JP6489374B2 - 結像光学系及び投影露光装置 - Google Patents

結像光学系及び投影露光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6489374B2
JP6489374B2 JP2015513090A JP2015513090A JP6489374B2 JP 6489374 B2 JP6489374 B2 JP 6489374B2 JP 2015513090 A JP2015513090 A JP 2015513090A JP 2015513090 A JP2015513090 A JP 2015513090A JP 6489374 B2 JP6489374 B2 JP 6489374B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pupil
optical unit
imaging
imaging optical
region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2015513090A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015518975A (ja
Inventor
アレクサンダー エップレ
アレクサンダー エップレ
ラルフ ミュラー
ラルフ ミュラー
ハンス−ユルゲン ロスタルスキー
ハンス−ユルゲン ロスタルスキー
Original Assignee
カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー filed Critical カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー
Publication of JP2015518975A publication Critical patent/JP2015518975A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6489374B2 publication Critical patent/JP6489374B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B17/00Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
    • G02B17/02Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system
    • G02B17/06Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror
    • G02B17/0647Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using more than three curved mirrors
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/7025Size or form of projection system aperture, e.g. aperture stops, diaphragms or pupil obscuration; Control thereof
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B17/00Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
    • G02B17/02Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system
    • G02B17/06Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror
    • G02B17/0647Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using more than three curved mirrors
    • G02B17/0663Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using more than three curved mirrors off-axis or unobscured systems in which not all of the mirrors share a common axis of rotational symmetry, e.g. at least one of the mirrors is warped, tilted or decentered with respect to the other elements
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2008Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the reflectors, diffusers, light or heat filtering means or anti-reflective means used
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70233Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70308Optical correction elements, filters or phase plates for manipulating imaging light, e.g. intensity, wavelength, polarisation, phase or image shift

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Lenses (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

