TWI539241B - 反射鏡 - Google Patents

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Description

反射鏡
本發明有關一種用於EUV輻射的反射鏡。本發明另外有關一種照明光學系統(illumination optical system)、一種投射光學系統(projection optical system)、一種光學系統及一種EUV投射曝光系統(projection exposure system)。此外，本發明有關一種製造微結構化或奈米結構化組件的方法及一種以此方法製造的組件。
用於EUV輻射的反射鏡及EUV投射曝光系統請見EP 1 927 892 A1。X光顯微鏡請見US 6 522 717 B1。
本發明之一方面在於發展一種用於EUV輻射的反射鏡，其可改良EUV投射曝光系統的光學品質。
此方面以用於EUV輻射之具有反射鏡主體的反射鏡來實現，該反射鏡主體具有至少一個EUV輻射反射區(radiation-reflecting region)及至少兩個EUV輻射可穿透區(radiation-permeable region)，其中該等輻射可穿透區具有一包絡面(envelope)，其中該包絡面劃定一面積的界限，該面積與該至少一個輻射反射區的全部的至少30%部分重疊(overlap)。
根據本發明確認到，用作微影遮罩(lithography mask)之光罩(reticle)的反射能力從照明使用之EUV輻射的一個特定入射角明顯下降。傾斜式照明更導致嚴重的遠心誤差(telecentric error)。
然而，在光罩的垂直照明下，換句話說，在照明光學系統主要光束平行於光軸的路線及光罩相對於此的垂直定向下，由於結構上的限制，在照明及/或投射光學系統中將發生光束路徑的屏蔽。
物體場點(object field point)(換句話說，光罩上一個特定的點)的主要光束(main beam)在此定義為在此物體場點及照明光學系統的光瞳(pupil)中心之間的連接線。
根據本發明，提供一種用於EUV輻射的反射鏡，其設有至少一個EUV輻射區反射及至少兩個、尤其是更多、尤其是至少三個、尤其是至少四個、尤其是至少五個EUV輻射可穿透區。尤其，EUV輻射可穿透區在此組態為反射鏡主體中的通孔(through-opening)。尤其，輻射可穿透區在反射鏡主體中布置為分離。尤其，輻射可穿透區在反射鏡主體上布置散布成其包絡面劃定一面積的界限，該面積與輻射反射區的全部的面積的至少30%、尤其是至少40%、尤其是至少50%、尤其是至少60%、尤其是至少70%、尤其是至少80%、尤其是至少90%部分重疊。
對應地，也可以有與此相反的反射鏡組態，其中反射區及可穿透區正好對調。在此相反組態下，提供較多個、尤其是至少兩個、尤其是至少三個、尤其是至少四個、尤其是至少五個EUV輻射反射區。尤其，輻射反射區在此可組態為分離。尤其，輻射反射區可利用交叉支柱(cross-strut)彼此在機械上連結。尤其，輻射反射區可應用於編結型支架(braiding-type holder)中。在反射鏡之此組態中，EUV輻射可穿透面積組成此反射鏡之總面積的尤其是至少50%、尤其是至少60%、尤其是至少70%、尤其是至少80%、尤其是至少90%。
使用根據本發明的反射鏡，即使在照明光學系統的高數值孔徑(numerical aperture)下，也可以較小入射角照明光罩，且不會發生光罩反射的EUV輻射屏蔽。使用根據本發明的反射鏡，尤其可以引導光罩反射之EUV輻射的零繞射階(zero diffraction order)通過投射光學系統而沒有任何屏蔽。
使用根據本發明的反射鏡，可以形成照明及成像光束路徑(beam path)的空間隔離(spatial separation)。
