DE102017210162A1 - Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie - Google Patents

Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie Download PDF

Info

Publication number
DE102017210162A1
DE102017210162A1 DE102017210162.8A DE102017210162A DE102017210162A1 DE 102017210162 A1 DE102017210162 A1 DE 102017210162A1 DE 102017210162 A DE102017210162 A DE 102017210162A DE 102017210162 A1 DE102017210162 A1 DE 102017210162A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
illumination
setting
illumination light
optics
rotator
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102017210162.8A
Other languages
English (en)
Inventor
Jörg Tschischgale
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Carl Zeiss SMT GmbH
Original Assignee
Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Carl Zeiss SMT GmbH filed Critical Carl Zeiss SMT GmbH
Priority to DE102017210162.8A priority Critical patent/DE102017210162A1/de
Publication of DE102017210162A1 publication Critical patent/DE102017210162A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70091Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
    • G03F7/70108Off-axis setting using a light-guiding element, e.g. diffractive optical elements [DOEs] or light guides
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/0816Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

Eine Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie hat eine Settingeinrichtung zur Vorgabe eines Beleuchtungssettings zur Beleuchtung eines Objektfeldes, in dem ein abzubildendes Objekt anordenbar ist, mit einer vorgegebenen Beleuchtungswinkelverteilung. Ein Settingrotator (15) ist der Settingeinrichtung in einem Beleuchtungslicht-Strahlengang nachgeordnet. Der Settingrotator (15) dient zum Schwenken des Beleuchtungssettings um eine in Richtung des Beleuchtungslicht-Strahlengangs verlaufende Schwenkachse (18) um einen vorgegebenen Schwenkwinkel. Es resultiert eine Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie, bei der ein Beleuchtungssetting an gegenüber einer Objektverlagerungsrichtung verkippte Objektstrukturen angepasst werden kann.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie. Ferner betrifft die Erfindung ein optisches System mit einer derartigen Beleuchtungsoptik, eine Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen optischen System, ein Verfahren zur Erzeugung eines mikro- bzw. nanostrukturierten Bauteils mit einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage sowie ein mit diesem Verfahren hergestelltes mikro- bzw. nanostrukturiertes Bauteil.
  • Beleuchtungsoptiken für die Projektionslithographie sind bekannt aus der WO 2009/135586 A1 , der WO 2005/026843 A , der EP 1 262 836 A und der US 2009/0116093 A1 .
  • Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie so weiter zu bilden, dass ein Beleuchtungssetting an gegenüber einer Objektverlagerungsrichtung verkippte Objektstrukturen angepasst werden kann.
  • Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch eine Beleuchtungsoptik mit den im Anspruch 1 angegebenen Merkmalen.
  • Erfindungsgemäß wurde erkannt, dass es möglich ist, ein Konzept zur Drehung eines Beleuchtungssettings, welches grundsätzlich aus dem Bereich der Projektionslithographie mit im Vergleich zu EUV längeren Beleuchtungswellenlängen, die für optische Komponenten transmittiert werden können, bereits bekannt ist, auch auf die EUV-Projektionsbelichtungs-technik zu übertragen. Ein Beispiel für eine Beleuchtungsoptik, die gegenüber EUV längere Wellenlängen und insbesondere Wellenlängen von mindestens 193 nm nutzt, gibt die US 5,636,005 .
  • Der Settingrotator kann mit ausschließlich reflektierenden Komponenten aufgebaut sein. Zur Optimierung eines Durchsatzes können reflektierende Flächen des Settingrotators hochreflektierend beschichtet sein. Zumindest einige der Beleuchtungslicht-Reflexionen am Settingrotator können als Reflexionen unter streifendem Einfall ausgeführt sein, also als Reflexionen mit Einfallswinkeln, die größer sind als 45°. Zusätzlich kann der Settingrotator eine Abbildungsoptik aufweisen. Der Settingrotator kann insbesondere eine erste Pupillenebene der Beleuchtungsoptik in eine nachgeordnete zweite Pupillenebene abbilden.
  • Eine Ausgestaltung des Settingrotators nach Anspruch 2 hat sich als besonders geeignet herausgestellt. Es kann eine Konfiguration gewählt werden, die eine Umsetzung des Konzeptes eines Dove-Prismas auf reflektierende Komponenten darstellt. Ein Dove-Prisma ist beispielsweise bekannt aus der WO 2012/160061 A1 .