ドイツ特許出願DE 10 2012 208 793.1の内容が、引用によって組み込まれている。
本発明は、物体平面の物体視野を像平面の像視野に結像する複数の光学構成要素、特にミラーを有する結像光学ユニットに関する。本発明は、更に、そのような結像光学ユニットを有する光学系、そのような光学系を有する投影露光装置、そのような投影露光装置を用いて微細構造化又はナノ構造化構成要素を生成する方法、及びこの方法を用いて生成された微細構造化又はナノ構造化構成要素に関する。
冒頭に示したタイプの結像光学ユニットは、DE 10 2009 046 685 A1、US 5,815,310、DE 10 2005 003 557 A1、WO 2010/091800 A1、US 6,750,948 B2、及びWO 2011/095209 A1から公知である。
DE 10 2012 208 793.1 DE 10 2009 046 685 A1 US 5,815,310 DE 10 2005 003 557 A1 WO 2010/091800 A1 US 6,750,948 B2 WO 2011/095209 A1 US 2007−0058269 A1
本発明の目的は、十分に補正された結像可能視野が高い結像光スループットと同時にもたらされるような冒頭に示したタイプの結像光学ユニットを開発することである。
本発明により、上述の目的は、結像光学ユニットが、掩蔽瞳を有し、瞳が、中心視野点の主光線が通過する中心を有し、複数の結像光学構成要素を有する物体視野を像視野に結像するための結像光学ユニットによって達成され、結像光学ユニットの切れ目のない瞳掩蔽領域の重心又は質量中心は、結像光学ユニットの瞳内で偏心して位置する。
結像光学ユニットの瞳は、結像光学ユニットの結像ビーム経路内で物体視野点から発する個々の結像光線が交わり、これらの個々の結像光線がそれぞれこれらの物体視野点から発する主光線に対する同じ照明角度に関連付けられる領域である。瞳が配置される瞳平面内での結像光の強度分布は、像視野に達する照明角度の範囲を相応に予め決定する。開口数によって予め決定される結像光学ユニットの周囲瞳内に各視野点に対して不可能である又は禁制された照明角度又は結像角度を有する瞳掩蔽領域が存在する場合に、掩蔽瞳を有する結像光学ユニットが必ず存在する。従って、掩蔽瞳を有する結像光学ユニットの場合に、結像光学ユニットの構成要素の間の掩蔽の結果として、又は結像光学ユニットの光学構成要素のうちの少なくとも1つの上の結像ビーム経路に寄与しない領域の結果として、不可能な結像ビーム経路が存在する。本発明は、掩蔽系の場合に、必ず、瞳掩蔽領域の重心が結像光学ユニットの瞳内で中心に位置するように瞳掩蔽領域が配置されるという従来の要求から離反する。この要求から離反することにより、設計において、改善された収差補正をもたらすために使用することができる新しい自由度が導かれる。特に、実際に使用される照明角度での瞳掩蔽がスループットを低下させず、瞳掩蔽を有する結像光学ユニットを提供することができることが明らかになった。
瞳掩蔽領域が結像光学ユニットの対称平面に関して鏡面対称である瞳掩蔽領域の鏡面対称性は、対応する鏡面対称結像光学ユニット設計のオプションを与える。対称平面は、結像光学ユニットの子午平面とすることができる。
瞳の中心が瞳掩蔽領域の外側に位置する瞳掩蔽領域の実施形態は、主光線、すなわち、瞳の中心を通って延びる光線が結像に寄与することを可能にする。この実施形態は、特に、結像光の特定の回折次数が主光線に沿って延びる場合に使用することができる。
瞳が結像光学ユニットの瞳平面に瞳直径を有し、瞳の中心の周りの完全に使用可能な瞳領域が瞳直径の少なくとも10%の直径を有する直径関係は、掩蔽のない相応に大きい中心瞳領域の使用を可能にする。瞳の中心の周りの完全に使用可能な瞳領域は、瞳直径の少なくとも20%、少なくとも30%、少なくとも40%、少なくとも50%、又は更にそれよりも高い百分率とすることができる。瞳及び完全に使用可能な瞳領域が円形である場合に、それぞれの直径は、円の直径に対応する。他の形状の瞳及び/又は中心の周りの完全に使用可能な他の形状の瞳領域の場合に、典型的な直径は、例えば、様々な直径を平均した結果の直径として識別される。
瞳の中心及び瞳掩蔽領域の重心が載る重心軸に沿う半径方向における半径方向瞳掩蔽領域広がりを有し、重心軸に対して垂直なタンジェンシャル方向におけるタンジェンシャル瞳掩蔽領域広がりを有し、半径方向瞳掩蔽領域広がりが、タンジェンシャル瞳掩蔽領域広がりと10%よりも大きく異なる瞳掩蔽領域は、結像光学ユニットを通して結像放射線を案内することに細かく適応させることができる。タンジェンシャル瞳掩蔽領域広がりは、半径方向瞳掩蔽領域広がりよりも大きいとすることができる。特に、半径方向瞳掩蔽領域広がりは、タンジェンシャル瞳掩蔽領域広がりに対して20%よりも大きく、30%よりも大きく、40%よりも大きく、50%よりも大きく、又は他に更に大きい百分率だけ異なる可能性がある。タンジェンシャル瞳掩蔽領域広がりは、半径方向瞳掩蔽領域広がりの倍数とすることができる。
反射レンズとしての結像光学ユニットの実施形態は、十分に透過性の高い光学材料が利用可能ではない使用波長の場合であっても、高いスループットを可能にする。
像視野の上流の結像ビーム経路に最後から2番目のミラー及び最後のミラーを有し、中心視野点の主光線が、結像光学ユニットの最後のミラー上にある入射角で入射し、最後から2番目のミラーの上流の結像ビーム経路内で、主光線が、最後のミラー内の通路開口部を通過し、かつ通路主光線区画に沿って延び、主光線が、最後のミラーと像視野の間で像視野主光線区画に沿って延び、2つの主光線区画が、共通平面内で延び、かつ互いの間に主光線角度を含む本発明による結像光学ユニットの実施形態において、入射角は、主光線角度よりも大きく、像視野の上流の最後のミラーの中心を使用することができ、それが収差の低減に寄与することができるミラー装置を可能にする。
2つの瞳掩蔽領域が、互いに相補し合って瞳の中心(Z)に関して中心点対称方式で配置された全体瞳掩蔽領域を形成する追加の掩蔽構成要素を発生させる追加の掩蔽構成要素は、中心点対称な瞳掩蔽を必要とする結像関係が要求される場合に使用することができる。
本発明の更に別の態様によれば、冒頭で指定した目的は、結像光学ユニットが、掩蔽瞳を有し、瞳が、中心視野点の主光線が通過する中心を有し、結像光の通過のための通路開口部を有し、通路開口部を取り囲む最後のミラーの反射面の縁部領域が結像光を反射するために切れ目のなく使用される物体視野と像視野の間の結像ビーム経路内の最後のミラーを有し、全く切れ目がないか又は閉じた方式で、すなわち、開口部なして使用される反射面を有する結像ビーム経路内で最後から2番目のミラーを有し、通路開口部が、結像光学ユニットの瞳内で中心に位置しない瞳掩蔽領域を発生させるように配置される物体視野を像視野に結像するための反射光学ユニットによって達成される。
偏心して配置された瞳掩蔽領域の利点は、全く切れ目のない閉じた方式に使用される最後から2番目のミラーを有する反射光学ユニットの場合に特に有意である。この場合に、瞳掩蔽領域が、結像光学ユニットの瞳内で偏心して位置する重心を有することは必須ではない。
本発明の更に別の態様によれば、冒頭に示した目的は、結像光学ユニットが掩蔽瞳を有する物体視野を像視野に結像するための結像光学ユニットによって達成され、結像光学ユニットの全体瞳掩蔽領域又はその各部分は、瞳座標系の互いに垂直な座標に関して1からずれたアスペクト比を有する。
1からずれたアスペクト比を有する掩蔽は、照明瞳内で必要とされる照明角度、及び結像される物体の構造上で回折された照明光を通過させるための非掩蔽瞳領域の配置の必要性に細かく適応させることができる。小さい方の掩蔽寸法と大きい方の掩蔽寸法の間のアスペクト比は、0.9程度のもの、0.8程度のもの、0.7程度のもの、0.6程度のもの、0.5程度のもの、0.4程度のもの、0.3程度のもの、又は更にそれよりも小さいとすることができる。
この最後に示した態様の瞳掩蔽領域は、切れ目のない部分又は複数の部分で構成することができる。切れ目のない瞳掩蔽領域又はこれらの部分のうちの少なくとも1つは、楕円、矩形、又は台形状に成形することができる。角張った形状の瞳掩蔽領域又はその一部分の場合に、瞳掩蔽領域又はその各部分の少なくとも個々のコーナ又は全てのコーナは、丸まった方式に具現化することができる。
上述の態様の結像光学ユニットの特徴は、これらの態様のいずれの組合せでも一緒に使用することができる。
本発明による結像光学ユニットと照明光を結像光学ユニットに案内するための照明光学ユニットとを有する光学系の利点、本発明による光学系と照明光及び結像光のための光源とを有する投影リソグラフィのための投影露光装置の利点、レチクル及びウェーハを与える段階と、本発明による投影露光装置を用いてレチクル上の構造をウェーハの感光層上に投影する段階と、ウェーハ上に微細構造又はナノ構造を生成する段階とを含む構造化された構成要素を生成する方法の利点、及び本方法に従って生成される微細構造化又はナノ構造化構成要素の利点は、本発明による結像光学ユニットの関連で既に解説したものに対応する。
本発明の例示的実施形態を図面に基づいて下記でより詳細に説明する。
EUVマイクロリソグラフィのための投影露光装置の概略図である。 2つの代表的な視野点の主光線、並びに上側及び下側のコマ光線に関する結像ビーム経路を示す図1に記載の投影露光装置内で投影レンズとして使用することができる結像光学ユニットの実施形態の子午断面図である。 結像光学ユニットの完全な物体視野の8つの代表的な視野点に対して結像光学ユニットの物体側開口数の25%、50%、75%、及び100%に対する開口ゾーン、いわゆるフットプリントをそれぞれ例示する像視野の前の結像ビーム経路にある図2に記載の結像光学ユニットの最後のミラー及びこの最後のミラーの結像光通路開口部に配置された結像光学ユニットの最後から3番目のミラーの平面図である。 図3に記載の開口ゾーンを示すように選択された代表的視野点の位置を明確にするための物体視野の平面図である。 結像光学ユニットの更に別の実施形態を示す図2のものと類似の図である。 第1に図4に記載の結像光学ユニットの最後のミラー上の反射の場合と第2に結像放射線が結像光学ユニットの最後から3番目のミラーと最後から2番目のミラーの間の結像ビーム経路内で最後のミラーの結像光通路開口部を通過する場合との開口ゾーンを示す図3と類似の図である。 結像光学ユニットの更に別の実施形態を示す図4のものと類似の図である。 結像光学ユニットの更に別の実施形態を示す図5のものと類似の図である。 図2、図4、及び図6に記載の結像光学ユニットの物体視野を偏心瞳掩蔽領域を伴って照明するための照明光学ユニットのx二重極の形態にある照明が存在する瞳平面内のy線構造の照明の強度分布を示す図である。 y線構造が物体視野に配置された図8に従って照明されるy線構造を示す概略図である。 図2、図4、又は図6に記載の結像光学ユニットのうちの1つの瞳平面内の図8に記載の二重極照明の極の一方の結像光の強度分布を示し、結像光学ユニットの結像ビーム経路内で最後のミラー内の結像光通路開口部に起因してもたらされる瞳掩蔽領域をこれに加えて示す図8に記載の二重極照明の極の強度の絶対値のみを考慮した類似の概略図である。 図9と比較してそれ程密集してない線を有するy線構造を照明して結像する場合の関係を示す図8と類似の概略図である。 図9と比較してそれ程密集してない線を有するy線構造を照明して結像する場合の関係を示す図9と類似の概略図である。 図9と比較してそれ程密集してない線を有するy線構造を照明して結像する場合の関係を示す図10と類似の概略図である。 y二重極照明に対する照明瞳平面内の照明光の強度分布を示す図8と類似の図である。 図14に記載の照明設定を用いて照明されるx線構造を示す図9と類似の図である。 図2、図4、又は図6に記載の結像光学ユニットのうちの1つの瞳平面内の結像光の強度分布を示す図14に記載の二重極照明の極の強度の絶対値のみを考慮した図10と類似の図である。 図15と比較してそれ程密集していない線を有するx線構造を照明して結像する場合の関係を示す図14と類似の概略図である。 図15と比較してそれ程密集していない線を有するx線構造を照明して結像する場合の関係を示す図15と類似の概略図である。 図15と比較してそれ程密集していない線を有するx線構造を照明して結像する場合の関係を示す図16と類似の概略図である。 図2、図4、及び図6に記載の結像光学ユニットの最後のミラーの領域内の中心視野点の主光線の角度関係を示す非常に概略的な図である。 図8から図13に記載の実施形態と比較して異なる瞳掩蔽を伴ってy線構造を照明して結像する場合の関係を示す図8、図14、又は図17と類似の図である。 図8から図13に記載の実施形態と比較して異なる瞳掩蔽を伴ってy線構造を照明して結像する場合の関係を示す図9、図15、又は図18と類似の図である。 図8から図13に記載の実施形態と比較して異なる瞳掩蔽を伴ってy線構造を照明して結像する場合の関係を示す図10、図16、又は図19と類似の図である。 図8から図13に記載の実施形態と比較して異なる瞳掩蔽を伴ってy線構造を照明して結像する場合の関係を示す図8、図14、又は図17と類似の図である。 図8から図13に記載の実施形態と比較して異なる瞳掩蔽を伴ってy線構造を照明して結像する場合の関係を示す図9、図15、又は図18と類似の図である。 図8から図13に記載の実施形態と比較して異なる瞳掩蔽を伴ってy線構造を照明して結像する場合の関係を示す図10、図16、又は図19と類似の図である。
マイクロリソグラフィのための投影露光装置1は、照明光又は結像光3のための光源2を有する。光源2は、例えば、5nmと30nmの間、特に5nmと15nmの間の波長領域内の光を生成するEUV光源である。光源2は、特に、13.5nmの波長を有する光源又は6.9nmの波長を有する光源とすることができる。他のEUV波長も可能である。一般的に、投影露光装置1内で案内される照明光3には、いかなる波長であっても使用することができ、例えば、可視波長、又は他にマイクロリソグラフィにおいて用途を見出すことができる適切なレーザ光源及び/又はLED光源が利用可能な他の波長(例えば、365nm、248nm、193nm、157nm、129nm、109nm)を使用することができる。図1に、照明光3のビーム経路を非常に概略的に示している。
