DE102017216458A1 - Verfahren zur Herstellung eines Spiegels als optischer Komponente für ein optisches System einer Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithographie - Google Patents

Abstract

Bei der Herstellung eines Spiegels (M10) als optischer Komponente für ein optisches System einer Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithographie wird zunächst ein Mittelwert einer globalen Gravitationskonstante bestimmt. Es wird dann ein Gravitationskonstanten-Unterschied zwischen der Gravitationskonstante am Herstellort und des Gravitationskonstanten-Mittelwerts bestimmt. Nach einer Bestimmung einer Soll-Oberflächenform einer Reflexionsfläche des Spiegels wird ein Spiegelsubstrat am Herstellort unter Berücksichtigung des Gravitationskonstanten-Unterschiedes derart bearbeitet, dass unter dem Einfluss des Gravitationskonstanten-Mittelwerts eine Ist-Oberflächenform der Reflexionsfläche des Spiegelsubstrats von der Soll-Oberflächenform um nicht mehr als ein vorgegebener Passe-Toleranzwert (P) abweicht. Es resultiert ein optisches Element mit möglichst geringer Passe an einem Einsatzort des Spiegels.

Description

• Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Spiegels als optischer Komponente für ein optisches System einer Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithographie. Ferner betrifft die Erfindung einen derart hergestellten Spiegel, ein optisches System einer Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithographie mit einem derartigen Spiegel, eine Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen optischen System, ein Verfahren zur Herstellung eines mikro- beziehungsweise nanostrukturierten Bauteils mit einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage sowie ein mit diesem Verfahren hergestelltes mikro- beziehungsweise nanostrukturiertes Bauteil.
• Ein derartiges optisches Element ist bekannt aus der DE 10 2013 214 989 A1 . Abbildende Optiken der eingangsgenannten Art sind bekannt aus der WO 2016/188934 A1 und der WO 2016/166080 A1 .
• Es ist eine Aufgabe der Erfindung, ein optisches Element mit möglichst geringer Passe an einem Einsatzort des Spiegels bereitzustellen.
• Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch ein optisches Element mit den im Anspruch 1 angegebenen Merkmalen.
• Erfindungsgemäß wurde erkannt, dass eine maximale Passe, also eine maximale Abweichung einer Oberflächenform einer Spiegel-Reflexionsfläche bei ansonsten identischen Herstellungsbedingungen verringert werden kann, wenn bei der Herstellung des Spiegels eine Abweichung einer Gravitationskonstante am Herstellort von einem Mittelwert einer globalen Gravitationskonstante an verschiedenen möglichen Einsatzorten des Spiegels berücksichtigt wird. Dieser Mittelwert kann einsatzortabhängig und/oder unter Berücksichtigung der Lieferwahrscheinlichkeit an den jeweiligen Einsatzort gewichtet bestimmt werden. Da in der Regel die Gravitationskonstante am Herstellort von dem Mittelwert der bestimmten globalen Gravitationskonstante abweicht, ergibt sich durch diese Unterschieds-Berücksichtigung eine Verringerung der maximal resultierenden Passe am Einsatzort. Im Ergebnis ist, gesehen über alle Einsatzorte, die Passe eines so hergestellten Spiegels im Mittel geringer, als wenn diese Unterschieds-Berücksichtigung unterbleibt. Insbesondere ein Defokus-Fehler des Spiegels kann durch das Herstellungsverfahren deutlich verringert werden.
• Ein Soll-Vorhalt nach Anspruch 2 vereinfacht die Herstellung des Spiegels. Der Passe-Vorhalt-Toleranzwert bei der Herstellung der Vorhalt-Oberflächenfonn muss nicht der gleiche sein wie der Passe-Toleranzwert nach Anspruch 1.
• Vorteil eines Spiegels nach Anspruch 3, eines optischen Systems nach Anspruch 4, einer Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 5, eines Herstellungsverfahrens für mikrobeziehungsweise nanostrukturierte Bauteile nach Anspruch 6 und eines mikro- beziehungsweise nanostrukturieren Bauteils nach Anspruch 7 entsprechen denjenigen, die vorstehend unter Bezugnahme auf das erfindungsgemäße optische Element bereits erläutert wurden. Hergestellt kann mit der Projektionsbelichtungsanlage insbesondere ein Halbleiter-Bauteil, beispielsweise ein Speicherchip, werden.
