DE102019215829A1

DE102019215829A1 - EUV-Kollektorspiegel

Info

Publication number: DE102019215829A1
Application number: DE102019215829.3A
Authority: DE
Inventors: Marcus van de Kerkhof
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH; ASML Netherlands BV
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH; ASML Netherlands BV
Priority date: 2019-10-15
Filing date: 2019-10-15
Publication date: 2021-04-15
Also published as: TW202117393A; EP4045949A1; WO2021073813A1; JP2022553194A; US20220236461A1

Abstract

Ein EUV-Kollektorspiegel weist eine Reflexionsoberfläche (16) zum Reflektieren von nutzbarem EUV-Licht, das auf die Reflexionsoberfläche (16) einfällt, von einem Quellgebiet (17) zu einer nachfolgenden EUV-Optik auf. Die Reflexionsoberfläche (16) trägt eine Pumplicht-Gitterstruktur (19), die dazu konzipiert ist, Pumplicht (22), das auf die Pumplicht-Gitterstruktur (19) einfällt, vom Quellgebiet (17) zurück zu dem Quellgebiet (17) zu retroreflektieren. Das Pumplicht (22) weist eine Wellenlänge auf, die von der Wellenlänge des nutzbaren EUV-Lichts abweicht. Ein derartiger EUV-Kollektorspiegel ermöglicht eine hohe Konversionseffizienz zwischen einerseits der Energie von Pumplicht einer LDPP-EUV-Lichtquelle (LDPP: Laser Discharged Produced Plasma - durch Laserentladung produziertes Plasma) und andererseits der resultierenden nutzbaren EUV-Energie.

Description

Die Erfindung betrifft einen EUV-Kollektorspiegel zur Verwendung in einer EUV-Projektionsbelichtungsvorrichtung.
Eine optische Beleuchtungseinheit mit einem derartigen Kollektor ist aus DE 10 2013 002 064 A1 und aus US 2019/0094699 A1 bekannt. Ein Kollektorspiegel ist aus US 10,101,569 B2 bekannt.
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen EUV-Kollektorspiegel zu entwickeln, der eine höhere Konversionseffizienz zwischen einerseits der Energie von Pumplicht einer LDPP-EUV-Lichtquelle (LDPP: Laser Discharged Produced Plasma - durch Laserentladung produziertes Plasma) und andererseits der resultierenden nutzbaren EUV-Energie ermöglicht.
Gemäß der Erfindung wird diese Aufgabe durch einen EUV-Kollektorspiegel, der die in Anspruch 1 angegebenen Merkmale umfasst, gelöst.
Gemäß der Erfindung wurde erkannt, dass eine Gitterstruktur, die dazu konzipiert ist, Pumplicht, das aus einem Quellgebiet der LDPP-Quelle austritt, zu retroreflektieren, eine hohe Konversionseffizienz von Pumplichtenergie in nutzbare EUV-Lichtenergie ermöglicht. Das retroreflektierende Pumplicht wird zur Konversion in nutzbares EUV-Licht nochmals im Quellgebiet verwendet.
Insbesondere vermeidet eine derartige retroreflektierende Pumplicht-Gitterstruktur auf dem EUV-Kollektorspiegel die Notwendigkeit eines Vorimpuls/Hauptimpuls-Schemas der Pumplichtquelle, wie aus dem Stand der Technik bekannt ist. Dies ermöglicht die Konstruktion der Pumplicht-Laserquelle. Insbesondere ist es nicht notwendig, ein Ziel der LDPP-Quelle, z. B. einen Zinntropfen, mit einem Vorimpuls vorzuformen, um die Konversionseffizienz der Hauptimpulskonversion in das nutzbare EUV-Licht zu erhöhen. Dies führt zu einer Kostenverringerung bezüglich der Konstruktion einerseits eines Quelle-Kollektor-Moduls einschließlich der Lichtquelle und andererseits des EUV-Kollektorspiegels. Die effektiv genutzte Pumplichtenergie kann im Vergleich zu herkömmlichen Vorimpuls/Hauptimpuls-Schemen erheblich erhöht werden, z. B. um 50 % oder sogar 100 %.
Insbesondere kann ein sphärisches Ziel verwendet werden, um darauf das Pumplicht einfallen zu lassen, ohne die Notwendigkeit einer speziellen weiteren Formung.
