JP6010032B2

JP6010032B2 - Ｅｕｖ投影露光系のためのミラー、光学系、及び構成要素を生成する方法

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Publication number: JP6010032B2
Application number: JP2013530691A
Authority: JP
Inventors: ヨハネスルオフ; ハイコフェルトマン
Original assignee: カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー
Priority date: 2010-09-29
Filing date: 2011-09-26
Publication date: 2016-10-19
Anticipated expiration: 2031-09-26
Also published as: KR20130105858A; KR101944122B1; CN103140802B; TWI539241B; CN103140802A; DE102010041623A1; WO2012041807A1; JP2013540350A; EP2622412A1; US20130188163A1; TW201234123A; EP2622412B1; US10274649B2

Description

本発明は、ＥＵＶ放射線のためのミラーに関する。更に、本発明は、照明光学系、投影光学系、光学系、及びＥＵＶ投影露光系に関する。更に、本発明は、微細構造化構成要素又はナノ構造化構成要素を生成する方法、及び本方法によって製造される構成要素に関する。

ＥＵＶ放射線のためのミラー及びＥＵＶ投影露光系は、ＥＰ１９２７８９２Ａｌから公知である。Ｘ線顕微鏡は、ＵＳ６５２２７１７Ｂ１から公知である。

ＥＰ１９２７８９２ＡｌＵＳ６５２２７１７Ｂ１ＷＯ２００９／０２４１６４Ａ１ＵＳ６８５９５１５Ｂ２ＤＥ１０２００８００９６００Ａ１

本発明の目的は、ＥＵＶ投影露光系の光学品質の改善が可能であるようなＥＵＶ放射線のためのミラーを開発することである。

この目的は、請求項１に記載のミラーによって達成される。

本発明により、リソグラフィマスクとして使用されるレチクルの反射機能は、照明のために使用されるＥＵＶ放射線の特定の入射角から急激に降下することが認識されている。更に、傾斜照明は、重大なテレセントリック誤差を招く。

しかし、レチクルの垂直照明の場合、言い換えれば、光軸と平行な照明光学系の主ビームの進路及び光軸に対して垂直なレチクルの向きの場合には、構造制約条件の理由から、照明光学系及び／又は投影光学系内のビーム経路の掩蔽がもたらされる。

本明細書では、物体視野点、言い換えれば、レチクルの特定の点の主ビームをこの物体視野点と照明光学系の瞳の中心の間の接続線として定義する。

本発明により、ＥＵＶ放射線のためのミラーに、少なくとも１つのＥＵＶ放射線反射領域と、少なくとも２つ、特にそれよりも多く、特に少なくとも３つ、特に少なくとも４つ、特に少なくとも５つのＥＵＶ放射線透過性領域とを設けるものとする。この場合、ＥＵＶ放射線透過性領域は、特にミラー本体内の貫通開口部として構成される。それらの放射線透過性領域は、特にミラー本体において非連結に配置される。放射線透過性領域は、特に、その包絡線が、放射線反射領域の全体の区域のうちの少なくとも３０％、特に少なくとも４０％、特に少なくとも５０％、特に少なくとも６０％、特に少なくとも７０％、特に少なくとも８０％、特に少なくとも９０％と重なる区域の境界を定めるように、ミラー本体にわたって分散されて配置される。

反射領域と透過性領域とがちょうど交換された上述の配列に対して反転したミラー構成が相応に可能である。この反転構成では、多数の特に少なくとも２つ、特に少なくとも３つ、特に少なくとも４つ、特に少なくとも５つのＥＵＶ放射線反射領域が設けられる。この場合、それらの放射線反射領域は、特に、非連結に構成することができる。それらの放射線反射領域は、特に交差支柱によって互いに機械的に連結することができる。放射線反射領域は、特に編物型のホルダに適用することができる。このミラー構成では、ＥＵＶ放射線透過性区域は、ミラーの全区域のうちの特に少なくとも５０％、特に少なくとも６０％、特に少なくとも７０％、特に少なくとも８０％、特に少なくとも９０％を構成する。

本発明によるミラーを使用すると、照明光学系の高い開口数の場合であっても、レチクルによって反射されたＥＵＶ放射線の掩蔽が発生することなく、レチクルを小さい入射角で照明することができる。本発明によるミラーを使用すると、特にレチクルによって反射されたゼロ次の回折次数のＥＵＶ放射線を掩蔽なしに投影光学系を通じて誘導することができる。

