JP2014534643A - ミラーの配置 - Google Patents

Abstract

ＥＵＶ放射線（１４）のためのミラー（２０）は、第１のＥＵＶ放射線反射領域と少なくとも１つの第２のＥＵＶ放射線反射領域とを有する全体反射面（２４）を含み、ＥＵＶ放射線反射領域は、互いから構造的に区切られ、第１の領域は、少なくとも１つの第２の領域によって各場合に円周（３）に沿って囲まれた少なくとも１つの第１の部分反射面（２２）を含み、少なくとも１つの第２のＥＵＶ放射線反射領域は、経路が接続されているように具現化され、かつ連続に具現化された少なくとも１つの第２の部分反射面（２３）を含む。【選択図】図２

Description

ドイツ特許出願ＤＥ １０ ２０１１ ０８６ ３４５．１の内容が引用によって本明細書に組み込まれている。

本発明は、投影露光装置におけるＥＵＶ放射線のためのミラーの配置に関する。更に、本出願は、ＥＵＶ放射線のためのミラーに関する。更に、本出願は、照明光学ユニット、投影光学ユニット、ＥＵＶ投影露光装置のための光学系、及びＥＵＶ投影露光装置に関する。最後に、本発明は、微細構造化構成要素又はナノ構造化構成要素を生成する方法、及びその方法に従って生成された構成要素に関する。

ＥＵＶ放射線のためのミラー及びＥＵＶ投影露光装置は、ＥＰ １ ９２７ ８９２ Ａ１から公知である。

ＤＥ １０ ２０１１ ０８６ ３４５．１ ＥＰ １ ９２７ ８９２ Ａ１ ＵＳ ６，８５９，５１５ Ｂ２ ＤＥ １０ ２００８ ００９ ６００ Ａ１ ＤＥ １０ ２０１０ ００１ ３３６ Ｂ３ ＷＯ ２００９／０２４ １６４ Ａ１ ＤＥ １０ ２００９ ０３４ ５９２ Ａ１

本発明の目的は、投影露光装置の結像品質を改善することである。この目的は、請求項１の特徴を用いて達成される。本発明の核心部は、ミラーの第１の放射線反射領域が照明光学ユニットのビーム経路に配置され、かつ第２の放射線反射領域が投影光学ユニットのビーム経路に配置されるように、ミラーを投影露光装置内に配置することにある。その結果、全体として考えると、このミラーは、照明光学ユニットの一部であり、それと共に投影光学ユニットの一部である。特に、そのようなミラー配置によって高開口投影露光装置の結像品質を改善することができる。投影露光装置の物体側開口数は、特に少なくとも０．４、特に少なくとも０．５、特に少なくとも０．６、特に少なくとも０．７とすることができる。

第２の領域は、特に投影光学ユニットのビーム経路内の１番目のミラー又は２番目のミラーを形成する。

特に、第１の領域は、接続されていないように具現化された多数の部分反射面を含む。これらの部分反射面は、ファセット、特に照明光学ユニットの瞳ファセットを形成する。

ミラーは、好ましくは、以下に続く説明に従って具現化される。

本発明の更に別の目的は、ＥＵＶ投影露光装置の光学品質を改善することができるようなＥＵＶ放射線のためのミラーを開発することである。

この目的は、請求項５に記載のミラーを用いて達成される。

本発明により、異なる機能を有する複数の異なる放射線反射領域を有する単一のミラーによって投影露光装置内のビーム経路を改善することができることが分かった。特に、リソグラフィマスクとして機能するレチクルの反射率は、照明に使用されるＥＵＶ放射線の特定の入射角から始まって大幅に低下することが認識されている。その一方、小さい入射角でのレチクルの照明の場合、特にレチクルの垂直照明の場合、すなわち、光学軸と平行な照明光学ユニットの主光線の進路とそれに対して垂直なレチクルの向きとの場合に、照明光学ユニット及び／又は投影光学ユニット内のビーム経路の掩蔽が、構造工学的に決められるように発生する。従って、本発明は、第１の放射線反射領域と少なくとも１つの第２の放射線反射領域とに分割されるミラーの全体反射面であって、これらの領域は、互いから構造的に区切られ、第１の領域は、少なくとも１つの第２の領域によって囲まれた少なくとも１つの第１の部分反射面を含み、少なくとも１つの第２の放射線反射領域は、経路が接続されているように具現化され、かつ連続に、特に、回折縁部がないように具現化された少なくとも１つの第２の部分反射面を含むミラーの全体反射面を提供するものである。第２の領域はまた、全体的に連続に、すなわち、周辺部を除いて回折縁部がないように具現化することができる。第１の領域の部分反射面の各々は、特に、少なくとも１つの第２の領域によって完全に取り囲むことができる。言い換えれば、これらは、第２の領域内で島状に配置することができる。この場合に、第２の領域は、特に、単に接続されているように具現化されない。ミラーのそのような実施形態は、２つの異なるミラーを単一構成要素に具現化したかのように見せることを可能にする。

