die Verwendung der Erfindung ist nicht auf den Einsatz in Projektionsbelichtungsanlagen 100, 200, insbesondere auch nicht mit dem beschriebenen Aufbau, beschränkt. Die Erfindung eignet sich für beliebige Lithografiesysteme, insbesondere jedoch für Projektionsbelichtungsanlagen, mit dem beschriebenen Aufbau. Die Erfindung sowie die nachfolgenden Ausführungsbeispiele sind ferner nicht auf eine spezifische Bauform beschränkt zu verstehen. Die nachfolgenden Figuren stellen die Erfindung lediglich beispielhaft und stark schematisiert dar.
  • 3 zeigt eine schematische Darstellung einer Vorrichtung 1 zur Reinigung einer wenigstens teilweise mit einer Beschichtung 2 beschichteten und/oder mit einer Strukturierung 3 strukturierten zu reinigenden Oberfläche 4 eines Elements 5 für die Lithografie und/oder Halbleiterindustrie, bei dem es sich insbesondere um ein optisches Elements 116, 118, 119, 120, 121, 122, Mi, 207 für die Mikrolithografie handeln kann, insbesondere derart, wie dies anhand der 1 und 2 beschrieben ist.
  • Die Vorrichtung 1 weist eine Beaufschlagungseinrichtung 6 zum Beaufschlagen der zu reinigenden Oberfläche 4 des Elements 5 mit wenigstens einem Reinigungsmedium 7 innerhalb wenigstens eines Beaufschlagungszeitraums 8 (siehe 10) auf. Ferner weist die Vorrichtung 1 eine Ultraschalleinrichtung 9 zur Beschallung der zu reinigenden Oberfläche 4 des Elements 5 mit Ultraschallwellen 10 innerhalb wenigstens eines Beschallungszeitraums 11 (siehe 10) auf.
  • In dem in 3 dargestellten Ausführungsbeispiel ist die zu reinigende Oberfläche 4 vollflächig beschichtet und wenigstens teilweise strukturiert.
  • Ferner ist die zu reinigende Oberfläche 4 wenigstens teilweise aus Oxiden und Metalloxiden ausgebildet und mit Oxiden und Metalloxiden beschichtet.
  • Ferner ist in dem in 3 dargestellten Ausführungsbeispiel die Ultraschalleinrichtung 9 dazu eingerichtet, weiche Ultraschallwellen 10 auszubilden.
  • Ferner ist in dem in 3 dargestellten Ausführungsbeispiel die Ultraschalleinrichtung 9 dazu eingerichtet, Ultraschallwellen 10 mit einer Frequenz von 20 kHz bis 500 kHz, vorzugsweise 30 kHz bis 400 kHz, besonders bevorzugt 100 kHz bis 140 kHz, besonders bevorzugt 120 kHz auszubilden.
  • In dem in 3 dargestellten Ausführungsbeispiel der Vorrichtung 1 ist die Ultraschalleinrichtung 9 zusätzlich dazu eingerichtet und angeordnet, die Ultraschallwellen 10 derart auszubilden, dass diese auf die zu reinigende Oberfläche 4 mit einem Schalldruck von 2 kPa bis 200 kPa, vorzugsweise 10 kPa bis 40 kPa, besonders bevorzugt 18 kPa bis 22 kPa, ganz besonders bevorzugt 20 kPa, einwirken.
  • Darüber hinaus ist in 3 die Ultraschalleinrichtung 9 dafür eingerichtet und derart angeordnet, dass die Ultraschallwellen 10 innerhalb des wenigstens einen Reinigungsmediums 7 propagieren.
  • In dem in 3 dargestellten Ausführungsbeispiel befindet sich ferner das Element 5 vollständig innerhalb des Reinigungsmediums 7.
  • Dies stellt eine Möglichkeit dar, die Beaufschlagungseinrichtung 6 derart einzurichten, dass die zu reinigende Oberfläche 4 wenigstens annähernd vollständig mit dem wenigstens einen Reinigungsmedium 7 bedeckt ist.
  • In dem in 3 dargestellten Ausführungsbeispiel weist die Beaufschlagungseinrichtung 6 eine Austauscheinrichtung 12 auf, welche dazu eingerichtet ist, die zu reinigende Oberfläche 4 mit mehreren Reinigungsmedien 7a, 7b, 7c als Gemisch und/oder sequenziell zu beaufschlagen. In dem dargestellten Ausführungsbeispiel sind beispielhaft drei verschiedene Reinigungsmedien 7a, 7b, 7c dargestellt.
  • Ferner weist in dem in 3 dargestellten Ausführungsbeispiel die Austauscheinrichtung 12 exemplarisch einen Auslauf 13 sowie eine Ventileinrichtung 14 auf. Der Auslauf 13 und die Ventileinrichtung 14 sind hierbei dazu eingerichtet, im Zusammenspiel die zu reinigende Oberfläche 4 mit einem Gemisch der mehreren Reinigungsmedien 7a, 7b, 7c zu beaufschlagen. Hierzu öffnet die Ventileinrichtung 14 einzelne Zuläufe derart, dass die Reinigungsmedien 7a, 7b, 7c in einem vorbestimmten Verhältnis auf die zu reinigende Oberfläche treffen.
  • Bei einer sequenziellen Beaufschlagung wird zwischen einer Zuleitung eines einzelnen der Reinigungsmedien 7a, 7b, 7c das jeweils vorangehende durch den Auslauf 13 aus der Beaufschlagungseinrichtung 6 entnommen. Es kann dabei vorgesehen sein, dass das entnommene Reinigungsmedium 7a, 7b, 7c von dem Auslauf 13 ausgehend der Beaufschlagungseinrichtung 6 wieder zugeführt wird.
  • Die Austauscheinrichtung 12 ist in dem in 3 dargestellten Ausführungsbeispiel dazu eingerichtet, die zu reinigende Oberfläche 4 während eines ersten Beaufschlagungszeitraums 15 (siehe 11) mit dem ersten Reinigungsmedium 7a zu beaufschlagen, welches in dem dargestellten Ausführungsbeispiel Tenside enthält sowie alkalisch reagiert. Ferner ist die Austauscheinrichtung 12 in dem Ausführungsbeispiel in 3 dazu eingerichtet, während eines zweiten Beaufschlagungszeitraums 16 (siehe 11) mit dem zweiten Reinigungsmedium 7b zu beaufschlagen, welches in dem dargestellten Ausführungsbeispiel wenigstens ein Oxidationsmittel enthält.
  • In dem in 3 dargestellten Ausführungsbeispiel besteht das wenigstens eine Reinigungsmedium 7 aus mehreren Tensidmedien, welche Tenside enthalten, sowie aus mehreren Basenmedien, welche alkalisch reagieren, sowie aus mehreren Oxidationsmedien, welches Oxidationsmittel enthalten, sowie aus einem oder mehreren Lösungsmitteln, welche polar sind.
  • Insbesondere handelt es sich bei dem Lösungsmittel in dem in 3 dargestellten Ausführungsbeispiel um Wasser.
