KR20200054976A - 투영 리소그래피용 투영 노광 장치의 광학 시스템을 위한 광학 구성요소로서 미러를 제조하는 방법 - Google Patents

투영 리소그래피용 투영 노광 장치의 광학 시스템을 위한 광학 구성요소로서 미러를 제조하는 방법 Download PDF

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칼 짜이스 에스엠테 게엠베하
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Abstract

투영 리소그래피용 투영 노광 장치의 광학 시스템을 위한 광학 구성요소로서 미러(M10)를 제조하는 경우, 먼저, 글로벌 중력 가속도의 평균값이 결정된다. 다음으로, 상기 중력 가속도 평균값과 제조 위치에서의 중력 가속도의 중력 가속도 차이가 결정된다. 미러의 반사 표면의 목표 표면 형상의 결정 이후, 중력 가속도 평균값의 영향 하에서 미러 기판의 반사 표면의 현재 표면 형상이 목표 표면 형상으로부터 규정된 수치 공차값(Pmax)을 초과하여 벗어나지 않는 방식으로, 중력 가속도 차이를 고려하여 제조 위치에서 미러 기판이 기계가공된다. 그 결과로 미러의 사용 위치에서 최소로 가능한 수치를 갖는 광학 요소가 제공된다.

Description

투영 리소그래피용 투영 노광 장치의 광학 시스템을 위한 광학 구성요소로서 미러를 제조하는 방법
본 특허 출원은 그 내용이 본원에 참조로서 통합되어 있는 독일 특허 출원 DE 10 2017 216 458.1의 우선권을 주장한다.
본 발명은 투영 리소그래피용 투영 노광 장치의 광학 시스템을 위한 광학 구성요소로서 미러를 제조하는 방법에 관한 것이다. 추가적으로, 본 발명은 이러한 방식으로 제조된 미러, 이러한 미러를 갖는 투영 리소그래피용 투영 노광 장치의 광학 시스템, 이러한 광학 시스템을 갖는 투영 노광 장치, 이러한 투영 노광 장치를 사용하여 마이크로구조화된 또는 나노구조화된 구성요소를 제조하는 방법, 및 이러한 방법에 의해 제조된 마이크로구조화된 또는 나노구조화된 구성요소에 관한 것이다.
이러한 광학 요소는 DE 10 2013 214 989 A1로부터 공지되어 있다. 처음에 제시된 유형의 이미징 광학 유닛은 WO 2016/188934 A1호 및 WO 2016/166080 A1로부터 공지되어 있다. DE 10 2012 212 953 A1에는 리소그래픽 미러 배열체가 개시되어 있다.
본 발명의 일 목적은 미러의 사용 위치에서 최소로 가능한 수치(figure)를 갖는 광학 요소를 제공하는 것이다.
본 발명에 따르면, 이러한 목적은 청구항 제1항에 명시된 특징을 포함하는 광학 요소에 의해 달성된다.
본 발명에 따르면, 미러의 제조 중에 미러의 다양한 가능한 사용 위치에서의 글로벌 중력 가속도의 평균값으로부터 제조 위치에서의 중력 가속도의 편차(DE 10 2017 216 458.1에서 중력 상수라고 잘못 지칭함)가 고려되는 경우, 이를 제외하고는 동일한 제조 조건에서 최대 수치, 즉 미러 반사 표면으로부터의 표면 형상의 최대 편차가 감소될 수 있다는 것이 밝혀졌다. 이러한 평균값은 사용 위치에 따라 그리고/또는 각각의 사용 위치에 대한 전달 확률을 고려하여 가중 방식으로 결정될 수 있다. 생산 위치에서의 중력 가속도는 일반적으로 결정된 글로벌 중력 가속도의 평균값으로부터 벗어나기 때문에, 이러한 차이 고려는 사용 위치에서 결과적인 최대 수치의 감소를 초래한다. 결과적으로, 모든 사용 위치를 고려하여, 이러한 방식으로 제조된 미러의 수치는 이러한 차이 고려가 생략되는 경우보다 평균적으로 더 낮다. 특히, 미러의 디포커스 수차가 이 제조 방법에 의해 상당히 감소될 수 있다.