  • Die Vorteile eines optischen Systems nach Anspruch 3, einer Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 4, eines Herstellungsverfahrens nach Anspruch 5 sowie eines mikro- bzw. nanostrukturierten Bauteils nach Anspruch 6 entsprechen denen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die erfindungsgemäße Beleuchtungsoptik bereits erläutert wurden. Beim optischen System nach Anspruch 3 kann es sich um eine Baugruppe für eine Projektionsbelichtungsanlage vom Scannertyp, insbesondere vom Typ „EUV-Scanner“, handeln. Bei dem hergestellten Bauteil kann es sich um einen Mikrochip, insbesondere um einen hochintegrierten Speicherchip, handeln.
  • Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachfolgend anhand der Zeichnungen näher erläutert. In dieser zeigen:
  • 1 schematisch eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Mikrolithographie; und
  • 2 einen Settingrotator zum Verschwenken eines Beleuchtungssettings zur Beleuchtung eines Objektfeldes als Bestandteil einer Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie.
  • Eine Projektionsbelichtungsanlage 1 für die Mikrolithographie hat eine Lichtquelle 2 für Beleuchtungslicht bzw. Abbildungslicht 3. Bei der Lichtquelle 2 handelt es sich um eine EUV-Lichtquelle, die Licht in einem Wellenlängenbereich beispielsweise zwischen 5 nm und 30 nm, insbesondere zwischen 5 nm und 15 nm, erzeugt. Bei der Lichtquelle 2 kann es sich insbesondere um eine Lichtquelle mit einer Wellenlänge von 13,5 nm oder um eine Lichtquelle mit einer Wellenlänge von 6,9 nm handeln. Auch andere EUV-Wellenlängen sind möglich. Bei der Lichtquelle 2 kann es sich um eine EUV-Lichtquelle vom Typ „Plasmaerzeugung durch Gasentladung (Gasdischarge produced Plasma, GDP)“, vom Typ „Laserinduzierte Plasmaerzeugung (Laser produced Plasma, LPP)“ oder um eine synchrotronbasierte EUV-Lichtquelle, beispielsweise um einen Freie-Elektronen-Laser (FEL), handeln. Ein Strahlengang des Beleuchtungslichts 3 ist in der 1 äußerst schematisch dargestellt.
  • Zur Führung des Beleuchtungslichts 3 von der Lichtquelle 2 hin zu einem Objektfeld 4 in einer Objektebene 5 dient eine Beleuchtungsoptik 6. Mit einer Projektionsoptik bzw. abbildenden Optik 7 wird das Objektfeld 4 in ein Bildfeld 8 in einer Bildebene 9 mit einem vorgegebenen Verkleinerungsmaßstab abgebildet.
  • Zur Erleichterung der Beschreibung der Projektionsbelichtungsanlage 1 sowie der verschiedenen Ausführungen der Projektionsoptik 7 ist in der Zeichnung ein kartesisches xyz-Koordinatensystem angegeben, aus dem sich die jeweilige Lagebeziehung der in den Figuren dargestellten Komponenten ergibt. In der 1 verläuft die x-Richtung senkrecht zur Zeichenebene in diese hinein. Die y-Richtung verläuft nach links und die z-Richtung nach oben.
  • Das Objektfeld 4 und das Bildfeld 8 sind rechteckförmig. Alternativ ist es auch möglich, das Objektfeld 4 und Bildfeld 8 gebogen bzw. gekrümmt, also insbesondere teilringförmig auszuführen. Das Objektfeld 4 und das Bildfeld 8 haben ein xy-Aspektverhältnis größer als 1. Das Objektfeld 4 hat also eine längere Objektfelddimension in der x-Richtung und eine kürzere Objektfelddimension in der y-Richtung. Diese Objektfelddimensionen verlaufen längs der Feldkoordinaten x und y.
  • Abgebildet wird mit der Projektionsoptik 7 ein Objekt in Form eines mit dem Objektfeld 4 zusammenfallenden Ausschnitts einer Reflexionsmaske 10, die auch als Retikel bezeichnet wird. Das Retikel 10 wird von einem Retikelhalter 10a getragen. Der Retikelhalter 10a wird von einem Retikelverlagerungsantrieb 10b verlagert.
  • Die Abbildung durch die Projektionsoptik 7 erfolgt auf die Oberfläche eines Substrats 11 in Form eines Wafers, der von einem Substrathalter 12 getragen wird. Der Substrathalter 12 wird von einem Wafer- bzw. Substratverlagerungsantrieb 12a verlagert.
  • In der 1 ist schematisch zwischen dem Retikel 10 und der Projektionsoptik 7 ein in diese einlaufendes Strahlenbündel 13 des Beleuchtungslichts 3 und zwischen der Projektionsoptik 7 und dem Substrat 11 ein aus der Projektionsoptik 7 auslaufendes Strahlenbündel 14 des Beleuchtungslichts 3 dargestellt. Eine bildfeldseitige numerische Apertur (NA) der Projektionsoptik 7 ist in der 1 nicht maßstäblich wiedergegeben.
  • Die Projektionsbelichtungsanlage 1 ist vom Scannertyp. Sowohl das Retikel 10 als auch das Substrat 11 werden beim Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage 1 in der y-Richtung gescannt. Auch ein Steppertyp der Projektionsbelichtungsanlage 1, bei dem zwischen einzelnen Belichtungen des Substrats 11 eine schrittweise Verlagerung des Retikels 10 und des Substrats 11 in der y-Richtung erfolgt, ist möglich. Diese Verlagerungen erfolgen synchronisiert zueinander durch entsprechende Ansteuerung der Verlagerungsantriebe 10b und 12a.