Die Pumplicht-Gitterstruktur kann ein Blazegitter sein. Ein Blazewinkel kann für eine 0. oder für eine +/- 1. retroreflektierende Beugungsordnung der Pumplichtwellenlänge optimiert sein. Ein Gitterabstand der Pumplicht-Gitterstruktur kann über die reflektierende Oberfläche des EUV-Kollektorspiegels hinweg variieren, um die retroreflektierenden Eigenschaften der Einfallswinkelbedingung der Pumplichtstrahlen, die auf die Pumplicht-Gitterstruktur auftreffen, anzupassen.
Die Pumplicht-Gitterstruktur kann zwei oder mehr unterschiedliche Höhenniveaus beinhalten, d. h. kann als ein zweistufiges Gitter oder als ein mehrstufiges Gitter umgesetzt sein.
Pumplichtwellenlängen nach Anspruch 2 und 3 sind für das effiziente Erzeugen von nutzbarem EUV-Beleuchtungslicht als besonders geeignet nachgewiesen worden.
Ein Gitterabstand, z. B. eine Gitterperiode, nach Anspruch 4 erfüllt die Retroreflexionsbedingungen für die Pumplichtwellenlänge. Der Gitterabstand hängt vom Einfallswinkel des Pumplichts auf der Reflexionsoberfläche ab. Ein derartiger Einfallswinkel hängt von der Distanz zwischen dem Auftreffpunkt des jeweiligen Pumplichtstrahls auf der Reflexionsoberfläche zu einer Rotationssymmetrieachse ab. Infolgedessen hängt der Gitterabstand von der Distanz eines Reflexionsoberflächenbereichs, der die Pumplicht-Gitterstruktur trägt, zu einer derartigen Symmetrieachse ab. Der Gitterabstand kann mit zunehmender Distanz zu der Symmetrieachse abnehmen.
Eine typische Abmessung des Gitterabstands kann im Bereich zwischen 0,1 mm und 2 mm, insbesondere zwischen 0,2 mm und 1,0 mm, ferner insbesondere zwischen 0,5 mm und 0,9 mm liegen.
Reflektivitäten nach Anspruch 5 können unter Verwendung einer zweckmäßigen Pumplicht-Gitterstruktur erzielt werden. Die Reflexionsoberfläche des EUV-Kollektorspiegels kann eine hochreflektierende Beschichtung tragen, die natürlich hauptsächlich zur hohen Reflexion des nutzbaren EUV-Beleuchtungslichts optimiert ist. Eine derartige reflektierende Beschichtung kann auch zur hohen Reflexion der Pumplichtwellenlänge optimiert sein.
Die Vorteile eines Quelle-Kollektor-Moduls nach Anspruch 6 sind jene, die oben unter Bezugnahme auf den EUV-Kollektorspiegel erläutert sind.
Das gleiche gilt für eine Pumplichtquelle nach Anspruch 7.
Eine Impulsdauer nach Anspruch 8 und/oder eine Impulsanstiegszeit nach Anspruch 9 zeigt nachweislich eine besonders hohe Konversionseffizienz.
Die Vorteile einer Beleuchtungsoptik nach Anspruch 10, einer Projektionsbelichtungsvorrichtung nach Anspruch 11, eines Herstellungsverfahrens nach Anspruch 12 und einer mikro- und/oder nanostrukturierten Komponente nach Anspruch 13 sind jene, die zuvor unter Bezugnahme auf den EUV-Kollektorspiegel, das Quelle-Kollektorspiegel-Modul und die Pumplichtquelle diskutiert wurden.
Insbesondere kann eine Halbleiterkomponente, zum Beispiel ein Speicherchip, unter Verwendung der Projektionsbelichtungsvorrichtung hergestellt werden.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird untenstehend unter Bezugnahme auf die Zeichnung ausführlicher erläutert. In der Zeichnung zeigt:

1 schematisch eine Projektionsbelichtungsvorrichtung zur EUV-Mikrolithographie;
2 in einem Meridionalschnitt einen EUV-Kollektorspiegel einschließlich eines Lichtpfades von Pumplicht, das von einer Pumplichtquelle stammt;
3 schematisch einen vergrößerten Abschnitt einer Reflexionsoberfläche, der eine Pumplicht-Gitterstruktur zeigt, die dazu konzipiert ist, Pumplicht, das auf die Pumplicht-Gitterstruktur einfällt, von einem Quellgebiet zurück zu diesem Quellgebiet zu retroreflektieren, wobei ein retroreflektierter Pumplichtstrahlenpfad für eine +1. Beugungsordnung und auch für eine -1. Beugungsordnung dargestellt ist.