청구항 제2항에 따른 목표 허용치(target allowance)는 미러의 제조를 단순화한다. 허용 표면 형상의 제조 중의 수치 허용 공차값은 청구항 제1항에 따른 수치 공차값과 동일할 필요가 없다.
청구항 제3항에 따른 미러, 청구항 제4항에 따른 광학 시스템, 청구항 제5항에 따른 투영 노광 장치, 청구항 제6항에 따른 마이크로구조화된 또는 나노구조화된 구성요소를 위한 제조 방법, 및 청구항 제7항에 따른 마이크로구조화된 또는 나노구조화된 구성요소의 이점은, 본 발명에 따른 광학 요소를 참조하여 이미 상술한 것에 대응한다. 특히, 반도체 구성요소, 예를 들어, 메모리칩이 투영 노광 장치를 사용하여 제조될 수 있다.
광원은 EUV 광원일 수 있다. 대안적으로, DUV 광원, 즉 예를 들어, 193 nm의 파장을 갖는 광원이 또한 사용될 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예가 도면을 참조하여 아래에서 더 상세히 설명된다.
도 1은 EUV 마이크로리소그래피용 투영 노광 장치의 개략도이다.
도 2는 도 1에 따른 투영 노광 장치 내의 투영 렌즈로서 사용될 수 있는 이미징 광학 유닛의 실시예를 자오선 단면으로 도시하고, 여기서 3개의 선택된 필드점의 주광선(chief ray)을 위한 이미징 빔 경로, 및 상부 코마 광선(coma ray) 및 하부 코마 광선을 위한 이미징 빔 경로가 도시되어 있다.
도 3은 도 2에 따른 이미징 광학 유닛의 미러의 사용된 미러 표면의 가장자리 윤곽을 도시한다.
도 4는 도 2에 따른 이미징 광학 유닛의 미러의 사시도이다.
도 5는 도 4에 따른 미러의 미러 기판의 반사 표면의 현재 표면 형상에 대해, 목표 표면 형상으로부터의 편차를 도시한다.
도 6는 제조 위치에서의 중력 가속도와 중력 가속도 평균값 사이의 중력 가속도 차이를 고려하여 제조 위치에서 기계가공한 후의, 도 4에 따른 미러를 도시한다.
도 7은 3개의 상이한 사용-위치 중력 가속도를 갖는 3개의 대안적인 사용 위치에서, 도 6에 따른 허용치를 갖고 제조된 미러를 도시한다.
마이크로리소그래픽 투영 노광 장치(1)는 조명광 또는 이미징 광(3)을 위한 광원(2)을 갖는다. 광원(2)은, 예를 들면, 5 nm 내지 30 nm, 특히 5 nm 내지 15 nm의 파장 범위의 광을 생성하는 EUV 광원이다. 광원(2)은 플라즈마 기반 광원[레이저 생성 플라즈마(LPP), 가스 방전 생성 플라즈마(GDP)] 또는 싱크로트론 기반(synchrotron-based) 광원, 예를 들어 자유 전자 레이저(FEL)일 수 있다. 특히, 광원(2)은 13.5 nm의 파장을 갖는 광원 또는 6.9 nm의 파장을 갖는 광원일 수 있다. 다른 EUV 파장이 또한 가능하다. 일반적으로, 심지어 임의의 파장이 투영 노광 장치(1) 내에서 안내되는 조명광(3)을 위해 가능한데, 예를 들어 가시 파장, 또는 마이크로리소그래피(예를 들어, DUV, 심자외선)에서 사용할 수 있고 적합한 레이저 광원 및/또는 LED 광원이 이를 위해 이용 가능한 다른 파장(예를 들면, 365 nm, 248 nm, 193 nm, 157 nm, 129 nm, 109 nm)이다. 조명광(3)의 빔 경로가 도 1에 매우 개략적으로 도시되어 있다.