少なくとも１つの第１の部分反射面は、特に、その円周が各場合に縁部を形成するように各場合に第２の部分反射面に対して配置される。第１の部分反射面は、特に、各場合に面法線の方向に第２の部分反射面に対してオフセットして配置することができる。全体反射面は、各場合に不連続に特に円周の領域に具現化することができる。これは、例えば、第１の部分反射面を第２の部分反射面に各場合に別個の要素として付加するか、又は第２の部分反射面内の切欠き部に配置することによって達成することができる。それによってミラーの構造的構成が容易になる。

好ましくは、第１の領域は、複数の別個の部分反射面を含む。第１の部分反射面の個数は、少なくとも１０個、特に少なくとも３０個、特に少なくとも１００個、特に少なくとも３００個、特に少なくとも５００個、特に少なくとも１０００個とすることができる。ファセット構成の照明光学ユニットを形成するために、第１の部分反射面は、ファセット要素、特に瞳ファセットを形成することができる。そのようなファセット要素を用いて照明光学ユニットの独立した照明チャネルを形成することができる。これらのチャネルは、レチクルを照明するための異なる照明設定に対する予め定められた照明角度分布と組み合わせることができる。

１つの特に有利な実施形態により、第１の領域は、ミラーの中心軸での点鏡映の場合に、第２の領域内に位置付けられることになる空間的広がりを少なくとも８０％の割合で有する。好ましくは、第１の領域は、ミラーの中心軸での点鏡映の場合に、第２の領域内に位置付けられることになる空間的広がりを少なくとも９０％、特に少なくとも９５％、好ましくは、１００％の割合で有する。言い換えれば、レチクルによって反射された第１の部分反射面からの放射線のゼロ次の回折のほとんどの部分、特にその全てが、第２の放射線反射領域内の第２の部分反射面上に入射するように、各第１の部分反射面に対して各場合に第２の領域内に共役面が存在する。

通常使用されるレチクルの構造は既知であるので、第１及び第２の部分反射面のターゲットを定めた配置により、反射光のどの回折次数が像視野へのこれらのレチクルの投影に寄与するかを予め決定することができる。第１及び第２の部分反射面の配置及び実施形態は、特に、特定のレチクルに対して反射放射線の少なくともゼロ次又は限定的にゼロ次の回折、及び／又は１次／−１次の回折、及び／又は高次の回折が像視野へのこれらのレチクルの投影に寄与するように選択することができる。

ミラーの構造的構成に対して、第２の部分反射面を主基板上の反射コーティングとして具現化し、少なくとも１つの第１の部分反射面を各場合に少なくとも１つの更に別の補助基板上のコーティングとして具現化することが有利である場合がある。この場合に、補助基板は、主基板上に又は主基板内の開口部に配置することができる。

本発明の更に別の目的は、ＥＵＶ投影露光装置のための照明光学ユニット、投影光学ユニット、及び光学系と、ＥＵＶ投影露光装置とを改善することである。

これらの目的は、請求項９、請求項１０、請求項１２、及び請求項１３の特徴を用いて達成される。その利点は、上述したものに対応する。

本発明の更に別の目的は、投影露光装置を用いて構成要素を生成する方法、及びその方法によって生成される構成要素を指定することである。

これらの目的は、請求項１４に記載の生成方法及び請求項１５に記載の構成要素によって本発明に従って達成される。

これらの主題の利点は、既に上述したものに対応する。

本発明の更なる詳細及び細目は、図面を参照するいくつかの例示的実施形態の説明から明らかになるであろう。

ＥＵＶリソグラフィのためのＥＵＶ投影露光装置の構成要素の概略図である。 第１の例示的実施形態によるミラーの概略図である。 第２の例示的実施形態によるミラーの概略図である。 ミラー上の放射線反射領域の異なる配置の概略図である。 第１の例示的実施形態による投影露光装置のビーム経路内のミラー配置の概略図である。 第２の例示的実施形態による投影露光装置のビーム経路内のミラー配置の概略図である。