本発明によるミラーを用いて照明ビーム経路と結像ビーム経路との空間分離が可能である。

請求項２により、ミラーは、ＥＵＶ放射線透過性領域の各々に対して関連付けられたＥＵＶ放射線反射領域を有する。このＥＵＶ放射線反射領域をそれぞれの放射線透過性領域に対して相補的な領域とも呼ぶ。特にミラー上で、特定の放射線透過性領域に関連付けられ、レチクルによって反射されたゼロ次の回折次数の放射線が結像される領域を共役な領域と呼ぶ。「相補的な領域」及び「共役な領域」という用語は、本発明を説明する上においてのみ使用するものである。対応する領域は、必ずしも明確な機械的制限を持たない。相補的で、特に共役な領域は、各場合にミラー上の放射線透過性領域に対する所定の位置に配置される。原理的に、レチクル上で反射された特に高次の回折次数の放射線は、ミラーのあらゆる領域上に当たる場合がある。しかし、従来使用されているレチクルの構造を把握している場合には、放射線透過性領域と放射線反射領域とのターゲットを定めた配列により、反射光のどの回折次数がこれらのレチクルの像視野への投影に寄与するかを予め定義することができる。特に、ミラーを明視野照明又は暗視野照明に向けて構成することができる。

請求項３により、ＥＵＶ放射線透過性領域とそれぞれ共役なＥＵＶ放射線反射領域は、関連付けられたＥＵＶ放射線透過性領域に対する対称軸に関して対称に配置される。この配列は、レチクル上で反射された少なくともゼロ次の回折次数の放射線が、各場合にちょうどＥＵＶ放射線反射領域の上に当たることができることを保証するので、明視野用途では有利である。従って、点鏡像照明瞳の少なくとも一部、特に点鏡像照明瞳全体が結像ビーム経路の構成要素である。ミラー、特にＥＵＶ放射線反射領域及びＥＵＶ放射線透過性領域の配列は、特定の所定のレチクル、特に一般的に使用されるレチクルに適応させることができる。一般的なレチクル構造を有する所定のレチクル、特に結像される構造が既知である場合には、ミラー上のＥＵＶ放射線透過性領域の適切な配列により、特に、ゼロ次の回折次数に加えて又はその代わりに、レチクル上で反射された他の回折次数、特に±１次の回折次数の放射線が、各場合にちょうど放射線反射領域の上に当たることをもたらすことができる。

以下において領域の「対称軸」及び「対称配列」に言及した場合には、これらの用語は、各場合に、ビーム経路の主ビームに対して傾斜したミラー位置において必要な相応に歪曲したミラー構成を意味するとも理解すべきである。

本発明によるミラーを使用すると、主ビームの角度（ＣＲＡ、主光線角度）が、物体側開口数（ＮＡＯ）の逆正弦よりも小さい、すなわち、ＣＲＡ＜ａｒｃｓｉｎ（ＮＡＯ）であるようにレチクルを照明することができる。

請求項４により、ミラーは、多数の放射線透過性領域及び各場合にそれと共役な放射線反射領域を有する。それによって一方では、多数の異なる照明設定が可能になり、それによって他方では、物体視野を像視野に結像するのに全体に使用される放射線の各個々の放射線透過性領域及びそれと共役なそれぞれの放射線反射領域の相対分量が低減する。個々の特定の放射線透過性領域に関連する回折次数の反射放射線が、偶然に放射線透過性領域上に再度入射し、従って、反射されない場合に、この構成が有する結像品質に対する影響は、それによって低減する。その結果、結像品質を全体的により堅固にすることができる。この目的のために、特に放射線透過性領域は、各場合に全体の光学的使用可能面、言い換えれば、反射ミラー面と比較して可能な限り小さいことが有利である。

請求項５に記載の対称軸の回りの円上の放射線透過性領域の配列に起因して、レチクルの特に一様で均一な照明を提供することができる。この場合、放射線透過性領域は、特に円上に等距離的に配置することができる。この場合、奇数個の放射線透過性領域の等距離配列は、ちょうど明視野構成をもたらし、これは、この場合、放射線反射領域が、対称軸に関して各放射線透過性領域と反対であることによる。

それに応じて、偶数個の放射線透過性領域の等距離配列は、暗視野構成をもたらし、これは、更に別の放射線透過性領域が、対称軸に関して各放射線透過性領域とちょうど反対であることによる。従って、レチクルによって反射された各放射線透過性領域からのゼロ次の回折次数の放射線は、少なくとも部分的に、特に完全にちょうど放射線透過性領域の上に再度入射し、従って、ミラーによって反射されず、従って、像視野内への物体視野の結像に寄与しない。

