JP2012522358A - Ｅｕｖマイクロリソグラフィ用の照明光学系、この種の照明光学系用のｅｕｖ減衰器、及びこの種の照明光学系を有する照明系及び投影露光装置 - Google Patents

Abstract

ＥＵＶマイクロリソグラフィのための照明光学系は、放射線源から物体視野に照明光ビームを誘導するのに使用される。少なくとも１つのＥＵＶミラー（１３）は、照明光ビームを形成するための非平面ミラートポグラフィを有する反射面（２９）を有する。ＥＵＶミラー（１３）は、その前に配置された少なくとも１つのＥＵＶ減衰器を有する。ＥＵＶミラー（１３）の反射面（２９）に対面する減衰器面は、ミラートポグラフィを補完するように設計された減衰器トポグラフィを有し、それによって減衰器面のうちの少なくともある一定の区画は、反射面（２９）から一定の間隔の位置に配置される。その結果は、可能な限り少ない望ましくない放射線損失しか伴わずに物体視野にわたる照明パラメータ、例えば、照明強度分布又は照明角度分布の望ましくない変化を補正することができる照明光学系である。
【選択図】図９

Description

本発明は、照明光ビームを放射線源から物体視野に誘導するためのＥＵＶマイクロリソグラフィのために、照明光ビームを誘導するための非平面ミラートポグラフィを有する反射面を有する少なくとも１つのＥＵＶミラーを有する照明光学系に関する。更に、本発明は、この種の照明光学系のためのＥＵＶ減衰器、この種の照明光学系を有する照明系、及びこの種の照明系を有する投影露光装置に関する。最後に、本発明は、微細構造化構成要素又はナノ構造化構成要素を生成する方法、及び本方法を用いて製造される構成要素に関する。

投影露光装置における照明光学系のための減衰器は、ＵＳ ２００７／００４１００４ Ａ１、ＵＳ ６，４４５，５１０ Ｂ１、及びＵＳ ２００７／００５８２７４ Ａ１から公知である。

ＵＳ ２００７／００４１００４ Ａ１ ＵＳ ６，４４５，５１０ Ｂ１ ＵＳ ２００７／００５８２７４ Ａ１ ＥＰ １ ２２５ ４８１ Ａ

本発明の目的は、可能な限り少ない望ましくない放射線損失しか伴わずに物体視野にわたる照明パラメータ、例えば、照明強度分布又は照明角度分布における望ましくない変化を補正することができるような冒頭に示した種類の照明光学系を開発することである。

本発明は、照明光ビームを形成するための非平面ミラートポグラフィを有する反射面を有する少なくとも１つのＥＵＶミラーと、ＥＵＶミラーの前に配置された少なくとも１つのＥＵＶ減衰器であって、ＥＵＶ減衰器のＥＵＶミラーの反射面に対面する減衰器面が、ミラートポグラフィを補完するように設計された減衰器トポグラフィを有し、それによって減衰器面のうちの少なくともある区画が、反射面に接触することなく反射面から一定の間隔の位置に配置されるようにするＥＵＶ減衰器とを有して、照明光ビームを放射線源から物体視野に誘導するためのＥＵＶマイクロリソグラフィのための照明光学系によってこの目的を達成する。

本発明に準ずると、照明パラメータにおける望ましくない変化が、ＥＵＶ減衰器を用いて補正される。ミラートポグラフィに対する減衰器トポグラフィの補完的成形は、ＥＵＶ減衰器をＥＵＶミラーの直近に持ってくることができることを保証する。照明光ビームがＥＵＶミラーに０とはかなり異なる入射角で当たった場合であっても、ＥＵＶ減衰器をＥＵＶミラーの直近に持ってくるこの可能性は、ＥＵＶ減衰器上への照明光の戻りビームの入射位置と射出ビームの入射位置の間のオフセットに起因する二重通過損失が阻止されるか、又は最小にされることを保証する。ＥＵＶミラーとは別のサブアセンブリの形態にあるＥＵＶ減衰器の利点は維持される。従って、ＥＵＶ減衰器をＥＵＶミラーに対して微調節することができる。更に、照明パラメータの影響を変更するために、特定のＥＵＶ減衰器を異なる設計のＥＵＶ減衰器と交換することができる。非常に短い間隔にも関わらず、ＥＵＶミラーとＥＵＶ減衰器とが互いに接触することを安全に阻止することができる。ＥＵＶ減衰器は、物体視野にわたる照明光における照明角度分布と強度分布の両方に影響を与えるために使用することができる。ＥＵＶ減衰器の作用は、照明光学系内のその位置に依存する。ＥＵＶ減衰器のこの位置決めされのために設けられたＥＵＶミラーの前の平面では、この平面の状況に従って物体視野照明の視野機能と瞳機能の両方に関するパラメータを変更することができる。ＥＵＶ減衰器が、照明光学系の視野平面又は瞳平面と一致する平面に位置する限り、視野機能のパラメータのみ、又は瞳機能のパラメータだけに特定的に影響を与えることができる。非平面ミラートポグラフィは、ミラートポグラフィに対して補完的な設計の減衰器トポグラフィも同じく非平坦、すなわち、不均等であることを意味する。非平坦ミラートポグラフィは、ミラーの反射面内の対応する曲率により、又はそうでなければミラーが個々のミラーセグメント、例えば、個々のミラーファセットに分割されることによって生成することができる。

ＥＵＶ減衰器とＥＵＶミラーの間の２００μｍよりも大きくない領域内の間隔は特に適切であることが見出されている。

ＥＵＶ減衰器は、規定の絞り輪郭を有する少なくとも１つのＥＵＶ絞りを有することができる。それによってＥＵＶ減衰器からの明確に定められた減衰作用を保証する。いかなる減衰も必要とされない点では、照明光は、完全にＥＵＶ減衰器を通過することが許され、又はＥＵＶ減衰器によって通過することが許されて減衰されない。

代替的又は追加的に、ＥＵＶ減衰器は、少なくとも１つの灰色フィルタ、すなわち、灰色フィルタ機能を有する構成要素を有することができる。これは、灰色フィルタによるＥＵＶ減衰作用のプロフィールの適切に精密な成形により、ＥＵＶ減衰器からの減衰作用プロフィールの精密な成形を可能にする。これは、照明光の強度を補正関数に準じて変調することができることを意味する。物体視野照明における楕円度又はそうでなければテレセントリック性の程度を変調するか又はこれらに影響を与えるために、物体視野の照明の均一性の程度、すなわち、均一性の程度に影響を与えるか、又はこれらを変調することができる。また、物体視野照明における極均衡として公知の定義方式で規定された照明角度からの照明強度の間の強度比を変調するか又はそれに影響を与えることができる。言及したこれらのパラメータのうちの単一のもの又はそうでなければ全てを変調するか又はこれらに影響を与えることができる。