  • In dem in 3 dargestellten Ausführungsbeispiel enthalten die Tensidmedien1 Vol.-% bis 3 Vol.-%Tenside. Ferner bilden die Basenmedien einen pH-Wert von 9 bis 11,3aus. Ferner weisen die Oxidationsmedien 1 Vol.-% bis 5 Vol.-% Oxidationsmittel auf. Ferner bestehen die Lösungsmittel aus vollentsalztem Wasser mit einem Leitwert kleiner als 0,1 µS/cm und/oder Reinstwasser mit einem Leitwert kleiner als 0,1 µS/cm sowie unvermeidbaren Verunreinigungen.
  • In dem in 3 dargestellten Ausführungsbeispiel weist die Beaufschlagungseinrichtung 6 der Vorrichtung 1 ferner eine Temperierungseinrichtung 17 auf. Diese ist dazu eingerichtet, wenigstens die zu reinigende Oberfläche 4 sowie das Reinigungsmedium 7 auf eine Temperatur von 30°C bis 44°CC zu bringen und/oder bei einer Temperatur von 30°C bis 44°C zu halten..
  • Eine derartige Ausführungsform der Vorrichtung 1 ist besonders geeignet dazu, eine Verschmutzung 18 auf der zu reinigenden Oberfläche 4 zu entfernen. In dem in 3 dargestellten Ausführungsbeispiel sind auf der zu reinigenden Oberfläche 4 dreidimensionale Strukturen 3a ausgebildet. Diese bilden in dem dargestellten Ausführungsbeispiel die Strukturierung 3 aus.
  • Ferner weist in dem in 3 dargestellten Ausführungsbeispiel das Element 5 keine organischen Bestandteile auf.
  • 4 zeigt eine schematische Darstellung eines Teils einer weiteren möglichen Ausgestaltung der Vorrichtung 1.
  • Bei der Ausführungsform ist eine Umwälzeinrichtung 19 vorhanden, um das wenigstens eine Reinigungsmedium 7 während des Beaufschlagungszeitraums 8 umzuwälzen.
  • In dem in 4 dargestellten Ausführungsbeispiel weist die Umwälzeinrichtung 19 eine Filtereinrichtung 20 auf, welche eingerichtet ist, das wenigstens eine Reinigungsmedium 7 zu filtrieren.
  • Eine mögliche Strömungsrichtung des Reinigungsmediums 7 ist in der 4 mit Pfeilen angedeutet. Die Strömung führt das Reinigungsmedium 7 in dem dargestellten Ausführungsbeispiel an der zu reinigenden Oberfläche 4 entlang.
  • Die in 4 gezeigte Ausgestaltung kann mit dem Ausführungsbeispiel nach 3 kombiniert werden, beziehungsweise Merkmale des in 3 gezeigten Ausführungsbeispiels aufweisen.
  • 5 zeigt eine schematische Darstellung eines weiteren Ausführungsbeispiels der erfindungsgemäßen Vorrichtung 1.
  • Bei dem in 5 dargestellten Ausführungsbeispiel ist ein erster Beaufschlagungsraum 21 vorhanden, in welchem die zu reinigende Oberfläche 4 mit dem ersten Reinigungsmedium 7a, in dem dargestellten Ausführungsbeispiel dem Tensidmedium, und dem Basenmedium beaufschlagbar.
  • Ferner ist ein erster Spülraum 22 vorhanden, in welchem die zu reinigende Oberfläche 4 mit einem ersten Lösungsmittels 23 besprühbar ist.
  • Ferner ist ein zweiten Beaufschlagungsraum 24 vorhanden, in welchem die zur reinigende Oberfläche 4 mit dem zweiten Reinigungsmedium 7b, im vorliegenden Ausführungsbeispiel dem Oxidationsmedium, beaufschlagbar ist.
  • Ferner ist ein zweiter Spülraum 25 vorhanden, in welchem die zu reinigende Oberfläche 4 mit einem zweiten Lösungsmittel 26 besprühbar ist.
  • Ferner ist in dem in 5 dargestellten Ausführungsbeispiel der Vorrichtung 1 ein dritter Beaufschlagungsraum 27 vorhanden, in welchem die zu reinigende Oberfläche 4 mit dem dritten Reinigungsmedium 7c, in vorliegendem Ausführungsbeispiel dem Tensidmedium und dem Basenmedium, beaufschlagbar ist.
  • Ferner ist ein dritter Spülraum 28 vorhanden, in welchem die zu reinigende Oberfläche 4 mit einem dritten Lösungsmittel 29 besprühbar ist.
  • Ferner ist ein Entnahmeraum 30 vorhanden, in welchem das Element 5 und/oder die zu reinigende Oberfläche 4 mittels einer Entnahmeeinrichtung (nicht dargestellt) in eine Gasatmosphäre 31 überführbar ist.
  • Ferner ist ein Trocknungsraum 32 vorhanden, in welchem wenigstens die zu reinigende Oberfläche 4 des Elements 5 mittels einer Trocknungseinrichtung, welche in vorliegendem Ausführungsbeispiel als Infraroteinrichtung 33 ausgebildet ist, trockenbar ist. In vorliegendem Ausführungsbeispiel geschieht die Trocknung mittels einer Infrarotstrahlung der Infraroteinrichtung 33.
  • Die Vorrichtung 1 ist dazu eingerichtet, dass das Element 5 die Beaufschlagungsräume 21, 24, 27 in der genannten Reihenfolge durchläuft.
  • Die beschriebene Reihenfolge der Beaufschlagungsräume 21, 24, 27 kann auch abweichend von der vorbeschriebenen gewählt werden. Jedoch ist das vorbeschriebene durchlaufen der Beaufschlagungsräume 21, 24, 27 in dieser Reihenfolge von besonderem Vorteil.
  • In dem in 5 dargestellten Ausführungsbeispiel ist die wenigstens ein Ultraschalleinrichtung 9 eingerichtet und angeordnet, die Ultraschallwellen 10 derart auszubilden, dass diese innerhalb der jeweiligen Reinigungsmedien 7a, 7b, 7c innerhalb des ersten bzw. zweiten bzw. dritten Beaufschlagungsraums 21, 24, 27 zu der zu reinigenden Oberfläche 4 propagieren. In vorliegendem Ausführungsbeispiel verfügt die Ultraschalleinrichtung 9 hierbei über jeweilige Untereinrichtungen, die in den jeweiligen Beaufschlagungsräumen 21, 24, 27 angeordnet sind.
  • In 5 sind in den Räumen 21, 24, 27, 22, 25, 28, 30, 32 jeweils Elemente 5 dargestellt. Dies dient zum einen der Veranschaulichung der Funktionsweise der Vorrichtung 1. Zum anderen wird verdeutlicht, dass die Vorrichtung 1 in der dargestellten Ausführungsform in der Art einer Reinigungsstraße betrieben werden kann. Hierbei können sich eine Vielzahl von Elementen 5 gleichzeitig in der Vorrichtung 1 befinden. Die Elemente 5 werden dann synchron in den jeweils nächsten Raum umgelagert.