照明光学ユニット6は、照明光3を光源2から物体平面5の物体視野4に案内するように機能する。物体視野4は、投影光学ユニット又は結像光学ユニット7を用いて、像平面9の像視野8内に予め決められた縮小スケールで結像される。像視野8は、x方向に26mmの広がりを有し、y方向には2mm延びている。物体視野4及び像視野8は矩形である。図2及び図5、並びにそれ以降に示す例示的実施形態のうちの1つを投影光学ユニット7として使用することができる。図2に記載の投影光学ユニット7は、4倍だけ縮小する。他の縮小スケール、例えば、5×、8×、又は8×よりも大きい縮小スケールさえも可能である。図2及び図5、並びにそれ以降に記載の投影光学ユニット7の実施形態において、像平面9は、物体平面5と平行に配置される。この場合に、レチクルとも呼ぶ反射マスク10のうちで、物体視野4と一致する区画が結像される。レチクル10は、レチクルホルダ10aによって保持される。レチクルホルダ10aは、レチクル変位ドライブ10bによって変位される。
投影光学ユニット7による結像は、基板ホルダ12によって保持されたウェーハの形態にある基板11の面上に行われる。基板ホルダ12は、ウェーハ変位ドライブ又は基板変位ドライブ12aによって変位される。
図1では、投影光学ユニット7に入射する照明光3のビーム13をレチクル10とこの投影光学ユニットの間に略示しており、投影光学ユニット7を射出する照明光3のビーム14を投影光学ユニット7と基板11の間に略示している。図1では、投影光学ユニット7の像視野側開口数(NA)を正確な縮尺で再現していない。
投影露光装置1及び投影光学ユニット7の様々な実施形態の説明を簡易化するために、図に例示する構成要素のそれぞれの位置関係を明らかにする直交xyz座標系を図面内に指定している。図1では、x方向は、作図面と垂直に作図面に入り込むように延びている。y方向は右に延び、z方向は下向きに延びている。
投影露光装置1はスキャナ型のものである。投影露光装置1の作動中に、レチクル10と基板11の両方がy方向に走査される。基板11の個々の露光の合間にレチクル10及び基板11のy方向の段階的変位が存在するステッパ型投影露光装置1も可能である。これらの変位は、変位ドライブ10b及び12aの適切な作動の結果として、互いに対して同期化された方式で行われる。
図2は、投影光学ユニット7の第1の実施形態の光学設計を示している。図2に示すのは、図2ではy方向に互いから分離した2つの物体視野点から発する各々3つの個々の光線15のビーム経路である。主光線16、すなわち、投影光学ユニット7の瞳平面内で瞳の中心を通過する個々の光線15、及び各々これらの2つの物体視野点の上側コマ光線と下側コマ光線を示している。
物体平面5は、像平面9と平行に位置する。
図2に記載の投影光学ユニット7は、物体視野4から始まる個々の光線15のビーム経路の順序でM1からM6まで順番に番号を振った合計で6つのミラーを有する。結像光学ユニット7は、異なる個数のミラー、例えば、4つのミラー又は8つのミラーを有することができる。図2には、ミラーM1からM6の計算上の反射面を示している。図2に記載の図から分るように、これらの計算上の反射面の一部分だけしか使用されない。現実のミラーM1からM6には、反射面のこの実使用領域しか実際には存在しない。これらの使用反射面は、ミラー本体によって公知の方式で保持される。
ミラーM6を除く投影光学ユニット7の全てのミラーM1からM5は、結像光3に対する通路開口部なしに切れ目のなく使用される反射面を有する。特に、物体視野4と像視野8の間の結像ビーム経路内の最後から2番目のミラーM5は、全く切れ目のないか、又は閉じた使用反射面、すなわち、開口部のない使用反射面を有する。
ミラーM1からM6は、入射EUV照明光3に対して反射を最適化するために複数の反射層を有する。複数反射層は、13.5nmの動作波長に向けて設計される。反射の最適化は、ミラー面上での個々の光線15の入射角が垂直入射に近い程改善することができる。全体的に、投影光学ユニット7は、全ての個々の光線15に対して小さい反射角を有する。
投影光学ユニット7の6つ全てのミラーM1からM6が、回転対称関数によって表すことができない自由曲面として具現化される。ミラーM1からM6のうちの少なくとも1つがそのような反射自由曲面を有するか又は更にいずれも反射自由曲面を持たない投影光学ユニット7の他の実施形態も可能である。
そのような自由曲面は、回転対称基準面から生成することができる。マイクロリソグラフィのための投影露光装置の投影光学ユニットのミラーの反射面のためのそのような自由曲面は、US 2007−0058269 A1から公知である。
数学的には、自由曲面は、次式によって円錐形底面積と自由曲面多項式との和(式1)として、又は二重円錐形底面積と自由曲面多項式との和(式2)として表すことができる。
Figure 0006489374
又は
Figure 0006489374
ここで各々次式が成り立つ。
Figure 0006489374
Zは、点x,yにおける自由曲面の矢高であり、x+y=rである。
円錐形底面積の場合に、cは、対応する非球面レンズ要素の頂点曲率に対応する。kは、対応する非球面レンズ要素の円錐定数に対応する。二重円錐形底面積の場合に、c,cは、子午線方向及び矢状方向の頂点曲率であり、k,kは、関係する円錐定数である。Cは、単項式Xの係数である。c、k、及びCの値は、一般的に投影光学ユニット7内のミラーの望ましい光学特性に基づいて決定される。単項式の次数m+nは任意に変更することができる。高次の単項式は、改善された収差補正を有する投影光学ユニットの設計を導くことができるが、計算することがより複雑である。m+nは、3と20超の間の値を取ることができる。
自由曲面は、ゼルニケ多項式によって数学的に表すことができる。この場合に、円錐形(式3)又は二重円錐形(式4)の底面積にゼルニケ多項式の形態にある多項式が加算される。
Figure 0006489374
又は
Figure 0006489374
この場合に、例示的実施形態に使用されるゼルニケ多項式ZFRは、以下に例示するフリンジインデックスを用いて極座標で明記される(この場合に、符号*は乗算を意味し、この場合に、符号^は指数を意味し、すなわち、r^n=rである)
ZFR1(r,phi) = 1
ZFR3(r,phi) = r sin(phi)
ZFR4(r,phi) = 2*r^2-1
ZFR5(r,phi) = r^2 cos(2phi)
ZFR8(r,phi) = (3*r^3-2*r) sin(phi)
ZFR9(r,phi) = 6*r^4-6*r^2+1
ZFR11(r,phi) = r^3 sin(3phi)
ZFR12(r,phi) = (4*r^4-3*r^2) cos(2phi)
ZFR15(r,phi) = (10*r^5-12*r^3+3*r) sin(phi)
ZFR16(r,phi) = 20*r^6-30*r^4+12*r^2-1
ZFR17(r,phi) = r^4 cos(4phi)
ZFR20(r,phi) = (5*r^5-4*r^3) sin(3phi)
ZFR21(r,phi) = (15*r^6-20*r^4+6*r^2) cos(2phi)
ZFR24(r,phi) = (35*r^7-60*r^5+30*r^3-4*r) sin(phi)
ZFR25(r,phi) = 70*r^8-140*r^6+90*r^4-20*r^2+1
ZFR27(r,phi) = r^5 sin(5phi)
ZFR28(r,phi) = (6*r^6-5*r^4) cos(4phi)
ZFR31(r,phi) = (21*r^7-30*r^5+10*r^3) sin(3phi)
ZFR32(r,phi) = (56*r^8-105*r^6+60*r^4-10*r^2) cos(2phi)
ZFR35(r,phi) = (126*r^9-280*r^7+210*r^5-60*r^3+5*r) sin(phi)
ZFR36(r,phi) = 252*r^10-630*r^8+560*r^6-210*r^4+30*r^2-1
ZFR37(r,phi) = r^6 cos(6phi)
ZFR40(r,phi) = (7*r^7-6*r^5) sin(5phi)
ZFR41(r,phi) = (28*r^8-42*r^6+15*r^4) cos(4phi)
ZFR44(r,phi) = (84*r^9-168*r^7+105*r^5-20*r^3) sin(3phi)
ZFR45(r,phi) = (210*r^10-504*r^8+420*r^6-140*r^4+15*r^2) cos(2phi)
ZFR48(r,phi) = (462*r^11-1260*r^9+1260*r^7-560*r^5+105*r^3-6*r) sin(phi)
ZFR49(r,phi) = 924*r^12-2772*r^10+3150*r^8-1680*r^6+420*r^4-42*r^2+1
ZFR51(r,phi) = r^7 sin(7phi)
ZFR52(r,phi) = (8*r^8-7*r^6) cos(6phi)
ZFR55(r,phi) = (36*r^9-56*r^7+21*r^5) sin(5phi)
ZFR56(r,phi) = (120*r^10-252*r^8+168*r^6-35*r^4) cos(4phi)
ZFR59(r,phi) = (330*r^11-840*r^9+756*r^7-280*r^5+35*r^3) sin(3phi)
ZFR60(r,phi) = (792*r^12-2310*r^10+2520*r^8-1260*r^6+280*r^4-21*r^2) cos(2phi)
ZFR63(r,phi) = (1716*r^13-5544*r^11+6930*r^9-4200*r^7+1260*r^5-168*r^3+7*r) sin(phi)
ZFR64(r,phi) = 3432*r^14-12012*r^12+16632*r^10-11550*r^8+4200*r^6-756*r^4+56*r^2-1
ZFR65(r,phi) = r^8 cos(8phi)
ZFR68(r,phi) = (9*r^9-8*r^7)sin(7phi)
ZFR69(r,phi) = (45*r^10-72*r^8+28*r^6) cos(6phi)
ZFR72(r,phi) = (165*r^11-360*r^9+252*r^7-56*r^5) sin(5phi)
ZFR73(r,phi) = (495*r^12-1320*r^10+1260*r^8-504*r^6+70*r^4) cos(4phi)
ZFR76(r,phi) = (1287*r^13-3960*r^11+4620*r^9-2520*r^7+630*r^5-56*r^3) sin(3phi)
ZFR77(r,phi) = (3003*r^14-10296*r^12+13860*r^10-9240*r^8+3150*r^6-504*r^4+28*r^2) cos(2phi)
ZFR80(r,phi) = (6435*r^15-24024*r^13+36036*r^11-27720*r^9+11550*r^7-2520*r^5+252*r^3-8*r) sin(phi)
ZFR81(r,phi) = 12870*r^16-51480*r^14+84084*r^12-72072*r^10+34650*r^8-9240*r^6+1260*r^4-72*r^2+1
ZFR83(r,phi) = r^9 sin(9phi)
ここで、面上の光線侵入点が、座標x及びyによって与えられ、HNormが、データ内で指定されるゼルニケ多項式の正規化高さである場合に、
Figure 0006489374
は、半径方向座標を指定し、φ=arctan(y/x)は、方位角座標を指定する。
これに代えて、自由曲面は、2次元スプライン面を用いて表すことができる。2次元スプライン面の例は、ベジェ曲面又は不均一有理基底スプライン(NURBS)である。一例として、2次元スプライン面は、xy平面内の点網とそれに関するz値とにより、又はこれらの点とそれに関する勾配とによって表すことができる。スプライン面のそれぞれのタイプに基づいて、例えば、連続性及び微分可能性に関して特定の特性を有する多項式又は関数を用いてノード点の間を内挿することによって完全な面が得られる。この例は、解析関数である。
投影光学ユニット7のミラーM1からM6の反射面の光学設計データを以下に続く表から収集することができる。各々、これらの光学設計データは、像平面9から始まり、すなわち、像平面9と物体平面5の間で結像光3に対して逆の進行方向にそれぞれの投影光学ユニットを表している。これらの表の最初のものは、それぞれ、光学構成要素の光学面に対して、像平面6から始まるビーム経路内で隣接する要素のz間隔に対応する厚みをmmを単位として明記している。第2の表は、ミラーM1からM6に対して、頂点半径RD=1/c又はRDY=1/c及びRDX=1/c、円錐定数k又はk及びk、並びに上述の式(4)でそれぞれ使用されるゼルニケ多項式における係数ZFRを明記している。
第2の表の後に、第3の表は、ミラー基準設計から始めてそれぞれのミラーをy方向に偏心させ(DCY)、傾斜させた(TLA)絶対値を更に明記している。この値は、自由曲面設計法の場合の平行変位及び傾斜に対応する。この場合の変位はy方向にmm単位のものであり、傾斜はx軸の周りのものである。この場合に、傾斜角は度を単位として明記したものである。最初に偏心が実施され、それに傾斜が続く。
第1の表では、「半直径」列は、ミラーのそれぞれの裏面の半直径を明記している。
(表1)
図2に対する表1
Figure 0006489374
(表2)
図2に対する表2
Figure 0006489374