反射鏡具有相關聯的EUV輻射反射區用於每一個EUV輻射可穿透區。該EUV輻射反射區又稱為與相應輻射可穿透區互補的區域。尤其，反射鏡上與特定輻射可穿透區相關聯及其中成像光罩反射之輻射的零繞射階的區域稱為共軛區(conjugated region)。術語「互補區(complementary region)」及「共軛區」只是用來說明本發明。對應區不一定要有定義的機械限制。互補區，尤其是共軛區，各布置在反射鏡上相對於輻射可穿透區的預定位置。原則上，在光罩上反射的輻射，尤其是較高的繞射階，可落在反射鏡的任何區上。然而，使用習用光罩結構的知識，這可藉由有目標地布置輻射可穿透及輻射反射區來預定，其反射光的繞射階促使這些光罩被投射至影像場(image field)中。尤其，可以針對明場照明(bright field illumination)或暗場照明(dark field illumination)來組態反射鏡。
分別與EUV輻射可穿透區共軛的EUV輻射反射區係相對於相關聯EUV輻射可穿透區的對稱軸對稱地布置。此布置有利於明場應用(bright field application)，因這確保光罩上反射之輻射的至少零繞射階可在各情況中精確地落在EUV輻射反射區上。因此，點鏡射照明光瞳(point-mirrored illumination pupil)的至少一部分，尤其是整個點鏡射照明光瞳，係成像光束路徑上的構成要素。反射鏡，尤其是EUV輻射反射區及EUV輻射可穿透區的布置，可針對特定的預定光罩、尤其是一般使用的光罩加以調適。使用具有典型光罩結構(尤其是具有要成像的已知結構)的給定光罩，在反射鏡上適當布置EUV輻射可穿透區，尤其可實現：作為零繞射階的補充或替代，在光罩上反射之輻射的其他繞射階，尤其是+/-第一繞射階，各精確地落在EUV輻射反射區上。
如果在此及下文提及區的「對稱軸」及「對稱布置」，此在各情況中亦代表反射鏡的對應失真組態(correspondingly distorted configuration)，這對於反射鏡相對於光束路徑之主要光束的傾斜位置是必須的。
使用根據本發明的反射鏡，可照明光罩致使主要光束的角度(亦即主射線角(chief ray angle，CRA))小於物體側數值孔徑(object-side numerical aperture，NAO)的反正弦，即CRA<反正弦(NAO)。
反射鏡在各情況中具有較多的輻射可穿透區及與其共軛的輻射反射區。一方面，這允許有較多的不同照明設定(illumivation setting)，及另一方面，藉此減少全部用來在影像場中成像物體場(object field)之輻射的每一個個別輻射可穿透區及與其共軛的相應輻射反射區的相對比率(relative fraction)。如果與個別、特定輻射可穿透區相關聯之反射輻射的繞射階意外地再次照射在輻射可穿透區上及因此未被反射，藉此將減少其對成像品質的影響。因此，可以使整體成像品質更加穩定。為此目的，尤其有利的是，如果輻射可穿透區在各情況中儘可能比總光學可用面(換句話說，反射的反射鏡面)小。
由於在繞著對稱軸的圓圈上布置輻射可穿透區，因此可實現光罩之特別一致、均勻的照明。尤其，輻射可穿透區在此可等距離布置在圓圈上。等距離布置奇數輻射可穿透區在此精確地導致明場組態(bright field configuration)，因在此情況中，輻射反射區相對於對稱軸，與每一個輻射可穿透區相對。
因此，等距離布置偶數輻射可穿透區導致暗場組態(dark field configuration)，因另一輻射可穿透區相對於對稱軸，精確地與每一個輻射可穿透區相對。由光罩從每一個輻射可穿透區反射之輻射的零繞射階因此至少局部(尤其是完全)地再次精確地照射在輻射可穿透區上，因此不會被反射鏡反射，及因此無法促使物體場成像於影像場中。
此外，輻射可穿透區可布置繞著對稱軸的複數個同心圓上。因此，可以有不同入射角的不同照明設定。藉此可減少干涉效應(interference effect)。
輻射可穿透區係布置成其共同重心(centre of gravity)與對稱軸重合。因此，可以照明輻射的主要光束具有0°入射角的方式照明光罩。