図１は、マイクロリソグラフィ投影露光装置１の構成要素を子午断面図に略示している。投影露光装置１の照明系２は、放射線源３と共に、物体平面６の物体視野５を露光するための照明光学ユニット４を含む。この場合に、物体視野５に配置されたレチクル７が露光され、このレチクルは、抜粋部分としてのみ例示されたレチクルホルダ８によって保持される。

投影光学ユニット９は、物体視野５を像平面１１の像視野１０に結像するように機能する。レチクル７上の構造は、像平面１１の像視野１０の領域に配置されたウェーハ１２の感光層上に結像され、このウェーハは、同じく略示されたウェーハホルダ１３によって保持される。

放射線源３は、ＥＵＶ放射線１４を放出するＥＵＶ放射線源である。ＥＵＶ放射線源３の放出する使用放射線の波長は、５ｎｍから３０ｎｍまでの範囲にある。リソグラフィに使用され、かつ適切な光源が利用可能である他の波長も可能である。放射線源３は、プラズマ放射線源、例えば、ＤＰＰ放射線源又はＬＰＰ放射線源とすることができる。放射線源３としてシンクロトロンに基づく放射線源を使用することができる。当業者は、そのような放射線源に関する情報を例えばＵＳ ６，８５９，５１５ Ｂ２に見出すことができる。ＥＵＶ放射線源３からのＥＵＶ放射線１４を集束させるために、コレクター１５が設けられる。

ＥＵＶ放射線１４は、照明光又は結像光としても表される。

照明光学ユニット４は、複数の視野ファセット１７を有する視野ファセットミラー１６を含む。視野ファセットミラー１６は、物体平面６に対して光学的に共役な照明光学ユニット４の平面に配置される。ＥＵＶ放射線１４は、視野ファセットミラー１６から照明光学ユニット４の瞳ファセットミラー１８に反射される。瞳ファセットミラー１８は、複数の瞳ファセット１９を有する。視野ファセットミラー１６の視野ファセット１７は、瞳ファセットミラー１８を用いて物体視野５に結像される。

視野ファセットミラー１６上の各視野ファセット１７に対して、少なくとも１つの関連付けられた瞳ファセット１９が、瞳ファセットミラー１８上に存在する。それぞれの視野ファセット１７とそれぞれの瞳ファセット１９の間に光チャネルが形成される。ファセットミラー１６、１８のうちの少なくとも一方のファセット１７、１９は、切換可能として具現化することができる。これらの切換可能ファセット１７，１９は、ファセットミラー１６、１８上に特に傾斜可能に配置することができる。この場合に、ファセット１７、１９の一部分のみ、例えば、最大で３０％、最大で５０％、又は最大で７０％を傾斜可能に具現化することが可能である。ファセット１７、１９の全てを傾斜可能に具現化することもできる。切換可能ファセット１７、１９は、特に視野ファセット１７である。視野ファセット１７を傾斜させることにより、それぞれの瞳ファセット１９へのこれらのファセット１７の割り当て、従って、光チャネルの形成を変更することが可能である。それぞれの瞳ファセット１９への視野ファセット１７の特定の割り当てを照明設定とも表す。傾斜可能ファセット１７、１９を有するファセットミラー１６、１８の更なる詳細に関しては、ＤＥ １０ ２００８ ００９ ６００ Ａ１を参照されたい。

照明光学ユニット４の更なる詳細に関しては、同じくＤＥ １０ ２００８ ００９ ６００ Ａ１を参照されたい。

照明光学ユニット４及び投影光学ユニット９内のＥＵＶ放射線１４のビーム経路、特に、視野ファセットミラー１６及び瞳ファセットミラー１８の構造的配置は、図１からは得ることができない。