ＥＵＶミラーの反射面は、自由曲面の形態にあるとすることができる。それによって物体視野照明を特定の事前設定に適合させることが可能になる。必要に応じて、自由曲面設計のものであるＥＵＶミラーにより、例えば、矩形物体視野を照明することができる。

ＥＵＶミラーの反射面は、複数の反射個別ファセットを有するファセット面の形態にあるとすることができ、少なくとも一部の特定の個別ファセットは、ＥＵＶ減衰器の関連付けられた減衰器区画を有することができる。この種の減衰器区画は、複数の個別ファセットに関連付けることができる。この設計のファセットミラーは、特に、例えば、ＵＳ ２００７／００５８２７４ Ａ１の図１２から公知である照明幾何学形状の視野ファセットミラー又は瞳ファセットミラーとすることができる。この種のファセットミラーのファセットは、特に個別に傾けるか、又は傾斜させることができる。この場合、個別ファセットは、ＥＵＶミラーの主平面に対して、０．５°よりも大きく、１°よりも大きく、２°よりも大きく、３°よりも大きく、又は５°よりも大きい傾斜角だけ個別に傾斜させることができる。更に、ファセットは、ビームを形成するために曲面の特に凹曲面の反射面を有することができる。そのような設計は、特に物体視野照明パラメータに影響を与えるために、ＥＵＶ減衰器を用いて特定の個別ファセットを減衰させることを可能にする。個別減衰器区画及び／又は複数のそのような減衰器区画を含む組合せを特にモノリシックに形成された本体から製造することができる。これは電気メッキによって形成された本体とすることができる。

減衰器区画は、個別減衰をもたらすことができる。例示的に、各々が異なる減衰を有する２つの種類の減衰器区画、又はそうでなければ２つよりも多くの種類の減衰器区画、例えば、３つ、４つ、５つ、又は更にはそれ以上のそのような種類を設けることができる。それによって相応に大きい自由度数で物体視野照明パラメータに影響を与えることが可能になる。

減衰器区画は、個別ファセットに関連付けられた遮蔽縁部を有する絞りの形態にあるとすることができる。それによって個別ファセットを個別化方式で精密に減衰させることが可能になる。

ファセット面は、複数のファセットブロックに分割することができる。更に、ファセットブロックは、複数の個別ファセットを組み合わせることができる。ファセットブロックは、ファセット面上に挿入された距離区画を有することができる。ＥＵＶ減衰器の補完的に成形された減衰器面は、ファセット面上の距離区画に隣接して配置された減衰器面区画上に補強支柱を有することができる。それによってＥＵＶ減衰器を自己支持設計のものとすることが可能になり、補強支柱がない場合には、有用放射線の望ましくない有意な損失がもたらされる。

ＥＵＶ減衰器の補完的に成形された減衰器面は、特に電気メッキによってＥＵＶミラーの反射面から形成された層の形態にあるとすることができる。それによって減衰器面においてＥＵＶミラーの反射面に対する精密な補完形状を保証する。更に、それによって２つの面を互いから非常に短い間隔で配置する可能性がもたらされる。

ＥＵＶ減衰器の形成層は、ニッケルから生成することができる。それによって精密な形成に加えて、ＥＵＶ減衰器を小さい壁厚を有するように設計することも可能になり、更にそれによって特に二重通過における有用放射線の望ましくない損失が低減する。ＥＵＶ減衰器における壁厚は、０．０３ｍｍよりも大きく、又はそれに等しいとすることができる。壁厚は、０．０３ｍｍと０．３ｍｍの間の範囲、特に０．０５ｍｍと０．３ｍｍの間の範囲にあるとすることができる。

形成層は、複数の絞りを収容することができる。それによって特にＥＵＶミラーの領域、特にファセットミラーの形態にあるＥＵＶミラーの個別ファセットの個別化遮蔽が可能になる。

減衰器区画に加えて、形成層は、非減衰貫通開口部を収容することができる。この場合、ＥＵＶミラーは、物体視野照明パラメータに影響を与えるために減衰を必要とする点においてのみ減衰される。ＥＵＶミラーのファセット設計には、ＥＵＶ減衰器の減衰器区画による影響を受ける照明を有する補正ファセットのみならず、ＥＵＶ減衰器内に関連付けられた非減衰貫通開口部を有する影響を受けない基本照明ファセットを設けることができる。

ＥＵＶ減衰器の減衰器区画が、関連付けられた一部の個別ファセットを有する限り、この減衰器区画は、絞りである複数の減衰器指状体を有することができる。この場合、各減衰器指状体は、この減衰器指状体が関連付けられる少なくとも１つの個別ファセットに対して個別に調整される方式で形成することができる。それによって照明光学系のためのＥＵＶ減衰器を製造する自由度が高まる。

減衰器指状体の個別に成形された遮蔽縁部は、照明に対する適切な個別補正の任意選択肢をもたらす。

各個別ファセットが、厳密に１つ又は最大で２つの関連付けられた減衰器指状体を有する関連付けは、ＥＵＶ減衰器において小型で、同時に取り扱いの容易な設計を可能にする。

減衰器指状体は、共通の装着支持体によって保持することができる。それによって複数の個別ファセットに関連付けられる減衰器区画を共通の装着支持体と共にモジュールとして事前に組み立てる可能性がもたらされる。

装着支持体は、複数の個別ファセットを有するファセットブロックの両側に配置された支持ブラケットを有することができ、減衰器指状体は、ファセットブロックに関連付けられた２つの支持ブラケットの間に配置される。それによって望ましくない遮蔽によってファセットミラーの可能な限り小さい有用反射面しか失われるこことのない減衰器指状体に対する装着支持体が可能になる。

減衰器指状体に対する支持ブラケット上の保持点は、張られる個別ファセットの形状に依存するレベル、特にこれらの個別ファセットの反射面の外形に依存するレベルに配置することができる。このようにして、支持ブラケットの設計は、減衰器指状体と、それに関連付けられた個別ファセットの間の間隔を精密に規定することができる。

本発明の照明光学系のためのＥＵＶ減衰器の利点、本発明の照明光学系を有する照明系の利点、及び本発明の照明系を有する投影露光装置の利点は、本発明の照明光学系を参照して上述したものに対応する。

レチクルが準備される段階と、照明光に対して感光性を有するコーティングを有するウェーハが準備される段階と、本発明の投影露光装置を用いてレチクルの少なくとも１つの区画がウェーハ上に投影される段階と、照明光ビームに露光された感光層がウェーハ上で現像される段階とを含む製造方法の利点、及び本発明に準じて製造された微細構造又はナノ構造のサブアセンブリの利点は、本発明の照明光学系を参照して上述したものに対応する。

