KR102344281B1 - 콜렉터 - Google Patents

콜렉터 Download PDF

Info

Publication number
KR102344281B1
KR102344281B1 KR1020167009502A KR20167009502A KR102344281B1 KR 102344281 B1 KR102344281 B1 KR 102344281B1 KR 1020167009502 A KR1020167009502 A KR 1020167009502A KR 20167009502 A KR20167009502 A KR 20167009502A KR 102344281 B1 KR102344281 B1 KR 102344281B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
collector
imaging
radiation source
mirror
optics
Prior art date
Application number
KR1020167009502A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160055228A (ko
Inventor
마르쿠스 데귄테르
Original Assignee
칼 짜이스 에스엠티 게엠베하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 filed Critical 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하
Publication of KR20160055228A publication Critical patent/KR20160055228A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102344281B1 publication Critical patent/KR102344281B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B19/00—Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics
    • G02B19/0004—Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the optical means employed
    • G02B19/0019—Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the optical means employed having reflective surfaces only (e.g. louvre systems, systems with multiple planar reflectors)
    • G02B19/0023—Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the optical means employed having reflective surfaces only (e.g. louvre systems, systems with multiple planar reflectors) at least one surface having optical power
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B19/00—Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics
    • G02B19/0033—Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the use
    • G02B19/0095—Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the use for use with ultraviolet radiation
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/08—Mirrors
    • G02B5/09—Multifaceted or polygonal mirrors, e.g. polygonal scanning mirrors; Fresnel mirrors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70075—Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/7015—Details of optical elements
    • G03F7/70175—Lamphouse reflector arrangements or collector mirrors, i.e. collecting light from solid angle upstream of the light source
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/702—Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
    • G21K1/06—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K2201/00—Arrangements for handling radiation or particles
    • G21K2201/06—Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements
    • G21K2201/064—Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements having a curved surface

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Lenses (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

콜렉터(15)는 방사선원 영역으로부터 조명 옵틱스로 EUV 조명광을 전달하는 역할을 한다. 콜렉터의 이미징 옵틱스(26)는 다운스트림 초점 영역의 방사선원 영역(3)을 이미징한다. 상기 이미징 옵틱스(26)는 방사선원(3)이 적어도 하나의 제 1 이미징 스케일로 EUV 조명광 (14)에 의해 이미징되고, 상기 EUV 조명광(14)은 상기 방사선원 영역(3)과 상기 다운스트림 초점 영역 사이에서 20°미만의 빔 각도로 방출되는 방식으로 그리고 상기 방사선원(3)은 70°보다 큰 빔 각도로 방출되는 상기 조명광(14)에 의해 적어도 하나의 제 2 이미징 스케일로 이미징되는 방식으로 구현된다. 한편으로, 20°미만의 그리고 다른 한편으로 70°보다 큰 빔 각도에 대한 2개의 이미징 스케일은 2.5 미만의 인수로 상이하다. 상응하는 콜렉터에 더하여, 조명 시스템은 필드 패싯 전달 옵틱스를 포함한다. 한편으로 제 1 콜렉터 이미징 스케일과 제 1 패싯 이미징 스케일의 곱은 다른 한편으로 제 2 콜렉터 이미징 스케일과 제 2 패싯 이미징 스케일의 곱은, 상기 빔 각도와 개별적으로 관련되며 2.5 인수 이하로 상이하다. 이러한 결과는 조명 또는 오브젝트 필드 내로의 상기 EUV 조명광의 효율적인 전달이 보장되는 콜렉터이다.