更に、放射線透過性領域は、対称軸の回りの複数の同心円上に配置することができる。その結果、異なる入射角を有する異なる照明設定が可能になる。それによって干渉効果を低減することができる。

請求項６により、放射線透過性領域は、その共通重心が対称軸と一致するように配置される。その結果、照明放射線の主ビームが０°の入射角を有するようにレチクルを照明することが可能になる。

本発明の更に別の目的は、ＥＵＶ照明光学系、及び物体視野を像視野に結像するためのＥＵＶ投影光学系を改善することである。

これらの目的は、請求項７及び請求項８に記載の特徴によって達成される。この種の照明光学系／投影光学系の利点は、既に上述したものに対応する。

請求項９により、ミラーは、瞳の近くに配置される。瞳の近くのミラーＭの配列は、次式の条件が満たされる場合に存在する。
Ｐ（Ｍ）＝Ｄ（ＳＡ）／（Ｄ（ＳＡ）＋Ｄ（ＣＲ））≧０．５

Ｄ（ＳＡ）は、物体視野点から放出されたビームペンシルのミラーＭの箇所における部分開口直径であり、Ｄ（ＣＲ）は、結像光学系によって結像される有効物体視野の主ビームのミラーＭの面上の光学系の基準平面内で測定された最大間隔である。基準平面は、結像光学系の対称平面又は子午平面とすることができる。パラメータＰ（Ｍ）の定義は、ＷＯ２００９／０２４１６４Ａ１に示されているものに対応する。視野平面内では、Ｐ（Ｍ）＝０が適用される。瞳平面内では、Ｐ（Ｍ）＝１が適用される。

瞳の近くの配列により、レチクルによって反射された少なくともゼロ次の回折次数の放射線が、各場合に完全に放射線反射領域に当たることを保証することができる。

本発明は、更に、ＥＵＶ投影露光系及びこの種の系のための光学系を改善するという目的に基づいている。

この目的は、請求項１０から請求項１３に記載の特徴によって達成される。

利点は、既に上述したものに対応する。

本発明の更に別の目的は、投影露光系を用いて構成要素を生成する方法、及び本方法によって製造される構成要素を開示することである。本発明により、これらの目的は、請求項１４に記載の製造方法及び請求項１５に記載の構成要素によって達成される。

これらの主題の利点は、既に上述したものに対応する。

本発明の実施形態を図面を用いて以下により詳細に説明する。

ＥＵＶリソグラフィのためのＥＵＶ投影露光系の構成要素の概略図である。図１に記載の投影露光系の照明光及び結像光のビーム経路のレチクルの形態にある投影露光において結像される反射物体の領域内の概略断面拡大図である。図２と同様であるが、別のビーム経路誘導による照明光及び結像光のビーム経路の概略断面拡大図である。本発明による第１の実施形態によるミラーの概略図である。本発明による第１の実施形態によるミラーの概略図である。本発明による更に別の実施形態によるミラーの概略図である。本発明による更に別の実施形態によるミラーの概略図である。ミラーの更に別の実施形態の概略図である。ミラーの更に別の実施形態の概略図である。シュヴァルツシルト光学系との組合せにおける本発明によるミラーの使用概略図である。ミラーの更に別の実施形態の概略図である。

図１は、マイクロリソグラフィのための投影露光系１の構成要素を子午断面に略示している。投影露光系１の照明系２は、ビーム源３以外に、物体平面６の物体視野５を露光するための照明光学系４を含む。物体視野５では、物体視野５に配置され、区画的にしか示していないレチクルホルダ８によって保持されるレチクル７が露光される。

物体視野５を像平面１１の像視野１０に結像するのに、投影光学系９が使用される。レチクル７上の構造は、像平面１１の像視野１０の領域に配置され、同じく略示するウェーハホルダ１３によって保持されたウェーハ１２の感光層上に結像される。

放射線源３は、ＥＵＶ放射線１４を放出するＥＵＶ放射線源である。ＥＵＶ放射線源の放出される有効放射線の波長は、５ｎｍと３０ｎｍの間にある。リソグラフィに使用され、適切な光源に対して利用可能な他の波長も可能である。放射線源３は、プラズマ光源、例えば、ＤＰＰ光源又はＬＰＰ光源とすることができる。シンクロトロンに基づく放射線源を放射線源３として使用することができる。当業者は、この種の放射線源に関する情報を例えばＵＳ６８５９５１５Ｂ２に見出されるであろう。ＥＵＶ放射線源３からのＥＵＶ放射線１４を束ねるために、コレクター１５が設けられる。