本発明の例示的な実施形態を図面を参照して以下により詳細に説明する。

照明光学系と投影光学系とを有し、マイクロリソグラフィのための投影露光装置を通る略子午断面図である。 視野ファセットミラーの特定の視野ファセットが、視野ファセットミラーの前に配置されたＥＵＶ減衰器の関連付けられた個別減衰区画を有し、図１に示す照明光学系の視野ファセットミラー及び瞳ファセットミラーのそれぞれの概略平面図である。 視野ファセットミラーの個別ファセットに関連付けられた様々な種類の減衰器区画、及びこれらの視野ファセットに物理的に関連付けられた瞳ファセットのそれぞれの平面図である。 内部で複数の個別ファセットが更に組み合わされた複数のファセットブロックに分割されたファセット面を有する更に別の実施形態の視野ファセットミラーの斜視図である。 他のファセットブロックよりも詳細に示すファセットブロックが、ＥＵＶ減衰器を製造するために電気メッキ形成層を保持する図４の視野ファセットミラーからの詳細部の拡大図である。 図４に示す視野ファセットミラーのファセットブロックに対するＥＵＶ減衰器における、電気メッキ形成を用いて製造された半物品の斜視図である。 図４に示す視野ファセットミラーのファセットブロックに対するＥＵＶ減衰器における、電気メッキ形成を用いて製造された半物品の斜視図である。 図４に示す視野ファセットミラーの個別ファセットミラーの各々が、規定の絞り輪郭又はＥＵＶ光を減衰させない貫通開口部を有し、関連付けられたＥＵＶ絞りを有し、電気メッキによって形成された半物品から製造されたＥＵＶ減衰器の略斜視図である。 図８に示すＥＵＶ減衰器が左半分に装着された、図４に示す視野ファセットミラーの図である。 更に別の実施形態のＥＵＶ減衰器を有し、図４に示す視野ファセットミラーのファセットブロックの平面図である。 図１０の線ＸＩ−ＸＩに沿った断面図である。 図１０の線ＸＩＩ−ＸＩＩに沿った断面図である。 図１１の視線方向ＸＩＩＩに見た図１０に示すＥＵＶ減衰器における支持ブラケットの図である。 図１１の視線方向ＸＩＶに見た図１０に示すＥＵＶ減衰器における支持ブラケットの図である。

図１は、マイクロリソグラフィのための投影露光装置１を通る子午断面を略示している。投影露光装置１における照明系２は、放射線源３だけではなく、物体平面６内の物体視野５を露光させるための照明光学系４を有する。この露光は、微細構造又はナノ構造の導体構成要素を生成するために物体視野５に配置され、投影露光装置１を用いて投影される構造を保持する図１には示していないレチクルの露光を含む。

投影光学系７は、物体視野５を像平面９内の像野８内にマップするのに使用される。レチクル上の構造は、像平面９内の像野８の領域に配置された図面には示していないウェーハのフォトレジスト層上にマップされる。

放射線源３は、５ｎｍと３０ｎｍの間の範囲の有用放射線を放出するＥＵＶ放射線源である。この光源は、プラズマ光源、例えば、ＧＤＰＰ（ガス放電生成プラズマ）光源又はＬＰＰ（レーザ生成プラズマ）光源とすることができる。他のＥＵＶ放射線源、例えば、シンクロトロンに基づくものも可能である。

放射線源３から射出するＥＵＶ放射線１０は、コレクター１１によって集光される。適切なコレクターは、例えば、ＥＰ １ ２２５ ４８１ Ａから公知である。コレクター１１の後に、ＥＵＶ放射線１０は中間焦点面１２を通じて伝播し、その後に、視野ファセットミラー１３に当たる。視野ファセットミラー１３は、照明光学系４の物体平面６に対して光学的に共役な平面に配置される。

以降ＥＵＶ放射線１０を照明光又はマッピング光とも呼ぶ。

視野ファセットミラー１３の後に、ＥＵＶ放射線１０は、瞳ファセットミラー１４によって反射される。瞳ファセットミラー１４は、照明光学系４の投影光学系７の瞳平面に対して光学的に共役な平面に配置される。瞳ファセットミラー１４と、ＥＵＶ放射線１０に対する光線経路の順に示しているミラー１６、１７、及び１８を有する伝達光学系１５の形態にあるマッピング光学アセンブリとは、視野ファセットミラー１３の視野ファセット１９（図２を参照されたい）を互いの上に重なるように物体視野５内にマップするのに使用される。伝達光学系１５内の最後のミラー１８はかすめ入射ミラーである。伝達光学系１５を視野ファセットミラー１３から物体視野５にＥＵＶ放射線１０を伝達するための連続光学系とも呼ぶ。

位置関係の説明を簡略化するために、下記の本文では直交ｘｙｚ座標系を使用する。図１では、ｘ軸は、作図面と垂直に閲覧者に向いて延びている。図１では、ｙ軸は右に延びている。図１では、ｚ軸は上方に延びている。

図示していないレチクルホルダによって保持されるレチクルと、図示していないウェーハホルダによって保持されるウェーハとは、投影露光装置１の作動中にｙ方向に同期して走査される。

物体視野５は、弓形又は矩形の形状とすることができる。物体視野５のｘ広がりとｙ広がりとのアスペクト比は、視野ファセット１９のアスペクト比に対応する。図示の例示的な実施形態では、視野ファセット１９は矩形である。視野ファセット１９は、図示していない実施形態では弓形とすることができ、そのような弓形視野ファセットのｘ方向の広がりとｙ方向の広がりとの比は、図示の実施形態における矩形視野ファセット１９におけるアスペクト比に対応する。

視野ファセット１９及び物体視野５のｘ／ｙアスペクト比は、例えば、１３／１である。１よりも大きい他のアスペクト比も可能である。これらのアスペクト比に基づいて、ｘ軸を長視野軸とも呼び、ｙ軸を短視野軸とも呼ぶ。物体視野５内の特定のｘ座標を視野レベルとも呼ぶ。

視野ファセットミラー１３の視野ファセット１９は、視野ファセットブロック２０内でそれぞれの複数の視野ファセット１９と組み合わされる。図２に示している視野ファセットミラー１３の概略図では、図示の４つの視野ファセットブロック２０の各は８つの視野ファセット１９を有する。実際には、図４に示している更に別の実施形態の視野ファセットミラー１３の図から分るように、非常に多数のそのような視野ファセットブロック２０が存在する。実際には、視野ファセットミラー１３は、数百の視野ファセット１９を有する。視野ファセットブロック２０は、実際には複数の自由度で調節することができる視野ファセット支持体２１上に配置される。上部に視野ファセットブロック２０が配置された視野ファセット支持体２１は、視野ファセットミラー１３における主平面を規定する。視野ファセット１９の特定のもの又は視野ファセット１９の全てが、視野ファセットミラー１３の主平面に対して、例えば、０．５よりも大きい傾斜角だけ個別に傾斜される。視野ファセット１９の特定のものでは、傾斜角は、１°よりも大きく、２°よりも大きく、３°よりも大きく、又はそうでなければ５°よりも大きいとすることができる。視野ファセットミラー１３の主平面に対して５°よりも有意に大きい傾斜角も可能である。視野ファセットミラー１３の設計に基づいて、視野ファセットブロック２０を視野ファセット支持体２１に対して調節可能な形状のものとすることができる。