Description

콜렉터{COLLECTOR}
독일 특허 출원 제 10 2013 218 132.9의 내용은 본 명세서에서 참조로서 통합된다.
본 발명은 콜렉터에 의해 집광된 EUV 조명광을 오브젝트 필드로 가이드하는 조명 옵틱스를 갖는 조명 시스템에 관한 것이다. 더욱이, 본 발명은 방사선원 영역으로부터 조명 옵틱스를 향하여 EUV 조명광을 전달하기 위한 콜렉터, 이러한 조명 시스템을 갖는 투영 노광 장치, 투영 노광 장치를 갖는 마이크로구조화된 또는 나노 구조화된 구성요소의 제조 방법 및 상기 방법에 의해 제조된 구성요소에 관한 것이다.
도입부에 상술된 형태의 콜렉터는 US 6,507,440 B1, DE 10 2010 063 530 A1, WO 2011/138259 A1, from US 7,075,712 B2, US 7,501,641 B2, US 2006/0176547 A1, US 2006/0120429 A1, US 7,075,713 B2, EP 1 469 349 A1, US 2008/0266650 A1, WO 2007/045 434 A2, US 6,438,199 B1, US 5,339,346 A, EP 1 650 786 B1, DE 10 2011 084 266 A 및 WO 2013/053 692 A로부터 알려져 있다.
본 발명의 목적은 특히 조명 시스템의 부분으로서, 조명 필드 또는 오브젝트 필드내로의 EUV 조명광의 효율적인 전달을 보장하는, 도입부에 상술된 형태의 콜렉터를 개발하는 것이다.
본 발명에 있어서, 상기 목적은 청구항 1에 명시된 특징을 갖는 조명시스템에 의해 그리고 청구항 2에 명시된 특징을 갖는 콜렉터에 의해 성취된다.
본 발명에 따라, 방사선원에 의해 방출된 EUV 조명광의 빔 경로에 대한 콜렉터 이미징 옵틱스의 이미징 스케일의 적응의 결과, 다운스트림 초점 영역의 단면에서 유리하게 낮은 변형이 존재한다. 이것은 유리하게 높은 동공 충전을 갖는, 콜렉터의 다운스트림에 배치된 조명시스템의 동공 조명을 가능하게 한다. 조명 시스템에서, 인터포징된 다운스트림 초점영역을 통해 동공 패싯 상으로 방사선원 영역을 이미징할 시 스케일 변화는 콜렉터 이미징 옵틱스와 필드 패싯 전달 옵틱스 사이에서 분리되어서 전체 이미지의 스케일 변화는 유리하게 작게 유지된다. 콜렉터 이미징 스케일과 관련된 패싯 이미징 스케일 사이의 곱은 동공 패싯을 향하여 조명 광의 모든 광 경로에 대하여 2.25의 인수 이하로, 2.0의 인수 이하로, 1.9의 인수 이하로, 1.8의 인수 이하로, 1.7의 인수 이하로, 1.6의 인수 이하로, 또는 1.5의 인수 이하로 또는 심지어 1.25의 인수 이하로 상이할 수 있다. 이것은 콜렉터와 관련하여 또한 설명되는 장점을 이끌어 낸다.
현안에 대한 해결책의 맥락으로 상기 논의된 이미징 스케일은 빔 각도의 하나의 영역에 대하여 개별적으로 평균이되는 이미징 스케일이다. 이미징 스케일 지역 이미징 스케일이다.
콜렉터는 45°미만의 입사각으로 EUV 조명광을 가이드하기 위하여 구현될 수 있고, 즉, 이것은 조명광의 실질적으로 수직 입사(NI)를 위한 콜렉터로서 구현될 수 있다.
콜렉터 상의 조명 광의 입사각은 40°미만의, 35°미만의, 30°미만의, 25°미만의, 22.5°미만의 또는 20°미만이 될 수 있다. 특히, 콜렉터 상의 모든 입사각은 상기 기재된 상한보다 작을 수 있다.
한편으로 20°미만의 빔 각도에 대한 이미징 스케일 그리고 다른 한편으로 70°보다 큰 빔 각도에 대한 이미징 스케일은 2.25의 인수 이하로, 2.0의 인수 이하로, 1.9의 인수 이하로, 1.8의 인수 이하로, 1.7의 인수 이하로, 1.6의 인수 이하로, 1.5의 인수 이하로 그리고 심지어 1.25의 인수 이하로 본 발명에 따른 콜렉터에서 상이할 수 있다.
청구항 3에 기재된 콜렉터에서, 이미징 스케일의 변화는 콜렉터 이미징 미러에 의해 표적화된 방식으로 최소화되며 이것은 다운스트림 초점 영역의 단면 크기의 조화를 보장한다. 각각의 콜렉터 이미징 미러의 최대 이미징 스케일과 최소 이미징 스케일 사이의 비는 최대 1.9, 최대 1.8, 최대 1.7가 될 수 있으며 예컨대, 1.67의 영역에 놓일 수 있다.
청구항 4에 기재된 링 미러는 회전 대칭으로 방출하는 방사선원 영역을 기록할 시에 대칭에 잘 적응된다. 링 미러는 서로 내에서 동축으로 놓일 수 있다.
청구항 5에 기재된 타원형 미러 표면은 비교적 적은 비용으로 제조될 수 있다.
청구항 6에 기재된 구면 옵틱스는 콜렉터에 의해 얻을 수 있는 방사선원 주변의 입체각 영역을 증가시킨다.
청구항 7에 기재된 조명 시스템의 장점은 본 발명에 따른 콜렉터에 관하여 상기 이미 기재된 장점에 상응한다. 빔 경로, 특히 필드 패싯 미러의 업스트림의 방사선원의 중간 이미징이 생략되며, 이것은 조명 시스템의 광학 설계를 간소화한다.
청구항 8에 기재된 바와 같은 수축 영역은 그의 다운스트림에 배치된 조명시스템의 조명 모듈로부터의 방사선원 모듈의 분리를 가능하게 한다. 방사선원의 구성요소에 의해 방출된 딸려온(carried-along) 이물질은 이러한 방식으로 더욱 쉽게 억제될 수 있다. 수축 영역은 조명 시스템의 수축 영역의 다운스트림에 배열되는 다운스트림 초점 영역과 더는 일치하지 않는다.
청구항 9에 기재된 별도의 콜렉터 미러는 수축 효과 및 수축의 지역에서의 논 이미징 효과를 갖는 콜렉터 이미징 옵틱스의 제조를 간소화한다. 콜렉터 미러는 자유형 표면으로 기재된 미러 표면을 가질 수 있다. 여기서, 자유형 표면은 회전 대칭 함수에 의해 수학적으로 기재될 수 없는 표면이다. 이것의 예시는 WO 2012/013 241 A1 및 본 명세서에서 언급된 참조에서 제공된다. 콜렉터 미러는 콜렉터 미러 상의 조명 광의 최대 입사각이 45°미만이 되는 방식으로 구현되고 배열될 수 있다.
청구항 10에 기재된 에지 윤곽 설계는 조명 시스템의 조명광의 효율적인 가이던스를 야기한다.
청구항 11에 기재된 콜렉터 미러의 직사각형 또는 정사각형 에지 윤곽에 대한 대안으로서, 콜렉터 미러의 에지 윤곽은 또한 6각형 실시예를 가질 수 있다.
청구항 12에 기재된 투영 노광 장치, 청구항 13에 기재된 제조 방법 및 청구항 14에 기재된 마이크로구조화된 또는 나노구조화된 구성요소의 장점은 본 발명에 따른 콜렉터 또는 본 발명에 따른 조명 시스템을 참조하여 상기 이미 기재된 장점에 상응한다.
본 발명의 예시적인 실시예는 도면을 기초로 이하에서 더욱 상세히 기재된다.
도 1은 EUV 조명 옵틱스 및 EUV 콜렉터를 갖는 EUV 조명 시스템을 갖는, EUV 투영 리소그래피를 위한 투영 노광 장치의 자오 단면을 개략적으로 도시한다.
도 2는 그 일부가 링 미러로서 구현되는, 서로로부터 분리되어 배열되는 복수의 콜렉터 이미징 미러를 갖는 EUV 콜렉터의 일 실시예의 자오 단면을 도시한다.
도 3은 일부는 링 미러로서 구현되는, 서로로부터 분리되어 배열되는 복수의 콜렉터 이미징 미러 그리고 마찬가지로 링 미러로서 구현되는 구면 옵틱스를 추가로 갖는 콜렉터의 추가 실시예의 투시도이다.
도 4a 및 도 4b는 먼저, 광학 축에 대한 작은 빔 각도로 조명광의 구성요소를 갖고 다음으로 상호 수직의 공간 좌표 위에서 플로팅되는 강도 다이어그램에서 각각의 경우에 표시되는 광학축에 대하여 큰 빔 각도를 갖는 조명 광 구성요소를 갖는 도 3에 따른 콜렉터에 의해 생성된 방사선원 영역의 이미지를 도시한다.
도 5는 콜렉터, 필드 패싯 미러 - 이것의 2개의 필드 패싯이 도 5에서 도시됨 - 및 동공 패싯 미러 - 이것의 2개의 동공 패싯이 도 5에 도시됨 - 의 실시예와 함께 조명 시스템의 추가 실시예의 일부를 마찬가지로 자오 단면으로 상당히 개략적으로 도시하고, 여기서 콜렉터 이미징 옵틱스의 방사선원 영역의 제 1 이미징은 동공 패싯 미러의 영역에 놓인, 그의 다운스트림에 배치된 초점 영역의 방사선원 영역 뒤의 광 경로에서 발생한다.