• Bei der Lichtquelle kann es sich um eine EUV-Lichtquelle handeln. Auch eine DUV-Lichtquelle, also beispielsweise eine Lichtquelle mit einer Wellenlänge von 193 nm, kann alternativ zum Einsatz kommen.
• Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert. In dieser zeigen:
• 1 schematisch eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Mikrolithographie;
• 2 in einem Meridionalschnitt eine Ausführung einer abbildenden Optik, die als Projektionsobjektiv in der Projektionsbelichtungsanlage nach 1 einsetzbar ist, wobei ein Abbildungsstrahlengang für Hauptstrahlen und für einen oberen und einen unteren Komastrahl dreier ausgewählter Feldpunkte dargestellt ist;
• 3 Randkonturen genutzter Spiegelflächen von Spiegeln der abbildenden Optik nach 2;
• 4 perspektivisch ein Spiegel der abbildenden Optik nach 2;
• 5 eine Abweichung einer Ist-Oberflächenform einer Reflexionsfläche eines Spiegelsubstrats des Spiegels nach 4 von einer Soll-Oberflächenfonn;
• 6 den Spiegel nach 4 nach dessen Bearbeitung am Herstellort unter Berücksichtigung eines Gravitationskonstanten-Unterschiedes zwischen der Gravitationskonstante am Herstellort und eines Gravitationskonstanten-Mittelwertes;
• 7 den mit einem Vorhalt gemäß 6 gefertigten Spiegel an drei alternativen Einsatzorten mit drei verschiedenen Einsatzort-Gravitationskonstanten.
• Eine Projektionsbelichtungsanlage 1 für die Mikrolithographie hat eine Lichtquelle 2 für Beleuchtungslicht beziehungsweise Abbildungslicht 3. Bei der Lichtquelle 2 handelt es sich um eine EUV-Lichtquelle, die Licht in einem Wellenlängenbereich beispielsweise zwischen 5 nm und 30 nm, insbesondere zwischen 5 nm und 15 nm, erzeugt. Bei der Lichtquelle 2 kann es sich um eine plasmabasierte Lichtquelle (lasererzeugtes Plasma (laser-produced plasma, LPP), gasentladungserzeugtes Plasma (gas-discharge produced plasma, GDP)) oder auch um eine synchrotronbasierte Lichtquelle, zum Beispiel einen Freie-Elektronen-Laser (FEL) handeln. Bei der Lichtquelle 2 kann es sich insbesondere um eine Lichtquelle mit einer Wellenlänge von 13,5 nm oder um eine Lichtquelle mit einer Wellenlänge von 6,9 nm handeln. Auch andere EUV-Wellenlängen sind möglich. Generell sind sogar beliebige Wellenlängen, zum Beispiel sichtbare Wellenlängen oder auch andere Wellenlängen, die in der Mikrolithographie Verwendung finden können (zum Beispiel DUV, tiefes Ultraviolett) und für die geeigneten Laserlichtquellen und/oder LED-Lichtquellen zur Verfügung stehen (beispielsweise 365 nm, 248 nm, 193 nm, 157 nm, 129 nm, 109 nm), für das in der Projektionsbelichtungsanlage 1 geführte Beleuchtungslicht 3 möglich. Ein Strahlengang des Beleuchtungslichts 3 ist in der 1 äußerst schematisch dargestellt.
• Zur Führung des Beleuchtungslichts 3 von der Lichtquelle 2 hin zu einem Objektfeld 4 in einer Objektebene 5 dient eine Beleuchtungsoptik 6. Mit einer Projektionsoptik beziehungsweise abbildenden Optik 7 wird das Objektfeld 4 in ein Bildfeld 8 in einer Bildebene 9 mit einem vorgegebenen Verkleinerungsmaßstab abgebildet.
• Zur Erleichterung der Beschreibung der Projektionsbelichtungsanlage 1 sowie der verschiedenen Ausführungen der Projektionsoptik 7 ist in der Zeichnung ein kartesisches xyz-Koordinatensystem angegeben, aus dem sich die jeweilige Lagebeziehung der in den Figuren dargestellten Komponenten ergibt. In der 1 verläuft die x-Richtung senkrecht zur Zeichenebene in diese hinein. Die y-Richtung verläuft nach links und die z-Richtung nach oben.