조명 광학 유닛(6)은 광원(2)으로부터 대물 평면(5) 내의 대물 필드(4)로 조명광(3)을 안내하는 역할을 한다. 투영 광학 유닛 또는 이미징 광학 유닛(7)을 사용하여, 대물 필드(4)는 미리 정의된 축소 스케일로 이미지 평면(9) 내의 이미지 필드(8) 내로 이미징된다.
투영 노광 장치(1) 및 투영 광학 유닛(7)의 다양한 실시예의 설명을 용이하게 하기 위해, 데카르트 xyz-좌표계가 도면에 지시되어 있고, 이 좌표계로부터 도면에 도시되어 있는 구성요소의 각각의 위치 관계가 명백하다. 도 1에서, x-방향은 도면 평면에 수직으로 도면 평면 내로 연장된다. y-방향은 좌측을 향해 연장되고, z-방향은 상향으로 연장된다.
투영 광학 유닛(7)에서, 대물 필드(4) 및 이미지 필드(8)는 굴곡된 또는 만곡된 실시예, 특히, 부분 링처럼 성형된 실시예를 갖는다. 이 필드 곡률의 곡률 반경은 이미지 측 상에서 81 mm일 수 있다. 이미지 필드의 대응하는 링 필드 반경은 WO 2009/053023 A2에 규정되어 있다. 대물 필드(4) 또는 이미지 필드(8)의 가장자리 윤곽의 기본 형태는 대응하는 굴곡을 갖는다. 대안적으로, 대물 필드(4) 및 이미지 필드(8)를 직사각형 형상으로 실현하는 것이 가능하다. 대물 필드(4) 및 이미지 필드(8)는 1 초과의 x/y-형상비를 갖는다. 따라서, 대물 필드(4)는 x-방향으로 더 긴 대물 필드 치수 및 y-방향으로 더 짧은 대물 필드 치수를 갖는다. 이러한 대물 필드 치수는 필드 좌표 x 및 y를 따라 연장된다.
따라서, 대물 필드(4)는 제1 데카르트 대물 필드 좌표(x) 및 제2 데카르트 대물 필드 좌표(y)에 의해 연장된다. 이러한 2개의 대물 필드 좌표(x, y)에 수직인 제3 데카르트 좌표(z)는 아래에서 법선 좌표라고 또한 지칭한다.
투영 광학 유닛(7)은 26 mm의 이미지 필드의 x-치수 및 1.2 mm의 이미지 필드(8)의 y-치수를 갖는다.
도 2에 도시된 예시적인 실시예는 투영 광학 유닛(7)에 사용될 수 있다. 도 2 및 도 3에 따른 투영 광학 유닛(7)의 광학 설계는 WO 2016/188934 A1로부터 공지되어 있고, 그 전체 내용이 참조된다.
도 2에 따른 투영 광학 유닛(7)의 실시예에서, 이미지 평면(9)은 대물 평면(5)에 평행하게 배열된다. 이 경우에 이미징되는 것은 대물 필드(4)와 일치하는 레티클(reticle)이라고 또한 지칭하는 반사 마스크(10)의 섹션이다. 레티클(10)은 레티클 홀더(10a)에 의해 유지된다. 레티클 홀더(10a)는 레티클 변위 구동부(10b)에 의해 변위된다.
투영 광학 유닛(7)에 의한 이미징은 기판 홀더(12)에 의해 유지되는 웨이퍼의 형태의 기판(11)의 표면 상에 구현된다. 기판 홀더(12)는 웨이퍼 또는 기판 변위 구동부(12a)에 의해 변위된다.
도 1은 레티클(10)과 투영 광학 유닛(7) 사이에 상기 투영 광학 유닛 내로 진입하는 조명광(3)의 광선빔(13), 및 투영 광학 유닛(7)과 기판(11) 사이에 투영 광학 유닛(7)으로부터 나오는 조명광(3)의 광선빔(14)을 개략적으로 도시한다. 도 1에서는 투영 광학 유닛(7)의 이미지 필드-측 개구수(NA)가 실제 축적대로 재현되어 있지 않다.