Figure 0006489374
(表3)
図2に対する表3
Figure 0006489374
投影光学ユニット7は、0.45という像側開口数を有する。物体視野4は、2×13mmのx広がりと2mmのy広がりとを有する。投影光学ユニット7は、13.5nmの照明光3の動作波長に対して最適化される。
図2に記載の投影光学ユニット7の瞳平面のうちの1つは、ミラーM2上の反射領域内の結像ビーム経路に位置する。図2に記載の投影光学ユニット7の更に別の瞳平面は、ミラーM5とM6の間の結像ビーム経路に位置する。
投影光学ユニット7では、ミラーM1、M3、及びM5は、像平面9からの僅かに異なる幾何学間隔のみを有する。この間隔差は、投影光学ユニット7の設計長、すなわち、物体平面5と像平面9の間の間隔の5%未満である。
物体視野点のコマ光線16は、物体視野4とミラーM1との間で実質的に平行に伝播する。従って、図2に記載の投影光学ユニット7は、物体側で実質的にテレセントリックである。
投影光学ユニット7は、純粋なミラー光学ユニット、すなわち、反射光学ユニットである。
ミラーM4における反射領域内の結像ビーム経路には、投影光学ユニット7の中間像ZBが配置される。ミラーM4は、中間像ZBに近い視野ミラーとして構成される。
ミラーM4は、ミラーM6内の結像光通路開口部17の下流に配置される。従って、結像光3は、ミラーM4における反射の直前と直後にミラーM6内の通路開口部17を通過する。ミラーM6内の通路開口部17は、図2に記載の結像光学ユニット7の瞳掩蔽領域18を与える。従って、結像光学ユニット7の瞳平面内で禁制照明角度領域、すなわち、通路開口部17に起因して結像に寄与しない結像ビーム経路に属する照明角度領域を指定することができる。この禁制照明角度領域は、瞳掩蔽領域18である。禁制照明角度を予め決定する瞳掩蔽領域18の結果として、投影光学ユニット7は掩蔽瞳を有する。瞳掩蔽領域18に関する更なる詳細に関しては、図8及びそれ以降の関連で以下に更に説明する。
ミラーM4は、次式の視野ミラーパラメータ関係を満たす。
P(M4)<0.5
次式が成り立つ。
P(M)=D(SA)/(D(SA)+D(CR))
ここで、D(SA)は、物体視野点から発する結像ビームのそれぞれのミラーMの反射面上での部分開口の最大直径である。D(CR)は、物体視野4から発する主光線の最大間隔であり、間隔D(CR)は、ミラーMの反射面上の投影光学ユニット7の基準平面内で測定される。この最大間隔は、図2の作図面内に位置する必要はなく、特に、物体視野4内で作図面に対して垂直なx方向に存在することができる。投影光学ユニット7の視野平面内ではD(SA)=0が成り立ち、従って、P=0である。投影光学ユニット7の瞳平面内では、D(CR)=0が成り立ち、従って、P=1である。
代表的な物体視野点に対して、図2に記載の投影光学ユニット7のミラーM4上及びM6上における反射の関係を図3及び図3aに基づいて以下により詳細に説明する。
図3aは、矩形物体視野4を有する物体平面5の区画(正確な縮尺のものではない)を示している。物体視野4は、x方向に104mmの広がりを有し、y方向に8mmの広がりを有する。合計で8つの代表的な基準物体視野点19を強調表示している。
図3は、ミラーM6、及び矩形の通路開口部17の内部又は背後に置かれたミラーM4の平面図を示している。図3は、部分開口20、すなわち、基準物体視野点19から発する結像ビームの外縁部を示している。この図には、図2に記載の投影光学ユニット7の開口数の25%、50%、75%、及び100%にそれぞれ属する部分開口2025、2050、2075、及び20100が示されている。
ミラーM4は近視野ミラーであるので、基準物体視野点19のうちの1つがそれぞれ有する部分開口20は、それぞれの基準物体視野点19の像にほぼ対応する厳密に境界が定められた領域内で重なる。異なる基準物体視野点19の部分開口20は、ミラーM4上では重ね合わない。
部分開口20の外縁部は、比較的瞳に近い最後のミラーM6上では分離される。投影光学ユニット7の開口数の特定の百分率に属する部分開口、すなわち、例えば、異なる基準物体視野点19の部分開口2025は、ミラーM6上では強く重なる。
通路開口部17は、使用物体視野4の全ての物体視野点、特に基準物体視野点の全部分開口20100が、ミラーM4において結像光3を反射するために、損失を伴わずにミラーM6を通過することができるようなx方向及びx方向の広がりを有する。図3では、通路開口部17のx広がりを2Dで表記し、通路開口部17のy広がりを2Cで表記している。ミラーM6の半径をAで表記し、通路開口部17の中心とミラーM6の中心の間のy間隔をBで表記している。
図2に記載の投影光学ユニット7では、B/Aは0.65である。C/Aは0.03である。D/Aは0.15である。更に、C<0.9D、特に、C<0.8D、C<0.7D、C<0.6D、C<0.5D、C<0.4D、C<0.3Dが成り立つ。
ミラーM6は瞳の近くにあるので、通路開口部17による掩蔽の結果として生じる瞳掩蔽領域18は、投影光学ユニット7の瞳平面内でほぼ通路開口部17の形状を有する。これを再度図10にも非常に概略的に示しており、この図では、瞳掩蔽領域18を図2に記載の投影光学ユニット7の使用瞳21(図10を参照されたい)内の円形領域として示している。瞳掩蔽領域18は、実際には円形形状とは異なる形状を有することができる。瞳掩蔽領域18の実際の形状は、通路開口部17により、又は例えば絞りのような別の掩蔽構成要素によって生じる掩蔽の結果として、個々の光線15のうちのどれが瞳21を通過することができないかに依存する。x座標及びy座標に関してミラーM6上の通路開口部17の中心位置とほぼ一致する瞳掩蔽領域18の重心SPは、図2に記載の投影光学ユニット7の使用瞳21内で中心に位置しない。
瞳掩蔽領域18は、瞳21のyz平面に関して鏡面対称であり、すなわち、この実施形態では図2に記載の結像光学ユニット7の子午平面と一致する結像光学ユニット7の対称平面に対して鏡面対称である。
瞳21の中心Zは、瞳掩蔽領域18の外側に位置する。瞳掩蔽領域18は、瞳21内で偏心して位置する。特に、中心視野点の主光線16が、瞳21の中心Zを通過する。
ミラーM6及び通路開口部17の寸法AからDは、瞳21及び瞳掩蔽領域18の寸法A’、B’、C’、及びD’に対応する。この場合に、A’は、瞳21の半径である。B’は、瞳21の中心Zに対する瞳掩蔽領域18のyオフセットである。瞳掩蔽領域18の広がりは、y方向に2C’、x方向に2D’である。広がり2C’は、瞳21の中心Z及び瞳掩蔽領域18の重心SPが載る重心軸yに沿った瞳掩蔽領域18の半径方向広がりと理解することができる。寸法2D’は、重心軸yに対して垂直なタンジェンシャル方向xにおけるタンジェンシャル瞳掩蔽領域広がりと理解することができる。
瞳21の中心Zの周りの完全であり、すなわち、掩蔽されない方式で使用可能な円形瞳領域は、半径B’−C’を有し、この半径は、瞳半径A’の少なくとも10%である。
図2に記載の投影光学ユニット7は、全体として瞳21の中心Zに関して中心点対称方式で配置された全体瞳掩蔽を発生させる追加の瞳掩蔽をもたらす更に別の掩蔽絞り又はあらゆる他の構成要素を有することができる。追加の瞳掩蔽に関する例を下記で更に以下に説明する図23及び図26において相補する。
以下に続く本文では、図1に記載の投影露光装置1において投影光学ユニット7の代わりに使用することができる投影光学ユニットの更に別の実施形態22を図4及び図5に基づいて説明する。図1から図3、図3a及び図10に関して上述した構成要素及び機能を必要に応じて同じ参照記号で表記し、これらに対して再度詳細に解説することはしない。
投影光学ユニット22の光学設計データは、仕様に関して図2に記載の投影光学ユニット7に対する表に対応する以下に続く表から収集することができる。自由曲面を指定するのに上述の式(2)を用いた(RDY=1/c;RDX=1/c)。
(表1)
図4に対する表1
Figure 0006489374
(表2)
図4に対する表2
Figure 0006489374