Eine Projektionsbelichtungsvorrichtung 1 zur Mikrolithographie umfasst ein Lichtquellenmodul 2 für EUV-Beleuchtungslicht und/oder -Abbildungslicht 3, das unten ausführlicher erläutert wird. Ein derartiges Lichtquellenmodul 2 ist auch als ein Quelle-Kollektor-Modul bezeichnet. Eine Lichtquelle des Lichtquellenmoduls 2 ist eine EUV-Lichtquelle, die Licht in einem Wellenlängenbereich von z. B. zwischen 5 nm und 30 nm, insbesondere zwischen 5 nm und 15 nm erzeugt. Das Beleuchtungslicht und/oder Abbildungslicht 3 ist unten auch als genutztes EUV-Licht bezeichnet.
Insbesondere kann die EUV-Lichtquelle eine Lichtquelle mit einer genutzten EUV-Wellenlänge von 13,5 nm oder eine Lichtquelle mit einer genutzten EUV-Wellenlänge von 6,9 nm oder 7 nm sein. Andere genutzte EUV-Wellenlängen sind auch möglich. Ein Strahlenbündelpfad des Beleuchtungslichts 3 ist sehr schematisch in 1 abgebildet.
Eine optische Beleuchtungseinheit 6 dient zum Leiten des Beleuchtungslichts 3 von der Lichtquelle zu einem Objektfeld 4 in einer Objektebene 5. Die optische Beleuchtungseinheit umfasst einen Feldfacettenspiegel FF, der in 1 sehr schematisch abgebildet ist, und einen Pupillenfacettenspiegel PF, der nachgelagert im Strahlenbündelpfad des Beleuchtungslichts 3 angeordnet und gleichermaßen sehr schematisch abgebildet ist. Ein feldbildender Spiegel 6b für streifenden Einfall (GI-Spiegel; GI: Grazing Incidence - Spiegel mit streifendem Einfall) ist im Strahlenbündelpfad des Beleuchtungslichts 3 zwischen dem Pupillenfacettenspiegel PF, der in einer Pupillenebene 6a der optischen Beleuchtungseinheit angeordnet ist, und dem Objektfeld 4 angeordnet. Ein derartiger Gl-Spiegel 6b ist nicht zwingend.
Pupillenfacetten (nicht ausführlicher abgebildet) des Pupillenfacettenspiegels PF sind Teil einer optischen Übertragungseinheit, die Feldfacetten (gleichermaßen nicht abgebildet) des Feldfacettenspiegels FF in das Objektfeld 4 auf eine gegenseitig überlagerte Art und Weise überträgt und insbesondere abbildet. Eine aus dem Stand der Technik bekannte Ausführungsform kann einerseits für den Feldfacettenspiegel FF und andererseits für den Pupillenfacettenspiegel PF verwendet werden. Beispielshalber ist eine derartige optische Beleuchtungseinheit aus DE 10 2009 045 096 A1 bekannt.
Unter Verwendung einer optischen Projektionseinheit oder optischen Abbildungseinheit 7 wird das Objektfeld 4 in ein Bildfeld 8 in einer Bildebene 9 mit einem vorbestimmten Verkleinerungsmaßstab abgebildet. Optische Projektionseinheiten, die zu diesem Zweck verwendet werden können, sind z. B. aus DE 10 2012 202 675 A1 bekannt.
Um die Beschreibung der Projektionsbelichtungsvorrichtung 1 und der verschiedenen Ausführungsformen der optischen Projektionseinheit 7 zu erleichtern, ist ein kartesisches xyz-Koordinatensystem in der Zeichnung angegeben, wobei aus diesem System die jeweilige Positionsbeziehung der in den Figuren veranschaulichten Komponenten ersichtlich wird. In 1 läuft die x-Richtung senkrecht zu der Ebene der Zeichnung und in diese hinein. Die y-Richtung erstreckt sich in 1 nach links und die z-Richtung erstreckt sich in 1 nach oben. Die Objektebene 5 erstreckt sich parallel zu der xy-Ebene.