투영 노광 장치(1)는 스캐너 유형이다. 레티클(10) 및 기판(11) 모두는 투영 노광 장치(1)의 작동 중에 y-방향으로 스캐닝된다. y-방향으로 레티클(10) 및 기판(11)의 단차식 변위가 기판(11)의 개별 노광 사이에 실행되는 스텝퍼(stepper) 유형의 투영 노광 장치(1)가 또한 가능하다. 이러한 변위는 변위 구동부(10b 및 12a)의 적절한 작동에 의해 서로 동기적으로 실행된다.
도 2는 투영 광학 유닛(7)의 광학 설계를 도시한다. 도 2는 투영 광학 유닛(7)을 자오선 단면으로, 즉 yz-평면에서의 이미징 광(3)의 빔 경로를 도시한다. 도 2에 따른 투영 광학 유닛(7)은 대물 필드(4)로부터 진행하여, 개별 광선(15)의 빔 경로의 순서로 M1 내지 M10으로 연속적으로 번호 부기되어 있는 총 10개의 미러를 갖는다.
도 2는 도 2의 y-방향에서 서로로부터 이격되어 있는 3개의 대물 필드점으로부터 방사되는 3개의 개별 광선(15)의 각각의 경우의 빔 경로를 도시한다. 주광선(16), 즉 투영 광학 유닛(7)의 동공 평면 내의 동공의 중심을 통과하는 개별 광선(15), 및 각각의 경우에서 이러한 2개의 대물 필드점의 상부 코마 광선 및 하부 코마 광선이 도시되어 있다. 대물 필드(4)로부터 진행하여, 주광선(16)은 대물 평면(5)의 법선과 5.2°의 각도(CRA)를 이룬다.
대물 평면(5)은 이미지 평면(9)에 평행하게 놓여있다.
도 2는 미러(M1 내지 M10)의 계산된 반사 표면의 섹션을 도시한다. 이러한 계산된 반사 표면의 일부가 사용된다. 오버행(overhang)에 추가하여, 반사 표면의 이러한 실제로 사용되는 영역만이 실제 미러(M1 내지 M10) 내에 실제로 존재한다.
도 3은 미러(M1 내지 M10)의 반사 표면의 이러한 실제로 사용되는 영역을 도시한다. 미러(M10)는 마지막에서 세 번째 미러(M8)로부터 마지막 두 번째 미러(M9)를 향해 반사되는 이미징 광(3)의 통로를 위한 통로 개구(17)를 갖는다. 미러(M10)는 통로 개구(17) 주위에서 반사 방식으로 사용된다. 다른 미러(M1 내지 M9) 중 어느 것도 통로 개구를 갖지 않고, 상기 미러들은 연속적인 영역에서 간극 없이 반사 방식으로 사용된다.
미러(M1 내지 M10)는 회전 대칭 함수에 의해 기술될 수 없는 자유-형태 표면(free-form surface)으로서 실현된다. 미러(M1 내지 M10) 중 적어도 하나가 회전 대칭 비구면으로서 실현되는 투영 광학 유닛(7)의 다른 실시예가 또한 가능하다. 이러한 회전 대칭 비구면에 대한 비구면 방정식은 DE 10 2010 029 050 A1로부터 공지되어 있다. 모든 미러(M1 내지 M10)가 이러한 비구면으로서 실현되는 것이 또한 가능하다.
자유-형태 표면은 이하의 자유-형태 표면 방정식(식1)에 의해 기술될 수 있다:
Figure pct00001
이하가 이 방정식(1)의 파라미터에 적용된다:
Z는 점 x, y에서 자유-형태 표면의 새그(sag)이고, 여기서 x2 + y2 = r2이다. 여기서, r은 자유-형태 표면 방정식의 기준 축으로부터의 거리이다. (x= 0; y= 0).