도 6은 도 5에 따른 조명 시스템의 일 실시예의 투시도이며, 필드 패싯과 동공 패싯의 반사 효과는 생략되고 EUV 조명광의 빔 경로는 도 5에 따른 콜렉터의 서로로부터 분리되어 배열되는 복수의 콜렉터 이미징 미러의 다운스트림 초점 영역에서 가능한 멀게 도시된다.
도 7a 및 도 7b은 먼저 9×9개의 콜렉팅 이미지 미러의 그리드를 갖고 다음으로 19×19개의 이미징 미러의 그리드를 갖는, 도 5 및 도 6에 다른 콜렉터의 실시예에 대한 원거리장 강도 분포를 도시하며, 각각 도 5의 강도 표시와 유사하다.
도 8 콜렉터, 필드 패싯 미러 및 동공 패싯 미러를 갖는 조명 시스템의 추가 실시예를 도시하며, 필드 패싯 미러의 반사 효과는 개선된 시각화를 위하여 생략된다.
도 9는 콜렉터의 콜렉터 이미징 미러와 필드 패싯 미러의 필드 패싯 사이에서 도 8에 따른 조명 시스템의 조명광의 예시적인 빔 경로의 투시도이다.
도 10은 서로로부터 분리되어 배열된 복수의 콜렉터 미러의 콜렉터 미러의 미러 표면의 에지 윤곽의 일 실시예를 개략적으로 도시하고, 이러한 에지 윤곽은 아치형 필드 패싯을 갖는 필드 패싯 미러의 하나의 실시예의 서로 옆에 놓인 2개의 필드 패싯으로 만들어진 필드 패싯 그룹의 에지 윤곽과 유사하다.
도 11는 콜렉터와 필드 패싯 미러 사이의 광학 축의 방향으로 볼 때, 도 9에 따른 콜렉터의 개별적인 콜렉터 이미징 미러와 도 9에 따른 필드 패싯 미러의 필드 패싯 사이의 조명 광의 광 경로를 예시적인 방식으로 도시하고, 여기서 방사선원 영역의 다운스트림에 배치되고 콜렉터 이미징 미러에 의해 생성되는 제 1 초점 영역의 배열은 또한 각각의 경우에 도시된다.
도 1은 자오 단면으로 마이크로리소그래피를 위한 EUV 투영 노광 장치를 개략적으로 도시한다. 투영 노광 장치(1)의 조명 시스템(2)은 방사선원 또는 광원(3) 외에 오브젝트 평면(6)의 오브젝트 필드 또는 조명 필드(5)의 노광을 위한 조명 옵틱스(4)를 갖는다. 여기서, 오브젝트 필드(5)에 배열되고 레티클 홀더(8)(오직 본 섹션에서만 도시됨)에 의해 홀딩되는 레티클(7)이 노광된다. 투영 광학 유닛(9)은 이미징 평면(11)의 이미지 필드(10) 내로 오브젝트 필드(5)를 이미징하는 역할을 한다. 레티클(7) 상의 구조는 여기서 마찬가지로 개략적으로 도시되는 웨이퍼 홀더(13)에 의해 홀딩되는 웨이퍼(12)의 감광성 층 상에 이미징되고, 상기 웨이퍼는 이미지 평면(11)의 이미지 필드(10)의 영역에 배열된다. 함께, 조명 옵틱스(4) 및 투영 옵틱스(9)는 투영 노광 장치(1)의 광학 시스템을 형성한다.
방사선원(3)은 5nm와 30nm의 범위로 방출되고 사용되는 방사선을 갖는 방사선원이다. 여기서, 이것은 플라즈마원, 특히 LPP (레이저 생성 플라즈마)원이 될 수 있다. EUV 방사선원은 또한, 예컨대, DPP(가스 방전 생성 플라즈마)원이 될 수 있다. 방사선원(3)으로부터 발산하는 EUV 방사선(14)은 도 1에서 블록으로 개략적으로 도시되는 콜렉터(15)에 의해 수광되고 집광된다. 콜렉터(15)는 이하에서 더욱 상세히 기재될 것이다. EUV 방사선(14)은 이하에서 사용된 방출로서, 조명 광으로서 또는 이미징 광으로서 지칭된다. 콜렉터(15)의 다운스트림에서, EUV 방사선(14)은 필드 패싯 미러(17)상에 입사하기 전에, 도 1에 따른 실시예의 중간 초점 평면(16)을 통해 전파한다. 이러한 중간 초점 평면(16)은 필수는 아니다. 단일 중간 초점 대신에, 도 1에서 개략적으로 도시된 바와 같이, 다양한 평면에서 복수의 중간 초점 또는 다른 비점수차 초점에 있어서 또는 중간 초점이 없이도 존재하는 것이 가능하며 이는 이하에서 설명될 것이다. 필드 패싯 미러(17)는 오브젝트 평면(6)에 광학적으로 켤레인 조명 옵틱스(4)의 평면(18)에 배열된다. 이러한 평면(18)에서 콜렉터(15)로부터의 사용된 방사선(14)을 전달함으로써 형성된 EUV 방사선(14)의 조명 원거리장(19)이 존재한다. 전체 필드 패싯 미러(17)의 갭이 없는 조명이 성취될 수 있다.
필드 패싯 미러(17)의 다운스트림에서, EUV 방사선(14)은 동공 패싯 미러(20)에 의해 반사된다. 동공 패싯 미러(20)는 투영 옵틱스(9)의 동공 평면에 관하여 광학적으로 켤레인 조명 옵틱스(4)의 동공 평면에 배열된다. 광학 어셈블리의 도움으로, 빔 경로의 순서로 지정된 미러(22, 23 및 24)를 갖는 추가 전달 옵틱스(21)의 형태인 동공 패싯 미러(20)를 이미징하여, 필드 패싯 미러(17)의 필드 패싯은 서로에게 수퍼임포징되는 방식으로 오브젝트 필드(5) 상으로 이미징된다. 전달 옵틱스(21)의 마지막 미러(24)는 그레이징 입사 미러, 즉, 45°보다 훨씬 크고 60°보다 클 수 있는 EUV 방사선의 입사각을 갖는 미러이다. 동공 패싯 미러(20) 및 전달 옵틱스(21)는 오브젝트 필드(5) 내로 조명광(14)을 전달하기 위한 연속하는 옵틱스를 형성한다. 특히 동공 패싯 미러(20)가 투영 옵틱스(9)의 입사 동공에 배열될 경우, 전달 옵틱스(21)가 생략되는 것이 가능하다. 동공 패싯 미러(20)는 이로써 조명 필드(5)내로 필드 패싯 미러(17)의 필드 패싯의 수퍼 포징된 이미징을 위한 전달 옵틱스만을 구성한다.
위치 관계의 기재를 간소화하도록, 도 1은 오브젝트 평면(6)과 이미지 평면(11) 사이의 투영 노광 장치(1)의 구성요소의 위치 관계의 기재를 위한 전역 좌표계로서 카테시안 xyz-좌표계를 플로팅한다. 도 1에서, x-축은 도면의 평면에 수직으로 그리고 평면 내로 연장한다. y-축은 도 1에서 우측으로 나아간다. 도 1에서, z-축은 아래로, 즉 오브젝트 평면(11) 및 이미지 평면(11)에 수직으로 연장한다. 더욱이, 지역 xyz-좌표계는 사용된 방사선(14)의 빔 경로를 따라 때때로 명시된다. 각각의 경우에 지역 좌표계의 x-축은 사용된 방사선(14)의 빔 방향을 명시한다. 지역 좌표계의 x-축은 일반적으로 전역 좌표계의 x-축에 평행하게 연장한다. 지역 좌표계의 배향에 따라, 지역 좌표계의 y-축은 전역 좌표계의 y-축에 관하여 경사진다.
레티클 홀더(8) 및 웨이퍼 홀더(13)는 제어 가능한 방식으로 모두 변위가능하여, 투영 노광 동안, 레티클(7) 및 웨이퍼(12)는 변위 방향, 즉, 전역 xyz-좌표계의 y-방향을 따라 오브젝트 필드(5)와 이미지 필드(10)를 통하여 스캐닝된다. 아래에서, 변위 방향(y)은 스캐닝 방향으로 또한 지칭된다.
EUV 콜렉터(15)는 EUV 방사선원(3)으로부터 EUV 원거리 장(19)으로 사용된 방사선(14)을 전달하는 역할을 한다. EUV 원거리 장(19)에서, 필드 패싯 미러(17)는 조명 필드(5)내로 상기 사용된 방사선(14)을 전달하는 추가 EUV 미러 구성요소로서 배열된다.
도 2는 자오 단면으로 콜렉터(15)의 일 실시예를 도시한다. 도 1을 참조하여 상기 이미 기재된 구성요소 및 기능은 동일한 참조 번호를 가지며 다시 논의되지 않을 것이다. 지역 카테시안 xyz-좌표계는 도 2에서 플로팅된다. 도 2에 따른 좌표계의 x-축은 도 1에 따른 전역 좌표계의 x-축에 평행하게 연장하며 도 2의 도면의 평면에 수직하고 평면 밖으로 연장한다. y-축은 도 2에서 위로 연장한다. 도 2에서, z-축은 좌측으로 연장하고 콜렉터(15) 뒤의 조명광(14)의 빔 경로의 주 광선 방향에 평행하게 연장한다. z-축은 광원(3), 예컨대 방사선원 영역으로도 지칭되는 방출 플라즈마 볼륨과 중간 초점(25)(도 1 참조) 사이의 연결선을 따라 연장한다. 동시에, 방사선원 영역(3)과 그의 다운스트림에 배치된 초점 영역(25) 사이의 이러한 연결선은 콜렉터(15)의 광학 축(oA)을 구성한다. 중간 초점(25)은 다운스트림 초점 영역을 구성한다. 이러한 다운스트림 초점 영역(25)에서, 콜렉터(15)는 콜렉터 이미징 옵틱스(26)의 도움으로 방사선원 영역(3)을 이미징한다.