ＥＵＶ放射線１４を照明光又は結像光とも呼ぶ。

照明光学系４は、多数の視野ファセット１７を有する視野ファセットミラー１６を含む。視野ファセットミラー１６は、物体平面６と光学的に共役な照明光学系４の平面に配置される。ＥＵＶ放射線１４は、視野ファセットミラー１６によって照明光学系４の瞳ファセットミラー１８に反射される。瞳ファセットミラー１８は、多数の瞳ファセット１９を有する。瞳ファセットミラー１８を用いて、視野ファセットミラー１６の視野ファセット１７は、物体視野５に結像される。

視野ファセットミラー１６上の各視野ファセット１７に対して、瞳ファセットミラー１８上に関連付けられたちょうど１つの瞳ファセット１９が存在する。視野ファセット１７と瞳ファセット１９の間には、各場合に光チャンネルが構成される。視野ミラー１６、１８のうちの少なくとも一方のファセット１７、１９は切換可能にすることができる。これらのファセットは、特に視野ファセットミラー１６、１８上に傾斜可能に配置することができる。この場合、ファセット１７、１９の一部のみ、例えば、最大で３０％、最大で５０％、又は最大で７０％を傾斜可能にすることができる。全てのファセット１７。１９を傾斜可能にするように達成することができる。切換可能ファセット１７、１９は、特に視野ファセット１７である。視野ファセット１７を傾斜させることにより、それぞれの瞳ファセット１９への視野ファセット１７の割り当て、従って、光チャンネルの構成を変更することができる。傾斜可能ファセット１７、１９を有するファセットミラー１６、１８の更なる詳細は、ＤＥ１０２００８００９６００Ａ１を参照されたい。

照明光学系４の更なる詳細は、ＤＥ１０２００８００９６００Ａ１を参照されたい。

照明光学系４及び投影光学系９内のＥＵＶ放射線１４のビーム経路、特に視野ファセットミラー１６及び瞳ファセットミラー１８の構造配列は、図１からは推測することができない。

レチクルホルダ８は、投影露光中に、レチクル７を物体平面６内の変位方向に変位させることができるように制御方式で変位させることができる。それに応じて、ウェーハ１２を像平面１１内の変位方向に変位させることができるように、ウェーハホルダ１３を制御方式で変位させることができる。その結果、レチクル７とウェーハ１２とは、一方を物体視野５を通じて、他方を像視野１０を通じて走査することができる。下記では、変位方向を走査方向とも呼ぶ。レチクル７とウェーハ１２との走査方向の変位は、好ましくは、互いに同期して行うことができる。

投影光学系９は、図１には示していない多数の投影ミラーを含む。投影光学系９は、特に少なくとも３つ、特に少なくとも５つの投影ミラーを含む。投影光学系９は、特に少なくとも６つ、７つ、又は８つの投影ミラーを有することができる。

投影光学系９は、特に、以下により詳細に説明するミラー２０を含む。

ミラー２０は、多数のＥＵＶ放射線透過性領域２２及びそれぞれに関連付けられたＥＵＶ放射線反射領域２３を有するミラー面２４を有するミラー本体２１を有する。ＥＵＶ放射線透過性領域２２に関連付けられたそれぞれのＥＵＶ放射線反射領域２３をＥＵＶ放射線透過性領域２２に対して相補的な領域とも呼ぶ。特に、ミラー２０上のレチクル７によって反射された０回折次数の放射線１４が結像される特定の放射線透過性領域２２に関連付けられた放射線反射領域２３を共役領域２３と呼ぶ。言うまでもなく、ＥＵＶ放射線透過性領域２２に対して相補的であるＥＵＶ放射線反射領域２３は、図での確認のために示すそれぞれ共役な領域２３だけを含むわけではない。原理的に、相補領域は、各場合に全ミラー面２４を含む。