자유-형태 표면 방정식(1)에서, C1, C2, C3…는 x 및 y의 멱의 자유-형태 표면 급수 전개의 계수를 나타낸다.
원추 기저 영역의 경우에서, cx, cy는 대응하는 비구면의 정점 곡률에 대응하는 상수이다. 따라서, cx = 1/Rx 및 cy = 1/Ry가 적용된다. kx 및 ky는 대응하는 비구면의 원추 상수에 각각 대응한다. 따라서, 방정식(1)은 쌍원추형 자유-형태 표면을 기술한다.
대안적인 가능한 자유-형태 표면은 회전 대칭 기준면으로부터 발생할 수 있다. 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치의 투영 광학 유닛의 미러의 반사 표면을 위한 이러한 자유-형태 표면은 US 2007-0058269 A1로부터 공지되어 있다.
대안적으로, 자유-형태 표면은 또한 2차원 스플라인 표면(spline surface)의 보조에 의해 기술될 수 있다. 이에 대한 예는 베지에 곡선(Bezier curve) 또는 불균일 유리 기저 스플라인(non-uniform rational basis splines)(NURBS)이다. 예로서, 2차원 스플라인 표면은 xy-평면에서 점의 그리드 및 연계된 z-값에 의해, 또는 이러한 점 및 그와 연계된 구배에 의해 기술될 수 있다. 각각의 유형의 스플라인 표면에 따라, 예를 들어 연속성 및 그 미분가능성에 관하여 특정 특성을 갖는 다항식 또는 함수를 사용하여 그리드 점 사이의 보간에 의해 완전한 표면이 얻어진다. 이에 대한 예는 분석 함수이다.
사용되는 미러(M1 내지 M10)의 반사 표면은 본체에 의해 유지된다.
본체(18)는 유리로부터, 세라믹으로부터 또는 유리 세라믹으로부터 제조될 수 있다. 본체(18)의 재료는 미러(M)의 선택된 작동 온도에서의 열팽창 계수가 0의 값에 매우 근접하고 이상적으로는 정확하게 0인 이러한 방식으로 매칭될 수 있다. 이러한 재료의 일례는 Zerodur®이다.
도 4는 투영 광학 유닛(7)의 미러 중 하나, 구체적으로 미러(M10)의 사시도이고, 여기서 통로 개구(17)는 생략되어 있다.
미러(M10)의 미러 기판 또는 본체(18)는 미러 기판(18)을 미러 홀더에 보유하기 위한 3개의 장착 개구(19)를 갖는다.
도 5는 미러(M10)의 수치, 즉 최적의 목표 표면 형상으로부터 미러(M10)의 반사 표면(20)의 현재 표면 형상의 편차를 도시한다. 도시된 수치의 전체적인 절대값 영역은, 각각의 경우에 상이한 해칭(hatching)으로 재현되어 있고 그 사이에 수치 등선이 연장되는 복수의 값 영역 섹션으로 분할되어 있다. 대응하는 수치 값이 도 5의 좌측에 저부로부터 상부까지 임의의 단위에서 절대 증가 방식으로 주어져 있다.
장착 개구(19)를 통한 미러 기판(18)의 장착점의 3중 배열로 인해, 대응하는 수치의 3중 패턴이 발생한다. 장착 개구(19)의 영역에서 수치는 최소이고, 각각의 경우에 수치가 최대인 반사 표면(20)의 중심까지 연속적으로 증가한다. 미러 기판(18) 주위의 원주방향에서, 원주방향 위치에서의 수치는 각각의 경우에 2개의 장착 개구(19) 사이에서 최대이고, 여기서 반사 표면(20)의 중심에서의 최대 수치의 대략 절반이다.
전형적인 정도의 최대 수치의 크기는 약 10 μm이다. 미러의 직경에 따라서, 장착점의 개수, 배열 및 유형에 따라서, 미러 기판의 재료 및 두께에 따라서, 그리고 또한 미러의 설치 위치에 따라서, 예를 들어 100 μm의 영역 내의 더 큰 최대 수치, 또는 예를 들어 1 μm의 크기 정도로 더 작은 수치가 또한 초래될 수 있다.