Figure 0006489374
(表3)
図4に対する表3
Figure 0006489374
投影光学ユニット22は、0.45という像側開口数を有する。物体視野4は、2×13mmのx広がりと2mmのy広がりとを有する。投影光学ユニット22は、13.5nmの照明光3の動作波長に対して最適化される。
投影光学ユニット22では、ミラーM4は、ミラーM6から遠くに離される。これらの2つのミラーの間の間隔は、投影光学ユニット22の設計長のほぼ半分であり、すなわち、物体平面5と像平面9の間の間隔の半分である。投影光学ユニット22では、一方でミラーM3とM6とが、他方でミラーM1とM6とが対向して配置される。
ミラーM4とM5の間の結像ビーム経路内で、ミラーM6内の通路開口部17を通った直後に中間像ZBが位置する。中間像ZBと通路開口部17の間の間隔は、ミラーM4とM5の間の間隔の約10%である。
図5は、ミラーM6における結像光3の反射中、及び結像光3がミラーM6内の通路開口部17を通過するときの関係を明らかにしている。投影光学ユニット22では、中間像ZBが、通路開口部17から離れているので、照明光通路開口部17を通過するときの部分開口20は、図2及び図3に記載の投影光学ユニット7に対するものよりも有意に大きい。通路開口部17を通過するときの部分開口20の形状に起因して、ミラーM6内の通路開口部17は、台形の設計を有することができ、ミラーM6の中心に近い通路開口部17のx広がりは、この中心から離れた場所におけるx広がりよりも小さい。
投影光学ユニット22では、寸法AからDのサイズ比にB/A=0.28が適用される。C/Aは0.09である。D/Aは0.20である。
以下に続く本文では、図1に記載の投影露光装置1において投影光学ユニット7の代わりに使用することができる投影光学ユニットの更に別の実施形態23を図6及び図7に基づいて説明する。図1から図3、図3a、図4、及び図5、並びに図10に関して上述した構成要素及び機能を必要に応じて同じ参照記号で表記し、これらに対して再度詳細に解説することはしない。
投影光学ユニット23の光学設計データは、仕様に関して図4に記載の投影光学ユニット22に対する表に対応する以下に続く表から収集することができる。自由曲面を指定するのに上述の式(2)を用いた(RDY=1/c;RDX=1/c)。
(表1)
図6に対する表1
Figure 0006489374
(表2)
図6に対する表2
Figure 0006489374