Das Objektfeld 4 und das Bildfeld 8 sind rechtwinklig. Alternativ dazu ist es auch möglich, dass das Objektfeld 4 und das Bildfeld 8 eine gebogene oder gekrümmte Ausführungsform aufweisen, das heißt insbesondere eine partielle Ringform. Das Objektfeld 4 und das Bildfeld 8 weisen ein x/y-Aspektverhältnis von größer als 1 auf. Daher weist das Objektfeld 4 eine längere Objektfeldabmessung in die x-Richtung und eine kürzere Objektfeldabmessung in die y-Richtung auf. Diese Objektfeldabmessungen erstrecken sich entlang der Feldkoordinaten x und y.
Eines der aus dem Stand der Technik bekannten Ausführungsbeispiele kann für die optische Projektionseinheit 7 verwendet werden. Was in diesem Fall als ein Objekt abgebildet wird, ist ein Teil einer Reflexionsmaske 10, auch als Retikel bezeichnet, die mit dem Objektfeld 4 zusammenfällt. Das Retikel 10 wird durch eine Retikelhalterung 10a getragen. Die Retikelhalterung 10a wird durch einen Retikelverlagerungsantrieb 10b verlagert.
Das Abbilden mittels der optischen Projektionseinheit 7 wird auf der Oberfläche eines Substrats 11 in Form eines Wafers, der durch eine Substrathalterung 12 getragen wird, implementiert. Die Substrathalterung 12 wird durch einen Wafer- oder Substratverlagerungsantrieb 12a verlagert.
1 veranschaulicht schematisch zwischen dem Retikel 10 und der optischen Projektionseinheit 7 ein Strahlenbündel 13 des Beleuchtungslichts 3, das in die optische Projektionseinheit eintritt, und zwischen der optischen Projektionseinheit 7 und dem Substrat 11 ein Strahlenbündel 14 des Beleuchtungslichts 3, das aus der optischen Projektionseinheit 7 austritt. Eine bildfeldseitige numerische Apertur (NA) der optischen Projektionseinheit 7 ist in 1 nicht maßstabsgetreu wiedergegeben.
Die Projektionsbelichtungsvorrichtung 1 ist ein Scanner-Typ. Sowohl das Retikel 10 als auch das Substrat 11 werden während des Betriebs der Projektionsbelichtungsvorrichtung 1 in der y-Richtung gescannt. Ein Stepper-Typ der Projektionsbelichtungsvorrichtung 1, in dem eine schrittweise Verlagerung des Retikels 10 und des Substrats 11 in die y-Richtung zwischen individuellen Belichtungen des Substrats 11 bewirkt wird, ist auch möglich. Diese Verlagerungen werden durch eine geeignete Betätigung der Verlagerungsantriebe 10b und 12a synchron zueinander bewirkt.
2 zeigt einen Meridionalschnitt eines EUV-Kollektorspiegels 15, der Teil des Lichtquellenmoduls 2 ist, in einem Meridionalschnitt. Eine Reflexionsoberfläche 16 des EUV-Kollektorspiegels 15 dient zum Reflektieren des in 2 nicht gezeigten Beleuchtungslichts, das auf die Reflexionsoberfläche 16 einfällt, von einem Quellgebiet 17 zu der anschließenden optischen EUV-Beleuchtungseinheit 6. Zu diesem Zweck weist die Reflexionsoberfläche 16 eine ellipsenförmige Form auf, die bezüglich einer optischen Achse 18 rotationssymmetrisch ist. Das Quellgebiet 17 ist in einem Brenngebiet der ellipsenförmigen Form der Reflexionsoberfläche 16 angeordnet. Ein in 2 nicht dargestellter Zwischenfokus, der zum Diskriminieren des nutzbaren EUV-Beleuchtungslichts 3 von anderen Wellenlängen und auch von Ablagerungen dient, befindet sich an dem anderen Brennpunkt dieser ellipsenförmigen Form.
3 zeigt einen vergrößerten Abschnitt der Reflexionsoberfläche 16 des EUV-Kollektorspiegels 15. In dieser vergrößerten Ansicht ist schematisch eine Pumplicht-Gitterstruktur 19 einschließlich sich periodisch abwechselnder positiver Strukturen 20 („Berge“) und negativer Strukturen 21 („Täler“) dargestellt. Eine derartige Periodizität der Gitterstruktur 19 ist durch einen Gitterabstand p charakterisiert.