瞳ファセットミラー１４（図２を参照されたい）は、瞳ファセット支持体２３上に、例えば、密充填六角形状で配置された複数の円形瞳ファセット２２を有する。

視野ファセット１９と瞳ファセット２２とはマッピング作用を有することができ、例えば、球形に凹の形状に成形することができる。

瞳ファセット支持体２３は、視野ファセット支持体２１に準じて調節することができるように設計することができる。瞳ファセット支持体２３の調節可能性とは別に又はそれに追加して、個別瞳ファセット２２を瞳ファセット支持体２３に対して調節可能な設計のものとすることができる。

実際には、ファセット１９、２２上の高反射コーティングは、交替するモリブデン層とシリコン層とを有する多層コーティングである。この種の多層コーティングを製造するための他のコーティング材料も可能である。ファセット１９、２２は、ＥＵＶ放射線１０に対するミラーファセットである。個別視野ファセットブロック２０及び／又は個別瞳ファセット２２を調節するために、これらの構成要素をそれに関連付けられたアクチュエータに個別に接続さることができる。これらのアクチュエータは、個別視野ファセットブロック又は個別ファセットをそれぞれのファセットブロック又はそれぞれのファセットの反射平面に位置する２つの軸の回りに傾斜させることを可能にするような形態にあるとすることができる。

視野ファセット１９は、各々個別に瞳ファセット２２に関連付けられ、それによって視野ファセット１９のうちのそれぞれの１つに当たるＥＵＶ放射線１０の照明光ビームの成分が、関連付けられた瞳ファセット２２を通じて物体視野５に転送されるようにする。従って、２つのファセットミラー１３、１４は、チャンネル毎にＥＵＶ放射線１０を物体視野５に伝達する複数の照明チャンネルを定める。図２に略図示の実施形態は、合計で３２個のそのような照明チャンネルを有する。放射線源３は、照明チャンネルの各々内の瞳ファセット２２上にマップされる。

視野ファセット１９及び瞳ファセット２２は、２つのそれぞれのファセット型に分割される。図２は、基本照明視野ファセット１９_Gを模様なし形式で示している。図２は、補正照明視野ファセット１９_Kを陰付き形式で示している。基本照明視野ファセット１９_Gは、照明チャンネルを通じてこれらの視野ファセット１９_Gに関連付けられた基本照明瞳ファセット２２_Gを有し、この基本照明瞳ファセット２２_Gを模様なし円で示している。

補正照明視野ファセット１９_Kは、照明チャンネルを通じてこれらの補正照明視野ファセット１９_Kに関連付けられた補正照明瞳ファセット２２_Kを有し、この補正照明瞳ファセット２２_Kを陰付き円で示している。

基本照明視野ファセット１９_Gは、関連付けられた基本照明瞳ファセット２２_Gを用いて基本照明チャンネルを通じて物体視野５の基本照明を与える。補正照明視野ファセット１９_Kは、関連付けられた補正照明瞳ファセット２２_Kを用いて基本照明チャンネルを通じて物体視野５の基本照明を与える。

視野ファセットミラー１３の視野ファセット１９のうちのどれが基本照明視野ファセット１９_Gとして使用されるかの選択、及び視野ファセット１９のうちのどれが補正照明視野ファセット１９_Kとして使用されるかの選択は、ＥＵＶ放射線１０の照明光ビームによる視野ファセットミラー１３の照明の幾何学形状及び強度分布、並びに物体視野５の規定の望ましい照明に従って行われる。例示的に、使用される補正照明視野ファセット１９_Kは、照明が基本照明には不十分な強度しか持たないもの又は照明が基本照明には許容不能である強度分布を有するものである。使用される補正照明視野ファセット１９_Kは、例えば、境界にある視野ファセット１９、又は例えば遮蔽現象にある程度起因してＥＵＶ放射線が当たらないか、又はある程度減衰して当たる視野ファセット１９とすることができる。

補正照明視野ファセット１９_Kは、規定の絞り輪郭を有するＥＵＶ絞りの形態にある関連付けられたＥＵＶ減衰器を有する。図３は、この種のＥＵＶ絞り２４を有する補正照明視野ファセット１９_K1から１９_K6及び１９_K1'から１９_K6'を陰付き形式で絞り輪郭２５と共に図示している。ＥＵＶ絞り２４は、補正照明ファセット１９_Kの反射面からのある間隔の位置に配置される。この間隔は最大で２００μｍであるが、他方では０よりも大きく、これは、ＥＵＶ絞り２４が、補正照明ファセット１９_Kに接触しないことを意味する。

各ＥＵＶ絞り２４は、関連付け補正照明視野ファセット１９_Kに対する減衰器区画として使用される。

この場合、補正照明視野ファセット１９_K1から１９_K6は、補正照明視野ファセットブロック２０_K内で組み合わされる。補正照明視野ファセット１９_K1'から１９_K6'は、補正照明視野ファセットブロック２０_K'内で組み合わされる。これらの補正照明視野ファセット１９_K1から１９_K6及び１９_K1'から１９_K6'は、陰付き形式で示している区画においてＥＵＶ絞り２４によって覆われ、それによってそこに入射するＥＵＶ放射線１０が遮蔽される。この遮蔽は、ＥＵＶ放射線１０の吸収により、又は光線経路からのＥＵＶ放射線１０の反射とそれに続く吸収とによって行うことができる。ＥＵＶ絞り２４の絞り輪郭２５の形状は、補正照明視野ファセット１９_K1から１９_K6において各場合に異なる。補正照明視野ファセット１９_K1と１９_K1'とは、等しい形の絞り２４を有する。それに従ってこれは、補正照明視野ファセットの対１９_K2／１９_K2'から１９_K6／１９_K6'に適用される。２つの視野ファセットブロック２０_Kと２０_K'とは、ｘ／ｚ鏡像対称平面に関して互いに対して鏡像対称で配置される。

補正照明視野ファセット１９_K1から１９_K6における絞り２４の絞り輪郭２５の異なる設計に起因して、これらの補正照明視野ファセット１９_K1から１９_K6は、ｘ方向に異なるそれぞれの分布でＥＵＶ放射線１０を減衰させる。

補正照明視野ファセット１９_K1の絞り２４は、図３の左手の境界でＥＵＶ放射線１０を完全に減衰させる。減衰は、右手境界に向けて線形に減少し、従って、ＥＵＶ放射線１０は、右手の境界において可能な最大の効率で反射される。

補正照明視野ファセット１９_K2は、厳密に逆の減衰プロフィールをもたらす絞り輪郭２５を有する関連付けられたＥＵＶ絞り２４を有し、従って、このＥＵＶ絞り２４は、図３の左手の境界においていかなる減衰ももたらされず、右手の境界においてＥＵＶ放射線１０の最大減衰をもたらす。