• Das Objektfeld 4 und das Bildfeld 8 sind bei der Projektionsoptik 7 gebogen beziehungsweise gekrümmt und insbesondere teilringförmig ausgeführt. Ein Krümmungsradius dieser Feldkrümmung kann bildseitig 81 mm betragen. Ein entsprechender Ringfeldradius des Bildfeldes ist definiert in der WO 2009/053023 A2 . Eine Grundform einer Randkontur des Objektfeldes 4 beziehungsweise des Bildfeldes 8 ist entsprechend gebogen. Alternativ ist es möglich, das Objektfeld 4 und das Bildfeld 8 rechteckförmig auszuführen. Das Objektfeld 4 und das Bildfeld 8 haben ein xy-Aspektverhältnis größer als 1. Das Objektfeld 4 hat also eine längere Objektfelddimension in der x-Richtung und eine kürzere Objektfelddimension in der y-Richtung. Diese Objektfelddimensionen verlaufen längs der Feldkoordinaten x und y.
• Das Objektfeld 4 ist dementsprechend aufgespannt von der ersten kartesischen Objektfeldkoordinate x und der zweiten kartesischen Objektfeldkoordinate y. Die dritte kartesische Koordinate z, die senkrecht auf diesen beiden Objektfeldkoordinaten x und y steht, wird nachfolgend auch als Normalkoordinate bezeichnet.
• Die Projektionsoptik 7 hat eine x-Abmessung des Bildfeldes von 26 mm und eine y-Abmessung des Bildfeldes 8 von 1,2 mm.
• Für die Projektionsoptik 7 kann das in der 2 dargestellte Ausführungsbeispiel eingesetzt werden. Das optische Design der Projektionsoptik 7 nach den 2 und 3 ist bekannt aus der WO 2016/188934 A1 , auf deren Inhalt vollumfänglich Bezug genommen wird.
• Die Bildebene 9 ist bei der Projektionsoptik 7 in der Ausführung nach 2 parallel zur Objektebene 5 angeordnet. Abgebildet wird hierbei ein mit dem Objektfeld 4 zusammenfallender Ausschnitt einer Reflexionsmaske 10, die auch als Retikel bezeichnet wird. Das Retikel 10 wird von einem Retikelhalter 10a getragen. Der Retikelhalter 10a wird von einem Retikelverlagerungsantrieb 10b verlagert.
• Die Abbildung durch die Projektionsoptik 7 erfolgt auf die Oberfläche eines Substrats 11 in Form eines Wafers, der von einem Substrathalter 12 getragen wird. Der Substrathalter 12 wird von einem Wafer- beziehungsweise Substratverlagerungsantrieb 12a verlagert.
• In der 1 ist schematisch zwischen dem Retikel 10 und der Projektionsoptik 7 ein in diese einlaufendes Strahlenbündel 13 des Beleuchtungslichts 3 und zwischen der Projektionsoptik 7 und dem Substrat 11 ein aus der Projektionsoptik 7 auslaufendes Strahlenbündel 14 des Beleuchtungslichts 3 dargestellt. Eine bildfeldseitige numerische Apertur (NA) der Projektionsoptik 7 ist in der 1 nicht maßstäblich wiedergegeben.
• Die Projektionsbelichtungsanlage 1 ist vom Scannertyp. Sowohl das Retikel 10 als auch das Substrat 11 werden beim Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage 1 in der y-Richtung gescannt. Auch ein Steppertyp der Projektionsbelichtungsanlage 1, bei dem zwischen einzelnen Belichtungen des Substrats 11 eine schrittweise Verlagerung des Retikels 10 und des Substrats 11 in der y-Richtung erfolgt, ist möglich. Diese Verlagerungen erfolgen synchronisiert zueinander durch entsprechende Ansteuerung der Verlagerungsantriebe 10b und 12a.
• Die 2 zeigt das optische Design der Projektionsoptik 7. Die 2 zeigt die Projektionsoptik 7 in einem Meridionalschnitt, also den Strahlengang des Abbildungslichts 3 in der yz-Ebene. Die Projektionsoptik 7 nach 2 hat insgesamt zehn Spiegel, die in der Reihenfolge des Strahlengangs der Einzelstrahlen 15, ausgehend vom Objektfeld 4, mit M1 bis M10 durchnummeriert sind.