미러(M10)는 이하와 같이 제조된다:
먼저, 글로벌 중력 가속도의 평균값이 기초로서 취해진다. 여기서 투영 노광 장치(1)의 가능한 사용 위치, 즉 예를 들어 고객의 현장에서의 중력 가속도의 가능한 가중 평균값이 사용된다. 사용되는 글로벌 중력 가속도의 이러한 평균값은, 예를 들어, 9.80 m/s2일 수 있다. 각각의 사용 위치로의 미러의 전달 확률이 글로벌 중력 가속도의 평균값의 결정에 포함될 수 있고, 그 결과 더 높은 전달 확률을 갖는 사용 위치가 더 높은 가중치로 평균값 결정에 포함된다.
다음으로, 제조 위치에서의 중력 가속도와 결정된 중력 가속도 평균값 사이의 중력 가속도 차이가 결정된다. 제조 위치에서의 중력 가속도는, 예를 들어 중력 가속도 차이가 0.01 m/s2이도록, 9.81 m/s2일 수 있다.
추가적으로, 제조 방법에서 미러(M10)의 반사 표면(20)의 목표 표면 형상이 결정된다.
이어서, 미러 기판(18)은, 중력 가속도 평균값의 영향 하에서 미러 기판(18)의 반사 표면(20)의 현재 표면 형상이 목표 표면 형상으로부터 규정된 수치 공차값을 초과하여 벗어나지 않는 방식으로, 중력 가속도 차이를 고려하여 제조 위치에서 기계가공된다.
중력 가속도 평균값의 영향 하에서, 현재 표면 형상과 목표 표면 형상 사이의 편차가 수치 공차값 내에 유지되는지를 확인하기 위해, 이하의 절차가 이어진다:
먼저, 중력 가속도 평균값의 영향 하에서 목표 표면 형상이 초래되도록, 제조 위치에서 미러(M10)의 반사 표면이 가져야 하는 목표 허용 표면 형상이 계산된다. 이어서, 미러 기판(18)은, 미러 기판(18)의 반사 표면의 현재 표면 형상이 목표 허용 표면 형상으로부터 규정된 수치 허용 공차값을 초과하여 벗어나지 않는 방식으로, 제조 위치에서 기계가공된다.
수치 공차값과 수치 허용 공차값 모두는 1 nm 미만이고, 100 pm 미만일 수 있거나 또는 10 pm 미만일 수도 있다.
도 6은 제조 위치에서 대응하게 제조된 미러(M10)를 도시한다. 미러(M10)의 수치(P)는 도 6에서 크게 과장된 방식으로 도시되어 있다. 이 수치는 제조 위치에서의 목표 표면 형상으로부터의 반사 표면의 현재 표면 형상의 편차를 나타낸다.
도 7은 3개의 상이한 중력 가속도를 갖는 3개의 상이한 사용 위치에서, 도 6에 따라 제조된 미러(M10)를 도 6과 유사하게 도시한 도면이다. 중력 가속도는 도 7의 좌측에 도시된 스케일로부터 얻어질 수 있다.
도 7은 최대 중력 가속도 9.83 m/s2를 갖는 사용 위치에서의 미러(M10)를 상부에 도시한다. 여기서 수치는 도 6에 따른 목표 허용 표면 형상으로 인해 수치보다 약간 더 큰 최대값(Pmax)을 갖는다.
도 7은 글로벌 중력 가속도, 9.80 m/s2의 고려된 평균값이 우세한 사용 위치에서의 미러(M10)를 중심에 도시한다. 여기서는, 도 6에 따른 제조 중에 허용 표면 형상이 이러한 중력 가속도 평균값에 정확하게 매칭되기 때문에, 원칙적으로 0과 동일한 수치가 획득 가능하다.