Die Pumplicht-Gitterstruktur 19 ist dazu konzipiert, Pumplicht 22 (vergleiche auch 2), das auf die Pumplicht-Gitterstruktur 19 einfällt, vom Quellgebiet 17 zurück zu dem Quellgebiet zu retroreflektieren.
Das Pumplicht 22 wird von einer Pumplichtquelle 23 emittiert, wie schematisch in 2 dargestellt. Die Pumplichtquelle 23 ist eine CO₂-Laserquelle, die Pumplicht mit einer Wellenlänge um 10 µm, z. B. einer Pumplichtwellenlänge von 10,6 µm, erzeugt. Alternativ dazu kann die Pumplichtquelle 23 eine Nd-basierte Festkörper-Laserquelle sein, z. B. ein Nd:YAG-Laser, der eine Pumplichtwellenlänge um 1 µm erzeugt, z. B. eine Pumplichtwellenlänge von 1,064 µm. Die Wellenlänge des Pumplichts 22 weicht von der Wellenlänge des Beleuchtungslichts 3, d. h. von der Wellenlänge des nutzbaren EUV-Lichts, ab.
Das Pumplicht 22 ist gepulst. Die Pumplichtquelle 23 ist eine MOPA-Laserquelle (MOPA: Master Oscillator Power Amplifier - Master-Oszillator-Leistungsverstärker).
Das gebündelte Pumplicht 22 läuft durch ein Durchgangsloch 24, das in der Reflexionsoberfläche 16 des EUV-Kollektorspiegels 15 angeordnet ist, und fällt auf einen Zinntropfen 25 ein, der im Quellgebiet 17 angeordnet ist, um das in 2 nicht dargestellte Beleuchtungslicht 3 zu erzeugen. Der Lichtpfad des Pumplichts 22 von der Pumplichtquelle 23 zu dem Quellgebiet 17 ist kollinear mit der optischen Achse 18 der Reflexionsoberfläche 16 des EUV-Kollektorspiegels 15.
Der Zinntropfen 25 weist eine sphärische Form auf, d. h. weist keine Scheibenform auf, wenn das Pumplicht 22 auf ihn einfällt.
Ein Teil des Pumplichts 22, das auf den Zinntropfen 25 einfällt, wird durch den Zinntropfen 25 absorbiert. Ein anderer Teil des einfallenden Pumplichts 22 wird vom Zinntropfen 25 reflektiert. Strahlenbündelpfade eines derartig reflektierten Pumplichts 22 sind in 2 beispielhaft als Pumplichtstrahlen 22_r dargestellt. Aufgrund der sphärischen Form des Zinntropfens 25 fallen die reflektierten Pumplichtstrahlen 22_r auf die Reflexionsoberfläche 16 über ein breites Gebiet davon ein, das die Pumplicht-Gitterstruktur 19 trägt, wie schematisch in 3 dargestellt.
3 zeigt auch schematisch die Retroreflexionsbedingungen eines beispielhaft dargestellten reflektierten Pumplichtstrahls 22_r. Ein derartiger Pumplichtstrahl 22_r fällt auf die Reflexionsoberfläche 16 mit einem Einfallswinkel α ein, der auch als Θ_r bezeichnet ist. Ein derartiger Einfallswinkel Θ_r hängt von der radialen Distanz eines Auftreffpunkts IP des Pumplichtstrahls 22_r auf der Reflexionsoberfläche 16 von der optischen Achse 18 ab. Eine derartige Distanz zwischen dem Auftreffpunkt IP und der optischen Achse 18 ist in 3 als r bezeichnet.