補正照明視野ファセット１９_K3は、図３の上部と下部から補正照明視野ファセット１９_K3の中心で接触する２つの三日月形区画を有する絞り輪郭２５を有する絞り２４を有する。従って、補正照明視野ファセット１９_K3は、ｘ方向に図３の左手の境界における最小減衰で始まり、半分のｘレベルにおける最大減衰に移行し、更に右手の境界における最小減衰に戻る減衰プロフィールを有する。

補正照明視野ファセット１９_K4の絞り２４は、補正照明視野ファセット１９_K3と比較してｘ方向にＥＵＶ放射線の逆減衰プロフィールを有する。補正照明視野ファセット１９_K3と１９_K4とは、ｘ方向に放物線減衰プロフィールを生成する。

補正照明視野ファセット１９_K5の絞り２４は、ｘ方向に図３の左手の境界におけるＥＵＶ放射線１０の最小減衰で始まり、右手の境界における最大減衰に戻る減衰プロフィールを有する。２つの境界の間では、減衰は、ｘ座標への非線形依存性を有する。この場合、減衰は、穏やかな単調関数に従う。他の減衰機能プロフィール、特に少なくとも１つの最小値又は少なくとも１つの最大値を有するもの、更に、揺らぎ分布を有することも可能である。

補正照明視野ファセット１９_K6の絞り２４は、ｘ方向に補正照明視野ファセット１９_K5のものとは逆の減衰プロフィールを有する。

補正照明視野ファセット対１９_K1／１９_K1'から１９_K6／１９_K6'は、それぞれ、関連付けられたそれぞれのＥＵＶ絞り２４に起因して長視野寸法にわたって、すなわち、ｘ軸に沿って同じ反射率分布を有する標準化された補正照明視野ファセットの群を形成する。

補正照明視野ファセットの対１９_K1／１９_K1'から１９_K6／１９_K6'は、それぞれ瞳ファセットミラー１４の中心２６に対して点対称に配置された、関連付けられた補正照明瞳ファセット対２２_K1／２２_K1'から２２_K6／２２_K6'を有する。

それによって補正照明チャンネルによって物体視野照明のいかなるテレセントリック性変化ももたらされないことを保証する。

テレセントリック性は、物体視野５の照明において以下の通りに定められる。

照明物体視野５の全ての視野点に対して、この視野点に関連する光束における重心光線が定められる。この場合、重心光線は、この視野点から射出する光束のエネルギ重み付き方向を有する。理想的には、全ての視野点において、重心光線は、照明光学系又は投影光学系７によって規定される主光線と平行に進む。

主光線の方向：

（ｘ，ｙ）は、照明光学系４又は投影光学系７の設計データから既知である。主光線は、ある視野点において、この視野点と投影光学系７の入射瞳の中心点の間の接続線によって定められる。物体視野５内の視野点ｘ，ｙにおける重心光線の方向は、次式として計算される。

Ｅ（ｕ，ｖ，ｘ，ｙ）は、瞳座標ｕ，ｖに基づく視野点ｘ，ｙにおけるパワー分布であり、すなわち、この関連の視野点ｘ，ｙにおける照明角に基づくパワー分布である。

は、点ｘ，ｙに印加される全エネルギである。

中心物体視野点ｘ₀，ｙ₀は、例えば、照明光学系４の瞳平面を通るそれぞれの放射線部分ビームの通過点によって定められる方向ｕ，ｖからの放射線部分ビームからの放射線を受ける。この照明の場合には、様々なエネルギ又は強度の放射線部分ビームが組み合わされて主光線方向と平行に延びる積分された重心光線方向を形成する場合にのみ、重心光線は主光線に沿って進む。これは理想的な場合にのみそうである。実際には、重心光線方向：

（ｘ，ｙ）と主光線方向：

（ｘ，ｙ）の間には、テレセントリック性誤差：

と呼ぶ不一致が以下のように存在する。

投影露光装置１の実際の作動中には、特定の物体視野点における固定のテレセントリック性誤差ではなく、ｘ＝ｘ₀において走査積分されたテレセントリック性誤差を補正すべきである。それによって次式がもたらされる。

従って、走査中にレチクル上で物体平面６内の物体視野５を通って進む点（ｘ、例えば、ｘ₀）がエネルギ重み付き積分形態で被るテレセントリック性誤差が補正される。この場合、ｘテレセントリック性誤差（ｔｘ）とｙテレセントリック性誤差（ｔｙ）との間で区別がつけられる。ｘテレセントリック性誤差は、重心光線と主光線の間の走査方向に対して垂直な不一致として定められる。ｙテレセントリック性誤差は、重心光線と主光線の間の走査方向の不一致として定められる。

図示していない形態の補正照明視野ファセットでは、図３示している形態における２つの１９_K1／１９_K1'から１９_K6／１９_K6'から構成される群に準じて同じＥＵＶ反射率ｘ分布を有する４つのそれぞれの補正照明視野ファセット１９_Kから構成される群が存在する。補正照明視野ファセットのうちの４つから構成されるこれらの群は、瞳ファセットミラー１４の中心２６の周囲の照明チャンネルにわたって均等に分布されて配置されて関連付けられた４つの補正照明瞳ファセット２２_Kから構成される群を有し、４つの補正照明チャンネルから構成されるそのような群の絞りによって制御された接続は、例えば、楕円度Ｅ_0°/90°を維持する。厳密には、中心２６は、照明光学系４の瞳ファセットミラー１４によって規定される瞳中心である。

楕円度は、物体平面６内の物体視野５の照明の品質を評価するための更に別の測定変数である。この場合、楕円度を判断することにより、投影光学系７の入射瞳にわたるエネルギ又は強度の分布に関する正確な説明が可能になる。この目的のために、入射瞳は、数学上の慣例に従って反計時方向にＯ₁からＯ₈と番号が振られた８つの八分円に分割される。入射瞳の八分円Ｏ₁からＯ₈が視野点の照明に対して行うエネルギ又は強度の寄与を以下ではエネルギ又は強度寄与Ｉ₁からＩ₈と呼ぶ。

以下の変数を−４５°／４５°楕円度（Ｅｌｌｙ、Ｅ_-45°/45°）と呼ぶ。
Ｅ_-45°/45°＝

更に、以下の変数を０°／９０°楕円度（Ｅｌｌｘ、Ｅ_0°/90°）と呼ぶ。
Ｅ_0°/90°＝

テレセントリック性誤差に関して上述したものにより、特定の物体視野点Ｘ_FP，Ｙ_FP又はそうでなければ走査積分照明（ｘ＝ｘ_FP，ｙ−積分）に関する楕円度を判断することができる。