• Dargestellt ist in der 2 der Strahlengang jeweils dreier Einzelstrahlen 15, die von drei in der 2 zueinander in der y-Richtung beabstandeten Objektfeldpunkten ausgehen. Dargestellt sind Hauptstrahlen 16, also Einzelstrahlen 15, die durch das Zentrum einer Pupille in einer Pupillenebene der Projektionsoptik 7 verlaufen, sowie jeweils ein oberer und ein unterer Komastrahl dieser beiden Objektfeldpunkte. Ausgehend vom Objektfeld 4 schließen die Hauptstrahlen 16 mit einer Normalen auf die Objektebene 5 einen Winkel CRA von 5,2 ° ein.
• Die Objektebene 5 liegt parallel zur Bildebene 9.
• Dargestellt sind in der 2 Ausschnitte der berechneten Reflexionsflächen der Spiegel M1 bis M10. Genutzt wird ein Teilbereich dieser berechneten Reflexionsflächen. Lediglich dieser tatsächlich genutzte Bereich der Reflexionsflächen ist zuzüglich eines Überstandes bei den realen Spiegeln M1 bis M10 tatsächlich vorhanden.
• 3 zeigt diesen tatsächlich genutzten Bereich der Reflexionsflächen der Spiegel M1 bis M10. Der Spiegel M10 hat eine Durchtrittsöffnung 17 zum Durchtritt des Abbildungslichts 3, das vom drittletzten Spiegel M8 hin zum vorletzten Spiegel M9 reflektiert wird. Der Spiegel M10 wird um die Durchtrittsöffnung 17 herum reflektiv genutzt. Alle anderen Spiegel M1 bis M9 haben keine Durchtrittsöffnung und werden in einem lückenlos zusammenhängenden Bereich reflektiv genutzt.
• Die Spiegel M1 bis M10 sind als nicht durch eine rotationssymmetrische Funktion beschreibbare Freiformflächen ausgeführt. Es sind auch andere Ausführungen der Projektionsoptik 7 möglich, bei denen mindestens einer der Spiegel M1 bis M10 als rotationssymmetrische Asphäre ausgeführt ist. Eine Asphärengleichung für eine solche rotationssymmetrische Asphäre ist bekannt aus der DE 10 2010 029 050 A1 . Auch alle Spiegel M1 bis M10 können als derartige Asphären ausgeführt sein.
• Eine Freiformfläche kann durch folgende Freiformflächengleichung (Gleichung 1) beschrieben werden: $$\begin{array}{l}Z=\frac{c_x{x}^2+c_y{y}^2}{1+\sqrt{1-\left(1+k_x\right){\left(c_{x}x\right)}^2-\left(1+k_y\right){\left(c_{y}y\right)}^2}}\\ \begin{array}{c}+C_{1}x+C_{2}y\\ +{\text{C}}_3{\text{x}}^2+{\text{C}}_4\text{xy}+{\text{C}}_5{\text{y}}^2\\ +{\text{C}}_6{\text{x}}^3+\dots +{\text{C}}_9{\text{y}}^3\\ +{\text{C}}_{10}{\text{x}}^4+\dots {\text{C}}_{12}{\text{x}}^2{\text{y}}^2+\dots +{\text{C}}_{14}{\text{y}}^4\\ +{\text{C}}_{15}{\text{x}}^5+\dots +{\text{C}}_{20}{\text{y}}^5\\ +{\text{C}}_{21}{\text{x}}^6+\dots +{\text{C}}_{24}{\text{x}}^3{\text{y}}^3+\dots {\text{C}}_{27}{\text{y}}^6\end{array}\\ +\dots \end{array}$$

  
• Für die Parameter dieser Gleichung (1) gilt:
• Z ist die Pfeilhöhe der Freiformfläche am Punkt x, y, wobei x² + y² = r². r ist hierbei der Abstand zur Referenzachse der Freiformflächengleichung
  (x = 0; y = 0).
• In der Freifonnflächengleichung (1) bezeichnen C₁, C₂, C₃... die Koeffizienten der Freiformflächen-Reihenentwicklung in den Potenzen von x und y.
• Im Falle einer konischen Grundfläche ist c_x, c_y eine Konstante, die der Scheitelpunktkrümmung einer entsprechenden Asphäre entspricht. Es gilt also c_x = 1/R_x und c_y = 1/R_y. k_x und k_y entsprechen jeweils einer konischen Konstante einer entsprechenden Asphäre. Die Gleichung (1) beschreibt also eine bikonische Freiformfläche.