Der Gitterabstand p der Pumplicht-Gitterstruktur 19 variiert über die Reflexionsoberfläche 16 hinweg in Abhängigkeit von der Distanz r der jeweiligen positiven und negativen Strukturen 20/21 zu der optischen Achse gemäß der folgenden Gleichung: $p (r) = λ_{PL} / 2 sin (θ_{r})$
Hier
bezeichnet p(r) den Gitterabstand der Pumplicht-Gitterstruktur 19 in Abhängigkeit von der Distanz r zwischen dem jeweiligen Auftreffpunkt IP und der optischen Achse 18;
bezeichnet λ_PL die Wellenlänge des Pumplichts 19;
bezeichnet ⊖_r den Einfallswinkel des jeweiligen Pumplichtstrahls 22_r auf die Reflexionsoberfläche 16, d. h. den Winkel zwischen einerseits dem eingehenden Pumplichtstrahl 22_r und einer Normalen zu einem Abschnitt einer Hauptoberfläche der Reflexionsoberfläche 16 um den jeweiligen Auftreffpunkt IP.
Der Gitterabstand der Pumplicht-Gitterstruktur 19 erfüllt die +1. Beugungsordnung der Retroreflexionsbedingung für jeden der Pumplichtstrahlen 22_r. Demzufolge werden alle der Pumplichtstrahlen 22_r, die auf die Pumplicht-Gitterstruktur 19 auf der Reflexionsoberfläche 16 des EUV-Kollektorspiegels 15 einfallen, retroreflektiert, wie in 2 und, beispielhaft für einen der Pumplichtstrahlen 22_r dargestellt, auch in 3 gezeigt.
Zusätzlich dazu zeigt 3 auch einen gebeugten Strahl der -1. Beugungsordnung.
Die Pumplicht-Gitterstruktur 19 wird für die +1. Reflexionsordnung des Pumplichtstrahls 22_r geblazt, was nicht in 3 dargestellt ist. Somit führt die +1. Beugungsordnung fast die gesamte Energie des eingehenden Pumplichtstrahls 22_r.
Die retroreflektierten Pumplichtstrahlen 22_r fallen wiederum auf den Zinntropfen 25 ein, wodurch die Pumpeffizienz des Lichtquellenmoduls 2 erhöht wird.
Die individuellen Impulse des Pumplichts 19 weisen eine Impulsdauer (Halbwertsbreite) unter 50 ns auf, vorzugsweise unter 40 ns, vorzugsweise unter 30 ns, vorzugsweise unter 20 ns, vorzugsweise unter 10 ns, vorzugsweise unter 8 ns, vorzugsweise unter 5 ns.
Insbesondere liegt eine Anstiegszeit des Pumplichtimpulses zwischen einem niedrigen Lichtpegel, der weniger als 10 % der maximalen Impulsintensität beträgt, und einem hohen Lichtpegel, der mehr als 80 % der maximalen Impulsintensität beträgt, unter 15 ns, unter 10 ns oder sogar unter 5 ns. Eine derartige kurze Impulsdauer und/oder eine derartige kleine Anstiegszeit führt zu einer guten Konversionseffizienz von der Pumplichtenergie in die Energie des nutzbaren EUV-Beleuchtungslichts 3.
Die Pumplicht-Gitterstruktur 19 weist eine Reflektivität für das Pumplicht 22 auf, die größer als 50 % ist. Insbesondere liegt eine derartige Reflektivität im Bereich zwischen 50 % und 90 % und kann im Bereich zwischen 60 % und 85 % oder im Bereich zwischen 65 % und 75 % liegen.
Durch eine Interaktion des Pumplichts 19 mit dem Zinntropfen 25 wird das nutzbare EUV-Beleuchtungslicht 3 mit einer Wellenlänge von z. B. 6,5 nm oder 13 nm erzeugt.
Um eine mikrostrukturierte oder nanostrukturierte Komponente zu produzieren, wird die Projektionsbelichtungsvorrichtung 1 wie folgt verwendet: Zuerst werden die Reflexionsmaske 10 oder das Retikel und das Substrat oder der Wafer 11 bereitgestellt. Anschließend wird eine Struktur auf dem Retikel 10 mit Hilfe der Projektionsbelichtungsvorrichtung 1 auf eine lichtempfindliche Schicht des Wafers 11 projiziert. Dann wird eine Mikrostruktur oder Nanostruktur auf dem Wafer 11 und somit die strukturierte Komponente durch das Entwickeln der lichtempfindlichen Schicht produziert.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

DE 102013002064 A1 [0002]
US 2019/0094699 A1 [0002]
US 10101569 B2 [0002]
DE 102009045096 A1 [0023]
DE 102012202675 A1 [0024]

Claims

EUV-Kollektorspiegel (15) - mit einer Reflexionsoberfläche (16) zum Reflektieren von nutzbarem EUV-Licht (3), das auf die Reflexionsoberfläche (16) einfällt, von einem Quellgebiet (17) zu einer nachfolgenden EUV-Optik (6, 7), - wobei die Reflexionsoberfläche (16) eine Pumplicht-Gitterstruktur (19) trägt, die dazu ausgelegt ist, Pumplicht (22), das auf die Pumplicht-Gitterstruktur (19) einfällt, von dem Quellgebiet (17) zurück zu dem Quellgebiet (17) zu retroreflektieren, wobei das Pumplicht (19) eine Wellenlänge (λ_PL) aufweist, die von der Wellenlänge des nutzbaren EUV-Lichts (3) abweicht.