  • Mit der Beleuchtungsoptik 6 wird das gesamte Bündel des Beleuchtungslichts 3 so konditioniert, dass das Objektfeld 4 mit einer vorgegebenen Beleuchtungswinkelverteilung ausgeleuchtet wird, die auch als Beleuchtungssetting bezeichnet ist. Charakteristisch für das Beleuchtungssetting ist eine Intensitätsverteilung des Beleuchtungslichts in einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 6, die zu einer Pupillenebene der nachfolgenden Projektionsoptik 7 konjugiert ist. Bei dem Beleuchtungssetting kann es sich um ein zu einer Hauptpropagationsrichtung des Beleuchtungslichtbündels hin zum Objektfeld 4 nichtrotationssymmetrisches Setting handeln. Es resultiert eine entsprechend um ein Zentrum der Pupille nichtrotationssymmetrische Intensitätsverteilung des Beleuchtungslichts über die Pupille.
  • Teil der Beleuchtungsoptik 6 ist ein Settingrotator 15. Letzterer ist zwischen einer ersten Pupillenebene 16 und einer zweiten Pupillenebene 17 im Strahlengang des Beleuchtungslichts 3 angeordnet.
  • Der Settingrotator 15 dient zum Schwenken des jeweiligen Beleuchtungssettings um eine in der Hauptpropagationsrichtung 18 des Beleuchtungslichts 3 verlaufende Schwenkachse um einen vorgegebenen Schwenkwinkel α.
  • 2 zeigt Details des Settingrotators 15. Gezeigt ist der Strahlengang eines Beleuchtungslicht-Teilbündels 19, welches von einem Punkt in der ersten Pupillenebene 16 ausgeht. Der Settingrotator 19 hat ein Spiegel-Prisma 20 aus Metall mit einer ersten spiegelnden Eingangsfläche 21 und einer zweiten spiegelnden Ausgangsfläche 22. Das Beleuchtungslicht-Teilbündel 19 wird von der Eingangsfläche 21 mit einem Einfallswinkel von etwa 55° hin zu einem Umlenkspiegel 23 des Settingrotators 15 reflektiert. Vom Umlenkspiegel 23 wird das Beleuchtungslicht-Teilbündel 19 mit einem Einfallswinkel von etwa 20° reflektiert und fällt dann auf die Ausgangsfläche 22 des Spiegel-Prismas 20, wo es wiederum mit einem Einfallswinkel von etwa 55° reflektiert wird. Die Hauptpropagationsrichtung 18 des Beleuchtungslichts 3, von dem das Beleuchtungslicht-Teilbündel 19 einen Teil darstellt, ist nach dem Spiegel-Prisma 20 die gleiche wie vorher.
  • Zwischen der ersten Pupillenebene 16 und der zweiten Pupillenebene 17 ist beim Settingrotator 15 eine abbildende Optik 24 angeordnet, die die erste Pupillenebene 16 in die zweite Pupillenebene 17 abbildet. Beim dargestellten Ausführungsbeispiel ist die abbildende Optik 24 schematisch durch zwei transmissive Komponenten, also schematisch durch zwei Linsen, dargestellt. Tatsächlich ist die abbildende Optik 24 durch zwei Spiegel gebildet, so dass das Beleuchtungslicht 3 im Settingrotator 15 ausschließlich reflektiert wird.
  • Die Komponenten der abbildenden Optik 24 können je nach den baulichen Anforderungen und den Abbildungsanforderungen an den Settingrotator 15 über den Strahlengang des Beleuchtungslichts zwischen der ersten Pupillenebene 16 und der zweiten Pupillenebene 17 verteilt sein, müssen also nicht zwingend, wie in der 2 dargestellt, zwischen der Ausgangsfläche 22 und der zweiten Pupillenebene 17 liegen.
  • Das Spiegel-Prisma 20 und der Umlenkspiegel 23 werden von einem gemeinsamen Tragkörper getragen, der in der 2 nicht dargestellt ist. Über einen Schwenkantrieb 25, der in der 2 schematisch angedeutet ist, kann diese Baugruppe, gebildet aus dem Spiegel-Prisma 20 und dem Umlenkspiegel 23 um die Hauptpropagationsrichtung 18 verschwenkt werden. Ein Verschwenken dieser Baugruppe um einen Winkel α/2 ergibt ein Verschwenken einer Beleuchtungslicht-Intensitätsverteilung in der ersten Pupillenebene 16 um die Hauptpropagationsrichtung 18 um den Schwenkwinkel α.
  • Der Settingrotator 15 kann einem üblichen Wabenkondensor der Beleuchtungsoptik 6 nachgeordnet sein. Ein derartiger Wabenkondensor kann gestaltet sein, wie dies aus dem Stand der Technik bekannt ist. Beispiele hierfür sind gegeben in der WO 2009/100856 A1 und den dort angegebenen Referenzen. Ein solcher Wabenkondensor ist ein Beispiel für eine Settingeinrichtung 26 zur Vorgabe des Beleuchtungssettings.
  • Zur Herstellung eines mikro- oder nanostrukturierten Bauteils wird die Projektionsbelichtungsanlage 1 folgendermaßen eingesetzt: Zunächst werden die Reflexionsmaske 10 bzw. das Retikel und das Substrat bzw. der Wafer 11 bereitgestellt. Es wird dann bestimmt, ob und um welchen Winkel ein Beleuchtungssetting zur Beleuchtung des Retikels 10 verschwenkt werden muss und entsprechend der Schwenkantrieb 25 des Settingrotators 15 angesteuert. Anschließend wird eine Struktur auf dem Retikel 10 auf eine lichtempfindliche Schicht des Wafers 11 mithilfe der Projektionsbelichtungsanlage 1 projiziert. Durch Entwicklung der Licht-empfindlichen Schicht wird dann eine Mikro- oder Nanostruktur auf dem Wafer 11 und somit das mikrostrukturierte Bauteil erzeugt.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • WO 2009/135586 A1 [0002]
    • WO 2005/026843 A [0002]
    • EP 1262836 A [0002]
    • US 2009/0116093 A1 [0002]
    • US 5636005 [0005]
    • WO 2012/160061 A1 [0007]
    • WO 2009/100856 A1 [0027]