콜렉터(15)는 z-축을 기준으로 회전 대칭하는 방식으로 구현된다.
콜렉터 이미징 옵틱스(26)는 서로로부터 분리되어 배열되는 복수의 콜렉터 이미징 미러(27n)를 갖고, 이 중 3개의 최 내측 콜렉터 이미징 미러(271, 272 및 273)는 도 2의 자오 단면에서 파선으로 양의 y 값의 절반 공간에서 도시된다. 최내측 콜렉터 이미징 미러(271)와 별개로, 모든 기타 콜렉터 이미징 미러(27n)는 링 미러로서 구현된다. 링 미러(27n)는 서로 내에서 동축으로 놓이도록 배열된다. z-축에 가장 가까운 최내측 콜렉터 이미징 미러(271)는 타원형 쉘(shell)로 구현된다. z-축에 의해 교차되는 곳에서, 후자는 방사선원 영역(3)에서 플라즈마를 점화하기 위한 레이저 빔을 위한 통로 개구를 가질 수 있고, 이것은 도 2에는 도시되지 않는다. 추가 콜렉터 이미징 미러(272 내지 27n)는 결국 각각 타원형 미러 표면을 갖고, 이것은, 도 2에서 양의 y 값의 절반에서, 콜렉터 이미징 미러(272, 273 및 27n)에 대하여 파선으로 표시된다.
도 2에서, 콜렉터 이미징 미러(27n)로의 세분은 지그재그형의(jagged) 완전한 선으로 표시되며, 이것의 선의 부분은 각각의 경우에 직선이며 이것은 파선 미러 표면과 일치하지 않는다.
콜렉터 이미징 미러(271)는 55°미만의 빔 각도(α1)를 갖는 방사선원 영역(3)에 의해 방출되는 EUV 조명광(14)을 수신한다. 콜렉터 이미징 미러(272) 즉, 콜렉터(15)의 제 2 타원형 쉘과 동시에, 제 1 링 미러는, 55°과 대략 73°사이의 빔 각도 범위(α2)의 방사선원 영역(3)에 의해 방출된 조명광(14)을 수신한다. 다음의 콜렉터 이미징 미러(273)는 대략 73°과 90°사이의 빔 각도 범위(α3)의 방사선원 영역(3)에 의해 방출되는 조명 광(14)을 수신한다. 이하의 콜렉터 이미징 미러(274 내지 27n)는 90°와 대략 145°의 빔 각도 범위를 포함하는 개별적으로 할당된 빔 각도 범위(αn)를 갖는 방사선원 영역(3)에 의해 방출되는 조명 광(14)을 수신한다. 그러므로, 콜렉터 이미징 미러(271 는 27n)는 각각 방사선원 영역(3)으로부터 EUV 조명광(14)의 구성요소를 요하고, EUV 조명광은 방사선원 영역(3)과 그의 다운스트림에 배치된 초점 영역(25) 사이의 광학축(oA)에 관하여 빔 각도(αn)의 각도로 방출되는 방식으로 구현된다.
특히, 최내측 콜렉터 이미징 미러(271)는 방사선원 영역(3)과 그의 다운스트림에 배치된 초점 영역(25) 사이의 광학축(oA)에 관하여 20°미만의 빔 각도로 방사선원 영역(3)에 의해 방출되는 EUV 조명광(14)을 이미징한다.
최내측 콜렉터 이미징 미러(271)에 의한 이러한 이미징은 제 1 이미징 스케일(β1)으로 실현된다.
이미징 스케일(β)은 지역 이미징 스케일이다. 그러므로, 이미징 스케일(β)은 이미징될 지역이 축소되거나 확대되는 비를 특정한다.
콜렉터 이미징 미러(272)는 제 2 이미징 스케일(β2)로 빔 각도 범위(α2)에서 그 상에 입사하는 조명 광(14)을 이미징한다. 제 2 콜렉터 이미징 미러(272)에 의해 이미징되는 조명 광은 광학축(oA)에 관하여 70°보다 큰 빔 각도로, 즉 70°에서 73°의 빔 각도 범위로 방사선원 영역(3)에 의해 방출되는 조명광(14)을 포함한다.
콜렉터 이미징 미러(271 및 272)에 의해 개별적으로 이미징되는, 먼저 20°미만의 빔 각도로 그리고 다음으로 70°보다 큰 빔 각도로 방출되는 조명광(14)의 이러한 구성요소는 도 2에서 141 및 142에서 음영으로 표시된다.
먼저 20°미만의 빔 각도로 다운스트림 초점 영역(25) 내로 최내측 콜렉터 이미징 미러(271)에 의해 이미징되는 EUV 조명광에 대한, 그리고 70°보다 큰 빔 각도로 제 2 콜렉터 이미징 미러(272)에 의해 이미징되는 조명광(14)에 대한 2개의 이미징 스케일(β1 ,20 및 β2 ,70), 즉, 이러한 빔 각도 범위에 대한 이미징 스케일(β1 및 β2)은, 2.5의 인수 이하로 상이하다.
콜렉터(15)의 실시예에 따라, 이미징 스케일들(β1 ,20 및 β2 ,70) 사이의 차이는 또한 2.25 이하, 2.0 이하, 1.9 이하, 1.8 이하, 1.7 이하, 1.6 이하 그리고 또한 1.5 이하가 될 수 있다. 이미징 스케일들(β1 ,20 및 β2 ,70) 사이의 이러한 최대 차이에 따라, 중간 초점 영역(25)의 크기에 있어서 상응하게 작은 차가 발생하고, 이것은 먼저 콜렉터 이미징 미러(271)에 의해 방사선원 영역(3)을 먼저 이미징하고 다음으로 콜렉터 이미징 미러(272)에 의해 이미징함으로써 생성된다. 상이한 빔 각도에 대하여 빔 각도(α)로 적응된 이미징 스케일에 의해 감소된 이미징 스케일 변형의 결과, 그러므로, 방사선원 영역(3)으로부터 상이한 빔 각도(α1)에 의해 방출된 조명 광 구성요소에 대하여 중간 초점 영역(25)(도 1을 참조)에서의 다양한 방사선원 이미지의 크기의 상응하게 감소된 변화가 존재한다. 전체적으로, 이것은 더 작은 변화를 갖는 중간 초점 영역(25)을 이끌어 낸다.
따라서, 제 3 콜렉터 이미징 미러(273)에 대한 이미징 스케일(β3)은 조명광(14)의 빔 각도(α3)에 또한 적응되므로, 이미징 스케일(β1 ,20 및 β2 , 70)에 비해, 이것은 작은 이미징 스케일 차를 다시 한번 야기한다.
각각의 콜렉터 이미징 미러(27n)의 이미징 스케일(βn)은 콜렉터 이미징 미러(27n) 상의 조명광(14)의 개별적인 빔 각도(αn)에 따라 최소 이미징 스케일(βn,min)과 최대 이미징 스케일(βn,max) 사이에서 변화한다. 동일한 콜렉터 이미징 미러(27n) 상의 이러한 이미징 스케일 사이의 비(βn,max/βn,min)에 βn,max/βn,min ≤ 2가 적용된다. 실시예에 따라, 이러한 비는 또한 1.9 이하, 1.8 이하, 1.7 이하 그리고 예컨대 1.67이 될 수 있다.
도 2에 따른 실시예에서, 각각의 콜렉터 이미징 미러(27n)에 대한 정규화된 스케일 변화(βn/β0)는 간격[0.75, 1.25]에 놓인다. 여기서, 전체적으로 콜렉터(15)에 대하여 미리 결정된 β0는 표준 이미징 스케일이다.
도　3은 도 1 및 도 2에 따른 콜렉터(15)대신에 사용될 수 있는 콜렉터(28)의 추가 실시예를 도시한다. 도 1 및 도 2를 참조하여 이미 설명된 것과 상응하는 구성요소 및 기능은 동일한 참조번호를 가지며 이하에서 다시 논의되지 않는다.
콜렉터(28)는 3개의 내부 콜렉터 이미징 미러(271, 272 및 273)를 갖고, 이들은 도 2와 관련하여 상기 이미 기재된 것에 상응하는 설계를 갖는다. 90°의 최대 빔 각도(α3,max)까지의 빔 각도 범위(α)는 3개의 콜렉터 이미징 미러(271 내지 273)에 의해 얻어지고, 즉 이것은 도 2에 따른 콜렉터(15)의 링 미러(271 내지 273)에 의해 얻어지는 것과 동일한 빔 각도 범위이다.
추가 링 미러(27n) 대신에, 콜렉터(28)는 방사선원 영역(3)의 영역에 놓인 방사선원 이미지 영역(3')의 그 자체 상에 실질적으로 방사선원 영역(3)을 이미징하는 구면 옵틱스(29)를 갖고, 즉, 이것은 후자와 일치하거나 후자에 매우 인접하다. 콜렉터(28)의 경우에, 이러한 구면 옵틱스(29)는 마찬가지로 링 미러로서 구현되고 빔 각도(α)의 범위를 포함하며, 이것에 의해 조명 광은 90°에서 대략 140°사이로 방사선원 영역(3)에 의해 방출된다. 구면 옵틱스(29)에서, 조명광(14)은 그 자체 상으로 다시 반사되며 이것은 후속하여 도 2와 관련하여 먼저 기재된 바와 같이 중간 초점 영역(25) 내로 콜렉터 이미징 미러(271 내지 273)에 의해 방사선원 영역(3')으로부터 이미징된다.