  • Es kann vorgesehen sein, dass die in 5 als einzelne Räume dargestellten Räume 21, 24, 27, 22, 25, 28, 30, 32 auch in Kombination ausgeführt werden. Beispielsweise kann vorgesehen sein, dass der Entnahmeraum 30 und der Trocknungsraum 32 als ein einzelner Raum ausgeführt sind, welcher die beschriebenen Funktionen des Entnahmeraums 30 und des Trocknungsraums 32 in sich vereint.
  • 6 zeigt eine schematische Darstellung einer möglichen Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Elements 5.
  • Bei dem Element 5 handelt es sich vorzugsweise um ein Element 5 für die Lithografie und/oder Halbleiterindustrie, insbesondere um eines der optischen Elemente 116, 118, 119, 120, 121, 122, Mi, 207 für die Mikrolithografie. Das Element 5 weist eine beschichtete und strukturierte Oberfläche 4 auf, wobei die Oberfläche 4 durch die Beaufschlagung mit dem wenigstens einen Reinigungsmedium 7 innerhalb des Beaufschlagungszeitraums 8 gereinigt ist. Die Oberfläche 4 ist ferner durch Beschallung mit den Ultraschallwellen 10 innerhalb des Beschallungszeitraums 11 gereinigt. In dem in 6 dargestellten Ausführungsbeispiel weist die Oberfläche 4 daher keine Verschmutzung 18 auf.
  • In dem in 6 dargestellten Ausführungsbeispiel ist die Oberfläche 4 aus Oxiden und Metalloxiden ausgebildet und wurde vor der Reinigung mit Oxiden und Metalloxiden beschichtet.
  • Ferner sind auf der Oberfläche 4 dreidimensionale Strukturen 3a als Teil der Strukturierung 3 ausgebildet.
  • In dem in 6 dargestellten Ausführungsbeispiel weisen die dreidimensionalen Strukturen 3a parallel zu der Oberfläche 4 wenigstens abschnittsweise charakteristische Ausdehnungen 34 von 50 nm bis 1.000 nm, insbesondere 100 nm bis 500 nm, auf. Ferner weisen die dreidimensionalen Strukturen 3a senkrecht zu der Oberfläche 4 wenigstens abschnittsweise charakteristische Ausdehnungen 35 von 50 nm bis 1.000 nm, insbesondere 100 nm bis 800 nm, auf.
  • In dem in 6 dargestellten Ausführungsbeispiel ist die Beschichtung 2 des Elements 5 eine EUV-Strahlung reflektierend ausgebildet. Ferner ist die Beschichtung 2 widerstandsfähig gegenüber Schwingungen einer Ultraschallfrequenz ausgebildet.
  • Das in 6 dargestellte Element 5 stellt insbesondere ein Element 5 in einem Zustand nach einer Reinigung mit der Vorrichtung 1 dar. Demgemäß sind die im Zusammenhang mit 6 geschilderten Eigenschaften des Elements 5 auch für das zu reinigende Element 5 in der Vorrichtung 1 gemäß den 3, 4 und 5 zu verstehen.
  • Ferner zeigt das in 6 dargestellte Element 5 sowie die in den 3, 4 und 5 dargestellten Elemente 5 dreidimensionale Strukturen 3a auf, welche ihrerseits Stege 36 mit einer Stegbreite 34a, welche als Sonderform der oberflächenparallelen Ausdehnung 34 zu verstehen ist, von 100 nm bis 500 nm, insbesondere 240 nm bis 410 nm, auf. Ferner weisen die Stege 36 einen Füllfaktor von 3,4 bis 0,6, vorzugsweise 0,5, auf. Ferner weisen die dreidimensionalen Strukturen 3a Säulen 37 auf, welche in dem dargestellten Ausführungsbeispiel quadratisch in einem hexagonalen Gitter ausgebildet sind und welche eine Punktgröße 38 von 100 nm bis 300 nm, insbesondere 140 nm bis 260 nm, auf. Ferner weisen die Säulen 37 einen Füllfaktor von 0,1 bis 0,2, vorzugsweise 0,125, auf.
  • 7 zeigt eine schematische Darstellung einer weiteren möglichen Ausführungsform des Elements 5.
  • Bei dem in 7 dargestellten Ausführungsbeispiel des Elements 5 kann es sich um ein Element 5 handeln, welches zu einer Evaluierung einer Reinigungsleistung der Vorrichtung 1 eingesetzt werden kann.
  • Exemplarisch ist auf der linken Seite der 7 ein vergrößerter Ausschnitt in Form eines Quadrats aus der Oberfläche 4 des Elements 5 dargestellt. Hierbei ist die Strukturierung 3 sichtbar. Die Strukturierung 3 weist in dem in 7 dargestellten Ausführungsbeispiel Stege 36 sowie quadratische Säulen 37 auf. Eine Seitenlänge der quadratischen Säulen 37 beträgt hierbei 150 nm oder 250 nm. Ein Abstand in Form eines Grabens zwischen den Stegen 36 bzw. Säulen 37 beträgt in dem dargestellten Ausführungsbeispiel das 1,5-fache der Seitenlängen der quadratischen Säulen. Die Stege 36 weisen auf ihrer kurzen Seitenlänge dieselbe Seitenlänge auf wie die quadratischen Säulen 37. Eine lange Seite der Stege 36 hat hierbei die vierfache Länge der kurzen Seite der Stege 36.
  • 8 zeigt eine weitere mögliche Ausführungsform der Strukturierung 3 des Elements 5.
  • Die Stege 36 weisen in dem dargestellten Ausführungsbeispiel eine Breite von 250 nm oder 400 nm auf. Der Füllfaktor, welcher gegeben ist durch die Gesamtfläche der Stege 36 geteilt durch die Gesamtfläche der Oberfläche 4, beträgt hierbei 0,5.
  • 9 zeigt eine weitere mögliche Ausführungsform der Oberfläche 4 des Elements 5.
  • Die Strukturierung 3 weist hierbei quadratische Säulen 37 in einem hexagonalen Gitter auf. Eine Punktgröße 38 der quadratischen Säulen 37 beträgt in dem dargestellten Ausführungsbeispiel 150 nm oder 250 nm. Der Füllfaktor beträgt hierbei 1/8.
  • 10 zeigt eine blockdiagrammmäßige Darstellung einer möglichen Ausführungsform eines Verfahrens zur Reinigung der zu reinigenden Oberfläche 4.
  • Bei dem Verfahren zur Reinigung der wenigstens teilweise zuvor beschichteten und/oder strukturierten zu reinigenden Oberfläche 4 des Elements 5 für die Lithografie oder Halbleiterindustrie, insbesondere eines der optischen Elemente 116, 118, 119, 120, 121, 122, Mi, 207 für die Mikrolithografie, wird eine Ablösung der Beschichtung 2 und/oder eine Beschädigung der Strukturierung 3 durch die Reinigung vermieden. Ferner wird bei dem Verfahren die zu reinigende Oberfläche 4 des Elements 5 mit dem wenigstens einen Reinigungsmedium 7 innerhalb des Beaufschlagungszeitraums 8 beaufschlagt. Ferner wird die zu reinigende Oberfläche 4 des Elements 5 mit den Ultraschallwellen 10 innerhalb es wenigstens einen Beschallungszeitraums 11 beschallt.