• Eine alternativ mögliche Freiformfläche kann aus einer rotationssymmetrischen Referenzfläche erzeugt werden. Derartige Freiformflächen für Reflexionsflächen der Spiegel von Projektionsoptiken von Projektionsbelichtungsanlagen für die Mikrolithographie sind bekannt aus der
  US 2007-0058269 A1 .
• Alternativ können Freiformflächen auch mit Hilfe zweidimensionaler Spline-Oberflächen beschrieben werden. Beispiele hierfür sind Bezier-Kurven oder nicht-uniforme rationale Basis-Splines (non-uniform rational basis splines, NURBS). Zweidimensionale Spline-Oberflächen können beispielsweise durch ein Netz von Punkten in einer xy-Ebene und zugehörige z-Werte oder durch diese Punkte und ihnen zugehörige Steigungen beschrieben werden. Abhängig vom jeweiligen Typ der Spline-Oberfläche wird die vollständige Oberfläche durch Interpolation zwischen den Netzpunkten unter Verwendung zum Beispiel von Polynomen oder Funktionen, die bestimmte Eigenschaften hinsichtlich ihrer Kontinuität und Differenzierbarkeit haben, gewonnen. Beispiele hierfür sind analytische Funktionen.
• Die genutzten Reflexionsflächen der Spiegel M1 bis M10 werden von Grundkörpern getragen.
• Der Grundkörper 18 kann aus Glas, aus Keramik oder aus Glaskeramik gefertigt sein. Das Material des Grundkörpers 18 kann so abgestimmt sein, dass dessen thermischer Expansionskoeffizient bei einer gewählten Betriebstemperatur des Spiegels M sehr nahe beim Wert 0 liegt und idealerweise exakt 0 ist. Ein Beispiel für ein derartiges Material ist Zerodur^®.
• 4 zeigt perspektivisch einen der Spiegel der Projektionsoptik 7, nämlich den Spiegel M10, wobei die Durchtrittsöffnung 17 weggelassen ist.
• Ein Spiegelsubstrat bzw. Grundkörper 18 des Spiegels M10 hat drei Montageöffnungen 19 zur Halterung des Spiegelsubstrats 18 an einem Spiegelhalter.
• 5 veranschaulicht eine Passe des Spiegels M10, also eine Abweichung einer Ist-Oberflächenform einer Reflexionsfläche 20 des Spiegels M10 von einer optimalen Soll-Oberflächenform. Ein gesamter Absolut-Wertbereich der dargestellten Passe ist unterteilt in eine Mehrzahl von jeweils unterschiedlich schraffiert wiedergegebenen Wertebereichsabschnitten, zwischen denen Iso-Passelinien verlaufen. Die entsprechenden Passewerte sind in der 5 links von unten nach oben absolut aufsteigend in willkürlichen Einheiten wiedergegeben.
• Aufgrund der dreizähligen Anordnung der Montagepunkte des Spiegelsubstrats 18 über die Montageöffnungen 19 resultiert ein entsprechend dreizähliger Verlauf der Passe. Im Bereich der Montageöffnungen 19 ist die Passe minimal und steigt jeweils kontinuierlich bis zum Zentrum der Reflexionsfläche 20, wo die Passe maximal ist. In Umfangsrichtung um das Spiegelsubstrat 18 ist die Passe in den Umfangspositionen jeweils zwischen zwei Montageöffnungen 19 maximal und beträgt dort etwa die Hälfte der maximalen Passe im Zentrum der Reflexionsfläche 20.
• Eine typische Größenordnung der maximalen Passe liegt bei 10 µm. Abhängig vom Durchmesser des Spiegels, abhängig von der Anzahl, der Anordnung und der Art der Montagepunkte, abhängig vom Material und von der Stärke des Spiegelsubstrats sowie abhängig von der Einbaulage des Spiegels kann auch eine größere maximale Passe, beispielsweise im Bereich von 100 µm, oder auch eine kleinere Passe, beispielsweise in der Größenordnung von 1 µm, resultieren.