EUV-Kollektorspiegel nach Anspruch 1, wobei die Pumplicht-Gitterstruktur (19) für eine Wellenlänge (λ_PL) des Pumplichts (22) im Bereich um 10 µm ausgelegt ist.
EUV-Kollektorspiegel nach Anspruch 1, wobei die Pumplicht-Gitterstruktur (19) für eine Wellenlänge (λ_PL) des Pumplichts (22) im Bereich um 1 µm ausgelegt ist.
EUV-Kollektorspiegel nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass ein Gitterabstand p(r) der Pumplicht-Gitterstruktur (19) der folgenden Gleichung entspricht: $p (r) = λ_{PL} / 2 sin (θ_{r}),$
wobei: p(r) den Gitterabstand der Pumplicht-Gitterstruktur (19) in Abhängigkeit von der Distanz r zwischen einem jeweiligen Auftreffpunkt auf der Reflexionsoberfläche (16) und einer Rotationsymmetrieachse (18) der Reflexionsoberfläche (16) bezeichnet; λ_PL die Wellenlänge des Pumplichts (19) bezeichnet; ⊖_r den Einfallswinkel eines jeweiligen Pumplichtstrahls (22_r) auf der Reflexionsoberfläche (16) bezeichnet.
EUV-Kollektorspiegel nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die Pumplicht-Gitterstruktur (19) eine Reflektivität für das Pumplicht (22) aufweist, die zwischen 50 % und 90 % liegt.
Quelle-Kollektor-Modul (2) - mit einer Pumplichtquelle (23) zum Erzeugen von Pumplicht (22), - mit einem EUV-Kollektorspiegel (15) nach einem der Ansprüche 1 bis 5.
Pumplichtquelle (23) als Teil eines Quelle-Kollektor-Moduls (2) nach Anspruch 6.
Pumplichtquelle nach Anspruch 7, die Pumplichtimpulse mit einer Impulsdauer von unter 50 ns erzeugt.
Pumplichtquelle nach Anspruch 7 oder 8, die Pumplichtimpulse mit einer Impulsanstiegszeit erzeugt, die unter 5 ns liegt.
Beleuchtungsoptik (15, 6) für eine EUV-Projektionsbelichtungsvorrichtung (1) einschließlich eines EUV-Kollektorspiegels (15) nach einem der Ansprüche 1 bis 5.
Projektionsbelichtungsvorrichtung, einschließlich - einer Beleuchtungsoptik (15, 6) nach Anspruch 10 zum Leiten des nutzbaren EUV-Beleuchtungslichts (3) von dem EUV-Kollektorspiegel (15) in Richtung eines Objektfelds (4) in einer Objektebene (5), in der ein abzubildendes Objekt (10) angeordnet werden kann, - einer optischen Projektionseinheit (7) zum Abbilden des Objektfelds (4) in ein Bildfeld (8), in dem ein Substrat (11) angeordnet werden kann, - Halterungen (10a, 12) für einerseits das abzubildende Objekt (10) und andererseits das Substrat (11).
Verfahren zum Produzieren einer strukturierten Komponente, einschließlich der folgenden Verfahrensschritte: - Bereitstellen eines Retikels (10) und eines Wafers (11), - Projizieren einer Struktur auf dem Retikel (10) mit Hilfe der Projektionsbelichtungsvorrichtung nach Anspruch 11 auf eine lichtempfindliche Schicht des Wafers (11), - Produzieren einer Mikrostruktur und/oder Nanostruktur auf dem Wafer (11).
Strukturierte Komponente, die gemäß einem Verfahren nach Anspruch 12 produziert wird.