  • In 10 sind verschiedene Zeiträume bzw. Blöcke des Verfahrens entlang einer Zeitachse 39 dargestellt.
  • Vor dem Reinigungsblock 40, welcher den Beaufschlagungszeitraum 8 sowie den Beschallungszeitraum 11 enthält, wird in der dargestellten Ausführungsform die zu reinigende Oberfläche 4 vor der Reinigung in einem Beschichtungsblock 41 vollflächig beschichtet und strukturiert.
  • Innerhalb des Beschichtungsblocks 41 werden auf der zu reinigenden Oberfläche 4 dreidimensionale Strukturen 3a ausgebildet.
  • Ferner wird in dem Beschichtungsblock 41 in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel die zu reinigende Oberfläche 4 wenigstens teilweise aus Oxiden und/oder Metalloxiden ausgebildet und vor der Reinigung in dem Reinigungsblock 40 wenigstens teilweise mit Oxiden und/oder Metalloxiden beschichtet.
  • Innerhalb des Reinigungsblocks 40, und insbesondere innerhalb des Beschallungszeitraums 11, wird die zu reinigende Oberfläche 4 in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel mit weichen Ultraschallwellen 10 beschallt.
  • Innerhalb des Beschallungszeitraums 11 schwingen die Ultraschallwellen 10 in vorliegendem Ausführungsbeispiel mit einer Frequenz von 120 kHz.
  • Alternativ kann vorgesehen sein, dass die Ultraschallwellen 10 mit einer Frequenz von 20 kHz bis 500 kHz, vorzugsweise 30 kHz bis 400 kHz, besonders bevorzugt von 100 kHz bis 140 kHz schwingen.
  • Innerhalb des Beschallungszeitraums 11 wirken die Ultraschallwellen 10 auf die zu reinigenden Oberfläche 4 in vorliegendem Ausführungsbeispiel mit einem Schalldruck von 20 kPa ein.
  • Alternativ oder zusätzlich kann vorgesehen sein, dass die Ultraschallwellen 10 auf die zu reinigende Oberfläche 4 mit einem Schalldruck von 2 kPa bis 200 kPa, vorzugsweise 10 kPa bis 40 kPa, besonders bevorzugt 18 kPa bis 22 kPa, einwirken.
  • In dem in 10 dargestellten Ausführungsbeispiel umfasst der Beaufschlagungszeitraum 8 den Beschallungszeitraum 11 wenigstens annähernd vollständig und die zu reinigende Oberfläche 4 wird während des Beschallungszeitraums 8 gleichzeitig beaufschlagt und beschallt.
  • Bei dem in 10 dargestellten Ausführungsbeispiel bedeckt während des Beaufschlagungszeitraums 8 das wenigstens eine Reinigungsmedium 7 die zu reinigende Oberfläche 4 wenigstens annähernd vollständig.
  • In dem in 10 dargestellten Ausführungsbeispiel ist das Element 5 ferner nicht gefasst, sondern wird vielmehr in einer Fassung verklemmt.
  • Ferner wird die in dem Beschichtungsblock 41 aufgebrachte Beschichtung 2 und/oder Strukturierung 3 EUV-Strahlung reflektierend und ferner widerstandsfähig gegenüber Schwingungen in einer Ultraschallfrequenz ausgebildet.
  • In dem in 10 dargestellten Ausführungsbeispiel umfasst der Beaufschlagungszeitraum 11 drei Minuten. Alternativ kann vorgesehen sein, dass der Beaufschlagungszeitraum 11 eine Minute bis fünf Minuten, vorzugsweise zwei Minuten bis vier Minuten, andauert.
  • In dem in 10 dargestellten Ausführungsbeispiel dauert der Beschallungszeitraum 11 zweieinhalb Minuten an. Alternativ kann vorgesehen sein, dass der Beschallungszeitraum 11 eine Minute bis fünf Minuten, vorzugsweise zwei Minuten bis vier Minuten, besonders bevorzugt drei Minuten, andauert.
  • In dem in 10 dargestellten Ausführungsbeispiel wird während des Beaufschlagungszeitraums 8 an der zu reinigenden Oberfläche 4 und in dem wenigstens einen Reinigungsmedium 7 vorzugsweise eine Temperatur von 30 °C bis 44 °C eingestellt.
  • In dem in 10 dargestellten Ausführungsbeispiel des Verfahrens wird ferner das wenigstens eine Reinigungsmedium 7 aus einem oder mehreren Tensidmedien, welche Tenside enthalten, und/oder einem oder mehreren Basenmedien, welche alkalisch reagieren, und/oder einem oder mehreren Oxidationsmedien, welche Oxidationsmittel enthalten, und/oder einem oder mehreren Lösungsmitteln, welches vorzugsweise polar sind, ausgebildet.
  • In dem in 10 dargestellten Ausführungsbeispiel ist ferner ein Oberflächenanalyseblock 42 vorgesehen. In dem Oberflächenanalyseblock 42 wird zunächst eine Beschaffenheit der zu reinigenden Oberfläche 4 bestimmt und nachfolgend ein für die Beschaffenheit der Oberfläche 4 geeignetes Reinigungsmedium 7 bestimmt. Ferner werden in dem Oberflächenanalyseblock 42 auf Grundlage der Beschaffenheit der zu reinigenden Oberfläche 4 geeignete Parameter für die Beschallung in dem Beschallungszeitraum 11 ermittelt.
  • In dem in 10 dargestellten Ausführungsbeispiel des Verfahrens enthält das wenigstens eine Tensidmedium 1 Vol.-% bis 3 Vol.-% Tenside. Ferner bildet das wenigstens eine Basenmedium einen pH-Wert von 9 bis 11,3 aus.
  • Ferner enthält das wenigstens eine Oxidationsmedium 1 Vol.-% bis 5 Vol.-% Oxidationsmittel. Ferner wird das wenigstens eine Lösungsmittel aus vollentsalztem Wasser mit einem Leitwert kleiner als 0,1 µS/cm und/oder Reinstwasser mit einem Leitwert kleiner als 0,1 µS/cm sowie unvermeidbaren Verunreinigungen ausgebildet.
  • 11 zeigt eine weitere mögliche Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens.
  • Bei dem in 11 dargestellten Ausführungsbeispiel des Verfahrens wird in chronologischer Weise geordnet und durch die Zeitachse 39 angedeutet, während eines ersten Beaufschlagungszeitraums 15 die zu reinigende Oberfläche 4 mit dem wenigstens einen Tensidmedium und/oder dem wenigstens einen Basenmedium beaufschlagt. Ferner umfasst der erste Beaufschlagungszeitraum 15 einen ersten Beschallungszeitraum 44, währenddessen die zu reinigende Oberfläche 4 mit weichen Ultraschallwellen, insbesondere mit den vorbeschriebenen Parametern, beschallt wird. Während eines ersten Spülzeitraums 45 wird die zu reinigende Oberfläche 4 mit dem ersten Lösungsmittel 23 beaufschlagt, indem sie mit dem ersten Lösungsmittel 23 besprüht wird.