レチクルホルダ８は、投影露光中にレチクル７を物体平面６内の変位方向に変位させることができるように制御された態様で変位可能である。相応に、ウェーハホルダ１３は、ウェーハ１２を像平面１１内の変位方向に変位可能であるように制御された態様で変位可能である。その結果、レチクル７とウェーハ１２は、一方で物体視野５により、他方で像視野１０によって走査することができる。以下では変位方向を走査方向とも表す。走査方向のレチクル７の変位とウェーハ１２の変位とは、好ましくは、互いに同期して行うことができる。

投影光学ユニット９は、図１には例示していない複数の投影ミラーＭ_iを含む。投影光学ユニット９は、特に少なくとも３つ、特に少なくとも５つの投影ミラーＭ１からＭ５を含む。投影光学ユニット９は、特に少なくとも６つ、７つ、又は８つの投影ミラーＭ１からＭ８を有することができる。

投影露光装置１の使用中に、レチクル７と、照明光１４に対して感光性を有するコーティングを担持するウェーハ１２とが与えられる。その後に、レチクル７の少なくとも一部分が、投影露光装置１を用いてウェーハ１２上に投影される。この場合に、レチクルは、ＥＵＶ放射線１４の主光線（ＣＲＡ、主光線角度）が、最大で６°、特に最大で３°、特に最大で１°、特に０°の入射角でレチクル７上に入射するようなＥＵＶ放射線１４によって照明される。この場合に、入射角は、レチクル７を照明するように機能する光線のビームの主光線とレチクル７に対する法線２９との間の角度として定められる。主光線の入射角は、特に物体側開口数よりも小さく、ＣＲＡ＜ａｒｃｓｉｎ（ＮＡＯ）である。

ウェーハ１２上へのレチクル７の投影中に、レチクルホルダ８及び／又はウェーハホルダ１３を物体平面６及び／又は像平面と平行な方向に変位させることができる。レチクル７の変位とウェーハ１２の変位は、好ましくは、互いに同期して行うことができる。

最後に、照明光で露光されたウェーハ１２上の感光層が現像される。このようにして微細構造化構成要素又はナノ構造化構成要素、特に半導体チップが生成される。

本発明による光学系２７は、照明光学ユニット４と投影光学ユニット９を含む。

本発明による光学系２７は、ミラー２０を有し、それに対して以下に詳細に説明する。

ミラー２０は、全体反射面２４を有するミラー体２１を有する。全体反射面２４を簡略化のためにミラー面とも表す。しかし、それは、必ずしも平らに具現化されるわけではなく、特に、必ずしも連続に具現化されるわけではない。ミラー面は、特に、第１のＥＵＶ放射線反射領域を有する。第１のＥＵＶ放射線反射領域は、複数の第１の部分反射面２２を含む。第１の部分反射面２２は、互いに接続されていないように具現化することができる。従って、第１のＥＵＶ放射線反射領域は、単に接続されているものではない。しかし、個々の第１の部分反射面２２は、各々がそれら自体によって単に接続されていることができる。

第１の部分反射面２２の個数は、特に少なくとも１０個、特に少なくとも３０個、特に少なくとも１００個とすることができる。第１の部分反射面２２は、好ましくは、全体反射面２４にわたって均一に分布するように配置される。これらの部分反射面２２は、特に、その幾何学的重心がミラー２０の中心軸２５と一致するように配置される。それらは、中心軸２５を取り囲む１つ又は複数の円上に配置することができる。

第１の部分反射面２２は、各場合に丸く、特に、円形に具現化される。それらは、１ｍｍから２０ｍｍまでの範囲、特に５ｍｍから１５ｍｍまでの範囲の直線寸法を有する。原理的には、第１の部分反射面２２は、角があるように、特に多角形、例えば、正方形又は六角形に具現化することも可能である。

第１の部分反射面２２は、瞳ファセット１９を形成することができる。この場合に、ミラー２０の第１の放射線反射領域は、瞳ファセットミラー１８を形成する。従って、瞳ファセットミラー１８は、ミラー２０内に一体化され、特に、構造的に独立した要素を形成しない。

更に、ミラー２０は、第２のＥＵＶ放射線反射領域を有する。第２のＥＵＶ放射線反射領域は、第２の部分反射面２３を含む。図示の例示的実施形態において、第１及び第２の部分反射面２２、２３の結合体は、全体反射面２４を形成する。第２のＥＵＶ放射線反射領域は、特に、ちょうど１つの第２の部分反射面２３を含む。従って、第２の部分反射面２３は、第２のＥＵＶ放射線反射領域を形成する。原理的には、別々の部分反射面を有する更に別の領域を用いてミラー２０を具現化するようにも考えることができる。