本發明其他方面在於改良成像物體場於影像場中的EUV照明光學系統及EUV投射光學系統。
這些方面利用以下項目來實現：以EUV輻射照明物體場的照明光學系統，該照明光學系統具有用於EUV輻射之具有反射鏡主體的反射鏡，該反射鏡主體具有至少一個EUV輻射反射區及至少兩個EUV輻射可穿透區，其中該等輻射可穿透區具有一包絡面，其中該包絡面劃定一面積的界限，該面積與該至少一個輻射反射區之的全部的至少30%部分重疊；及成像物體場於影像場中的投射光學系統，其具有用於EUV輻射之具有反射鏡主體的反射鏡，該反射鏡主體具有至少一個EUV輻射反射區及至少兩個EUV輻射可穿透區，其中該等輻射可穿透區具有一包絡面，其中該包絡面劃定一面積的界限，該面積與該至少一個輻射反射區的全部的至少30%部分重疊。此類型照明/投射光學系統的優點對應於上文已經說明的優點。
反射鏡係布置接近光瞳。當滿足下列條件時，反射鏡M布置接近光瞳：
P(M)=D(SA)/(D(SA)+D(CR))0.5。
D(SA)是從反射鏡M處的物體場點發射之光束的次孔徑直徑(sub-aperture diameter)，及D(CR)是在反射鏡M的表面上，由成像光學系統成像之有效物體場之主要光束在光學系統參考平面(reference plane)中所測量的最大間隔。參考平面可以是成像光學系統的對稱平面或子午面(meridional plane)。參數P(M)的定義對應於WO 2009/024 164 A1中給定的定義。
在場平面(field plane)中，P(M)=0。在光瞳平面(pupil plane)中，P(M)=1。
布置接近光瞳可確保光罩反射之輻射的至少零繞射階在各情況中完全落在輻射反射區上。
此外，本發明基於改良用於EUV投射曝光系統之光學系統及此類型系統的目的。
此方面利用申請專利範圍第10至13項的特徵來實現。
其優點對應於上文已經說明的優點。
本發明其他方面在於揭示一種使用投射曝光系統製造組件的方法及一種利用該方法製造的組件。根據本發明的這些方面利用製造微結構化或奈米結構化組件的製造方法來實現，該方法具有以下方法步驟：提供一光罩；提供一具有一感光塗層(light-sensitive coating)的晶圓；借助包含一EUV輻射源及一光學系統之一投射曝光系統，將該光罩的至少一部分投射於該晶圓上；及顯影該晶圓上被曝光的感光塗層及以上述方法製造的組件。
這些標的物的優點對應於上文已經說明的優點。
圖1以子午剖面(meridional section)示意性顯示微影投射曝光系統1的組件。投射曝光系統1的照明系統2除了光束來源(beam source)3之外，還包含曝光物體平面(object plane)6中之物體場5的照明光學系統4。在此曝光的光罩7(僅以截面顯示)係布置在物體場5中且由光罩固持器(reticle holder)8固持。
投射光學系統9係用來成像物體場5於影像平面(image plane)11的影像場10中。光罩7上的結構係成像於晶圓12的感光層上，該晶圓係布置在影像平面11中之影像場10的區域中且由亦示意性顯示的晶圓固持器13固持。
輻射源3係EUV輻射源，其發射EUV輻射14。EUV輻射源3所發射之有用輻射的波長介於5 nm至30 nm。也可以使用其他在微影中使用及可用於合適光源的波長。輻射源3可以是電漿源，例如DPP源或LPP源。亦可使用基於同步加速器的輻射源作為輻射源3。熟習本技術者可找到有關此類型輻射源的資訊，例如請見US 6 859 515 B2。提供集光器(collector)15，使來自EUV輻射源3的EUV輻射14集結成束。
EUV輻射14又稱為照明光或成像光。