  • Während des zweiten Beaufschlagungszeitraums 16 wird die zu reinigende Oberfläche 4 mit dem wenigstens einen Oxidationsmittel beaufschlagt. Der zweite Beaufschlagungszeitraum 16 umfasst zeitlich auch den zweiten Beschallungszeitraum 47, währenddessen die zu reinigende Oberfläche 4 mit weichen Ultraschallwellen 10 mit auf das Oxidationsmedium abgestimmten Parametern beschallt wird. Während eines zweiten Spülzeitraums 48 wird die zu reinigende Oberfläche 4 mit dem zweiten Lösungsmittel 26 beaufschlagt, indem es damit besprüht wird.
  • Während eines dritten Beaufschlagungszeitraums 49, mit in dem dritten Beaufschlagungszeitraum 49 eingeschlossenen dritten Beschallungszeitraum 50, wird die zu reinigende Oberfläche 4 mit dem wenigstens einen Tensidmedium und dem wenigstens einen Basenmedium beaufschlagt. Während eines dritten Spülzeitraums 51 wird die zu reinigende Oberfläche 4 mit dem dritten Lösungsmittel 29 beaufschlagt, vorzugsweise besprüht.
  • Während eines Entnahmezeitraums 52 wird das Element 5 in die Gasatmosphäre 31 überführt.
  • Während des Trocknungszeitraums 53 wird wenigstens die zu reinigende Oberfläche 4 getrocknet. In dem in 11 dargestellten Ausführungsbeispiel wird die zu reinigende Oberfläche 4 mittels der Infrarotstrahlung der Infraroteinrichtung 33 getrocknet.
  • 12 zeigt eine mögliche Veränderung des Elements 5 bzw. der Oberfläche 4 des Elements 5 innerhalb des Beschichtungsblocks 41.
  • In ein Substrat 54, welches beispielsweise Siliziumdioxid aufweisen kann, wird in einem durch einen Pfeil dargestellten Schritt die Strukturierung 3 eingebracht. Hierdurch entsteht das Element 5 mit der Strukturierung 3. Bereits das Element 5 mit der Strukturierung 3 kann einem Reinigungsverfahren bzw. eine Reinigung in der Vorrichtung 1 unterzogen werden. In einem weiteren Schritt, welcher durch einen weiteren Pfeil angedeutet ist, kann die Beschichtung 2 auf das Element bzw. die zu reinigende Oberfläche 4 aufgebracht werden. In dem dargestellten Ausführungsbeispiel wird die Beschichtung 2 als Antireflexionsbeschichtung auf einer der Strukturierung 3 gegenüberliegenden Seite des Substrats 54 ausgebildet. Die zu reinigende Oberfläche des Elements 5 umfasst hierbei sowohl die Beschichtung 2 als auch die Strukturierung 3.
  • Es kann vorgesehen sein, dass bei einer Bearbeitung des Elements 5 bzw. der Oberfläche 4 nach jeweils einzelnen Bearbeitungsschritten eine Reinigung gemäß dem vorbeschriebenen Verfahren und/oder in der Vorrichtung 1 erfolgt. Insbesondere kann diese Reinigung bzw. die zu der Reinigung verwendeten Parameter in Abhängigkeit der Spezifikation der Oberfläche 4 bzw. des Elements 5 erfolgen. Die Spezifikation kann hierbei beispielsweise visuell und/oder mittels einer Partikelerfassung und/oder mittels einer chemischen Analyse insbesondere mittels einer Restgasanalyse hinsichtlich organischer Bestandteile erfolgen. Zu einer Validierung des Reinigungsverfahrens bzw. der Reinigung durch die Vorrichtung 1 können mittels Analyseverfahren wie beispielsweise eine optische Mikroskopie und/oder Mehrkanalspektroskopie und/oder mittels eines Beugungsmessstandes in Transmission und/oder Reflexion erfolgen.
  • Bei dem Element 5 kann es sich insbesondere um eine Optik bzw. um ein optisches Element 116, 118, 119, 120, 121, 122, Mi, 207 einer DUV- und/oder EUV-Projektionsbelichtungsanlage 100, 200 handeln.
  • Bezugszeichenliste
    • 1
    Vorrichtung
    2
    Beschichtung
    3
    Strukturierung
    3a
    dreidimensionale Struktur
    4
    Oberfläche
    5
    Element
    6
    Beaufschlagungseinrichtung
    7
    Reinigungsmedium
    7a
    erstes Reinigungsmedium
    7b
    zweites Reinigungsmedium
    7c
    drittes Reinigungsmedium
    8
    Beaufschlagungszeitraum
    9
    Ultraschalleinrichtung
    10
    Ultraschallwellen
    11
    Beschallungszeitraum
    12
    Austauscheinrichtung
    13
    Auslauf
    14
    Ventileinrichtung
    15
    erster Beaufschlagungszeitraum
    16
    zweiter Beaufschlagungszeitraum
    17
    Temperierungseinrichtung
    18
    Verschmutzung
    19
    Umwälzeirichtung
    20
    Filtereinrichtung
    21
    erster Beaufschlagungsraum
    22
    erster Spülraum
    23
    erstes Lösungsmittel
    24
    zweiter Beaufschlagungsraum
    25
    zweiter Spülraum
    26
    zweites Lösungsmittel
    27
    dritter Beaufschlagungsraum
    28
    dritter Spülraum
    29
    drittes Lösungsmittel
    30
    Entnahmeraum
    31
    Gasatmosphäre
    32
    Trocknungsraum
    33
    Infraroteinrichtung
    34
    oberflächenparallele Ausdehnung
    34a
    Stegbreite
    35
    oberflächensenkrechte Ausdehnung
    36
    Steg
    37
    Säule
    38
    Punktgröße
    39
    Zeitachse
    40
    Reinigungsblock
    41
    Beschichtungsblock
    42
    Oberflächenanalyseblock
    44
    erster Beschallungszeitraum
    45
    erster Spülzeitraum
    47
    zweiter Beschallungszeitraum
    48
    zweiter Spülzeitraum
    49
    dritter Beaufschlagungszeitraum
    50
    dritter Beschallungszeitraum
    51
    dritter Spülzeitraum
    52
    Entnahmezeitraum
    53
    Trocknungszeitraum
    54
    Substrat
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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  • Zitierte Patentliteratur
    • DE 102017221141 A1 [0008]
    • DE 102019210498 A1 [0009]
    • DE 102008009600 A1 [0148, 0152]
    • US 20060132747 A1 [0150]
    • EP 1614008 B1 [0150]
    • US 6573978 [0150]
    • US 20180074303 A1 [0169]

Claims (44)

  1. Verfahren zur Reinigung einer wenigstens teilweise beschichteten und/oder strukturierten zu reinigenden Oberfläche (4) eines Elements (5) für die Lithografie und/oder Halbleiterindustrie, insbesondere eines optischen Elements (116, 118, 119, 120, 121, 122, Mi, 207) für die Mikrolithografie, bei dem eine Ablösung der Beschichtung (2) und/oder eine Beschädigung der Strukturierung (3) durch die Reinigung vermieden wird, wobei die zu reinigende Oberfläche (4) des Elements (5) mit wenigstens einem Reinigungsmedium (7) innerhalb eines oder mehrerer Beaufschlagungszeiträume (8) beaufschlagt wird, dadurch gekennzeichnet, dass die zu reinigenden Oberfläche (4) des Elements (5) mit Ultraschallwellen (10) innerhalb eines oder mehrerer Beschallungszeiträume (11) beschallt wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die zu reinigende Oberfläche (4) vollflächig beschichtet und/oder strukturiert ist.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass auf der zu reinigenden Oberfläche (4) dreidimensionale Strukturen (3a) ausgebildet sind.