Figure 0006489374
(表3)
図6に対する表3
Figure 0006489374
投影光学ユニット23は、0.45という像側開口数を有する。物体視野4は、2×13mmのx広がりと2mmのy広がりとを有する。投影光学ユニット23は、13.5nmの照明光3の動作波長に対して最適化される。
投影光学ユニット23は、その設計に関して図4及び図5に記載の投影光学ユニット22と同様である。投影光学ユニット22とは対照的に、中間像ZBは、ミラーM4とM5の間の結像ビーム経路内でミラーM6内の通路開口部17と同じレベルの場所に配置される。投影光学ユニット22と対比して、投影光学ユニット23では、ミラーM6よりもミラーM1の方が像平面9に近い。ミラーM3とM6とは、この場合にも対向して配置される。更に、投影光学ユニット22と対比して、投影光学ユニット23では、ミラーM4よりもミラーM2の方が物体平面5に近い。更に、投影光学ユニット23では、中間像ZBは、幾何学的にミラーM6の近くに位置し、従って、ミラーM6内の通路開口部17は、相応に小さい設計を有することができる。
図7は、ここでも同じくミラーM6における反射中又はこのミラーM6を通過するときの関係を明らかにしている。
投影光学ユニット23では、寸法AからDの寸法比に関して、B/A=0.34が適用される。C/Dは0.045である。D/Aは0.15である。
投影光学ユニット7、22、及び23に対して上記に指定した寸法AからDの寸法比は、瞳掩蔽領域18の寸法A’からD’の比にも相応に適用される。
下記では、投影露光装置1における照明と結像の関係を説明するために、図8から図19及び図23から図26を使用する。この場合に、投影光学ユニット7、22、又は23のうちのどれを使用するかは重要ではない。以下に続く本文では、照明と結像の関係を投影光学ユニット7に基づいて例示的に説明する。
図8は、投影露光装置1の照明光学ユニット6の照明瞳24内の照明設定、すなわち、照明強度分布を示している。照明設定は、2つの2次照明光源25、26を有するx二重極である。y方向と平行に延び、互いからの間隔δ1を有する線27(図9を参照されたい)を有する線構造がレチクル10として照明される場合を考える。図9に記載のy線構造は、図8に記載のx二重極照明設定の結果として、2次照明光源25、26に従う2つの照明方向から照明される。
図10は、純粋に照明光源25だけによる照明の結果としての投影光学ユニット7の使用瞳21内の結像光の強度分布を明らかにしている。図示の瞳掩蔽領域18は、例えば、瞳掩蔽領域18を定めるために3つのミラーM1、M2、又はM3のうちの1つの上に位置付けることができる物理的な掩蔽絞りではない。図10及びその後の図に指定している瞳掩蔽領域18は、それぞれの投影光学ユニット7、22、及び23の入射瞳21内の実際の掩蔽の投影である。
実際の物理的掩蔽絞りは、入射瞳21に対して変形することができる。そのような物理的掩蔽絞りは、図2に記載の投影光学ユニット7では、例えば、ミラーM2に適用することができ、これはこのミラーが、投影光学ユニット7の瞳平面の領域内に位置するからである。対応する陳述が、投影光学ユニット22及び23に適用される。
図8から図19及び図23から図26では、円形掩蔽の形態にある瞳掩蔽領域18を網掛け形式で例示している。入射瞳21内に投影される掩蔽の実際の形状は、円形の掩蔽からずれることができ、楕円形、矩形、角丸矩形、台形、又は角丸台形とすることができる。
照明光3のゼロ次の回折28は、照明光源25に対応する位置において瞳21を結像光として通過する。線27上での回折の結果として、1次の回折29は、第2の照明光源26の点に同時発生的に対応する点で瞳21を通過する。これら2つの回折次数28、29は、瞳掩蔽領域18と重ね合わないので、ミラーM6内の通路開口部17の結果としての瞳掩蔽は、図8に記載の照明の場合に投影光学ユニット7を通過する照明光3に対していかなる役割ももたらさない。従って、図8に記載の照明設定では、結像光は、瞳掩蔽17の結果としてミラーM6での反射損失を伴わずに投影光学ユニット7を通過する。
以下に続く本文では、それ程密集していないy線構造を有する更に別のレチクル10を照明する場合の投影露光装置1における照明と結像の関係を図8から図10に対応する図11から図13に基づいて説明する。図12に記載のレチクル10の隣接する線30は、図9に記載のレチクル10の線間隔δ1のサイズの約2倍の互いからの間隔δ2を有する。より大きい線間隔の結果として、投影光学ユニット7を通しての広がりを図13に略示す照明光源25の方向からの照明光3の回折中により小さい回折角が存在する。より小さい回折角の結果として、1次の回折21は、今度は瞳21のほぼ中心に位置する。図12に記載の線30を有するy線構造の照明中には、2次の回折31も同じく使用瞳21内に位置し、照明瞳24内の照明光源26の点に同時発生的に対応する点に位置する。
図13に記載の結像ビーム光路内の1次の回折29の直径は、瞳21の中心Zからの瞳掩蔽領域18のy間隔よりも大きいので、1次の回折29と瞳掩蔽領域18とは重なる。しかし、重ね合わせ領域は、1次の回折29の全体の広がりと比較して小さいので、それにも関わらず良好な線30の結像がもたらされる。入射瞳21内の瞳掩蔽領域18の偏心位置は、この1次の回折29が線30を有する物体を結像することに寄与せず、それによって次にそのような物体構造の結像が悪影響を被ることになるという結果を不適切にもたらすと考えられる瞳掩蔽領域18が1次の回折29と重なることを阻止する。
図14から図19は、図8から図13に対応する図を用いて結像関係を示している。
図14は、線34を有するx線構造(図15を参照されたい)を有するレチクル10を照明するために使用される2次照明光源32、33を有するy二重極の形態にある照明設定を示している。
図16は、次に、純粋に照明光源33だけによる照明の結果としての投影光学ユニット7の瞳21内の結像光の強度を示している。それによってこの場合にも瞳21内にゼロ次の回折35と1次の回折36とがもたらされる。ゼロ次の回折35は、照明光源33に対応する点に位置し、1次の回折36は、瞳21内で他方の照明光源32の点に対応する点に同時発生的に位置する。1次の回折36と瞳掩蔽領域18とは互いに重なる。この場合にもこの重ね合わせは小さく、従って、実際には線34を結像することに悪影響を及ぼさない。
図17から図19は、今度はより大きい間隔で分離し、x方向に延びる線37を有するレチクル10の図14に記載のy二重極照明設定を用いた照明に対する関係を示している。この場合に、投影光学ユニット7の瞳21内にゼロ次の回折35、瞳21内でほぼ中心に位置する1次の回折36、及び2次の回折38がもたらされる。1次の回折36と2次の回折38の両方は、瞳掩蔽領域18と重なる。この場合にもこの重ね合わせは各々小さく、従って、実際には線37の結像に悪影響を及ぼさない。
x線構造をy二重極で結像する場合の瞳掩蔽領域18と回折次数36又は38との重ね合わせ幾何学形状は、図15及び図18に記載の線34及び37を有するレチクル10を照明の前に図9及び図12に記載のy線構造をもたらすように局所z軸の周りに90°だけ回転させることによって回避することができる。この場合に、図14に記載のy二重極照明設定の代わりに図8に記載のx二重極照明設定が選択される。特に、図8から図13に記載の照明の幾何学形状及び線の向きの幾何学形状では、回折次数のうちの1つが、瞳掩蔽領域18の点に多少なりとも正確に同時発生的に位置する場合を回避することができる。
図20は、ミラーM4における反射の後の投影光学ユニット7、22、及び23の照明ビーム経路の一部を略示している。通路開口部17の通過から基板12上への入射に至るまでの中心物体視野点の主光線16が示されている。
図20では、ミラーM6上への主光線16の入射角をα’で表記している。
通路開口部17を通過するときに、主光線16は、通路主光線区画16に沿ってミラーM5まで延びる。主光線16は、最後のミラーM6と像視野8、すなわち、基板12との間で像視野主光線区画16に沿って延びる。2つの主光線区画16と16は、共通平面内で、すなわち、投影光学ユニット7、22、23のyz子午平面内で延び、互いの間に図20にαで表記している主光線角度を含む。
α’>αが適用される。
図21から図26は、更に、かなり密に延びるy線構造(図22)とそれ程密には延びないy線構造(図25)とを有するレチクル10が図8から図13の場合と同じく使用される場合の結像関係を図8から図13に対応する図を用いて示している。
2次照明光源25、26を有するx二重極設定、及び回折次数28、29、及び31は、図8から図13を参照して上述したものに対応する。
図21及び図24に記載の照明瞳24を使用する結像中には、部分39aと39bを有する全体瞳掩蔽領域39が生成されるように追加の掩蔽要素が使用され、これらの部分は、互いに相補し合って瞳21の中心Zに関して中心点対称方式で配置された全体瞳掩蔽領域39を形成する。部分掩蔽39bを発生させる追加の掩蔽構成要素は、結像光学ユニット7、22、又は23の瞳内の適切な絞りによって開発することができる。
図23及び図26に記載の全体瞳掩蔽領域39は、x方向にEという広がりを有し、y方向にFという広がりを有する。それによって1よりも小さいアスペクト比E/Fがもたらされ、図示の実施形態では約0.33である。
上述の部分瞳掩蔽39a、39bの代わりに、瞳21の中心Zに中心を合わせて配置するか、又は他にそこに対して偏心して配置することができる楕円形、矩形、又は台形の瞳掩蔽領域を使用することができる。そのような瞳掩蔽領域がいくつかのコーナを有する縁部を有する場合に、この瞳掩蔽領域は、丸まったコーナを有することができる。
微細構造化又はナノ構造化構成要素を生成するのに、投影露光装置1は以下の通りに使用される。最初に、反射マスク10又はレチクルと基板又はウェーハ11とが与えられる。次いで、レチクル10上の構造が、投影露光装置1を用いてウェーハ11の感光層上に投影される。その後に、感光層を現像することにより、ウェーハ11上に微細構造又はナノ構造が生成され、従って、微細構造化構成要素が生成される。
投影露光の前に、レチクル10上の構造は、任意的に、照明光の回折次数が瞳掩蔽領域18と重ね合わないか又は過度に強く重ね合わない照明及び結像の幾何学形状をもたらし、投影露光装置1の結像パワーに対する悪影響を回避するために、その構造に関して検査することができる。
18 瞳掩蔽領域
21 使用瞳
28 照明光3のゼロ次の回折
B’ 瞳掩蔽領域のyオフセット
Z 中心視野点の主光線が通過する中心