ミラー２０内の放射線透過性領域２２の個数は、特に、瞳ファセットミラー１８上の瞳ファセット１９の個数にちょうど一致する。しかし、これは絶対に必要なことではない。特に、切換可能ファセット１７、１９の場合には、放射線透過性領域２２の個数は、瞳ファセットミラー１８上の瞳ファセット１９及び／又は視野ファセットミラー１６上の視野ファセット１７の個数よりも多くても少なくてもよい。一般的に、ミラー２０は、少なくとも２つのＥＵＶ放射線透過性領域２２を有する。これらは、ミラー本体２１内の貫通開口部として構成される。ＥＵＶ放射線反射領域２３は、反射ミラー面２４のうちで貫通開口部２２から間断なく分離するように構成された部分領域として構成することができる。それらのＥＵＶ放射線反射領域２３は、特に、連結されることができる。それらのＥＵＶ放射線透過性領域２２は、特に、ミラー本体２１において非連結に配置される。ミラー面２４は、凸、平面、又は、凹とすることができる。

放射線透過性領域２２は、ミラー２０の対称軸２５から分離して、特に各ＥＵＶ放射線透過性領域２２を対称軸２５の回りの回転により、各ＥＵＶ放射線透過性領域２２と共役なそれぞれのＥＵＶ放射線反射領域２３に移されることができるように配置される。対称軸２５は、特にミラー面２４に対して垂直である。中心領域では、言い換えれば、対称軸２５が貫通する点の領域では、ミラー２０、言い換えれば、ミラー面２４は特に反射性のものである。原理的には、ミラー２０に中心貫通開口部を設けるように考えることができる。

ミラー２０は、対称軸２５に関して離散した、少なくとも２回の回転対称性を有する。ミラー２０は、特に、奇数、例えば、３回、５回、又は７回転対称性を有することができる。より高い回の対称性も可能である。奇数の回転対称性の場合には、各ＥＵＶ放射線透過性領域２２は、それに共役なそれぞれのＥＵＶ放射線反射領域２３に対する対称軸２５に関して対称に配置される。

貫通開口部２２は、瞳ファセットミラー１８上の瞳ファセット１９の形状にちょうど一致する形状を有する。これらの形状は特に円形である。長円形構成、特に楕円構成も可能である。

ミラー２０上の放射線透過性領域２２の配列及び瞳ファセットミラー１８上の瞳ファセット１９の配列は、有利には互いに対して適合される。

放射線透過性領域２２は、合わせてミラー面２４のうちの最大で５０％、特に最大で４０％、特に最大で３０％、特に最大で２０％、特に最大で１０％を覆う。

図４Ａ、図４Ｂ、及び図５Ａ、図５Ｂに図示の実施形態において、ＥＵＶ放射線透過性領域２２は、対称軸２５の回りの円上に配置される。一般的に、放射線透過性領域２２のうちの少なくとも１つの部分は、対称軸２５の回りの円上に配置される。これらの部分は、円上に特に等距離的に配置される。これらの部分はまた、対称軸の回りの複数の同心円上に配置されることができる。放射線透過性領域２２は、特にその共通重心が対称軸２５と一致するように配置される。放射線透過性領域２２の全体は、外側包絡線３５によって表すことができる。放射線透過性領域２２は、特にミラー２０上でその外側包絡線３５が、全体の区域、言い換えれば、放射線反射領域２３の組合せ、特に全ミラー面２４のうちの少なくとも３０％、特に少なくとも４０％、特に少なくとも５０％、特に少なくとも６０％、特に少なくとも７０％、特に少なくとも８０％、特に少なくとも９０％と重なる区域の境界を定めるように配置される。

図４Ａ、図４Ｂには、例示目的で３つの円形放射線透過性領域２２を有するミラー２０を示している。それに応じて、５つのそれぞれの円形放射線透過性領域２２を有するミラー２０を図５Ａ、図５Ｂに示している。更に、図４Ａ及び図５Ａには例示目的で、放射線透過性領域２２及びそれに共役な放射線反射領域２３を各場合に円で取り囲み、順次番号を振って更に示しており、特定の放射線透過性領域２２に共役なそれぞれの放射線反射領域２３を同じ番号の後にｒを付けて表している。共役領域２３の取り囲み表示は、例示の役割しか達成せず、実際のミラー２０に対するいずれの構造的対応も持たない。特に、全ミラー面２４は、レチクル７の構造と、レチクル７によって反射されるそれに関連した回折次数の放射線１４の位置とに基づいて、ＥＵＶ放射線反射領域２３を形成することができる。放射線透過性領域２２に関連付けられた放射線反射領域２３は、特に重ね合わせ及び／又は連結されるように構成することができる。図４Ａ及び図５Ａに示すミラー２０は、３線回転対称性(three-line rotational symmetry)又は５線回転対称性(five-line rotational symmetry)を有する。従って、放射線透過性領域２２は、各場合にそれに共役な放射線反射領域２３と対称軸２５に関して対称に配置される。