도 4는 중간 초점 평면(16)의 조명광(14)의 빔의 구성요소의 xy-단면, 즉, 중간 초점 영역(25)의 개별적인 구성요소의 단면을 예시적인 방식으로 도시한다.
이러한 경우에, 도 4a는 작은 빔 각도, 예컨대 10°이하의 빔 각도(α)로 콜렉터 이미징 미러(271)에 의해 반사되는 조명 광(14)의 빔의 구성요소를 도시한다. 중간 초점 영역(25)의 조명광(14)의 관련된 구성요소의 직경은 자의적인 유닛에서 4.0이다. 이러한 직경은 또한 D0로도 지칭된다.
도 4b는 90°의 영역의 빔 각도(α)로 콜렉터 이미징 미러(273)에 의해 중간 초점 영역(25) 내로 이미징되는 조명광(14)의 빔의 구성요소에 대한 상응하는 직경을 도시한다. 동일한 자의적인 유닛에서, 이러한 조명 광 구성요소에 대한 직경은 3.2이다. 이러한 직경은 또한 D90로도 지칭된다.
조명광(14)의 이러한 구성요소들 간의 직경비(D0/D90)는 4.0/3.2=1.25이다. 따라서, 먼저, 도 4a에 따른 작은 빔 각도에 대한 그리고 도 4b에 따른 큰 빔 각도에 대한 중간 초점 영역의 지역 비에는 A0/A90 = 1.56가 적용된다.
도 5는 조명 시스템(2) 대신 도 1에 따른 투영 노광 장치(1)에서 사용될 수 있는 조명 시스템(30)의 추가 실시예를 도시한다. 도 1 내지 도 4에 관하여 상기 이미 기재된 구성요소 및 기능은 동일한 참조 번호를 가지며 다시 구체적으로 논의되지 않는다.
조명 시스템(30)은 콜렉터(31)를 갖는다.
도 5에 따른 개략도는 필드 패싯 미러(17)의 2개의 필드 패싯(321, 322)을 도시하고, 결국 이 필드 패싯은 복수의 개별 미러(33)로부터 만들어지며, 이들 중 3개의 개별 미러(33)는 도 5의 각각의 필드 패싯(32)에 대하여 개별적으로 도시된다. 실제로, 필드 패싯(32) 당 개별 미러(33)의 수는 실질적으로 더 높을 수 있다.
실제로, 필드 패싯(32)의 수는 실질적으로 더 크다. 예시로서, 수백 개의 필드 패싯(32)은 필드 패싯 미러(17)에 존재할 수 있다.
또한, 도 5는 동공 패싯 미러(20)의 2개의 동공 패싯(341 및 342)을 개략적으로 도시하고, 이러한 동공 패싯은 조명 채널(351 및 352)에 의해 필드 패싯(321 및 322)과 관련된다.
도 1에 따른 초점 영역(25)에 기능적으로 상응하는 다운스트림 초점 영역(25)은 방사선원 영역(3)의 다운스트림의 조명 광(14)의 빔 경로의 콜렉터(31)의 콜렉터 이미징 미러(361, 362)에 의해 방사선원 영역(3)의 제 1 이미지를 구성한다. 조명 시스템(30)에서, 이러한 다운스트림 초점 영역(25)은 동공 패싯 미러(20)의 영역에 놓인다.
동공 패싯(34)은 도 5에서 개략적으로 도시된 바와 같이, 오브젝트 필드(5)내로 서로에게 수퍼포징되는 방식으로 필드 패싯(32)을 이미징하는 동공 패싯 전달 옵틱스의 일부이다.
수축 영역(37)은 조명 시스템(30)의 조명 옵틱스(4)의 콜렉터(31)와 제 1 구성요소, 즉 필드 패싯 미러(17) 사이에 위치된다. 수축 영역(37)에서, EUV 조명광(14)의 전체 빔의 단면은 필드 패싯 미러(17) 상의 단면에 비해 영역에서 적어도 2의 인수로 감소되고; 이는 2개의 필드 패싯(32)만을 도시하는 도 5의 개략적인 도면에서 실 축척을 재현한 것은 아니다.
수축 영역(37)은 콜렉터(31)의 콜렉터 이미징 옵틱스의 초점 영역이 되지 않는다. 초점 영역(25)은 조명 광(14)의 빔 경로의 다운스트림, 즉, 동공 패싯 미러(20)의 영역에 배열된다. 필드 패싯 미러(17)는 수축 영역(37)과 초점 영역(25)사이의 조명광(14)의 빔 경로에 배열된다.
콜렉터(31)의 콜렉터 이미징 미러(36n)는 자유형 표면으로 구현된다. 콜렉터 이미징 미러(36n)의 미러 표면(38)은 콜렉터 이미징 미러(36n) 상의 조명광(14)의 최대 입사각(αmax)이 45°미만이 되도록 구현된다. 콜렉터 이미징 미러(36n)의 에지 윤곽은 필드 패싯(32n)의 에지 윤곽과 유사한 실시예를 갖는다.
콜렉터 이미징 미러(36n)는 직사각형 에지 윤곽을 갖는다. 대안으로, 아치형 필드 패싯(32n)이 사용될 경우, 콜렉터 이미징 미러(36n)의 벤딩된 그리고 예컨대 부분적으로 링 형인 에지 윤곽이 또한 가능하다.
도 6은 특히 콜렉터(31) 대신 사용될 수 있는 콜렉터(39)의 추가 실시예의 개략도를 도시한다. 도 1 내지 도 5의 맥락에서, 특히 도 5의 맥락에서 상기 먼저 기재된 구성요소 및 기능은 동일한 참조 번호를 가지며 다시 논의되지 않는다.
콜렉터(39)는 모자이크 식으로 단단히 패킹되고 선(line)과 열(row)에 있어서 그리드형 방식으로, 9×9 행렬 식으로 배열되는 총 81개의 콜렉터 이미징 미러(36n)를 갖는다. 도 6은 수축 영역(37)의 다운스트림의 빔 경로의 필드 패싯 미러(17)의 방식인 필드 패싯 미러에 대한 배열 평면(40)을 도시한다. 필드 패싯 미러 그 자체 및 또한 조명광(14) 상의 반사 효과 그 자체는 도 6에 도시되지 않는다. 도 6은 배열 평면(40)의 뒤의 조명 광(14)의 일부 콜렉터 이미징 미러(36n)에 대하여 예시적인 방식으로 도시되는 빔 경로의 추가 코스의 콜렉터 이미징 미러(36n)의 이미징 효과를 도시하고, 여기서 방사선원 이미지(42n)의 9×9 그리드는 도 6에서 투시도로 도시되는 추가 배열 평면(41)에서 생성되고, 동공 패싯 미러(20)의 방식의 동공 패싯 미러가 배열되고 방사선원 이미지는 방사선원 영역(3)의 다운스트림의 조명광(14)의 광 경로를 따라 또는 빔 경로의 방사선원 영역(3)의 제 1 이미지로서 콜렉터 이미징 미러(36n)에 의해 생성된다. 동공 패싯 미러(20)의 동공 패싯은 각각의 방사선원 이미지(42n)의 위치에 배열된다. 방사선원 이미지(42n)의 배열 평면(41)은 콜렉터(39)의 중간 초점 영역(25)이 된다. 도 6은 방사선원 영역(3)의 다운스트림에 배치된 제 1 초점 영역(41)이 수축 영역(37)으로부터 공간적으로 분리되는 것을 분명하게 도시한다.
도 7은 콜렉터(39)에 의해 먼저 생성되고 다음으로 19×19 행렬의 방식으로 배열된 콜렉터 이미징 미러를 갖는 상응하게 설계된 대안적인 콜렉터에 의해 생성되는 조명광(14)의 원거리 장 변형을 도시한다. 상이한 강도 값(I)은 각각의 경우에 우측 상에 표시되는 스케일에 따라 해칭된다(hatched).
도 7a 및 도 7b에 따른 원거리장은, 개별적인 콜렉터 이미징 미러(36n)에 대하여 가이드되는 조명 광(14)의 부분 빔이 수축 영역(37)의 다운스트림에서 다시 이격되어 완전히 나아가는 곳에 존재한다. 이러한 원거리장에서, 원거리 장 지점은 하나 이상의 콜렉터 이미징 미러(36n)로부터의 광을 보지(see) 않는다. 그러므로, 배열 평면(40)의 필드 패싯 미러의 배열은 하나 이상의 콜렉터 이미징 미러(36n)에 의해 반사된 조명광(14)에 의해 충돌되는 필드 패싯을 야기하지 않는다.
수축 영역(37)을 생성하기 위한 콜렉터 이미징 미러(36n)의 배열의 경사의 결과, 전체 원거리 장(43)의 타일형 오프셋된 부분별 구성은 원거리장 필드에서 발생한다.
도 7a에 따른 9×9의 원거리 장(43)에서, 개별적인 콜렉터 이미징 미러(36n)와 관련된 인접한 근거리 장 부분(43n)에서의 강도 단계는 도 7b에 따른 19×19의 원거리 장의 경우보다 크다.