Claims (14)

  1. 瞳(21)を有し、
    中心視野点の主光線(16)が通過する中心(Z)を有し、
    複数の結像光学構成要素(M1からM6)を有する、
    物体視野(7)を像視野(8)に結像するための結像光学ユニット(7;22;23)であって、
    掩蔽絞りは、結像光学ユニット(7;22;23)の前記瞳(21)内に照明角度領域である瞳掩蔽領域(18)の形状を与え、該照明角度は該掩蔽絞りに起因して結像に寄与しない結像ビーム経路に属するものであり、
    前記掩蔽絞りは、結像光学ユニット(7;22;23)の切れ目のない前記瞳掩蔽領域(18)の重心(SP)が結像光学ユニット(7;22;23)の前記瞳(21)内で偏心して位置するように配置される
    結像光学ユニット(7;22;23)。
  2. 前記瞳掩蔽領域(18)は、結像光学ユニット(7;22;23)の対称平面(yz)に関して鏡面対称であることを特徴とする請求項1に記載の結像光学ユニット。
  3. 前記瞳(21)の前記中心(Z)は、前記瞳掩蔽領域(18)の外側に位置することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の結像光学ユニット。
  4. 前記瞳(21)は、結像光学ユニット(7;22;23)の瞳平面内で瞳直径(2A’)を有し、該瞳(21)の前記中心(Z)の周りの完全な使用可能瞳領域は、該瞳直径(2A’)の少なくとも10%である直径(B’−C’)を有することを特徴とする請求項3に記載の結像光学ユニット。
  5. 前記瞳掩蔽領域(18)は、
    重心軸に沿って半径方向(y)に前記瞳(21)の前記中心(Z)と前記瞳掩蔽領域(18)の前記重心(SP)とが載る半径方向瞳掩蔽領域広がり(2C’)を有し、
    前記重心軸(y)に対して垂直なタンジェンシャル方向(x)にタンジェンシャル瞳掩蔽領域広がり(2D’)を有し、
    前記半径方向瞳掩蔽領域広がり(2C’)は、前記タンジェンシャル瞳掩蔽領域広がり(2D’)から10%よりも大きく異なる、
    ことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の結像光学ユニット。
  6. 前記結像光学ユニットは、反射レンズとして具現化されることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の結像光学ユニット。
  7. 前記像視野(8)の上流の結像ビーム経路に最後から2番目のミラー(M5)及び最後のミラー(M6)を有し、
    中心視野点の主光線(16)が、結像光学ユニット(7;22;23)の前記最後のミラー(M6)上に入射角(α’)で入射し、
    前記最後から2番目のミラー(M5)の上流の結像ビーム経路において、前記主光線(16)が、前記最後のミラー(M6)内の通路開口部(17)を通過し、かつ通路主光線区画(16D)に沿って延び、
    前記主光線(16)が、前記最後のミラー(M6)と前記像視野(8)の間で像視野主光線区画(16B)に沿って延び、
    前記2つの主光線区画(16D,16B)が、共通平面(yz)内で延び、かつ互いの間に主光線角度(α)を含む、
    請求項6に記載の結像光学ユニットであって、
    前記入射角(α’)は、前記主光線角度(α)よりも大きい、
    ことを特徴とする請求項6に記載の結像光学ユニット。
  8. 前記結像光学ユニットは、追加の瞳掩蔽領域(39b)を発生させる追加の掩蔽構成要素(39)を備え、
    前記追加の掩蔽構成要素は前記掩蔽絞りと異なるものであり、
    前記瞳掩蔽領域と前記追加の瞳掩蔽領域が、前記瞳の前記中心(Z)に関して中心点対称方式で配置されて、全体瞳掩蔽領域(39)を形成することを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の結像光学ユニット。
  9. 物体視野(7)を像視野(8)に結像するための反射結像光学ユニット(7;22;23)であって、
    瞳(21)を有し、
    中心視野点の主光線(16)が通過する中心(Z)を有し、
    前記物体視野(7)と前記像視野(8)の間の結像ビーム経路内の最後のミラー(M6)であって、該最後のミラー(M6)が、結像光(3)の通過のための通路開口部(17)を有し、該通路開口部(17)を取り囲む該最後のミラー(M6)の反射面の縁部領域が、該結像光(3)を反射するために切れ目のなく使用される前記最後のミラー(M6)を有し、
    閉じた方式で、すなわち、開口部なして使用される反射面を有する前記結像ビーム経路内で最後から2番目のミラー(M5)を有し、
    掩蔽絞りは、結像光学ユニット(7;22;23)の前記瞳(21)内に照明角度領域である瞳掩蔽領域(18)の形状を与え、該照明角度は該掩蔽絞りに起因して結像に寄与しない結像ビーム経路に属するものであり、
    前記掩蔽絞りが、これが結像光学ユニット(7;22;23)の前記瞳(21)内で中心に位置しない前記瞳掩蔽領域(18)を発生させるように配置される、
    反射結像光学ユニット(7;22;23)。
  10. 瞳(21)を有する物体視野(7)を像視野(8)に結像するための結像光学ユニット(7;22;23)であって、
    掩蔽絞りは、結像光学ユニット(7;22;23)の前記瞳(21)内に照明角度領域である瞳掩蔽領域(18)の形状を与え、該照明角度は該掩蔽絞りに起因して結像に寄与しない結像ビーム経路に属するものであり、
    x方向にEという広がりを有しy方向にFという広がりを有する結像光学ユニット(7;22;23)の全体瞳掩蔽領域(39a,39b)が、瞳座標系(x,y)の互いに垂直な座標に関して1からずれたアスペクト比()を有する、
    結像光学ユニット(7;22;23)。
  11. 請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の結像光学ユニット(7)を有し、
    前記結像光学ユニット(7)の物体視野(4)に照明光(3)を案内するための照明光学ユニット(6)を有する、
    ことを特徴とする光学系。
  12. 投影リソグラフィのための投影露光装置であって、
    請求項11に記載の光学系を有し、
    照明及び結像光(3)のための光源(2)を有する、
    ことを特徴とする投影露光装置。
  13. 構造化された構成要素を生成する方法であって、
    レチクル(10)及びウェーハ(11)を与える段階と、
    請求項12に記載の投影露光装置を用いて前記レチクル(10)上の構造を前記ウェーハ(11)の感光層上に投影する段階と、
    前記ウェーハ(11)上に微細構造又はナノ構造を発生させる段階と、
    を含むことを特徴とする方法。
  14. 請求項13に記載の方法に従って生成された構造化された構成要素。
JP2015513090A 2012-05-25 2013-05-15 結像光学系及び投影露光装置 Active JP6489374B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261651605P 2012-05-25 2012-05-25
US61/651,605 2012-05-25
DE102012208793.1 2012-05-25
DE102012208793A DE102012208793A1 (de) 2012-05-25 2012-05-25 Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithographie mit einer derartigen abbildenden Optik
PCT/EP2013/060004 WO2013174686A1 (en) 2012-05-25 2013-05-15 Imaging optical system and projection exposure installation