照明光學系統4包含具有大量場琢面(field facet)17的場琢面反射鏡(field facet mirror)16。場琢面反射鏡16布置在照明光學系統4的平面中，該平面與物體平面6光學共軛。EUV輻射14由場琢面反射鏡16反射至照明光學系統4的光瞳琢面反射鏡(pupil facet mirror)18。光瞳琢面反射鏡18具有大量光瞳琢面(pupil facet)19。借助光瞳琢面反射鏡18，場琢面反射鏡16的場琢面17被成像於物體場5中。
對於場琢面反射鏡16上的每一個場琢面17，在光瞳琢面反射鏡18上有精確一個相關聯的光瞳琢面19。在各情況中，在場琢面17及光瞳琢面19之間組態光通道(light channel)。至少一個琢面反射鏡16、18的琢面17、19可切換。這些琢面尤其可傾斜地布置在場琢面反射鏡16、18上。此處可以使僅一部分變成可傾斜，例如使琢面17、19的最多30%、最多50%或最多70%變成可傾斜。也可以使所有琢面17、19變成可傾斜。可切換的琢面17、19尤其是場琢面17。藉由傾斜場琢面17，其對於相應光瞳琢面19的配置及因此光通道組態可以改變。有關具有可傾斜琢面17、19之琢面反射鏡16、18的更多細節，請參考DE 10 2008 009 600 A1。
有關照明光學系統4的更多細節，也請參考DE 10 2008 009 600 A1。
從圖1無法推斷EUV輻射14在照明光學系統4及投射光學系統9中的光束路徑，及尤其無法推斷場琢面反射鏡16及光瞳琢面反射鏡18的結構布置。
光罩固持器8可以控制的方式位移，使得光罩7在投射曝光期間可在物體平面6中在位移方向中位移。因此，晶圓固持器13可以控制的方式位移，使得晶圓12可在影像平面11中在位移方向中位移。因此，光罩7及晶圓12一方面可掃描通過物體場5及另一方面掃描通過影像場10。位移方向在下文中又稱為掃描方向。光罩7及晶圓12在掃描方向中的位移較佳可彼此同步進行。
投射光學系統9包含大量投射反射鏡(圖1未顯示)。投射光學系統9包含尤其是至少三個、尤其是至少五個投射反射鏡。投射光學系統9尤其可具有至少六個、七個或八個投射反射鏡。
投射光學系統9尤其包含反射鏡20，其詳細說明如下。
反射鏡20具有含反射鏡面24的反射鏡主體21，其具有大量EUV輻射可穿透區22及相應相關聯的EUV輻射反射區23。與EUV輻射可穿透區22相關聯的相應EUV輻射反射區23又稱為與EUV輻射可穿透區22互補的區域。尤其，在反射鏡20上與特定輻射可穿透區22相關聯的輻射反射區23(由光罩7反射之輻射14的0繞射階成像其中)稱為共軛區23。很明顯地，與EUV輻射可穿透區22互補的EUV輻射反射區23不僅包含相應共軛區23(在圖中為檢視而指定)。原則上，互補區在各情況中包含總體反射鏡面24。
反射鏡20中輻射可穿透區22的數目尤其精確對應於光瞳琢面反射鏡18上光瞳琢面19的數目。然而，這並非絕對必要。尤其對可切換琢面17、19而言，輻射可穿透區22的數目亦可多於或少於光瞳琢面反射鏡18上光瞳琢面19及/或場琢面反射鏡16上場琢面17的數目。一般而言，反射鏡20具有至少兩個EUV輻射可穿透區22。這些EUV輻射可穿透區22在反射鏡主體21中均組態為通孔。EUV輻射反射區23可組態為連續組態(除了通孔22)之引起反射之反射鏡面24的部分區。EUV輻射反射區23尤其可為連接。EUV輻射可穿透區22尤其可以分離的方式布置在反射鏡主體21中。反射鏡面24可為凸面、平面或凹面。
輻射可穿透區22係布置與反射鏡20的對稱軸25隔開，尤其是布置成每一個EUV輻射可穿透區22可藉由繞著對稱軸25旋轉被轉移至與其共軛的相應EUV輻射反射區23中。對稱軸25尤其垂直於反射鏡面24。在中央區中，換句話說，在對稱軸25穿過之點的區域中，反射鏡20(換句話說，反射鏡面24)尤其引起反射。原則上，亦可設想反射鏡20設有中央通孔。
反射鏡20相對於對稱軸25具有離散的至少二重旋轉對稱(two-fold rotational symmetry)。其尤其可具有奇數(例如三重、五重或七重)旋轉對稱。也可以使用更多重對稱。對奇數旋轉對稱而言，每一個EUV輻射可穿透區22係布置相對於對稱軸25對稱於與其共軛之相應EUV輻射反射區23。