第１の部分反射面２２は、各場合にそれらの円周３１に沿って第２の領域により、特に、第２の部分反射面２３によって完全に囲まれる。それらは、それらの円周３１に沿って少なくとも各部分で第２の部分反射面２３によって囲まれ、すなわち、それらの円周３１に沿って少なくとも各部分で第２の部分反射面２３に接合する。

第１の部分反射面２２は、円周３１が各場合に縁部を形成するように各場合に第２の部分反射面２３に対して配置される。特に、円周３１の領域内にステップ３２を形成することができる。言い換えれば、第１の部分反射面２２は、第２の部分反射面２３に対してミラー２２の面法線２６の方向にオフセットして配置することができる。別の言い方をすると、全体反射面２４は、各場合に円周３１の領域内で不連続に具現化される。

更に、第２の部分反射面２３は、各場合に連続に具現化され、好ましくは、第２の領域全域が連続に具現化される。それは、特に、その周辺部を除いて回折縁部がないように具現化される。それは、経路が接続されているように具現化される。特に、第２のＥＵＶ放射線反射領域は、経路が接続されているように具現化することが可能である。

第１の部分反射面２２は、ミラー２０の中心軸２５での点鏡映の場合に、その空間的広がりが、完全に第２の領域内、すなわち、第２の部分反射面２３の領域内に位置付けられるように全体反射面２４上に配置される。明確にするために、図４に対応する部分面は破線境界線で例示しており、これらの面には参照記号２２^*を付与している。以下では、これらの部分面は、それぞれの第１の部分反射面２２に対する共役面２２^*とも表す。一般に、第１の部分反射面２２の個数は、図４に示すものよりも有意に多い。

すなわち、第１の領域、すなわち、第１の反射面２２の全体は、ミラー２０の中心軸２５での点鏡映の場合に、完全に第２の領域、すなわち、第２の部分反射面２３の領域内に位置付けられることになる空間的広がりを有する。

第２の部分反射面２３は、主基板３４上の反射コーティング３３として具現化される。コーティング３３は、特に、シリコンとモリブデンとの多数の交替層を含む。そのような層システムの詳細に関しては、例えば、ＤＥ １０ ２０１０ ００１ ３３６ Ｂ３を参照されたい。相応に、第１の部分反射面２２は、各場合に主基板３４とは別個の更に別の補助基板３６上のコーティング３５として具現化される。第１の部分反射面２２のためのコーティング３５は、その基本構造に関して第２の部分反射面２３のためのコーティング３３に対応する。しかし、第１の部分反射面２２のコーティング３５の層は、第２の部分反射面２３のコーティング３３のものとは異なる層厚を有することができる。コーティング３５の詳細に関しては、再度ＤＥ １０ ２０１０ ００１ ３３６ Ｂ３を参照されたい。図２に示す例示的実施形態の場合には、第１の部分反射面２２の各々は、コーティング３５を有する別個の補助基板３６によって形成される。図２に示す例示的実施形態の場合には、第１の部分反射面２２の補助基板３６は、各場合に主基板３４に付加される。これらの補助基板３６は、主基板３４上に特に接着、捻合、又は結合されることができる。主基板３４上への補助基板３６のそのような配置は非常に安定している。

図３に示す例示的実施形態の場合には、第１の部分反射面２２は、主基板３４内の切欠き部３７に配置される。この実施形態において、全ての第１の部分反射面２２を単一補助基板３６上に具現化することが可能である。この実施形態において、補助基板３６は、ミラー２０の主基板３４を完全に貫通する切欠き部３７内にミラー２０の後側から導入される。それによって主基板３４から、従って、第１の部分反射面２２及び第２の部分反射面２３からの補助基板３６の熱的かつ機械的な分離がもたらされる。従って、この実施形態において、各場合に第１の部分反射面２２の円周３１の領域内に小さい間隙３８が形成される。間隙３８は、好ましくは、最大で１ｃｍ、特に最大で３ｍｍ、特に最大で１ｍｍの遊び幅を有する。間隙３８にも関わらず、この例示的実施形態においても、第１の部分反射面２２と第２の部分反射面２３は、円周３１の領域内で互いに接合するように表す。いずれの場合でも、第１の部分反射面２２は、各々第２の部分反射面２３によって囲まれる。本発明は、第１の領域、すなわち、第１の部分反射面２２が照明光学ユニット４のビーム経路に配置され、第２の領域、すなわち、第２の部分反射面２３が投影光学ユニット９のビーム経路に配置されるようにミラー２０を投影露光装置１のビーム経路に配置することを可能にする。従って、ミラー２０は、照明光学ユニット４及び投影光学ユニット９の両方の一部である。