• Der Spiegel M10 wird folgendermaßen hergestellt:
• Zunächst wird vom Mittelwert einer globalen Gravitationskonstante ausgegangen. Hierbei wird ein gegebenenfalls gewichteter Mittelwert der Gravitationskonstanten an den möglichen Einsatzorten der Projektionsbelichtungsanlage 1, also beispielsweise an Kundenstandorten, herangezogen. Dieser Mittelwert der globalen Gravitationskonstante, der herangezogen wird, kann beispielsweise 9,80 m/s² betragen. In die Bestimmung des Mittelwerts der globalen Gravitationskonstante kann eine Lieferwahrscheinlichkeit des Spiegels an dem jeweiligen Einsatzort eingehen, sodass Einsatzorte mit höherer Lieferwahrscheinlichkeit mit höherer Gewichtung in die Mittelwert-Bestimmung eingehen.
• Anschließend wird ein Gravitationskonstanten-Unterschied zwischen der Gravitationskonstanten am Herstellort und dem bestimmten Gravitationskonstanten-Mittelwert bestimmt. Die Gravitationskonstante am Herstellort kann beispielsweise 9,81 m/s² betragen, sodass der Gravitationskonstanten-Unterschied 0,01 m/s² beträgt.
• Beim Herstellungsverfahren wird weiterhin eine Soll-Oberflächenform der Reflexionsfläche 20 des Spiegels M10 bestimmt.
• Es wird nun das Spiegelsubstrat 18 am Herstellort unter Berücksichtigung des Gravitationskonstanten-Unterschiedes derart bearbeitet, dass unter dem Einfluss des Gravitationskonstanten-Mittelwertes eine Ist-Oberflächenform der Reflexionsfläche 20 des Spiegelsubstrats 18 von der Soll-Oberflächenform um nicht mehr als ein vorgegebener Passe-Toleranzwert abweicht.
• Zur Feststellung, ob unter dem Einfluss des Gravitationskonstanten-Mittelwertes eine Abweichung zwischen der Ist-Oberflächenform und der Soll-Oberflächenform innerhalb des Passe-Toleranzwertes eingehalten wird, wird folgendermaßen vorgegangen:
• Zunächst wird eine Soll-Vorhalt-Oberflächenform berechnet, die die Reflexionsfläche des Spiegels M10 am Herstellort haben muss, damit unter dem Einfluss des Gravitationskonstanten-Mittelwertes die Soll-Oberflächenform resultiert. Es wird dann das Spiegelsubstrat 18 am Herstellort derart bearbeitet, dass eine Ist-Oberflächenform der Reflexionsfläche des Spiegelsubstrats 18 von der Soll-Vorhalt-Oberflächenform um nicht mehr als ein vorgegebener Passe-Vorhalt-Toleranzwert abweicht.
• Sowohl der Passe-Toleranzwert als auch der Passe-Vorhalt-Toleranzwert ist kleiner als 1 nm und kann kleiner sein als 100 pm oder kann auch kleiner sein als 10 pm.
• 6 zeigt den entsprechend hergestellten Spiegel M10 am Herstellort. Die Passe P des Spiegels M10 ist in der 6 stark übertrieben dargestellt. Diese Passe stellt eine Abweichung der Ist-Oberflächenform der Reflexionsfläche von der Soll-Oberflächenform am Herstellort dar.
• 7 zeigt in einer zu 6 ähnlichen Darstellung den gemäß 6 hergestellten Spiegel M10 an drei verschiedenen Einsatzorten mit drei verschiedenen Gravitationskonstanten. Die Gravitationskonstante ergibt sich aus der in der 7 links dargestellten Skala.
• 7 zeigt oben den Spiegel M10 an einem Einsatzort mit größter Gravitationskonstanten 9,83 m/s². Die Passe hat dabei den Maximalwert P_max, der etwas größer ist als die Passe aufgrund der Soll-Vorhalt-Oberflächenform gemäß 6.
• 7 zeigt in der Mitte den Spiegel M10 an einem Einsatzort, an dem der berücksichtigte Mittelwert der globalen Gravitationskonstante, 9,80 m/s², herrscht. Dort ist die grundsätzlich erreichbare Passe gleich 0, da die Vorhalt-Oberflächenform bei der Fertigung gemäß 6 genau auf diesen Gravitationskonstanten-Mittelwert abgestimmt war.
• 7 zeigt unten den Spiegel M10 an einem Einsatzort mit minimaler Gravitationskonstante 9,77 m/s². Es resultiert eine absolut ebenfalls maximale Passe P_max mit im Vergleich zur maximalen Passe P_max nach 7 oben gleichem Absolutwert und entgegengesetztem Vorzeichen.