  4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die zu reinigende Oberfläche (4) wenigstens teilweise aus Oxiden und/oder Metalloxiden ausgebildet und/oder vor der Reinigung wenigstens teilweise mit Oxiden und/oder Metalloxiden beschichtet ist.
  5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die zu reinigende Oberfläche (4) mit weichen Ultraschallwellen (10) beschallt wird.
  6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Ultraschallwellen (10) mit einer Frequenz von 20 kHz bis 500 kHz, vorzugsweise 30 kHz bis 400 kHz, besonders bevorzugt 100 kHz bis 140 kHz, besonders bevorzugt 120 kHz schwingen.
  7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Ultraschallwellen (10) auf die zu reinigende Oberfläche (5) mit einem Schalldruck von 2 kPa bis 200 kPa, vorzugsweise 10 kPa bis 40 kPa, besonders bevorzugt 18 kPa bis 22 kPa, ganz besonders bevorzugt 20 kPa einwirken.
  8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass der wenigstens eine Beaufschlagungszeitraum (8) den wenigstens einen Beschallungszeitraum (11) wenigstens annähernd vollständig umfasst und/oder die zu reinigende Oberfläche (4) beaufschlagt und wenigstens teilweise gleichzeitig beschallt wird.
  9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass innerhalb des wenigstens einen Beaufschlagungszeitraums (8) das wenigstens eine Reinigungsmedium (7) die zu reinigende Oberfläche (4) wenigstens annähernd vollständig bedeckt.
  10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass das wenigstens eine Reinigungsmedium (7) neben unvermeidbaren Verunreinigungen aus einem oder mehreren der folgenden Medien ausgebildet wird: - ein oder mehrere Tensidmedien, welche Tenside enthalten; - ein oder mehrere Basenmedien, welche alkalisch reagieren; - ein oder mehrere Oxidationsmedien, welche Oxidationsmittel enthalten; - ein oder mehrere Lösungsmittel, welche vorzugsweise polar sind.
  11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass - das wenigstens eine Tensidmedium 1 Vol.-% bis 3 Vol.-% Tenside enthält; und/oder - das wenigstens eine Basenmedium einen pH-Wert von 9 bis 11,3 ausbildet; und/oder - das wenigstens eine Oxidationsmedium 1 Vol.-% bis 5 Vol.-% Oxidationsmittel enthält; und/oder - das wenigstens eine Lösungsmittel aus vollentsalztem Wasser mit einem Leitwert kleiner als 0,1 µS/cm und/oder Reinstwasser mit einem Leitwert kleiner als 0,1 µS/cm sowie unvermeidbaren Verunreinigungen ausgebildet wird.
  12. Verfahren nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, dass chronologisch die folgenden Reinigungsschritte umfasst: - während eines ersten Beaufschlagungszeitraums (15) wird die zu reinigende Oberfläche (4) mit dem wenigstens einen Tensidmedium und/oder dem wenigstens einen Basenmedium beaufschlagt; und/oder - während eines ersten Spülzeitraums (45) wird die zu reinigende Oberfläche (4) mit einem ersten Lösungsmittel (23) beaufschlagt, vorzugsweise besprüht; und/oder - während eines zweiten Beaufschlagungszeitraums (16) wird die zu reinigende Oberfläche (4) mit dem wenigstens einen Oxidationsmittel beaufschlagt; und/oder - während eines zweiten Spülzeitraums (48) wird die zu reinigende Oberfläche (4) mit einem zweiten Lösungsmittel (26) beaufschlagt, vorzugsweise besprüht; und/oder - während eines dritten Beaufschlagungszeitraums (49) wird die zu reinigende Oberfläche (4) mit dem wenigstens einen Tensidmedium und/oder dem wenigstens einen Basenmedium beaufschlagt; - während eines dritten Spülzeitraums (51) wird die zu reinigende Oberfläche (4) mit einem dritten Lösungsmittel (29) beaufschlagt, vorzugsweise besprüht; und/oder - während eines Entnahmezeitraums (52) wird das Element (5) und/oder die zu reinigende Oberfläche (4) in eine Gasatmosphäre (31) überführt; und/oder - während eines Trocknungszeitraums (53) wird wenigstens die zu reinigende Oberfläche (4), vorzugsweise mittels Infrarotstrahlung, getrocknet.
  13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass - der wenigstens eine Beaufschlagungszeitraum (8) 1 min bis 5 min, vorzugsweise 2 min bis 4 min, besonders bevorzugt 3 min andauert; und/oder - der wenigstens eine Beschallungszeitraum (11) 1 min bis 5 min, vorzugsweise 2 min bis 4 min, besonders bevorzugt 3 min andauert.
  14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass an der zu reinigenden Oberfläche (4) und/oder in dem wenigstens einen Reinigungsmedium (7) eine Temperatur von 30°C bis 44°C eingestellt wird.
  15. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass das Element (5) nicht gefasst ist und/oder in einer Fassung verklemmt ist.
  16. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass zunächst eine Beschaffenheit der zu reinigenden Oberfläche (4) bestimmt wird und nachfolgend ein für die Beschaffenheit der Oberfläche (4) geeignetes Reinigungsmedium (7) bestimmt wird und/oder für die Beschaffenheit der Oberfläche (4) geeignete Parameter für die Beschallung bestimmt werden.
  17. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass die vor der Reinigung aufgebrachte Beschichtung (2) eine EUV-Strahlung reflektierend und/oder widerstandsfähig gegen Schwingungen in einer Ultraschallfrequenz ausgebildet ist.
  18. Vorrichtung (1) zur Reinigung einer wenigstens teilweise beschichteten und/oder strukturierten zu reinigenden Oberfläche (4) eines Elements (5) für die Lithografie und/oder Halbleiterindustrie, insbesondere eines optischen Elements (116, 118, 119, 120, 121, 122, Mi, 207) für die Mikrolithografie, aufweisend wenigstens ein Reinigungsmedium und aufweisend eine Beaufschlagungseinrichtung (6) zum Beaufschlagen der zu reinigenden Oberfläche (4) des Elements (5) mit dem wenigstens einen Reinigungsmedium (7) innerhalb wenigstens eines Beaufschlagungszeitraums (8), dadurch gekennzeichnet, dass eine Ultraschalleinrichtung (9) zur Beschallung der zu reinigenden Oberfläche (4) des Elements mit Ultraschallwellen (10) innerhalb wenigstens eines Beschallungszeitraums (11) vorgesehen ist.
  19. Vorrichtung (1) nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass die zu reinigende Oberfläche (4) vollflächig beschichtet und/oder wenigstens teilweise strukturiert ist.