通孔22具有精確對應於光瞳琢面反射鏡18上光瞳琢面19之形狀的形狀。這些通孔尤其是圓形。也可以使用卵形(oval)，尤其是橢圓形組態。
有利的是，輻射可穿透區22在反射鏡20上的布置及光瞳琢面19在光瞳琢面反射鏡18上的布置係針對彼此來調適。
輻射可穿透區22總計覆蓋反射鏡面24的最多50%、尤其是最多40%、尤其是最多30%、尤其是最多20%、尤其是最多10%。
在圖4A、4B及圖5A、5B中顯示的具體實施例中，EUV輻射可穿透區22係布置在繞著對稱軸25的圓圈上。一般而言，輻射可穿透區22的至少一部分係布置在繞著對稱軸25的圓圈上。這些輻射可穿透區尤其係等距離布置在圓圈上。這些輻射可穿透區亦可布置在繞著對稱軸的複數個同心圓上。輻射可穿透區22尤其布置成其共同重心與對稱軸25重合。輻射可穿透區22的的全部可以外圍包絡面35來描述。輻射可穿透區22尤其在反射鏡20上係布置成其外圍包絡面35劃定一個面積的界限，該面積與全部的面積(換句話說，結合輻射反射區23，尤其是整個反射鏡面24)的至少30%、尤其是至少40%、尤其是至少50%、尤其是至少60%、尤其是至少70%、尤其是至少80%、尤其是至少90%部分重疊。
在圖4A、4B的圖解中，顯示具有三個圓形輻射可穿透區22的反射鏡20。在圖5A、5B中，顯示具有五個相應圓形輻射可穿透區22的反射鏡20。此外，為了圖解，在圖4A及5A中，顯示輻射可穿透區22及與其共軛的輻射反射區23各被圈起並以連續數字編號，與特定輻射可穿透區22共軛的相應輻射反射區23被指定有相同的數字且在其後加上r。圈起共軛區23只是為了圖解且在實際反射鏡20上沒有結構對應性。尤其，取決於光罩7之結構及與其連接之藉以反射輻射14之繞射階之位置的整個反射鏡面24，可形成EUV輻射反射區23。與輻射可穿透區22相關聯的輻射反射區23尤其可被組態為部分重疊及/或連接。圖4A及5A中顯示的反射鏡20具有三線(three-line)或五線(five-line)旋轉對稱。輻射可穿透區22因此各係相對於對稱軸25布置對稱於與其共軛的輻射反射區23。
在根據圖6的具體實施例中，反射鏡20具有三個扇區的圓形輻射可穿透區22。
在根據圖7的具體實施例中，反射鏡20具有四個扇區的圓形輻射可穿透區。
根據本發明之反射鏡20的功能示意性顯示於圖3中。來自組態於場琢面17及光瞳琢面19之一者之間之光通道的EUV輻射14在各情況中通過反射鏡20之相關聯的EUV輻射可穿透區22，在光罩7上被反射，然後在與輻射可穿透區22共軛的輻射反射區23上，照射在光瞳平面26(尤其是照明光學系統4的出射光瞳平面及投射光學系統9的入射光瞳平面)的區域中，EUV輻射14從輻射反射區23另外利用投射光學系統9反射。
圖2舉例顯示諸如可用例如根據圖4A及4B的反射鏡20實現的光束路徑。舉例顯示EUV輻射141、142及143，其各通過反射鏡20的一個通孔22。就此方面顯示圖2所示光束路線僅投射至圖式平面中，及因此不描繪圖式平面的斜面。因此，尤其是通過反射鏡20的光束141不與反射回到反射鏡20上的光束143重合，而是相對於後者為偏斜。對應地，通過反射鏡20的光束143相對於反射回到反射鏡20上的光束141為偏斜。此外，通過反射鏡20的光束142相對於反射回到反射鏡20上的光束142為偏斜。
反射鏡20尤其係布置接近投射光學系統9中的光瞳。其中適用的尤其是P(M)0.5，尤其是P(M)0.7，尤其是P(M)0.9。
反射鏡20尤其係布置在光瞳平面26中。這確保在反射鏡20的區域中來自光瞳琢面反射鏡18之光瞳琢面19的輻射14至少大約聚焦，及因此至少光罩7上相關聯之輻射反射的零繞射階照射在反射鏡20上的預定有限區域中。對例如根據圖4、5或6之一的明場組態而言，反射鏡20係組態成來自輻射可穿透區22在光罩7上反射之輻射14的至少零繞射階精確地照射在與輻射可穿透區22共軛的輻射反射區23上，且因此由投射光學系統9成像於影像場10中。其由於布置反射鏡20接近光瞳可實現照明及成像光束路徑至少局部(尤其是完全)在空間上彼此隔離。此隔離尤其對於所有場點均相同。尤其，零繞射階的光束路徑在完全在空間上彼此隔離的區域中行進。