投影露光装置１のビーム経路内へのミラー２０の可能な配置を図５及び図６に例示的に示している。両方の実施形態において、投影光学ユニット９は、６つのミラーＭ１からＭ６を有し、ミラーＭ１からＭ６の付番は、投影光学ユニット９のビーム経路内でのこれらのミラーの順番に対応する。図５に図示の実施形態の場合には、ミラー２０、特に第２の領域、すなわち、その第２の部分反射面２３は、投影光学ユニット９のミラーＭ２を形成する。

図６に示す例示的実施形態の場合には、ミラー２０、特に第２の領域、すなわち、第２の部分反射面２３は、投影光学ユニット９のミラーＭ１を形成する。これによって放射線損失がより低くなり、すなわち、投影光学ユニット９の伝達率がより高くなる。

特に、瞳の近くにミラー２０を配置することが有利である場合がある。瞳の近くのミラーＭの配置は、以下の条件が満たされる場合に存在する。
Ｐ（Ｍ）＝Ｄ（ＳＡ）／（Ｄ（ＳＡ）＋Ｄ（ＣＲ））≧０．５

この場合に、Ｄ（ＳＡ）は、ミラーＭの場所で物体視野点から射出するビームの部分開口直径であり、Ｄ（ＣＲ）は、光学系の基準平面内で測定される、結像光学ユニットによって結像される有効物体視野のミラーＭの面上での主光線の最大距離である。基準平面は、結像光学ユニットの対称平面又は子午平面とすることができる。パラメータＰ（Ｍ）の定義は、ＷＯ ２００９／０２４ １６４ Ａ１に特定されているものに対応する。視野平面内では、Ｐ（Ｍ）＝０が成り立つ。瞳平面内では、Ｐ（Ｍ）＝１が成り立つ。

瞳の近くにミラー２０を配置することは、物体視野５内の位置に対する結像特性の依存性を低減する。特に、視野に依存しない結像を提供することができる。

投影露光装置１における使用に替えて、本発明のミラー２０は、検査デバイス、特に、反射リソグラフィマスクを検査するためのもの又は露光されたウェーハ基板を検査するためのものに対して使用することができる。この場合に、投影光学ユニット９の像視野１０は、検査デバイスの検査物体視野を構成する。

更に別の実施形態において、ミラー２０は、多数の調節可能部分ミラー要素を含む。これらの部分ミラー要素は、特に、いわゆるマイクロミラーである。ミラー２０は、特に、マイクロ電気機械システム（ＭＥＭＳ）を形成する。この場合に、第１の部分反射面２２及び／又は第２の部分反射面２３は、調節可能マイクロミラーによって形成することができる。そのようなマイクロミラーの構造の詳細及びその駆動に関しては、ＤＥ １０ ２００９ ０３４ ５０２ Ａ１を参照されたい。

Claims (15)