ｘ座標軸に基づいて補正照明視野ファセット１９_Kに関連付けられたＥＵＶ絞り２４の絞り輪郭２５における機能プロフィールは、例えば、補正照明視野ファセット１９_K1、１９_K1'の場合におけるものと同様にｘに線形とすることができ、又は補正照明視野ファセット１９_K2から１９_K2'の場合におけるものと同様にｘに２次関数的に基づくことができる。例えば、ｘのより高いべき乗を有し、ｘへの異なる多項式依存性も可能である。例えば、補正照明視野ファセット１９_Kのｘ座標軸への反射率依存性のフーリエ分解を生成するための正弦又は余弦依存性も可能である。一般的に、１組の直交関数に対応するｘへの１組の反射率依存性を生成する上で、様々な補正照明視野ファセット、例えば、補正照明視野ファセット１９_K1から１９_K6を使用することができる。それによって物体視野５の照明パラメータ、特にテレセントリック性及び楕円度という照明パラメータに対して事実上あらゆる照明補正を行うことが可能になる。

次に、図４から図８を用いて、複数のＥＵＶ絞り２４を有するＥＵＶ減衰器２７（図８を参照されたい）の製造を説明する。

最初に、図４は、視野ファセット支持体２１上に視野ファセットブロック２０を形成するように組み合わされた視野ファセット１９の実際の配列を有する実施形態の視野ファセットミラー１３を示している。視野ファセットブロック２０の基本本体は、アルミニウムを含む。視野ファセットブロック２０のそれぞれ大まかに半円形の２つの配列は、その間に間隙空間２８を有し、この間隙空間２８は、視野ファセットミラー１３が照明される時に遮蔽され、従って、ＥＵＶ放射線１０によって照明されない。

図５は、図４の左上に示している３つの視野ファセットブロック２０から構成される群からの拡大詳細部を示している。図５は、視野ファセットブロック２０の個別視野ファセット１９が互いに対して傾斜され、それによってＥＵＶ放射線１０をチャンネル毎に異なって経路変更し、従って、互いから物理的に分離して配置された瞳ファセットミラー１４の瞳ファセット２２を照明することを示している。更に、個別視野ファセット１９の凹球面設計を見ることができる。視野ファセット１９のこの設計は、照明光ビームとして入射するＥＵＶ放射線１０を形成するための非平面ミラートポグラフィを有する反射面２９を有するＥＵＶミラーである視野ファセットミラー１３をもたらす。図面にはこのトポグラフィを図５に強調表示している３つのファセットブロック２０の領域内にのみ写実的に示しており、他の場合は平面として略示している。

視野ファセット１９の詳細な図によって図５に強調表示している３つの視野ファセットブロック２０は、その上に電気メッキニッケルコーティングとして一体的に形成された減衰器半物品３０を有する。減衰器半物品３０の一体形成は、視野ファセットブロック２０の基本本体にＥＵＶ反射コーティングが設けられる前に行われる。

電気メッキ形成に基づいて、減衰器半物品３０の反射面２９に対面する減衰器面３１は、反射面２９のトポグラフィを帯びる。従って、電気メッキ形成の後に、減衰器半物品３０の減衰器面３１は、反射面２９のミラートポグラフィに対して補完的な設計のものである減衰器トポグラフィを有する。

図６は、反射面２９からの形成及びそこからのその後の分離の後の減衰器半物品３０を示している。形成中及び減衰器半物品３０から生成されたＥＵＶ減衰器２７の後の作動位置において反射面２９に対面する減衰器面３１は閲覧者に向く。図７は、減衰器面３１の反対側から見た減衰器半物品３０を示している。

図６は、高精度に傾斜され、凹に設計された視野ファセット１９の輪郭を減衰器面３１が用いていることを示している。

電気メッキ形成に続く段階では、補正照明視野ファセット１９_Kに関連付けられるＥＵＶ絞り２４は、この時点で、関連付けられるそれぞれの絞り輪郭２５を伴って生成される。この生成は、例えば、レーザ材料除去法又はワイヤ腐食を用いて行うことができる。

その結果は、図８に示しているＥＵＶ減衰器２７の区画である。図１は、視野ファセットミラー１３の前にあるＥＵＶ減衰器２７の配列を略示している。ＥＵＶ減衰器２７の場合には、電気メッキによって視野ファセットミラー１３の全半分を形成することによって生成された半物品を仮定している。図８には、ＥＵＶ減衰器２７のＥＵＶ絞り２４の絞り輪郭２５を矩形開口部として略示している。実際には、補正照明視野ファセット１９_Kにおける絞り輪郭２５は、例えば、図３に示している形状を有する。個別ＥＵＶ絞り２４は、フレーム３１ａによって保持することができる。この場合、視野ファセットミラー１３から構成される個別ファセット群に関連付けられたＥＵＶ絞り２４の群に対して、ＥＵＶ絞り２４のこれらの群を保持する個別フレーム要素を設けることができる。絞り３１ａ又は個別フレーム要素は、ＥＵＶ減衰器２７を視野ファセットミラー１３の支持体上に装着するための保持構造を有することができる。

基本照明視野ファセット１９_Gは、これらの基本照明視野ファセット１９_Gの反射面にわたって延びる関連付けられた貫通開口部３２を有する。図８に示している概略図では、貫通開口部３２は、ＥＵＶ絞り２４の絞り輪郭２５と形状が異ならない。

ＥＵＶ減衰器２７の隣接するＥＵＶ絞り２４と貫通開口部３２とは、これらの間に、格子状のＥＵＶ減衰器２７において自己支持安定性を保証する補強物３３を有する。

図９は、図９の視野ファセットミラー１３の左手半分の反射面２９に隣接して配置された図８に示しているＥＵＶ減衰器２７を有する視野ファセットミラー１３を示している。ＥＵＶ減衰器２７は、電気メッキによって視野ファセットミラー１３のこの左手半分に精密に形成することによって生成されたものであるから、視野ファセットミラー１３に接触することなく、その極めて近くに持ってくることができる。実際には、反射面２９と減衰器面３１の間に約１００μｍの間隔を生成することができる。反射面２９と減衰器面３１の間の間隔は２００μｍよりも大きくない。

ＥＵＶ減衰器２７と視野ファセットミラー１３の間のこの短い間隔は、視野ファセットミラー１３の視野ファセット１９上へのＥＵＶ放射線１０の入射角がゼロとは異なることに起因する、絞り輪郭２５又は貫通開口部３２の境界における望ましくない二重通過損失が阻止されるか、又は最小限に低減されることを意味する。

図９は、補強物３３が、個別ファセット１９の間の間隙空間及びファセットブロック２０の間の距離区画３４に隣接し、これらと平行に延びる補強支柱の形態にあることを示している。従って、補強物又は補強支柱３３は、有用ＥＵＶ放射線１０の損失を実質的にもたらされない。