替代於在光瞳平面26中布置反射鏡20，亦可布置反射鏡20與光瞳平面26隔開。這一般導致照明的場相依性(field dependency)，換句話說，照明在整個物體場中不再均勻一致。在此情況中，只要針對每一個場點，傳輸最小數之繞射階的適當比率，這些不完全成像光瞳的效應尤其可利用場相依及結構相依校正方法(稱為「光學鄰近校正(optical proximity correction，OPC)」)完全校正。在此類型的校正方法中，利用遮罩的單一案例相依結構調適，改良其在晶圓上的影像。尤其，補償成像誤差(imaging error)及因此校正成像誤差。
在暗場組態中，在光罩7上反射之輻射14的零繞射階(例如在圖7中顯示)精確地在另一輻射可穿透區22上照射在反射鏡20上及因此不被反射鏡20反射。
根據本發明的光學系統27包含照明光學系統4及投射光學系統28。投射光學系統28包含至少一個具有至少一個EUV輻射可穿透區22的反射鏡，其在照明光學系統4的光束路徑中布置成EUV輻射14的至少一部分在照明光學系統中被引導通過此EUV輻射可穿透區22。換句話說，照明光學系統4中的光束路徑因此被引導成EUV輻射14在其被光罩7反射之前通過至少一個輻射可穿透區22，及光罩7由投射光學系統9成像於影像場10中。尤其，提供根據上述投射光學系統9組態的投射光學系統28。
在使用投射曝光系統1時，提供光罩7及晶圓12，該晶圓負有用於照明光14的感光塗層。接著借助投射曝光系統1，將光罩7的至少一部分投射於晶圓12上。光罩因此以EUV輻射14照明，使得EUV輻射14的主要光束(CRA，主射線角)以最多6°、尤其是最多3°、尤其是最多1°、尤其是0°的入射角照射在光罩7上。入射角在此定義為在照明光罩7所使用光束的主要光束及光罩7上法線29之間的角度。主要光束的入射角尤其係小於物體側數值孔徑，即CRA<反正弦(NAO)。
在投射光罩7於晶圓12上期間，光罩固持器8及/或晶圓固持器13可在平行於物體平面6或平行於影像平面的方向中位移。光罩7及晶圓12的位移較佳可彼此同步進行。
最後，在晶圓12上顯影以照明光曝光的感光塗層。以此方式製造微結構化或奈米結構化組件，尤其是半導體晶片。
替代於在投射曝光系統中使用，根據本發明的反射鏡20也可在檢查裝置(inspection device)中使用，尤其是用於檢查反射微影遮罩或檢查曝光晶圓基板。在此情況中，投射光學系統9的影像場10係檢查裝置的檢查物體場。
如圖8中示意性顯示，根據本發明的反射鏡20亦可結合Schwarzschild光學系統30(尤其是Schwarzschild透鏡系統)使用。Schwarzschild透鏡系統包含主要反射鏡31及次要反射鏡32。主要反射鏡31尤其係為凸面。次要反射鏡32尤其係為凹面。次要反射鏡32具有用於EUV輻射14的通孔33。
根據本發明的反射鏡20可提供為此類型系統中的摺疊反射鏡(folding mirror)。該反射鏡20尤其可布置為照明光學系統4在投射光學系統9的光束路徑中的一部分或作為投射光學系統9在照明光學系統4的光束路徑的一部分。這是可以互換的。因此，尤其可以在明場及暗場組態之間交換。此類型系統尤其可在檢查裝置中用來檢查反射微影遮罩或檢查曝光晶圓基板。
圖9顯示反射鏡20a的相反組態。反射鏡20a包含大量輻射反射區23。輻射反射區23在形貌上(topologically)分離。
輻射反射區23以固持構件(holding means)34相對於彼此而固持。固持構件尤其以類似支柱的方式來組態。固持構件可以為線性或拱形，尤其是圓形的弧形。固持構件亦可以類似編結的方式來組態。固持構件34越薄越好，使得陰影越少越好。固持構件尤其覆蓋構成反射鏡20a總表面面積最多30%、尤其是最多25%、尤其是最多20%、尤其是最多15%、尤其是最多10%、尤其是最多5%。固持構件尤其可以鋁、殷鋼、鈦、銅、陶瓷或碳纖維製成。固持構件34的尺寸尤其可設定成輻射反射區23相對於彼此為可靠地固定。