• Durch die Berücksichtigung der Vorhalt-Oberflächenform mit Passe P nach 6 wird bei gleichen erreichbaren Fertigungstoleranzen ein geringerer Passehub zwischen 0 und P_max an den verschiedenen möglichen Einsatzorten realisiert.
• Zur Herstellung eines mikro- oder nanostrukturierten Bauteils wird die Projektionsbelichtungsanlage 1 folgendermaßen eingesetzt: Zunächst werden die Reflexionsmaske 10 beziehungsweise das Retikel und das Substrat beziehungsweise der Wafer 11 bereitgestellt. Anschließend wird eine Struktur auf dem Retikel 10 auf eine lichtempfindliche Schicht des Wafers 11 mithilfe der Projektionsbelichtungsanlage 1 projiziert. Durch Entwicklung der lichtempfindlichen Schicht wird dann eine Mikro- oder Nanostruktur auf dem Wafer 11 und somit das mikrostrukturierte Bauteil erzeugt.
• ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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• Zitierte Patentliteratur
• DE 102013214989 A1 [0002]
• WO 2016/188934 A1 [0002, 0016]
• WO 2016/166080 A1 [0002]
• WO 2009/053023 A2 [0013]
• DE 102010029050 A1 [0026]
• US 20070058269 A1 [0032]

Claims (7)

1. Verfahren zur Herstellung eines Spiegels (M1 bis M10) als optischer Komponente für ein optisches System einer Projektionsbelichtungsanlage (1) für die Projektionslithographie mit folgenden Schritten: - Bestimmen eines Mittelwertes einer globalen Gravitationskonstante, - Bestimmen eines Gravitationskonstanten-Unterschiedes zwischen der Gravitationskonstante am Herstellort und des Gravitationskonstanten-Mittelwerts, - Bestimmen einer Soll-Oberflächenform einer Reflexionsfläche (20) des Spiegels, - Bearbeiten eines Spiegelsubstrats (18) am Herstellort unter Berücksichtigung des Gravitationskostanten-Unterschiedes derart, dass unter dem Einfluss des Gravitationskonstanten-Mittelwerts eine Ist-Oberflächenform der Reflexionsfläche (20) des Spiegelsubstrats (18) von der Soll-Oberflächenform um nicht mehr als ein vorgegebener Passe-Toleranzwert (P_max) abweicht.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zur Feststellung, ob unter dem Einfluss des Gravitationskonstanten-Mittelwerts eine Abweichung zwischen der Ist-Oberflächenform und der Soll-Oberflächenform der Reflexionsfläche (20) innerhalb des Passe-Toleranzwerts (P_max) eingehalten wird, folgendermaßen vorgegangen wird: - Berechnen einer Soll-Vorhalt-Oberflächenfonn, die die Reflexionsfläche (20) des Spiegels (M1 bis M10) am Herstellort haben muss, damit unter dem Einfluss des Gravitationskonstanten-Mittelwerts in einer Einsatzposition des Spiegels (M1 bis M10) die Soll-Oberflächenform resultiert, - Bearbeiten des Spiegelsubstrats (18) am Herstellort derart, dass eine Ist-Oberflächenform der Reflexionsfläche (20) des Spiegelsubstrats (18) von der Soll-Vorhalt-Oberflächenfonn um nicht mehr als ein vorgegebener Passe-Vorhalt-Toleranzwert abweicht.
3. Spiegel (M1 bis M10), hergestellt nach einem Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2.
4. Optisches System einer Projektionsbelichtungsanlage (1) für die Projektionslithographie mit einem Spiegel nach Anspruch 3.
5. Projektionsbelichtungsanlage mit einem optischen System nach Anspruch 4 und mit einer Lichtquelle (2) zur Erzeugung des Beleuchtungslichts (3).
6. Verfahren zur Herstellung eines strukturierten Bauteils mit folgenden Verfahrensschritten: - Bereitstellen eines Retikels (10) und eines Wafers (11), - Projizieren einer Struktur auf dem Retikel (10) auf eine lichtempfindliche Schicht des Wafers (11) mithilfe der Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 5, - Erzeugen einer Mikro- beziehungsweise Nanostruktur auf dem Wafer (11).
7. Strukturiertes Bauteil, hergestellt nach einem Verfahren nach Anspruch 6.

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