  20. Vorrichtung (1) nach Anspruch 18 oder 19, dadurch gekennzeichnet, dass die zu reinigende Oberfläche (4) wenigstens teilweise aus Oxiden und/oder Metalloxiden ausgebildet und/oder mit Oxiden und/oder Metalloxiden beschichtet ist.
  21. Vorrichtung (1) nach einem der Ansprüche 18 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass die Ultraschalleinrichtung (9) eingerichtet ist, weiche Ultraschallwellen (10) auszubilden.
  22. Vorrichtung (1) nach einem der Ansprüche 18 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass die Ultraschalleinrichtung (9) eingerichtet ist, Ultraschallwellen (10) mit einer Frequenz von 20 kHz bis 500 kHz, vorzugsweise 30 kHz bis 400 kHz, besonders bevorzugt 100 kHz bis 140 kHz, besonders bevorzugt 120 kHz auszubilden.
  23. Vorrichtung (1) nach einem der Ansprüche 18 bis 22, dadurch gekennzeichnet, dass die Ultraschalleinrichtung (9) eingerichtet und angeordnet ist, die Ultraschallwellen (10) derart auszubilden, dass diese auf die zu reinigende Oberfläche (4) mit einem Schalldruck von 2 kPa bis 200 kPa, vorzugsweise 10 kPa bis 40 kPa, besonders bevorzugt 18 kPa bis 22 kPa, ganz besonders bevorzugt 20 kPa einwirken.
  24. Vorrichtung (1) nach einem der Ansprüche 18 bis 23, dadurch gekennzeichnet, dass die Ultraschalleinrichtung (9) eingerichtet und angeordnet ist, die Ultraschallwellen (10) derart auszubilden, dass diese innerhalb des wenigstens einen Reinigungsmediums (7) propagieren.
  25. Vorrichtung (1) nach einem der Ansprüche 18 bis 24, dadurch gekennzeichnet, dass die Beaufschlagungseinrichtung (6) eingerichtet ist, die zu reinigende Oberfläche (4) wenigstens annähern vollständig mit dem wenigstens einen Reinigungsmedium (7) zu bedecken.
  26. Vorrichtung (1) nach einem der Ansprüche 18 bis 25, dadurch gekennzeichnet, dass eine Umwälzeinrichtung (19) vorgesehen ist, um das wenigstens eine Reinigungsmedium (7) während des Beaufschlagungszeitraums (8) umzuwälzen.
  27. Vorrichtung (1) nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, dass die Umwälzungseinrichtung (19) wenigstens eine Filtereinrichtung (20) aufweist, welche eingerichtet ist, das wenigstens eine Reinigungsmedium (7) zu filtrieren.
  28. Vorrichtung (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 27, dadurch gekennzeichnet, dass die Beaufschlagungseinrichtung (6) eine Austauscheinrichtung (12) aufweist, welche eingerichtet ist, die zu reinigende Oberfläche (4) mit mehreren Reinigungsmedien (7, 7a, 7b, 7c) als Gemisch und/oder sequentiell zu beaufschlagen.
  29. Vorrichtung (1) nach Anspruch 28, dadurch gekennzeichnet, dass die Austauscheinrichtung (12) eingerichtet ist, die zu reinigende Oberfläche (4) - während eines ersten Beaufschlagungszeitraums (15) mit einem ersten Reinigungsmedium (7a) zu beaufschlagen, welches vorzugsweise Tenside enthält und/oder alkalisch reagiert; und/oder - während eines zweiten Beaufschlagungszeitraums (16) mit einem zweiten Reinigungsmedium (7b) zu beaufschlagen, welches vorzugsweise wenigstens ein Oxidationsmittel enthält.
  30. Vorrichtung (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 29, dadurch gekennzeichnet, dass das wenigstens eine Reinigungsmedium (7) neben unvermeidbaren Verunreinigungen aus einem oder mehreren der folgenden Medien besteht: - einem oder mehreren Tensidmedien, welche Tenside enthalten; - einem oder mehreren Basenmedien, welche alkalisch reagieren; - einem oder mehreren Oxidationsmedien, welche Oxidationsmittel enthalten; - einem oder mehreren Lösungsmitteln (23, 25, 27), welche vorzugsweise polar sind.
  31. Vorrichtung (1) nach Anspruch 30, dadurch gekennzeichnet, dass - das wenigstens eine Tensidmedium 1 Vol.-% bis 3 Vol.-% Tenside enthält; und/oder - das wenigstens eine Basenmedium einen pH-Wert von 9 bis 11,3 ausbildet; und/oder - das wenigstens eine Oxidationsmedium 1 Vol.-% bis 5 Vol.-% Oxidationsmittel enthält; und/oder - das wenigstens eine Lösungsmittel (23, 25, 27) aus vollentsalztem Wasser mit einem Leitwert kleiner als 0,1 µS/cm und/oder Reinstwasser mit einem Leitwert kleiner als 0,1 µS/cm sowie unvermeidbaren Verunreinigungen besteht.
  32. Vorrichtung (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 31, dadurch gekennzeichnet, dass die Beaufschlagungseinrichtung (6) eine Temperierungseinrichtung (17) aufweist, welche eingerichtet ist, wenigstens die zu reinigende Oberfläche (4) und/oder das wenigstens eine Reinigungsmedium (7) auf eine Temperatur von 30°C bis 44°C zu bringen und/oder zu halten.
  33. Vorrichtung (1) nach einem der Ansprüche 30 bis 32, dadurch gekennzeichnet, dass - ein erster Beaufschlagungsraum (21) vorgesehen ist, in welchem die zu reinigende Oberfläche (4) mit dem wenigstens einen Tensidmedium und/oder dem wenigstens einen Basenmedium beaufschlagbar ist; und/oder - ein erster Spülraum (22) vorgesehen ist, in welchem die zu reinigende Oberfläche (4) mit einem ersten Lösungsmittel (23) beaufschlagbar, vorzugsweise besprühbar, ist und/oder - ein zweiter Beaufschlagungsraum (24) vorgesehen ist, in welchem die zu reinigende Oberfläche (4) mit dem wenigstens einen Oxidationsmedium beaufschlagbar ist; und/oder - ein zweiter Spülraum (25) vorgesehen ist, in welchem die zu reinigende Oberfläche (4) mit einem zweiten Lösungsmittel (26) beaufschlagbar, vorzugsweise besprühbar, ist; und/oder - ein dritter Beaufschlagungsraum (27) vorgesehen ist, in welchem die zu reinigende Oberfläche (4) mit dem wenigstens einen Tensidmedium und/oder dem wenigstens einen Basenmedium beaufschlagbar ist; und/oder - ein dritter Spülraum (28) vorgesehen ist, in welchem die zu reinigende Oberfläche (4) mit einem dritten Lösungsmittel (29) beaufschlagbar, vorzugsweise besprühbar, ist; und/oder - ein Entnahmeraum (30) vorgesehen ist, in welchem das Element (5) und/oder die zu reinigende Oberfläche (4) mittels einer Entnahmeeinrichtung in eine Gasatmosphäre (31) überführbar ist; und/oder - ein Trocknungsraum (32) vorgesehen ist, in welchem wenigstens die zu reinigende Oberfläche (4) mittels einer Trocknungseinrichtung, vorzugsweise mittels einer Infrarotstrahlung einer Infraroteinrichtung (33), trockenbar ist.