図６に記載の実施形態において、ミラー２０は、円形の放射線透過性領域２２の３つの扇形を有する。

図７に記載の実施形態において、ミラー２０は、円形の放射線透過性領域の４つの扇形を有する。

本発明によるミラー２０の機能を図３に略示している。視野ファセット１７のうちの１つと瞳ファセット１９の間に構成された光チャンネルからのＥＵＶ放射線１４は、各場合にミラー２０を貫通する関連付けられたＥＵＶ放射線透過性領域２２を通過し、レチクル７上で反射され、特に照明光学系４の射出瞳平面であり、投影光学系９の入射瞳平面である瞳平面２６の領域内で、放射線透過性領域２２に共役な放射線反射領域２３上に入射し、そから、投影光学系９を用いて更に反射される。

図２は、例えば、図４Ａ及び図４Ｂに記載のミラー２０によって達成することができるもののようなビーム経路を例示的に示している。各場合に、ミラー２０を貫通する貫通開口部２２のうちの１つを通過するＥＵＶ放射線１４₁、１４₂、及び１４₃を例示的に示している。この点に関して、図２に示すビーム進路は作図面への投影に過ぎず、従って、作図面に対する傾斜を示していないことを示しておく。従って、特にミラー２０を通過するビーム１４₁は、ミラー２０上に反射して戻されるビーム１４₃と一致せず、ビーム１４₃に対して傾斜する。相応に、ミラー２０を通過するビーム１４₃は、ミラー２０上に反射して戻されるビーム１４₁に対して傾斜する。更に、ミラーを通過するビーム１４₂は、ミラー２０上に反射して戻されるビーム１４₂に対して傾斜する。

ミラー２０は、特に投影光学系９内の瞳の近くに配置される。特にＰ（Ｍ）≧０．５、特にＰ（Ｍ）≧０．７、特にＰ（Ｍ）≧０．９が適用される。

ミラー２０は、特に瞳平面２６に配置される。それによって瞳ファセットミラー１８の瞳ファセット１９からミラー２０の領域に入射する放射線１４が、少なくともほぼ集束され、従って、レチクル７上で反射する関係する少なくともゼロ次の回折次数の放射線が、ミラー２０上の所定の限られた領域内に入射することが保証される。例えば、図４、図５、又は図６のいずれか１つに記載の明視野構成の場合には、ミラー２０は、レチクル７上で反射される放射線透過性領域２２からの少なくともゼロ次の回折次数の放射線１４が、ちょうど、放射線透過性領域２２と共役な放射線反射領域２３上に入射し、従って、投影光学系９によって像視野１０に結像されるように構成される。瞳の近くのミラー２０の配列に起因して、照明ビーム経路と結像ビーム経路とを少なくとも部分的に、特に完全に互いから空間的に分離することを提供することができる。この分離は、特に全ての視野点に対して同じである。特に、ゼロ次の回折次数のビーム経路は、互いから空間的に完全に分離した領域内に延びている。

瞳平面２６内へのミラー２０の配列とは別に、瞳平面２６から分離してミラー２０を配置することができる。それによって一般的に照明の視野依存性がもたらされ、言い換えれば、照明は全体の物体視野内でもはや均一ではなくなる。これらの不完全に結像される瞳の効果は、この場合特に、各視野点に対して最小数の回折次数の十分な分量が伝達される限り、「近接効果補正」（ＯＰＣ）として公知の視野依存かつ構造依存の補正法によって完全に補正することができる。この種の補正法では、単一の事例依存のマスクの構造適合により、ウェーハ上のマスクの像が改善される。特に結像誤差が補償され、従って、補正される。

暗視野構成では、レチクル７上で反射されたゼロ次の回折次数の放射線１４は、例えば、図７に示すように、ミラー２０上にちょうど更に別の放射線透過性領域２２上で入射し、従って、ミラー２０によって反射されない。