콜렉터(39)의 방식의 행렬형 방식으로 배열되는 콜렉터 이미징 미러(36n)의 수는 주어진 콜렉터 크기에서 증가할 때, 콜렉터의 크기에 대한 수축 영역(37)의 가장 작은 발산 단면을 갖는 것이 가능하다. 예시로서, 20mm×20mm 또는 40mm×40mm의 절대 치수를 갖는 수축 영역(37)의 단면을 얻을 수 있다.
도 8은 조명 시스템(2) 대신 투영 노광 장치(1)에서 결국 사용되는 조명 시스템(44)의 추가 실시예를 도시한다. 도 1 내지 도 7을 참조하여 상기 이미 기재된 구성요소 및 기능은 동일한 참조 부호를 가지며 다시 논의되지 않는다.
조명 시스템(44)의 콜렉터(45)는 콜렉터 이미징 미러(46n)를 갖고, 이 중 총 5개의 콜렉터 이미징 미러, 즉 최내측 콜렉터 이미징 미러(461), 그에 인접한 2개의 중앙 콜렉터 이미징 미러(462, 462') 그리고 그에 인접한 외부 콜렉터 이미징 미러(463, 463')는 도 8에 도시된다.
최내측 콜렉터 이미징 미러(461)는 20°미만인 방사선원 영역(3)으로부터 광학축(oA)에 대한 빔 각도 - 20°미만 - 로 방출되는 조명 광(14)의 구성요소를 이미징한다. 최내측 콜렉터 이미징 미러(463, 463')에 의해 결국 이미징되는 빔 각도는 70°이상이다. 인터포징된 중앙 콜렉터 이미징 미러(462, 462')는 조명 광(14)의 인터포징된 빔 각도를 이미징한다.
최내측 콜렉터 이미징 미러(461)의 이미징 효과는 방사선원 영역 3의 이미지로서 콜렉터 이미징 미러(461)에 의해 생성되는 중간 초점(471)이 방사선원 영역(3)으로부터의 거리(F1)에 배열되게 한다. 중간 초점(471)은 광학축(oA)상에 놓인다.
중앙 콜렉터 이미징 미러(462, 462')에 의해 생성된 중간 초점(472, 472')은 방사선원 영역(3)으로부터의 거리(F2)를 갖고, 여기에 F2 > F1가 적용된다. 중간 초점(472, 472')은 광학축(oA)으로부터의 멀리 있다.
외부 콜렉터 이미징 미러(463, 463')에 의해 생성된 중간 초점(473, 473')은 방사선원 영역(3)으로부터의 거리(F3)를 갖고, 여기에 F3 > F2가 적용된다. 중간 초점(473, 473')은 결국 광학축(oA)으로부터 멀리 있다.
중간 초점(471, 472, 472', 473, 473')은 각각의 경우에 서로로부터 공간적으로 분리된다.
조명광(14)의 전체 빔의 수축 영역(37)은 콜렉터(45)와 필드 패싯 미러(17) 사이에 놓이고, 이것은 한번 더 반사 효과 없이 도 8에서 개략적으로 도시된다.
수축 영역(37)은 중간 초점(47)의 일부로부터, 즉 중간 초점(471, 472, 472')으로부터 적어도 공간적으로 분리된다. 그러므로, 수축 영역(37)은 이러한 실시예에서 초점 영역(25)과 일치하지 않는다.
상이한 초점 거리(F1, F2, F3)의 결과, 그에 의해 이미징되는 조명 광(14)의 상이한 빔 각도로 인하여 발생하는 콜렉터 이미징 미러(46)의 상이한 이미징 스케일(βK)은 중간 초점(47)의 크기 변형이 감소되는 방식으로 보상된다.
중간 초점(47)은 그와 함께 필드 패싯(48n)에 의해 상이한 패싯 이미징 스케일(βF)로 동공 패싯 미러(20)의 동공 패싯 상에 이미징되어서, 동공 패싯상의 중간 초점(47)의 이미지는 실질적으로 동일한 크기를 갖고 단면에 있어서 예컨대 30% 미만, 20% 미만, 15% 미만, 10% 미만 또는 심지어 5 % 미만으로 상이하다.
제 1 초점 영역, 즉 중간 초점(471)은 예컨대 제 1 패싯 이미징 스케일(βF1)과 이미징된다. 제 2 초점 영역, 예컨대 중간 초점(472, 472')은 제 2 패싯 이미징 스케일(βF2)로 이미징된다. 전체 초점 영역(25)은 도 8에 따른 실시예의 다양한 공간적으로 분리된 중간 초점(47n)에 의해 형성된다.
도 9는 콜렉터 이미징 미러(46n)와 필드 패싯(48n) 사이의 연관성을 도시한다. 연관성의 인덱스(Fn)는 도 9의 콜렉터 이미징 미러(46)와 필드 패싯(48)에 대하여 큰 수로서 개별적으로 도시된다. 중간 초점(47n)에 의한 반전 효과의 결과, 이러한 인덱스는 필드 패싯 미러(17)상에서 거꾸로 이미징된다.
그의 에지 윤곽에 관하여, 콜렉터 이미징 미러(46n)는 정사각형, 직사각형, 6각형 또는 도 10에 도시된 바와 같이 아치형 실시예를 가질 수 있다. 이런 경우에, 콜렉터 이미징 미러(46n)는 2개의 인접한 아치형 필드 패싯(48n)과 충돌하기 위하여 더는 상세히 도시되지 않는 개별적인 원호(arc) 또는 도 10에 도시된 바와 같이 이중 원호로서 형성될 수 있다. 하나 이상의 필드 패싯(48n), 예컨대 필드 패싯(48n)의 그룹은 콜렉터 이미징 미러(46n)에 의해 조명광(14)에 의해 충돌될 수 있다. 필드 패싯(48n)이 선별로 그리고 행(column)별로 배열될 때까지, 콜렉터 이미징 미러(46n)에 의해 조명광(14)에 의해 동시에 충돌되는 필드 패싯(48n)의 그룹은 이러한 필드 패싯 배열의 복수의 행 및/또는 선에 놓일 수 있다. 예시로서, 서로 옆에 놓인 아치형 필드 패싯(48n)의 2개의 행은 도 10에 따른 콜렉터 이미징 미러(46n)의 에지 윤곽으로 조명될 수 있다.
콜렉터 이미징 미러(46n)의 수는 5개에서 25개 사이의 범위에 놓일 수 있다.
도 11은 콜렉터 이미징 미러(46n)와 필드 패싯(48n) 양쪽의 3×3 행렬 배열의 경우에 콜렉터 이미징 미러(46n)와 필드 패싯(48n) 사이의 가능한 연관성(Fn)을 도시한다. 도 11에 따른 시야는 광학축(oA)을 따른 시야의 방향으로 구현된다. 콜렉터 이미징 미러(46n)는 더 큰 정사각형으로 표시되며 필드 패싯(48n)은 더 작은 정사각형으로 표시된다. 도 9에서와 마찬가지로, 콜렉터 이미징 미러(46n)의 인덱스는 큰 수로 재현되며 필드 패싯(48n)의 인덱스는 마찬가지로 도 11에서 더 작고 반전된(upside down) 숫자로서 재현된다. 동일한 인덱스는 상응하는 조명 광 조명 채널(35n)에 의해 개별적인 필드 패싯(48n)을 갖는 개별적인 콜렉터 이미징 미러(46n)의 연관성을 표시한다. 개별적인 중간 초점(47n)의 위치는 또한 콜렉터 이미징 미러(46n)와 관련된 필드 패싯(48n)사이의 조명 채널에서 또한 도시된다.
콜렉터 이미징 미러(461)의 콜렉터 이미징 스케일(βK)과 관련된 필드 패싯의 패싯 이미징 스케일(βF)의 곱은 추가 콜렉터 이미징 미러(46n)의 콜렉터 이미징 스케일(βK)과 필드 패싯의 관련된 패싯 이미징 스케일(βF)의 곱과 동공 패싯 미러(20)의 동공 패싯에 대한 조명광(14)의 모든 광 경로에 있어서 2.5의 인수 이하로 상이하다. 콜렉터 이미징 스케일과 관련된 패싯 이미징 스케일의 스케일 곱의 이러한 차는 조명 시스템(45)의 실시예에 따라 최대 2.25, 최대 2.0, 최대 1.9, 최대 1.8, 최대 1.7, 최대 1.6 또는 최대 1.5일 수 있다.
도 8에 따른 필드 패싯 미러(17)의 필드 패싯은 동공 패싯 미러(20)의 동공 패싯 중 하나 상으로 초점 영역(47n) 중 개별적인 하나를 이미징하는 필드 패싯 전달 옵틱스의 일부이다.
나노구조화된 또는 마이크로구조화된 구성요소, 예컨대 반도체 메모리 칩을 제조하려는 목적으로, 조명광(14)의 광에 민감한 코팅이 레티클(7)과 웨이퍼(12)에 먼저 제공된다. 이로써, 레티클(7)의 적어도 일부는 투영 노광 장치(1)의 도움으로 웨이퍼(12)상으로 투영된다. 후속하여, 조명광(14)에 노광된 웨이퍼(12) 상의 감광성 층이 현상된다. 방사선원의 구성요소에 의해 방출되는 딸려온 이물질은 수축 영역에서 억제될 수 있다.