Claims (6)

  1. Beleuchtungsoptik (6) für die EUV-Projektionslithographie – mit einer Settingeinrichtung (26) zur Vorgabe eines Beleuchtungssettings zur Beleuchtung eines Objektfeldes (4), in dem ein abzubildendes Objekt (10) anordenbar ist, mit einer vorgegebenen Beleuchtungswinkelverteilung, – mit einem der Settingeinrichtung (26) in einem Beleuchtungslicht-Strahlengang nachgeordneten Settingrotator (15) zum Schwenken des Beleuchtungssettings um eine in Richtung des Beleuchtungslicht-Strahlengangs verlaufende Schwenkachse (18) um einen vorgebenen Schwenkwinkel.
  2. Beleuchtungsoptik nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Settingrotator (15) ein Spiegel-Prisma (20) mit zwei spiegelnden Oberflächen (21, 22) aufweist, die vom Beleuchtungslicht (3, 19) beaufschlagt werden.
  3. Optisches System mit einer Beleuchtungsoptik (6) nach einem der Ansprüche 1 und 2 und mit einer Projektionsoptik (7) zur Abbildung des Objektfeldes (4) in ein Bildfeld (8).
  4. Projektionsbelichtungsanlage mit einem optischen System nach Anspruch 3 und einer EUV-Lichtquelle (2).
  5. Verfahren zur Herstellung eines strukturierten Bauteils mit folgenden Verfahrensschritten: – Bereitstellen eines Retikels (10) und eines Wafers (11), – Projizieren einer Struktur auf dem Retikel (10) auf eine lichtempfindliche Schicht des Wafers (11) mithilfe der Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 4, – Erzeugen einer Mikro- bzw. Nanostruktur auf dem Wafer (11).
  6. Strukturiertes Bauteil, hergestellt nach einem Verfahren nach Anspruch 5.
DE102017210162.8A 2017-06-19 2017-06-19 Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie Withdrawn DE102017210162A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102017210162.8A DE102017210162A1 (de) 2017-06-19 2017-06-19 Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102017210162.8A DE102017210162A1 (de) 2017-06-19 2017-06-19 Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102017210162A1 true DE102017210162A1 (de) 2017-08-17