  34. Vorrichtung (1) nach Anspruch 33, dadurch gekennzeichnet, dass die wenigstens eine Ultraschalleinrichtung (9) eingerichtet und angeordnet ist, die Ultraschallwellen (10) derart auszubilden, dass diese, vorzugsweise innerhalb des wenigstens einen Reinigungsmediums (7), innerhalb des ersten, zweiten und/oder dritten Beaufschlagungsraums (21, 24, 27) zu der zu reinigenden Oberfläche (4) propagieren.
  35. Vorrichtung (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 34, dadurch gekennzeichnet, dass auf der zu reinigenden Oberfläche (4) dreidimensionale Strukturen (3a) ausgebildet sind.
  36. Vorrichtung (1) nach Anspruch 35, dadurch gekennzeichnet, dass die dreidimensionalen Strukturen (3a) parallel zu der zu reinigenden Oberfläche (4) wenigstens abschnittsweise charakteristische Ausdehnungen von 50 nm bis 1000 nm, vorzugsweise 100 nm bis 500 nm, aufweisen und/oder senkrecht zu der zu reinigenden Oberfläche (4) wenigstens abschnittsweise charakteristische Ausdehnungen von 50 nm bis 1000 nm, vorzugsweise 100 nm bis 800 nm, aufweisen.
  37. Vorrichtung (1) nach Anspruch 35 oder 36, dadurch gekennzeichnet, dass die dreidimensionalen Strukturen (3a) - Stege (36) aufweisen, welche eine Stegbreite (34a) von 100 nm bis 500 nm, vorzugsweise 240 nm bis 410 nm, und/oder einen Füllfaktor von 0,3 bis 0,6, vorzugsweise 0,5 aufweisen; und/oder - Säulen (37) aufweisen, welche vorzugsweise quadratisch in einem hexagonalen Gitter ausgebildet sind und welche eine Punktgröße (38) von 100 nm bis 300 nm, vorzugsweise 140 nm bis 260 nm, und/oder einen Füllfaktor von 0,1 bis 0,2 vorzugsweise 0,125 aufweisen.
  38. Vorrichtung (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 37, dadurch gekennzeichnet, dass das Element (5) keine organischen Bestandteile aufweist.
  39. Element (5) für die Lithografie und/oder Halbleiterindustrie, insbesondere ein optisches Element (116, 118, 119, 120, 121, 122, Mi, 207) für die Mikrolithografie, mit einer wenigstens teilweise beschichteten und/oder strukturierten Oberfläche (4), wobei die Oberfläche (4) durch Beaufschlagung mit wenigstens einem Reinigungsmedium (7) unter Vermeidung einer Ablösung der Beschichtung (2) und/oder einer Beschädigung der Strukturierung (3) innerhalb wenigstens eines Beaufschlagungszeitraums (8) gereinigt ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche (4) durch eine Beschallung mit Ultraschallwellen (10) innerhalb wenigstens eines Beschallungszeitraums (11) gereinigt ist.
  40. Element (5) nach Anspruch 39, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche (4) wenigstens teilweise aus Oxiden und/oder Metalloxiden ausgebildet und/oder vor der Reinigung mit Oxiden und/oder Metalloxiden beschichtet ist.
  41. Element (5) nach Anspruch 39 oder 40, dadurch gekennzeichnet, dass auf der Oberfläche (4) dreidimensionale Strukturen (3a) ausgebildet sind.
  42. Element (5) nach Anspruch 41, dadurch gekennzeichnet, dass - die dreidimensionalen Strukturen (3a) parallel zu der Oberfläche (4) wenigstens abschnittsweise charakteristische Ausdehnungen (34) von 50 nm bis 1000 nm, vorzugsweise 100 nm bis 500 nm, aufweisen und/oder - senkrecht zu der Oberfläche (4) wenigstens abschnittsweise charakteristische Ausdehnungen (35) von 50 nm bis 1000 nm, vorzugsweise 100 nm bis 800 nm, aufweisen.
  43. Element (5) nach einem der Ansprüche 39 bis 42, dadurch gekennzeichnet, dass die Beschichtung (2) eine EUV-Strahlung reflektierend und/oder widerstandsfähig gegen Schwingungen in einer Ultraschallfrequenz ausgebildet ist.
  44. Lithografiesystem, insbesondere Projektionsbelichtungsanlage (100, 400) für die Halbleiterlithografie mit einem Beleuchtungssystem (101, 201) mit einer Strahlungsquelle (102) sowie einer Optik (103, 109, 206), welche wenigstens ein optisches Element (116, 118, 119, 120, 121, 122, Mi, 207) aufweist, wobei wenigstens eines der optischen Elemente (116, 118, 119, 120, 121, 122, Mi, 207) zumindest teilweise mit einem Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 17 gereinigt ist und/oder wenigstens eines der optischen Elemente (116, 118, 119, 120, 121, 122, Mi, 207) unter Verwendung einer Vorrichtung (1) nach einem der Ansprüche 18 bis 38 gereinigt ist und/oder wenigstens eines der optischen Elementen (116, 118, 119, 120, 121, 122, Mi, 207) ein Element (5) gemäß einem der Ansprüche 39 bis 43 ist.
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6573978B1 (en) 1999-01-26 2003-06-03 Mcguire, Jr. James P. EUV condenser with non-imaging optics
US20060132747A1 (en) 2003-04-17 2006-06-22 Carl Zeiss Smt Ag Optical element for an illumination system
DE102008009600A1 (de) 2008-02-15 2009-08-20 Carl Zeiss Smt Ag Facettenspiegel zum Einsatz in einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikro-Lithographie
DE102017221141A1 (de) 2017-11-27 2018-01-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Verbessern der Nassreinigung von Komponenten
US20180074303A1 (en) 2015-04-14 2018-03-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Imaging optical unit and projection exposure unit including same
DE102019210498A1 (de) 2019-07-16 2019-08-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und anlage zur reinigung von gegenständen zum gebrauch in vakuumanlagen und / oder optischen einrichtungen für die mikrolithographie

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6573978B1 (en) 1999-01-26 2003-06-03 Mcguire, Jr. James P. EUV condenser with non-imaging optics
US20060132747A1 (en) 2003-04-17 2006-06-22 Carl Zeiss Smt Ag Optical element for an illumination system
EP1614008B1 (de) 2003-04-17 2009-12-02 Carl Zeiss SMT AG Optisches element für ein beleuchtungssystem
DE102008009600A1 (de) 2008-02-15 2009-08-20 Carl Zeiss Smt Ag Facettenspiegel zum Einsatz in einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikro-Lithographie
US20180074303A1 (en) 2015-04-14 2018-03-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Imaging optical unit and projection exposure unit including same
DE102017221141A1 (de) 2017-11-27 2018-01-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Verbessern der Nassreinigung von Komponenten
DE102019210498A1 (de) 2019-07-16 2019-08-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und anlage zur reinigung von gegenständen zum gebrauch in vakuumanlagen und / oder optischen einrichtungen für die mikrolithographie

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