本発明による光学系２７は、照明光学系４及び投影光学系２８を含む。投影光学系２８は、ＥＵＶ放射線１４の少なくとも一部分が、照明光学系内でＥＵＶ放射線透過性領域２２を通過して誘導されるように、照明光学系４のビーム経路に配置された少なくとも１つのＥＵＶ放射線透過性領域２２を有する少なくとも１つのミラーを含む。従って、言い換えれば、照明光学系４内のビーム経路は、ＥＵＶ放射線１４が、少なくとも１つの放射線透過性領域２２を通過した後にレチクル７によって反射され、レチクル７が、投影光学系９によって像視野１０に結像されるようにもたらされる。特に、投影光学系２８を上述の投影光学系９に従って構成するものとする。

投影露光系１を使用する場合には、レチクル７と、照明光１４に対する感光コーティングを有するウェーハ１２とが準備される。次に、レチクル７の少なくとも１つの部分が、投影露光系１を用いてウェーハ１２上に投影される。従って、レチクルは、ＥＵＶ放射線１４の主ビーム（ＣＲＡ、主光線角度）が、レチクル７上に最大で６°、特に最大で３°、特に最大で１°、特に０°の入射角で入射するようにＥＵＶ放射線１４で照明される。この場合、入射角は、レチクル７を照明する上で使用されるビーム束の主ビームとレチクル７上の法線２９の間の角度として定義される。主ビームの入射角は、特に物体側開口数よりも小さい、すなわち、ＣＲＡ＜ａｒｃｓｉｎ（ＮＡＯ）である。

レチクル７のウェーハ１２上への投影中には、レチクルホルダ８及び／又はウェーハホルダ１３を物体平面６又は像平面と平行な方向に変位させることができる。レチクル７及びウェーハ１２の変位は、好ましくは、互いに対して同期して行うことができる。

最後に、照明光によって露光される感光コーティングが、ウェーハ１２上で現像される。このようにして微細構造化構成要素又はナノ構造化構成要素、特に半導体チップが製造される。

投影露光系内での使用に対する代替として、本発明によるミラー２０は、特に反射リソグラフィマスク又は露光されたウェーハ基板を検査するための検査デバイスに対して使用することができる。投影光学系９の像視野１０は、この場合、検査デバイスの検査物体視野である。

図８に略示すように、本発明によるミラー２０は、シュヴァルツシルト光学系３０、特にシュヴァルツシルトレンズ系との組合せに使用することができる。シュヴァルツシルトレンズ系は、１次ミラー３１と２次ミラー３２とを含む。１次ミラー３１は、特に凸である。２次ミラー３２は、特に凹である。２次ミラー３２は、ＥＵＶ放射線１４に対する貫通開口部３３を有する。

本発明によるミラー２０は、この種の系では折り返しミラーとして設けることができる。ミラー２０は、特に照明光学系４の一部として投影光学系９のビーム経路に、又は投影光学系９の一部として照明光学系４のビーム経路に配置することができる。ミラー２０は交換可能にすることができる。その結果、特に明視野構成と暗視野構成の間で変更することができる。この種の系は、特に反射リソグラフィマスク又は露光されたウェーハ基板を検査するための検査デバイス内に使用することができる。

図９は、ミラー２０ａの反転構成を示している。ミラー２０ａは、多数の放射線反射領域２３を含む。放射線反射領域２３は、位相幾何学的に連結されていない。

放射線反射領域２３は、保持手段３４によって互いに対して保持される。保持手段は、特に支柱様の方式に構成される。これらの保持手段は、直線又は弓形、特に円形の弧とすることができる。これらの保持手段は、編物様の方式で構成することができる。保持手段３４は、可能な限り僅かな遮蔽しかもたらさないように可能な限り細い。保持手段３４は、特に、ミラー２０ａの全体の面のうちの最大でも３０％、特に最大でも２５％、特に最大でも２０％、特に最大でも１５％、特に最大でも１０％、特に最大でも５％を構成する区域しか覆わない。保持手段は、特に、アルミニウム、インバー鋼、チタン、銅、セラミック、又は炭素繊維で作成することができる。保持手段３４は、特に放射線反射領域２３が互いに対して確実に固定されるように寸法決めされる。

原則的に、ミラー２０ａをモノリシックに構成し、すなわち、放射線反射領域２３が位相幾何学的に連結されるように考えることができる。

この実施形態において、様々な、すなわち、異なる放射線反射領域２３に関連付けられた放射線透過性領域２２が位相幾何学的に連結されることができる。これらの放射線透過性領域２２は、特に、保持手段３４から分離して、連結され、特に経路毎に連結されるが、単に連結されるだけのものではない全体領域を形成することができる。言い換えれば、保持手段３４から分離した放射線透過性領域２２の全体領域が、連結され、特に、経路毎に連結される。しかし、個々の放射線透過性領域２２は、保持手段３４によって互いから限られた範囲で、特に、少なくとも部分的に分離される。従って、ミラー２０ａは、同じく多数の、特に少なくとも２つの、特に少なくとも３つの、特に少なくとも４つの放射線透過性領域２２を有する。