도 7은 최소 중력 가속도 9.77 m/s2를 갖는 사용 위치에서의 미러(M10)를 저부에 도시한다. 그 결과는 도 7의 상부에 따른 최대 수치(Pmax)와 비교하여 동일한 절대값 및 반대 부호를 갖는 절대적으로 유사한 최대 수치(Pmax)이다.
도 6에 따른 수치(P)를 갖는 허용 표면 형상의 고려로 인해, 동일한 획득 가능 제조 공차를 갖는 상이한 가능한 사용 위치에서 0과 Pmax 사이의 더 낮은 수치 이동이 실현된다.
마이크로구조화된 또는 나노구조화된 구성요소를 제조하기 위해, 투영 노광 장치(1)는 이하와 같이 사용된다: 먼저, 반사 마스크(10) 또는 레티클, 및 기판 또는 웨이퍼(11)가 제공된다. 이후에, 레티클(10) 상의 구조체는 투영 노광 장치(1)의 보조에 의해 웨이퍼(11)의 감광층 상으로 투영된다. 이어서, 웨이퍼(11) 상의 마이크로구조체 또는 나노구조체, 및 이에 따른 마이크로구조화된 구성요소는 감광층을 현상함으로써 제조된다.

Claims (7)

  1. 투영 리소그래피용 투영 노광 장치(1)의 광학 시스템을 위한 광학 구성요소로서 미러(M1 내지 M10)를 제조하는 방법이며, 이하의 단계:
    - 글로벌 중력 가속도의 평균값을 결정하는 단계,
    - 상기 중력 가속도 평균값과 제조 위치에서의 중력 가속도 사이의 중력 가속도 차이를 결정하는 단계,
    - 미러의 반사 표면(20)의 목표 표면 형상을 결정하는 단계,
    - 중력 가속도 평균값의 영향 하에서 미러 기판(18)의 반사 표면(20)의 현재 표면 형상이 목표 표면 형상으로부터 규정된 수치 공차값(figure tolerance value)(Pmax)을 초과하여 벗어나지 않는 방식으로, 중력 상수 차이를 고려하여 제조 위치에서 미러 기판(18)을 기계가공하는 단계를 갖는, 미러 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 중력 가속도 평균값의 영향 하에서 반사 표면(20)의 현재 표면 형상과 목표 표면 형상 사이의 편차가 수치 공차값(Pmax) 내에 유지되는지를 확인하기 위해, 이하의 절차:
    - 중력 가속도 평균값의 영향 하에서 미러(M1 내지 M10)의 사용 위치에서 목표 표면 형상이 초래되도록, 제조 위치에서 미러(M1 내지 M10)의 반사 표면(20)이 가져야 하는 목표 허용 표면 형상을 계산하는 단계,
    - 미러 기판(18)의 반사 표면(20)의 현재 표면 형상이 목표 허용 표면 형상으로부터 규정된 수치 허용 공차값을 초과하여 벗어나지 않는 방식으로, 제조 위치에서 미러 기판(18)을 기계가공하는 단계가 수행되는 것을 특징으로 하는, 미러 제조 방법.
  3. 제1항 및 제2항 중 하나에 따른 방법에 따라 제조되는 미러(M1 내지 M10).
  4. 제3항에 따른 미러를 갖는 투영 리소그래피용 투영 노광 장치(1)의 광학 시스템.
  5. 제4항에 따른 광학 시스템을 포함하고 조명광(3)을 생성하기 위한 광원(2)을 포함하는 투영 노광 장치.
  6. 구조화된 구성요소를 제조하는 방법이며, 이하 방법 단계:
    - 레티클(10) 및 웨이퍼(11)를 제공하는 단계,
    - 레티클(10) 상의 구조체를 제5항에 따른 투영 노광 장치의 보조에 의해 웨이퍼(11)의 감광층 상으로 투영하는 단계,
    - 웨이퍼(11) 상에 마이크로구조체 또는 나노구조체를 제조하는 단계를 포함하는, 구조화된 구성요소 제조 방법.
  7. 제6항에 따른 방법에 따라 제조되는 구조화된 구성요소.
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