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015518975A JP2015518975A (ja) 2015-07-06
JP6489374B2 true JP6489374B2 (ja) 2019-03-27

Family

ID=49547053

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015513090A Active JP6489374B2 (ja) 2012-05-25 2013-05-15 結像光学系及び投影露光装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10139734B2 (ja)
JP (1) JP6489374B2 (ja)
CN (1) CN104380169B (ja)
DE (1) DE102012208793A1 (ja)
WO (1) WO2013174686A1 (ja)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014223811B4 (de) 2014-11-21 2016-09-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik für die EUV-Projektionslithographie, Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zur Herstellung eines strukturierten Bauteils
DE102015201138A1 (de) 2015-01-23 2016-01-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie
DE102015201253A1 (de) 2015-01-26 2015-03-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Thermisch optimierte obskurationsblenden und projektionsbelichtungsanlage mit derartigen blenden
WO2016188934A1 (de) * 2015-05-28 2016-12-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende optik zur abbildung eines objektfeldes in ein bildfeld sowie projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden optik
DE102015219671A1 (de) 2015-10-12 2017-04-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Baugruppe, Projektionssystem, Metrologiesystem und EUV-Lithographieanlage
DE102016225220A1 (de) 2016-02-09 2017-08-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie sowie optisches System mit einer derartigen Beleuchtungsoptik
DE102017216893A1 (de) * 2017-09-25 2019-03-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld
EP3518041A1 (en) * 2018-01-30 2019-07-31 ASML Netherlands B.V. Inspection apparatus and inspection method
US11043239B2 (en) 2019-03-20 2021-06-22 Kla Corporation Magneto-optic Kerr effect metrology systems
JP7531462B2 (ja) 2020-09-01 2024-08-09 キヤノン株式会社 露光装置、露光方法および製造方法
KR20220029480A (ko) * 2020-09-01 2022-03-08 캐논 가부시끼가이샤 노광 장치, 노광 방법, 및 반도체 장치의 제조방법
GB2600440A (en) * 2020-10-29 2022-05-04 Leonardo UK Ltd An electro-optical system and a method of designing the same

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5815310A (en) 1995-12-12 1998-09-29 Svg Lithography Systems, Inc. High numerical aperture ring field optical reduction system
EP1093021A3 (en) 1999-10-15 2004-06-30 Nikon Corporation Projection optical system as well as equipment and methods making use of said system
KR20030045817A (ko) * 2000-10-20 2003-06-11 칼-짜이스-스티프퉁 트레이딩 에즈 칼 짜이스 8-거울 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈
US7522260B1 (en) * 2004-09-29 2009-04-21 Carl Zeiss Smt Ag Method for correcting astigmatism in a microlithography projection exposure apparatus, a projection objective of such a projection exposure apparatus, and a fabrication method for micropatterned components
DE102005042005A1 (de) * 2004-12-23 2006-07-06 Carl Zeiss Smt Ag Hochaperturiges Objektiv mit obskurierter Pupille
DE102005003557A1 (de) 2005-01-26 2006-08-17 Carl Zeiss Smt Ag Optisches Element für eine Mikrolithographieeinrichtung zur Erzeugung von 0,05 µm-Strukturen
KR101149267B1 (ko) 2005-09-13 2012-05-25 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로리소그라피 투영 광학 시스템, 디바이스 제작 방법 및 광학 표면을 설계하기 위한 방법
JP5269079B2 (ja) * 2007-08-20 2013-08-21 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 反射コーティングを備えたミラー要素を有する投影対物系
JP5337159B2 (ja) * 2007-10-26 2013-11-06 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 結像光学系及びこれを有する投影露光装置
WO2009053023A2 (en) 2007-10-26 2009-04-30 Carl Zeiss Smt Ag Imaging optical system and projection exposure apparatus for microlithography comprising an imaging optical system of this type
DE102009008644A1 (de) 2009-02-12 2010-11-18 Carl Zeiss Smt Ag Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithografie mit einer derartigen abbildenden Optik
DE102009046685A1 (de) * 2009-11-13 2011-05-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik
WO2011095209A1 (de) 2010-02-03 2011-08-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Mikrolithographische projektionsbelichtungsanlage
JP5469778B2 (ja) * 2010-04-22 2014-04-16 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 結像光学系及びそのような結像光学系を有するマイクロリソグラフィのための投影露光装置
DE102010040811A1 (de) * 2010-09-15 2012-03-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik
DE102010041746A1 (de) * 2010-09-30 2012-04-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage der EUV-Mikrolithographie und Verfahren zur mikrolithographischen Belichtung

Also Published As

Publication number Publication date
CN104380169A (zh) 2015-02-25
JP2015518975A (ja) 2015-07-06
US10139734B2 (en) 2018-11-27
CN104380169B (zh) 2019-05-07
DE102012208793A1 (de) 2013-11-28
US20150293457A1 (en) 2015-10-15
WO2013174686A1 (en) 2013-11-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6489374B2 (ja) 結像光学系及び投影露光装置
JP5938043B2 (ja) 結像光学系
JP5319789B2 (ja) 結像光学系及びこの種の結像光学系を有するマイクロリソグラフィ用の投影露光装置
JP6146918B2 (ja) 結像光学系及びこの種の結像光学系を含むマイクロリソグラフィ用の投影露光装置
JP6132319B2 (ja) 結像光学系
JP5643755B2 (ja) 結像光学系
JP7071327B2 (ja) Euv投影リソグラフィのための投影光学ユニット
TW201546564A (zh) 用於投影微影的照明光學單元
JP2016006550A (ja) 結像光学系
JP6112478B2 (ja) マイクロリソグラフィのための投影対物系
TW201621473A (zh) 投影微影的光學次系統與投影微影的照明光學單元
JP2014534643A (ja) ミラーの配置
US9639005B2 (en) Imaging catoptric EUV projection optical unit
US20150219999A1 (en) Imaging optics, microlithography projection exposure apparatus having same and related methods
TWI461733B (zh) 成像光學系統、具有此類型成像光學系統之用於微影的投射曝光設備以及用於製造結構化組件的方法
JP7284766B2 (ja) Euvマイクロリソグラフィ用の結像光学ユニット
JP7242642B2 (ja) 投影リソグラフィ用の投影露光装置の光学系の光学コンポーネントとしてのミラーを製造する方法
CN117441116A (zh) 成像光学单元

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160516

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170118

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170206

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20170410

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170807

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180207

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20180418

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180807

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190123

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20190122

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190213

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6489374

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250