ミラー２０ａは、特に、照明光学系４の一部である。ミラー２０ａは、投影光学系９のビーム経路に配置することができる。ミラー２０ａは、特に、投影光学系９内のＥＵＶ放射線１４の少なくとも一部分が、少なくとも１つのＥＵＶ放射線透過性領域２２を通過して誘導されるように投影光学系９のビーム経路に配置される。この場合、放射線反射領域２３は、投影光学系９内で掩蔽絞りとして機能することができる。

この実施形態において、放射線反射領域２３は、放射線反射領域２３によってレチクル７上に反射される放射線１４が、レチクル７上での反射の後に、言い換えれば、投影光学系９のビーム経路内でちょうど放射線透過性領域２２の上に当たるように配置される。これは、すなわち、レチクル７上で反射された所定の回折次数、特にゼロ次の回折次数の放射線１４が放射線透過性領域２２の上に当たることを意味すると考えられたい。言うまでもなく、放射線反射領域２３は、ゼロ次の回折次数に加えて又はその代わりに、レチクル７上で反射された±１次の回折次数の放射線１４が放射線透過性領域２２の上に当たるようにミラー２０ａ上に配置することができる。

Claims

ＥＵＶ投影露光系（１）のための光学系（２７）であって、
ＥＵＶ放射線（１４）で物体視野（５）を照明するための第１の光学系（４）であって、
第１の光学系（４）が、少なくとも１つの瞳ファセットミラー（１８）を有し、かつ
第１の光学系（４）内のＥＵＶ放射線が、特定の照明設定を生成する少なくとも１つの特定のビーム進路を有する、
前記第１の光学系（４）と、
前記物体視野（５）を像視野（１０）に結像するための第２の光学系（９）と、
を含み、
前記光学系（４，９）のうちの少なくとも一方が、この光学系（９，４）内の前記ＥＵＶ放射線（１４）の少なくとも一部が、少なくとも１つのＥＵＶ放射線透過性領域（２２）を通過して誘導されるように、それぞれの他方の光学系（９，４）のビーム経路に配置された少なくとも１つのＥＵＶ放射線透過性領域（２２）を備えた少なくとも１つのミラー（２０；２０ａ）を含む、
ことを特徴とする光学系（２７）。
前記第１の光学系は、照明光学系（４）であり、前記第２の光学系は、投影光学系（９）であり、該投影光学系（９）は、該照明光学系（４）内の前記ＥＵＶ放射線（１４）の少なくとも一部が、少なくとも１つのＥＵＶ放射線透過性領域（２２）を通過して誘導されるように、該照明光学系（４）の前記ビーム経路に配置された少なくとも１つのＥＵＶ放射線透過性領域（２２）を備えた少なくとも１つのミラー（２０）を含むことを特徴とする請求項１に記載の光学系（２７）。
前記ミラー（２０）は、
少なくとも１つのＥＵＶ放射線反射領域（２３）、及び
少なくとも２つのＥＵＶ放射線透過性領域（２２）、
を有するミラー本体（２１）、
を備え、
前記放射線透過性領域（２２）は、前記ミラー本体（２１）において非連結に配置され、
前記放射線透過性領域（２２）は、前記少なくとも１つの放射線反射領域（２３）の全体のうちの少なくとも３０％と重なる区域の境界を定める包絡線（３５）を有することを特徴とする請求項２に記載の光学系（２７）。
前記投影光学系（９）の前記ミラー（２０）は、瞳の近くに配置されることを特徴とする請求項３に記載の光学系（２７）。
ＥＵＶ放射線源（３）と、
請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の光学系（２７）と、
を含むことを特徴とするＥＵＶ投影露光系（１）。
微細構造化又はナノ構造化構成要素を生成する方法であって、
レチクル（７）を準備する段階と、
感光コーティングを備えたウェーハ（１２）を準備する段階と、
請求項５に記載の投影露光系（１）を用いて前記レチクル（７）の少なくとも一部分を前記ウェーハ（１２）上に投影する段階と、
前記ウェーハ（１２）上の前記露光された感光コーティングを現像する段階と、
を有することを特徴とする方法。