原則上，可設想以單塊地(monolithically)組態反射鏡20a，亦即，使輻射反射區23在形貌上連接。
在此具體實施例中，與不同輻射反射區23相關聯之不同的輻射可穿透區22可在形貌上連接。這些輻射可穿透區尤其(除了固持構件34外)可形成連接的、尤其是在路徑上連接而非只是連接的總區域。換句話說，輻射可穿透區22的總區域(除了固持構件34外)是連接的，尤其是在路徑上連接。然而，個別輻射可穿透區22在有限程度(及尤其是至少局部)上以固持構件34彼此隔離。因此，反射鏡20a亦具有大量(尤其是至少兩個、尤其是至少三個、尤其是至少四個)輻射可穿透區22。
反射鏡20a尤其係為照明光學系統4的一部分。反射鏡可布置在投射光學系統9的光束路徑中。反射鏡20a尤其是在投射光學系統9的光束路徑中布置成EUV輻射14在投射光學系統9中的至少一部分被引導通過至少一個EUV輻射可穿透區22。輻射反射區23在此可在投射光學系統9中用作屏蔽光闌(obscuration stop)。
在此具體實施例中，輻射反射區23係布置，使得在光罩7上由輻射反射區23反射的輻射14在光罩7上反射後(換句話說，在投射光學系統9的光束路徑中)，精確地落在輻射可穿透區22上。這是指在光罩7上反射之輻射14的預定繞射階(尤其是零繞射階)落在輻射可穿透區22上。很明顯地，輻射反射區23在反射鏡20a上亦可布置成作為零繞射階的補充或替代，在光罩7上反射之輻射14的+/-第一繞射階落在輻射可穿透區22上。
1．．．投射曝光系統
2．．．照明系統
3．．．光束來源
4．．．照明光學系統
5．．．物體場
6．．．物體平面
7．．．光罩
8．．．光罩固持器
9．．．投射光學系統
10．．．影像場
11．．．影像平面
12．．．晶圓
13．．．晶圓固持器
14．．．EUV輻射
141．．．EUV輻射
142．．．EUV輻射
143．．．EUV輻射
15．．．集光器
16．．．場琢面反射鏡
17．．．場琢面
18．．．光瞳琢面反射鏡
19．．．光瞳琢面
20．．．反射鏡
21．．．反射鏡主體
22．．．EUV輻射可滲透區
23．．．EUV輻射反射區
24．．．反射鏡面
25．．．對稱軸
26．．．光瞳平面
27．．．光學系統
28．．．投射光學系統
29．．．法線
30．．．Schwarzschild光學系統
31．．．主要反射鏡
32．．．次要反射鏡
33．．．通孔
34．．．固持構件
35．．．包絡面
本發明具體實施例將借助圖式詳細說明，其中：
圖1顯示用於EUV微影之EUV投射曝光系統之組件的示意圖；
圖2顯示在反射要在投射曝光中成像之物體(形式為光罩)的區域中，根據圖1的投射曝光系統之照明光及成像光之光束路徑之截面放大的示意圖；
圖3顯示類似於圖2之照明光及成像光之光束路徑之截面放大的示意圖，但以另一方式引導光束路徑；
圖4A、4B顯示根據本發明第一具體實施例之反射鏡的示意圖；
圖5A、5B顯示根據本發明另一具體實施例之反射鏡的示意圖；
圖6及圖7顯示反射鏡之另一具體實施例的示意圖；
圖8顯示結合Schwarzschild光學系統使用根據本發明之反射鏡的示意圖；及
圖9顯示反射鏡之另一具體實施例的示意圖。
7．．．光罩
14．．．EUV輻射
20．．．反射鏡
22．．．EUV輻射可滲透區
23．．．EUV輻射反射區
24．．．反射鏡面
26．．．光瞳平面

Claims (14)