Claims (14)

  1. 조명 시스템(44)으로서,
    - 콜렉터(45)에 의해 집광된 EUV 조명광(14)을 오브젝트 필드(5)에 가이드하는 조명 옵틱스(4)를 갖고,
    - 상기 콜렉터(45)는 방사선원 영역(3)으로부터 상기 조명 옵틱스(4)에 상기 EUV 조명광(14)을 전달하는 역할을 하고,
    - 상기 조명 옵틱스(4)는:
    -- 복수의 필드 패싯(32)을 갖는 필드 패싯 미러(17),
    -- 상기 오브젝트 필드(5) 내로 서로에게 수퍼포징되는 방식으로 상기 필드 패싯(32)을 이미징하는, 동공 패싯 전달 옵틱스의 일부인 복수의 동공 패싯(34)을 갖는 동공 패싯 미러(20)를 갖고,
    - 상기 콜렉터(45)는 복수의 다운스트림 초점 영역(47n) 내로 상기 방사선원 영역(3)을 이미징하는 콜렉터 이미징 옵틱스를 갖고, 상기 필드 패싯(32)은 각각의 경우에 상기 동공 패싯(34n)들 중 하나 상으로 상기 초점 영역(47n)들 중 하나를 이미징하는 필드 패싯 전달 옵틱스의 일부이며,
    - 상기 콜렉터 이미징 옵틱스는,
    -- 상기 방사선원 영역(3)이 상기 EUV 조명광(14)에 의해 제 1 콜렉터 이미징 스케일(βK1)로 그의 다운스트림에 배치되는 제 1 초점 영역 (471)내로 이미징되고, 상기 EUV 조명광(14)이 상기 방사선원 영역(3)과 그의 다운스트림에 배치된 상기 제 1 초점 영역(471) 사이의 광학축(oA)에 관하여 빔 각도(α) <20°로 상기 방사선원 영역(3)에 의해 방출되고,
    -- 상기 방사선원 영역(3)이 상기 EUV 조명광(14)에 의해 제 2 콜렉터 이미징 스케일(βK2)로, 그의 다운스트림에 배치되고 상기 제 1 초점 영역(471)으로부터 공간적으로 분리되는 제 2 초점 영역(473, 473') 내로 이미징되고, 상기 EUV 조명광(14)이 상기 방사선원 영역(3)과 그의 다운스트림에 배치되는 상기 제 1 초점 영역 (471) 사이의 광학축(oA)에 관하여 빔 각도(α)>70°로 상기 방사선원 영역(3)에 의해 방출되는 방식으로 구현되고,
    - 상기 필드 패싯 전달 옵틱스는,
    -- 상기 제 1 초점 영역(471)이 제 1 패싯 이미징 스케일(βF1)로 이미징되고,
    -- 상기 제 2 초점 영역(473, 473')이 제 2 패싯 이미징 스케일(βF2)로 이미징 되는 방식으로 구현되며,
    - 상기 제 1 콜렉터 이미징 스케일(βK1)과 상기 제 1 패싯 이미징 스케일(βF1)의 곱(βK1×βF1)은 상기 제 2 콜렉터 이미징 스케일(βK2)과 상기 제 2 패싯 이미징 스케일(βF2)의 곱(βK2×βF2)과, 상기 동공 패싯(34n)으로의 상기 조명광(14)의 모든 광 경로(35n)에 대해 2.5의 인수 이하만큼 상이한, 조명 시스템(44).
  2. 방사선원 영역(3)으로부터 EUV 조명광(14)을 조명 옵틱스(4)를 향하여 전달하기 위한 콜렉터(15; 28; 31; 39; 45) - 상기 조명 옵틱스(4)는 상기 EUV 조명광(14)을 오브젝트 필드(5)를 향하여 가이드함 - 로서,
    - 상기 콜렉터(15; 28; 31; 39; 45)는 45°미만의 입사각을 갖는 상기 EUV 조명광(14)의 반사 가이드를 하도록 구현되고,
    - 상기 콜렉터(15; 28; 31; 39; 45)는 그의 다운스트림에 배치된 초점 영역(25) 내로 상기 방사선원 영역(3)을 이미징하는 콜렉터 이미징 옵틱스(26; 46)를 갖고,
    - 상기 콜렉터 이미징 옵틱스(26)는,
    -- 상기 방사선원 영역(3)이 상기 EUV 조명광(14)에 의해 적어도 하나의 제 1 이미징 스케일(β1,20)로 그의 다운스트림에 배치되는 초점 영역(25) 내로 이미징되고, 상기 EUV 조명광(14)이 상기 방사선원 영역(3)과 그의 다운스트림에 배치된 초점 영역(25) 사이의 광학축(oA)에 관하여 빔 각도(α) <20°로 상기 방사선원 영역(3)에 의해 방출되고,
    -- 상기 방사선원 영역(3)이 상기 EUV 조명광(14)에 의해 적어도 하나의 제 2 이미징 스케일(β2,70)로 그의 다운스트림에 배치되는 상기 초점 영역(25) 내로 이미징되고, 상기 EUV 조명광(14)이 상기 방사선원 영역(3)과 그의 다운스트림에 배치된 초점 영역(25) 사이의 광학축(oA)에 관하여 빔 각도(α)>70°로 상기 방사선원 영역(3)에 의해 방출되는 방식으로 구현되며,
    - 상기 이미징 스케일(β1,20, β2,70)은 2.5의 인수 이하만큼 상이한, 콜렉터.
  3. 청구항 2에 있어서, 상기 콜렉터 이미징 옵틱스(26)는 서로로부터 분리되어 배열되는 복수의 콜렉터 이미징 미러(27n; 36n; 46n)를 갖고,
    - 각각의 콜렉터 이미징 미러(27n; 36n; 46n)는, 상기 콜렉터 이미징 미러가, 상기 방사선원 영역(3)과 상기 다운스트림 초점 영역(25) 사이의 광학축(oA)에 관하여 빔 각도(α)의 각도 범위로 방출되는, EUV 조명광(14)을 상기 방사선원 영역(3)으로부터의 얻는 방식으로 구현되고,
    - 각각의 콜렉터 이미징 미러(27n; 36n; 46n)의 이미징 스케일(β)의 범위는 최소 이미징 스케일(βmin)과 최대 이미징 스케일(βmax) 사이에 놓이며,
    - 상기 최대 이미징 스케일(βmax)과 상기 최소 이미징 스케일(βmin) 사이의 비(βmax/βmin )에 βmax/βmin ≤ 2가 적용되는 것을 특징으로 하는 콜렉터.
  4. 청구항 3에 있어서, 상기 콜렉터 이미징 미러(27n) 중 적어도 일부는 링 미러로 구성되는 것을 특징으로 하는 콜렉터.
  5. 청구항 2 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서, 상기 콜렉터 이미징 미러(27n; 36n; 46n) 중 적어도 일부의 상기 미러 표면은 타원형인 것을 특징으로 하는 콜렉터.
  6. 청구항 2 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서, 상기 방사선원 영역(3)의 영역에 놓인 방사선원 이미지 영역(3')에 상기 방사선원 영역(3)을 이미징하는 구면 옵틱스(29)를 특징으로 하는 콜렉터.
  7. 조명 시스템(2; 30; 44)으로서,
    - 청구항 2에 기재된 콜렉터(15; 28; 31; 39; 45)를 갖고,
    - 조명 옵틱스(4)를 갖고,
    - 필드 패싯 미러(17)를 갖고,
    - 동공 패싯 미러(20)를 가지며,
    - 상기 방사선원 영역(3) 뒤의 상기 조명 광(14)의 빔 경로에서 상기 콜렉터 이미징 옵틱스(26)의 상기 방사선원 영역(3)의 제 1 이미징이 상기 다운스트림 초점 영역(25)에서 발생하고,
    - 상기 다운스트림 초점 영역(25)은 상기 동공 패싯 미러(20)의 영역에 놓이는, 조명 시스템.
  8. 청구항 7에 있어서, 수축 영역(constriction region)(37)이 상기 콜렉터 (31; 39)와 상기 조명 옵틱스(4)의 제 1 구성요소(17) 사이에 놓이며, 상기 수축 영역에서, 상기 EUV 조명광(14)의 전체 빔의 단면은 상기 필드 패싯 미러(17) 상의 단면에 비해 적어도 2의 인수만큼 감소되는 것을 특징으로 하는 조명 시스템.
  9. 청구항 7 또는 청구항 8에 있어서, 상기 콜렉터 이미징 옵틱스(26)는 서로로부터 분리되어 배열되는 복수의 콜렉터 미러(36n)를 갖는 것을 특징으로 하는 조명 시스템.
  10. 청구항 9에 있어서, 상기 콜렉터 미러(36n)의 미러 표면(38) 중 적어도 일부는, 상기 필드 패싯 미러(17)의 필드 패싯(32n)의 에지 윤곽과 유사한 에지 윤곽을 갖는 것을 특징으로 하는 조명 시스템.
  11. 청구항 9에 있어서, 상기 콜렉터 미러(36n)는 직사각형 에지 윤곽을 갖는 것을 특징으로 하는, 조명 시스템.
  12. 청구항 1, 청구항 7 또는 청구항 8 중 어느 한 항에 기재된 상기 조명 시스템(2; 30; 44) 및 EUV 방사선원 영역(3)을 갖는 투영 노광 장치(1).
  13. 나노구조화된 구성요소 또는 마이크로구조화된 구성요소의 제조 방법으로서, 이하의 방법 단계:
    - 레티클(7)을 제공하는 단계,
    - 조명 광 빔(14)의 광에 감응하는 코팅이 있는 웨이퍼(12)를 제공하는 단계,
    - 청구항 12에 기재된 상기 투영 노광 장치의 도움으로 상기 웨이퍼(12)상에 상기 레티클의 적어도 일부를 투영하는 단계,
    - 상기 조명 광 빔(14)에 의해 노광된 상기 웨이퍼(12) 상의 상기 광에 감응하는 코팅을 현상하는 단계를 포함하는, 제조 방법.
  14. 삭제
KR1020167009502A 2013-09-11 2014-08-25 콜렉터 KR102344281B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102013218132.9 2013-09-11
DE201310218132 DE102013218132A1 (de) 2013-09-11 2013-09-11 Kollektor
PCT/EP2014/067963 WO2015036228A1 (de) 2013-09-11 2014-08-25 Kollektor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160055228A KR20160055228A (ko) 2016-05-17
KR102344281B1 true KR102344281B1 (ko) 2021-12-28