個別絞り輪郭２５を有するＥＵＶ絞り２４を有するＥＵＶ減衰器２７の改良に対する変形として、ＥＵＶ減衰器２７の上述の例示的な実施形態のＥＵＶ絞り２４の位置における個別灰色フィルタ設計を用いても補正照明視野ファセット１９_Kの個別減衰を得ることができる。ＥＵＶ絞り２４の位置に使用される灰色フィルタは、例えば、可変厚みを有する吸収体層とすることができる。代替的又は追加的に、灰色フィルタ区画の上に吸収点構造の規定の分布を与えることができ、ｘ方向、すなわち、長視野軸の方向のその減衰プロフィールは、上述のＥＵＶ絞り２４のものに対応する。

次に、図１０から図１３を用いて、ＥＵＶ減衰器２７の代わりに又はそれに加えて使用することができる更に別の変形のＥＵＶ減衰器３５を説明する。図１から図９を参照して上述したものに対応する構成要素及び機能は同じ参照番号を有し、これらに対しては再度詳細には解説しない。

図１０は、図４に示している視野ファセットミラー１３の視野ファセットブロック２０のうちの１つを示している。この視野ファセットブロック２０は、それに関連付けられ、視野ファセットブロック２０の補正照明視野ファセット１９_Kにおける減衰器区画として使用されるＥＵＶ減衰器３５を有する。

ＥＵＶ減衰器３５は、複数の減衰器指状体を有する。図１０は、図１０の上部から下部に増加する順序で番号が振られた合計で４つの減衰器指状体３６、３７、３８、及び３９を示している。減衰器指状体３６から３９の各々は、それに関連付けられた補正照明視野ファセット１９_Kに対する絞りである。減衰器指状体３６から３９は、これらに関連付けられた補正照明視野ファセット１９_Kの反射面２９から一定の間隔Ａの位置で延びている。図１０から図１３に図示の実施形態では、減衰器指状体３６から３８と、関連付けられた補正照明視野ファセット１９_Kの間の間隔Ａも同様に２００μｍよりも大きくない。

視野ファセットブロック２０の補正照明視野ファセット１９_Kは、その反射面２９において、ｘ−ｙ平面に対し、すなわち、視野ファセットミラー１３の主平面に対するそれぞれの個別傾斜角を有する。減衰器指状体３７に関連付けられた補正照明視野ファセット１９_Kは、図１１の左上から右下に傾斜して延びている。減衰器指状体３８に関連付けられた補正照明視野ファセット１９_Kは、図１２の左下から右上に傾斜して延びている。この傾斜角に基づいて、瞳ファセットミラー１４の関連付けられたそれぞれの瞳ファセット２２が、それぞれの補正照明視野ファセット１９_Kによる反射を受けて照明される。

減衰器指状体３６から３９は、ワイヤ状金属指状体の形態にあるとすることができる。図１０の平面図でｘ方向に直線で延びるように示している遮蔽縁部４０は、図１から図９に関連して上述した補正照明を得るようにｘ−ｙ内で個別に形づくるか又は成形することができる。遮蔽縁部は、レーザ材料加工、ワイヤ腐食、又はフォトエッチングによって形づくることができる。

補正照明ファセット１９_Kの各々は、それに関連付けられた減衰器指状体３６から３９のうちの厳密に１つを有することができ、この減衰器指状体は、例えば、関連付けられた補正照明視野ファセット１９_Kの反射面２９のｙ座標軸に見た中心区画を遮蔽する。複数の減衰器指状体３６から３９を視野ファセットブロック２０の補正照明視野ファセット１９_Kのうちの厳密に１つに関連付けることができる。減衰器指状体３６から３９のうちの２つを補正照明視野ファセット１９_Kのうちの厳密に１つに関連付けることができる。

減衰器指状体３６から３８は、共通の装着支持体４１によって担持される。装着支持体４１は、２つの支持ブラケット４２、４３を有する。２つの支持ブラケット４２、４３は、ファセットブロック２０の両側に配置される。減衰器指状体３６から３９は、２つの支持ブラケット４２、４３の間に延びている。

減衰器指状体３６から３９に対する支持ブラケット４２、４３上の保持点は、支持ブラケット４２、４３内の支持溝４４によって形成される。補正照明視野ファセット１９_Kの反射面２９の傾斜した外形に従って支持溝４４の深さは、関連付けられる減衰器指状体３６から３９に対して設計される。減衰器指状体３６から３９の端部は、それぞれ、関連付けられた支持溝４４の基部上に支持される。減衰器指状体３６から３９は、例えば、関連付けられた支持体溝４４の基部に接合することができる。減衰器指状体３７では、図１１及び図１２の左に示している支持ブラケット４２内の支持溝４４はごく小さい深さのものであり、それに対して図１１及び図１２の右に示している支持ブラケット４３内の支持溝４４は非常に大きい深さを有する。減衰器指状体３８では、支持ブラケット４２内の支持溝４４は大きい深さのものであり、支持ブラケット４３内の支持溝４４は小さい深さのものである。境界にある２つの減衰器指状体３６、３９では、減衰器指状体３６、３９が、関連付けられた補正照明視野ファセット１９_Kの反射面２９と同様にｘ方向と平行に延びるように、平均深さの支持溝４４が設けられる。従って、支持溝４４、すなわち、減衰器指状体３６から３９に対する支持ブラケット４２、４３上の保持点は、張られる補正照明個別ファセット１９_Kの形状に依存するレベルに配置される。

支持ブラケット４２、４３は、図１０に示している視野ファセットブロック２０と、ｘ方向に隣接してそれに続く視野ファセットブロック（図示せず）の間に挿入される。

照明補正は、照明光学系４を用いて以下の通りに実施される。最初に適切な検出器を用いて、物体視野５の照明における強度分布が確認される。更に、物体視野５の照明における角度分布を測定することができる。この測定結果を用いて、補正照明視野ファセット１９_Kの設計が計算される。次に、計算された設計及び関連付けが照明光学系４内に与えられ、これは、例えば、使用される補正照明視野ファセット１９_Kを特定的に選択することによって行うことができる。その後に、レチクルと照明光１０に対して感光性を有するコーティングを保持するウェーハとが準備される段階、更に、投影露光装置１を用いてレチクルのうちの少なくとも１つの区画がウェーハ上に投影される段階を含む投影露光が行われる。最後に、照明光ビーム１０に露光された感光層がウェーハ上で現像される。

上述の補正照明視野ファセットの様々な変形は、これらの補正照明視野ファセットのビーム誘導作用を動的に制御するのに使用することができる。この目的のために、補正照明視野ファセットは、投影露光装置内の制御デバイスによって作動させることができる。この作動は、物体視野又はそうでなければ像視野内の長視野寸法にわたる強度プロフィールの測定に基づいて行うことができる。

視野ファセットミラー１３が補正照明視野ファセットを伴って作動され、特にこれらのファセットが能動的に再配置可能又は能動的に遮蔽可能な形態にある場合には、個別補正照明視野ファセット又は補正照明視野ファセットの群は、接続又は接断することができる。

上述したものとは異なる実施形態の補正照明視野ファセットは、物体視野の部分領域のみを照明することを可能にする。この部分領域照明は、特定の視野レベル、すなわち、視野の部分領域において補正照明視野ファセットによって与えられる照明光を混入させる結果として、これらの視野レベルにおける強度の落ち込みを均等化するのに使用することができる。

上述したものとは異なる実施形態の補正照明視野ファセットの実質的に照明される領域の縁部形状は、少なくとも１つの変向点を有することができる。この縁部は、補正照明視野ファセットの高反射領域と低効率反射領域又は非反射領域の間の分割線とすることができる。少なくとも１つの変向点を有する縁部は、物理的に存在するファセット縁部とすることができる。この縁部は、適切に成形された遮蔽本体によって生成することができる。

１３ 視野ファセットミラー
２０ 視野ファセットブロック
２７ ＥＵＶ減衰器
３１ａ フレーム
３３ 補強物
３４ 距離区画

Claims (24)

1. 照明光ビーム（１０）を放射線源（３）から物体視野（５）に誘導するためのＥＵＶマイクロリソグラフィのための照明光学系（４）であって、
   照明光ビーム（１０）を形成するための非平面ミラートポグラフィを備えた反射面（２９）を有する少なくとも１つのＥＵＶミラー（１３）を有し、
   前記ＥＵＶミラー（１３）の前に配置された少なくとも１つのＥＵＶ減衰器（２７）であって、該ＥＵＶ減衰器（２７）の該ＥＵＶミラー（１３）の前記反射面（２９）に対面する減衰器面（３１）が、前記ミラートポグラフィを補完するように設計された減衰器トポグラフィを有し、それによって該減衰器面（３１）のうちの少なくともある一定の区画が、該反射面（２９）に接触することなく該反射面（２９）から一定の間隔の位置に配置される少なくとも１つのＥＵＶ減衰器（２７）を有する、
   ことを特徴とする照明光学系。
2. 前記ＥＵＶ減衰器（２７）と前記ＥＵＶミラー（１３）の間の前記間隔は、２００μｍよりも大きくないことを特徴とする請求項１に記載の照明光学系。
3. 前記ＥＵＶ減衰器は、規定の絞り輪郭（２５）を備えた少なくとも１つのＥＵＶ絞り（２４）を有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の照明光学系。
4. 前記ＥＵＶ減衰器は、少なくとも１つのＥＵＶ灰色フィルタを有することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の照明光学系。
5. 前記ＥＵＶミラー（１３）の前記反射面（２９）は、自由曲面の形態にあることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の照明光学系。
6. 前記ＥＵＶミラー（１３）の前記反射面（２９）は、複数の反射個別ファセット（１９）を備えたファセット面の形態にあり、少なくとも一部の個別ファセット（１９_K）は、前記ＥＵＶ減衰器（２７）の関連付けられた減衰器区画（２４；３５）を有することを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の照明光学系。
7. 前記減衰器区画（２４；３５）は、個々の減衰をもたらすことを特徴とする請求項６に記載の照明光学系。
8. 前記減衰器区画（２４；３５）は、前記個別ファセット（１９_K）に関連付けられた遮蔽縁部（２５；４０）を備えた絞りの形態にあることを特徴とする請求項６又は請求項７に記載の照明光学系。
9. 前記ファセット面は、複数のファセットブロック（２０）に分割され、そこにおいて複数の個別ファセット（１９）が、次に、組み合わされ、該ファセットブロック（２０）は、該ファセット面上に挿入された距離区画を有し、前記ＥＵＶ減衰器（２７）の前記補完的に成形された減衰器面（３１）は、該距離区画に隣接して配置された面区画上に補強支柱（３３）を有することを特徴とする請求項６から請求項８のいずれか１項に記載の照明光学系。
10. 前記ＥＵＶ減衰器（２７）の前記補完的に成形された減衰器面（３１）は、特に電気メッキによって前記反射面（２９）から形成された層の形態にあることを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の照明光学系。
11. ＥＵＶ減衰器（２７）の前記形成された層（３０）は、ニッケルから生成されることを特徴とする請求項１０に記載の照明光学系。
12. 前記形成された層（３０）は、複数の絞り（２４）を収容することを特徴とする請求項１０又は請求項１１に記載の照明光学系。
13. 減衰器区画（２４）の他に、前記形成された層（３０）は、非減衰貫通開口部（３２）も収容することを特徴とする請求項１０から請求項１２のいずれか１項に記載の照明光学系。
14. 前記減衰器区画（３５）は、絞りである複数の減衰器指状体（３６から３９）を有することを特徴とする請求項６から請求項１３のいずれか１項に記載の照明光学系。
15. 前記減衰器指状体（３６から３９）は、個々に成形された遮蔽縁部を有することを特徴とする請求項１４に記載の照明光学系。
16. 各個別ファセット（１９_K）は、２つよりも多くの関連付けられた減衰器指状体（３６から３９）を持たないことを特徴とする請求項１４又は請求項１５に記載の照明光学系。
17. 前記減衰器指状体（３６から３９）は、共通の装着支持体（４１）によって担持されることを特徴とする請求項１４から請求項１６のいずれか１項に記載の照明光学系。
18. 前記装着支持体（４１）は、複数の個別ファセット（１９_K）を有するファセットブロック（２０）の両側に配置された支持ブラケット（４２，４３）を有し、前記減衰器指状体（３６から３９）は、該ファセットブロック（２０）に関連付けられた該２つの支持ブラケット（４２，４３）の間に配置されることを特徴とする請求項１７に記載の照明光学系。
19. 前記支持ブラケット（４２，４３）上の前記減衰器指状体（３６から３９）のための保持点（４４）が、張られる前記個別ファセット（１９_K）の形状に依存するレベルに配置されることを特徴とする請求項１８に記載の照明光学系。
20. 請求項１から請求項１９のいずれか１項に記載の照明光学系（４）のためのＥＵＶ減衰器（２７；３５）。
21. 照明光ビーム（１０）を生成するためのＥＵＶ放射線源（３）を有し、
    請求項１から請求項１９のいずれか１項に記載の照明光学系（４）を有する、
    ことを特徴とする照明系。
22. 請求項２１に記載の照明系を有し、
    物体視野（５）を像視野（８）上に投影するための投影光学系（７）を有する、
    ことを特徴とする投影露光装置。
23. 微細構造化構成要素を生成する方法であって、
    レチクルが準備される段階と、
    照明光（１０）に対して感光性を有するコーティングを有するウェーハが準備される段階と、
    請求項２２に記載の投影露光装置を用いて前記レチクルの少なくとも１つの区画が前記ウェーハ上に投影される段階と、
    前記照明光ビーム（１０）に露光された前記感光層が前記ウェーハ上で現像される段階と、
    を有することを特徴とする方法。
24. 請求項２３に記載の方法を用いて生成されたサブアセンブリ。

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