  1. 一種用於EUV輻射的反射鏡，包含：一反射鏡主體，包含一反射鏡面，包含：至少一個EUV輻射反射區及至少兩個EUV輻射可穿透區；其中該等輻射可穿透區是以非連接的方式配置於該反射鏡面，該等輻射可穿透區具有一包絡面，其中該包絡面劃定一面積的界限，該面積與該反射鏡面的全部的至少40%部分重疊。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之反射鏡，其中，其針對每一個EUV輻射可穿透區具有一共軛EUV輻射反射區，其中每一個EUV輻射可穿透區藉由繞著一對稱軸旋轉而可轉移至與其共軛的相應EUV輻射反射區中。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之反射鏡，其中每一個EUV輻射可穿透區係相對於該對稱軸布置對稱於與其共軛的相應EUV輻射反射區。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之反射鏡，包含大量的輻射可穿透區及與其共軛的輻射反射區。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之反射鏡，其中該等輻射可穿透區的至少一部分係布置在繞著該對稱軸之一圓圈上。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之反射鏡，其中該等輻射可穿透 區係布置成其共同重心與該對稱軸重合。
  7. 一種以EUV輻射照明一物體場的照明光學系統，其具有一如申請專利範圍第1項所述之反射鏡。
  8. 一種成像一物體場於一影像場的投射光學系統，其具有一如申請專利範圍第1項所述之反射鏡。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之投射光學系統，其中該反射鏡係布置接近一光瞳。
  10. 一種用於一EUV投射曝光系統的光學系統，包含：一第一光學系統，用於以EUV輻射照明一物體場，其中該第一光學系統具有至少一個光瞳琢面反射鏡，及其中在該第一光學系統中的EUV輻射具有至少一個特定光束路線以產生一特定照明設定；及一第二光學系統，用於成像該物體場於一影像場中；其中該等光學系統之至少一個包含至少一個具有至少兩個EUV輻射可穿透區的反射鏡，該至少兩個EUV輻射可穿透區的其中之一布置在該另一個光學系統的光束路徑中使得在該另一個光學系統中之EUV輻射的至少一部分被引導通過該EUV輻射可穿透區；以及其中該反射鏡的一反射區的全部係配置以反射具有相同波長的EUV輻射，該反射鏡的一反射鏡面包含該反射區的全部與該等輻射可穿透區，該等輻射可穿透區是以非連接的方式配置，該等輻射可穿透區具有一包絡面，其中該包絡面劃定一 面積的界限，該面積與該反射鏡面的全部的至少30%部分重疊。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之光學系統，其中該第一光學系統係一照明光學系統及該第二光學系統係一投射光學系統，及該投射光學系統包含該至少一個具有該至少兩個EUV輻射可穿透區的反射鏡，該至少兩個EUV輻射可穿透區的其中之一布置在該照明光學系統的光束路徑中使得在該照明光學系統中之EUV輻射的至少一部分被引導通過該EUV輻射可穿透區。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之光學系統，其中該第一光學系統係一照明光學系統及該第二光學系統係一投射光學系統，及該照明光學系統包含該至少一個具有該至少兩個EUV輻射可穿透區的反射鏡，該至少兩個EUV輻射可穿透區的其中之一布置在該投射光學系統的光束路徑中使得在該投射光學系統之EUV輻射的至少一部分被引導通過該EUV輻射可穿透區。
  13. 一種EUV投射曝光系統包含：一EUV輻射源；及一如申請專利範圍第10項所述之光學系統。
  14. 一種製造一微結構化或奈米結構化組件的方法，具有以下方法步驟：提供一光罩； 提供一具有一感光塗層的晶圓；借助如申請專利範圍第13項所述之投射曝光系統，將該光罩的至少一部分投射於該晶圓上；顯影該晶圓上被曝光的感光塗層。
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