Family

ID=59410344

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102017210162.8A Withdrawn DE102017210162A1 (de) 2017-06-19 2017-06-19 Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102017210162A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020001954A1 (en) 2018-06-25 2020-01-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Inspection system and inspection method to qualify semiconductor structures

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5636005A (en) 1994-01-31 1997-06-03 Nec Corporation Optical projection aligner equipped with rotatable fly-eye lens unit
EP1262836A1 (de) 2001-06-01 2002-12-04 Asml Lithographischer Apparat
WO2005026843A2 (en) 2003-09-12 2005-03-24 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system for a microlithography projection exposure installation
US20090116093A1 (en) 2007-11-06 2009-05-07 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
WO2009100856A1 (en) 2008-02-15 2009-08-20 Carl Zeiss Smt Ag Facet mirror for use in a projection exposure apparatus for microlithography
WO2009135586A1 (en) 2008-05-09 2009-11-12 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system comprising a fourier optical system
WO2012160061A1 (en) 2011-05-25 2012-11-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination optical unit for projection lithography

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5636005A (en) 1994-01-31 1997-06-03 Nec Corporation Optical projection aligner equipped with rotatable fly-eye lens unit
EP1262836A1 (de) 2001-06-01 2002-12-04 Asml Lithographischer Apparat
WO2005026843A2 (en) 2003-09-12 2005-03-24 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system for a microlithography projection exposure installation
US20090116093A1 (en) 2007-11-06 2009-05-07 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
WO2009100856A1 (en) 2008-02-15 2009-08-20 Carl Zeiss Smt Ag Facet mirror for use in a projection exposure apparatus for microlithography
WO2009135586A1 (en) 2008-05-09 2009-11-12 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system comprising a fourier optical system
WO2012160061A1 (en) 2011-05-25 2012-11-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination optical unit for projection lithography

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020001954A1 (en) 2018-06-25 2020-01-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Inspection system and inspection method to qualify semiconductor structures
US11378532B2 (en) 2018-06-25 2022-07-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Inspection system and inspection method to qualify semiconductor structures

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102015226531A1 (de) Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden Optik
DE102008043162A1 (de) Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einer derartigen abbildenden Optik
DE102009008644A1 (de) Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithografie mit einer derartigen abbildenden Optik
DE10052289A1 (de) 8-Spiegel-Mikrolithographie-Projektionsobjektiv
WO2002033467A1 (de) 8-spiegel-mikrolithographie-projektionsobjektiv
DE102008042917A1 (de) Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einer derartigen abbildenden Optik
DE102010039745A1 (de) Abbildende Optik
DE102015221984A1 (de) Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden Optik
DE102017200935A1 (de) Abbildende Optik zur Führung von EUV-Abbildungslicht sowie Justageanordnung für eine derartige abbildende Optik
DE102007051669A1 (de) Abbildende Optik, Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einer derartigen abbildenden Optik sowie Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils mit einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage
DE102015212619A1 (de) Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden Optik
DE102016205617A1 (de) Projektionsbelichtungsverfahren und Projektionsbelichtungsanlage
DE102012206153A1 (de) Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102018214437A1 (de) Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden Optik
DE102017210162A1 (de) Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie
DE102019202759A1 (de) Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projek-tionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden Optik
DE102016207487A1 (de) Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
DE102022212537A1 (de) Optisches system, lithographieanlage mit einem optischen system und anordnung mit einem optischen system
DE102022207374A1 (de) EUV-Kollektor für eine EUV-Projektionsbelichtungsvorrichtung
WO2015036225A1 (de) Beleuchtungsoptik für die euv-projektionslithografie
DE102018201457A1 (de) Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie
DE102017216893A1 (de) Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld
DE102017216458A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Spiegels als optischer Komponente für ein optisches System einer Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithographie
DE102017207542A1 (de) Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden Optik
DE102015226529A1 (de) Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden Optik

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R230 Request for early publication
R120 Application withdrawn or ip right abandoned