1. 照明光学ユニット（４）及び投影光学ユニット（９）内に特定のビーム経路を有するＥＵＶ放射線（１４）を用いて物体視野（５）を照明するための該照明光学ユニット（４）と該物体視野（５）を像視野（１０）内に投影するための該投影光学ユニット（９）とを含むマイクロリソグラフィ投影露光装置（１）内の該ＥＵＶ放射線（１４）のためのミラー（２０）の配置であって、
   前記ミラー（２０）は、
   少なくとも１つの第１のＥＵＶ放射線反射領域、及び
   少なくとも１つの第２のＥＵＶ放射線反射領域、
   を有するミラー体（２１）を有し、
   前記少なくとも１つの第１の領域は、前記照明光学ユニット（４）の前記ビーム経路に配置され、
   前記少なくとも１つの第２の領域は、前記投影光学ユニット（９）の前記ビーム経路に配置される、
   ことを特徴とするミラー（２０）の配置。
2. 前記少なくとも１つの第２の領域は、前記投影光学ユニット（９）の前記ビーム経路における１番目のミラー（Ｍ１）又は２番目のミラー（Ｍ２）を形成することを特徴とする請求項１に記載のミラー（２０）の配置。
3. 前記第１の領域は、接続されていないように具現化された多数の部分反射面（２２）を含むことを特徴とする請求項１又は請求項２のいずれか１項に記載のミラー（２０）の配置。
4. 前記ミラーは、請求項５から請求項８のいずれか１項に従って具現化されることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のミラー（２０）の配置。
5. 全体反射面（２４）を有するＥＵＶ放射線（１４）のためのミラー（２０）であって、
   第１のＥＵＶ放射線反射領域と、
   少なくとも１つの第２のＥＵＶ放射線反射領域と、
   を有し、
   前記ＥＵＶ放射線反射領域は、互いから構造的に区切られ、
   前記第１の領域は、複数の第１の部分反射面（２２）を含み、
   前記少なくとも１つの第２のＥＵＶ放射線反射領域は、
   経路が接続されているように具現化され、かつ
   連続に具現化された、
   少なくとも１つの第２の部分反射面（２３）を含み、
   前記第１の部分反射面（２２）は、各場合に円周（３１）に沿って、少なくとも部分的に前記第２の部分反射面（２３）によって囲まれる、
   ことを特徴とするミラー（２０）。
6. 前記第１の部分反射面（２２）は、各場合にそれらの円周（３１）に沿って、前記第２の部分反射面（２３）によって完全に取り囲まれることを特徴とする請求項５に記載のミラー（２０）。
7. 前記第１の領域は、ミラー（２０）の中心軸（２５）での点鏡映の場合に前記第２の領域内に位置付けられることになる空間的広がりを少なくとも８０％の割合で有することを特徴とする請求項５及び請求項６のいずれか１項に記載のミラー（２０）。
8. 前記第２の部分反射面（２３）は、主基板（３４）上の反射コーティング（３３）として具現化され、前記少なくとも１つの第１の部分反射面（２２）は、各場合に少なくとも１つの更に別の補助基板（３６）上の反射コーティング（３５）として具現化されることを特徴とする請求項５から請求項７のいずれか１項に記載のミラー（２０）。
9. ＥＵＶ放射線（１４）を用いて物体視野（５）を照明するための照明光学ユニット（４）であって、
   請求項５から請求項８のいずれか１項に記載のミラー（２０）、
   を有することを特徴とする照明光学ユニット（４）。
10. 物体視野（５）を像視野（１０）内に結像するための投影光学ユニット（９）であって、
    請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のミラー（２０）の配置、
    を有することを特徴とする投影光学ユニット（９）。
11. 前記ミラー（２０）は、瞳の近くに配置されることを特徴とする請求項１０に記載の投影光学ユニット（９）。
12. ＥＵＶ放射線（１４）を用いて物体視野（５）を照明するための照明光学ユニット（４）であって、
    前記照明光学ユニット（４）が、少なくとも１つの瞳ファセットミラー（１８）を有し、
    前記ＥＵＶ放射線が、特定の照明設定を発生させるために前記照明光学ユニット（４）に少なくとも１つの特定のビーム経路を有する、
    前記照明光学ユニット（４）、及び
    前記物体視野（５）を像視野（１０）内に結像するための投影光学ユニット（９）、
    を含むＥＵＶ投影露光装置（１）のための光学系（２７）であって、
    請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のミラー（２０）の配置、
    を特徴とする光学系（２７）。
13. ＥＵＶ放射線源（３）と、
    請求項１２に記載の光学系（２７）と、
    を含むことを特徴とするＥＵＶ投影露光装置（１）。
14. 微細又はナノ構造化構成要素を生成する方法であって、
    レチクル（７）を与える段階と、
    感光コーティングを有するウェーハ（１２）を与える段階と、
    請求項１３に記載の投影露光装置（１）を用いて前記レチクル（７）の少なくとも一部分を前記ウェーハ（１２）上に投影する段階と、
    前記ウェーハ（１２）上の前記露光された感光コーティングを現像する段階と、
    を含むことを特徴とする方法。
15. 請求項１４に記載の方法に従って生成された構成要素。

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