Family

ID=51392265

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167009502A KR102344281B1 (ko) 2013-09-11 2014-08-25 콜렉터

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9810890B2 (ko)
EP (1) EP3044635B1 (ko)
JP (1) JP6485921B2 (ko)
KR (1) KR102344281B1 (ko)
CN (1) CN105637421B (ko)
DE (1) DE102013218132A1 (ko)
WO (1) WO2015036228A1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102013218128A1 (de) 2013-09-11 2015-03-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem
DE102017125184A1 (de) * 2017-10-27 2019-05-02 Valeo Schalter Und Sensoren Gmbh Freiformspiegel für eine Sendeeinrichtung einer optischen Erfassungsvorrichtung, Sendeeinrichtung, optische Erfassungsvorrichtung, Kraftfahrzeug und Verfahren
DE102022200457A1 (de) 2022-01-17 2023-07-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage für die optische Lithographie

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6285737B1 (en) 2000-01-21 2001-09-04 Euv Llc Condenser for extreme-UV lithography with discharge source
JP2005519459A (ja) 2002-03-01 2005-06-30 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー 射出瞳の環状照明のための入れ子式集光器を備える照明光学系
WO2006082738A1 (ja) 2005-02-03 2006-08-10 Nikon Corporation オプティカルインテグレータ、照明光学装置、露光装置、および露光方法
US20130022901A1 (en) * 2011-07-22 2013-01-24 Asml Netherlands B.V. Radiation source, method of controlling a radiation source, lithographic apparatus, and method for manufacturing a device
WO2013053692A1 (en) 2011-10-11 2013-04-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Collector

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5339346A (en) 1993-05-20 1994-08-16 At&T Bell Laboratories Device fabrication entailing plasma-derived x-ray delineation
US6438199B1 (en) 1998-05-05 2002-08-20 Carl-Zeiss-Stiftung Illumination system particularly for microlithography
DE10138313A1 (de) 2001-01-23 2002-07-25 Zeiss Carl Kollektor für Beleuchtugnssysteme mit einer Wellenlänge < 193 nm
US6858853B2 (en) 1998-05-05 2005-02-22 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system particularly for microlithography
US7006595B2 (en) 1998-05-05 2006-02-28 Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag Illumination system particularly for microlithography
US7329886B2 (en) * 1998-05-05 2008-02-12 Carl Zeiss Smt Ag EUV illumination system having a plurality of light sources for illuminating an optical element
US6210865B1 (en) 1998-08-06 2001-04-03 Euv Llc Extreme-UV lithography condenser
DE19931848A1 (de) 1999-07-09 2001-01-11 Zeiss Carl Fa Astigmatische Komponenten zur Reduzierung des Wabenaspektverhältnisses bei EUV-Beleuchtungssystemen
US6569579B2 (en) * 2001-03-13 2003-05-27 Chartered Semiconductor Manufacturing, Ltd. Semiconductor mask alignment system utilizing pellicle with zero layer image placement indicator
JP3919599B2 (ja) * 2002-05-17 2007-05-30 キヤノン株式会社 光学素子、当該光学素子を有する光源装置及び露光装置
US7075712B2 (en) 2002-05-30 2006-07-11 Fujitsu Limited Combining and distributing amplifiers for optical network and method
US7034320B2 (en) 2003-03-20 2006-04-25 Intel Corporation Dual hemispherical collectors
EP1469349B1 (en) 2003-04-17 2011-10-05 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus with collector including a concave mirror and a convex mirror
US7075713B2 (en) 2003-05-05 2006-07-11 University Of Central Florida Research Foundation High efficiency collector for laser plasma EUV source
JP4120502B2 (ja) 2003-07-14 2008-07-16 株式会社ニコン 集光光学系、光源ユニット、照明光学装置および露光装置
US7481544B2 (en) * 2004-03-05 2009-01-27 Optical Research Associates Grazing incidence relays
US7164144B2 (en) 2004-03-10 2007-01-16 Cymer Inc. EUV light source
JP3977364B2 (ja) * 2004-09-03 2007-09-19 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
JP2006108521A (ja) * 2004-10-08 2006-04-20 Canon Inc Ｘ線発生装置及び露光装置
US7405871B2 (en) 2005-02-08 2008-07-29 Intel Corporation Efficient EUV collector designs
EP1938150B1 (de) 2005-10-18 2011-03-23 Carl Zeiss SMT GmbH Kollektor für beleuchtungssysteme mit einer wellenlänge </= 193 nm
DE102006014380A1 (de) 2006-03-27 2007-10-11 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv und Projektionsbelichtungsanlage mit negativer Schnittweite der Eintrittspupille
CN100504692C (zh) * 2007-10-19 2009-06-24 上海微电子装备有限公司 用于硅片传输系统的并发控制方法
CN101246314B (zh) * 2008-03-25 2010-06-02 上海微电子装备有限公司 硅片对准信号的处理方法
DE102009045135A1 (de) 2009-09-30 2011-03-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Mikrolithographie
DE102010063530A1 (de) 2009-12-22 2011-06-30 Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 Blendenelement und optisches System für die EUV-Lithographie
DE102010028655A1 (de) 2010-05-06 2011-11-10 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Kollektor
EP2598931B1 (en) 2010-07-30 2020-12-02 Carl Zeiss SMT GmbH Imaging optical system and projection exposure installation for microlithography with an imaging optical system of this type
DE102013218128A1 (de) 2013-09-11 2015-03-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6285737B1 (en) 2000-01-21 2001-09-04 Euv Llc Condenser for extreme-UV lithography with discharge source
JP2005519459A (ja) 2002-03-01 2005-06-30 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー 射出瞳の環状照明のための入れ子式集光器を備える照明光学系
WO2006082738A1 (ja) 2005-02-03 2006-08-10 Nikon Corporation オプティカルインテグレータ、照明光学装置、露光装置、および露光方法
US20130022901A1 (en) * 2011-07-22 2013-01-24 Asml Netherlands B.V. Radiation source, method of controlling a radiation source, lithographic apparatus, and method for manufacturing a device
WO2013053692A1 (en) 2011-10-11 2013-04-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Collector

Also Published As

Publication number Publication date
EP3044635A1 (de) 2016-07-20
US20160187632A1 (en) 2016-06-30
JP2016532908A (ja) 2016-10-20
DE102013218132A1 (de) 2015-03-12
CN105637421B (zh) 2018-02-27
US9810890B2 (en) 2017-11-07
EP3044635B1 (de) 2021-08-11
CN105637421A (zh) 2016-06-01
WO2015036228A1 (de) 2015-03-19
JP6485921B2 (ja) 2019-03-20
KR20160055228A (ko) 2016-05-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4918542B2 (ja) ６枚の反射鏡を備えたｅｕｖ投影光学系
US9316918B2 (en) EUV collector
TWI714524B (zh) 用於投影微影的照明光學單元、光瞳琢面反射鏡、光學系統、照明系統、投影曝光裝置、用以產生一微結構組件之方法以及微結構組件
JP6718818B2 (ja) 照明系
KR20200079335A (ko) 투영 리소그래피 시스템을 위한 동공 패싯 미러, 광학 시스템 및 조명 광학 소자
JP4804704B2 (ja) 特にマイクロリソグラフィ用の照明光学系
JP5717513B2 (ja) 投影リソグラフィ用の照明光学系
JP5077724B2 (ja) マイクロリソグラフィツール用の反射照明システム
JP6221159B2 (ja) コレクター
JP5364192B2 (ja) 対象物表面の所定の照明領域をｅｕｖ照射によって照らすための照明システム
JP6253163B2 (ja) 投影リソグラフィのための照明光学ユニット
KR20020031057A (ko) 8-거울 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈
JP2012519951A (ja) マイクロリソグラフィ用の照明光学系及び光学系
KR102344281B1 (ko) 콜렉터
KR102631210B1 (ko) Euv 투영 리소그래피용 패싯 미러 및 이러한 패싯 미러를 포함하는 조명 광학 유닛
US10018917B2 (en) Illumination optical unit for EUV projection lithography
KR20230074272A (ko) 투영 노광 시스템의 조명 광학 부품용 디지털 마이크로미러 장치
JP2014517349A (ja) 結像光学ユニット
TWI687776B (zh) 用以照明一照明場的照明光學單元以及包含此類照明光學單元的投射曝光裝置
JP2004510344A (ja) 特にマイクロリソグラフィ用の照明光学系

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant